JP2023094309A - 動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】成膜室に対する基板の搬送精度を向上する技術を提供する。【解決手段】基板が支持されるハンドを有し、成膜室に基板を搬送するロボットの動作を設定する動作設定装置であって、前記基板に代えて前記ハンドに支持され、計測手段が搭載された治具と、前記治具が支持された前記ハンドが前記成膜室に対する計測位置に移動するよう、前記ロボットを制御する制御手段と、前記成膜室に関する前記計測手段の計測結果を取得し、前記基板の搬送時における前記ハンドの移動に関する前記ロボットの動作を設定する設定手段と、を備える。【選択図】図８

Description

本発明は、基板を搬送するロボットの動作設定技術に関する。
ロボットにより基板を搬送するシステムにおいては、搬送精度を向上するためにティーチング作業が行われる。ティーチング作業は作業者の目視確認による方法や、センサを用いて搬送誤差を計測し、制御を修正する方法が知られている。特許文献１及び２にはセンサを用いた方法の例が開示されている。
特表２０１２－５２３６８２号公報 特開２００７－１４２２６９号公報
有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、マスクを用いて基板上に蒸着物質が成膜される。成膜室に対する基板の搬送精度が低いと歩留まりを低下させたり、エラーの発生の要因となる。例えば、一般には成膜室内で成膜の前処理としてマスクと基板とのアライメントが行われる。アライメントにおいては、基板とマスクの位置ずれの検知と、検知結果に基づく基板とマスクとの相対位置の調整とが行われる。アライメントをスムーズに行うためには、基板の検知領域内に正確に基板を搬送する必要があるが、基板の搬送精度が低いとアライメントをスムーズに行うことができない。
本発明は、成膜室に対する基板の搬送精度を向上する技術を提供するものである。
本発明によれば、
基板が支持されるハンドを有し、成膜室に基板を搬送するロボットの動作を設定する動作設定装置であって、
前記基板に代えて前記ハンドに支持され、計測手段が搭載された治具と、
前記治具が支持された前記ハンドが前記成膜室に対する計測位置に移動するよう、前記ロボットを制御する制御手段と、
前記成膜室に関する前記計測手段の計測結果を取得し、前記基板の搬送時における前記ハンドの移動に関する前記ロボットの動作を設定する設定手段と、を備える、
ことを特徴とする動作設定装置が提供される。
本発明によれば、成膜室に対する基板の搬送精度を向上する技術を提供することができる。
本発明の適用例である処理システムのレイアウト図 成膜室の構造の模式図。 成膜室の構造の模式図 （Ａ）は搬送用ロボットの側面視図、（Ｂ）はハンドの平面図。 （Ａ）は治具Ｔの平面視図、（Ｂ）は治具Ｔの側面視図。 （Ａ）はハンドに搭載された状態での治具Ｔの平面視図、（Ｂ）はハンドに搭載された状態での治具Ｔの側面視図。 計測ユニットが出力する計測値（測定値）の特性の例を示す図。 制御装置が実行する処理例を示すフローチャート。 （Ａ）は計測ユニットによる計測例の説明図、（Ｂ）は計測結果の例を示す図。 （Ａ）は計測ユニットによる計測例の説明図、（Ｂ）は検知ユニットによる検知例の説明図。 （Ａ）は基準マークがずれている例を示す図、（Ｂ）は基準マークの位置が適切である例を示す図。 制御装置が実行する処理例を示すフローチャート。 （Ａ）は計測ユニットによる計測例の説明図、（Ｂ）は計測結果の例を示す図。 計測ユニットによる計測例の説明図。 制御装置が実行する処理例を示すフローチャート。 （Ａ）は減圧下での撮影画像の例を示す図、（Ｂ）は撮影画像の画素の輝度変化を示す図。 各種条件での計測結果を利用した移動経路の設定方法の概念図。 計測ユニットの計測対象の例を示す模式図。 （Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
＜第一実施形態＞
＜システムの概要＞
図１は、本発明の適用例である処理システム１００のレイアウト図である。処理システム１００は、平行平板の基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置である。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択でき、また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択できる。処理システム１００は、例えば、有機薄膜を用いた電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。更に具体的に言うと、処理システム１００は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば約１８００ｍｍ×約１５００ｍｍ、厚み約０.５ｍｍのサイズの基板に有機ＥＬの成膜を行った後、該基板をダイシングして複数の小サイズのパネルが作製される。
処理システム１００は、成膜室１０１と、搬送室１０２と、搬入室１０３と、搬出室１０４と、搬送用ロボット４と、制御装置１とを有する。成膜室１０１には、成膜対象である基板を載置する基板ホルダ１１が設けられている。搬送室１０２には、基板Ｗを保持し搬送する搬送用ロボット４が設けられている。
