TW201327692A - 有機電激發光裝置製造裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種有機電激發光裝置製造裝置,其課題為提供可高精確度地控制基板與光罩之間隙之有機電激發光裝置製造裝置。其解決手段為具備設置於真空處理室內之陰蔽罩,和載置基板之基板保持器,和使基板與陰蔽罩之間,接近或離間之基板密著手段,和設置於基板保持器的四角之距離計測機構;距離計測機構係具備:呈貫通基板保持器地加以設置之距離計測用空間,和設置於基板保持器之表面上的透明玻璃板,和配置於距離計測用空間之距離計測部;距離計測部係具備:發射光,將反射光進行受光,計測距離之距離計,和從真空處理室內的環境隔離距離計之距離計框體,和設置於距離計框體之一部份的透明玻璃窗;距離計則呈藉由透明玻璃窗而計測透明玻璃板與陰蔽罩之間的距離地,構成有機電激發光裝置製造裝置。
Description
本發明係有關有機電激發光(Electro-Luminescence)裝置製造裝置,特別是有關在成膜時等,可高精確度地控制基板與光罩之間隙的有機電激發光裝置製造裝置。
作為製造有機電激發光裝置之有力的方法,有著真空蒸鍍法。真空蒸鍍法係在真空處理室內,例如在重疊玻璃基板等之基板與光罩之狀態暴露於處理氣體,實施蒸鍍處理之構成。另外,近年來處理基板係作為大型化,G6世代的基板尺寸係成為1500mm×1800mm。為了對應於如此之大型基板,而進行在將基板面保持成垂直之狀態暴露於處理氣體,實施蒸鍍處理情況。對於下述之專利文獻1,係揭示有在將基板面保持成垂直之狀態,將光罩接近於基板,在重疊基板與光罩之狀態,實施蒸鍍處理之技術。
如上述,在真空處理室內將大型基板的基板面保持成垂直,在重疊光罩之狀態實施蒸鍍處理之情況,對於降低在蒸鍍的模糊,為了高精確度之蒸鍍,係必須高精確度地控制基板與光罩之間隙,例如作為數十μm以下者。以往係作為呈將載置基板之基板保持器表面之平坦度,例如以約20μm以下之精確度加以機械加工之同時,提升使基板保持器移動之移動引導機構之機械加工精確度,控制基板與光罩之間隙,但特別是將大型基板作為垂直之情況係遍
佈基板全面而高精確度地控制與光罩之間隙情況係並不容易。
[專利文獻1]日本特開2010-086956號公報
本發明之目的係提供可將基板與光罩的間隙,例如控制為數十μm以下之高精確度之有機電激發光裝置製造裝置。
為了達成上述目的,在有關本發明之有機電激發光裝置製造裝置中,係具備設置於真空處理室內之陰蔽罩,和含有設置於真空處理室內,為了載置基板之基板載置範圍之第1面為長方形之基板保持器,和使載置於前述基板保持器之基板與前述陰蔽罩之間,接近或離間之基板密著手段,和在前述基板保持器中設置於基板載置範圍外的四角之距離計測機構,前述距離計測機構係具備:在前述基板保持器中設置於基板載置範圍外的四角,
呈貫通前述基板保持器之第1面,和與該第1面相反側之第2面地加以設置之距離計測用空間,和在前述距離計測用空間中設置於前述基板保持器之第1面上的透明玻璃板,和在前述距離計測用空間中配置於前述基板保持器之第2面之距離計測部,前述距離計測部係具備:對於對象物而言發射光,將從該對象物所反射的反射光進行受光,計測與前述對象物之間的距離之距離計,和從真空處理室內的環境隔離前述距離計之距離計框體,和設置於前述距離計框體之一部份的透明玻璃窗,前述距離計則將藉由前述透明玻璃窗而從前述透明玻璃板所反射的反射光,和藉由前述透明玻璃窗而從前述陰蔽罩所反射的反射光進行受光,依據該受光結果,計測前述透明玻璃板與前述陰蔽罩之間的距離者作為特徵。
如根據本發明,可提供可將基板與光罩的間隙,例如控制為數十μm以下之高精確度之有機電激發光裝置製造裝置。
將本發明之實施形態,使用圖1至圖9加以說明。有
機電激發光裝置製造裝置係不只單形成發光材料層(電激發光層),以電極夾持之構造,而於陽極之上方,將電洞植入層或輸送層,於陰極之上方,將電子植入層或輸送層形成等,形成各種材料作為薄膜所成之多層構造,以及洗淨基板。圖1係顯示其製造裝置之一例的水平剖面圖。
在本實施形態之有機電激發光裝置製造裝置100係大致由搬入處理對象之基板6(以下,單稱作基板)之負載群組3,處理前述基板6之4個的群組(A~D),各群組間或群組與負載群組3,或者設置於與接下來之工程(密封工程)之間的5個的收受室4(4a~4e)所構成。在本實施形態之有機電激發光裝置製造裝置100中,將基板的蒸鍍面做成上面而搬送,進行蒸鍍時,將基板立起進行蒸鍍。
