TWI401832B - Organic electroluminescent light making device, film forming apparatus and film forming method, liquid crystal display substrate manufacturing apparatus, and calibration apparatus and calibration method - Google Patents

Description

有機電激發光製造裝置、成膜裝置及此等之成膜方法、液晶顯示基板製造裝置以及校準裝置及校準方法

本發明係有關有機電激發光製造裝置、成膜裝置及此等之成膜方法、液晶顯示基板製造裝置以及校準裝置及校準方法，特別是關於適合於大型基板之校準的有機電激發光製造裝置以及成膜裝置及液晶顯示基板製造裝置。

作為製造有機電激發光裝置之有力的方法，有著真空蒸鍍法。在真空蒸鍍中，必須要有基板與光罩之校準。年年處理基板的大型化之浪潮，G6世代的基板尺寸係成為1500mm×1800mm。当基板尺寸乃作為大型化時，當然光罩也大型化，其尺寸亦到達至2000mm×2000mm程度。特別是使用鋼製的光罩時，在有機電激發光裝置係其重量亦成為300kg。在以往中，將基板及光罩做成水平，實施校準(位置調整)。另外，經由大型化，校準亦變為嚴格，其要求為高。作為關於如此之校準的以往技術，係有下述之專利文獻1、2。另外，關於校準的補正，係於專利文獻2揭示有：在經由水平之校準中，加進校準檢測量與實際之補正量的差而進行校準之方法。

[專利文獻1]日本特開2006-302896號公報

[專利文獻2]日本特開2008-004358號公報

但將揭示於專利文獻1之基板與光罩作為橫向進行校準之方法，係如圖14所示，基板及光罩係經由其薄度與本身重量而有大彎曲。其彎曲如為一樣，則考慮此而製作光罩即可，但當然中心越大，而基板尺寸越大時，製作係變為困難。另外，一般而言，在其中心點的彎曲量係將基板的彎曲作為d1，將光罩的彎曲作為d2時，成為d1＞d2。當基板彎曲大時，基板蒸鍍面乃與光罩接觸，於校準時，在前工程產生接觸傷於蒸鍍之有機膜之故，有必要於校準時，加大間隔基板與光罩。但間隔為視野深度以上而進行較準時，精確度則變差，而有成為不良品之課題。特別是在顯示裝置用基板中，無法得到高精彩的畫面者。

為了應付其課題，有著將基板與光罩做成略垂直而蒸鍍之方法。由作為垂直者，可大幅度地減少經由基板或陰蔽罩之自重的彎曲。

但陰蔽罩係其光罩部乃薄度20~50μm，於其製造時，如圖11所示，光罩全體乃從中心朝周圍產生彎曲，在光罩部端部中，其影響為大。圖11乃誇張描繪其狀態的圖，其中，了解到於基板與陰蔽罩之間做成有數十μm之間隙，其間隙乃引起蒸鍍模糊，而有無法高精確度地進行蒸鍍之課題。

另外，記載於專利文獻1之以往方法係如圖15所示，為了防止蒸鍍材料附著於校準標記，於與蒸鍍側相反側，使用接受從垂直或斜方進行照明的光源和其反射而配置攝影機之所謂反射型光學系統，檢測校準標記，進行校準。在以往之有機電激發光製造裝置中，如圖3之圈出圖所示，將設置於鋼製之光罩的四角形之凹部與設置於透明基板上之金屬部，作為校準標記，做成金屬部呈來到四角形的中心地進行校準。但反射型光學系統係有著以下的問題，有著無法精確度佳進行校準的課題。(1)光罩表面係因做成鏡面而引起光暈等之故，無法提昇照明強度而降低時，而無法檢測出金屬部。(2)在校準時，呈不傷及基板表面地，有必要於與光罩之間設置0.5mm程度之間隙，但反射型光學系統係視野深度為小而像變為模糊。

接著，在揭示於專利文獻1之方法中，為將校準基板與光罩之機構全體作為真空內之設置之故，有著產生有伴隨驅動部等之移動的粉塵及熱，或來自對於驅動部等之配線的氣體、來自潤滑劑之氣體、來自構件表面之氣體乃降低真空度之可能性。對於第1之真空內的粉塵係其粉塵乃附著於基板或光罩而引起蒸鍍不佳，第2的發熱係助長光罩的熱膨脹而使蒸鍍尺寸變化，並且第3的空氣係降低真空度之故，同時有著降低產率，即生產性的問題。

另外，為將校準基板與光罩之機構全體作為真空內之設置之故，一旦在驅動部等產生故障時，維修上需要時間，而有裝置之稼動率下降之問題。

隨之，本發明之第1目的係提供可降低基板或光罩的彎曲，高精確地進行蒸鍍之有機電激發光製造裝置及成膜裝置以及液晶顯示基板製造裝置者。

另外，本發明之第2目的係提供可降低陰蔽罩的彎曲影響，高精確地進行蒸鍍之有機電激發光製造裝置、成膜裝置以及此等之成膜方法。

更且，本發明之第3目的係提供可精確度佳進行校準之校準裝置及校準方法。

另外，本發明之第4目的係提供使用上述校準裝置或校準方法，可高精確度地進行蒸鍍之有機電激發光製造裝置及成膜裝置。

更且，本發明之第5目的係提供由配置驅動部等於大氣側者，降低真空內之粉塵或氣體的產生，生產性高之有機電激發光製造裝置及成膜裝置。

另外，本發明之第6目的係提供由配置驅動部等於大氣側者，提昇維護性，稼動率高之有機電激發光製造裝置及成膜裝置。

為了達成上述任一之目的，其第1特徵乃具有：將基板保持成立起之姿勢的基板保持手段，和將陰蔽罩保持垂下之姿勢的陰蔽罩垂下手段，和攝影設置於前述基板與陰蔽罩之校準標記的校準光學手段，和在前述垂下姿勢之狀態，驅動前述陰蔽罩之校準驅動手段，和依據前述校準光學手段的結果，控制前述校準驅動手段之控制手段。

另外，為了達成上述任一之目的，其第2特徵乃加上於第1特徵，前述陰蔽罩垂下手段係於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底，具有可旋轉地支持前述陰蔽罩之複數之旋轉支持部，前述校準驅動手段係具有前述複數之旋轉支持部之中驅動至少一處之主動旋轉支持部的主動驅動手段，前述有機電激發光製造裝置係更具有將前述主動旋轉支持部以外之其他旋轉支持部的傳動旋轉支持部，隨著前述主動旋轉支持部的動作之校準傳動手段。

