JP2022007540A - アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】大型基板から切り出された基板のエッジアライメントに関し、搬送先の成膜室におけるアライメントの精度の低下を抑制する
【解決手段】 アライメント装置は、大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段と、基板支持手段に支持された基板のエッジを検知するエッジ検知手段と、基板支持手段に支持された基板の位置を調整する位置調整手段と、位置調整手段を制御する制御手段と、を備える。取得手段は、基板支持手段に支持されている基板の、分割前の大型基板における部位に関する基板情報を取得する。制御手段は、エッジ検知手段によって検知された基板のエッジの位置情報と、取得手段によって取得された基板情報と、に基づいて、位置調整手段を制御する。
【選択図】図９

Description

本発明は、アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体に関する。

有機ＥＬディスプレイ等の製造では、基板を搬送する搬送ロボットが設けられる搬送室と、その周囲に配置された複数の成膜室とを含むブロックを複数繋げて製造ラインを構成することがある。このような製造ラインでは、上流側のブロックに基板が搬入されると、基板は複数の成膜工程を経ながら順次下流に流れていき、下流側のブロックから搬出される。特許文献１には、隣接するブロックの間に基板を受け渡すための受渡室が設けられる構成が開示されている。また、特許文献１では、受渡室において、基板のエッジを検知し、その検知結果に基づいて基板の位置を調整するエッジアライメントが実行される。このエッジアライメントは、成膜室にて行われる、基板及びマスクに形成されたアライメントマークを用いたアライメントを効率的に実行するための予備的なアライメントとして位置づけられる。

特開２０１９－１９２８９８号公報

有機ＥＬディスプレイは、様々な成膜工程によって基板上に複数の層が形成されることで製造される。このとき、製造ラインの都合により、ある工程までは大型基板（マザーガラスとも称する）に対して処理を行い、その後その大型基板を切断して複数のより小さい基板に分割し、それ以降の工程では分割した基板に対して成膜等の処理を行う場合がある。例えば、スマートフォン用の有機ＥＬディスプレイの製造においては、バックプレーン工程（ＴＦＴ形成工程や陽極形成工程等）は第６世代の大型基板（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）に対して成膜処理等が行われる。その後、この大型基板を半分に切断し、第６世代のハーフカット基板（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）とし、その後の工程はこの第６世代のハーフカット基板に対して成膜等の処理が行われる。

しかし、大型基板から切り出された基板においては、大型基板のどの部位から切り出されたかによって（例えば、マザーガラスの左側半分の部分なのか、或いは右側半分の部分なのかによって）、サイズ等の基板の特性が異なる場合がある。基板のサイズが異なる場合、エッジを基準とした基板の中心位置と、アライメントマークを基準とした基板の中心位置との位置関係がばらつくことがある。よって、サイズの異なる基板に対してエッジアライメントが実行され、その後基板が成膜室に搬送されると、アライメントマークを基準とした基板の中心位置がばらつくことがある。このばらつきは、成膜室におけるアライメントに影響を及ぼすことがある。

本発明は、大型基板から切り出された基板のエッジアライメントに関し、搬送先の成膜室におけるアライメントの精度の低下を抑制する技術を提供するものである。

本発明によれば、
大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段と、
前記基板支持手段に支持された前記基板のエッジを検知するエッジ検知手段と、
前記基板支持手段に支持された前記基板の位置を調整する位置調整手段と、
前記位置調整手段を制御する制御手段と、
を備えるアライメント装置であって、
前記基板支持手段に支持されている基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
前記制御手段は、前記エッジ検知手段によって検知された前記基板のエッジの位置情報と、前記取得手段によって取得された前記基板情報と、に基づいて、前記位置調整手段を制御する、
ことを特徴とするアライメント装置が提供される。

本発明によれば、大型基板から切り出された基板のエッジアライメントに関し、搬送先の成膜室におけるアライメントの精度の低下を抑制する技術を提供することができる。

電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。 一実施形態に係る成膜装置の概略図。 エッジアライメント装置の概要を説明する図。 支持ユニットの構成を模式的に示す平面図。 （Ａ）～（Ｃ）は、支持ユニットに支持された基板の搬出動作を説明する図。 エッジアライメントの概要を示す図で。 大型基板とカット基板の例を示す図。 アライメントマークを基準とした中心位置とエッジを基準とした中心位置の差を説明する図。 （Ａ）は処理部３１１１の処理例を示すフローチャート、（Ｂ）電子デバイスの製造ラインの動作例を示すフローチャート。 記憶部３１１２が管理する情報の例を示す図。 （Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜電子デバイスの製造ライン＞
図１は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図１の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板１００が成膜ブロック３０１に順次搬送され、基板１００に有機ＥＬの成膜が行われる。

