CN116330309A - 动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116330309A
CN116330309A CN202211605908.6A CN202211605908A CN116330309A CN 116330309 A CN116330309 A CN 116330309A CN 202211605908 A CN202211605908 A CN 202211605908A CN 116330309 A CN116330309 A CN 116330309A
Authority
CN
China
Prior art keywords
robot
substrate
film forming
measurement
forming chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211605908.6A
Other languages
English (en)
Inventor
川口岳
笹沼裕纪
寺泽大介
太田裕久
山本武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN116330309A publication Critical patent/CN116330309A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J13/00—Controls for manipulators
    • B25J13/08—Controls for manipulators by means of sensing devices, e.g. viewing or touching devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供提高相对于成膜室的基板的输送精度的动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法。动作设定装置设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作，其中，具备：夹具，其代替所述基板支承于所述机械手，搭载有测量部件；控制部件，其对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动到相对于所述成膜室的测量位置；以及设定部件，其获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作。

Description

动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法，特别是涉及输送基板的机器人的动作设定技术。
背景技术
在利用机器人输送基板的系统中，为了提高输送精度而进行示教作业。示教作业已知有基于作业者的目视确认的方法、使用传感器测量输送误差并对控制进行修正的方法。在专利文献1和专利文献2中公开了使用传感器的方法的例子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2012－523682号公报
专利文献2：日本特开2007－142269号公报
发明内容
发明要解决的课题
在有机EL显示器等的制造中，使用掩模在基板上对蒸镀物质进行成膜。若相对于成膜室的基板的输送精度低，则会使成品率降低或成为发生错误的原因。例如，一般而言在成膜室内作为成膜的预处理而进行掩模与基板的对准。在对准中，进行基板与掩模的位置偏移的检测和基于检测结果的基板与掩模的相对位置的调整。为了顺利地进行对准，需要准确地将基板输送到基板的检测区域内，但若基板的输送精度低，则无法顺利地进行对准。
本发明提供一种提高相对于成膜室的基板的输送精度的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明，提供一种动作设定装置，所述动作设定装置设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作，其中，所述动作设定装置具备：
夹具，其代替所述基板支承于所述机械手，搭载有测量部件；
控制部件，其对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动到相对于所述成膜室的测量位置；以及
设定部件，其获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作。
另外，根据本发明，提供一种动作设定方法，所述动作设定方法设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作，其中，所述动作设定方法包括：
将搭载有测量部件的夹具支承于所述机械手的工序；
对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动到相对于所述成膜室的测量位置的控制工序；以及
获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作的设定工序。
另外，根据本发明，提供一种电子器件的制造方法，所述制造方法包括：
设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作的动作设定工序；
基于在所述动作设定工序中设定的动作对所述机器人进行控制，向所述成膜室输送基板的工序；以及
在所述成膜室中对所述基板进行成膜的工序，
其中，
所述动作设定工序包括：
将搭载有测量部件的夹具支承于所述机械手的工序；
对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动动相对于所述成膜室的测量位置的控制工序；以及
获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作的设定工序。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种提高相对于成膜室的基板的输送精度的技术。
附图说明
图1是作为本发明的应用例的处理系统的布局图。
图2是成膜室的构造的示意图。
图3是成膜室的构造的示意图。
图4的(A)是输送用机器人的侧视图，(B)是机械手的俯视图。
