JP7202858B2 - 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7202858B2
JP7202858B2 JP2018221949A JP2018221949A JP7202858B2 JP 7202858 B2 JP7202858 B2 JP 7202858B2 JP 2018221949 A JP2018221949 A JP 2018221949A JP 2018221949 A JP2018221949 A JP 2018221949A JP 7202858 B2 JP7202858 B2 JP 7202858B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
moving means
alignment
chamber
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018221949A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019192898A (ja
JP2019192898A5 (ja
Inventor
功康 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of JP2019192898A publication Critical patent/JP2019192898A/ja
Publication of JP2019192898A5 publication Critical patent/JP2019192898A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7202858B2 publication Critical patent/JP7202858B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、装置内での基板の搬送に関するものである。
最近、フラットパネル表示装置として有機ＥＬ表示装置が脚光を浴びている。有機ＥＬ表示装置は自発光ディスプレイであり、応答速度、視野角、薄型化などの特性が液晶パネルディスプレイより優れており、モニター、テレビ、スマートフォンに代表される各種携帯端末などで既存の液晶パネルディスプレイを速いスピードで代替している。また、自動車用ディスプレイ等にも、その応用分野を広げている。
有機ＥＬ表示装置の素子は、２つの向かい合う電極（カソード電極、アノード電極）の間に発光を起こす有機物層が形成された基本構造を持つ。有機ＥＬディスプレイ素子の有機物層及び電極金属層は、真空装置内で、画素パターンが形成されたマスクを介して基板に蒸着物質を蒸着させることで製造されるが、基板上の所望の位置に所望のパターンで蒸着物質を蒸着させるためには、基板への蒸着が行われる前にマスクと基板の相対的位置を高精度で調整しなければならない。
このため、マスクと基板上にマーク（これをアライメントマークと称する）を形成し、これらのアライメントマークを成膜室に設置されたカメラで撮影してマスクと基板との相対的な位置ずれを測定する。マスクと基板の位置が相対的にずれた場合、これらの中で一つを相対的に移動させて相対的な位置を調整する。
基板とマスク間のアライメントは、ラフアライメント及びファインアライメント（ｆｉｎｅ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）の二つの段階で実行される。ラフアライメントでは、基板とマスクとの間の大まかな位置調整を行う。ファインアライメントでは、基板とマスクの相対的な位置を高精度で調整する。
通常は、一つの成膜クラスタには複数の成膜室が設置されるが、各成膜室においてラフアライメント及びファインアライメントの両方を行っているので、アライメント工程に相当な時間がかかる問題があった。
また、基板の位置ずれは、成膜クラスタ内の搬送ロボットによる基板の搬送中に発生することもあり、成膜クラスタの上流側のバッファ室（ｂｕｆｆｅｒ ｃｈａｍｂｅｒ）、旋回室（ｔｕｒｎ ｃｈａｍｂｅｒ）及びパス室（ｐａｓｓ ｃｈａｍｂｅｒ）の間で基板を搬送及び回転する過程でも発生することも多く、これに対する適切な解決策が求められている。
本発明は、基板の搬送精度を向上することを目的とする。
本発明の第１態様による基板搬送システムは、
中継装置を有し、
第１装置から前記中継装置に基板が搬送され、前記中継装置から第２装置に基板が搬送される基板搬送システムであって、
前記中継装置は、
容器と、
前記容器内に設けられた、基板を載置する基板ステージと、
前記基板ステージとは別の部材として、前記容器の内部に前記容器に対して固定配置され、基準位置を示す基準マークと、
前記基板ステージを前記基板ステージの基板載置面に沿う第１方向に移動させる第１移動手段と、
前記基板ステージを前記基板載置面に沿い、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に移動させる第２移動手段と、
前記容器の外部に配置された位置情報取得手段と、
前記位置情報取得手段によって取得した、前記容器内の基板の位置に関する第１の情報と、前記基準マークの位置に関する第２の情報と、に基づいて、前記第１移動手段および前記第２移動手段を制御する制御手段と、
前記第２の情報を記憶するメモリー部と、を有し、
前記制御手段が、１回の記憶動作で前記メモリー部へ記憶された前記第２の情報を用いて、複数の基板に対して前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行う。

本発明の第２態様による電子デバイスの製造装置は、
第１搬送室を有する第１装置と、
第２搬送室および前記第２搬送室に接続された複数の成膜室を有する第２装置と、
前記第１装置および前記第２装置に接続された中継装置と、を含み、
前記中継装置は、
容器と、
前記容器内に設けられ、基板を載置する基板ステージと、
前記基板ステージを前記基板ステージの基板載置面に沿う第１方向に移動させる第１移動手段と、
前記基板ステージを前記基板載置面に沿い、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に移動させる第２移動手段と、
前記容器の外部に配置された位置情報取得手段と、
前記基板ステージとは別の部材として、前記容器の内部に前記容器に対して固定配置され基準位置を示す基準マークと、
前記位置情報取得手段によって取得した、前記容器内の基板の位置に関する第１の情報
と、前記基準マークの位置に関する第２の情報と、に基づいて、前記第１移動手段および前記第２移動手段を制御する制御手段と、
前記第２の情報を記憶するメモリー部と、を有し、
前記制御手段は、１回の記憶動作で前記メモリー部へ記憶された前記第２の情報を用いて、複数の基板に対して前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行い、
前記複数の成膜室の少なくとも１つの成膜室は、前記基板の位置を調整するためのアライメント機構を含む。
本発明の第３態様による電子デバイスの製造装置は、第１搬送室を有する第１装置と、第２搬送室および前記第２搬送室に接続された複数の成膜室を有する第２装置と、前記第１装置および前記第２装置に接続された中継装置とを含み、前記中継装置は、基板の位置を調整するための第１アライメント機構を含み、前記複数の成膜室の少なくとも１つの成膜室は、前記基板の位置を調整するための第２アライメント機構を含む。
本発明の第４態様による電子デバイス製造方法は、本発明の第１態様による基板搬送システムを用いて電子デバイスを製造する。
本発明の第５態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第３態様による電子デバイスの製造装置を用いて電子デバイスを製造する。
本発明の第６態様による電子デバイスの製造方法は、複数の成膜室を有する第１装置から中継装置に基板を搬入する搬入工程と、前記中継装置に配置されている前記基板の位置を調整する第１調整工程と、前記中継装置から複数の成膜室を有する第２装置に前記基板を搬出する搬出工程と、前記第２装置に配置されている基板の位置を調整する第２調整工程と、前記第２調整工程の後に、前記第２装置の複数の成膜室の少なくとも１つの成膜室で前記基板に成膜する成膜工程とを含む。
本発明によれば、基板の搬送精度を向上する上で有効な技術を提供することができる。
図１は電子デバイスの製造装置の構成の一例を示す模式図である。 図２は電子デバイスの製造装置の構成の他の一例を示す模式図である。 図３は旋回室の動作を説明するための図面である。 図４は成膜室に設置される成膜装置の構成を示す模式図である。 図５（ａ）及び５（ｂ）はそれぞれラフアライメント工程及びファインアライメント工程を説明するための図面である。 図６はアライメント室内のアライメント機構を概略的に示す模式図である。 図７は基板のコーナーの位置に基づいたアライメント動作を説明するための図面である。 図８は基板の仮想のコーナーの位置に基づいたアライメント動作を説明するための図面である。 図９はアライメントマークを利用したアライメント動作を説明するための図面である。 図１０はＸＹθアクチュエータによる基板ステージの移動及び回転によるベローズ（ｂｅｌｌｏｗｓ）の損傷を防止するための構成を示す図面である。 図１１は有機ＥＬ表示装置の全体図及び有機ＥＬ表示装置の素子の断面図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