成膜ブロック３０１には、平面視で八角形の形状を有する搬送室３０２の周囲に、基板１００に対する成膜処理が行われる複数の成膜室３０３ａ～３０３ｄと、使用前後のマスクが収納されるマスク格納室３０５とが配置されている。搬送室３０２には、基板１００を搬送する搬送ロボット３０２ａが配置されている。換言すれば、成膜ブロック３０１は、搬送ロボット３０２ａの周囲を取り囲むように複数の成膜室３０３ａ～３０３ｄが配置されたクラスタ型の成膜ユニットである。なお、成膜室３０３ａ～３０３ｄを総称する場合、或いは、区別しない場合は成膜室３０３と表記する。

基板１００の搬送方向（矢印方向）で、成膜ブロック３０１の上流側、下流側には、それぞれ、バッファ室３０６、旋回室３０７、受渡室１６（パス室）が配置されている。製造過程において、各室は真空状態に維持される。なお、図１においては成膜ブロック３０１を１つしか図示していないが、本実施形態に係る製造ラインは複数の成膜ブロック３０１を有しており、複数の成膜ブロック３０１が、バッファ室３０６、旋回室３０７、受渡室３０８で構成される連結装置で連結された構成を有する。なお、連結装置の構成はこれに限定はされず、例えばバッファ室３０６又は受渡室３０８のみで構成されていてもよい。

搬送ロボット３０２ａは、上流側の受渡室１６から搬送室３０２への基板１００の搬入、成膜室３０３間での基板１００の搬送、マスク格納室３０５と成膜室３０３との間でのマスクの搬送、及び、搬送室３０２から下流側のバッファ室３０６への基板１００の搬出、を行う。

バッファ室３０６は、製造ラインの稼働状況に応じて基板１００を一時的に格納するための室である。バッファ室３０６には、複数枚の基板１００を基板１００の被処理面（被成膜面）が重力方向下方を向く水平状態を保ったまま収納可能な多段構造の基板収納棚（カセットとも呼ばれる）と、基板１００を搬入又は搬出する段を搬送位置に合わせるために基板収納棚を昇降させる昇降機構とが設けられる。これにより、バッファ室３０６には複数の基板１００を一時的に収容し、滞留させることができる。

旋回室３０７は基板１００の向きを変更する装置を備えている。本実施形態では、旋回室３０７は、旋回室３０７に設けられた搬送ロボット（不図示）によって基板１００の向きを１８０度回転させる。旋回室３０７に設けられた搬送ロボットは、バッファ室３０６で受け取った基板１００を支持した状態で１８０度旋回し受渡室３０８に引き渡すことで、バッファ室３０６内と受渡室３０８とで基板の前端と後端が入れ替わる。これにより、成膜室３０３に基板１００を搬入する際の向きが、各成膜ブロック３０１で同じ向きになるため、基板１００に対する成膜のスキャン方向やマスクの向きを各成膜ブロック３０１において一致させることができる。このような構成とすることで、各成膜ブロック３０１においてマスク格納室３０５にマスクを設置する向きを揃えることができ、マスクの管理が簡易化されユーザビリティを高めることができる。

受渡室１６は、旋回室３０７の装置により搬入された基板１００を下流の成膜ブロック３０１の搬送ロボット３０２ａに受け渡すための室である。本実施形態では、後述するように、受渡室１６において基板１００のエッジの位置を基準とした位置合わせであるエッジアライメントを行う。この点から観れば、本実施形態の受渡室１６は、基板１００のエッジアライメント装置としての機能を有している。以下、受渡室１６をエッジアライメント装置１６と称する場合がある。

製造ラインの制御系は、ホストコンピュータとしてライン全体を制御する上位装置３００と、各構成を制御する制御装置１４ａ～１４ｄ、３０９、３１０、３１１とを含み、これらは有線又は無線の通信回線３００ａを介して通信可能である。制御装置１４ａ～１４ｄ（第２の制御手段）は、成膜室３０３ａ～３０３ｄに対応して設けられ、後述する成膜装置１を制御する。なお、制御装置１４ａ～１４ｄを総称する場合、或いは、区別しない場合は制御装置１４と表記する。

制御装置３０９は、搬送ロボット３０２ａを制御する。制御装置３１０は旋回室３０７の装置を制御する。制御装置３１１は、後述するエッジアライメント装置１６を制御する。上位装置３００は、基板１００に関する情報や搬送タイミング等の指示を各制御装置１４、３０９、３１０、３１１に送信し、各制御装置１４、３０９、３１０、３１１は受信した指示に基づき各構成を制御する。