图5的(A)是夹具T的俯视图，(B)是夹具T的侧视图。
图6的(A)是搭载于机械手的状态下的夹具T的俯视图，(B)是搭载于机械手的状态下的夹具T的侧视图。
图7是表示测量单元输出的测量值(测定值)的特性的例子的图。
图8是表示控制装置执行的处理例的流程图。
图9的(A)是测量单元的测量例的说明图，(B)是表示测量结果的例子的图。
图10的(A)是测量单元的测量例的说明图，(B)是检测单元的检测例的说明图。
图11的(A)是表示基准标记发生偏移的例子的图，(B)是表示基准标记的位置适当的例子的图。
图12是表示控制装置执行的处理例的流程图。
图13的(A)是测量单元的测量例的说明图，(B)是表示测量结果的例子的图。
图14是测量单元的测量例的说明图。
图15是表示控制装置执行的处理例的流程图。
图16的(A)是表示减压下的拍摄图像的例子的图，(B)是表示拍摄图像的像素的亮度变化的图。
图17是利用各种条件下的测量结果的移动路径的设定方法的概念图。
图18是表示测量单元的测量对象的例子的示意图。
图19的(A)是有机EL显示装置的整体图，(B)是表示1像素的截面构造的图。
附图标记说明
1控制装置，4输送用机器人，6机械手，101成膜室，T夹具，83X～83Z测量单元。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。虽然在实施方式中记载了多个特征，但不一定这多个特征全部是发明所必需的，另外，多个特征也可以任意地组合。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
＜第一实施方式＞
＜系统的概要＞
图1是作为本发明的应用例的处理系统100的布局图。处理系统100是在平行平板的基板的表面通过真空蒸镀形成所期望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、树脂、金属等任意的材料，另外，作为蒸镀材料，也能够选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。处理系统100例如能够应用于使用有机薄膜的电子器件(例如，有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)、光学部件等的制造装置。更具体而言，处理系统100例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如在约1800mm×约1500mm、厚度约0.5mm的尺寸的基板上进行了有机EL的成膜之后，对该基板进行切割而制作多个小尺寸的面板。
处理系统100具有成膜室101、输送室102、送入室103、送出室104、输送用机器人4以及控制装置1。在成膜室101设置有载置作为成膜对象的基板的基板保持件11。在输送室102设置有保持并输送基板W的输送用机器人4。
输送用机器人4向成膜室101输送基板，另外，从成膜室101输送成膜完毕的基板。本实施方式的输送用机器人4包括支承基板的机械手6和使机械手6三维移动的多关节的机械臂5。本实施方式的输送用机器人4具备两个机械手6，但机械手6也可以为一个。输送用机器人4进行基板向各室的送入/送出。例如，在送入室103中在机械手6上载置基板，输送用机器人4将其向成膜室101输送。另外，在成膜室101中成膜完毕的基板载置于机械手6，输送用机器人4将其向送出室104输送。处理系统100内的基板在各室间的移动能够经由输送用机器人4自由地进行。
在此，对各室的坐标轴进行定义。在从输送用机器人4观察朝向成膜室101的水平方向上取Y轴。在与Y方向正交的水平方向上取X轴。将与X轴及Y轴正交的铅垂方向设为Z轴。将绕Z轴的旋转方向的角度设为θ。
参照图2及图3说明成膜室101的构造。图2是沿X方向观察成膜室101的构造的示意图。图3是成膜室101的一部分的俯视图。成膜室101是能够通过其外壁部101a将内部维持为气密的腔室。成膜室101在对基板W进行成膜处理时减压而作为真空腔室发挥功能，其室内维持为真空环境或氮气等非活性气体环境。
外壁部101a的一部分形成将成膜室101与输送室102之间划分的隔壁。在该隔壁形成有开口部OP。闸阀14对开口部OP进行开闭。能够通过闸阀14使成膜室101和输送室102的环境的压力不同。机械手6能够进入开口部OP，输送用机器人4通过开口部OP向成膜室101送入基板W，另外，从成膜室101送出基板W。
在成膜室101的内部设置有基板保持件11、掩模M、蒸镀装置8等。基板保持件11是保持从输送用机器人4接收的基板W的构件。掩模M是具有与要形成于基板W的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模，固定在框状的掩模台(未图示)之上。在成膜时在掩模M之上载置基板W。也能够在基板W上设置冷却板。冷却板是在成膜时与基板W的与掩模相向的面的相反侧的面紧贴并通过抑制基板W的温度上升来抑制有机材料的变质和劣化的构件。冷却板也可以兼作磁体板。磁体板是通过利用磁力吸引掩模而提高成膜时的基板W与掩模M的紧贴性的构件。
蒸镀装置8由蒸镀材料、收纳蒸镀材料的容器(坩埚)、加热器、挡板、蒸发装置的驱动机构、蒸发速率监视器等构成，将气化的蒸镀材料向基板W放出而进行成膜。
在成膜室101设置有进行基板W与掩模M的位置对齐的对准装置10。对准装置10进行保持于基板保持件11的基板W与掩模M的位置对齐。对准装置10具备检测基板W、掩模M的对准标记的检测单元12和使基板保持件11移动来调整基板W相对于掩模M的位置的位置调整机构13。
在本实施方式的情况下，检测单元12是相机，经由设置于外壁部101a的透明的窗部对成膜室101内的基板W进行拍摄。检测单元12支承于位置调整部15，能够通过位置调整部15而进行移动，能够调整焦点距离等。能够根据检测单元12的拍摄图像，确定基板上的对准标记W1和掩模M上的对准标记，测量两者的XY位置和在XY面内的相对偏移。
为了相对于掩模M将基板W在水平及旋转方向上对准，设置至少2个检测单元12，但根据对准的内容，也可以仅设置1个，也可以设置3个以上。另外，为了实现短时间且高精度的对准，优选实施粗略地进行位置对齐的第1对准(粗对准)和高精度地进行位置对齐的第2对准(精对准)的两阶段的对准。在该情况下，也可以设置低分辨率但宽视野的第1对准用的检测单元和窄视野但高分辨率的第2对准用的检测单元这2种检测单元。