本実施形態は、基板搬送システム、基板搬送システムおよび電子デバイスの製造装置に関するものである。本実施形態によれば、特に、中継装置であらかじめアライメントを行うことで、基板の位置調整の精度を維持しながらもアライメントの工程時間を短縮することができる。
本実施形態は、平行平板の基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択でき、また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択できる。本実施形態の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。なかでも、有機ＥＬ表示装置の製造装置は、基板の大型化あるいは表示パネルの高精細化により基板とマスクのアライメント精度及び速度のさらなる向上が要求されているため、本実施形態の好ましい適用例の一つである。
＜電子デバイスの製造装置＞
図１乃至図３は、電子デバイスの製造装置の一例を示す模式図である。図１乃至図３の電子デバイスの製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、約１８００ｍｍ×約１５００ｍｍのサイズの基板に有機ＥＬの成膜を行った後、該基板を切り出して複数の小サイズのパネルが作製される。
電子デバイスの製造装置は、一般的に図１に示したように、複数のクラスタ装置からなり、各クラスタ装置は、搬送室１と、搬送室１の周りに配置される複数の成膜室２と、使用前後のマスクが収納されるマスク積載室３を含む。搬送室１内には、基板（Ｓ）を保持して搬送する搬送ロボット（Ｒ）が設置される。搬送ロボット（Ｒ）は、例えば、多関節アームに、基板（Ｓ）を保持するロボットハンドが取り付けられた構造をもつロボットであり、各成膜室２またはマスク積載室３への基板（Ｓ）及びマスクの搬入及び搬出を実行する。
各成膜室２には、それぞれ成膜装置（蒸着装置とも称する）が設置される。搬送ロボット（Ｒ）との基板（Ｓ）の受け渡し、基板（Ｓ）とマスクの相対位置の調整（アライメント）、マスク上への基板（Ｓ）の固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動的に行われる。
各クラスタ装置の間には、基板（Ｓ）の流れ方向で上流側のクラスタ装置（第１装置）から基板（Ｓ）を受け取って、下流側のクラスタ装置（第２装置）に搬入する前に一時的に複数の基板（Ｓ）を収納することができるバッファ室４と、バッファ室４から基板（Ｓ）を受け取って、下流側のクラスタ装置に基板（Ｓ）を搬入する前にアライメントを実行するアライメント室６が設置される。
本実施形態の電子デバイスの製造装置の一例によれば、図１及び図３（ａ）に示すように、アライメント室６では、後述するアライメント以外に、バッファ室４から基板（Ｓ）を受け取って基板（Ｓ）の向きを１８０度回転させる動作を実行する。このために、アライメント室６には、基板（Ｓ）を水平回転させるための回転機構（不図示）が設置される
。このような構成によって、下流側のクラスタ装置でも基板（Ｓ）が上流側のクラスタ装置と同じ向きを持つようになり、電子デバイスの製造装置で全体的に基板（Ｓ）の処理が統一化される。
一方、図２及び図３（ｂ）に示したように、電子デバイスの製造装置の他の例によれば、バッファ室４とアライメント室６のとの間に旋回室５が設置される。旋回室５には、搬送ロボット（Ｒ１）が設置される。搬送ロボット（Ｒ１）は、上流側のバッファ室４から基板（Ｓ）を受け取って、該当基板（Ｓ）を旋回させてアライメント室６に搬送する。このような構成によって、アライメント室６の構造をより簡単にしながらも、基板（Ｓ）の向きを上下流のクラスタ装置で同じくすることができる。本明細書においては、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置との間に設置された、バッファ室４、旋回室５、アライメント室６を合わせて、「中継装置」と呼ぶ。また、中継装置と中継装置内での基板の搬送及びアライメントを制御する制御手段を合わせて、「基板搬送システム」と総称する。また、このような構成によれば、各クラスタ装置でマスクも同じ向きで設置されれば良いので、マスクの管理が簡易化される。例えば、電子デバイスの製造装置に障害が発生し、人為的にマスクを設置する際、上下流のクラスタ装置でマスクの向きを同じくすればいいので、マスクの設置エラーを防止することができる。
また、電子デバイスの製造装置の組み立ての際にアライメントの精度を機構的に調整する場合、基板（Ｓ）の一領域を基準として調整を行うが、基板とマスクの向きが同じくなるので、各クラスタ装置での調整を同一基準で行うことができ、組み立て速度が向上し、また、エラーが減少する。
本実施形態によれば、アライメント室６は、基板（Ｓ）が搬送室１内の搬送ロボット（Ｒ）によってクラスタ装置に搬入される前に、位置ずれが発生した基板（Ｓ）の位置を大まかに調整することができるラフアライメント機構を含む。中継装置にアライメント機構（アライメント室６）を設けることによって、基板の搬送精度を向上することができる。また、従来に成膜室２ごとに行われたラフアライメントを各成膜室２では行わなくてもよくなる。アライメント室６内でのアライメント機構及び動作に対しては詳細に後述する。
＜成膜装置＞
図４は、成膜室２に設置される成膜装置２０の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板（Ｓ）が水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板（Ｓ）の短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。
成膜装置２０の真空容器２００は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される。真空容器２００の内部には、基板保持ユニット２１０と、マスク（Ｍ）と、マスク台２２１と、冷却板２３０と、蒸発源２４０が設けられる。
基板保持ユニット２１０は、搬送ロボット（Ｒ）から受け取った基板（Ｓ）を保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。マスク（Ｍ）は、基板（Ｓ）上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを持つメタルマスクであり、枠状のマスク台２２１の上に固定される。
成膜時には、マスク（Ｍ）の上に基板（Ｓ）が載置される。従って、マスク（Ｍ）は基板（Ｓ）を載置する載置体としての役割も担う。冷却板２３０は、成膜時に、基板（Ｓ）（のマスク（Ｍ）とは反対側の面）に密着して、成膜時の基板（Ｓ）の温度上昇を抑えることで有機材料の変質や劣化を抑制する役割をもつ板部材である。冷却板２３０は、マグネット板を兼ねていてもよい。マグネット板は、磁力によってマスク（Ｍ）を引き付ける
ことで、成膜時の基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）の密着性を高める部材である。蒸発源２４０は、蒸着材料を収納するるつぼ、ヒータ、シャッタ、駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成される（いずれも不図示）。
真空容器２００の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２５０、クランプＺアクチュエータ２５１、冷却板Ｚアクチュエータ２５２、ＸＹθアクチュエータ（不図示）などが設けられる。これらのアクチュエータは、例えば、モータとボールねじ、或いはモータとリニアガイドなどで構成される。基板Ｚアクチュエータ２５０は、基板保持ユニット２１０を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。クランプＺアクチュエータ２５１は、基板保持ユニット２１０の挟持機構を動作させるための駆動手段である。冷却板Ｚアクチュエータ２５２は、冷却板２３０を昇降させるための駆動手段である。
ＸＹθアクチュエータは、基板（Ｓ）のアライメントのための駆動手段である。ＸＹθアクチュエータは、基板保持ユニット２１０及び冷却板２３０の全体を、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。なお、本実施形態では、マスク（Ｍ）を固定した状態で基板（Ｓ）のＸ、Ｙ、θ方向の位置を調整する構成を説明するが、マスク（Ｍ）の位置を調整してもよく、又は、基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）の両者の位置を調整することで、基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）のアライメントを行ってもよい。