更且，為了達成上述任一之目的，其第3特徵乃加上於第2特徵，將前述主動旋轉支持部，設置於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底之上部、兩端側之二處者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第4特徵乃加上於第2特徵，前述校準驅動手段係具有：具備獨立驅動前述二處於上下方向之上下驅動手段，和將前述二處之中，一處驅動於左右方向之左右驅動手段的前述主動驅動手段，和前述其他一處係對於前述左右方向而言傳動之左右傳動手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第5特徵乃加上於第1乃至第4特徵，前述校準驅動手段及/或校準傳動手段係設置於前述真空室之外者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第6特徵乃加上於第1乃至第5特徵，將前述校準驅動手段設置於前述陰蔽罩之上部側，將前述校準傳動手段設置於前述陰蔽罩之下部側者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第7特徵乃加上於第1乃至第6特徵，前述基板保持手段係具有將前述基板，從水平狀態立起之手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第8特徵乃加上於第1乃至第6特徵，前述基板保持手段係具有在將前述基板立起的狀態，接近或緊密於陰蔽罩之手段者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第9特徵乃針對在具有在真空室內進行基板與陰蔽罩之校準的校準手段，和將蒸發源內之蒸鍍材料，蒸鍍於基板之真空蒸鍍室的成膜裝置，具有：載置前述基板，保持成立起姿勢之基板保持器，和呈面對於前述立起姿勢之前述基板地，保持前述陰蔽罩之陰蔽罩保持手段，和減低經由前述陰蔽罩之彎曲的影響之補正手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第10特徵乃加上於第9特徵，前述補正手段係具有按壓保持前述基板之基板保持器，或前述陰蔽罩之按壓手段者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第11特徵乃加上於第10特徵，前述補正手段係具有測定前述基板保持器與前述陰蔽罩間之距離的測定手段，依據前述測定手段之結果，或依據預先所訂定之補正量，控制前述按壓手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第12特徵乃加上於第11特徵，前述按壓手段乃按壓前述基板保持器之按壓位置係前述基板的端部蒸鍍部之外側周圍者，或者前述按壓手段乃按壓前述陰蔽罩之按壓位置係對應於前述基板的端部蒸鍍部之外側周圍之位置者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第13特徵乃加上於第12特徵，前述按壓位置係設置於前述基板保持器或前述陰蔽罩之四角附近的四處者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第14特徵乃針對在真空室內進行基板與陰蔽罩之校準，將蒸鍍材料蒸鍍於前述基板之成膜方法，具有補正前述陰蔽罩所具有之彎曲的補正工程者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第15特徵乃加上於第14特徵，前述補正工程乃於按壓保持基板之基板保持器或前述陰蔽罩之情況所進行之工程者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第16特徵乃加上於第14特徵，前述補正工程乃於進行校準之前，或者進行校準之後加以實施者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第17特徵乃加上於第14乃至第16任一之特徵，具有於進行校準之後，將前述基板全體緊密於陰蔽罩之工程者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第18特徵乃加上於第10特徵，前述補正工程乃具有設置於中空罩體，將一端開放於前述中空罩體而另一端開放於大氣之中空的連接部，於前述補正手段，藉由前述連接部而敷設必要之配線者。

更且，為了達成上述第1之目的，其第19特徵乃加上於第9特徵，具有將前述基板保持手段與前述補正手段，從水平的狀態做成立起之狀態的基板旋轉手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第20特徵乃加上於第19特徵，前述基板旋轉手段係旋轉前述連接部之手段者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第21特徵乃陰蔽罩係具有校準用之貫通孔，校準部係具備：具有從前述貫通孔之一端側射入光的光源與攝影前述另一端之攝影手段的校準光學系統，和依據前述攝影手段的輸出，進行校準之控制部者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第22特徵乃加上於前述第21特徵，前述貫通孔乃於前述陰蔽罩之前後貫通的孔，前述校準光學系統係具有前述至少於對於前述基板的處理時，遮蔽對於前述貫通孔之處理材的附著之遮蔽手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第23特徵乃加上於前述第22特徵，前述校準光學系統係具有將前述遮蔽手段，在處理時係移動至處理位置，在校準時係移動至校準位置之遮蔽移動手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第24特徵乃加上於前述第21特徵，前述貫通孔之一端乃校準用之開口部，於另一端的開口部，連接或插入光纖，將前述光纖的另一端連接於光源或攝影手段者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第25特徵乃加上於前述第22特徵，前述貫通孔之一端乃校準用之開口部，前述貫通孔係具有L字部者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第26特徵乃具有：具備照射光至設置於基板及陰蔽罩之校準標記的光源，和攝影前述校準標記的攝影手段之校準光學系統；前述校準光學系統係具有前述光源或前述攝影手段之中至少一方乃隨著前述基板或前述陰蔽罩之校準動作而移動之追隨手段者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第27特徵乃加上於前述第26特徵，前述追隨手段乃連結於驅動前述校準動作之驅動部的移動之手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第28特徵乃具有：具備照射光至設置於基板及陰蔽罩之校準標記的光源，和攝影前述校準標記的攝影手段之校準光學系統；各自對應設置複數前述校準標記，對於各校準標記而言，設置複數前述校準光學系統，依據前述複數之攝影手段的輸出，將前述基板的中心位置校準成基準者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第29特徵乃加上於前述第28特徵，前述複數乃4個，將前述校準，設置於前述基板及前述陰蔽罩之四角附近者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第30特徵乃加上於前述第21~29特徵，加以立起設置前述校準前述基板及陰蔽罩者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第31特徵乃加上於前述第21~30特徵，前述校準係在真空室內進行，具有將蒸發源內的蒸鍍材料對於基板進行蒸鍍處理之真空蒸鍍室者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第32特徵乃加上於前述第31特徵，具有前述校準光學系統之中，至少將前述攝影手段，從前述真空室的上部之大氣側內藏於突出之凹部，對於前述凹前端係設有光學視窗者。

更且，為了達成上述任一之目的，其第33特徵乃加上於前述第31特徵，前述遮蔽移動手段係具有設置於大氣側之驅動手段，和藉由真空密封手段而連結前述驅動手段與前述遮蔽手段之連結手段者。

另外，為了達成上述任一之目的，其第34特徵乃加上於前述第31特徵，具有：為了進行前述校準而驅動前述陰蔽罩之驅動手段，和連接前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底與前述驅動手段之校準軸；前述驅動手段係設置於大氣側，前述校準軸係藉由真空密封手段而動作者。

於最後，為了達成上述任一之目的，其第35特徵乃加上於前述第11至14特徵，作為前述蒸鍍材料而使用有機電激發光材料者。

如根據本發明，可提供可降低基板或光罩之彎曲，高精確度地蒸鍍之有機電激發光製造裝置或成膜裝置，或者液晶顯示基板製造裝置者。

另外，如根據本發明，可提供可降低陰蔽罩之彎曲的影響，高精確度地蒸鍍之有機電激發光製造裝置、成膜裝置以及此等製造方法及成膜方法者。

更且，如根據本發明，可提供可精確度佳進行校準之校準裝置及校準方法者。

另外，如根據本發明，可提供使用前述校準裝置或校準方法，可高精確度地蒸鍍之有機電激發光製造裝置及成膜裝置者。

更且，如根據本發明，可提供由配置驅動部等於大氣側者，降低真空內的粉塵或氣體的產生，生產性高之有機電激發光製造裝置或成膜裝置者。

另外，如根據本發明，可提供由配置驅動部等於大氣側者，提昇維護性，稼動率高之有機電激發光製造裝置或成膜裝置者。

使用圖面說明發明之第1實施形態。有機電激發光製造裝置係不只單形成發光材料層(電激發光層)，以電極夾持之構造，而於陽極之上方，將電洞植入層或輸送層，於陰極之上方，將電子植入層或輸送層等，形成各種材料作為薄膜所成之多層構造，以及洗淨基板。圖1乃顯示其製造裝置之一例的圖。

在本實施形態之有機電激發光製造裝置100係大致由輸入處理對象之基板6之負載群組3、處理前述基板6之4個的群組(A~D)、各群組間或群組與負載群組3，或者與接下來之工程(封閉工程)之間之所設置之6個遞送室4所構成。在本實施形態中，將基板的蒸鍍面做成上面而輸送，進行蒸鍍時，將基板立起進行蒸鍍。

負載群組3係由為了於前後維持真空而具有閘閥10之負載室31，和從前述負載室31接受基板6(以下單稱基板)，進行旋轉將基板6輸入至遞送室4a之輸送機械手臂5R所成。各負載室31及各遞送室4係於前後具有閘閥10，控制該閘閥10之開關而維持真空的同時，於負載群組3或者接下來的群組等，遞送基板。

各群組(A~D)係擁有：具有一台之輸送機械手臂5之輸送室2，和從輸送機械手臂5接受基板，在進行特定處理之圖面上，配置於上下之2個處理室1(第1添加字a~d係顯示群組，第2添加字u，d係顯示上側下側)。對於輸送室2與處理室1之間係設置有閘閥10。