位置调整机构13例如具备多个由马达和滚珠丝杠、马达和线性导向件等构成的致动器。例如，用于使整个基板保持件11在Z方向上升降的致动器、用于使基板保持件11的基板保持/解除机构开闭的致动器、使基板保持件11在X－Y方向及θ方向上位移的致动器等。本实施方式的位置调整机构13通过使基板保持件11位移而进行基板W与掩模M的位置调整，但也可以使掩模M位移，也可以使基板W和掩模M双方位移。
图4的(A)是输送用机器人4的侧视图，图4的(B)是机械手6的俯视图。此外，在此说明的输送用机器人的结构(机械臂、机械手的结构)仅为一例，并不限定于该结构。
输送用机器人4大致具备用于担载基板W的机械手6和用于使机械手6向XYZ直角坐标上的任意的位置自如地移动的机械臂5。
机械臂5具有固定于输送室102的设置面的基座510和相对于基座510经由第1接头520、第2接头521、第3接头522依次连结的第1臂511、第2臂512、第3臂513。第1臂511相对于基座510经由第1接头520连结成能够以在与设置面垂直的方向(Z方向)上延伸的旋转轴为中心旋转。第2臂512相对于第1臂511经由第2接头521连结成能够以在与设置面垂直的方向(Z方向)上延伸的旋转轴为中心旋转，相对于第3臂513经由第3接头522连结成能够以在与设置面垂直的方向(Z方向)上延伸的旋转轴为中心旋转。在第3臂513的前端(两端)成对地连结有机械手6。通过各臂511～513的旋转的组合，能够使机械手6的水平位置(XY坐标)任意位移。
另外，第1臂511构成为能够相对于基座510在沿着第1接头520的方向上升降移动(Z方向)。通过第1臂511的升降使第2臂512和第3臂513也升降，从而能够使机械手6的高度变化，使基板W的高度变化(Z方向)。在机械臂5的各接头分别设置有马达和编码器。根据各臂的旋转量及升降高度、或者对这些信息进行换算而获取的三维坐标，能够运算所需要的机械手6的移动量(各臂的动作量)。
机械手6具有从第3臂513的前端延伸的一对主杆(日文：スパインロッド)21和从主杆的侧面分别向与主杆21正交的方向向外延伸的多个肋杆(日文：リブロッド)22。在肋杆22的端部设置有用于支承基板W的下表面的垫24。垫24由硅橡胶等弹性构件构成以能够不会损伤基板W的表面地进行支承，考虑基板W的挠曲而沿着基板W的外周缘设置有多个。此外，在配置于主杆21的延伸方向上的两端的肋杆22，设置有多个与主杆21平行地延伸的第2肋杆23，在它们的端部也设置有垫24。
在机械手6设置有基准部7a和基准部7b。基准部7a和基准部7b是后述的夹具T的定位用的卡合部。在本实施方式中，基准部7a和基准部7b是圆筒状的孔。
控制装置1对处理系统100进行控制并且还进行与各种设定相关的处理。控制装置1包括1个或多个处理器、1个或多个存储设备、外部设备与处理器之间的接口。处理器执行存储于存储设备的程序，进行成膜室101的室压控制、位置调整机构13的各种致动器的控制、检测单元12所拍摄的图像的图像处理、对准标记的偏移量的运算、输送用机器人4的动作的设定及控制、蒸镀装置8的动作控制等。另外，输送用机器人4的动作的设定包括机械手6的移动路径的设定。存储设备包括RAM、ROM等半导体存储器、HDD等存储设备。
对成膜室101中的成膜工艺进行说明。通过输送用机器人4将基板W送入成膜室101，从输送用机器人4向基板保持件11交接基板W。输送用机器人4在将载置于机械手6的基板W向成膜室101内的基板保持件11载置时，将机械手6移动至基板W的对准标记W1在水平方向上位于检测单元12的视角内的位置。输送用机器人4将机械手6降下而将基板载置于基板保持件11。
接着，通过对准装置10，进行基板W与掩模M的相对位置的对准。在对准后，使基板W与掩模M重叠。之后，从蒸镀装置8向基板W放出蒸镀物质而进行成膜。当成膜结束时，输送用机器人4从基板保持件11接收基板W，从成膜室101送出。
此外，图1～图3所示的处理系统100的结构仅为一例，并不限定于该结构。例如，也可以在1个处理系统100内设置2个以上的成膜室101。另外，也可以设置设有溅射装置的成膜室。另外，也可以在1个成膜室101内设置2个以上的基板保持件11。输送用机器人4也可以在1个处理系统100内设置多个。
＜输送用机器人的动作的设定＞
说明用于对输送用机器人4设定基板W的输送路径(机械手6的移动路径)的结构及步骤。机械手6的移动路径的设定通过使机械手6支承夹具来代替基板W而进行相对于成膜室101的测量并基于其测量结果来进行。
图5的(A)是夹具T的俯视图，图5的(B)是夹具T的侧视图。另外，图6的(A)是搭载于机械手6的状态下的夹具T的俯视图，图6的(B)是搭载于机械手6的状态下的夹具T的侧视图。
夹具T是具有井字形状的板状的构件。在夹具T设置有与机械手6的基准部7a及基准部7b对应的卡合部84a及卡合部84b。在本实施方式中，卡合部84a及卡合部84b是与基准部7a及基准部7b嵌合的突起。基准部7a及基准部7b和卡合部84a及卡合部84b的形态不限于此。例如，也可以使用与机械手6侧的卡合部和夹具T侧的卡合部分别卡合的分体的构件来进行定位。
在夹具T设置有基准标记T1。基准标记T1设置于在机械手6移动至相对于基板保持件11的基板W的交接位置时进入到检测单元12的视角内及景深内的位置。通过检测单元12对基准标记T1进行拍摄，根据其图像确认基准标记T1的位置，从而能够判定机械手6是否相对于基板保持件11移动到适当的位置。
此外，基准标记T1优选在机械手6移动至相对于基板保持件11的基板W的交接位置时与基板W的对准标记W1在水平方向上设置于设计上同一位置。另外，基准标记T1在本实施方式中为十字形的标记，但只要是在利用检测单元12进行摄像时能够由作业者或图像处理部高精度地识别位置的特征性的形状，则也可以为上述形状以外的形状。
夹具T优选为与基板W相同的重量、相同的重心位置。即，优选夹具T构成为能够再现与实际将基板W搭载于机械手6时相同的重量平衡。另一方面，只要能够再现重量平衡，则夹具T的形状不限定于特定的形状。
在夹具T搭载有测量单元83X～83Z。在本实施方式的情况下，测量单元83X～83Z均为激光位移计。但是，测量单元83X～83Z只要能够测量与测定对象物的距离即可，例如，也可以为相机。测量单元83X～83Z与控制装置1以能够通信的方式连接，控制装置1能够获取测量单元83X～83Z的测量结果。