本実施形態による成膜室２のＸＹθアクチュエータは、ファインアライメントを行うためのアライメント機構であり、後述するアライメント室６のＸＹθアクチュエータ（アライメント機構）より高精度の駆動機構で構成される。例えば、成膜室のＸＹθアクチュエータはＸ方向への２個のモータ及びＹ方向への２個のモータなど総４個のモータを持つ。これによって、成膜室２で行われるファインアライメントにおける基板（Ｓ）のマスク（Ｍ）に対する相対的な位置調整を、より精細に制御することができる。
真空容器２００の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２００の上面に設けられた透明窓を介して、基板（Ｓ）及びマスク（Ｍ）に形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２６１が設置される。本実施例においては、アライメント用カメラ２６１は、矩形の基板（Ｓ）及びマスク（Ｍ）の４コーナーに対応する位置に４台が設置される。
本実施形態の成膜装置２０に設置されるアライメント用カメラ２６１は、基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）との相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。従来の成膜装置では、ファインアライメント用カメラ２６１以外に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラ２６０も設置されていたが、後述するように、本実施形態においては、ラフアライメントを成膜室２では行わず、アライメント室６で行うので、本実施形態の成膜室２にはラフアライメント用カメラ２６０は設置されない。
したがって、図４と図５（ａ）に点線で示した２台のラフアライメント用カメラ２６０は、本実施形態では省くことができる。例えば、一つの成膜クラスタに４個の成膜室２が設けられることを仮定した場合、成膜室ごとに２台ずつ、計８台のラフアライメント用カメラ２６０を省くことができる。
以下、本実施形態の成膜装置２０のアライメント機構によって実行されるアライメント工程を説明する。
図５（ｂ）に示したように、本実施形態の成膜装置２０のアライメント機構によって行われるファインアライメント工程は、基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）が一部接触された状態で行われる。
この状態で、ファインアライメント用カメラ２６１によって撮像された基板（Ｓ）及びマスク（Ｍ）のアライメントマーク画像から、基板（Ｓ）及びマスク（Ｍ）のＸＹ面内での相対的位置ずれを計測する。基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）のと間の相対的な位置ずれが所定の臨界値を超える場合、成膜装置２０のＸＹθアクチュエータによってアライメントステージを駆動し、アライメントステージに繋がっている基板保持ユニット２１０上の基板（Ｓ）のＸＹ面内での位置を相対的に調整する。
このようなアライメント工程を基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）との間の相対的な位置ずれが所定の臨界値内に入る時まで繰り返す。基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）のと間の相対的な位置ずれが所定の臨界値内に収まれば、基板（Ｓ）をマスク（Ｍ）上に固定して成膜工程を実行する。
このように、本実施形態の成膜装置２０においては、アライメント工程をラフアライメントとファインアライメントとの二つの段階工程で行うのではなく、ファインアライメントだけを行う。これによって、成膜クラスタ１に設けられる複数の成膜装置２０でのアライメント工程にかかる時間を大幅に短縮することができる。
また、成膜室２は、制御部２７０を具備する。制御部２７０は、基板Ｚアクチュエータ２５０、クランプＺアクチュエータ２５１、冷却版Ｚアクチュエータ２５２、ＸＹθアクチュエータ及びカメラ２６１の制御以外にも、蒸発源の制御、成膜の制御などの機能を有する。制御部２７０は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを有するコンピューターにより構成可能である。この場合、制御部２７０の機能は、メモリー又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを用いてもよいし、組込型のコンピューター又はＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いてもよい。あるいは、制御部２７０の機能の一部又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置２０ごとに制御部２７０が設けられてもよく、１つの制御部２７０が複数の成膜装置２０を制御してもよい。
＜中継装置内でのアライメント＞
上述したように、従来は一つのクラスタ装置で複数の（本実施例では４つ）成膜室２ごとに大まかな位置調整のためのラフアライメント工程を行ったので、全体工程に相当な時間がかかる問題があった。
また、基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）との相対的な位置ずれは、クラスタ装置内の搬送ロボット（Ｒ）による各成膜室２への基板（Ｓ）の搬入／搬出の過程でも発生するが、基板（Ｓ）がクラスタ装置に搬入される前に中継装置（バッファ室４、旋回室５及びアライメント室６）を通じて搬送される過程でも発生する。
本実施形態では、クラスタ装置内に基板（Ｓ）が搬入される前に、中継装置内で、例えば、アライメント室６内でラフアライメント工程を実施して基板（Ｓ）の位置を前もって調整することで、成膜室２内ではラフアライメント工程を省いてファインアライメント工程のみを行っても、高精細な位置調整が保障されながらも、アライメント工程にかかる全体的な時間を大幅に短縮することができる。
以下、中継装置内でのアライメント動作及びこのような動作を実行するためのアライメント機構に対して、アライメント室６を例に挙げ、詳細に説明する。本実施例では、アライメント室６でアライメントを行う構成を説明するが、本実施形態はこれに限らず、中継装置の他の部分、例えば、バッファ室４または旋回室５で行っても良い。
図６は、アライメント室６の構造を概略的に示す模式図である。
アライメント室６を含む基板搬送システムは、内部が真空状態に維持される真空容器６１と、真空容器６１で基板（Ｓ）が載置される基板ステージ３０２と、基板（Ｓ）のアライメントを行うためのアライメント機構と、アライメント機構の動作を制御するための制御手段３０３を含む。
アライメント室６のアライメント機構は、基板（Ｓ）が基板ステージに置かれた位置に関する情報（真空容器６１に対する基板の位置を示す情報）を取得するための位置情報取得手段（アライメント用カメラ）３０１と、基板ステージ３０２をＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθ方向に駆動するための基板ステージ駆動機構（ＸＹθアクチュエータ）３０７を含む。基板ステージ３０２はＸＹθアクチュエータ３０７とシャフト３１０によって繋がる。
また、位置情報取得手段は、真空容器６１に対する基板の位置を示す基板位置情報を取得することができる。その基板位置情報に基づいて、制御手段３０３は、基板ステージ３０２を駆動するための基板ステージ駆動機構３０７を制御する。
アライメント室６のアライメント機構は、後述するように、基板（Ｓ）の位置を調整する基準となる基準位置を定義するための基準マークが設けられた基準マーク設置台３１５をさらに含むことができる。基準マーク設置台３１５は、真空容器６１に対して固定されるように設置される。本実施形態は、基準マークが基準マーク設置台３１５に形成される構成に限定されず、後述するように、アライメント室６の他の部分、例えば、真空容器６１自体や基板ステージ３０２などに基準マークを刻印させる方法などで形成することもできる。基準マーク設置台３１５や真空容器６１自体に設けられた基準マークは真空容器６１に固定されることになる。このように真空容器６１に固定された基準マークを用いて取得された基板位置情報は、真空容器６１に対する基板の位置を示す。また、基板ステージ３０２が真空容器６１内の所定位置（原点位置など）に移動するように制御した際に、基板ステージ３０２が真空容器６１内の同一の場所に移動すると見なすことができるとする。その場合には、当該所定位置にある基板ステージ３０２に設けられた基準マークもまた、真空容器６１に固定されているとみなすことができる。このように真空容器６１に固定されているとみなすことができる基準マークを用いて取得された基板位置情報もまた、真空容器６１に対する基板の位置を示す。