圖2係顯示輸送室2與處理室1之構成的概要。處理室1之構成係根據處理內容而有所差異，但舉例說明以真空蒸鍍發光材料，形成電激發光層之真空蒸鍍室1bu。圖3乃此時輸送室2b與真空蒸鍍室1bu之構成的模式圖與動作說明圖。在圖2之輸送機械手臂5係可將全體移動於上下(參照圖3之箭頭59)，具有可旋轉於左右之連結構造之支架57，對於其前端係於上下二段具有2支基板運送用之梳狀柄部58。1支柄部的情況係為了將基板交付至接下來之工程的旋轉動作、為了從先前的工程接受基板的旋轉動作、以及隨著此等之閘閥的開閉動作乃於輸出入處理之間而為必要，但經由做成上下二段之時，維持著輸入於單側之柄部的基板，以未保持基板側之柄部，從真空蒸鍍室進行基板的輸出動作之後，可連續進行輸入動作者。

作為2柄部或作為1支柄部係經由所要求之生產能力而決定。在以後的說明中，為了將說明作為簡單，以1支柄部進行說明。

另一方面，真空蒸鍍室1bu係大致由使發光材料蒸發，蒸鍍於基板6之蒸鍍部7，和進行基板6與陰蔽罩之位置調整，蒸鍍於基板6之必要部分之校準部8，和以及進行輸送機械手臂5與基板之遞送，將基板6移動至蒸鍍部7之處理遞送部9所成。校準部8與處理遞送部9係設置有右側R線路與左側L線路之2系統。

因此，在本實施形態之處理的基本思考方法係於進行一方之線路(例如R線路)蒸鍍之間，在另一方之L線路中，進行基板的輸出入，進行基板6與陰蔽罩81之校準，結束進行蒸鍍之準備者。經由交互進行此處理之時，可未蒸鍍於基板而減少多餘昇華之時間。

首先，第1，說明本發明之第1特徵之校準部8的實施形態。在本實施形態中，如圖4所示，將基板6與陰蔽罩大概豎立成垂直而進行。另外，為了進行校準之機構部係盡可能，設置於真空蒸鍍室1之外側的大氣側，具體而言係設置於真空蒸鍍室1之上部壁1T上，或者下部壁1Y下。另外，必須設置於真空蒸鍍室1bu內之構成，係從大氣部設置凸部而設置於其中。

在本實施形態中，校準時係固定基板6，移動陰蔽罩81，呈可蒸鍍於基板6之必要部分地進行位置調整。

以下，對於校準部8之機構與其動作加以說明。

校準部8係由陰蔽罩81、固定陰蔽罩81之校準基底82、保持校準基底82，規定校準基底82，即在陰蔽罩81之XZ平面的姿勢之校準驅動部83、從下支持校準基底82，與校準驅動部83進行協調而規定陰蔽罩81之姿勢的校準傳動部84、檢測設置於基板6與前述陰蔽罩81之後述的校準標記之校準光學系統85、處理校準標記之影像，求得校準量，控制校準驅動部83之控制裝置60(參照圖8)所成。

首先，圖5顯示陰蔽罩81。陰蔽罩81係由光罩81M與框體81F所成，例如對於G6之基板尺寸1500mm×1800mm而言之尺寸，係成為2000mm×2000mm程度，其重量亦成為300Kg。對於光罩81M係有為了規定蒸鍍位置的窗。例如在形成發光成紅(R)的蒸鍍膜時，係於對應於R的部份有窗。此窗的尺寸係根據顏色有所差異，但平均為寬度為30μm、高度為150μm程度。光罩81M之厚度乃50μm程度、往後有成為更薄之傾向。另一方面，對於光罩81M，係於精密校準標記81m為4處，粗校準標記81mr為2處，計6處，設置有校準標記81m。對應於此，對於基板，亦於精密校準標記6ms為4處，粗校準標記6mr為2處之計6處，設置有校準標記6m。

校準基底82係具有保持陰蔽罩81之上部及下部的保持部82u、82d，陰蔽罩81之背側係呈可蒸鍍於基板6地成為有如回字狀之空洞。另外，校準基底82係經由接近在其四角，於上部2處81a、81b，設置於其2處各下方之81c、81d之計4處的旋轉支持部，可旋轉地加以支持。

接著，對於規定陰蔽罩81之姿勢的校準驅動部83與校準傳動部84加以說明。首先，說明4個旋轉支持部的動作，並說明4個旋轉支持部隨著驅動或旋轉支持部的動作之校準驅動部83與校準傳動部84之構成與動作。

前述4個旋轉支持部之中，將旋轉支持部81a主動(主動地進行驅動)於Z方向，將旋轉支持部81b主動於Z方向及X方向時，藉由校準基底82，旋轉支持部81a係傳動於X方向，旋轉支持部81c、81d係將經由前述主動之複合作用的旋轉支持部81a作為支點，進行傳動旋轉。

連結各旋轉支持部與後述之驅動部或傳動部之作用點的校準軸83a、84a係未經由栓槽83s、84s而傾斜，垂直於Z方向且/或平行移動於X方向。因此，各旋轉支持部係對於校準基底82而言，可旋轉地加以安裝。隨之，前述旋轉支持部81c、81d之傳動旋轉係成為分解成X方向及Z方向之動作。

即，在本實施形態中，經由旋轉支持部81a、81b之Z方向的移動，進行Z位置之補正，另外經由兩者的差，進行旋轉補正，更且經由旋轉支持部81b之X方向的移動，進行X位置補正。另外，旋轉支持部81a、81b之兩者間的距離為長的情況，對於同樣Z方向的動作而言，有著可精確度佳地進行旋轉補正之優點。

驅動上述之旋轉支持部81a、81b之陰蔽罩驅動部83係由設置於真空蒸鍍室1bu之上壁部1T(亦參照圖2)上的大氣中，具有移動旋轉指示部81a於Z方向之Z驅動部83Z的左驅動部83L，和具有將旋轉支持部81b，與左驅動部83L同樣地移動於Z方向之Z驅動部83Z，與將前述Z驅動部全體移動於X方向(圖Z之左右方向)之X驅動部83X的右驅動部83R所成。左右驅動部83L、83R之Z驅動部係基本上為相同構成之故，附上相同符號，且省略一部分符號。以下，符號之附加方式，省略方式係在機構部上亦為相同。

將左驅動部83L舉例說明Z驅動部83Z。Z驅動部83Z係加以固定於如前述，在軌道83r上傳動於X方向之Z驅動部固定板83k，經由Z方向驅動馬達83zm，藉由滾動螺旋83n、推拔83t，移動連結棒83j於Z方向。校準軸83a係經由在其上部連結之連結棒83j，移動於Z方向。推拔83t係利用校準基底82等之重力，為了防止前述Z方向之空轉而設置之構成，其結果，遲滯性消失而有及早到達目標值之效果。另外，各校準軸83a，係藉由固定一端於設置於真空蒸鍍室1bu之上部壁1T的密封部(未圖示)之伸縮管83v而進行動作。

右驅動部83R係更加上於前述Z驅動部83Z，具有固定於真空蒸鍍室1bu之上部壁1T，將搭載Z驅動部83Z之Z驅動部固定板83k，沿著X軸軌道83r上而進行驅動之X驅動部83X。X驅動部83X的驅動方法係將X方向驅動馬達83xm之旋轉力，藉由滾動螺旋83n等，基板上與Z驅動部83Z相同，但其驅動力係需要將校準基底82，藉由旋轉驅動及校準基底而移動其他之驅動部或傳動部的動力。右驅動部83R之校準軸83a係因亦移動於X方向之故，其伸縮管83v亦具有對於X方向而言之自由度，在伸縮的同時，於左右具有柔軟性。

校準傳動部84係具有呈可對應於旋轉支持部81c、81d之前述的傳動旋轉地，將各校準軸84a移動於Z方向、X方向之左右的傳動部84L、84R。傳動部係亦可於中心部設置1處，但在本實施形態中，為了安定進行動作而設置2處。兩傳動部係基本上，於左右線對稱具有同一構造之故，作為代表加以說明84R。校準軸84a係與固定一端於設置於真空蒸鍍室1bu之下部壁1Y的密封部84c之伸縮管83v同樣地，藉由密封處理室1bu之真空的伸縮管84v、栓槽84s，加以固定於X軸傳動板84k。因此，X方向之傳動係移動在敷設於固定校準傳動部84之校準支持部固定台84b的軌道84r而進行，Z方向之被動係經由前述栓槽84s而進行。