测量单元83X、测量单元83Z、测量单元83Y分别相对于夹具T测定与存在于X方向、Z方向、Y方向上的测定对象物的距离。图7示出了测量单元83X～83Z输出的测量值(测定值)的特性的例子。图7是在横轴上取各测量单元83X～83Z与测定对象物之间的Gap(距离)、在纵轴上取其测定值的图表。测量单元83X～83Z存在规定的检测范围，若在该检测范围内则返回测定值，但在除此以外的区域则返回无法检测的信号。测定值为与Gap呈线性的特性。
在使机械手6移动时，能够根据机械手6的位置和测量单元83X～83X的测量结果确定测定对象物相对于机械手6的位置。更具体而言，能够确定例如使机械手6进入成膜室101内时的、成膜室101的外壁部101a与机械手6的相对位置关系。另外，根据由检测单元12得到的夹具T的基准标记T1的检测结果，能够确定在成膜室101内的机械手6的位置。能够使用这些测量结果、检测结果进行与机械手6的移动路径相关的输送用机器人4的动作的设定。
＜移动路径的设定例1＞
为了使输送用机器人4将基板W输送至成膜室101内的基板保持件11，需要在基板W和输送用机器人4不与成膜室101的外壁部101a干涉的情况下使基板W和机械手6通过开口部OP。通过使用夹具T和测量单元83X～83Z预先测量开口部OP的周边的外壁部101a，能够提高相对于成膜室101的基板W的输送精度。
图8是表示控制装置1的处理器执行的处理例的流程图，特别是表示设定输送用机器人4的基板输送时的动作的处理例的流程图。机械手6的移动路径以及实现该移动路径的输送用机器人4的动作首先基于处理系统100的设计信息等进行临时设定。具体而言，机械手6从输送室102内的原始位置到成膜室101内的基板保持件11为止的移动路径Zth1以及为此的输送用机器人4的动作基于处理系统100的设计信息等进行临时设定。然后，通过图8的处理对移动路径Zth1进行修正而设定最终的移动路径及动作。在此，主要对移动路径的Z方向的修正进行说明。
在S1中，将支承有夹具T的机械手6移动到相对于成膜室101的规定的测量位置。图9的(A)示出了其一例。图9的(A)例示了机械手6移动到与外壁部101a中的与开口部OP邻接的外壁部101a相向的位置(输送室102内)的方式。机械手6移动到搭载于夹具T的测量单元83Y的测量范围Ms包含外壁部101a的表面的位置。此外，图8的处理例设想在成膜室101和输送室102为大气压的状态下进行。
在图8的S2中，使机械手6沿着外壁部101a连续地移动的同时进行测距。在图9的(A)的例子中，使机械手6在Z方向上移动(上升)的同时，通过测量单元83Y进行测距。通过测量单元83Y，测量从机械手6到外壁部101a的Y方向的距离(更准确而言，从测量单元83Y到外壁部101a的Y方向的距离)。
在图8的S3中，根据S2的测量结果确定开口部OP的Z方向的边缘(图9的(A)所示的上侧的边缘OP－U及下侧的OP－D)的位置。图9的(B)表示测量单元83Y的测量结果的例子。在测量单元83Y与开口部OP相向的情况下，在测定范围Ms内不存在外壁面101a，因此，测量单元83Y返回无法测定信号。能够根据存在该无法测定信号的区域检测出开口部OP的下侧边缘OP－D及上侧边缘OP－U的位置。
在图8的S4中，设定机械手6向开口部OP的进入高度。根据下侧边缘OP－D及上侧边缘OP－U的位置的关系，相对于临时设定的移动路径Zth1修正通过开口部OP的高度，从而临时设定移动路径Zth2。然后，使机械手6移动到移动路径Zth2的高度。
在图8的S5中，将机械手6移动到相对于成膜室101的下一个测量位置。在本实施方式中，下一个测量位置是开口部OP的内部。按照移动路径Zth2，使机械手6在Y方向上移动而如图10的(A)所示使机械手6和夹具T进入开口部OP内。机械手6移动至测量单元83Z与开口部OP的顶面相向的位置。此时，测量单元83Z的测量范围Ms包含开口部OP的顶面。
在图8的S6中，通过测量单元83Z进行测距。通过测量单元83Z，测量从机械手6到开口部OP的顶面的Z方向的距离(更准确而言，从测量单元83Z到顶面的Z方向的距离)。在图8的S7中，基于S6的测距结果，根据需要来修正临时设定的移动路径Zth2。将在该阶段设定的修正后或无修正的移动路径设为移动路径Zth3。
在图8的S8中，按照移动路径Zth3，使机械手6在Y方向上移动。在此，如图10的(B)所示，作为下一个测量位置，将机械手6移动至相对于基板保持件11的基板的交接位置(检测单元12的检测范围内的位置)。然后，在S9中，通过检测单元12检测夹具T的基准标记T1，确认其位置。在未检测到基准标记T1的情况、虽然检测到但基准标记T1的位置不适当的情况下，对移动路径Zth3进行修正。
图11的(A)示出了检测单元12的拍摄图像的例子，示出了基准标记T1从基准位置C偏移的例子。在这样的情况下，对移动路径Zth3进行修正。图11的(B)示出了检测单元12的拍摄图像的例子，示出了基准标记T1落入基准位置C的例子。在这样的情况下，不需要修正移动路径Zth3。
根据需要进行以上的修正，在图8的S10中，确定机械手6的最终的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作。
通过经过以上的步骤，能够将机械手6高精度地自动输送至检测单元12的视角。特别是，在最初的阶段，能够在机械手6不进入成膜室101的开口部OP的情况下测量该开口部OP的区域，因此，能够抑制机械手6与成膜室101干涉而相互发生破损、故障的风险。
并且，通过在开口部OP内部也再次进行输送高度的修正，能够进一步高精度地将机械手6和夹具T输送到检测单元12的视角内，因此，能够将基准标记T1运送到检测单元12的焦点深度上最佳的高度。因此，检测单元12对基准标记T1的测定误差变小。另外，由于使一系列的作业自动化，从而也带来作业时间的缩短。
＜移动路径的设定例2＞
在上述的设定例1中，在检测开口部OP的上下的边缘时，使机械手6在Z方向上移动，但也能够使其在X方向上移动来检测开口部OP，对移动轨道进行修正。
图12是表示控制装置1的处理器执行的处理例的流程图，特别是表示设定输送用机器人4的基板输送时的动作的处理例的流程图。在此，主要对移动路径的X方向以及机械手6的朝向的修正进行说明。
在S11中，将支承有夹具T的机械手6移动到相对于成膜室101的规定的测量位置。图13的(A)示出了其一例。图13的(A)例示了机械手6移动到与外壁部101a中的与开口部OP邻接的外壁部101a相向的位置(输送室102内)的方式。机械手6移动到搭载于夹具T的测量单元83Y的测量范围Ms包含外壁部101a的表面的位置。此外，图12的处理例设想在成膜室101和输送室102为大气压的状态下进行。