アライメント用カメラ３０１は、基板（Ｓ）の大まかな位置調整機能を行うための位置情報取得手段であり、成膜装置２０で使われるファインアライメント用カメラ２６１に比べて低解像度であるが、広視野角を持つカメラである。本実施例では、位置情報取得手段としてカメラを中心に説明するが、本実施形態はこれに限定されず、他の構成、例えば、レーザ変位計を使ってもいい。
アライメント用カメラ３０１は、図６（ａ）に示したように、アライメント室６の真空容器６１の底面３０６に設けられた窓（不図示）を介して、基板（Ｓ）と基準マーク設置台３１５の特定の部分を撮影できるように設置される。例えば、アライメント用カメラ３０１は、図６（ｂ）に示したように、基板（Ｓ）の対角の二つのコーナー部に対応する位置に設置される。ただし、本実施形態のアライメント用カメラ３０１の位置及び個数はこのような実施例に限定されない。例えば、アライメント用カメラ３０１は、基板（Ｓ）の全てのコーナー部に対応する位置に設置してもいい。
ＸＹθアクチュエータ３０７は、アライメント室６の真空容器６１の鉛直方向の底面３０６を介して、基板ステージ３０２に繋がるように、アライメント室６の真空容器６１の底面３０６の外部（すなわち、大気側）に設置される。ＸＹθアクチュエータ３０７は、サーボモータと、サーボモータからの回転駆動力を直線駆動力に転換するための動力転換
機構（例えば、リニアガイド）を通じて、ＸＹθ方向への駆動力を基板ステージ３０２に伝達する。ここでは、鉛直方向をＺ方向にするＸＹＺ直交座標系を用いる。基板（Ｓ）が基板ステージ３０２上に水平に置かれる時、基板（Ｓ）の短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向（第１方向）、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向（第２方向）、Ｚ軸周りの方向（第３方向）の回転角をθで表す。
このようなＸＹθアクチュエータ３０７は、成膜室２で基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）の間の精細な位置調整に用いられるファインアライメント用ＸＹθアクチュエータに比べて、位置調整の精度は低いが、移動範囲が広く、調整可能な位置ずれの範囲も広い。ＸＹθアクチュエータ３０７に使われるＸ方向サーボモータの個数は２個であり、Ｙ方向サーボモータは１つであるが、このような個数は例示であり、本実施形態はこのような具体的な個数に限定されない。
制御手段３０３は、基板ステージ３０２上の基板（Ｓ）の基板位置情報に基づいて、ＸＹθアクチュエータ３０７の駆動を制御する。
制御手段３０３は、アライメント用カメラ３０１によって撮像された基板（Ｓ）のコーナー部分の画像、又は後述する仮想のコーナー部分の画像から基板（Ｓ）の位置情報を算出する画像処理部３０４を含む。
また、制御手段３０３は、基板の基準位置に対する基準位置情報を記憶するメモリー部３０５を含む。
制御手段３０３は、メモリー部３０５にあらかじめ記憶された基板（Ｓ）の基準位置情報と、画像処理部３０４によって算出された基板（Ｓ）の位置情報に基づいて、基板（Ｓ）の位置ずれ量を算出する。
次に、図７乃至図９を参照して、制御手段３０３によって制御されるアライメント動作の具体的な実施例について説明する。
図７に示す実施例では、基準マーク設置台３１５に形成された基準マークの位置から得られた基準位置情報と、基板ステージ上に置かれた基板（Ｓ）のコーナーの位置から得られた基板位置情報に基づいて、アライメントを行う。
まず、基準マーク設置台３１５に形成された基準マーク３１５１、３１５２からＸＹ方向に所定の距離だけ離れた位置に仮想の基準マーク（仮想基準マーク）を想定し、基準マーク３１５１、３１５２の位置情報から対応する仮想基準マーク３１５３、３１５４の位置情報を算出する。ここで、仮想基準マーク３１５３、３１５４は、基板がアライメント室６の基板ステージ３０２上に理想的に置かれた場合に、基板の対角上の二つのコーナーの位置に対応する。
本実施例では、対角上の両方の仮想基準マーク３１５３、３１５４を結ぶ線分（Ｌ１）の中心点を仮想基準中心点（Ｃ１）とし、この仮想基準中心点（Ｃ１）の位置がアライメント室６内でのアライメントの基準位置の役割をする。
本実施例では、これらの仮想基準マーク３１５３、３１５４の位置情報の算出及び、これに基づく基準位置情報の算出は、最初に（例えば、アライメント室６の設置時など）一度だけ実行し、得られた仮想基準中心点（Ｃ１）の位置の情報を、基準位置情報として制御手段３０３のメモリー部３０５に記憶しておく。
アライメント室６に基板が搬入されて、基板ステージ上に載置されると、アライメント用カメラ３０１によって、基板の対角上の二つのコーナー部を撮影し、基板の対角上の二つのコーナー部の画像を各々取得する。制御手段３０３の画像処理部３０４は、取得された画像から基板の対角上の二つのコーナーの位置情報を算出する。画像処理部３０４は、
算出された二つのコーナーの位置情報から二つのコーナーを結ぶ線分（Ｌ２）の中心点（Ｃ２）の位置情報を算出する。このような基板の中心点（Ｃ２）の位置に関する情報が、本実施例において、基板位置情報に該当する。
画像処理部３０４は、このように算出された基板の二つのコーナーを結ぶ線分（Ｌ２）の中心点（Ｃ２）の位置情報（基板位置情報）と、メモリー部３０５に記憶された仮想基準中心点（Ｃ１）の位置に関する情報（基準位置情報）に基づいて、基板の位置ずれ量を算出する。
例えば、画像処理部３０４は、基板の対角上の二つのコーナーを結ぶ線分（Ｌ２）の中心点（Ｃ２）の位置情報と、対応する位置の二つの仮想基準マークを結ぶ線分（Ｌ１）の中心点（Ｃ１）の位置情報、及び、これらの二つの線分の傾き情報に基づいて、ＸＹθ方向への基板の位置ずれ量を算出する。つまり、本実施例において、基板の位置ずれ量は、前記二つの中心点を一致させるために、基板の中心点（Ｃ２）をＸＹ方向に移動させる距離、及び、二つの中心点が一致した後、基板のコーナーを結ぶ線分（Ｌ２）を、仮想基準マークを結ぶ線分（Ｌ１）と一致させるために、中心点（Ｃ１、Ｃ２）を軸に回転させる角度（θ）を求めることにより、基板のＸＹθ方向への位置ずれ量を算出することができる。
制御手段３０３は、算出された位置ずれ量が所定の閾値を超える場合には、算出された位置ずれ量に基づいて、基板ステージ駆動機構を制御して、基板ステージをＸＹθ方向に移動させることにより、基板の位置を調整する。
このようなアライメント動作は、基板（Ｓ）の位置ずれ量が閾値（許容値）内に収まるまで、繰り返される。
基板の位置ずれ量が閾値内に収まってアライメント工程が完了すると、位置が調整された基板（Ｓ）は、アライメント室６から搬出され、クラスタ装置の搬送室１内に搬入される。基板が搬出されたら、基板ステージ３０２は、元の位置に復帰する。
本実施例によれば、アライメント室６でのアライメント工程の基準となる基準位置情報をメモリー部３０５に記憶しておき、アライメント動作毎に該当基準位置情報を読み出して、基板の位置ずれ量を算出することにより、基準マークの位置情報を取得するための画像処理を省くことができ、全体的なアライメント動作にかかる時間を短縮することができる。また、アライメントの過程で基準マークがアライメントカメラ３０１に見えない場合でも、アライメントを中断することなく行うことができる。ただし、本実施形態は、このような実施例に限定されず、仮想基準マークの位置情報をアライメント動作毎にアライメント用カメラ３０１と画像処理部３０４により算出してもいい。
また、図７に示した実施例では、仮想基準マークの位置情報を用いて位置ずれ量を算出したが、本実施形態はこれに限定されず、基準マーク設置台３１５に形成された基準マークの位置自体を用いて、アライメントを行っても良い。つまり、基板の対角上の二つのコーナーに対応する位置にそれぞれ設置された基準マーク設置台３１５の基準マークの位置情報と、アライメント用カメラ３０１によって得られた基板の対角上の二つのコーナーの位置情報とに基づいて、アライメントを同様に行うことができる。この場合には、対角上の二つの基準マークを結ぶ線分（Ｌ１’）の中心点（Ｃ１’）の位置が基準位置として機能する。
図８は、基板（Ｓ）のコーナー部が破損防止のために面取りされた場合におけるアライメントを示す。基板（Ｓ）のコーナー部が面取りされた場合は、該コーナー部に隣接する二つの辺の延長線が交差する点の位置を、該コーナー部の仮想コーナーと定義する。
つまり、図８に示した実施例では、基板ステージ上に置かれた基板（Ｓ）の仮想コーナーの位置から得られた基板位置情報と、基準マーク設置台３１５に形成された基準マークの位置から得られた基準位置情報とに基づいて、アライメントを行う。
本実施例においては、アライメント用カメラ３０１によって、基板（Ｓ）の対角上の二つのコーナー部を撮影して、二つの隣接する辺の延長線の交差点（仮想コーナー）の位置情報を画像処理部３０４によって算出する。
こうして得られた、基板（Ｓ）の仮想コーナーの位置情報に基づいて、基板位置情報を算出し、これを制御部３０３のメモリー部３０５に記憶された基準位置情報と対比することにより、基板の位置ずれ量を算出する。