負載群組3係由為了於前後維持真空而具有閘閥10之加載互鎖真空室31,和從前述加載互鎖真空室31接受基板6,旋轉將基板搬入於收受室4a之搬送機械手臂5R所成。各加載互鎖真空室31及各收受室4係於前後具有閘閥10,控制該閘閥10之開關而維持真空的同時,於負載群組3或接下來的群組等,收受基板。
各群組(A~D)係擁有:具有一台之搬送機械手臂5之搬送室2,和從搬送機械手臂5接受基板,在進行特定處理之圖面上,配置於上下之2個處理室1(第1添加字a~d係顯示群組,第2添加字u,d係顯示上側下側)。對於搬送室2與處理室1之間係設置有閘閥10。
圖2係顯示搬送室2與處理室1之構成的概要之斜視圖。處理室1之構成係根據處理內容而有所差異,但舉例說明以真空蒸鍍蒸鍍材料之發光材料,形成電激發光層之真空處理室的真空蒸鍍室1bu。圖3係搬送室2b與真空蒸鍍室1bu之構成的模式圖與動作說明圖。在圖2之搬送機械手臂5係可將全體移動於上下(參照圖3之箭頭59),具有可旋轉於左右之3連結構造之支架57,對於其前端係於上下二段具有2條基板搬送用之梳狀柄部58。
1支柄部的情況係為了將基板交付至接下來之工程的旋轉動作、為了從先前的工程接受基板的旋轉動作、以及隨著此等之閘閥的開閉動作則於搬出入處理之間而為必要,但經由做成上下二段之時,維持著搬入於單側之柄部的基板,以未保持基板側之柄部,從真空蒸鍍室進行基板的搬出動作之後,可連續進行搬入動作者。作為2支柄部或作為1支柄部係經由所要求之生產能力而決定。在以後的說明中,為了將說明作為簡單,以1支柄部進行說明。
另一方面,真空蒸鍍室1bu係大致由使發光材料蒸發,蒸鍍於基板6之蒸鍍部7,和為了蒸鍍於基板6之必要部份而進行基板6與陰蔽罩81之位置調整之校準部8,和進行搬送機械手臂5與基板6之收受,將基板6移動至蒸鍍部7之處理收受部9所成。
校準部8與處理收受部9係設置有右側R線路與左側L線路之2系統。在本實施形態之處理的基本思考方法係於在一方之線路(例如R線路)進行蒸鍍之間,在另一方
之L線路中,搬出入基板6,進行基板6與陰蔽罩81之校準,結束進行蒸鍍之準備者。經由交互進行此處理之時,可未使蒸鍍材料蒸鍍於基板6而減少多餘氣化之時間。
在本實施形態中,如圖4所示,首先,(1)搬入基板6於處理收受部9,之後,(2)將前述基板略立起成垂直,接著,(3)使基板6從陰蔽罩81接近至一定的距離,例如離0.5mm之位置,(4)在此狀態進行校準。校準結束後,(5)基板6從陰蔽罩81之間的間隙呈成為數十μm以下地使基板6從陰蔽罩81密著,(6)經由磁鐵而吸附固定基板6和陰蔽罩81,(7)將蒸鍍材料蒸鍍於基板6。蒸鍍結束後係(8)解除經由磁鐵之基板6和陰蔽罩81的固定,(9)將基板6從陰蔽罩81離開一定的距離,(10)將基板6作為水平,(11)將基板6從處理收受部9搬出。
首先,使用圖5,上述步驟之中,說明實現(2)(10)之基板旋轉手段92。圖5係顯示上述步驟之中,具有實現(2)(10)之基板旋轉手段92、實現(3)(5)(9)之基板密著手段93之處理收受部9(參照圖3)之構成,、並且,顯示適用消解來自配線之被覆材的排氣問題之真空內配線連桿機構的圖。
基板旋轉手段92係將載置、保持搬入至處理收受部9之基板的基板保持器91及基板6作為一體,於實施校準前,立起成略垂直,在校準結束後,係具有返回成水平狀態之機能。
在圖5中,基板旋轉手段92係大致由旋轉為旋轉對象之基板6及基板保持器91等之旋轉部之真空內配線連桿機構92L、和將前述旋轉部,於箭頭A的方向,藉由前述機構,進行旋轉驅動之旋轉驅動部92B所成。
真空內配線連桿機構92L係由第1連桿92L1與第2連桿92L2,及將此等從真空側隔離,將此內部作為大氣環境之密封部92S所成。前述第1連桿92L1係將一端支持於旋轉支持台92k,將另一端,呈於後述之距離計框體62,具有中空部地加以連接。前述第2連桿92L2係對於前述距離計框體62而言,設置於與前述第1連桿92L1相反側,將一端,與第1連桿92L1同樣,呈具有中空部地加以連接於前述距離計框體62,將另一端,加以連接於設置於圖1所示之間隔部11的支持部11A。