在前述之校準部的實施形態中，經由將4處之旋轉支持部81之中設置2處於真空蒸鍍室上部之旋轉支持部，主動於Z方向，另外將其中1處主動(主動地驅動)於X方向之時，實施陰蔽罩之校準。除此之外，可舉出各種驅動方法。例如，於上部3處，設置旋轉支持部，旋轉中央之旋轉支持部，由左右之旋轉支持部而主動或傳動於Z方向與X方向進行校準。於下部，至少設置1處之傳動部。或者與上述實施形態同樣地，設置2處上部旋轉支持部，於其1處進行旋轉，集中Z方向及X方向之主動，其他係亦有作為傳動之方法。另外，在上述實施形態中，基本上，將上部作為主動，將下部作為傳動，但亦可將此作為相反。

在前述校準部8的實施形態中，將校準驅動部83、校準傳動部84、校準光學系統85，設置於真空蒸鍍室1bu之上部或下部之大氣側，但亦可設置於真空蒸鍍室1bu之側壁的大氣側。當然，亦可分散於上部、下部及側壁部。

接著，說明本發明之第2特徵的校準光學系統85之一實施形態。本實施形態之校準光學系統係呈可獨立攝影前述之各校準標記地，由對於4個精密校準標記81ms而言之4個精密校準光學系統85s，和對於2個粗校準標記81mr而言之2個粗校準光學系統85r之計6個光學系統所構成。

於圖6顯示6個校準光學系統之基本構成。光學系統之基本構成係設置夾持陰蔽罩81，於校準基底82側，具有光學視窗85ws於前端，固定於真空蒸鍍室1bu之上部1T，藉由光學視窗85w而照射的光源85k與固定於後述之遮斷支架85as之光源側反射鏡85km，於基板6側，設置安裝於從攝影機收納筒85t之支架85a的攝影機側反射鏡85cm，及收納於攝影機收納筒85t之攝影手段之攝影機85c，具有所謂透過型之構成。攝影機收納筒85t、支架85a等係呈未成為基板乃成為垂直姿勢時之軌道K的阻礙地，至以虛線所示之支架85a位置，可經由伸縮管85v等而移動。

因為透過型之故，呈光可通過地，於光罩81M設置4角形之貫通孔的校準標記81m，更且對於框體81F亦設置圓筒狀之貫通孔81k。另一方面，基板6之校準標記6m係比較於在光透過性之基板的上方，作為金屬性之四角形的陰蔽罩之校準標記81m，為相當小的標記。

當設置貫通孔81k時，在蒸鍍時蒸鍍材料則進入貫通孔，蒸鍍於校準標記上之故，從接下來的工程無法進行校準。為了防止此，對於在蒸鍍時，作為蒸鍍材料呈不會進入至貫通孔81k地進行遮蔽。在本實施形態中，於校準時設置光源側反射鏡之支架乃於蒸鍍時係對於蒸鍍遮斷有效的範圍之故，作為將其支架作為可移動，且對於蒸鍍時係具有遮蔽貫通孔81k構造之遮蔽型支架85as。遮蔽型支架85as係經由對於設置於大氣側的驅動馬達(未圖示)，驅動成上下之連結棒85b進行伸縮，將其一端，藉由固定於密封部85s之伸縮管85v加以驅動。圖6所示之虛線乃顯示遮蔽狀態，實線乃顯示校準狀態。

於圖7顯示其他的實施形態。如圖7(a)所示，陰蔽罩之框體81F的厚度乃如充分，於框體81F設置L字形之貫通孔81k，將光源85k，與光源側反射鏡85km同時內藏亦可。此情況，框體81F本身乃達成遮蔽體之作用之故，無需遮蔽型之支架。

另外，如圖7(b)所示，於校準時，光源側反射鏡85km乃未遮斷蒸鍍範圍之情況，係可於校準基底82，將遮蔽型支架做成固定，可經常做成遮蔽狀態者。

另外，如圖7(b)所示，在攝影機側，加長攝影機收納筒85t，內藏光源側反射鏡85km亦可。

更且，如圖7(c)所示，於光源側開口部，在遮蔽光纖85f之一端的狀態進行固定，將另一端連接於設置於大氣側的光源85k。在本實施形態中，可將發熱體之光源，以簡單的構造設置於大氣側，無需設置特別的遮蔽體。

更且，在其他的目的，設置於真空蒸鍍室1bu之構造物乃在蒸鍍時，如達成遮蔽體之作用，無需設置新的遮蔽體。

另一方面，攝影機收納筒85t係做成如圖4所示，具有從真空蒸鍍室1bu之上部1T突出之構造，於前端設置光學視窗85w，將攝影機85c維持於大氣側之同時，可攝影校準標記6m、81m(符號係參照圖6)。

另外，於蒸鍍面側設置光源，但改變位置而設置攝影機亦可。

精密校準光學系統85s與粗校準光學系統85r之構成上的不同係前者為了高精確地進行校準，具有縮小視野，以高解析攝影校準之高倍率透鏡85h的點。伴隨於此，圖3所示之基板及陰蔽罩的校準標記6m、81m的尺寸乃不同。視野係精密校準之情況，與粗校準做比較，小1位數以上，最終可進行μm等級之校準。

隨之，精密校準時係呈不離開視野地配合陰蔽罩81之校準81m的移動，精密校準光學系統85s亦有跟隨移動之必要。將各固定攝影機85c與光源85k之固定板85p、85ps，連接Z驅動部固定板83k或X軸傳動板84k而進行跟隨。另外，對於粗校準光學系統85r，係呈於初期的安裝時，可進行位置調整地，設置攝影機位置調整平台85d。

在前述實施形態中，使用6個校準光學形態，經由校準之要求精確度，係無需設置粗校準光學系統，更且對於精密校準光學系統，亦無需4個，而包含粗‧精密，最低如有2個即可。

接著，說明於本發明之第3特徵的校準實施前，將基板立起，在校準結束後，將基板6接近於陰蔽罩之機構之一實施形態。圖3所示之處理遞送部9係具有：作為未與輸送機械手臂5之梳狀手部58干擾，可遞送基板6之梳狀手部91，和於前述梳狀手部91上，固定載置某基板6，將其基板6旋轉而立起之基板旋轉手段93，與更加地，接近於校準部8之基板接近手段93G所成之基板旋轉接近手段93A。作為前述固定之手段，係考慮為真空中的情況，由靜電吸付或機械性夾鉗等構成，設置於至少將基板立起時之上部側94u。

圖8係詳細顯示基板旋轉接近手段93A，並且，顯示作為呈未有來自配線之被覆材等之排氣的問題，或由配線疲勞產生損傷之流體洩漏之虞等之真空內配線‧配管機構之適用圖。

首先，說明基板旋轉接近手段93A之基板旋轉手段93。基板旋轉手段93係由載置基板6之載置台93d，和蒸鍍時冷卻基板6之冷卻套93j，和將基板6、載置台93d及冷卻套93j，成為一體旋轉之基板旋轉驅動部93b、可旋轉地支持冷卻套93j等之旋轉支持台93k加以構成。對於冷卻套93j係敷設有冷卻水管43、44。另外，基板旋轉驅動部93b係具有設置於大氣側之旋轉用馬達93sm，和經由旋轉用馬達93sm，藉由齒輪93h1、93h2而旋轉於箭頭A的方向之中空的第1連桿41，和於第1連桿41，呈具有與第1連桿之中空部連續之中空部地加以固定，沿著前述冷卻套93j的側面部加以設置之第2連桿42。然而，第1連桿係於設置於真空蒸鍍室1bu之側壁的密封部93s，介入存在有固定一端之伸縮管93v，經由旋轉支持台93k，可旋轉地加以支持。然而，旋轉用馬達93sm係由設置於大氣側之控制裝置60加以控制。