搬送用ロボット４は、成膜室１０１へ基板を搬送し、また、成膜室１０１から成膜済みの基板を搬送する。本実施形態の搬送用ロボット４は、基板が支持されるハンド６と、ハンド６を３次元で移動する多関節のロボットアーム５とを含む。本実施形態の搬送用ロボット４は二つのハンド６を備えているが、ハンド６は一つであってもよい。搬送用ロボット４は、各室への基板の搬入／搬出を行う。例えば、搬入室１０３においてハンド６に基板が載置され、搬送用ロボット４はこれを成膜室１０１へ搬送する。また、成膜室１０１で成膜済みの基板がハンド６に載置され、搬送用ロボット４はこれを搬出室１０４へ搬送する。処理システム１００内における基板の各室間の移動は、搬送用ロボット４を介して自由に行うことができる。
ここで各室の座標軸について定義する。搬送用ロボット４から見て成膜室１０１に向かう水平方向にＹ軸をとる。Ｙ方向と直交する水平方向にＸ軸をとる。Ｘ軸及びＹ軸に直交する鉛直方向をＺ軸とする。Ｚ軸周りの回転方向の角度θとする。
図２及び図３を参照して成膜室１０１の構造を説明する。図２は成膜室１０１の構造をＸ方向に見た模式図である。図３は成膜室１０１の一部の平面視図である。成膜室１０１は、その外壁部１０１ａにより内部を気密に維持可能なチャンバである。成膜室１０１は基板Ｗに対する成膜処理が行われる際には減圧されて真空チャンバとして機能し、その室内が真空雰囲気や窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される。
外壁部１０１ａの一部は成膜室１０１と搬送室１０２との間を区画する隔壁を形成している。この隔壁には開口部ＯＰが形成されている。ゲートバルブ１４は開口部ＯＰを開閉する。ゲートバルブ１４により成膜室１０１と搬送室１０２の雰囲気の圧力を異ならせることができる。開口部ＯＰにはハンド６が進入可能であり、搬送用ロボット４は開口部ＯＰを通って成膜室１０１へ基板Ｗを搬入し、また、成膜室１０１から基板Ｗを搬出する。
成膜室１０１の内部には基板ホルダ１１、マスクＭ、蒸着装置８等が設けられている。基板ホルダ１１は、搬送用ロボット４から受け取った基板Ｗを保持する部材である。マスクＭは、基板Ｗに形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、枠状のマスク台（不図示）の上に固定されている。成膜時にはマスクＭの上に基板Ｗが載置される。基板Ｗ上には冷却板を設けることもできる。冷却板は、成膜時に基板Ｗのマスクに対向する面とは反対側の面に密着し、基板Ｗの温度上昇を抑えることで有機材料の変質や劣化を抑制する部材である。冷却板はマグネット板を兼ねていてもよい。マグネット板は、磁力によってマスクを引き付けることで、成膜時の基板ＷとマスクＭの密着性を高める部材である。
蒸着装置８は、蒸着材料、蒸着材料を収容する容器（坩堝）、ヒータ、シャッタ、蒸発装置の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成され、気化した蒸着材料を基板Ｗへ放出して成膜する。
成膜室１０１には基板ＷとマスクＭとの位置合わせを行うアライメント装置１０が設けられている。アライメント装置１０は基板ホルダ１１に保持された基板Ｗと、マスクＭとの位置合わせを行う。アライメント装置１０は、基板ＷやマスクＭのアライメントマークを検知する検知ユニット１２と、基板ホルダ１１を移動してマスクＭに対する基板Ｗの位置を調整する位置調整機構１３とを備える。
検知ユニット１２は本実施形態の場合、カメラであり、外壁部１０１ａに設けられた透明な窓部を介して成膜室１０１内の基板Ｗを撮影する。検知ユニット１２は位置調整部１５に支持されており、位置調整部１５によって移動可能であり、焦点距離等を調整することが出来る。検知ユニット１２の撮影画像から、基板上のアライメントマークＷ１及びマスクＭ上のアライメントマークを特定し、両者のＸＹ位置やＸＹ面内での相対ズレを計測することができる。
マスクＭに対して基板Ｗを水平および回転方向にアライメントするには、少なくとも２つの検知ユニット１２を設けるが、アライメントの内容によっては１つのみでもよいし、３つ以上を設けてもよい。また、短時間で高精度なアライメントを実現するために、大まかに位置合わせを行う第１アライメント（ラフアライメント）と、高精度に位置合わせを行う第２アライメント（ファインアライメント）の２段階のアライメントを実施することが好ましい。その場合、低解像だが広視野の第１アライメント用の検知ユニットと狭視野だが高解像の第２アライメント用の検知ユニットの２種類の検知ユニットを設けてもよい。
位置調整機構１３は、例えば、モータとボールねじ、モータとリニアガイドなどで構成されるアクチュエータを複数備えている。例えば、基板ホルダ１１の全体をＺ方向に昇降させるためのアクチュエータや、基板ホルダ１１の基板保持／解除機構を開閉させるためのアクチュエータ、基板ホルダ１１をＸ－Ｙ方向及びθ方向に変位させるアクチュエータなどである。本実施形態の位置調整機構１３は基板ホルダ１１を変位させることで基板ＷとマスクＭとの位置調整を行うが、マスクＭを変位させてもよいし基板ＷとマスクＭの双方を変位させてもよい。
図４（Ａ）は搬送用ロボット４の側面視図、図４（Ｂ）はハンド６の平面図である。なお、ここで説明する搬送用ロボットの構成（ロボットアーム、ロボットハンドの構成）はあくまで一例であり、かかる構成に限定されるものではない。
搬送用ロボット４は、概略、基板Ｗを担持するためのハンド６と、ハンド６をＸＹＺ直交座標上の任意の位置へ自在に移動させるためのロボットアーム５と、を備える。