＜成膜装置の概要＞
図２は本発明の一実施形態に係る成膜装置１の概略図である。成膜装置１は、基板１００に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク１０１を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置１で成膜が行われる基板１００の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの物質である。成膜装置１は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置１が真空蒸着によって基板１００に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやＣＶＤ等の各種成膜方法を適用可能である。なお、各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。

成膜装置１は、箱型の真空チャンバ３を有する。真空チャンバ３の内部空間３ａは、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。本実施形態では、真空チャンバ３は不図示の真空ポンプに接続されている。なお、本明細書において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。真空チャンバ３の内部空間３ａには、基板１００を水平姿勢で支持する基板支持ユニット６、マスク１０１を支持するマスク台５（マスク支持手段）、成膜ユニット４（成膜手段）、プレートユニット９が配置される。マスク１０１は、基板１００上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、マスク台５の上に固定されている。マスク１０１としては、枠状のマスクフレームに数μｍ～数十μｍ程度の厚さのマスク箔が溶接固定された構造を有するマスクを用いることができる。マスク１０１の材質は特に限定はされないが、インバー材などの熱膨張係数の小さい金属を用いることが好ましい。成膜処理は、基板１００がマスク１０１の上に載置され、基板１００とマスク１０１とが互いに重ね合わされた状態で行われる。

プレートユニット９は、成膜時に基板１００を冷却する冷却プレート１０と、磁力によってマスク１０１を引き寄せ基板１００とマスク１０１とを密着させる磁石プレート１１と、を備える。プレートユニット９は、例えばボールねじ機構等を備えた昇降ユニット１３によりＺ方向に昇降可能に設けられている。

成膜ユニット４は、ヒータ、シャッタ、蒸発源の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成され、蒸着物質を基板１００に蒸着する蒸着源である。より具体的には、本実施形態では、成膜ユニット４は複数のノズル（不図示）がＸ方向に並んで配置され、それぞれのノズルから蒸着材料が放出されるリニア蒸発源である。成膜ユニット４は、蒸発源移動機構（不図示）によってＹ方向（成膜室３０３と搬送室３０２の接続部から遠ざかる方向）に往復移動される。

また、成膜装置１は、基板１００とマスク１０１とのアライメントを行うアライメント装置２（第２のアライメントユニット）を備える。概略として、アライメント装置２は、カメラ（撮像装置、アライメントマーク検知手段）７、８により基板１００及びマスク１０１に形成されたアライメントマークを検知し、この検知結果に基づいて基板１００とマスク１０１との相対位置を調整する。カメラ７、８は、真空チャンバ３の上壁の上方に配置され、上壁に形成された窓部（不図示）を介して真空チャンバ３内の画像を撮像可能である。カメラ７、８は、真空チャンバ３内に配置された基板１００に設けられた基板アライメントマークとマスク１０１に設けられたマスクアライメントマークとを撮像する。得られた画像を不図示の画像処理手段によって処理することによって、基板１００とマスク１０１の位置情報を取得することができる。

アライメント装置２は、基板１００の周縁部を支持する基板支持ユニット６（第２の基板支持手段）を備える。基板支持ユニット６は、互いにＸ方向に離間して設けられ、Ｙ方向に延びる一対のベース部６２と、ベース部６２から内側へ突出した複数の爪状の載置部６１を備える。なお、載置部６１は「受け爪」又は「フィンガ」とも呼ばれることがある。複数の載置部６１は一対のベース部６２のそれぞれに間隔を置いて配置されている。載置部６１には基板１００の周縁部の長辺側の部分が載置される。ベース部６２は複数の支柱６４を介して梁部材２２２に吊り下げられている。

本実施形態のようにベース部６２がＸ方向に離間して一対に基板１００の短辺側にベース部６２が形成されない構成により、搬送ロボット３０２ａが載置部６１へと基板を受け渡す際の、搬送ロボット３０２ａとベース部６２との干渉を抑制することができる。しかしながら、ベース部６２は、基板１００の周縁部全体を囲うような矩形枠状であってもよい。これにより、基板１００の搬送及び受け渡しの効率を向上させることができる。また、ベース部６２は、部分的に切り欠きがある矩形枠状であってもよい。部分的に切り欠きがある矩形枠状とすることにより、搬送ロボット３０２ａが載置部６１へと基板を受け渡す際の、搬送ロボット３０２ａとベース部６２との干渉を抑制することができ、基板１００の搬送及び受け渡しの効率を向上させることができる。