在上述中，經由支持唯由圖3所示之固定手段94之中，設置於基板上部之固定手段94u所立起之基板6之時，基板6係經由自重而消解彎曲。在消解其彎曲之後，由設置於基板下部的固定手段94d，固定全體亦可。另外，當垂直地立起基板6時，因於基板6與載置台93d之間，亦有產生微小間隙之可能性之故，例如1度程度，多少傾斜安定載置之同時，可確實地消除此等彎曲者。

在本實施形態中，將基板蒸鍍面做成上面而進行輸送之故，如將基板6立起，可直接進行校準。

接著，對於基板接近手段93G加以說明。基板接近手段93G(基板接近驅動部93g)係具有固定基板旋轉驅動部93b，於箭頭B方向，移動在軌道93r上之旋轉驅動部載置台93t、將旋轉驅動部載置台93t，藉由滾動螺旋93n而驅動之接近用馬達93dm。由將如此之機構，經由控制裝置60而進行控制者，將基板6接近於陰蔽罩81，如有必要可加以緊密。

如根據上述實施形態，在蒸鍍時可消解基板之彎曲。

另外，保持基板與陰蔽罩不會接觸之距離，可進行校準，之後由將基板接近或緊密於陰蔽罩者，可降低在蒸鍍之模糊，成為可進行高精確度之蒸鍍。

更且，基板旋轉接近手段93A係具有作為呈未有來自配線之被覆材之排氣的問題，或由配線疲勞產生損傷之流體洩漏之虞等之真空內配線‧配管機構。真空內配線‧配管機構40係由上述第1連桿41及第2連桿42加以構成，對於其中空部，係為了流動冷卻水於冷卻套93j，配設有供給用43與回收用44之冷卻水配管。各連桿係由具有耐銹強，相當強度之金屬，例如不鏽鋼、鋁加以構成，第1連桿41之中空部的旋轉用馬達93sm側係開放於大氣。前述2支冷卻水配管係一般由具有在大氣中所使用之柔軟性的材料而構成，或由金屬性而構成，呈在連桿內未具有可撓部地，配管成由第1連桿41及第2連桿42所形成之形態的L字狀，可撓部係設置於大氣側。如使用後者，更可構成疲勞傷害少之配管。另外，萬一冷卻水從冷卻水配管43、44洩漏，亦可排水於大氣側地，將在前述真空蒸鍍室1bu之側壁的連接部，作為較在冷卻套93j的連接部為低。

如根據本實施形態之真空內配線‧配管機構40，於將一端開放於大氣，將多端連接於移動部之連桿機構的中空部，設置配管，前述連桿機構之旋轉部係加以真空密封，從真空側完全地遮斷之故，萬一即使有從冷卻水配管漏水，亦不會漏水至真空側，另外，無需將連桿機構之中空部做成真空。更且，因將連桿機構，由不鏽鋼或鋁所構成之故，排氣之產生亦少。另外，真空內配線‧配管機構乃構成基板旋轉驅動部之一部分之故，作為全體而可做成簡單之構成。在前述的例中，有敷設配管於連桿的例，但即使將信號線配線於連桿內，亦可提供不會招致從信號線產生的排氣於真空內的構成。隨之，可保持高真空，進行信賴性高的蒸鍍之處理者。

接著，將在具有上述之校準部8、校準光學系統85S及基板旋轉接近手段93A之真空蒸鍍室之處理動作，以校準動作為主體進行說明。

以下，顯示基板在輸入至真空蒸鍍室1bu之後的處理流程圖。(1)首先，將輸入至圖3所示之R線路的基板6之上部，固定於基板載置台，之後大概立起成垂直而消解彎曲。(2)由從基板6相距一定距離之狀態，經由粗校準標記而實施粗校準，檢測在粗校準之位置偏移，求取粗補正量。(2)依據其粗補正量，在圖4所示之ZX平面，移動陰蔽罩81而進行粗位置調整。(3)由保持一定的距離，以精密校準標記，實施精密校準，檢測在精密校準之位置偏移，求取精密補正量。(4)依據其精密補正量，在圖4所示之ZX平面，移動陰蔽罩81而進行精密位置調整。(5)緊密基板6與陰蔽罩81。(6)檢測(3)的校準結果(位置偏移)。(7)位置偏移量如為容許範圍，等待圖3所示之L線路之基板之蒸鍍結束。(8)如L線路的蒸鍍結束之後，移動蒸發源71於R線路而進行蒸鍍。(9)在(7)中，位置偏移量如為容許範圍外，暫時將兩者分離，為了進行精密校準而返回至(3)。

在上述中，粗校準的位置調整係由2台之攝影機85c進行攝影，設置於基板6，如圖3之導引圖所示，攝影陰蔽罩81與基板6之校準標記81mr、6mr，將2個校準的中間點，根本地位置調整成基準者。另一方面，精密校準係於基板的四角附近，設置4個校準標記，將基板的中心點補正成基準。理論上，對於以2個根本決定之情況而言，4個乃資訊過多。此係經由4角的資訊，四角的偏移乃呈成為最小地，經由將基板的中心點決定成中心之時，基板6與陰蔽罩81之偏移變小，作為製品為了取得大的可有效利用之面積。如粗校準地，將上部中點做成基準時，下部側的偏移變大，作為製品可利用之面積變少。

如根據以上說明之本實施形態，可提供由將基板及陰蔽罩做成垂直或大概垂直之狀態，可進行校準之有機電激發光製造裝置。其結果，可提供可排除經由基板或陰蔽罩之自重的彎曲之影響，可消解位置偏移，或經由無法接近基板與陰蔽罩之膜模糊，進而可高精確地蒸鍍，可製造高精彩之基板的有機電激發光製造裝置。

另外，如根據本實施形態，在對於校準必要之機構，由設置驅動裝置於大氣中者，抑制粉塵或氣體的產生，進而可降低經由粉塵或氣體的蒸鍍不佳，可提供生產性高的有機電激發光製造裝置。

更且，如根據本實施形態，在對於校準必要之機構，由設置驅動裝置或發熱的機構，或者許多的校準光學系統構成要素於大氣中者，可提供維護性佳，稼働率高之有機電激發光製造裝置。

另外，可提供由實施將基板作為中心之校準者，作為製品，可進行有效面積高的蒸鍍，即產率高，即生產性高之有機電激發光製造裝置。

更且，如根據以上實施形態，可提供由將校準標記作為透過型者，可確實檢測基板與陰蔽罩之信賴性高之有機電激發光製造裝置。

至今所說明之實施形態係將基板6與陰蔽罩81立起進行校準，之後保持立起狀態，進行蒸鍍的實施例。未必需要由立起之狀態進行蒸鍍，而經由附加將陰蔽罩遞送至基板側的機構之時，保持校準之狀態，暫時做成水平，之後進行蒸鍍亦可。例如，其第1之方法係經由圖8所示之基板旋轉手段93，再次做成水平，從上部進行蒸鍍的方法。

作為第2之方法，圖3所示之2個處理線路之中，一方作為校準專用線路(例如R線路)，將另一方的線路(L線路)作為蒸鍍專用線路之方法。在R線路進行校準之後，經由傳送機械手臂5而移動至L線路。之後，由設置於L線路之基板旋轉手段93進行180度旋轉，從下進行蒸鍍之方法。在本方法中，多少需要處理時間，但亦可於校準專用線路之兩側，由設置蒸鍍專用線路，交互進行處理者。