制御手段３０３は、算出された位置ずれ量が所定の閾値を超える場合には、算出された位置ずれ量に基づいて基板ステージ駆動機構を制御して、基板ステージをＸＹθ方向に移動させることにより、基板の位置を調整する。
このようなアライメント動作は、基板（Ｓ）の位置ずれ量が閾値（許容値）内に収まるまで、繰り返される。
基板の位置ずれ量が閾値内に収まってアライメント工程が完了すると、位置が調整された基板（Ｓ）は、アライメント室６から搬出され、クラスタ装置の搬送室１内に搬入される。基板が搬出されたら、基板ステージ３０２は、元の位置に復帰する。
図７及び図８の実施例では、基板のコーナーまたは、仮想コーナーの位置情報から基板位置情報を取得したが、本実施形態はこれに限定されず、他の方法で基板位置情報を取得し、アライメントを行うこともできる。例えば、基板の対角上の二つのコーナー部に形成された基板アライメントマークを使用して、基板位置情報を算出することもできる。
図９は、基準マーク設置台３１５ではなく、真空容器６１の他の部分、例えば、基板ステージ３０２に形成されたステージ側アライメントマークを用いて行われるアライメント室６でのアライメント工程を説明するための図面である。
本実施例では、アライメント室６で行われる基板のアライメント工程の基準となる基準位置情報をステージ側アライメントマーク３０２１、３０２２の位置情報から算出すること以外には、他の実施例と同様の方法で、アライメントを行う。
つまり、ステージ側アライメントマーク３０２１、３０２２自体または、そこからＸＹ方向に所定の距離だけ離れた位置にあると想定される仮想アライメントマーク（不図示）の位置から、基準位置情報を算出し、これをメモリー部３０５に記憶させておく。以降、アライメント室６でアライメント工程を行う際に、アライメント用カメラ３０１と画像処理部３０４で取得した基板位置情報を、メモリー部３０５に記憶された基準位置情報と対比して、基板の位置ずれ量を算出する。そして、算出された基板の位置ずれ量に基づいて、基板の位置を調整する。
本実施例では、基板位置情報は、図７および８の実施例で説明したように、基板の対角上の二つのコーナー（仮想コーナー）、または基板の対角上の二つのコーナー部に形成された基板アライメントマークから算出することができる。
図７～図９に示した実施例では、基板の対角上の二つのコーナー（または仮想コーナー）を結ぶ線分の中心点の位置情報と、二つの仮想基準マークを結ぶ線分の中心点の位置情報とを、それぞれ基板位置情報と基準位置情報として使用して、アライメント工程を行う構成を説明したが、本実施形態はこれに限定されず、基板の位置を基準位置に合わせることができる他の方法を用いてもいい。
例えば、中心点の位置を算出せずに、基板の対角上の二つのコーナー（または仮想コーナー）の位置を二つの仮想基準マークの位置に合わせるように、アライメントを行っても良い。この場合の基板の位置ずれ量の算出は、次のように行える。まず、アライメント用カメラ３０１と画像処理部３０４によって得られた、基板の対角上の二つのコーナー（または仮想コーナー）のいずれかを対応する仮想基準マークの位置と一致させるために、基板をＸＹ方向に移動させる距離を算出する。そして、このように基板の一つのコーナー（または仮想コーナー）と対応する仮想基準マークの位置が一致した状態で、基板の他の一つのコーナー（または仮想コーナー）を、他の仮想基準マークと一致させるために（または基板の二つのコーナー（仮想コーナー）を結ぶ線分を、二つの仮想基準マークを結ぶ線分と一致させるために）、基板の二つのコーナー（または仮想コーナー）を結ぶ線分を、該当コーナー（または仮想コーナー）を中心に回転させる角度を算出する。これにより、基板の位置ずれ量を算出することができる。
図１０は、ＸＹθアクチュエータ３０７による基板ステージ３０２の移動及び回転の際、アライメント室６の真空容器６１とシャフト３１０との間の連結部位に設けられた伸縮可能部材（ベローズ（ｂｅｌｌｏｗｓ））４０２の損傷を防止するための構成を示す図面である。
アライメント室６の真空容器６１の大気側にあるＸＹθアクチュエータ３０７は、シャフト３１０を通じてアライメント室６の真空容器内の基板ステージ３０２に繋がっている。
図１０（ａ）に示した従来の構成では、アライメント室６の真空容器６１内の真空状態を維持するために、シャフト３１０の周りに、アライメント室６の真空容器に融着して固定された（リジド（ｒｉｇｉｄ）固定）第１連結部４０４と、第１連結部４０４に気密に繋がっている伸縮可能部材（例えば、ベローズ４０２）が設けられていた。
ところが、アライメントのためのＸＹθアクチュエータ３０７の駆動動作、特にθ方向への回転動作（すなわち、ねじり動作）は、ベローズ４０２にそのまま伝わり、ベローズ４０２の形態を変形させて（ねじりを起こさせて）寿命を短縮させる問題があった。
本実施形態では、このような技術的問題を解決するため、図１０（ｂ）に示したように、第２連結部４０５をアライメント室６の下部側外壁３０６にＯ－リング（Ｏ－ｒｉｎｇ）４０６を介してフロート（ｆｌｏａｔ）固定する。これによって、第２連結部４０５とアライメント室６は、相対的な移動が許容されながらも、真空シーリングが可能になる。すなわち、第２連結部４０５はアライメント室６の真空容器６１に対して相対的に回転することができるので、ＸＹθアクチュエータ３０７によるθ方向への回転がベローズ４０２の形態を変形させない。このようなＯ－リング４０６の相対的な回転は、ベアリング４０７によって保障され、これによってベローズ４０２の寿命を大幅に増加させることができる。
上記のようにベローズは、基板ステージが回転方向に駆動されるときに、基板ステージに対して相対的に移動可能に設置される。このようなアライメント室６でのベローズ４０２のねじり防止のための構成は、成膜室２において基板（Ｓ）とマスク（Ｍ）との間アライメントに用いられるＸＹθアクチュエータにも適用することができる。
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１１（ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図１１（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
図１１（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの組合せにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂと、電子輸送層５７と、第２電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層５６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層５６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層５６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極５４と第２電極５８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。
図１１（ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、第１電極５４と正孔輸送層５５との間には第１電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第２電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層が形成されことができる。
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および第１電極５４が形成された基板５３を準備する。
第１電極５４が形成された基板５３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層５５は表示領域５１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層５６Ｒを成膜する。本実施形態によれば、基板が搬送室１内の搬送ロボット（Ｒ）によって成膜クラスタ
に搬入される前に、アライメント室６で基板位置を大まかに調整するラフアライメントを行い、成膜装置２０ではラフアライメントは行わず、ファインアライメントのみを行う。これによって、アライメント工程にかかる全体的な時間を大幅に短縮することができる。
発光層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層５６Ｂを成膜する。発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。
電子輸送層５７までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第２電極５７を成膜し、その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層６０を成膜して、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を成膜装置に搬入してから保護層６０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