基板支持ユニット６は、また、クランプユニット６３を備える。クランプユニット６３は、複数のクランプ部６６を備える。各クランプ部６６は各載置部６１に対応して設けられており、クランプ部６６と載置部６１とで基板１００の周縁部を挟んで保持することが可能である。基板１００の支持態様としては、このようにクランプ部６６と載置部６１とで基板１００の周縁部を挟んで保持する態様の他、クランプ部６６を設けずに載置部６１に基板１００を載置するだけの態様を採用可能である。

また、アライメント装置２は、基板支持ユニット６により周縁部が支持された基板１００と、マスク１０１との相対位置を調整する調整ユニット２０（第２の位置調整手段）を備える。調整ユニット２０は、カメラ７、８による基板１００及びマスク１０１に設けられたアライメント用マークの検知結果等に基づいて基板支持ユニット６をＸ－Ｙ平面上で変位することにより、マスク１０１に対する基板１００の相対位置を調整する。本実施形態では、マスク１０１の位置を固定し、基板１００を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク１０１を変位させて調整してもよく、或いは、基板１００とマスク１０１の双方を変位させてもよい。

また、アライメント装置２は、基板支持ユニット６を昇降することで、基板支持ユニット６によって周縁部が支持された基板１００とマスク１０１とを基板１００の厚み方向（Ｚ方向）に接近及び離隔（離間）させる接離ユニット２２を備える。換言すれば、接離ユニット２２は、基板１００とマスク１０１とを重ね合わせる方向に接近させることができる。接離ユニット２２としては、例えばボールねじ機構を採用した電動アクチュエータ等が用いられてもよい。

＜エッジアライメント装置＞
図３～６を用いてエッジアライメント装置１６（アライメント装置、第１のアライメントユニット）について説明する。図３は、エッジアライメント装置１６の概要を説明する図である。図４は支持ユニット１６１の構成を模式的に示す平面図である。

エッジアライメント装置１６は、外部装置である旋回室３０７内の装置から搬送されてきた基板１００のエッジを検知し、その検知結果に基づいて基板１００の位置調整を行うエッジアライメントを行う。なお、図３及び後述する図４～６、８では基板１００の搬送方向（図中の矢印方向）をＹ方向とする、エッジアライメント装置１６に対して固定された座標系が示されている。すなわち、図２のＸＹ方向と図３～５のＸＹ方向とは必ずしも一致しない。

エッジアライメント装置１６は、支持ユニット１６１（基板支持手段、第１の基板支持手段）、位置調整機構１６２（位置調整手段、第１の位置調整手段）、検知ユニット１６３（検知手段）、チャンバ１６４（容器）、及び基準部材１６５（図６参照）を有する。

支持ユニット１６１は、外部装置から搬送されてくる基板１００を支持するものであり、基板ステージとも称されることがある。本実施形態では、旋回室３０７から搬送されてくる基板１００を支持する。しかしながら、製造ラインにバッファ室３０６及び旋回室３０７が設けられない場合、上流側の搬送ロボット３０２ａから搬送されてくる基板１００を支持し得る。支持ユニット１６１は、チャンバ１６４の内部において基板１００を支持する支持部１６１１と、支持部１６１１をチャンバ１６４外部の位置調整機構に接続するシャフト１６１２とを含む。

支持部１６１１は、基板１００の搬送方向に交差するＸ方向に離間して設けられる一対の枠部材１６１１ａと、枠部材１６１１ａから内側に延びて設けられ、基板１００を受ける複数の受け爪１６１１ｂとを含む。枠部材１６１１ａは、基板１００の搬送方向（Ｙ方向）に延びる長尺状の部分と、この長尺状の部分の両端から他方の枠部材１６１１ａ側（Ｘ方向）へと延びる部分とを含んで構成される。受け爪１６１１ｂは枠部材１６１１ａのＹ方向に延びる部分及びＸ方向に延びる部分のそれぞれに設けられる。複数の受け爪１６１１ｂにより、基板１００の周縁部が支持される。

シャフト１６１２は、チャンバ１６４に形成された開口を介して支持部１６１１をチャンバ１６４の外部の位置調整機構に接続する。シャフト１６１２は、真空ベローズ等の周知の技術によりチャンバ１６４内の真空状態を維持しながらチャンバ１６４に対して相対移動が可能に構成される。

図５（Ａ）～（Ｃ）は、支持ユニット１６１に支持された基板１００の搬出動作を説明する図である。まず、エッジアライメント装置１６の下流側の搬送ロボット３０２ａは、そのロボットハンドを支持部１６１１に支持された基板１００の下方に移動させる（図５（Ａ）（Ｂ））。その後、下流側の搬送ロボット３０２ａは、そのロボットハンドを支持部１６１１よりも上方に移動させることにより、基板を持ち上げる（図５（Ｃ））。本実施形態では、一対の枠部材１６１１ａがＸ方向に離間して設けられるため、搬送ロボット３０２ａは一対の枠部材１６１１ａの間を通って基板を持ち上げることができる。なお、上流側の装置が支持部１６１１に基板１００を載置する際は、上述の説明と逆の動作を行う。