如图13的(A)例示的那样，在临时设定的移动路径Zth1的阶段，由于是基于设计信息的移动路径，因此，机械手6的X轴与成膜室101的外壁面101a不一定平行。成膜用的基板W也有长边超过2m的大型基板，因此，θ方向的角度偏移即使微小也可能成为基板W与成膜室101的外壁部101a发生碰撞的原因。另外，在开口部OP尽量小的情况下装置设计上也更容易，因此，机械手6及基板W与成膜室101的开口部OP之间的间隙没有富余。
在图12的S12中，使机械手6沿着外壁部101a连续地移动的同时进行测距。在图13的(A)的例子中，使机械手6在X方向上移动的同时，通过测量单元83Y进行测距。通过测量单元83Y，测量从机械手6到外壁部101a的Y方向的距离(更准确而言，从测量单元83Y到外壁部101a的Y方向的距离)。
在图12的S13中，根据S12的测量结果确定开口部OP的X方向的边缘(图13的(A)所示的右侧的边缘OP－R及左侧的OP－L)的位置。图13的(B)表示测量单元83Y的测量结果的例子。在测量单元83Y与开口部OP相向的情况下，在测定范围Ms内不存在外壁面101a，因此，测量单元83Y返回无法测定信号。能够根据存在该无法测定信号的区域检测出开口部OP的右侧边缘OP－R及左侧边缘OP－L的位置。并且，根据各测距点的距离的推移，能够运算相对于外壁面101a的机械手6的倾斜θ。
在图12的S14中，设定机械手6向开口部OP的X方向及Y方向的进入位置和朝向。将移动路径Zth1修正为使朝向的倾斜θ达到0。而且，将进入位置修正为使机械手6能够通过开口部OP的X方向的中央，从而临时设定修正后的移动路径Zth2。
在图12的S15中，将机械手6移动到相对于成膜室101的下一个测量位置。在本实施方式中，下一个测量位置是开口部OP的内部。按照移动路径Zth2，使机械手6在Y方向上移动而如图14所示使机械手6和夹具T进入开口部OP内。机械手6移动至测量单元83X与开口部OP的侧面相向的位置。此时，测量单元83X的测量范围Ms包含开口部OP的侧面。
在图12的S16中，通过测量单元83X进行测距。通过测量单元83X，测量从机械手6到开口部OP的侧面的X方向的距离(更准确而言，从测量单元83X到侧面的X方向的距离)。在图12的S17中，基于S16的测距结果，根据需要来修正临时设定的移动路径Zth2。将在该阶段设定的修正后或无修正的移动路径设为移动路径Zth3。
在图12的S18中，按照移动路径Zth3，使机械手6在Y方向上移动。在此，与图10的(B)所示的例子同样，将机械手6移动至相对于基板保持件11的基板的交接位置(检测单元12的检测范围内的位置)。然后，在S19中，通过检测单元12检测夹具T的基准标记T1，确认其位置。在未检测到基准标记T1的情况、虽然检测到但基准标记T1的位置不适当的情况下，对移动路径Zth3进行修正，在S20中，确定最终的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作。
通过经过以上的步骤，能够将机械手6高精度地自动输送至检测单元12的视角，能够对路径信息进行修正而进行教示。特别是，能够在以成膜室101的外壁部101a为基准进行水平面内的路径修正的同时输送至检测单元12的位置，因此误差小。另外，由于使一系列的作业自动化，从而也带来作业时间的缩短。
＜第二实施方式＞
通过图8、图12的处理将夹具T搭载于机械手6而设定了机械手6的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作之后，也可以再将基板W搭载于机械手6来代替夹具T而使机械手6以设定的移动路径移动。然后，在将机械手6移动至相对于基板保持件11的基板的交接位置(检测单元12的检测范围内的位置)时，利用检测单元12对基板W的对准标记W1进行检测。也可以对夹具T的基准标记T1的检测结果和对准标记W1的检测结果进行比较，进一步修正机械手6的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作。
一般而言，由于夹具T和基板W之间质量等不同，因此机械手6的输送位置也不同。因此，在使用夹具T的测量之外另外使用基板W进行检测单元12的测量并根据其差来进一步修正机械手6的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作。由此，能够进一步提高基板W的输送精度。
＜第三实施方式＞
在第一实施方式、第二实施方式中，在大气压环境下进行测量，进行机械手6的移动路径的设定，但也可以在大气压环境下进行了测量之后，在与成膜时同样的减压环境下(真空环境下)进行测量，进行机械手6的移动路径的设定。图15是表示控制装置1的处理器执行的处理例的流程图。
在S21中，进行大气压下的测量、移动路径的设定。这与图8、图12的处理相同。在S22中，进行为了减压环境下的测量的准备。在此，对成膜室101和输送室102进行减压而使其为真空。此外，在此之前，作为作业者的作业，从夹具T拆卸测量单元83X～83Z。市面销售的测量单元大部分在内部使用树脂零件和粘接材料等在真空中产生释气的构件、或者有时在真空中不保证其动作。在本实施方式中，从夹具T拆卸测量单元83X～83Z，以在测量中不使用为前提。
在S23中，使机械手6以目前设定的移动路径Zth3移动到测量位置。在本实施方式的情况下，作为测量位置，将机械手6移动至相对于基板保持件11的基板的交接位置(检测单元12的检测范围内的位置)。在S24中，通过检测单元12检测基准标记T，根据其拍摄图像测量机械手6的位置的变化。图16的(A)示出了拍摄图像的例子，示出了基准标记T从基准位置C偏移的例子。该位置偏移成为大气压下和减压下的机械手6的位置的偏移。
除了X、Y方向的位置偏移之外，也能够通过以下的方法测量Z方向的位置偏移。通过一边利用位置调整部15改变检测单元12的Z方向的位置一边比较其拍摄图像来进行。
图16的(B)示出了在图16的(A)的A－A’线一边改变检测单元12的Z方向的位置一边进行拍摄的情况下的像素的亮度变化的例子。图示的例子示意性地说明了检测单元12与基准标记T1的距离为最佳聚焦的情况(实线)和散焦的情况(虚线)。若确定减压下的基准标记T1的像呈现与大气压下的像同样的外观的Z方向的位置，则该Z方向的位置之差成为减压下的机械手6的高度的变化量。