上記実施形態および実施例は本発明の一例を示したものであり、本発明は上記実施形態および実施例の構成に限られず、その技術思想の範囲内において適宜変形しても構わない。
１：搬送室
２：成膜室
３：マスク積載室
４：バッファ室
５：旋回室
６：アライメント室
６１：真空容器
３０１：位置情報取得手段、アライメント用カメラ
３０２：基板ステージ
３０３：制御手段
３０４：画像処理部
３０５：メモリー部
３０６：アライメント室の真空容器の底面
３０７：ＸＹθアクチュエータ
３１０：シャフト
３１１：基板側アライメントマーク
３１２：ステージ側アライメントマーク
３１５：基準マーク設置部
３０２１、３０２２：ステージ側アライメントマーク
３１５１、３１５２：基準マーク
３１５３、３１５４：仮想基準マーク
４０２：ベローズ
４０４：第１連結部
４０５：第２連結部
４０６：Ｏ－リング
４０７：ベアリング

Claims (30)

  1. 中継装置を有し、
    第１装置から前記中継装置に基板が搬送され、前記中継装置から第２装置に基板が搬送される基板搬送システムであって、
    前記中継装置は、
    容器と、
    前記容器内に設けられた、基板を載置する基板ステージと、
    前記基板ステージとは別の部材として、前記容器の内部に前記容器に対して固定配置され、基準位置を示す基準マークと、
    前記基板ステージを前記基板ステージの基板載置面に沿う第１方向に移動させる第１移動手段と、
    前記基板ステージを前記基板載置面に沿い、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に移動させる第２移動手段と、
    前記容器の外部に配置された位置情報取得手段と、
    前記位置情報取得手段によって取得した、前記容器内の基板の位置に関する第１の情報と、前記基準マークの位置に関する第２の情報と、に基づいて、前記第１移動手段および前記第２移動手段を制御する制御手段と、
    前記第２の情報を記憶するメモリー部と、を有し、
    前記制御手段が、１回の記憶動作で前記メモリー部へ記憶された前記第２の情報を用いて、複数の基板に対して前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行う
    基板搬送システム。
  2. 前記制御手段は、前記第１の情報および前記第２の情報から基板の位置ずれ量を取得し、取得した前記位置ずれ量に基づいて前記第１移動手段および前記第２移動手段を制御する
    請求項１に記載の基板搬送システム。
  3. 前記制御手段は、１つの基板に対して前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行った後に、前記基板ステージに基板が載置されていない状態で、前記基板ステージを所定の位置に移動するように前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行う
    請求項１に記載の基板搬送システム。
  4. 前記位置情報取得手段は、画像取得手段を含む
    請求項１に記載の基板搬送システム。
  5. 前記画像取得手段は、前記基板ステージ上に載置される基板のコーナー部に対応する位置に設置される
    請求項４に記載の基板搬送システム。
  6. 前記画像取得手段は、前記基板ステージ上に載置される基板の対角の二つのコーナー部に対応する位置にそれぞれ設置される
    請求項４に記載の基板搬送システム。
  7. 前記容器は真空容器であり、
    前記画像取得手段は、前記中継装置の前記真空容器に設けられた透明窓を介して、前記中継装置の前記真空容器の内部に配置された前記基準マークおよび前記基板の画像を取得する
    請求項４に記載の基板搬送システム。
  8. 前記制御手段は、前記画像取得手段によって取得された基板のコーナー部の画像から、基板の二つの辺の延長線が交差する位置に関する情報を取得する画像処理部を含む
    請求項５に記載の基板搬送システム。
  9. 前記制御手段は、前記画像取得手段によって取得される前記二つのコーナー部を結ぶ線の中心点を算出する
    請求項６に記載の基板搬送システム。
  10. 前記制御手段は、前記メモリー部に記憶されている前記第２の情報と、前記位置情報取得手段によって取得した前記第１の情報と、に基づいて、前記第１移動手段および前記第２移動手段を制御する
    請求項３に記載の基板搬送システム。
  11. 前記画像取得手段は、前記基準マークと前記基板のコーナー部の両方を含む画像を取得する
    請求項４に記載の基板搬送システム。
  12. 前記画像取得手段は、前記基板に形成された基板アライメントマークと前記基準マークの両方を含む画像を取得する
    請求項４に記載の基板搬送システム。
  13. 前記基板アライメントマークは、基板の対角の二つのコーナー部に形成される
    請求項１２に記載の基板搬送システム。
  14. 前記第１移動手段および前記第２移動手段は、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向を中心に回転する回転方向に前記基板ステージを回転させることが可能なように構成される、
    請求項１に記載の基板搬送システム。
  15. 前記容器は真空容器であり、
    前記第１移動手段および前記第２移動手段は、前記真空容器に対して大気側であって、
    前記基板ステージの下側に設置される
    請求項１に記載の基板搬送システム。
  16. 前記第１移動手段と前記第２移動手段の各々は、サーボモータと、前記サーボモータからの回転駆動力を直線駆動力に転換するための動力転換機構を含む
    請求項１に記載の基板搬送システム。
  17. 前記容器は真空容器であり、
    前記第１方向と、前記第２方向と、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向を中心に回転する回転方向の中、少なくとも一つの方向への、前記第１移動手段および前記第２移動手段による駆動力を前記中継装置の前記真空容器の大気側から前記基板ステージに伝達するシャフトと、
    前記シャフトを囲むように前記真空容器の真空側と大気側とを隔てる伸縮可能部材を含む
    請求項１４に記載の基板搬送システム。
  18. 前記伸縮可能部材は、前記回転方向に移動可能に設置される
    請求項１７に記載の基板搬送システム。
  19. 前記伸縮可能部材は、連結部を介して前記中継装置の前記真空容器と連結され、
    前記連結部は、Ｏ－リング（Ｏ－ｒｉｎｇ）及びベアリングを通じて、前記中継装置の前記真空容器に、前記回転方向にフローティング（ｆｌｏａｔｉｎｇ）固定される
    請求項１８に記載の基板搬送システム。
  20. 電子デバイスの製造装置であって、
    第１装置と、
    第２装置と、
    前記電子デバイスを形成するための基板を前記第１装置から前記第２装置に搬送するための基板搬送システムとを含み、
    前記基板搬送システムは、請求項１～１９のいずれか１項に記載の基板搬送システムであり、
    前記第２装置は、前記基板を搬送するための搬送室と、前記搬送室に接続された複数の成膜室を含む、電子デバイスの製造装置。
  21. 電子デバイスの製造装置であって、
    第１搬送室を有する第１装置と、
    第２搬送室および前記第２搬送室に接続された複数の成膜室を有する第２装置と、
    前記第１装置および前記第２装置に接続された中継装置と、を含み、
    前記中継装置は、
    容器と、
    前記容器内に設けられ、基板を載置する基板ステージと、
    前記基板ステージを前記基板ステージの基板載置面に沿う第１方向に移動させる第１移動手段と、
    前記基板ステージを前記基板載置面に沿い、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に移動させる第２移動手段と、
    前記容器の外部に配置された位置情報取得手段と、
    前記基板ステージとは別の部材として、前記容器の内部に前記容器に対して固定配置され基準位置を示す基準マークと、
    前記位置情報取得手段によって取得した、前記容器内の基板の位置に関する第１の情報と、前記基準マークの位置に関する第２の情報と、に基づいて、前記第１移動手段および
    前記第２移動手段を制御する制御手段と、
    前記第２の情報を記憶するメモリー部と、を有し、
    前記制御手段は、１回の記憶動作で前記メモリー部へ記憶された前記第２の情報を用いて、複数の基板に対して前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行い、
    前記複数の成膜室の少なくとも１つの成膜室は、前記基板の位置を調整するためのアライメント機構を含む