在做成上述之水平進行蒸鍍之實施形態，亦可得到與由立起狀態進行蒸鍍之實施形態同樣之效果。

在以上說明之實施形態中，說明過將基板做成水平輸送至處理遞送部之情況，但垂直地輸送基板，之後實施校準亦可。

更且，如根據本實施形態，可提供在對於校準需要之機構中，將無法設置於真空中之驅動裝置，可設置於大氣中之有機電激發光製造裝置。

更且，上述校準機構係亦可適用於在大氣中所進行之液晶顯示裝置等之校準。

另外，可提供由實施將基板作為中心之校準者，作為製品，可進行有效面積高的蒸鍍，即產率高，即生產性高之有機電激發光製造裝置。

更且，如根據以上實施形態，可提供由將校準標記作為透過型者，可確實檢測基板與陰蔽罩之信賴性高之有機電激發光製造裝置。

至今所說明之實施形態係將基板6與陰蔽罩81立起進行校準，之後保持立起狀態，進行蒸鍍的實施例。未必需要由立起之狀態進行蒸鍍，而經由附加將陰蔽罩遞送至基板側的機構之時，保持校準之狀態，暫時做成水平，之後進行蒸鍍亦可。例如，其第1之方法係經由圖8所示之基板旋轉手段93，再次做成水平，從上部進行蒸鍍的方法。

作為第2之方法，圖3所示之2個處理線路之中，一方作為校準專用線路(例如R線路)，將另一方的線路(L線路)作為蒸鍍專用線路之方法。在R線路進行校準之後，經由傳送機械手臂5而移動至L線路。之後，由設置於L線路之基板旋轉手段93進行180度旋轉，從下進行蒸鍍之方法。在本方法中，多少需要處理時間，但亦可於校準專用線路之兩側，由設置蒸鍍專用線路，交互進行處理者。

在做成上述之水平進行蒸鍍之實施形態，亦可得到與由立起狀態進行蒸鍍之實施形態同樣之效果。

在以上說明之實施形態中，說明過將基板做成水平輸送至處理遞送部之情況，但垂直地輸送基板，之後實施校準亦可。

在以上說明之實施形態中，雖在立起的狀態進行校準，但將校準標記作為透過型者、伴隨於此而為了進行蒸鍍，具有遮蔽構造者、設置校準光學系統於大氣側者、另外，其校準光學系統乃跟隨陰蔽罩或基板之校準動作者、設置4個校準，將基板的中心位置，位置調整成基準者等，係亦可適用於做成水平進行校準之方法或構造。

接著，說明具有補正本發明之第4特徵的陰蔽罩之彎曲的基板端部緊密手段之一實施形態。圖9係顯示輸入基板至前述之真空蒸鍍室1bu之後的處理流程圖，更且顯示加上補正陰蔽罩之彎曲的處理之處理流程圖。在本實施形態中，如圖9所示，即使基板尺寸為大，基板與陰蔽罩間的間隙乃數μm前後呈可蒸鍍地，首先，(1)將基板輸入至處理遞送部9，之後，(2)將前述基板立起成略垂直，接著，(3)將基板6，從陰蔽罩81接近至相距一定的距離，例如0.5mm之位置，(4)補正與經由陰蔽罩之彎曲的基板之間隙，(5)由此狀態進行校準。校準結束後，(6)緊密基板6與陰蔽罩81，(7)將蒸鍍材料蒸鍍於基板。

蒸鍍結束後，(8)將基板6，從陰蔽罩81相距一定的距離，(9)解除(4)的補正，(10)將基板及其他做成水平，(11)從處理遞送部9輸出基板。

在上述步驟中，於(5)的校準前，實施步驟(4)，但亦可於校準後或步驟(6)之後實施，另外，於(8)之後實施步驟(9)，但亦可於(8)之前實施。

因此，依序說明上述本實施形態之步驟之中，實現(2)~(6)及(8)~(10)步驟之構成及動作。圖10係顯示上述步驟之中，實現(2)(10)之基板旋轉手段93、實現(3)(6)(8)之基板接近手段93G、及實現(4)(9)之基板端部緊密手段94之圖3所示之處理遞送部9的圖，並且，顯示適用消解來自配線之被覆材的排氣問題之真空內配線機構的圖。

首先，使用圖10，說明實現(2)(10)之基板旋轉手段93。基板旋轉手段93係將載置、保持輸入至處理遞送部9之基板6的基板保持器91、基板6及後述之基板端部緊密手段94，在成為一體實施校準前，立起成略垂直，在校準結束後，係具有返回成水平狀態之機能。作為前述固定之手段係考慮為真空中之情況，由靜電吸付或機械性夾鉗等而構成。

在圖10中，基板旋轉手段93係大致由旋轉為旋轉對象之基板6、基板端部緊密手段94及基板保持器等之旋轉部之真空內配線連桿機構92L、和將前述旋轉物，於箭頭A的方向，藉由前述機構，進行旋轉驅動之基板旋轉驅動部93b所成。

真空內配線連桿機構93L係由第1連桿93L1與第2連桿93L2，及將此等從真空側隔離，將此內部維持成大氣環境之密封部93S所成。前述第1連桿93L1係將一端支持於旋轉支持台93k，將另一端，呈於後述之基板端部緊密手段94，具有中空部地加以連接。前述第2連桿93L2係對於前述基板端部緊密手段94而言，設置於與前述第1連桿93L1相反側，將一端，與第1連桿93L1同樣，呈具有中空部地加以連接於前述基板端部緊密手段94，將另一端，加以連接於設置於圖1所示之間隔部11的支持部11A。前述密封部93S係由將一端，連接於前述基板端部緊密手段之連接部，將另一端，連接於各真空蒸鍍室1bu之側壁，和支持部11A之第1密封部93S1，和第2密封部93S2所成。各密封部93S1、93S2係具有連結各兩端之伸縮管93Sv1、93Sv2，另外，各密封部93S1、93S2之基板端部緊密手段94側的連接部係可旋轉地支持第1連桿93L1與第2連桿93L2。

在上述實施形態中，為了將配線94f敷設於連桿內，而將連桿內做成中空，但密封部93S係因呈包含各連桿地加以構成之故，於連桿與真空密封部之間，敷設配線亦可。此情況係未必需要將連桿做成中空。

另一方面，基板旋轉驅動部93b係具有設置於大氣側之旋轉用馬達93sm，和由旋轉用馬達93sm，將旋轉傳達至前述第1連桿93L1之齒輪93h1、93h2，和支持第1連桿L1之一端的旋轉支持台93k。然而，旋轉用馬達93sm係由設置於大氣側之控制裝置60加以控制。

另外，圖10乃真空蒸鍍室1bu之R線路之故，將圖1所示之間隔部11作為面對象中心，於L線路亦配置有同一構造。隨之，R線路之第1連桿93L1、基板端部緊密手段94、第2連桿93L2及L線路之第1連桿93L1、基板端部緊密手段94、第2連桿93L2之中空部係成為藉由設置於間隔部11之支持部11A而由大氣連結之構造。第2連桿93L2係未必需要為中空，但如後述，第2連桿93L2係有必要在間隔部11之中空部，移動至圖10所示之B方向之故，有可能在移動部出現粉塵，形成支持部11A之中空部之一部分，作為連結於大氣之構造。

在上述中，因將基板6立起成垂直時，於基板6與基板保持器91之間，亦有可能產生微小的間隙之故，例如1度程度，多少傾斜安定載置之同時，經由基板的自重，可確實地消解基板的彎曲。在本實施形態中，將基板蒸鍍面做成上面而進行輸送之故，如將基板6立起，可直接進行前述之校準。

第2，對於達成步驟(5)之校準的構成與動作，既已使用圖4說明過之故，在此省略說明。

接著，對於緊密(3)(6)(8)之基板6與陰蔽罩81的基板接近手段93G之構成及動作，使用圖10加以說明。基板接近手段93G係經由將基板旋轉手段93全體朝箭頭B方向前後移動之時，將基板6，首先至陰蔽罩81為止接近一定距離，之後加以緊密，蒸鍍後返回至原來的位置之手段。因此，基板接近手段93G(基板接近驅動部93g)係具有載置基板旋轉手段93之旋轉驅動部載置台93t、和旋轉驅動部載置台93t之運行用的軌道93r、和藉由滾動螺旋93n而驅動旋轉驅動部載置台93t之接近用馬達93m。對於間隔部11之中空部，亦有隨動於旋轉驅動部載置台93t之動作，將基板旋轉手段93的第2連桿93L2移動至B方向之軌道(未圖示)。雖說是軌道，其稼働長度係頂多2mm程度。由經由控制裝置60而控制如此之機構者，可將基板6接近、緊密及脫離於陰蔽罩81者。