此外，为了测量这样的减压下的Z方向的机械手6的位置的变化，除了检测单元12之外，也可以并用激光位移计这样的测距仪。测距仪也可以与检测单元12同样地配置于外壁部101a的外部，经由设置于外壁部101a的窗部对基准标记T1或夹具T进行测距。也可以通过检测单元12的拍摄图像进行X、Y方向的修正，通过测距仪的测量结果进行Z方向的修正。
＜第四实施方式＞
也可以通过大气压下、减压下、夹具、基板、基板的输送速度的组合进行测量，设定机械手6的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作。图17是其概念图。在使用夹具T的测定中，对大气中的测定结果和真空中的测定结果进行比较运算而运算大气中与真空中之差。
在使用基板W的测定中，根据大气中的测定结果和真空中的测定结果以及此时的输送速度，运算对基板输送中的大气与真空的环境之差的依存性、基于输送速度的依存性，即大气～真空～基板输送速度依存性。
特别是使用基板W的输送有时会出现由机械手6的输送速度、使用的垫24的种类或使用的基板的种类而导致的摩擦的影响的差异，水平方向的输送位置有时受到影响。而且，据此，设定机械手6的移动路径以及为此的输送用机器人4的动作。
＜第五实施方式＞
测量单元83X～83X的测量对象不限于外壁部101a，也可以以配置于成膜室101的内部的结构为测量对象。图18是表示其一例的示意图。在图示的例子中，以基板保持件11为测量对象。通过测量单元83Z对机械手6与基板保持件11的Z方向的距离进行测距。通过测量单元83Y对机械手6与基板保持件11的Y方向的距离进行测距。能够以基板保持件11的位置为基准设定机械手6的移动路径。
＜第六实施方式＞
下面，说明电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构及制造方法。在此，设想通过多个成膜室101依次进行成膜的情况。
首先，对要制造的有机EL显示装置进行说明。图19的(A)是有机EL显示装置50的整体图，图19的(B)是表示1像素的截面构造的图。
如图19的(A)所示，在有机EL显示装置50的显示区域51呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素52。详细情况将在之后说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹持的有机层的构造。
此外，在此所说的像素是指，能够在显示区域51显示所期望的颜色的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，通过显示出彼此不同的发光的第1发光元件52R、第2发光元件52G、第3发光元件52B这多个副像素的组合而构成像素52。像素52往往由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件以及蓝色(B)发光元件这3种副像素的组合构成，但并不限定于此。像素52只要包含至少1种副像素即可，优选包含2种以上的副像素，更优选包含3种以上的副像素。作为构成像素52的副像素，例如，也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件以及黄色(Y)发光元件这4种副像素的组合。
图19的(B)是图19的(A)的A－B线的局部剖视示意图。像素522具有由在基板53上具备第1电极(阳极)54、空穴传输层55、红色层56R·绿色层56G·蓝色层56B中的任一个、电子传输层57以及第2电极(阴极)58的有机EL元件构成的多个副像素。其中，空穴传输层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子传输层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记述为有机EL元件)对应的图案。
另外，第1电极54按每个发光元件分离地形成。空穴传输层55、电子传输层57以及第2电极58可以遍及多个发光元件52R、52G、52B共通地形成，也可以按每个发光元件形成。即，也可以如图19的(B)所示，空穴传输层55遍及多个副像素区域作为共通的层形成之后红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B按每个副像素区域分离地形成，然后在此之上电子传输层57和第2电极58遍及多个副像素区域作为共通的层形成。
此外，为了防止接近的第1电极54之间的短路，在第1电极54之间设置有绝缘层59。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧影响的保护层60。
在图19的(B)中，用一个层示出了空穴传输层55、电子传输层57，但也可以根据有机EL显示元件的构造，由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外，也可以在第1电极54与空穴传输层55之间形成具有能带构造的空穴注入层，以能够使空穴从第1电极54顺利地向空穴传输层55注入。同样地，也可以在第2电极58与电子传输层57之间也形成电子注入层。
红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多个层而形成。例如，也可以将红色层56R由2层构成，将上侧的层由红色的发光层形成，将下侧的层由空穴传输层或电子阻挡层形成。或者，也可以将下侧的层由红色的发光层形成，将上侧的层由电子传输层或空穴阻挡层形成。通过这样在发光层的下侧或上侧设置层，调整发光层中的发光位置，调整光程长度，从而具有提高发光元件的色纯度的效果。
此外，在此示出了红色层56R的例子，但绿色层56G、蓝色层56B也可以采用同样的构造。另外，层叠数也可以为2层以上。并且，可以如发光层和电子阻挡层这样将不同的材料的层层叠，也可以例如将发光层层叠2层以上等将相同的材料的层层叠。
下面，对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。在此，设想红色层56R由下侧层56R1和上侧层56R2这2层构成，绿色层56G和蓝色层56B由单一的发光层构成的情况。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和第1电极54的基板53。此外，基板53的材质没有特别限定，能够由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板53，使用在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺的膜的基板。