再び図３を参照する。位置調整機構１６２は、支持ユニット１６１に支持された基板１００の位置を調整可能な機構である。本実施形態では、位置調整機構１６２は、支持ユニット１６１をＸ－Ｙ方向に移動させたり、Ｚ軸回りに回転させたりしてＸ－Ｙ平面上で変位させることにより、基板１００の位置調整を行うことができる。例えば、位置調整機構１６２は、設置場所に対して固定された固定部材（不図示）と、固定部材に対してＸＹ方向に移動可能であり、シャフト１６１２に接続する可動部材（不図示）とを含んでもよい。そして、位置調整機構１６２は、Ｘ方向に伸縮可能な１つの電動シリンダ、及び、Ｙ方向に伸縮可能でありＸ方向に離間して設けられる２つの電動シリンダにより、可動部材を変位させることにより、支持ユニット１６１をＸ－Ｙ平面上で変位させてもよい。

検知ユニット１６３は、支持ユニット１６１に支持された基板１００のエッジを検知する。本実施形態では、検知ユニット１６３はカメラであり、基板１００の対角線上の２つの角の周囲を検知可能なように２つ設けられている。本実施形態では、検知ユニット１６３はチャンバ１６４の外部に設けられ、チャンバ１６４の底面に設けられた透明窓を介して基板１００のエッジを検知する。また、本実施形態では、検知ユニット１６３は、チャンバ１６４の内部に設けられた、基準部材１６５が有する基準マークを検知する（図６参照）。なお、本明細書において、基板の「エッジ」は基板の端部全般を指し、「辺」だけでなく「角」も含む。

チャンバ１６４は、その内部空間１６４ａを真空状態に保つ容器であり、支持ユニット１６１の支持部１６１１を収容する。なお、位置調整機構１６２や検知ユニット１６３等がチャンバ１６４内に収容される構成も採用可能である。また、本実施形態では、チャンバ１６４には後述の基準部材１６５が固定されている。

制御装置３１１は、エッジアライメント装置１６の全体を制御する。さらに言えば、制御装置３１１は、位置調整機構１６２を制御する。制御装置３１１は、処理部３１１１（制御手段、第１の制御手段）、記憶部３１１２、入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）３１１３及び通信部３１１４を備える。

処理部３１１１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサであり、記憶部３１１２に記憶されたプログラムを実行してエッジアライメント装置１６を制御する。記憶部３１１２は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等の記憶デバイス（記憶手段）であり、処理部３１１１が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。Ｉ／Ｏ（Input/Output）３１１３は、処理部３１１１と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部３１１４は通信回線３００ａを介して上位装置３００と通信を行う通信デバイスであり、処理部３１１１は通信部３１１４を介して上位装置３００から情報を受信し、或いは、上位装置３００へ情報を送信する。なお、制御装置３１１の全部又は一部がＰＬＣ（Programmable Logic Controller）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）で構成されてもよい。

＜エッジアライメントの概略＞
図６は、エッジアライメントの概要を示す図であり、チャンバ１６４内部を下側から見た図である。エッジアライメント装置１６によるエッジアライメントは、上述の成膜装置１のアライメント装置２によるアライメントとの関係でいうと、アライメント装置２によるアライメントを効率的に実施するための予備的なアライメントに相当する。支持ユニット１６１に支持された基板１００の位置がばらついていると、基板１００が成膜装置１に搬送された際の基板支持ユニット６に対する基板１００の位置もばらつくこととなる。基板支持ユニット６に載置された基板１００の初期の位置、より具体的には基板１００に形成されているアライメントマーク１００２の位置、がばらつくと、初期の位置によってはアライメント装置２によるアライメント時間が長くなってしまったり、アライメント精度が低下してしまったりする場合があり、タクトタイムやアライメント精度が安定しなくなる。そこで、本実施形態では、成膜装置１に基板１００が搬送された際の、成膜装置１に対する基板１００の搬入位置の位置ずれを低減するために、エッジアライメント装置１６でエッジアライメントを実行する。

まず、処理部３１１１は、検知ユニット１６３による検知処理を実行する。図６に示すように、検知ユニット１６３は、検知範囲１６３ａ内の基板１００のエッジ１００１及び基準部材１６５の基準マーク１６５１を検知する。