前述密封部92S係由將一端連接於前述距離計框體62之連接部,而另一端連接於真空蒸鍍室1bu之側壁的第1密封部92S1,和將一端連接於前述距離計框體62之連接部,而另一端連接於支持部11A之第2密封部92S2所成。各密封部92S1、92S2係具有連結各兩端之伸縮管92V1、92V2,另外,各密封部92S1、92S2之距離計框體62側的連接部係可旋轉地支持第1連桿92L1與第2連桿92L2。
在上述實施形態中,為了將配線94f敷設於連桿內,而將連桿內做成中空,但密封部92S係因呈包含各連桿地加以構成之故,於連桿與真空密封部之間,敷設配線亦可
。此情況係未必需要將連桿做成中空。
另一方面,旋轉驅動部92B係具有設置於大氣側之旋轉用馬達92m,和將旋轉用馬達92m之旋轉運動傳達至前述第1連桿92L1之齒輪92h1、92h2,和支持第1連桿L1之一端的旋轉支持台92k。然而,旋轉用馬達92m係由設置於大氣側之控制裝置60加以控制。
然而,圖5係顯示真空蒸鍍室1bu之R線路,將顯示於圖1之間隔部11作為面對象中心,對於真空蒸鍍室1bu之L線路亦配置同一構造。隨之,R線路之第1連桿92L1、距離計框體62、第2連桿92L2及L線路之第1連桿92L1、距離計框體62、第2連桿92L2之各中空部係成為藉由設置於間隔部11之支持部11A而由大氣連結之構造。第2連桿92L2係未必需要為中空,但如後述,第2連桿92L2係有必要在間隔部11之中空部,移動至圖5所示之B方向之故,有可能在移動部出現粉塵,而作為連結於支持部11A之中空部,連結於大氣之構造。
在上述中,當將基板6立起成垂直時,因亦有於基板6與基板保持器91之間產生有微小間隙之可能性之故,如圖6所示,多少使載置基板6之基板保持器91,例如1度程度傾斜。如此當多少使其傾斜時,於基板6及基板保持器91之間未產生間隙,而可安定載置之同時,可經由基板6本身重量而確實地消除基板6的彎曲。另外,對於基板保持器91之下部,係複數設置有具有基板6之厚度程度之高度的基板支持用之突起體91t。即使對於基板保
持器91上未使用靜電吸附或機械性夾鉗等之基板保持手段,經由前述的傾斜,基板6係了解到經由與基板保持器91的摩擦而未有滑動,經由前述突起體91t而加以保持者。另外,突起體91之高度係因為基板6之厚度程度之故,無須對於陰蔽罩81設置不要的形狀,而成為可進行安定之信賴性高之蒸鍍。
以上,當使用經由本實施形態之基板旋轉手段92時,將基板蒸鍍面做成上面而進行搬送之故,如將基板6立起,可直接進行前述之校準。
另外,以對於基板保持器91使用基板保持用之突起體91t之簡單的機構,可保持基板6,而可未擾亂陰蔽罩81之張力而進行信賴性高的蒸鍍。
接著,將達成步驟(4)之校準的構成與動作,使用圖7加以說明。於圖7顯示經由本實施形態之校準部8。在本實施形態中,如圖7所示,將基板6與陰蔽罩81大概豎立成垂直而進行校準。校準部8係由陰蔽罩81、固定陰蔽罩81之校準基座82、保持校準基座82,規定校準基座82,即在陰蔽罩81之XZ平面的姿勢之校準驅動部83、從下支持校準基座82,與校準驅動部83之動作進行協調而規定陰蔽罩81之姿勢的校準隨動部84、檢測設置於基板6與前述陰蔽罩81之校準標記之設置於4處的校準光學系統85、處理校準標記之影像,求得校準量而控制校準驅動部83之控制裝置60(參照圖5)所成。
使用如此之構成,如以下進行校準。校準基座82係
在其四角附近,經由設置於上部2處81a、81b,設置於其2處各下方之81c、81d之計4處的旋轉支持部,可旋轉地加以支持。
經由設置前述4處之校準光學系統85,檢測基板6與陰蔽罩81之位置偏移(△X、△Y、θ)。θ係在圖7之XZ面的傾斜。依據其結果,將設置於校準基座82上部之旋轉支持部81a移動於圖7所示之X方向、Z方向,而將同樣設置於上部之旋轉支持部81b移動於Z方向,消除前述位置偏移,進行校準。此時,伴隨著校準基座82之上述移動,旋轉支持部81b係於X方向,設置於校準基座82下部之旋轉支持部81c,81d係於X及Z方向隨動性地進行移動。旋轉支持部81a之驅動係由具有設置於真空蒸鍍室1bu之上部壁1T上的驅動馬達之校準驅動部83L,旋轉支持部81b之驅動及被動係由校準驅動部83R,及旋轉支持部81c,81d之隨動係由設置於真空蒸鍍室1bu之下部壁1Y下的校準隨動部84L,84R而進行。