在形成有第1电极54的基板53之上通过棒涂、旋涂来涂覆丙烯酸或聚酰亚胺等树脂层，利用光刻法以在形成有第1电极54的部分形成开口的方式将树脂层图案化而形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将绝缘层59图案化的基板53送入第1成膜室101，使空穴传输层55在显示区域的第1电极54之上作为共通的层成膜。空穴传输层55使用按照最终成为1个1个的有机EL显示装置的面板部分的显示区域51形成有开口的掩模来进行成膜。
接着，将形成至空穴传输层55的基板53送入第2成膜室101。进行基板53与掩模的对准，将基板载置在掩膜之上，在空穴传输层55之上的、基板53的配置发出红色的元件的部分(形成红色的副像素的区域)，对红色层56R进行成膜。在此，在第2成膜室101中使用的掩模是仅在成为有机EL显示装置的副像素的基板53上的多个区域中的成为红色的副像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包含红色发光层的红色层56R仅在成为基板53上的多个副像素的区域中的成为红色的副像素的区域成膜。换言之，红色层56R在成为基板53上的多个副像素的区域中的成为蓝色的副像素的区域、成为绿色的副像素的区域不成膜，在成为红色的副像素的区域选择性地成膜。
与红色层56R的成膜同样地，在第3成膜室101中对绿色层56G进行成膜，然后在第4成膜室101中对蓝色层56B进行成膜。在红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的成膜完成之后，在第5成膜室101中在整个显示区域51上对电子传输层57进行成膜。电子传输层57作为共通的层而形成于3色的层56R、56G、56B。
将形成至电子传输层57的基板移动到第6成膜室101，对第2电极58进行成膜。在本实施方式中，在第1成膜室101～第6成膜室101中通过真空蒸镀进行各层的成膜。但是，本发明并不限定于此，例如第6成膜室101中的第2电极58的成膜也可以通过溅射进行成膜。之后，将形成至第2电极68的基板移动到密封装置并通过等离子CVD对保护层60进行成膜(密封工序)，完成有机EL显示装置50。此外，在此设为通过CVD法形成保护层60，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法形成。
在此，第1成膜室101～第6成膜室101中的成膜使用形成有与要形成的各个层的图案对应的开口的掩模来进行成膜。在成膜时，在进行了基板53与掩模的相对的位置调整(对准)之后，在掩模之上载置基板53而进行成膜。
＜其他实施方式＞
本发明也能够通过将实现上述的实施方式的1个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置并由该系统或装置的计算机中的1个以上的处理器读取并执行程序的处理来实现。另外，也能够由实现1个以上的功能的电路(例如，ASIC)来实现。
发明不限于上述实施方式，能够在不脱离发明的精神及范围的情况下进行各种变更及变形。因此，为了公开发明的范围而附上权利要求。

Claims (9)

1.一种动作设定装置，设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作，其特征在于，
所述动作设定装置具备：
夹具，其代替所述基板支承于所述机械手，搭载有测量部件；
控制部件，其对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动到相对于所述成膜室的测量位置；以及
设定部件，其获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作。
2.根据权利要求1所述的动作设定装置，其特征在于，
在所述成膜室设置有检测所述基板的位置的检测部件，
所述控制部件对所述机器人进行控制，以使所述夹具位于所述检测部件的检测范围，
所述设定部件获取与所述夹具相关的所述检测部件的检测结果，基于所述测量结果和所述检测结果来设定与所述机械手的移动相关的所述机器人的动作。
3.根据权利要求2所述的动作设定装置，其特征在于，
与所述成膜室相关的所述测量部件的测量在大气压下进行，
所述检测部件对所述夹具的检测在与成膜时相同的减压下进行。
4.根据权利要求1所述的动作设定装置，其特征在于，
所述成膜室具备外壁部，所述外壁部具有所述机械手能够进入的开口部，
所述控制部件对所述机器人进行控制，以使所述机械手移动到所述测量部件能够测量所述外壁部的位置来作为所述测量位置。
5.根据权利要求4所述的动作设定装置，其特征在于，
所述控制部件对所述机器人进行控制，以使所述机械手在沿着所述外壁部的位置连续地移动来作为所述测量位置。
6.根据权利要求1所述的动作设定装置，其特征在于，
所述机器人的动作包括与所述机械手的朝向相关的动作。
7.根据权利要求1所述的动作设定装置，其特征在于，
所述控制部件对所述机器人进行控制，以使所述机械手移动到所述测量部件能够测量配置于所述成膜室的内部的规定的结构的位置来作为所述测量位置。
8.一种动作设定方法，设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作，其特征在于，
所述动作设定方法包括：
将搭载有测量部件的夹具支承于所述机械手的工序；
对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动到相对于所述成膜室的测量位置的控制工序；以及
获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作的设定工序。
9.一种电子器件的制造方法，所述制造方法包括：
设定具有支承基板的机械手并向成膜室输送基板的机器人的动作的动作设定工序；
基于在所述动作设定工序中设定的动作对所述机器人进行控制，向所述成膜室输送基板的工序；以及
在所述成膜室中对所述基板进行成膜的工序，
其特征在于，
所述动作设定工序包括：