    電子デバイスの製造装置。
  22. 前記第１搬送室内には、基板を前記中継装置に搬送するための第１搬送ロボットが配置されており、
    前記第２搬送室内には、前記基板を前記中継装置から搬出し、前記基板を前記１つの成膜室に搬入するための第２搬送ロボットが配置されており、
    前記第２搬送ロボットは、前記基板を前記複数の成膜室のうちの１つの成膜室から搬出し、前記基板を前記複数の成膜室の他の成膜室に搬入する
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  23. 前記制御手段は、前記第１の情報および前記第２の情報から基板の位置ずれ量を取得し、取得した前記位置ずれ量に基づいて前記第１移動手段および前記第２移動手段を制御することを特徴とする
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  24. 前記アライメント機構は、前記基板と前記基板への成膜に用いられるマスクとの相対的な位置合わせをする
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  25. 前記中継装置は、前記第１移動手段および前記第２移動手段が設けられるアライメント室と、前記基板の向きを変えるための旋回室を含み、
    前記旋回室は、前記アライメント室の前記第１装置側に設置される
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  26. 前記中継装置は、前記第１移動手段および前記第２移動手段が設けられたアライメント室と、複数の基板を収納するバッファ室と、を含み、
    前記バッファ室は、前記アライメント室の前記第１装置側に設置される
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  27. 前記制御手段は、１つの基板に対して前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行った後に、前記基板ステージに基板が載置されていない状態で、前記基板ステージを所定の位置に移動するように前記第１移動手段および前記第２移動手段の制御を行う
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  28. 前記アライメント機構は基板を撮影する第１のカメラを有し、
    前記位置情報取得手段は、前記第１のカメラより視野の広い第２のカメラを有する
    請求項２１に記載の電子デバイスの製造装置。
  29. 請求項１～１９のいずれか１項に記載の基板搬送システムを使って電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法。
  30. 請求項２１～２８のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造装置を用いて電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法。
JP2018221949A 2018-04-26 2018-11-28 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 Active JP7202858B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0048794 2018-04-26
KR1020180048794A KR20190124610A (ko) 2018-04-26 2018-04-26 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019192898A JP2019192898A (ja) 2019-10-31
JP2019192898A5 JP2019192898A5 (ja) 2021-12-23
JP7202858B2 true JP7202858B2 (ja) 2023-01-12

Family

ID=68358104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018221949A Active JP7202858B2 (ja) 2018-04-26 2018-11-28 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7202858B2 (ja)
KR (1) KR20190124610A (ja)
CN (1) CN110416140B (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210080776A (ko) * 2019-12-23 2021-07-01 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 시스템 및 기판 반송 시스템
JP7357549B2 (ja) * 2020-01-07 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板の位置ずれ検出方法、基板位置の異常判定方法、基板搬送制御方法、及び基板の位置ずれ検出装置
JP7431088B2 (ja) * 2020-03-31 2024-02-14 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7150776B2 (ja) * 2020-03-31 2022-10-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP7291098B2 (ja) * 2020-03-31 2023-06-14 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102527120B1 (ko) * 2020-03-31 2023-04-27 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP7068381B2 (ja) * 2020-05-11 2022-05-16 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP2022007540A (ja) * 2020-06-26 2022-01-13 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7446169B2 (ja) * 2020-06-26 2024-03-08 キヤノントッキ株式会社 基板搬送装置、基板処理システム、基板搬送方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7440355B2 (ja) * 2020-06-26 2024-02-28 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7438865B2 (ja) * 2020-06-26 2024-02-27 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7440356B2 (ja) * 2020-06-26 2024-02-28 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7337108B2 (ja) * 2021-01-28 2023-09-01 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置および調整方法
JP7301894B2 (ja) * 2021-02-22 2023-07-03 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2023038028A (ja) 2021-09-06 2023-03-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、基板搬送装置、基板搬送方法及び電子デバイスの製造方法
JP2023038029A (ja) 2021-09-06 2023-03-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
JP2023038027A (ja) 2021-09-06 2023-03-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
JP2023057854A (ja) 2021-10-12 2023-04-24 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
CN117721429B (zh) * 2024-02-08 2024-04-23 成都国泰真空设备有限公司 磁控溅射镀膜设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008078325A (ja) 2006-09-20 2008-04-03 Ulvac Japan Ltd 真空装置