為了進行校準之機構部係藉由密封部而設置於大氣側,作成將未對於真空蒸鍍帶來不良影響導入粉塵等帶入至真空內,另外,經由此而保守性亦可提昇。更且,對於校準光學系統85,將攝影機及光源等,收納於突出於真空側之內部為大氣中之收納筒,亦得到同樣的效果。
接著,對於步驟(3)(5)(9)之基板6與陰蔽罩81的基板密著手段93之構成及動作,使用圖5加以說明。基板密著手段93係經由將基板旋轉手段92全體朝箭頭
B方向移動之時,將基板6,首先至陰蔽罩81為止接近一定距離,進行校準,之後使其密著,蒸鍍後返回至原來的位置之手段。為此,基板密著手段93係具有載置基板旋轉手段92之旋轉驅動部載置台93t、和旋轉驅動部載置台93t之運行用的軌道93r、和藉由滾動螺旋93n而驅動旋轉驅動部載置台93t之接近用馬達93m。對於間隔部11之中空部,亦有隨動於旋轉驅動部載置台93t之動作,將基板旋轉手段92的第2連桿92L2移動至B方向之軌道(未圖示)。雖說是軌道,其稼働長度係頂多2mm程度。
經由接下來所述之距離計測機構,計測基板6與陰蔽罩81之間的距離,依據該計測結果,由經由控制裝置60而控制基板密著手段93者,可高精確度地控制基板6與陰蔽罩81之間的距離,將基板6密著於陰蔽罩81。
對於距離計測機構,使用圖8加以說明。如圖8所示,在基板保持器91之基板載置範圍外,呈貫通基板保持器91之第1面91h,和與該第1面91h相反側之第2面91j地設置有距離計側用空間91k。第1面91h係包含為了載置基板6之基板載置範圍的面,面形狀係長方形。
對於在距離計側用空間91k之第1面91h上係設置有透明玻璃板65。在透明玻璃板65之陰蔽罩81側的表面係成為與第1面91h拉平。對於距離計側用空間91k之第2面91j係設置有距離計測部67。從距離計側用空間91k,和透明玻璃板65,和距離計測部67構成距離計測
機構。
距離計測部67係具備距離計61,和距離計框體62,和透明玻璃窗63,○環64a,64b。距離計61係在本例中為雷射變位計,對於對象物而言發射光,將從該對象物所反射的反射光進行受光,計測與前述對象物之間的距離。距離計框體62係為了從真空處理室內的環境隔離距離計61之構成。距離計框體62內係作為大氣環境為佳。距離計61係經由固定金屬零件66而安裝於距離計框體62,經由電線而與控制部60加以連接。透明玻璃窗63係設置於距離計框體62之一部份,具體而言係可從距離計61看到透明玻璃板65之位置。對於透明玻璃窗63與距離計框體62之間係插入有○環64a,64b,氣密地分離距離計框體62外的真空環境,和距離計框體62內之環境。
如此,距離計61係呈從距離計側用空間91k藉由透明玻璃板65而可看到陰蔽罩81地加以配置。
對於計測基板6與陰蔽罩81之間的距離之方法加以說明。
如圖8所示,從距離計61所發射的雷射光係在透明玻璃板65表面加以反射,返回至距離計61。在距離計61中,將此反射光受光,計測與透明玻璃板65之表面之間的距離。另外,從距離計61所發射的雷射光係在陰蔽罩81的表面81h加以反射,返回至距離計61。在距離計61中,將此反射光受光,計測與陰蔽罩81的表面81h之間的距離。透明玻璃板65之厚度與基板6之厚度係為既知
之故,依據以上的計測結果,算出基板6之表面6h與陰蔽罩81的表面81h之間的距離t。
上述之距離計測機構係在基板保持器91中設置於基板載置範圍外的四角,算出在該四角之基板6之表面6h與陰蔽罩81的表面81h之間的距離t,依據該算出結果,控制基板密著手段93。
如根據上述實施形態,在蒸鍍時可消除基板6之彎曲。另外,保持基板6與陰蔽罩81未接觸距離,例如0.5mm前後同時,可進行校準,之後,由將基板6密著於陰蔽罩81者,可降低在蒸鍍中之模糊,成為可進行高精確度之蒸鍍。
接著,將步驟(6)(8),即在蒸鍍時固定基板6與陰蔽罩81,呈可安定進行蒸鍍,於蒸鍍結束後,解除其固定之基板光罩固定手段20之本實施形態之實施例,使用圖9加以說明。圖9係於圖5附加基板光罩固定手段20的圖。考慮圖面之複雜度而省略對於說明無直接關係的符號。
在本實施形態之基板光罩固定手段20係由保持吸附固定基板6與陰蔽罩81之永久磁鐵21J之基板光罩吸附體21,和將前述基板光罩吸附體21,從處理收受部9的上部如箭頭C地進行旋轉,使前述基板光罩吸附體21移動至基板保持器91之位置之吸附體移動手段的吸附體旋轉手段22所成。