如根據上述實施形態，在蒸鍍時可消解基板之彎曲。另外，保持基板與陰蔽罩未接觸距離，例如0.5mm前後同時，可進行校準，之後，由將基板緊密於陰蔽罩者，可降低在蒸鍍中之模糊，成為可進行高精確度之蒸鍍。

最後，使用圖10，說明實現更加緊密與經由(4)(9)之陰蔽罩的彎曲之基板的間隙之基板端部緊密手段94。即使經由基板接近手段93G而將基板6緊密於陰蔽罩81，如圖11所示，經由陰蔽罩81之具有的彎曲，在基板端部中，於蒸鍍範圍與陰蔽罩81，亦產生數十μm的間隙。因此，在本實施形態中，測定基板保持器91與陰蔽罩間的距離，按壓基板保持器91之上述端部蒸鍍範圍之外側周圍，補正基板6與陰蔽罩81間的間隙，將基板6沿著陰蔽罩81加以緊密。

於圖10顯示實現此之基板端部緊密手段94的實施形態。基板端部緊密手段94係於罩體94H的內部，為了補正陰蔽罩之彎曲而沿著基板，於上部2處，下部2處，設置計4處之補正手段94A~94D。在計4處之補正手段94A~94D中，將上部2處上部的彎曲，將下部2處下部的彎曲，將右部2處右部的彎曲，並且將左部2處左部的彎曲，各自進行補正。

圖11乃顯示補正手段94A~94D之一實施形態的構成圖，作為代表而顯示94A。各手段構成均為相同之故，各構成要素的附加字(A~D)係省略。補正手段94A係由測定前述距離之測定感應部94K，和按壓基板保持器91之按壓機構部94P，和以及密封真空之密封部94S所成。密封部94S係由罩體94H，和設置於基板保持器91之密封94s1、94s2，和連結此等之密封用伸縮管94sv所成。感應部94K係由測定至陰蔽罩81為止之距離的雷射距離計94kr，和為了確保光路而設置於基板保持器91之光路坑94kh及光學視窗94kw所成。另一方面，按壓機構部(按壓手段)94P係由基板保持器之按壓部94pp、於其按壓部，其前端可回動地安裝之按壓棒94pb、將其按壓棒移動至前後之滾動螺旋94pn、螺帽94pt、驅動螺帽導件94pg及滾動螺旋之伺服馬達94pm所成。

控制裝置60係依據來自雷射距離計94kr的檢測結果，按壓基板保持器91，將基板6沿著陰蔽罩81。作為目標間隙係例如作為10μm以下。未成為目標間隙以下時，取4個間隙的平均而進行補正。

如根據上述實施形態之基板端部緊密手段，可高精確地將基板沿著陰蔽罩所具有的彎曲，其結果，在基板端部中，未有膜模糊而可高精確地進行蒸鍍。

在上述實施形態中，在4處補正陰蔽罩之彎曲，但例如上部的彎曲乃比較於目標間隙而為小時，於上部中央，設置一處即可。

另外，在上述實施形態中，將基板端部緊密手段94與基板保持器91作為一體化，但例如基板端部緊密手段之感應部，如個別計測基板保持器與陰蔽罩之距離時，經由此等的差，可測定基板與陰蔽罩間之距離之故，未必需要作為一體化。此情況，例如對於立起成略垂之基板保持器91，將基板端部緊密手段94，於基板的上部具有旋轉軸，從上部進行旋轉，沿著基板保持器91進行端部緊密補正亦可。

更且，在上述實施形態中，將補正量由感應器測定基板保持器與陰蔽罩之距離，但對於許多之陰蔽罩而言預先測定前述距離，依據其統計的處理之距離，作為補正量亦可。

在以上的實施形態，亦可得到與詳細說明之實施形態同樣的效果。

另外，在圖10所示之實施形態中，罩體94H內部係如在基板旋轉手段93時所說明地，藉由第1連桿93L1而加以開放於大氣側。其結果，伴隨著按壓，馬達等之粉塵係排出大氣，未對於真空蒸鍍帶來不良影響。另外，因實現將對於馬達之驅動線及來自感應部之信號線94f，藉由罩體94H與第1連桿93L1而連接於控制裝置之真空內配線機構之故，未有經由來自配線之被覆材的排氣而產生真空度下降之問題。更且，將前述罩體94H或前述連桿，由耐銹強，具有相當強度之金屬，例如不鏽鋼，鋁而構成之故，亦未有排氣之產生。

隨之，如根據本實施形態，可保持高真空，可進行信賴性高的蒸鍍處理。

以上說明之實施形態的基板端部緊密手段，係將基板沿著陰蔽罩，但相反地亦可將陰蔽罩沿著基板。

圖12係顯示在基板端部緊密手段之第2實施形態的校準部8的圖，圖13係顯示按壓陰蔽罩81的四角之補正手段的圖。在圖12、圖13中，達成與第1實施形態相同機能的構成，係附上相同的符號。

在圖12中，L字狀的補正手段罩體94H係具有設置於陰蔽罩之4角(94A、94D係未圖示)將一端，在按壓陰蔽罩處，具有密封真空之圖13所示之密封部94S，將另一端連接於大氣側之構造。

4個補正手段係基本上，具有相同構造之故，將上側的補正手段為例進行說明。在圖13中，與圖11相異處，係於陰蔽罩設置光路坑94kh與光學視窗94kw的點，雷射距離計94kr係測定至基板保持器91為止之距離的點，和密封部94S係設置於補正手段罩體94H與陰蔽罩之間的點。對於其他的點，基本上係與圖11相同。

在本第2實施形態中，亦與第1實施形態相同，可保持高真空，可進行信賴性高的蒸鍍的處理。

另外，在上述說明中，以例說明過有機電激發光裝置，但亦可適用於與有機電激發光裝置相同背景之進行蒸鍍處理的成膜裝置及成膜方法。

另外，在上述說明中，以例說明過有機電激發光裝置，但亦可適用於與有機電激發光裝置相同背景之進行蒸鍍處理的成膜裝置及成膜方法。

更且，上述校準機構係亦可適用於在大氣中所進行之液晶顯示裝置等之校準。

1．．．處理室

1bu．．．真空蒸鍍室

2．．．輸送室

3．．．負載群組

6．．．基板

6m．．．基板的校準標記

7．．．蒸鍍部

8．．．校準部

9．．．處理遞送部

60．．．控制裝置

71．．．蒸發源

81．．．陰蔽罩

81a~d．．．旋轉支持部

81m．．．陰蔽罩之校準標記

81k．．．設置於陰蔽罩框體之貫通孔

82．．．校準基底

83．．．校準驅動部

83Z．．．Z軸驅動部

83X．．．X軸驅動部

84．．．校準傳動部

85．．．校準光學系統

85as．．．遮蔽型支架

85c．．．攝影機

85cm．．．攝影機側反射鏡

85k．．．光源

85km．．．光源側反射鏡

85r．．．粗校準光學系統

91．．．基板保持器

93．．．基板旋轉手段

93b．．．基板旋轉驅動部

93A．．．基板旋轉接近手段

93G．．．基板接近手段(93g：基板接近驅動部)