将搭载有测量部件的夹具支承于所述机械手的工序；
对所述机器人进行控制，以使支承有所述夹具的所述机械手移动到相对于所述成膜室的测量位置的控制工序；以及
获取与所述成膜室相关的所述测量部件的测量结果，设定与所述基板输送时的所述机械手的移动相关的所述机器人的动作的设定工序。
CN202211605908.6A 2021-12-23 2022-12-14 动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法 Pending CN116330309A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021209707A JP7472095B2 (ja) 2021-12-23 2021-12-23 動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法
JP2021-209707 2021-12-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116330309A true CN116330309A (zh) 2023-06-27

Family

ID=86877952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211605908.6A Pending CN116330309A (zh) 2021-12-23 2022-12-14 动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7472095B2 (zh)
KR (1) KR20230096862A (zh)
CN (1) CN116330309A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3905659B2 (ja) 1999-02-09 2007-04-18 大日本スクリーン製造株式会社 動作検査システム
JP4663493B2 (ja) 2005-11-21 2011-04-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ティーチング装置、およびティーチング方法
DE102009016811A1 (de) 2009-04-09 2010-10-14 Aes Motomation Gmbh Verfahren zur automatischen Vermessung und zum Einlernen von Lagepositionen von Objekten innerhalb eines Substratprozessiersystems mittels Sensorträger und zugehöriger Sensorträger
JP2013239342A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌ成膜装置及び搬送ロボットティーチング方法
JP7390822B2 (ja) 2019-08-09 2023-12-04 キヤノントッキ株式会社 ティーチング装置、基板搬送装置、基板処理装置、ティーチング方法、及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023094309A (ja) 2023-07-05
JP7472095B2 (ja) 2024-04-22
KR20230096862A (ko) 2023-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7202858B2 (ja) 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
JP7247013B2 (ja) アライメント方法、これを用いた蒸着方法及び電子デバイスの製造方法
JP6393802B1 (ja) 基板載置装置、基板載置方法、成膜装置、成膜方法、アライメント装置、アライメント方法、および、電子デバイスの製造方法
KR102128888B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
KR102355418B1 (ko) 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법
CN114318229B (zh) 成膜装置、调整方法及电子器件的制造方法
KR102540726B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체
CN112795868B (zh) 对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
KR102179271B1 (ko) 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
KR102582584B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체
KR102625048B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체
JP7472095B2 (ja) 動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法
CN113846305A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
WO2024034236A1 (ja) アライメント装置、成膜装置、制御方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
KR102665607B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 및 성막 방법
JP7450493B2 (ja) マスクアライメント方法、成膜方法、マスクアライメント装置、及び成膜装置
KR20220000824A (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination