JP7440355B2 - アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板とマスクのアライメント技術に関する。

有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、マスクを用いて基板上に蒸着物質が成膜される。成膜の前処理としてマスクと基板とのアライメントが行われ、両者が重ね合わされる。アライメントにおいては、基板とマスクの位置ずれの計測と、計測結果に基づく基板とマスクとの相対位置の調整とが行われる。特許文献１には、生産用基板と非生産用基板のように基板の種類に起因する誤差を解消するようにアライメントを行うことが開示されている。

特開２０１９－８３３１１号公報

有機ＥＬディスプレイは、様々な成膜工程によって基板上に複数の層が形成されることで製造される。このとき、製造ラインの都合により、ある工程までは大型基板（マザーガラスとも称する）に対して処理を行い、その後その大型基板を切断して複数のより小さい基板に分割し、それ以降の工程では分割した基板に対して成膜等の処理を行う場合がある。例えば、スマートフォン用の有機ＥＬディスプレイの製造においては、バックプレーン工程（ＴＦＴ形成工程や陽極形成工程等）は第６世代の大型基板（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）に対して成膜処理等が行われる。その後、この大型基板を半分に切断し、第６世代のハーフカット基板（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）とし、その後の工程はこの第６世代のハーフカット基板に対して成膜等の処理が行われる。

この場合、分割工程よりも後の成膜工程に用いられる成膜装置に備えられるアライメント装置には、切り出し部位が異なる基板が順次搬入され、アライメントが行われることとなる。しかし、大型基板から切り出された基板においては、大型基板のどの部位から切り出されたかによって（例えば、マザーガラスの左側半分の部分なのか、あるいは右側半分の部分なのかによって）、サイズや剛性分布といった基板の特性が異なる場合がある。基板の特性が異なる基板は、基板とマスクの位置ずれの計測の際の位置や撓み方が異なる場合があり、計測精度に影響を与える。この結果、基板間でアライメント精度や時間のばらつきを招く場合がある。

本発明は、大型基板から切り出された基板のアライメントに関し、切り出し部位の相違による計測精度の影響を抑制する技術を提供するものである。

本発明によれば、例えば、
大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段と、
マスクを支持するマスク支持手段と、
前記基板の基板アライメントマークと前記マスクのマスクアライメントマークとを撮影し、撮影画像に基づいて前記基板と前記マスクの位置ずれ量を計測する計測手段と、
前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する位置調整手段と、
前記計測手段及び前記位置調整手段を制御する制御手段と、を備え、
前記位置ずれ量が許容範囲内である場合に、前記基板と前記マスクとを互いに重ね合わせるアライメント装置であって、
前記基板支持手段によって支持されている基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
前記制御手段は、前記取得手段が取得した前記基板情報に基づいて、前記位置ずれ量の計測条件として、撮影条件、及び、前記基板アライメントマークの認識方法、の少なくともいずれか一つを設定し、
前記撮影条件は、照明方法、照明の照度、焦点距離、シャッタスピード、ＩＳＯ感度、絞りの少なくともいずれか一つを含む、
ことを特徴とするアライメント装置が提供される。

本発明によれば、大型基板から切り出された基板のアライメントに関し、切り出し部位の相違による計測精度の影響を抑制する技術を提供することができる。

電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。 本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略図。 基板支持ユニットの説明図。 位置調整ユニットの説明図。 計測ユニットの説明図。 大型基板とカット基板の例を示す図。 （Ａ）及び（Ｂ）は基板の特性の影響の例を示す説明図。 制御処理例を示すフローチャート。 制御処理例を示すフローチャート。 （Ａ）～（Ｃ）はアライメント装置の動作説明図。 （Ａ）～（Ｃ）はアライメント装置の動作説明図。 （Ａ）～（Ｃ）はアライメント装置の動作説明図。 （Ａ）～（Ｃ）はアライメント装置の動作説明図。 （Ａ）及び（Ｂ）はアライメント装置の動作説明図。 （Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。 （Ａ）は計測ユニット８の構成例を示す模式図、（Ｂ）は認識範囲の例を示す図、（Ｃ）は認識モデルの例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜電子デバイスの製造ライン＞
図１は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図１の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板１００が成膜ブロック３０１に順次搬送され、基板１００に有機ＥＬの成膜が行われる。

成膜ブロック３０１には、平面視で八角形の形状を有する搬送室３０２の周囲に、基板１００に対する成膜処理が行われる複数の成膜室３０３ａ～３０３ｄと、使用前後のマスクが収納されるマスク格納室３０５とが配置されている。搬送室３０２には、基板１００を搬送する搬送ロボット（搬送手段）３０２ａが配置されている。搬送ロボット３０２ａは、基板１００を保持するハンドと、ハンドを水平方向に移動する多関節アームとを含む。換言すれば、成膜ブロック３０１は、搬送ロボット３０２ａの周囲を取り囲むように複数の成膜室３０３ａ～３０３ｄが配置されたクラスタ型の成膜ユニットである。なお、成膜室３０３ａ～３０３ｄを総称する場合、或いは、区別しない場合は成膜室３０３と表記する。

基板１００の搬送方向（矢印方向）で、成膜ブロック３０１の上流側、下流側には、それぞれ、バッファ室３０６、旋回室３０７、受渡室３０８が配置されている。製造過程において、各室は真空状態に維持される。なお、図１においては成膜ブロック３０１を１つしか図示していないが、本実施形態に係る製造ラインは複数の成膜ブロック３０１を有しており、複数の成膜ブロック３０１が、バッファ室３０６、旋回室３０７、受渡室３０８で構成される連結装置で連結された構成を有する。なお、連結装置の構成はこれに限定はされず、例えばバッファ室３０６又は受渡室３０８のみで構成されていてもよい。

搬送ロボット３０２ａは、上流側の受渡室３０８から搬送室３０２への基板１００の搬入、成膜室３０３間での基板１００の搬送、マスク格納室３０５と成膜室３０３との間でのマスクの搬送、及び、搬送室３０２から下流側のバッファ室３０６への基板１００の搬出、を行う。

バッファ室３０６は、製造ラインの稼働状況に応じて基板１００を一時的に格納するための室である。バッファ室３０６には、複数枚の基板１００を基板１００の被処理面（被成膜面）が重力方向下方を向く水平状態を保ったまま収納可能な多段構造の基板収納棚（カセットとも呼ばれる）と、基板１００を搬入又は搬出する段を搬送位置に合わせるために基板収納棚を昇降させる昇降機構とが設けられる。これにより、バッファ室３０６には複数の基板１００を一時的に収容し、滞留させることができる。

旋回室３０７は基板１００の向きを変更する装置を備えている。本実施形態では、旋回室３０７は、旋回室３０７に設けられた搬送ロボットによって基板１００の向きを１８０度回転させる。旋回室３０７に設けられた搬送ロボットは、バッファ室３０６で受け取った基板１００を支持した状態で１８０度旋回し受渡室３０８に引き渡すことで、バッファ室３０６内と受渡室３０８とで基板の前端と後端が入れ替わる。これにより、成膜室３０３に基板１００を搬入する際の向きが、各成膜ブロック３０１で同じ向きになるため、基板Ｓに対する成膜のスキャン方向やマスクの向きを各成膜ブロック３０１において一致させることができる。このような構成とすることで、各成膜ブロック３０１においてマスク格納室３０５にマスクを設置する向きを揃えることができ、マスクの管理が簡易化されユーザビリティを高めることができる。

製造ラインの制御系は、ホストコンピュータとしてライン全体を制御する上位装置３００と、各構成を制御する制御装置１４ａ～１４ｄ、３０９、３１０とを含み、これらは有線又は無線の通信回線３００ａを介して通信可能である。制御装置１４ａ～１４ｄは、成膜室３０３ａ～３０３ｄに対応して設けられ、後述する成膜装置１を制御する。なお、制御装置１４ａ～１４ｄを総称する場合、或いは、区別しない場合は制御装置１４と表記する。

制御装置３０９は搬送ロボット３０２ａを制御する。制御装置３１０は旋回室３０７の装置を制御する。上位装置３００は、基板１００に関する情報や搬送タイミング等の指示を各制御装置１４、３０９、３１０に送信し、各制御装置１４、３０９、３１０は受信した指示に基づき各構成を制御する。

＜成膜装置の概要＞
図２は本発明の一実施形態に係る成膜装置１の概略図である。成膜装置１は、基板１００に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク１０１を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置１で成膜が行われる基板１００の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの物質である。成膜装置１は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置１が真空蒸着によって基板１００に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやＣＶＤ等の各種成膜方法を適用可能である。なお、各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。

成膜装置１は、箱型の真空チャンバ３を有する。真空チャンバ３の内部空間３ａは、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。本実施形態では、真空チャンバ３は不図示の真空ポンプ（真空排気手段）に接続されている。なお、本明細書において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。真空チャンバ３の内部空間３ａには、基板１００を水平姿勢で支持する基板支持ユニット６（基板支持手段）、マスク１０１を支持するマスク台５（マスク支持手段）、成膜ユニット４、プレートユニット９が配置される。マスク１０１は、基板１００上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、マスク台５の上に固定されている。マスク１０１としては、枠状のマスクフレームに数μｍ～数十μｍ程度の厚さのマスク箔が溶接固定された構造を有するマスクを用いることができる。マスク１０１の材質は特に限定はされないが、インバー材などの熱膨張係数の小さい金属を用いることが好ましい。成膜処理は、基板１００がマスク１０１の上に載置され、基板１００とマスク１０１とが互いに重ね合わされた状態で行われる。

プレートユニット９は、冷却プレート１０と磁石プレート１１とを備える。冷却プレート１０は磁石プレート１１の下に、磁石プレート１１に対してＺ方向に変位可能に吊り下げられている。冷却プレート１０は、成膜時に基板１００の被成膜面の反対側の面（裏面）と接触し、マスク１０１との間に基板１００を挟み込むためのプレートである。冷却プレート１０は基板１００の裏面と接触することにより、成膜時に基板１００を冷却する機能を有する。

なお、冷却プレート１０は水冷機構等を備えて積極的に基板１００を冷却するものに限定はされず、水冷機構等は設けられていないものの基板１００と接触することによって基板１００の熱を奪うような板状部材であってもよい。冷却プレート１０は押さえ板と呼ぶこともできる。磁石プレート１１は、磁力によってマスク１０１を引き寄せるプレートであり、基板１００の上面に載置されて、成膜時に基板１００とマスク１０１の密着性を向上する。成膜ユニット４は、ヒータ、シャッタ、蒸発源の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成され、蒸着物質を基板１００に蒸着する蒸着源である。より具体的には、本実施形態では、成膜ユニット４は複数のノズル（不図示）がＸ方向に並んで配置され、それぞれのノズルから蒸着材料が放出されるリニア蒸発源である。蒸発源１２は、蒸発源移動機構（不図示）によってＹ方向（装置の奥行き方向）に往復移動される。

＜アライメント装置＞
成膜装置１は、基板１００とマスク１０１とのアライメントを行うアライメント装置２を備える。アライメント装置２は、基板１００の周縁部を支持する基板支持ユニット６を備える。図２に加えて図３を参照して説明する。図３は基板支持ユニット６の説明図であり、その斜視図である。基板支持ユニット６は、矩形の枠状のベース部６０と、ベース部６０から内側へ突出した複数の爪状の載置部６１及び６２を備える。なお、載置部６１及び６２は「受け爪」又は「フィンガ」とも呼ばれることがある。複数の載置部６１はベース部６０の長辺側に間隔を置いて配置され、複数の載置部６２はベース部６０の短辺側に間隔を置いて配置されている。各載置部６１、６２には基板１００の周縁部が載置される。ベース部６０は複数の支柱６４を介して梁部材２２２に吊り下げられている。

なお、図３の例ではベース部６０は矩形状の基板１００の外周を取り囲むような切れ目のない矩形枠形としたが、これに限定はされず、部分的に切り欠きがある矩形枠形であってもよい。ベース部６０に切り欠きを設けることで、搬送ロボット３０２ａから基板支持ユニット６の載置部６１へと基板１００を受け渡す際に搬送ロボット３０２ａを、ベース部６０を避けて退避させることができるようになり、基板１００の搬送及び受け渡しの効率を向上させることができる。

基板支持ユニット６は、また、クランプユニット６３（挟持部）を備える。クランプユニット６３は、複数のクランプ部６６を備える。各クランプ部６６は各載置部６１に対応して設けられており、クランプ部６６と載置部６１とで基板１００の周縁部を挟んで保持することが可能である。基板１００の支持態様としては、このようにクランプ部６６と載置部６１とで基板１００の周縁部を挟んで保持する態様の他、クランプ部６６を設けずに載置部６１及び６２に基板１００を載置するだけの態様を採用可能である。

クランプユニット６３は、また、複数のクランプ部６６を支持する支持部材６５を備えている。支持部材６５はベース部６０の長辺に沿って延設されている。支持部材６５は軸Ｒ３を介してアクチュエータ６４に連結されている。軸Ｒ３は、支持部材６５から、梁部材２２２に形成された開口部及び真空チャンバ３の上壁部３０に形成された開口部を通過して上方に延設されている。アクチュエータ６４は例えば電動シリンダであり、支持部材６５を昇降することでクランプ部６６と載置部６１とによる基板１００の周縁部の挟持と挟持解除とを行う。クランプユニット６３は、支持部材６５、ロッドＲ３及びアクチュエータ６４の組を２組備えている。

アライメント装置２は、基板支持ユニット６により周縁部が支持された基板１００と、マスク１０１との相対位置を調整する位置調整ユニット２０（位置調整手段）を備える。図２に加えて図４を参照して説明する。図４は位置調整ユニット２０の斜視図（一部透過図）である。位置調整ユニット２０は、基板支持ユニット６をＸ－Ｙ平面上で変位することにより、マスク１０１に対する基板１００の相対位置を調整する。すなわち、位置調整ユニット２０は、マスク１０１と基板１００の水平位置を調整するユニットであるとも言える。位置調整ユニット２０は、基板支持ユニット６をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。本実施形態では、マスク１０１の位置を固定し、基板１００を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク１０１を変位させて調整してもよく、或いは、基板１００とマスク１０１の双方を変位させてもよい。

位置調整ユニット２０は、固定プレート２０ａと、可動プレート２０ｂと、これらのプレートの間に配置された複数のアクチュエータ２０１とを備える。固定プレート２０ａと、可動プレート２０ｂは矩形の枠状のプレートであり、固定プレート２０ａは真空チャンバ３の上壁部３０上に固定されている。アクチュエータ２０１は、本実施形態の場合、４つ設けられており、固定プレート２０ａの四隅に位置している。

各アクチュエータ２０１は、駆動源であるモータ２０１１と、ガイド２０１２に沿って移動可能なスライダ２０１３と、スライダ２０１３に設けられたスライダ２０１４と、スライダ２０１４に設けられた回転体２０１５とを備える。モータ２０１１の駆動力は、ボールねじ機構等の伝達機構を介してスライダ２０１３に伝達され、スライダ２０１３を線状のガイド２０１２に沿って移動させる。回転体２０１５はスライダ２０１３と直交する方向に自由移動可能にスライダ２０１４に支持されている。回転体２０１５は、スライダ２０１４に固定された固定部と、固定部に対してＺ方向の軸周りに自由回転自在な回転部とを有しており、回転部に可動プレート２０ｂが支持されている。

４つのアクチュエータ２０１のうち、固定プレート２０ａの対角上に位置する２つのアクチュエータ２０１のスライダ２０１３の移動方向はＸ方向であり、残り２つのアクチュエータ２０１のスライダ２０１３の移動方向はＹ方向である。４つのアクチュエータ２０１の各スライダ２０１３の移動量の組み合わせによって、固定プレート２０ａに対して可動プレート２０ｂをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。変位量は、例えば、各モータ２０１１の回転量を検知するロータリエンコーダ等のセンサの検知結果から制御することができる。

可動プレート２０ｂ上には、フレーム状の架台２１が搭載されており、架台２１には距離調整手段としての距離調整ユニット２２（第１昇降ユニット）及び第２昇降ユニット１３が支持されている。可動プレート２０ｂが変位すると、架台２１、距離調整ユニット２２及び第２昇降ユニット１３が一体的に変位する。

距離調整ユニット２２は、基板支持ユニット６を昇降することで、基板支持ユニット６とマスク台５との距離を調整し、基板支持ユニット６によって周縁部が支持された基板１００とマスク１０１とを基板１００の厚み方向（Ｚ方向）に接近及び離隔（離間）させる。換言すれば、距離調整ユニット２２は、基板１００とマスク１０１とを重ね合わせる方向に接近させたり、その逆方向に離隔させたりする接離手段である。なお、距離調整ユニット２２によって調整する「距離」はいわゆる垂直距離（又は鉛直距離）であり、距離調整ユニットは、マスク１０１と基板１００の垂直位置を調整するユニットであるとも言える。本実施形態では距離調整ユニット２２は基板１００を昇降させるユニットであるため、「基板昇降ユニット」とも呼ばれる。図２に示すように、距離調整ユニット２２は第１昇降プレート２２０を備える。架台２１の側部にはＺ方向に延びるガイドレール２１ａが形成されており、第１昇降プレート２２０はガイドレール２１ａに沿ってＺ方向に昇降自在である。クランプユニット６３のアクチュエータ６４は第１昇降プレート２２０に支持されている。真空チャンバ３の内部に備えられた基板支持ユニット６の梁部材２２２は、複数の軸Ｒ１を介して真空チャンバ３の外部に備えられた第１昇降プレート２２０に連結されており、第１昇降プレート２２０と一体的に昇降する。軸Ｒ１は、梁部材２２２から上方に延設されており、上壁部３０の開口部を通過して第１昇降プレート２２０に連結されている。第１昇降プレート２２０は、基板１００を支持する基板支持ユニット６と一体に昇降するプレートであるため、「基板昇降プレート」とも呼ばれる。

距離調整ユニット２２は、また、架台２１に支持され、第１昇降プレート２２０を昇降する駆動ユニット２２１を備えている。駆動ユニット２２１は、モータ２２１ａを駆動源としてその駆動力を第１昇降プレート２２０に伝達する機構であり、伝達機構として本実施形態では、ボールねじ軸２２１ｂとボールナット２２１ｃとを有するボールねじ機構が採用されている。ボールねじ軸２２１ｂはＺ方向に延設され、モータ２２１ａの駆動力によりＺ方向の軸周りに回転する。ボールナット２２１ｃは第１昇降プレート２２０に固定されており、ボールねじ軸２２１ｂと噛み合っている。ボールねじ軸２２１ｂの回転とその回転方向の切り替えによって、第１昇降プレート２２０をＺ方向に昇降することができる。第１昇降プレート２２０の昇降量は、例えば、各モータ２２１ａの回転量を検知するロータリエンコーダ等のセンサの検知結果から制御することができる。これにより、基板１００を支持している載置部６１及び６２のＺ方向における位置を制御し、基板１００とマスク１０１との接触、離隔を制御することができる。

なお、本実施形態の距離調整ユニットは、マスク台５の位置を固定し、基板支持ユニット６を移動してこれらのＺ方向の距離を調整するが、これに限定はされない。基板支持ユニット６の位置を固定し、マスク台５を移動させて調整してもよく、或いは、基板支持ユニット６とマスク台５の双方を移動させて両者の距離を調整してもよい。

第２昇降ユニット１３は、真空チャンバ３の外部に配置された第２昇降プレート１２を昇降させることで、第２昇降プレート１２に連結され、真空チャンバ３の内部に配置されたプレートユニット９を昇降する。プレートユニット９は複数の軸Ｒ２を介して第２昇降プレート１２と連結されている。軸Ｒ２は、磁石プレート１１から上方に延設されており、梁部材２２２の開口部、上壁部３０の開口部、固定プレート２０ａ及び可動プレート２０ｂの各開口部、及び、昇降プレート２２０の開口部を通過して昇降プレート１２に連結されている。第２昇降ユニット１３は「冷却プレート昇降ユニット」又は「磁石プレート昇降ユニット」とも呼ばれ、第２昇降プレート１２は「冷却プレート昇降プレート」又は「磁石プレート昇降プレート」とも呼ばれる。

第２昇降プレート１２は案内軸１２ａに沿ってＺ方向に昇降自在である。第２昇降ユニット１３は、架台２１に支持され、第２昇降プレート１２を昇降する駆動機構を備えている。第２昇降ユニット１３の備える駆動機構は、モータ１３ａを駆動源としてその駆動力を第２昇降プレート１２に伝達する機構であり、伝達機構として本実施形態では、ボールねじ軸１３ｂとボールナット１３ｃとを有するボールねじ機構が採用されている。ボールねじ軸１３ｂはＺ方向に延設され、モータ１３ａの駆動力によりＺ方向の軸周りに回転する。ボールナット１３ｃは第２昇降プレート１２に固定されており、ボールねじ軸１３ｂと噛み合っている。ボールねじ軸１３ｂの回転とその回転方向の切り替えによって、第２昇降プレート１２をＺ方向に昇降することができる。第２昇降プレート１２の昇降量は、例えば、各モータ１３ａの回転量を検知するロータリエンコーダ等のセンサの検知結果から制御することができる。これにより、プレートユニット６のＺ方向における位置を制御し、プレートユニット６と基板１００との接触、離隔を制御することができる。

各軸Ｒ１～Ｒ３が通過する上壁部３０の開口部は、各軸Ｒ１～Ｒ３がＸ方向及びＹ方向に変位可能な大きさを有している。真空チャンバ３の気密性を維持するため、各軸Ｒ１～Ｒ３が通過する上壁部３０の開口部はベローズ等で覆われる。

アライメント装置２は、基板支持ユニット６により周縁部が支持された基板１００とマスク１０１の位置ずれを計測する計測ユニット（第１計測ユニット７及び第２計測ユニット８（計測手段））を備える。図２に加えて図５を参照して説明する。図５は第１計測ユニット７及び第２計測ユニット８の説明図であり、基板１００とマスク１０１の位置ずれの計測態様を示している。本実施形態の第１計測ユニット７及び第２計測ユニット８はいずれも画像を撮像する撮像装置（カメラ）である。第１計測ユニット７及び第２計測ユニット８は、上壁部３０の上方に配置され、上壁部３０に形成された窓部（不図示）を介して真空チャンバ３内の画像を撮像可能である。

基板１００には基板ラフアライメントマーク１００ａ及び基板ファインアライメントマーク１００ｂが形成されており、マスク１０１にはマスクラフアライメントマーク１０１ａ及びマスクファインマーク１０１ｂが形成されている。以下、基板ラフアライメントマーク１００ａを基板ラフマーク１００ａと呼び、基板ファインアライメントマーク１００ｂを基板ファインマーク１００ｂと呼び、両者をまとめて基板マークと呼ぶことがある。また、マスクラフアライメントマーク１０１ａをマスクラフマーク１０１ａと呼び、マスクファインアライメントマーク１０１ｂをマスクファインマーク１０１ｂと呼び、両者をまとめてマスクマークと呼ぶことがある。

基板ラフマーク１００ａは、基板１００の短辺中央部に形成されている。基板ファインマーク１００ｂは、基板１００の四隅に形成されている。マスクラフマーク１０１ａは、基板ラフマーク１００ａに対応してマスク１０１の短辺中央部に形成されている。また、マスクファインマーク１０１ｂは基板ファインマーク１０１ｂに対応してマスク１０１の四隅に形成されている。

第２計測ユニット８は、対応する基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂの各組（本実施形態では４組）を撮像するように４つ設けられている（第２計測ユニット８ａ～８ｄ）。第２計測ユニット８は、相対的に視野が狭いが高い解像度（例えば数μｍのオーダ）を有する高倍率ＣＣＤカメラ（ファインカメラ）であり、基板１００とマスク１０１との位置ずれを高精度で計測する。第１計測ユニット７は、１つ設けられており、対応する基板ラフマーク１００ａとマスクラフマーク１０１ａの各組（本実施形態では２組）を撮像する。

第１計測ユニット７は、相対的に視野が広いが低い解像度を有する低倍率ＣＣＤカメラ（ラフカメラ）であり、基板１００とマスク１０１との大まかな位置ずれを計測する。図５の例では２組の基板ラフマーク１００ａ及びマスクラフマーク１０１ａの組を１つの第１計測ユニット７でまとめて撮像する構成を示したが、これに限定はされない。第２計測ユニット８と同様に、基板ラフマーク１００ａ及びマスクラフマーク１０１ａの各組をそれぞれ撮影するように、それぞれの組に対応する位置に第１計測ユニット７を２つ設けてもよい。

本実施形態では、第１計測ユニット７の計測結果に基づいて基板１００とマスク１０１との位置調整（第１アライメント）を行った後、第２計測ユニット８の計測結果に基づいて基板１００とマスク１０１との精密な位置調整（第２アライメント）を行う。

ここで、アライメントによる位置調整の精度を向上させるためには、計測ユニットによる各マークの検知精度を高めることが求められる。そのため、高い精度での位置調整が求められる第２アライメント（ファインアライメント）において用いられる第２計測ユニット８（ファインカメラ）としては、高い解像度で画像を取得可能なカメラを用いることが好ましい。しかしながら、カメラの解像度を高めると被写界深度が浅くなるため、撮影対象となる基板１００に形成されているマークとマスク１０１に形成されているマークを同時に撮影するために両マークを第２計測ユニット８の光軸方向においてより一層接近させる必要がある。

そこで本実施形態では、第２アライメントにおいて基板ファインマーク１００ｂ及びマスクファインマーク１０１ｂを検知する際に、基板１００が部分的にマスク１０１と接触する位置まで基板１００をマスク１０１に接近させる。基板１００は周縁部を支持されているために自重によって中央部が撓んだ状態となるため、典型的には、基板１００の中央部が部分的にマスク１０１と接触した状態となる。

なお、第１アライメント（ラフアライメント）においては基板１００とマスク１０１とが離隔した状態で、基板ラフマーク１００ａ及びマスクラフマーク１０１ａの検知と、基板１００及びマスク１０１の位置の調整と、が行われる。第１アライメントにおいては、比較的被写界深度の深い第１計測ユニット７（ラフカメラ）を用いることで、基板１００とマスク１０１とが離隔したままアライメントを行うことができる。本実施形態ではこのように、第１アライメントによって基板１００とマスク１０１とを離隔させたまま大まかに位置の調整を行ってから、位置調整の精度がより高い第２アライメントを行うようにしている。

これにより、第２アライメントにおいてマークの検知のために基板１００とマスク１０１を接近させて接触させた際には、基板１００とマスク１０１はその相対位置が既にある程度調整されているため、基板１００の上に形成されている膜のパターンとマスク１０１の開口パターンとがある程度整列した状態で接触するようになる。そのため、基板１００とマスク１０１とが接触することによる基板１００の上に形成されている膜へのダメージを低減することができる。

すなわち、本実施形態のように基板１００とマスク１０１を離隔させたまま大まかに位置調整を行う第１アライメントと、基板１００とマスク１０１とを部分的に接触させる工程を含む第２アライメントと、を組み合わせて実行することにより、基板１００の上に形成されている膜へのダメージを低減しつつ高精度の位置調整を実現することができる。第１アライメント及び第２アライメントの詳細については後述する。

制御装置１４は、成膜装置１の全体を制御する。制御装置１４は、処理部（制御手段）１４１、記憶部１４２、入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）１４３及び通信部１４４を備える。処理部１４１は、ＣＰＵに代表されるプロセッサであり、記憶部１４２に記憶されたプログラムを実行して成膜装置１を制御する。記憶部１４２は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等の記憶デバイス（記憶手段）であり、処理部１４１が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。Ｉ／Ｏ１４３は、処理部１４１と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部１４４は通信回線３００ａを介して上位装置３００又は他の制御装置１４、３０９、３１０等と通信を行う通信デバイスであり、処理部１４１は通信部１４４を介して上位装置３００から情報を受信し、或いは、上位装置３００へ情報を送信する。なお、制御装置１４、３０９、３１０や上位装置３００の全部又は一部がＰＬＣやＡＳＩＣ、ＦＰＧＡで構成されてもよい。

＜基板＞
本実施形態の基板１００は、大型基板から切り出されたカット基板である。図６は大型基板とカット基板の例を示す図である。大型基板ＭＧは、第６世代フルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）のマザーガラスであり、矩形形状を有している。大型基板ＭＧの一部の角部には、大型基板ＭＧの向きを特定するためのオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。

なお、ここでは大型基板ＭＧの４つの角部のうちの１つの角部のみが切り落とされてオリエンテーションフラットＯＦが形成されている例を示したが、これに限定はされず、４つの角部全てが切り落とされているものの、１つの角部が他に比べて大きく切り落とされることで、オリエンテーションフラットＯＦが形成されてもよい。この場合には、他の角部と異なる形状に切り落とされている部分を、オリエンテーションフラットＯＦと捉えることができる。

上述の通り、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬディスプレイの製造においては、バックプレーン工程（ＴＦＴ形成工程や陽極形成工程等）は第６世代フルサイズの大型基板ＭＧに対して成膜処理等が行われる。その後、この大型基板ＭＧが半分に切断され（切り出し工程）、切断して得られた第６世代のハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板１００が、本実施形態に係る製造ラインのうちの有機層の成膜を行う成膜ブロック３０１へと搬入される。成膜ブロック３０１に搬入される基板１００は、大型基板ＭＧから切り出して得られた２種類の分割基板のいずれかであり、本実施形態においては基板１００Ａ又は基板１００Ｂである。大型基板ＭＧは、その一辺である基準辺から距離Ｌの位置の切断線ＣＴＬで切断され、基板１００Ａと基板１００Ｂとが得られる。図１に例示した製造ラインにおいては、基板１００Ａと基板１００Ｂとが混在して、基板１００として搬送され、各種の処理が行われる。

なお、ここでは大型基板ＭＧを半分に切断するものとしたが、これに限定はされず、大型基板ＭＧを切断して、略同じ大きさの複数の基板に分割すればよい。例えば、大型基板ＭＧを４分割して４つの基板１００とし、これを成膜ブロック３０１に搬入するようにしてもよい。

基板１００Ａと基板１００Ｂとはサイズや剛性分布といった基板の特性が異なる場合がある。例えば、基板１００Ａは短辺の長さがＬに採寸された基板となるが、基板１００Ｂは短辺の長さが採寸されておらず、基板１００Ａと基板１００Ｂとでは短辺の長さが異なる場合がある。また、基板１００ＢにはオリエンテーションフラットＯＦがあるが、基板１００Ａにはこれがない。切断面における残留応力の大きさが、基板１００Ａと基板１００Ｂとで異なる場合もある。また、切断面の位置が、基板１００Ａでは右辺であり基板１００Ｂでは左辺であり、部位が異なる。

こうした基板の特性の相違は、アライメント時の基板１００の計測に影響する場合がある。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）はその説明図である。図７（Ａ）は基板支持ユニット６に支持された基板１００の下方への撓みを例示している。周縁部が支持された基板１００は、自重により中央部付近が下方へ撓む。基板１００の特性の相違により、撓み量Ｈが異なる場合がある。この撓み量Ｈの相違は、マスク１０１に基板１００を接触させる場合等において、第２計測ユニット８と基板１００の基板ファインマーク１００ｂとの相対位置に影響を与える。例えば、撓み量Ｈが大きいと、撓み量Ｈが小さい場合に比べて基板１００とマスク１０１との接触面積が増大し、基板１００の全体的な変形が大きくなる結果、基板ファインマーク１００ｂの位置変化や基板ファインマーク１００ｂが形成されている部分の傾きの変化が生じ得る。基板ファインマーク１００ｂが形成されている部分の傾きが変化すると、第２計測ユニット８によって基板ファインマーク１００ｂを撮影して得られる画像における基板ファインマーク１００ｂが歪む等、変形が生じ得る。これは第２計測ユニット８による基板ファインマーク１００ｂの撮影において、その画像の鮮明度や認識率に影響する場合がある。

図７（Ｂ）は図７（Ａ）とは別の基板１００について、基板１００の撓みが最大量になる位置を例示している。基板１００の剛性分布が均一であれば、基板１００の幅Ｗ０（一方の辺の位置を０とし、もう一方の辺の位置をＷ０とする）に対して、撓みが最大量になる位置Ｗ１は、図７（Ａ）のようにＷ１＝１／２・Ｗ０となるが、剛性分布に偏りがあると、図示の例のように、Ｗ１≠１／２・Ｗ０となる。撓みの最大量となる位置の相違も、マスク１０１に基板１００を接触させる場合等において、基板ファインマーク１００ｂの位置変化や撮影結果の画像における変形が生じたり、左右の基板ファインマーク１００ｂで位置や撮影結果の画像における形状に差が生じ得る。これは第２計測ユニット８による基板ファインマーク１００ｂの撮影において、その画像の鮮明度や認識率に影響する場合がある。

そこで、本実施形態では以下に説明するように、基板１００が切り出された大型基板ＭＧの部位に応じて第２計測ユニット８の計測条件を設定する。これにより、基板１００が切り出された部位に応じて計測条件を異ならせることができ、当該部位に適した計測を行うことができる。

＜制御例＞
制御ユニット１４の処理部１４１が実行する成膜装置１の制御例について説明する。図８及び図９は処理部１４１の処理例を示すフローチャートであり、図１０～図１４はアライメント装置２の動作説明図である。

ステップＳ１で、処理部１４１は、これから処理する基板１００の基板情報を取得する（取得工程）。基板情報は、基板１００が切り出された大型基板ＭＧの部位に関する部位情報（本実施形態では基板１００Ａか基板１００Ｂか）を含む。この情報は、換言すれば、分割される前の大型基板ＭＧにおける相対位置に関する情報であり、「切り出し情報」や「カット情報」とも呼ばれる。このように、処理部１４１は、基板１００が大型基板ＭＧのどの位置から切り出されたかに関する情報を取得する取得手段としての機能を有する。

本実施形態の場合、基板情報は上位装置３００が管理する。上位装置３００は、各基板１００の識別情報と、その基板１００の部位情報（基板１００Ａか基板１００Ｂか）とを対応づけた基板情報を記憶している。そして、上位装置３００が基板１００の処理を制御装置１４等に指示する場合、基板情報を指示先の制御装置１４等に送信する。ステップＳ１では、処理部１４１が通信部１４４を介して上位装置３００から基板情報を受信することで取得する。なお、上位装置３００は、例えば大型基板ＭＧを切断する切断装置（基板分割装置）や製造ラインにおいて成膜装置１よりも上流側に配置されている他の装置、あるいは製造ラインの外部の装置から基板情報を取得してもよいし、製造ラインのオペレータの入力を受け付け、オペレータの入力によって基板情報を取得するようにしてもよい。

ステップＳ２で、真空チャンバ３内に搬送ロボット３０２ａによって基板１００が搬送され、基板支持ユニット６に基板１００が支持される。基板１００はマスク１０１の上方で基板支持ユニット６によって支持され、マスク１０１から離隔した状態に維持される。ステップＳ２及びステップＳ３で基板１００とマスク１０１とのアライメントが行われる。

ステップＳ３では第１アライメントが行われる。ここでは、第１計測ユニット７の計測結果に基づいて、基板１００とマスク１０１との大まかな位置調整を行う。図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）はステップＳ３のアライメント動作を模式的に示している。図１０（Ａ）は第１計測ユニット７による基板ラフマーク１００ａ及びマスクラフマーク１０１ａの計測時の態様を示している。基板１００はその周縁部が載置部６１及び６２に載置され、かつ、載置部６１とクランプ部６６との間に挟持されている。基板１００は、その中央部が自重によって下向きに撓んでいる。プレートユニット９は基板１００の上方に待機している。

第１計測ユニット７により、基板ラフマーク１００ａ及びマスクラフマーク１０１ａの相対位置が計測される。計測結果（基板１００とマスク１０１の位置ずれ量）が許容範囲内であれば第１アライメントを終了する。計測結果が許容範囲外であれば、計測結果に基づいて位置ずれ量を許容範囲内に収めるための制御量（基板１００の変位量）が設定される。なお、以下の説明において「位置ずれ量」とは、位置ずれの量そのものに加えて、位置ずれの方向を含むものとする。ここでいう位置ずれの量は、基板１００およびマスク１０１を同一平面に対してＺ方向に投影した投影図（垂直投影）における、基板１００とマスク１０１との間の距離であり、いわゆる水平距離を指す。設定された制御量に基づいて、位置調整ユニット２０が作動される。これにより、図１０（Ｂ）に示すように、基板支持ユニット６がＸ－Ｙ平面上で変位され、マスク１０１に対する基板１００の相対位置が調整される。

計測結果が許容範囲内であるか否かの判定は、例えば、対応する基板ラフマーク１００ａとマスクラフマーク１０１ａの間の距離をそれぞれ算出し、その距離の平均値や二乗和を、予め設定された閾値と比較することで行うことができる。あるいは、後述する第２アライメントの場合と同様に、基板１００とマスク１０１とを位置合わせするためにそれぞれのマスクラフマーク１０１ａが位置すべき理想的な位置（マスクラフマーク目標位置）を、それぞれのマスクラフマーク１０１ａに対応する基板ラフマーク１００ａからそれぞれ算出してもよい。そして、対応するマスクラフマーク１０１ａとマスクラフマーク目標位置との間の距離をそれぞれ算出し、その距離の平均値や二乗和を、予め設定された閾値と比較することで判定を行ってもよい。

相対位置の調整後、図１０（Ｃ）に示すように、再度、第１計測ユニット７により、基板ラフマーク１００ａ及びマスクラフマーク１０１ａの相対位置が計測される。計測結果が許容範囲内であれば第１アライメントを終了する。計測結果が許容範囲外であれば、マスク１０１に対する基板１００の相対位置が再度調整される。以降、計測結果が許容範囲内となるまで、計測と相対位置調整が繰り返される。第１アライメント中、基板１００は終始マスク１０１から上方に離隔している。したがって、初回の第２アライメント（後述）が行われるまでは、基板１００はマスク１０１から離隔した状態に維持されている。

第１アライメントを終了すると、図８のステップＳ４で第２アライメントが行われる。ここでは第２計測ユニット８の計測結果に基づいて、基板１００とマスク１０１との精密な位置調整を行う。詳細は後述する。

第２アライメントを終了すると、図８のステップＳ５で基板１００をマスク１０１に載置する処理が行われる。ここでは駆動ユニット２２１を駆動して基板支持ユニット６を降下させ、図１３（Ａ）に示すように基板１００とマスク１０１とを重ね合わせる制御を実行する。具体的には、基板支持ユニット６の載置部６１及び６２の上面（基板支持面）の高さがマスク１０１の上面の高さと一致するように、基板支持ユニット６を降下させる。これにより、基板１００はマスク１０１上に載置され、基板支持ユニット６及びマスク１０１によって支持された状態となる。この状態において、基板１００は基板１００の被処理面の全体がマスク１０１と接触する。

続いて第２昇降ユニット１３を駆動してプレートユニット６を降下させ図１３（Ｂ）に示すように基板１００に冷却プレート１０を接触させる。その後、第２昇降ユニット１３を駆動して、冷却プレート１０の高さを維持したまま磁石プレート１１を冷却プレート１０に対して降下させ、１０（Ｃ）に示すように磁石プレート１１を基板１００およびマスク１０１に接近させる。磁石プレート１１をマスク１０１に接近させることで、磁石プレート１１による磁力によりマスク１０１を引き寄せ、マスク１０１を基板１００に密着させることができる。

図８のステップＳ６では、基板１００の周縁部のクランプを解除し、第２計測ユニット８による最終計測（「成膜前計測」とも呼ぶ）を行う。クランプの解除においてはアクチュエータ６４の駆動により、図１４（Ａ）に示すように基板１００の周縁部からクランプ部６６を上昇させる。その後、基板支持ユニット６をさらに降下させて基板支持ユニット６を基板から離隔させるようにしてもよい。これにより、基板１００がマスク１００と冷却プレート１０の２つのみと接触した状態とすることができる。最終計測においては、第２計測ユニット８により、基板１００とマスク１０１の位置ずれ量が計測される。図１４（Ｂ）は第２計測ユニット８による基板ファインマーク１００ｂ及びマスクファインマーク１０１ｂの計測時の態様を示している。４つの第２計測ユニット８により、４組のア基板ファインマーク１００ｂ及びマスクファインマーク１０１ｂの相対位置が計測される。

ステップＳ７で、ステップＳ６での最終計測の計測結果（基板１００とマスク１０１の位置ずれ量）が許容範囲内であるか否かが判定される。許容範囲内であればステップＳ８へ進み、許容範囲外であればステップＳ４へ戻って第２アライメントをやり直す。ステップＳ４へ戻る際には、基板１００の周縁部を再度クランプし、プレートユニット６を上昇させて基板１００から離隔させ、基板１００を上昇させる動作が必要となる。なお、計測結果が許容範囲内であるか否かの判定は、ステップＳ３やステップＳ４と同様に行うことができる。

図８のステップＳ８では成膜処理が行われる。ここでは成膜ユニット４によりマスク１０１を介して基板１００の下面に薄膜が形成される。成膜処理が終了するとステップＳ９で基板１００を搬送ロボット３０２ａにより真空チャンバ３から搬出する。以上により処理が終了する。

＜第２アライメント＞
ステップＳ４の第２アライメントの処理について説明する。図９はステップＳ４の第２アライメントの処理を示すフローチャートである。第２アライメントは、計測動作（ステップＳ１１、Ｓ１２）と、位置調整動作（ステップＳ１４、Ｓ１５）とを含む計測・位置調整動作を、計測動作における計測結果が許容範囲内になるまで繰り返す処理である。

ステップＳ１１では基板１００とマスク１０１とを基板１００の厚み方向（Ｚ方向）に接近させる接近動作が実行される。ここでは、駆動ユニット２２１を駆動して基板支持ユニット６を降下させ、基板１００をマスク１０１に部分的に接触させる。

図１１（Ａ）は接近動作の例を示している。基板１００は、下方へ撓んだ中央部がマスク１０１に接触する高さまで降下されている。基板１００は中央部以外の部分はマスク１０１から離隔している。基板１００とマスク１０１とが部分的に接触するまで基板１００とマスク１０１とを接近させることで、基板１００に形成された基板ファインマーク１００ｂとマスク１０１に形成されたマスクファインマーク１０１ｂとを、被写界深度の浅い第２計測ユニット８によって同時に撮影して位置ずれを計測することができる。

なお、計測の際に基板１００とマスク１０１とを全体的に接触させず、部分的に接触させることで、基板１００に既に形成された薄膜がマスク１０１との接触によって損傷を受けることを可及的に抑制することができる。

第２計測ユニット８によって基板１００とマスク１０１との位置ずれを計測する際、その計測条件はステップＳ１（図８）で取得した基板情報に基づいて設定される。これにより、大型基板ＭＧからの基板１００の切り出し部位に応じて計測条件を変更する。

本実施形態の場合、基板情報に対応して記憶部１４２に格納されている計測条件情報１４２ａを参照する。計測条件情報１４２ａは、基板１００の切り出し部位に起因する計測精度の低下を抑制するための制御情報である。記憶部１４２には、１つの大型基板ＭＧから切り出された基板１００の数（すなわち、分割数）に対応した複数の計測条件情報１４２ａが格納されている。本実施形態の場合、大型基板ＭＧの分割数は２つであり、計測条件情報１４２ａは、基板情報Ａ（基板１００Ａ）に対応した計測条件情報と、基板情報Ｂ（基板１００Ｂ）に対応した計測条件情報とが記憶部１４２に格納されている。

計測条件情報１４２ａは、１又は複数種類のパラメータで構成される。計測条件１４２ａのパラメータは、例えば、第２計測ユニット８による基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂの撮影条件や、撮影画像における基板ファインマーク１００ｂの認識方法のパラメータである。なお、第２計測ユニット８が複数設けられている場合（本実施形態では第２計測ユニット８が４つ設けられている）には、計測条件情報１４２ａはそれぞれの第２計測ユニット８に対応して、記憶部１４２に格納されていてもよい。すなわち、記憶部１４２は、第２計測ユニット８と、基板情報と、に対応付けて計測条件情報１４２ａを記憶していてもよい。

撮影条件の例について図１６（Ａ）を参照して説明する。図１６（Ａ）は第２計測ユニット８の構成例を示す模式図である。第２計測ユニット８は、光軸８０上に配置された撮像素子８１、シャッタ８２、絞り８３、ズームレンズ８４を備える。撮像素子８１は例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサである。撮影条件のパラメータは、例えば、撮像素子８１のＩＳＯ感度、シャッタ８２のシャッタスピード、絞り８３のＦ値（被写界深度）、ズームレンズ８４の焦点距離の少なくともいずれか一つである。なお、ここでは第２計測ユニット８がズームレンズ８４を備え、焦点距離を変更可能な構成としたが、これに限定はされず、第２計測ユニット８の備えるレンズは焦点距離が固定された固定倍率レンズであってもよい。また、第２計測ユニット８の備える光学系は、テレセントリック光学系であることが好ましい。

第２計測ユニット８は、また、基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂを照明する複数種類の照明ユニット８５、８６を備える。撮影条件のパラメータは、例えば、撮影に使用する照明ユニット８５、８６の種類や、複数の照明ユニット８５、８６を併用する場合にはそれぞれの光量（照度）である。照明ユニット８５は同軸落射照明器（同軸落射照明手段）であり、光源８５ａと光軸８０上に配置されたビームスプリッタ８５ｂとを備え、光源８５ａの光をビームスプリッタ８５ｂで反射して基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂを照明する。この照明は、比較的直進性の高い光を放つ照明であり、光軸８０に比較的近い領域を中心として照明することができる。照明ユニット８６は、光軸８０の周囲に１つ又は複数の光源８６ａを環状に配置したリング照明器（非同軸落射照明手段）である。各光源８６ａが基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂを照明する。この照明は、比較的拡散性の高い光を放つ照明であり、光軸８０の周囲が比較的明るく照明される。

撮影画像における基板ファインマーク１００ｂの認識方法の例について図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）を参照して説明する。図１６（Ｂ）は撮影画像ＩＭから、基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂを認識するために解析する複数の認識範囲Ｒ１、Ｒ２を例示している。撮影画像ＩＭの全体を解析することは効率的ではない。そこで、認識範囲をＲ１又はＲ２に絞って解析し、基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂを抽出する。認識方法のパラメータとしては、認識範囲の種類（Ｒ１、Ｒ２）である。基板１００の切り出し部位に起因する基板１００の変形、変位によって基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂの位置変化が生じる場合がある。基板１００の切り出し部位に対応して認識範囲を変更することで、基板ファインマーク１００ｂとマスクファインマーク１０１ｂの認識率を向上できる。

図示の例では、認識範囲Ｒ１、Ｒ２は同じ大きさ、形状で撮影画像ＩＭ上の位置のみが異なる。しかし、異なる大きさや形状の複数種類の認識範囲が選択肢であってもよく、種類の数も３以上であってもよい。

図１６（Ｃ）は撮影画像ＩＭ中の基板ファインマーク１００ｂを認識するための、複数種類のモデルＭ１～Ｍ４を例示している。認識方法のパラメータとしては、認識に使用するモデルＭ１～Ｍ４の種類である。撮影画像中の基板ファインマーク１００ｂの認識においては、例えば、モデルと一致率が最も高い画像中のオブジェクトが基板ファインマーク１００ｂと認識される。基板１００の切り出し部位に起因する基板１００の変形、変位によって基板ファインマーク１００ｂの撮影画像は、実際のマークの形状に対して歪んだマークとなっている可能性があり、単一のモデルとの比較では認識率が低下する場合がある。基板１００の切り出し部位に対応して、認識モデルを選択することで基板ファインマーク１００ｂの認識率を向上できる。

図示の例において、モデルＭ１は基板ファインマーク１００ｂの実形状に比較的近いモデルである。モデルＭ２は基板ファインマーク１００ｂが横方向に縮小されたモデルである。モデルＭ３は基板ファインマーク１００ｂが縦方向に縮小されたモデルである。モデルＭ４は基板ファインマーク１００ｂの実形状に比較的近いモデルであるが、モデルＭ１とは向きが異なっている。なお、モデルＭ１～Ｍ４は例示であり、形状、大きさ等が異なる複数のモデルが選択肢であればよく、その数も４つに限られない。

計測条件情報１４２ａの例はこの他にも、例えば、第２計測ユニット８をＺ方向に昇降する機構を設け、第２計測ユニット８のＺ方向の位置変更も含まれ得る。計測条件情報１４２ａは事前のテスト等によって得ることができる。

図９のステップＳ１２では、ステップＳ１（図８）で取得した基板情報に対応する計測条件情報１４２ａを読み出して計測条件を設定し、第２計測ユニット８により、部分的に接触した基板１００とマスク１０１の位置ずれ量が計測される。図１１（Ｂ）は第２計測ユニット８による基板ファインマーク１００ｂ及びマスクファインマーク１０１ｂの計測時の態様を示している。４つの第２計測ユニット８により、４組の基板ファインマーク１００ｂ及びマスクファインマーク１０１ｂの相対位置が計測される。本実施形態では、大型基板ＭＧからの基板１００の切り出し部位に応じて計測条件が設定されるため、基板１００Ａ、１００Ｂのいずれにおいても、より精度の高い計測を行うことができる。

ステップＳ１２では、第２計測ユニット８による基板ファインマーク１００ｂの計測の後に、計測結果に基づいて、４つの基板ファインマーク１００ｂにそれぞれ対応する４つのマスクファインマーク１０１ｂの目標位置（マスクファインマーク目標位置）をそれぞれ算出する。ここで、マスクファインマーク目標位置は、基板１００とマスク１０１とを位置合わせするためにそれぞれのマスクファインマーク１０１ｂが位置すべき理想的な位置とし、各マークの位置の設計寸法に基づいて算出する。

図９のステップＳ１３では、ステップＳ１２の計測結果（基板１００とマスク１０１の位置ずれ）が許容範囲内か否かが判定される。ここでは、例えば、４組の基板ファインマーク１００ｂ及びマスクファインマーク１０１ｂのそれぞれについて、ステップＳ１２で算出されたマスクファインマーク目標位置と、マスクファインマーク１０１ｂの位置との間の距離をそれぞれ算出する。そして、算出された距離の平均値や二乗和を、予め設定された閾値と比較して、距離が閾値以下であれば許容範囲内と判定され、距離が閾値を超えている場合は許容範囲外と判定される。ステップＳ１３の判定結果が許容範囲内であれば第２アライメントを終了し、許容範囲外であればステップＳ１４へ進む。

ステップＳ１４では基板１００とマスク１０１とを基板１００の厚み方向（Ｚ方向）に離隔させる離隔動作が実行される。ここでは、駆動ユニット２２１を駆動して基板支持ユニット６を上昇させ、基板１００をマスク１０１から離隔させる。図１１（Ｃ）は離隔動作の例を示している。基板１００は、下方へ撓んだ中央部がマスク１０１に接触しない高さまで上昇されている。基板１００はマスク１０１から離隔しており、基板１００はマスク１０１と接触していない。基板１００とマスク１０１とを離隔することで、その後のステップＳ１７の位置調整動作において、基板１００の被成膜領域がマスク１０１と擦れて基板１００に既に形成された薄膜が損傷を受けることを回避できる。

図９のステップＳ１５では、ステップＳ１２の計測結果に基づいて基板１００とマスク１０１の相対位置を調整する位置調整動作が実行される。ここでは、ステップＳ１２の計測結果に基づいて基板１００の変位量が設定され、設定された変位量に基づいて、調整ユニット２０が作動される。これにより、図１２（Ａ）に示すように、基板支持ユニット６がＸ－Ｙ平面上で変位され、マスク１０１に対する基板１００の相対位置が調整される。

ステップＳ１５の処理が終了すると、ステップＳ１１へ戻って同様の処理が繰り返される。すなわち、図１２（Ａ）の位置調整動作の後、図１２（Ｂ）に示すように再び接近動作（ステップＳ１１）が実行され、基板１００の中央部がマスク１０１に接触する高さまで基板１００が降下される。続いて図１２（Ｃ）に示すように再び計測（ステップＳ１２）が実行され、部分的に接触した基板１００とマスク１０１の位置ずれが計測される。

以上の通り、本実施形態では、ステップＳ１２において、大型基板ＭＧにおける基板１００の切り出し部位（基板１００Ａ、１００Ｂ）に応じて、基板１００とマスク１０１との位置ずれを計測するための計測条件を設定した。これにより、切り出し部位に起因する第２計測ユニット８の撮影画像の鮮明度やマークの認識率の低下を抑制して計測を行うことができる。この結果、計測精度を向上でき、切り出し部位の相違によるアライメント精度や時間のばらつきを抑制することができる。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図１に例示した成膜ブロック３０１が、製造ライン上に、例えば、３か所、設けられる。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１５（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図１５（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。

図１５（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。

なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。

図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１５（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。

なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。

図１５（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。

赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。

なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。

第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層５９の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層５９の形成後に、基板５３を分割する分割工程が実行される。

絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜室３０３に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。

次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜室３０３に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。

赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜室３０３において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜室３０３において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜室３０３において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜室３０３に移動し、第２電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜室３０３～第６の成膜室３０３では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜室３０３における第２電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２電極６８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。

ここで、第１の成膜室３０３～第６の成膜室３０３での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板５３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板５３を載置して成膜が行われる。ここで、各成膜室において行われるアライメント工程は、上述のアライメント工程の通り行われる。

＜他の実施形態＞
上記実施形態では、計測条件情報１４２ａを、各制御装置１４の記憶部１４２に格納する構成とした。しかし、計測条件情報１４２ａは上位装置３００に、制御装置１４毎に区別して格納し、各制御装置１４は通信により上位装置３００から計測条件情報１４２ａを取得してもよい。

また、上記実施形態では、基板情報に基づく計測条件の設定を、第２アライメントにおいて行ったが第１アライメントで行ってもよい。第１アライメントにおいても、切り出し部位に起因する基板１００の撓み量や最大撓み位置の変動によって、計測精度に影響が生じる場合があり、基板上に基づいて第１計測ユニット７の計測条件を設定することで、計測精度を向上できる。

また、上記実施形態では、第２アライメントにおいて、基板１００とマスク１０１とを部分的に接触して位置ずれを計測したが、接触せずに両者を近接した状態で計測してもよい。

また、上記実施形態では、制御装置１４が基板情報を上位装置３００から取得した（ステップＳ１）。しかし、基板情報は、例えば、搬送ロボット３０２ａを制御する制御装置３０９から通信により取得してもよい。

また、上記実施形態では、制御装置１４が基板情報を上位装置３００から通信により取得した（ステップＳ１）。しかし、基板情報は、例えば、各基板１００に、基板情報を示すコードを付与しておき、コードを読み取ることで制御装置１４が取得してもよい。コードの読取ユニットは制御装置１４と電気的に接続され、成膜室３０３に配置されてもよいし、成膜装置１に設けられてもよい。

本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１ 成膜装置、２ アライメント装置、５ マスク台（マスク支持手段）、６ 基板支持ユニット（基板支持手段）、８ 第２計測ユニット（計測手段）、１４１ 処理部（制御手段、取得手段）、１４２ 記憶部（記憶手段）、２０ 位置調整ユニット（位置調整手段）、２２ 距離調整ユニット（距離調整手段）、１００ 基板、１０１ マスク

Claims (16)

1. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段と、
   マスクを支持するマスク支持手段と、
   前記基板の基板アライメントマークと前記マスクのマスクアライメントマークとを撮影し、撮影画像に基づいて前記基板と前記マスクの位置ずれ量を計測する計測手段と、
   前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する位置調整手段と、
   前記計測手段及び前記位置調整手段を制御する制御手段と、を備え、
   前記位置ずれ量が許容範囲内である場合に、前記基板と前記マスクとを互いに重ね合わせるアライメント装置であって、
   前記基板支持手段によって支持されている基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
   前記制御手段は、前記取得手段が取得した前記基板情報に基づいて、前記位置ずれ量の計測条件として、撮影条件、及び、前記基板アライメントマークの認識方法、の少なくともいずれか一つを設定し、
   前記撮影条件は、照明方法、照明の照度、焦点距離、シャッタスピード、ＩＳＯ感度、絞りの少なくともいずれか一つを含む、
   ことを特徴とするアライメント装置。
2. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段と、
   マスクを支持するマスク支持手段と、
   前記基板の基板アライメントマークと前記マスクのマスクアライメントマークとを撮影し、撮影画像に基づいて前記基板と前記マスクの位置ずれ量を計測する計測手段と、
   前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する位置調整手段と、
   前記計測手段及び前記位置調整手段を制御する制御手段と、を備え、
   前記位置ずれ量が許容範囲内である場合に、前記基板と前記マスクとを互いに重ね合わせるアライメント装置であって、
   前記基板支持手段によって支持されている基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
   前記計測手段は、前記取得手段が取得した前記基板情報によって、撮影条件、及び、前記基板アライメントマークの認識方法、の少なくともいずれか一つが異なる計測条件で前記位置ずれ量を計測し、
   前記撮影条件は、照明方法、照明の照度、焦点距離、シャッタスピード、ＩＳＯ感度、絞りの少なくともいずれか一つを含む、
   ことを特徴とするアライメント装置。
3. 前記計測手段は、同軸落射照明手段と、非同軸落射照明手段と、を含み、
   前記撮影条件は、前記同軸落射照明手段と前記非同軸落射照明手段のそれぞれの照度を含む、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のアライメント装置。
4. 前記認識方法は、前記撮影画像中の認識範囲を含む
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のアライメント装置。
5. 前記認識方法は、前記基板アライメントマークを認識するモデルを含む、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のアライメント装置。
6. 前記基板支持手段と前記マスク支持手段との重力方向の距離を調整する距離調整手段をさらに備え、
   前記基板支持手段は、前記基板の周縁部を支持し、
   前記計測手段は、前記距離調整手段によって前記基板と前記マスクとを部分的に接触させた状態で、前記位置ずれ量を計測する計測動作を行い、
   前記位置調整手段は、前記距離調整手段によって前記基板と前記マスクとを離隔させた状態で、前記相対位置を調整する位置調整動作を行う、
   ことを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載のアライメント装置。
7. 前記位置ずれ量が許容範囲内になるまで前記計測動作と前記位置調整動作とが繰り返し実行される、
   ことを特徴とする請求項６に記載のアライメント装置。
8. 前記位置調整手段は、前記基板支持手段を移動させて前記相対位置を調整し、
   前記距離調整手段は、前記基板支持手段を移動させて前記距離を調整する、
   ことを特徴とする請求項６又は７に記載のアライメント装置。
9. 前記基板支持手段は、前記基板の前記周縁部の少なくとも一部を挟持する挟持部を含む、
   ことを特徴とする請求項６又は７に記載のアライメント装置。
10. 前記基板情報に対応づけられた計測条件情報を記憶する記憶手段をさらに備え、
    前記制御手段は、
    前記取得手段によって取得した前記基板情報に基づいて、当該基板情報に対応した計測条件情報を前記記憶手段から読み出すことにより、前記位置ずれ量の計測条件を設定する、
    ことを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載のアライメント装置。
11. 請求項１～１０のいずれか１項に記載のアライメント装置と、
    前記マスクを介して前記基板上に成膜する成膜手段と、を備える
    ことを特徴とする成膜装置。
12. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する支持工程と、
    前記基板の基板アライメントマークとマスクのマスクアライメントマークとを撮影し、撮影画像に基づいて前記基板と前記マスクとの位置ずれ量を計測する計測工程と、
    前記計測工程の後に、前記計測工程で計測された前記位置ずれ量に基づいて前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する位置調整工程と、を備え、
    前記位置ずれ量が許容範囲内である場合に、前記基板と前記マスクとを互いに重ね合わせるアライメント方法であって、
    前記計測工程の前に、前記位置ずれ量の計測を行う基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得工程を備え、
    前記取得工程で取得した前記基板情報に基づいて、前記計測工程における前記位置ずれ量の計測条件として、撮影条件、及び、前記基板アライメントマークの認識方法の少なくともいずれか一つが設定され、
    前記撮影条件は、照明方法、照明の照度、焦点距離、シャッタスピード、ＩＳＯ感度、絞りの少なくともいずれか一つを含む、
    ことを特徴とするアライメント方法。
13. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する支持工程と、
    前記基板の基板アライメントマークとマスクのマスクアライメントマークとを撮影し、撮影画像に基づいて前記基板と前記マスクとの位置ずれ量を計測する計測工程と、
    前記計測工程の後に、前記計測工程で計測された前記位置ずれ量に基づいて前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する位置調整工程と、を備え、
    前記位置ずれ量が許容範囲内である場合に、前記基板と前記マスクとを互いに重ね合わせるアライメント方法であって、
    前記計測工程の前に、前記位置ずれ量の計測を行う基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得工程を備え、
    前記計測工程では、前記取得工程で取得した前記基板情報によって、撮影条件、及び、前記基板アライメントマークの認識方法、の少なくともいずれか一つが異なる計測条件で前記位置ずれ量を計測し、
    前記撮影条件は、照明方法、照明の照度、焦点距離、シャッタスピード、ＩＳＯ感度、絞りの少なくともいずれか一つを含む、
    ことを特徴とするアライメント方法。
14. 請求項１２又は１３に記載のアライメント方法によって基板とマスクのアライメントを行うアライメント工程と、
    前記アライメント工程によって相対的な位置調整が行われた前記マスクを介して前記基板に成膜を行う成膜工程と、を含む、
    ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
15. 請求項１２又は１３に記載のアライメント方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
16. 請求項１２又は１３に記載のアライメント方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

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