前述基板光罩吸附體21係旋轉接近於基板保持器91
時,夾持非磁性材料之基板6,開始吸附由磁性材料所構成之陰蔽罩81,伴隨接近而加強吸附力而接觸時,產生吸附固定。此時,吸附力過強而陰蔽罩81產生變形之情況係未使其接觸,而旋轉至得到適當的吸附力之位置加以吸附固定亦可。其結果,基板6與陰蔽罩81係作為一體化,由作為其一體化之狀態進行蒸鍍者,可安定確實地加以蒸鍍。
在圖9中,吸附體旋轉手段22係大致由使旋轉對象之基板光罩吸附體21旋轉之連桿機構22L,和藉由前述機構而旋轉驅動前述旋轉物於箭頭C方向之吸附體旋轉驅動部22B所成。連桿機構22L係由第1連桿22L1及第2連桿22L2,和以及將此等從真空側隔離之密封部22S所成。連桿機構22L之基本的構成係與基板密著手段93之真空內配線連桿機構92L相同,但以下的點為有所不同。
第1,在本實施形態中,步驟(6)係於以圖4所示之基板密著手段93而使基板6密著於陰蔽罩之步驟(5)之後進行之故,無需使基板光罩固定手段20移動於前後。隨之,成為無需為了使連桿移動於前後之伸縮管,密封部22S亦如連桿機構22可旋轉地設置第1密封部22s1於真空蒸鍍室1bu之側壁,而將第2密封部22s2設置於支持部11A即可。反之,如為於前述動作流程(5)之前進行,作為與真空內配線連桿機構92L同一構造,與基板旋轉手段92同樣地,必須將吸附體旋轉手段22全體移動於前後。
第2,真空內配線連桿機構92L之連桿係為了進行配線而為中空,但在連桿機構22L之中,因未有配線之故而未必須要為中空。
另外,在第2連桿22L2之支持部11A內的旋轉支持體(未圖示)中,假設即使產生有粉塵,因具有與真空內配線連桿機構92L之第2連桿的支持體同一空間之故,可藉由前述真空內配線連桿機構92L而將前述粉塵排氣於大氣側者。
另一方面,吸附體旋轉驅動部22B係雖與前述之旋轉驅動部92B功率規模不同,基本上係具有與旋轉驅動部92B同一構造。隨之,因可將在基板旋轉手段92之符號號碼,從92置換為22之故,在此省略說明。然而,基板光罩吸附體21之待機位置係呈基板旋轉手段92之旋轉未有障礙地,如設置於基板旋轉手段92之旋轉範圍上部即可。
如根據基板光罩固定手段20之本實施形態,因可作為將基板光罩吸附體21與處理收受部9分離,或者個別獨立之構造之故,即使發生有經由故障等而有必要交換基板光罩吸附體21或處理收受部9之構成機構,對於基板光罩吸附體21係無關於處理收受部9,而僅交換基板光罩吸附體21即可,而對於處理收受部9係無關於基板光罩吸附體21,僅交換處理收受部9即可。更且,特別對於處理收受部9而言,其構造則成為簡單化而容易保養。隨之,可提供保養性高的基板光罩吸附體或處理收受部。
如根據基板光罩固定手段20之本實施形態,因即使對於基板保持器91上未使用機械性夾鉗等之保持手段亦可之故,於對應於前述機械性夾鉗之陰蔽罩部分,因無必要設置如收納前述機械性夾鉗之機構的變形部之故,亦未有經由磁場等之擾亂之光罩部之變形而可精確度佳進行蒸鍍。
最後,對於步驟(7)之蒸鍍處理,將本實施形態之實施例,使用圖3加以說明。蒸鍍部7係如圖3所示,具有使蒸鍍源71,沿著軌道76上移動於上下方向之上下驅動手段72,將蒸鍍源71沿著軌道75上進行左右的校準部間移動之左右驅動基座74。蒸鍍源71係於內部具有蒸鍍材料之發光材料,經由加熱控制前述蒸鍍材料(未圖示)之時而得到安定之蒸發速度,如圖3之導出圖所示,成為從排列成線狀之複數的噴射噴嘴73加以噴射之構造。因應必要,呈得到安定之蒸鍍膜地,添加劑亦同時加熱而蒸鍍。
然而,在上述說明中,以例說明過有機電激發光裝置,但亦可適用於與有機電激發光裝置相同背景之進行蒸鍍處理的成膜裝置。
1‧‧‧處理室
1bu‧‧‧真空蒸鍍室
2‧‧‧搬送室
3‧‧‧負載群組
6‧‧‧基板
6h‧‧‧基板表面
7‧‧‧蒸鍍部
8‧‧‧校準部
9‧‧‧處理收受部
11‧‧‧間隔部
20‧‧‧基板光罩固定手段
21‧‧‧保持永久磁鐵之基板光罩吸附體
21J‧‧‧永久磁鐵
22‧‧‧吸附體旋轉手段
22B‧‧‧吸附體旋轉驅動部
23‧‧‧保持電磁鐵之基板光罩吸附體
23d‧‧‧電磁鐵
23H‧‧‧23之收納盒
60‧‧‧控制裝置
61‧‧‧距離計
62‧‧‧距離計框體
63‧‧‧透明玻璃窗
64a‧‧‧○環
64b‧‧‧○環
65‧‧‧透明玻璃板