次に、処理部３１１１は、検知した基板１００の２つのエッジ１００１の位置情報に基づいて基板１００の中心位置Ｃ１を算出するとともに、検知した２つの基準マーク１６５１の位置情報に基づいて基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２を算出する。本実施形態では、基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２を、エッジアライメントにおける位置合わせのための基準位置として用いる。本実施形態では、記憶部３１１２には、検知範囲１６３ａ内の座標系（カメラ座標系）と、エッジアライメント装置１６全体における座標系（ワールド座標系）とを紐付けた情報が記憶されている。処理部３１１１は、それぞれの検知ユニット１６３の検知結果と、記憶部３１１２に記憶された情報と、に基づいて、基板１００の中心位置Ｃ１及び基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２のワールド座標系における位置情報を算出する。

続いて、処理部３１１１は、基板１００の中心位置Ｃ１が基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２と一致するように、位置調整機構１６２により支持ユニット１６１の位置を調整する。以上で、エッジアライメントが終了する。なお、処理部３１１１は、検知ユニット１６３の検知結果に基づいて、基板１００の中心位置Ｃ１を算出することに加えて基板１００の角度を算出してもよい。そして、処理部３１１１は、基板１００の角度が基準となる角度に一致するように、位置調整機構１６２により基板１００をＺ軸回りに回転させてもよい。なお、基準となる角度は、検知ユニット１６３で検知した基準マーク１６５１の位置情報に基づいて算出することができる。

＜基板＞
本実施形態の基板１００は、大型基板から切り出されたカット基板である。図７は大型基板とカット基板の例を示す図である。大型基板ＭＧは、第６世代フルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）のマザーガラスであり、矩形形状を有している。大型基板ＭＧの一部の角部には、大型基板ＭＧの向きを特定するためのオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。

なお、ここでは大型基板ＭＧの４つの角部のうちの１つの角部のみが切り落とされてオリエンテーションフラットＯＦが形成されている例を示したが、これに限定はされず、４つの角部全てが切り落とされているものの、１つの角部が他に比べて大きく切り落とされることで、オリエンテーションフラットＯＦが形成されてもよい。この場合には、他の角部と異なる形状に切り落とされている部分を、オリエンテーションフラットＯＦと捉えることができる。

上述の通り、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬディスプレイの製造においては、バックプレーン工程（ＴＦＴ形成工程や陽極形成工程等）は第６世代フルサイズの大型基板ＭＧに対して成膜処理等が行われる。その後、この大型基板ＭＧが半分に切断され（切り出し工程）、切断して得られた第６世代のハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板１００が、本実施形態に係る製造ラインのうちの有機層の成膜を行う成膜ブロック３０１へと搬入される。成膜ブロック３０１に搬入される基板１００は、大型基板ＭＧから切り出して得られた２種類の分割基板のいずれかであり、本実施形態においては基板１００Ａ又は基板１００Ｂである。大型基板ＭＧは、その一辺である基準辺から距離Ｌの位置の切断線ＣＴＬで切断され、基板１００Ａと基板１００Ｂとが得られる。図１に例示した製造ラインにおいては、基板１００Ａと基板１００Ｂとが混在して、基板１００として搬送され、各種の処理が行われる。

なお、ここでは大型基板ＭＧを半分に切断するものとしたが、これに限定はされず、大型基板ＭＧを切断して、略同じ大きさの複数の基板に分割すればよい。例えば、大型基板ＭＧを４分割して４つの基板１００とし、これを成膜ブロック３０１に搬入するようにしてもよい。

基板１００Ａと基板１００Ｂとはサイズや剛性分布といった基板の特性が異なる場合がある。例えば、基板１００Ａは短辺の長さがＬに採寸された基板となるが、基板１００Ｂは短辺の長さが採寸されておらず、基板１００Ａと基板１００Ｂとでは短辺の長さが異なる場合がある。この短辺の長さの相違は、基板１００が成膜装置１に搬入された際の初期の位置ずれに影響を及ぼす場合がある。以下、詳述する。

図８は、基板１００Ａ又は基板１００Ｂの、アライメントマークを基準とした中心位置とエッジを基準とした中心位置の差を説明する図である。本実施形態では、基板１００Ａは、短辺の長さがＬに採寸されているため、アライメント装置２でのアライメントに用いられるアライメントマーク１００２を基準とした中心位置と、エッジ１００１を基準とした中心位置とが一致する（中心位置Ｃ１０）。一方、基板１００Ｂは、短辺の長さが採寸されておらず、図８の例では短辺の長さＬＢが長さＬよりも長くなっている。このため、アライメントマーク１００２を基準とした中心位置Ｃ１１１とエッジ１００１を基準とした中心位置Ｃ１１２とに距離ｃのずれが生じている。

エッジアライメント装置１６におけるエッジアライメントでは、エッジ１００１の位置情報に基づいて算出される中心位置Ｃ１１２を、基準位置である中心位置Ｃ２に一致させるように位置合わせを行う。すなわち、エッジアライメントでは、基板１００のエッジ１００１を検出して基板１００の位置情報を取得し、アライメントが行われる。換言すれば、エッジアライメントでは、基板１００の外形を指標としたアライメントが行われる。基板１００のエッジ１００１を検出し、エッジ１００１の位置情報に基づいてアライメントを行うことで、後述する成膜装置１におけるアライメントのようにアライメントマーク１００２の位置情報に基づいてアライメントを行う場合よりも簡便にアライメントを行うことができる。

一方、成膜装置１におけるアライメント（以下、「マークアライメント」と呼ぶことがある）では、アライメントマーク１００２の位置情報に基づいて算出される中心位置Ｃ１１１を、マスク１０１のアライメントマークの中心位置に一致させるように位置合わせを行う。すなわち、マークアライメントでは、基板１００のアライメントマーク１００２を検出して基板１００の位置情報を取得し、アライメントが行われる。これにより成膜装置１では、マスク１０１のパターン上に開口が形成された有効領域の中心と、アライメントマーク１００２で規定される基板１００の被成膜領域の中心と、が一致するようにして、基板１００上の所望の領域に成膜が行われる。アライメントマーク１００２はフォトリソグラフィーなどの方法によって基板１００上に精度良く形成されており、アライメントマーク１００２を用いて基板１００とマスク１０１の位置合わせを行うことで、基板１００上の被成膜領域を、マスク１０１の有効領域と高精度に位置合わせすることができる。

このように、エッジアライメント装置１６におけるエッジアライメントと、成膜装置１におけるアライメントとでは、基板１００の位置情報を取得するために検出する対象（エッジアライメントではエッジ１００１であり、マークアライメントではアライメントマーク１００２である）が異なる。

上述のように、大型基板ＭＧを切断して複数の基板に分割した場合には、外形に基づいて算出される基板の中心と、基板に形成されているアライメントマークに基づいて算出される基板の中心とが一致しない基板が生じ得る。このような場合には、エッジアライメントによってエッジの位置情報に基づいてアライメントされた結果と、マークアライメントによってアライメントマークの位置情報に基づいてアライメントされた結果と、がずれることとなる。さらに、外形に基づいて算出される基板の中心位置と、アライメントマークに基づいて算出される基板の中心位置との間のずれが分割されて得られた基板毎に異なる場合もある。この場合には、エッジアライメントの結果と、マークアライメント結果と、のずれが基板によってばらつくことになる。

本実施形態におけるエッジアライメントは、上述の通り、成膜装置１における成膜のためのマスク１０１とのマークアライメントを効率的に実施するために、予備的にアライメントを行っておくためのものである。すなわち、成膜装置１においてマークアライメントを行った後に基板１００が位置するであろう成膜装置１内の位置又はその近傍の位置に基板１００を搬送できるように、エッジアライメント装置１６において予備的にアライメントを行うものである。しかしながら、上述のようにエッジアライメントの結果とマークアライメントの結果とがずれる場合には、エッジアライメント装置１６における予備的なアライメントが、成膜装置１におけるマークアライメントを十分に効率化できない場合もある。

例えば、エッジアライメント装置１６におけるエッジアライメントの結果、成膜装置１においてマークアライメントを行った後に基板１００が位置するであろう成膜装置１内の位置から大きくずれた位置に搬送される位置に基板１００がアライメントされてしまうような場合である。このような場合には、エッジアライメント装置１６において、このずれを相殺するようにエッジアライメントの目標位置を補正することでこの課題を解消しうる。しかし、上述のように大型基板ＭＧから分割された基板を対象とする場合には上記のずれが基板毎にばらつくことがあるため、単一の補正値で補正するだけでは不十分である。

また、基板１００ＢにはオリエンテーションフラットＯＦがあるが、基板１００Ａにはこれがない。切断面における残留応力の大きさが、基板１００Ａと基板１００Ｂとで異なる場合もある。また、切断面の位置が、基板１００Ａでは右辺であり基板１００Ｂでは左辺であり、部位が異なる。こうした基板の特性の相違により基板１００が支持ユニット１６１に支持されている際の撓み方等に差異が生じ、エッジアライメントの精度影響を及ぼすことがある。

そこで、本実施形態では以下に説明するように、基板１００が切り出された大型基板ＭＧの部位に応じた位置調整機構１６２の制御を行う。

＜制御例＞
制御装置３１１の処理部３１１１が実行するエッジアライメント装置１６の制御例について説明する。図９（Ａ）は、処理部３１１１の処理例を示すフローチャートである。本フローチャートは、例えば、処理部３１１１が上位装置３００からエッジアライメントの実行指示を受けたことに基づいて開始する。