ロボットアーム５は、搬送室１０２の設置面に固定されるベース５１０と、ベース５１０に対して第１ジョイント５２０、第２ジョイント５２１、第３ジョイント５２２を介して順次連結された第１アーム５１１、第２アーム５１２、第３アーム５１３と、を有する。第１アーム５１１は、ベース５１０に対し、第１ジョイント５２０を介して、設置面に垂直な方向（Ｚ方向）に延びる回転軸を中心に回転可能に連結されている。第２アーム５１２は、第１アーム５１１に対して第２ジョイント５２１を介して、第３アーム５１３に対して第３ジョイント５２２を介して、それぞれ、設置面に垂直な方向（Ｚ方向）に延びる回転軸を中心に回転可能に連結されている。第３アーム５１３の先端（両端）には、ハンド６が対になって連結されている。各アーム５１１～５１３の回転の組み合わせにより、ハンド６の水平位置（ＸＹ座標）を任意に変位させることができる。
また、第１アーム５１１は、ベース５１０に対して、第１ジョイント５２０に沿った方向に昇降移動可能に構成されている（Ｚ方向）。第１アーム５１１の昇降によって第２アーム５１２及び第３アーム５１３も昇降することで、ハンド６の高さを変化させ、基板Ｗの高さを変化させることができる（Ｚ方向）。ロボットアーム５の各ジョイントには、モータとエンコーダがそれぞれ設けられている。各アームの回転量及び昇降高さ、もしくは、それらの情報を換算して取得される３次元座標から、必要となるハンド６の移動量（各アームの動作量）を演算することができる。
ハンド６は、第３アーム５１３の先端から延びる一対のスパインロッド２１と、スパインロッドの側面からそれぞれスパインロッド２１に対して直交する方向外向きに延びる複数のリブロッド２２と、を有している。リブロッド２２の端部には、基板Ｗの下面を支持するためのパッド２４が設けられている。パッド２４は、基板Ｗの表面を傷つけずに支持できるようにシリコーンゴム等の弾性部材で構成され、基板Ｗのたわみを考慮して基板Ｗの外周縁に沿って複数設けられている。なお、スパインロッド２１の延びる方向における両端に配置されたリブロッド２２には、スパインロッド２１と平行に延在する第２リブロッド２３が複数設けられており、それらの端部にもパッド２４が設けられている。
ハンド６には、基準部７ａおよび基準部７ｂが設けられている。基準部７ａおよび基準部７ｂは、後述する治具Ｔの位置決め用の係合部である。本実施形態では、基準部７ａおよび基準部７ｂは、円筒状の穴である。
制御装置１は、処理システム１００を制御するとともに各種の設定に関する処理も行う。制御装置１は、１又は複数のプロセッサ、１又は複数の記憶デバイス、外部デバイスとプロセッサとの間のインタフェースを含む。プロセッサは、記憶デバイスに記憶されたプログラムを実行し、成膜室１０１の室圧制御、位置調整機構１３の各種アクチュエータの制御、検知ユニット１２の撮影した画像の画像処理、アライメントマークのずれ量の演算、搬送用ロボット４の動作の設定及び制御、蒸着装置８の動作制御等を行う。また、搬送用ロボット４の動作の設定には、ハンド６の移動経路の設定が含まれる。記憶デバイスには、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の半導体メモリ、ＨＤＤ等のストレージが含まれる。
成膜室１０１での成膜プロセスについて説明する。搬送用ロボット４によって基板Ｗを成膜室１０１に搬入し、搬送用ロボット４から基板ホルダ１１へ基板Ｗを受け渡す。搬送用ロボット４は、ハンド６に載置された基板Ｗを成膜室１０１内の基板ホルダ１１に載置する際、基板ＷのアライメントマークＷ１が水平方向において検知ユニット１２の画角内となる位置までハンド６を移動する。搬送用ロボット４は、ハンド６を降下して基板ホルダ１１に基板を載置する。
次に、アライメント装置１０によって、基板ＷとマスクＭの相対位置のアライメントを行う。アライメント後、基板ＷとマスクＭとを重ね合わせる。その後、蒸着装置８から蒸着物質を基板Ｗへ放出して成膜を行う。成膜が終了すると、基板ホルダ１１から搬送用ロボット４が基板Ｗを受け取り、成膜室１０１から搬出する。
なお、図１～図３に示した処理システム１００の構成は、あくまで一例であり、かかる構成に限定されるものではない。例えば、１つの処理システム１００内に２つ以上の成膜室１０１を設けてもよい。また、スパッタリング装置が設けられた成膜室が設けられていてもよい。また、１つの成膜室１０１内に２つ以上の基板ホルダ１１を設けてもよい。搬送用ロボット４は、１つの処理システム１００内に複数設けられてもよい。
＜搬送用ロボットの動作の設定＞
搬送用ロボット４に基板Ｗの搬送経路（ハンド６の移動経路）を設定ための構成および手順について説明する。ハンド６の移動経路の設定は、基板Ｗに代えてハンド６に治具を支持させて成膜室１０１に対する計測を行い、その計測結果に基づき行う。
図５（Ａ）は治具Ｔの平面視図、図５（Ｂ）は治具Ｔの側面視図である。また、図６（Ａ）はハンド６に搭載された状態での治具Ｔの平面視図、図６（Ｂ）はハンド６に搭載された状態での治具Ｔの側面視図である。
治具Ｔは井桁形状を有する板状の部材である。治具Ｔには、ハンド６の基準部７ａおよび基準部７ｂに対応した係合部８４ａおよび係合部８４ｂが設けられている。本実施形態では、係合部８４ａ及び８４ｂは基準部７ａおよび基準部７ｂに嵌合する突起である。基準部７ａ及び７ｂと、係合部８４ａ及び８４ｂの形態はこれに限られない。例えば、ハンド６側の係合部と治具Ｔ側の係合部にそれぞれ係合する別体の部材を用いて位置決めを行うようにしてもよい。