66‧‧‧固定金屬零件
67‧‧‧距離計測部
71‧‧‧蒸發源
81‧‧‧陰蔽罩
81a~d‧‧‧旋轉支持部
81h‧‧‧表面
82‧‧‧校準基座
83‧‧‧校準驅動部
84‧‧‧校準隨動部
85‧‧‧校準光學系統
91‧‧‧基板保持器
91h‧‧‧第1面
91j‧‧‧第2面
91k‧‧‧距離計測用空間
92‧‧‧基板旋轉手段
93‧‧‧基板密著手段
100‧‧‧有機電激發光裝置之製造裝置
A~D‧‧‧群組
圖1係顯示本發明之實施形態之有機電激發光裝置製造裝置的圖。
圖2係顯示本發明之實施形態之搬送室與處理室之構
成的概要圖。
圖3係顯示本發明之實施形態之搬送室與處理室之構成的模式圖與動作說明圖。
圖4係顯示本發明之實施形態的動作流程圖。
圖5係顯示本發明之實施形態的基板旋轉手段、及基板密著手段的圖。
圖6係顯示本發明之實施形態之基板保持器的構成與校準時之基板的姿勢圖。
圖7係顯示本發明之實施形態的校準部之構成圖。
圖8係顯示本發明之實施形態的距離計測機構的圖。
圖9係顯示本發明之實施形態的基板光罩固定手段之實施例的圖,於圖5加上前述實施例的圖。
6‧‧‧基板
6h‧‧‧基板表面
61‧‧‧距離計
62‧‧‧距離計框體
63‧‧‧透明玻璃窗
64a‧‧‧○環
64b‧‧‧○環
65‧‧‧透明玻璃板
66‧‧‧固定金屬零件
67‧‧‧距離計測部
81‧‧‧陰蔽罩
81h‧‧‧表面
91‧‧‧基板保持器
91h‧‧‧第1面
91j‧‧‧第2面
91k‧‧‧距離計測用空間
t‧‧‧距離
Claims (3)
- 一種有機電激發光裝置製造裝置,其特徵為在具備設置於真空處理室內之陰蔽罩,和含有設置於真空處理室內,為了載置基板之基板載置範圍之第1面為長方形之基板保持器,和使載置於前述基板保持器之基板與前述陰蔽罩之間,接近或離間之基板密著手段,和在前述基板保持器中設置於基板載置範圍外的四角之距離計測機構之有機電激發光裝置製造裝置中,前述距離計測機構係具備:在前述基板保持器中設置於基板載置範圍外的四角,呈貫通前述基板保持器之第1面,和與該第1面相反側之第2面地加以設置之距離計測用空間,和在前述距離計測用空間中設置於前述基板保持器之第1面上的透明玻璃板,和在前述距離計測用空間中配置於前述基板保持器之第2面之距離計測部,前述距離計測部係具備:對於對象物而言發射光,將從該對象物所反射的反射光進行受光,計測與前述對象物之間的距離之距離計,和從真空處理室內的環境隔離前述距離計之距離計框體,和設置於前述距離計框體之一部份的透明玻璃窗,前述距離計則將藉由前述透明玻璃窗而從前述透明玻 璃板所反射的反射光,和藉由前述透明玻璃窗而從前述陰蔽罩所反射的反射光進行受光,依據該受光結果,計測前述透明玻璃板與前述陰蔽罩之間的距離者。
- 如申請專利範圍第1項記載之有機電激發光裝置製造裝置,其中,前述距離計框體內係大氣環境,前述距離計則加以配置於大氣環境中者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項記載之有機電激發光裝置製造裝置,其中,前述距離計為雷射變位計者。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011235958A JP2013093278A (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 有機elデバイス製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201327692A true TW201327692A (zh) | 2013-07-01 |
Family
ID=48201417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101139493A TW201327692A (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-25 | 有機電激發光裝置製造裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013093278A (zh) |
KR (1) | KR20130046365A (zh) |
CN (1) | CN103088300A (zh) |
TW (1) | TW201327692A (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101736442B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2017-05-29 | (주)브이앤아이솔루션 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
WO2018110953A1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus and method using the same |
JP6342570B1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-06-13 | 株式会社アルバック | ギャップ計測方法 |
CN107179072A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-09-19 | 成都聚汇才科技有限公司 | 一种全站仪 |
CN107101625A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-08-29 | 成都聚汇才科技有限公司 | 一种具有三轴补偿功能的全站仪 |
JP6471200B1 (ja) | 2017-09-01 | 2019-02-13 | 株式会社アルバック | マスクプレート及び成膜方法 |
US20210340663A1 (en) * | 2018-04-03 | 2021-11-04 | Matthias HEYMANNS | Apparatus for processing a substrate, system for processing a substrate, and methods therefor |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100422487B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-03-11 | 에이엔 에스 주식회사 | 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법 |
JP2004152705A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP4799324B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2011-10-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
TW201336140A (zh) * | 2008-12-15 | 2013-09-01 | Hitachi High Tech Corp | 有機電激發光製造裝置及成膜裝置 |
-
2011
- 2011-10-27 JP JP2011235958A patent/JP2013093278A/ja active Pending
-
2012
- 2012-10-25 KR KR1020120118853A patent/KR20130046365A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-10-25 TW TW101139493A patent/TW201327692A/zh unknown
- 2012-10-26 CN CN2012104177980A patent/CN103088300A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130046365A (ko) | 2013-05-07 |
CN103088300A (zh) | 2013-05-08 |
JP2013093278A (ja) | 2013-05-16 |
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