94．．．基板端部緊密手段

94A~94D．．．補正手段

94H．．．補正手段罩體

94K．．．測定感應部

94P．．．按壓機構部

94S．．．補正手段密封部

100．．．有機電激發光裝置之製造裝置

A~D．．．群組

圖1乃顯示本發明之實施形態之有機電激發光製造裝置的圖。

圖2乃顯示本發明之實施形態之輸送室2與處理室1之構成的概要圖。

圖3乃顯示本發明之實施形態之輸送室與處理室之構成的模式圖與動作說明圖。

圖4乃顯示本發明之實施形態的校準部之構成圖。

圖5乃顯示本發明之實施形態的陰蔽罩的圖。

圖6乃顯示本發明之實施形態的校準光學系統之基本構成圖。

圖7乃顯示本發明之其他實施形態的校準光學系統之基本構成圖。

圖8乃顯示本發明之實施形態的基板旋轉接近手段之構成圖。

圖9乃顯示加上補正本發明之實施形態的陰蔽罩之彎曲的補正手段之處理的動作流程圖。

圖10乃顯示本發明之實施形態的基板旋轉手段、基板緊密手段及基板端部緊密手段的圖。

圖11乃顯示本發明之實施形態的補正手段之第1實施形態圖。

圖12乃顯示具有本發明之實施形態的補正手段之第2實施形態的校準部的圖。

圖13乃顯示本發明之實施形態的補正手段之第2實施形態圖。

圖14乃說明以往技術(水平校準)之課題的圖。

圖15乃說明以往技術(經由反射型光學系統之校準)之課題的圖。

1T．．．上部壁

1Y．．．下部壁

60．．．控制裝置

81．．．陰蔽罩

81a~d．．．旋轉支持部

82．．．校準基底

83．．．校準驅動部

83L．．．左驅動部

83R．．．右驅動部

83X．．．X軸驅動部

83Z．．．Z軸驅動部

83a、84a．．．校準軸

83j．．．連結棒

83n．．．滾動螺旋

83v．．．伸縮管

83s、84s．．．栓槽

83k．．．Z驅動部固定板

83r．．．軌道

83t．．．推拔

83zm．．．Z方向驅動馬達

83xm．．．X方向驅動馬達

84．．．校準傳動部

84b．．．支持部固定台

84c．．．密封部

84k．．．X軸傳動板

84r．．．軌道

85d．．．攝影機位置調整平台

85r．．．粗校準光學系統

85s．．．精密校準光學系統

85p．．．固定板

Claims (21)

1. 一種有機電激發光製造裝置，屬於在真空室內，進行基板與陰蔽罩之校準，具有將蒸發源內之蒸鍍材料，蒸鍍於基板之真空蒸鍍室的有機電激發光製造裝置，其特徵乃具有：將前述基板保持成立起之姿勢的基板保持手段；和將前述陰蔽罩保持垂下之姿勢的陰蔽罩垂下手段；和攝影設置於前述基板與陰蔽罩之校準標記的校準光學手段；和在前述垂下姿勢之狀態，驅動前述陰蔽罩之校準驅動手段；和依據前述校準光學手段的結果，控制前述校準驅動手段之控制手段者。
2. 如申請專利範圍第1項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述陰蔽罩垂下手段係於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底，具有可旋轉地支持前述陰蔽罩之複數之旋轉支持部；前述校準驅動手段係具有：前述複數之旋轉支持部之中驅動至少一處之主動旋轉支持部的主動驅動手段；前述有機電激發光製造裝置係更具有將前述主動旋轉支持部以外之其他旋轉支持部的傳動旋轉支持部，隨著前述主動旋轉支持部的動作之校準傳動手段者。
3. 如申請專利範圍第2項記載之有機電激發光製造裝置，其中，將前述主動旋轉支持部，設置於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底之上部、兩端側之二處者。
4. 如申請專利範圍第3項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述校準驅動手段係具有：具備獨立驅動前述 二處於上下方向之上下驅動手段，和將前述二處之中，一處驅動於左右方向之左右驅動手段的前述主動驅動手段；和前述其他一處係對於前述左右方向而言傳動之左右傳動手段者。
5. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述校準驅動手段及或校準傳動手段係設置於前述真空室之外者。
6. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之有機電激發光製造裝置，其中，將前述校準驅動手段設置於前述陰蔽罩之上部側，將前述校準傳動手段設置於前述陰蔽罩之下部側者。
7. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之有機電激發光製造裝置，其中，將前述校準驅動手段與前述校準傳動手段，設置於前述陰蔽罩之側部側者。
8. 如申請專利範圍第2項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述旋轉支持部係由前述校準驅動手段及前述校準傳動手段與校準軸加以連結者。
9. 如申請專利範圍第8項記載之有機電激發光製造裝置，其中，具有前述校準軸係對於上下方向而言，呈移動於平行地拘束之拘束手段者。
10. 如申請專利範圍第9項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述拘束手段係設置於前述校準軸上之栓槽者。
11. 如申請專利範圍第8項記載之有機電激發光製造 裝置，其中，前述校準軸係藉由真空密封手段與伸縮管而連結於前述旋轉支持部者。
12. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述基板保持手段係具有：將前述基板，從水平狀態立起之立直手段者。
13. 如申請專利範圍第12項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述控制手段係使用前述立直手段而加以微小角傾斜者。
14. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之有機電激發光製造裝置，其中，前述基板保持手段係具有：在立起前述基板之狀態中，接近或緊密於陰蔽罩之手段者。
15. 一種成膜裝置，屬於在真空室內，進行基板與陰蔽罩之校準，具有將蒸發源內之蒸鍍材料，蒸鍍於基板之真空蒸鍍室的成膜裝置，其特徵乃具有：將前述基板保持成立起之姿勢的基板保持手段；和經由於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底，可旋轉地支持前述陰蔽罩之複數之旋轉支持部，保持成垂下前述陰蔽罩之姿勢的陰蔽罩垂下手段；和攝影設置於前述基板與陰蔽罩之校準標記的校準光學手段；和將前述複數之旋轉支持部之中，至少一處的主動旋轉支持部，在前述垂下姿勢之狀態，具有驅動前述陰蔽罩之主動驅動手段的校準驅動手段；和將前述主動旋轉支持部以外之其他旋轉支持部之傳動旋轉支持部，隨著前述主動旋轉支持部的動作之校 準傳動手段；和依據前述校準光學手段的結果，控制前述校準驅動手段之控制手段者。
16. 如申請專利範圍第15項記載之成膜裝置，其中，將前述主動旋轉支持部，設置於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底之上部、兩端側之二處者。
17. 如申請專利範圍第16項記載之成膜裝置，其中，前述校準驅動手段係具有：具備獨立驅動前述二處於上下方向之上下驅動手段，和將前述二處之中，一處驅動於左右方向之左右驅動手段的前述主動驅動手段；和前述其他一處係對於前述左右方向而言傳動之傳動手段者。
18. 如申請專利範圍第15項乃至第17項任一項記載之成膜裝置，其中，前述校準驅動手段及校準傳動手段係設置於前述真空室之外者。
19. 一種液晶顯示基板製造裝置，屬於進行基板與陰蔽罩之校準，塗布液體於前述基板之液晶顯示基板製造裝置，其特徵乃具有：將前述基板保持成立起之姿勢的基板保持手段；和經由於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底，可旋轉地支持前述陰蔽罩之複數之旋轉支持部，保持成垂下前述陰蔽罩之姿勢的陰蔽罩垂下手段；和攝影設置於前述基板與陰蔽罩之校準標記的校準光學手段；和將前述複數之旋轉支持部之中，至少一處的主動旋轉支持部，在前述垂下姿勢之狀態，具有驅動前述陰蔽罩之主動驅動手段的校準驅動手段；和將前述主動旋轉支持部以外之其他旋轉支持部 之傳動旋轉支持部，隨著前述主動旋轉支持部的動作之校準傳動手段；和依據前述校準光學手段的結果，控制前述校準驅動手段之控制手段者。
20. 如申請專利範圍第19項記載之液晶顯示基板製造裝置，其中，將前述主動旋轉支持部，設置於前述陰蔽罩或保持前述陰蔽罩之校準基底之上部、兩端側之二處者。
21. 如申請專利範圍第20項記載之液晶顯示基板製造裝置，其中，前述校準驅動手段係具有：具備獨立驅動前述二處於上下方向之上下驅動手段，和將前述二處之中，一處驅動於左右方向之左右驅動手段的前述主動驅動手段；和前述其他一處係對於前述左右方向而言傳動之傳動手段者。