JP2009224231A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Ulvac Japan Ltd 有機ｅｌ製造装置及び有機ｅｌ製造方法
JP2012094814A (ja) 2010-09-28 2012-05-17 Tokyo Electron Ltd 基板位置検出装置、これを備える成膜装置、および基板位置検出方法
JP2018003151A (ja) 2016-06-24 2018-01-11 キヤノントッキ株式会社 基板の挟持方法、基板の挟持装置、成膜方法、成膜装置、及び電子デバイスの製造方法、基板載置方法、アライメント方法、基板載置装置
JP2018028496A (ja) 2016-08-19 2018-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 変位検出装置、変位検出方法および基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697033A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Nikon Corp 基板の位置合わせ方法
KR20070109406A (ko) * 2006-05-11 2007-11-15 삼성에스디아이 주식회사 기판 정렬방법
TWI424784B (zh) * 2008-09-04 2014-01-21 Hitachi High Tech Corp Organic electroluminescent device manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, film forming apparatus and film forming method
KR20130009700A (ko) * 2011-07-15 2013-01-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 및 기억 매체
JP2013125795A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 Panasonic Corp 基板位置決め装置及び基板位置決め方法
KR101481992B1 (ko) * 2012-12-05 2015-01-14 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) 기판 이송 장치
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
KR20140116233A (ko) * 2013-01-31 2014-10-02 엘지디스플레이 주식회사 기판 가공 장치 및 기판 가공 방법
KR101451736B1 (ko) * 2013-02-06 2014-10-16 주식회사 코디에스 플라즈마 에칭 장치 및 기판 이송 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008078325A (ja) 2006-09-20 2008-04-03 Ulvac Japan Ltd 真空装置
JP2009224231A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Ulvac Japan Ltd 有機ｅｌ製造装置及び有機ｅｌ製造方法
JP2012094814A (ja) 2010-09-28 2012-05-17 Tokyo Electron Ltd 基板位置検出装置、これを備える成膜装置、および基板位置検出方法
JP2018003151A (ja) 2016-06-24 2018-01-11 キヤノントッキ株式会社 基板の挟持方法、基板の挟持装置、成膜方法、成膜装置、及び電子デバイスの製造方法、基板載置方法、アライメント方法、基板載置装置
JP2018028496A (ja) 2016-08-19 2018-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 変位検出装置、変位検出方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019192898A (ja) 2019-10-31
KR20190124610A (ko) 2019-11-05
CN110416140B (zh) 2023-04-07
CN110416140A (zh) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7202858B2 (ja) 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
JP7247013B2 (ja) アライメント方法、これを用いた蒸着方法及び電子デバイスの製造方法
JP7244401B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102128888B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
KR102355418B1 (ko) 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법
JP2019081950A (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法
JP7017619B2 (ja) 成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102405438B1 (ko) 마스크 위치조정장치, 성막장치, 마스크 위치조정방법, 성막방법, 및 전자디바이스의 제조방법
KR102625055B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체
JP7440356B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP2021095633A (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102179271B1 (ko) 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
KR102634162B1 (ko) 마스크 교환시기 판정장치, 성막장치, 마스크 교환시기 판정방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
CN111118445A (zh) 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法
JP7078694B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP7438865B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7450493B2 (ja) マスクアライメント方法、成膜方法、マスクアライメント装置、及び成膜装置
KR102665607B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 및 성막 방법
WO2024034236A1 (ja) アライメント装置、成膜装置、制御方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP7472095B2 (ja) 動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法
KR102717514B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치 및 조정 방법
WO2023238479A1 (ja) アライメント装置、成膜装置、及びアライメント方法
WO2024203505A1 (ja) 真空チャンバ、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
WO2023210464A1 (ja) 成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法、およびコンピュータプログラム記録媒体
JP2022115267A (ja) アライメント装置、成膜装置および調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211112

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7202858

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150