治具Ｔには、基準マークＴ１が設けられている。基準マークＴ１は、ハンド６が基板ホルダ１１に対する基板Ｗの受け渡し位置まで移動した際に、検知ユニット１２の画角内および被写界深度内に入る位置に設けられている。検知ユニット１２によって基準マークＴ１を撮影し、その画像から基準マークＴ１の位置を確認することで、ハンド６が基板ホルダ１１に対して適切な位置に移動しているか否かを判定することができる。
なお、基準マークＴ１は、ハンド６が基板ホルダ１１に対する基板Ｗの受け渡し位置まで移動した際に基板ＷのアライメントマークＷ１と、水平方向において設計上同一位置に設けられていることが望ましい。また、基準マークＴ１は、本実施形態では十字状のマークであるが、検知ユニット１２にて撮像した際に、作業者もしくは画像処理部にて精度良く位置を認識することができる特徴的な形状であれば前記以外でもよい。
治具Ｔは、基板Ｗと同じ重量、同じ重心位置であることが望ましい。すなわち、実際に基板Ｗをハンド６に搭載したときと、同じ重量バランスを再現できるように治具Ｔが構成されていることが望ましい。一方、重量バランスを再現できれば、治具Ｔの形状は特定の形状に限定されるものではない。
治具Ｔには計測ユニット８４Ｘ～８４Ｚが搭載されている。本実施形態の場合、計測ユニット８４Ｘ～８４Ｚはいずれもレーザ変位計である。しかし、計測ユニット８４Ｘ～８４Ｚは測定対象物との距離を計測可能であればよく、例えば、カメラであってもよい。計測ユニット８３Ｘ～８３Ｘは、制御装置１と通信可能に接続されており、制御装置１は計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚの計測結果を取得可能である。
計測ユニット８３Ｘ、計測ユニット８３Ｚ、計測ユニット８３Ｙは、それぞれ、治具Ｔに対してＸ方向、Ｚ方向、Ｙ方向に存在する測定対象物との距離を測定する。図７は計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚが出力する計測値（測定値）の特性の例を示している。図７は横軸に各計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚと測定対象物との間のＧａｐ（距離）を、縦軸にその測定値をとったグラフである。計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚには所定の検出範囲があり、その検出範囲内であれば測定値を返すが、それ以外の領域では検出不能の信号を返す。測定値はＧａｐに線形な特性である。
ハンド６を移動させたときに、ハンド６の位置と、計測ユニット８３Ｘ～８３Ｘの計測結果とからハンド６に対する測定対象物の位置を特定できる。より具体的には例えばハンド６を成膜室１０１内に進入させるときの、成膜室１０１の外壁部１０１ａとハンド６との相対位置関係を特定できる。また、検知ユニット１２による治具Ｔの基準マークＴ１の検知結果から、成膜室１０１内でのハンド６の位置を特定できる。これらの計測結果、検知結果を用いて、ハンド６の移動経路に関する搬送用ロボット４の動作の設定を行うことができる。
＜移動経路の設定例１＞
搬送用ロボット４が基板Ｗを、成膜室１０１内の基板ホルダ１１まで搬送するためには、成膜室１０１の外壁部１０１ａに基板Ｗや搬送用ロボット４が干渉することなく、開口部ＯＰを基板Ｗ及びハンド６が通過する必要がある。治具Ｔ及び計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚを用いて予め開口部ＯＰの周辺の外壁部１０１ａを計測しておくことで、成膜室１０１に対する基板Ｗの搬送精度を向上することができる。
図８は制御装置１のプロセッサが実行する処理例を示すフローチャートであり、特に搬送用ロボット４の基板搬送時の動作を設定する処理例を示すフローチャートである。ハンド６の移動経路及びその移動経路を実現する搬送用ロボット４の動作は、まず、処理システム１００の設計情報等に基づいて仮設定される。具体的には、ハンド６が搬送室１０２内のホームポジションから成膜室１０１内の基板ホルダ１１までの移動経路Ｚｔｈ１及びそのための搬送用ロボット４の動作が、処理システム１００の設計情報等に基づいて仮設定される。そして、移動経路Ｚｔｈ１を図８の処理により補正して最終的な移動経路及び動作を設定する。ここでは主に移動経路のＺ方向の補正について説明する。
Ｓ１では、治具Ｔを支持したハンド６を成膜室１０１に対する所定の計測位置に移動する。図９（Ａ）はその一例を示している。図９（Ａ）は、外壁部１０１ａのうち、開口部ＯＰに隣接する外壁部１０１ａに対向する位置（搬送室１０２内）にハンド６が移動された態様を例示している。ハンド６は、治具Ｔに搭載された計測ユニット８３Ｙの計測範囲Ｍｓに外壁部１０１ａの表面が含まれる位置に移動される。なお、図８の処理例は成膜室１０１及び搬送室１０２が大気圧の状態で行われることを想定している。
図８のＳ２ではハンド６を外壁部１０１ａに沿って連続的に移動しつつ、測距を行う。図９（Ａ）の例では、ハンド６をＺ方向に移動（上昇）しつつ、計測ユニット８３Ｙによる測距を行う。計測ユニット８３Ｙにより、ハンド６から外壁部１０１ａまでのＹ方向の距離（より正確には計測ユニット８３Ｙから外壁部１０１ａまでのＹ方向の距離）が計測される。
図８のＳ３ではＳ２の計測結果から開口部ＯＰのＺ方向のエッジ（図９（Ａ）に示す上側のエッジＯＰ－Ｕ及び下側のＯＰ－Ｄ）の位置が特定される。図９（Ｂ）は計測ユニット８３Ｙの計測結果の例を示す。計測ユニット８３Ｙが開口部ＯＰに対向している場合、測定範囲Ｍｓに外壁面１０１ａが存在しないので計測ユニット８３Ｙは測定不能信号を返す。この測定不能信号のある領域から開口部ＯＰの下側エッジＯＰ－Ｄおよび上側エッジＯＰ－Ｕの位置を検出することが出来る。
図８のＳ４では開口部ＯＰへのハンド６の進入高さを設定する。下側エッジＯＰ－Ｄおよび上側エッジＯＰ－Ｕの位置の関係から開口部ＯＰを通過する高さを、仮設定した移動経路Ｚｔｈ１に対して補正して、移動経路Ｚｔｈ２を仮設定する。そして、移動経路Ｚｔｈ２の高さにハンド６を移動する。
図８のＳ５ではハンド６を成膜室１０１に対する次の計測位置に移動する。本実施形態では、次の計測位置は開口部ＯＰの内部である。移動経路Ｚｔｈ２にしたがってハンド６をＹ方向に移動して図１０（Ａ）に示すように開口部ＯＰ内にハンド６及び治具Ｔを進入する。ハンド６は計測ユニット８３Ｚが開口部ＯＰの天面に対向する位置まで移動される。このとき、計測ユニット８３Ｚの計測範囲Ｍｓに開口部ＯＰの天面が含まれる。
図８のＳ６では、計測ユニット８３Ｚによる測距を行う。計測ユニット８３Ｚにより、ハンド６から開口部ＯＰの天面までのＺ方向の距離（より正確には計測ユニット８３Ｚから天面までのＺ方向の距離）が計測される。図８のＳ７では仮設定した移動経路Ｚｔｈ２をＳ６の測距結果に基づいて必要に応じて補正する。この段階で設定される補正後又は補正なしの移動経路を移動経路Ｚｔｈ３とする。
図８のＳ８では、移動経路Ｚｔｈ３にしたがってハンド６をＹ方向に移動する。ここでは図１０（Ｂ）に示すように、次の計測位置として基板ホルダ１１に対する基板の受け渡し位置（検知ユニット１２の検知範囲内の位置）までハンド６を移動する。そして、Ｓ９では検知ユニット１２によって治具Ｔの基準マークＴ１を検知し、その位置を確認する。基準マークＴ１が検知されない場合、検知されたが基準マークＴ１の位置が適切でない場合は移動経路Ｚｔｈ３を補正する。
図１１（Ａ）は検知ユニット１２の撮影画像の例を示しており、基準マークＴ１が基準位置Ｃからずれている例を示している。こうした場合、移動経路Ｚｔｈ３を補正する。図１１（Ｂ）は検知ユニット１２の撮影画像の例を示しており、基準マークＴ１が基準位置Ｃに収まっている例を示している。こうした場合、移動経路Ｚｔｈ３を補正する必要はない。
以上の補正を必要に応じて行い、図８のＳ１０でハンド６の最終的な移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を確定する。
以上の手順を経ることでハンド６を精度よく、検知ユニット１２の画角まで自動的に搬送することが出来る。特に、最初の段階で、成膜室１０１の開口部ＯＰにハンド６が進入することなくその開口部ＯＰの領域を計測できることから、ハンド６と成膜室１０１が干渉して互いに破損・故障するリスクが抑制できる。
さらに、開口部ＯＰ内部でも再度搬送高さの補正を行うことでさらに精度よく検知ユニット１２の画角内にハンド６および治具Ｔを搬送することが出来ることから、基準マークＴ１を検知ユニット１２の焦点深度上最適な高さに運ぶことが可能になる。そのため検知ユニット１２による基準マークＴ１の測定誤差が小さくなる。また、一連の作業が自動化されることで作業時間の短縮にもつながる。
＜移動経路の設定例２＞
上記の設定例１では、開口部ＯＰの上下のエッジを検出する際、ハンド６をＺ方向に移動したが、Ｘ方向に移動して開口部ＯＰを検出し、移動軌道を補正することもできる。
図１２は制御装置１のプロセッサが実行する処理例を示すフローチャートであり、特に搬送用ロボット４の基板搬送時の動作を設定する処理例を示すフローチャートである。ここでは主に移動経路のＸ方向及びハンド６の向きの補正について説明する。
Ｓ１１では、治具Ｔを支持したハンド６を成膜室１０１に対する所定の計測位置に移動する。図１３（Ａ）はその一例を示している。図１３（Ａ）は、外壁部１０１ａのうち、開口部ＯＰに隣接する外壁部１０１ａに対向する位置（搬送室１０２内）にハンド６が移動された態様を例示している。ハンド６は、治具Ｔに搭載された計測ユニット８３Ｙの計測範囲Ｍｓに外壁部１０１ａの表面が含まれる位置に移動される。なお、図１２の処理例は成膜室１０１及び搬送室１０２が大気圧の状態で行われることを想定している。
図１３（Ａ）に例示するように、仮設定した移動経路Ｚｔｈ１の段階では、設計情報に基づく移動経路であるため、ハンド６のＸ軸と成膜室１０１の外壁面１０１ａは必ずしも平行ではない。成膜用の基板Ｗは長辺が２ｍを超える大きなものもあるため、θ方向の角度ずれはわずかであっても基板Ｗと成膜室１０１の外壁部１０１ａが衝突する要因になり得る。また、開口部ＯＰはなるべく小さいほうが装置設計上も容易であることから、ハンド６および基板Ｗと成膜室１０１開口部ＯＰとの間の隙間には余裕が無い。
図１２のＳ１２ではハンド６を外壁部１０１ａに沿って連続的に移動しつつ、測距を行う。図１３（Ａ）の例では、ハンド６をＸ方向に移動しつつ、計測ユニット８３Ｙによる測距を行う。計測ユニット８３Ｙにより、ハンド６から外壁部１０１ａまでのＹ方向の距離（より正確には計測ユニット８３Ｙから外壁部１０１ａまでのＹ方向の距離）が計測される。
図１２のＳ１３ではＳ１２の計測結果から開口部ＯＰのＸ方向のエッジ（図１３（Ａ）に示す右側のエッジＯＰ－Ｒ及び左側のＯＰ－Ｌ）の位置が特定される。図１３（Ｂ）は計測ユニット８３Ｙの計測結果の例を示す。計測ユニット８３Ｙが開口部ＯＰに対向している場合、測定範囲Ｍｓに外壁面１０１ａが存在しないので計測ユニット８３Ｙは測定不能信号を返す。この測定不能信号のある領域から開口部ＯＰの右側エッジＯＰ－Ｒおよび左側エッジＯＰ－Ｌの位置を検出することが出来る。更に、各測距点の距離の推移から、外壁面１０１ａに対するハンド６の傾きθを演算することができる。
図１２のＳ１４では開口部ＯＰへのハンド６のＸ方向及びＹ方向の進入位置と向きを設定する。向きは傾きθが０となるように移動経路Ｚｔｈ１が補正される。その上で、開口部ＯＰのＸ方向の中央をハンド６が通過できるように進入位置が補正されて補正後の移動経路Ｚｔｈ２が仮設定される。
図１２のＳ１５ではハンド６を成膜室１０１に対する次の計測位置に移動する。本実施形態では、次の計測位置は開口部ＯＰの内部である。移動経路Ｚｔｈ２にしたがってハンド６をＹ方向に移動して図１４に示すように開口部ＯＰ内にハンド６及び治具Ｔを進入する。ハンド６は計測ユニット８３Ｘが開口部ＯＰの側面に対向する位置まで移動される。このとき、計測ユニット８３Ｘの計測範囲Ｍｓに開口部ＯＰの側面が含まれる。
図１２のＳ１６では、計測ユニット８３Ｘによる測距を行う。計測ユニット８３Ｘにより、ハンド６から開口部ＯＰの側面までのＸ方向の距離（より正確には計測ユニット８３Ｘから側面までのＸ方向の距離）が計測される。図１２のＳ１７では仮設定した移動経路Ｚｔｈ２をＳ１６の測距結果に基づいて必要に応じて補正する。この段階で設定される補正後又は補正なしの移動経路を移動経路Ｚｔｈ３とする。
図１２のＳ１８では、移動経路Ｚｔｈ３にしたがってハンド６をＹ方向に移動する。ここでは図１０（Ｂ）に示した例と同様に、基板ホルダ１１に対する基板の受け渡し位置（検知ユニット１２の検知範囲内の位置）までハンド６を移動する。そして、Ｓ１９で検知ユニット１２によって治具Ｔの基準マークＴ１を検知し、その位置を確認する。基準マークＴ１が検知されない場合、検知されたが基準マークＴ１の位置が適切でない場合は移動経路Ｚｔｈ３を補正し、Ｓ２０で最終的な移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を確定する。
以上の手順を経ることでハンド６を精度よく検知ユニット１２の画角まで自動的に搬送することが出来、経路情報を補正して教示することが出来る。特に、水平面内の経路補正を成膜室１０１の外壁部１０１ａを基準として補正しつつ検知ユニット１２の位置まで搬送できるため誤差が小さい。また、一連の作業が自動化されることで作業時間の短縮にもつながる。
＜第二実施形態＞
図８や図１２の処理によって治具Ｔをハンド６に搭載してハンド６の移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を設定した後、さらに、治具Ｔに代えて基板Ｗをハンド６に搭載して設定した移動経路でハンド６を移動させてもよい。そして、基板ホルダ１１に対する基板の受け渡し位置（検知ユニット１２の検知範囲内の位置）までハンド６を移動したときに、基板ＷのアライメントマークＷ１を検知ユニット１２で検知する。治具Ｔの基準マークＴ１の検知結果とアライメントマークＷ１の検知結果とを比較し、ハンド６の移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を更に補正してもよい。
治具Ｔと基板Ｗでは質量等が異なることからハンド６の搬送位置も異なるのが一般的である。そのため治具Ｔを用いた計測とは別に基板Ｗを使って検知ユニット１２による計測を行いその差に応じてハンド６の移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を更に補正する。これにより基板Ｗの搬送精度を更に向上できる。
＜第三実施形態＞
第一実施形態、第二実施形態では、大気圧環境下で計測を行いハンド６の移動経路の設定を行ったが、大気圧環境下で計測を行った後、成膜時と同様の減圧環境下（真空環境下）において計測を行い、ハンド６の移動経路の設定を行ってもよい。図１５は制御装置１のプロセッサが実行する処理例を示すフローチャートである。
Ｓ２１では、大気圧下での計測・移動経路の設定を行う。これは図８や図１２の処理と同じである。Ｓ２２では減圧環境下での計測のための準備を行う。ここでは成膜室１０１及び搬送室１０２を減圧して真空にする。なお、その前に作業者の作業として、治具Ｔから、計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚを取り外す。市販される計測ユニットの多くは内部で樹脂部品や接着材等真空中でアウトガスを発生する部材を使っていたり、真空中ではその動作が保証されない場合がある。本実施形態では治具Ｔから、計測ユニット８３Ｘ～８３Ｚを取り外し、計測には用いないことを前提としている。
Ｓ２３では、現在設定されている移動経路Ｚｔｈ３にてハンド６を計測位置に移動する。本実施形態の場合、計測位置として基板ホルダ１１に対する基板の受け渡し位置（検知ユニット１２の検知範囲内の位置）までハンド６を移動する。Ｓ２４では検知ユニット１２によって基準マークＴを検知し、その撮影画像からハンド６の位置の変化を計測する。図１６（Ａ）は撮影画像の例を示しており、基準マークＴが基準位置Ｃからずれている例を示している。この位置ずれが大気圧下と減圧下でのハンド６の位置のずれとなる。
Ｘ、Ｙ方向の位置ずれに加えて、以下の方法によりＺ方向の位置ずれも計測できる。位置調整部１５によって検知ユニット１２のＺ方向の位置を変えながら、その撮影画像を比較することにより行う。
図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）のＡ－Ａ’線において、検知ユニット１２のＺ方向の位置を変えながら撮影を行った場合の画素の輝度変化の例を示している。図示の例は検知ユニット１２と基準マークＴ１との距離がベストフォーカスの場合（実線）とデフォーカスした場合（破線）を模式的に説明している。減圧下における基準マークＴ１の像が、大気圧下での像と同様の見え方をするＺ方向の位置を特定すると、そのＺ方向の位置の差が、減圧下におけるハンド６の高さの変化量となる。
なお、このような減圧下におけるＺ方向のハンド６の位置の変化を計測するために、検知ユニット１２に加えて、レーザ変位計のような距離計を併用してもよい。距離計は検知ユニット１２と同様、外壁部１０１ａの外部に配置し、外壁部１０１ａに設けた窓部を介して基準マークＴ１又は治具Ｔを測距するようにしてもよい。検知ユニット１２の撮影画像によりＸ、Ｙ方向の補正を行い、距離計の計測結果によりＺ方向の補正を行ってもよい。
＜第四実施形態＞
大気圧下、減圧下、治具、基板、基板の搬送速度の組み合わせで計測を行い、ハンド６の移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を設定してもよい。図１７はその概念図である。治具Ｔを使った測定では、大気中における測定結果と真空中の測定結果を比較演算して大気中と真空中の差を演算する。
基板Ｗを使った測定では、大気中における測定結果と真空中における測定結果およびその際の搬送速度から基板搬送における大気と真空の雰囲気の差への依存性、搬送速度による依存性である、大気～真空～基板搬送速度依存性を演算する。
特に基板Ｗを使った搬送はハンド６の搬送速度や使用するパッド２４の種類あるいは使用する基板の種類による摩擦の影響の違いが出る場合があり、水平方向の搬送位置は影響を受ける場合がある。そして、これらから、ハンド６の移動経路及びそのための搬送用ロボット４の動作を設定する。
＜第五実施形態＞
計測ユニット８３Ｘ～８３Ｘの計測対象は、外壁部１０１ａに限られず、成膜室１０１の内部に配置されている構成を計測対象としてもよい。図１８はその一例を示す模式図である。図示の例では基板ホルダ１１を計測対象としている。計測ユニット８３Ｚによりハンド６と基板ホルダ１１のＺ方向の距離が測距される。計測ユニット８３Ｙによりハンド６と基板ホルダ１１のＹ方向の距離が測距される。基板ホルダ１１の位置を基準としてハンド６の移動経路を設定することができる。
＜第六実施形態＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。ここでは複数の成膜室１０１によって順次成膜を行う場合を想定している。
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１９（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図１９（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。
図１９（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。
なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。
図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。
また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１９（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。
なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。
図１９（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。
赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。
なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。
第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜室１０１に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。
次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜室１０１に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室１０１で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。
赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜室１０１において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜室１０１において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜室１０１において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。
電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜室１０１に移動し、第２電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜室１０１～第６の成膜室１０１では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜室１０１における第２電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２電極６８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。
ここで、第１の成膜室１０１～第６の成膜室１０１での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板５３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板５３を載置して成膜が行われる。
＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１ 制御装置、４ 搬送用ロボット、６ ハンド、１０１ 成膜室、Ｔ 治具、８３Ｘ～８３Ｚ 計測ユニット

Claims (9)

  1. 基板が支持されるハンドを有し、成膜室に基板を搬送するロボットの動作を設定する動作設定装置であって、
    前記基板に代えて前記ハンドに支持され、計測手段が搭載された治具と、
    前記治具が支持された前記ハンドが前記成膜室に対する計測位置に移動するよう、前記ロボットを制御する制御手段と、
    前記成膜室に関する前記計測手段の計測結果を取得し、前記基板の搬送時における前記ハンドの移動に関する前記ロボットの動作を設定する設定手段と、を備える、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  2. 請求項１に記載の動作設定装置であって、
    前記成膜室には、前記基板の位置を検知する検知手段が設けられており、
    前記制御手段は、前記治具が前記検知手段の検知範囲に位置するよう、前記ロボットを制御し、
    前記設定手段は、前記治具に関する前記検知手段の検知結果を取得し、前記計測結果と前記検知結果とに基づいて前記ハンドの移動に関する前記ロボットの動作を設定する、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  3. 請求項２に記載の動作設定装置であって、
    前記成膜室に関する前記計測手段の計測は大気圧下で行われ、
    前記検知手段による前記治具の検知は成膜時と同じ減圧下で行われる、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  4. 請求項１に記載の動作設定装置であって、
    前記成膜室は、前記ハンドが進入可能な開口部を有する外壁部を備え、
    前記制御手段は、前記計測位置として、前記外壁部を前記計測手段が計測可能な位置に前記ハンドが移動するよう、前記ロボットを制御する、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  5. 請求項４に記載の動作設定装置であって、
    前記制御手段は、前記計測位置として、前記外壁部に沿った位置を前記ハンドが連続的に移動するよう、前記ロボットを制御する、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  6. 請求項１に記載の動作設定装置であって、
    前記ロボットの動作には、前記ハンドの向きに関する動作を含む、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  7. 請求項１に記載の動作設定装置であって、
    前記制御手段は、前記計測位置として、前記成膜室の内部に配置された所定の構成を前記計測手段が計測可能な位置に前記ハンドが移動するよう、前記ロボットを制御する、
    ことを特徴とする動作設定装置。
  8. 基板が支持されるハンドを有し、成膜室に基板を搬送するロボットの動作を設定する動作設定方法であって、
    計測手段が搭載された治具を前記ハンドに支持する工程と、
    前記治具が支持された前記ハンドが前記成膜室に対する計測位置に移動するよう、前記ロボットを制御する制御工程と、
    前記成膜室に関する前記計測手段の計測結果を取得し、前記基板の搬送時における前記ハンドの移動に関する前記ロボットの動作を設定する設定工程と、を備える、
    ことを特徴とする動作設定方法。
  9. 基板が支持されるハンドを有し、成膜室に基板を搬送するロボットの動作を設定する動作設定工程と、
    前記動作設定工程で設定された動作に基づいて前記ロボットを制御し、前記成膜室に基板を搬送する工程と、
    前記成膜室で前記基板に成膜する工程と、を備えた電子デバイスの製造方法であって、
    前記動作設定工程は、
    計測手段が搭載された治具を前記ハンドに支持する工程と、
    前記治具が支持された前記ハンドが前記成膜室に対する計測位置に移動するよう、前記ロボットを制御する制御工程と、
    前記成膜室に関する前記計測手段の計測結果を取得し、前記基板の搬送時における前記ハンドの移動に関する前記ロボットの動作を設定する設定工程と、を備える、
    ことを特徴とする製造方法。
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