ステップＳ１（以下、単にＳ１と称する。他のステップについても同様とする。）で、処理部３１１１は、支持ユニット１６１に支持されている基板１００の基板情報を取得する（取得工程）。本実施形態では、基板情報は、基板１００の、分割される前の大型基板ＭＧにおける相対位置に関する情報を含む。この情報は、換言すれば、基板１００が切り出された大型基板ＭＧの部位に関する部位情報であり、「切り出し情報」や「カット情報」とも呼ばれ得る。このように、処理部１４１は、基板１００の、分割前の大型基板ＭＧにおける部位に関する情報を取得する取得手段としての機能を有する。本実施形態では、図７において、大型基板ＭＧの切断線ＣＴＬの左側の部位に対応し、カット位置が図面右側となる基板１００ＡをＡカット、大型基板ＭＧの切断線ＣＴＬの右側の部位に対応し、カット位置が図面左側となる基板１００ＢをＢカットとする。処理部３１１１は、支持ユニット１６１に支持されている基板１００がＡカットであるかＢカットであるかを部位情報として取得する。

また、本実施形態では、基板情報は、基板１００のその他の情報と関連付けて上位装置３００により管理されている。上位装置３００は、各基板１００を識別するための識別情報と、その基板１００の部位情報（基板１００Ａか基板１００Ｂか）とを対応付けて記憶している。そして、上位装置３００が基板１００のエッジアライメントの実行を処理部３１１１等に指示する場合、識別情報と部位情報を処理部３１１１に送信する。つまり、Ｓ１では、処理部３１１１は、通信部３１１４を介して上位装置３００から基板１００に関する情報を受信することで基板情報を取得する。なお、上位装置３００は、例えば大型基板ＭＧを切断する切断装置（基板分割装置）や製造ラインにおいて成膜装置１よりも上流側に配置されている他の装置、あるいは製造ラインの外部の装置から基板情報を取得してもよいし、製造ラインのオペレータの入力を受け付け、オペレータの入力によって基板情報を取得するようにしてもよい。

Ｓ２で、処理部３１１１は、検知ユニット１６３による検知処理を実行する。具体的には、処理部３１１１は、検知ユニット１６３に基板１００のエッジ１００１及び基準マーク１６５１を検知させる。

Ｓ３で、処理部３１１１は、目標位置設定を行う。目標位置は、位置合わせの目標となる基準位置ともいえる。具体的には、処理部３１１１は、Ｓ２での検知結果に基づいて基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２（ＸＣ２，ＹＣ２）を算出し、中心位置Ｃ２を目標位置として設定する。

Ｓ４で、処理部３１１１は、Ｓ３で算出した目標位置を、Ｓ１で取得した基板情報に基づいて補正する。具体的には、基板１００のアライメントマーク１００２を基準とした中心位置の、基板１００のエッジ１００１を基準とした中心位置からのずれを相殺するためのエッジアライメント補正情報を、基板情報と対応付けて、記憶部３１１２に記憶しておく。そして、Ｓ４で、処理部３１１１は、基板情報に対応して記憶部３１１２に格納されているエッジアライメント補正情報を参照し、目標位置の補正を実行する。記憶部１４２には、１つの大型基板ＭＧから切り出された基板１００の数（すなわち、分割数）に対応した複数のエッジアライメント補正情報が格納されている。

本実施形態の場合、エッジアライメント補正情報は、基準位置に対して加算又は減算されて基準位置をオフセットさせるための補正量（オフセット量）である。例えば、図８の例では、基板１００Ｂは、アライメントマーク１００２に基づく中心位置Ｃ１１１が、エッジ１００１に基づく中心位置Ｃ１１２に対して距離ｃだけＸ方向の負方向にずれている（Ｙ方向にはずれは無い）。すなわち、アライメントマーク１００２に基づく中心位置Ｃ１１１は、エッジ１００１に基づく中心位置Ｃ１１２に対して（－ｃ，０）だけずれている。図１０は、記憶部３１１２が管理する情報の例を示す図である。図１０に示すように、記憶部３１１２は、部位情報と、エッジアライメント補正情報とを関連付けて記憶している。

例えば、Ｓ１で取得した基板情報がＢカットである場合、処理部３１１１はＢカットの基板である基板１００Ｂに対応して記憶されているエッジアライメント補正情報（ｃ，０）を読み出す。そして、Ｓ３で算出した基準位置である、基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２（ＸＣ２，ＹＣ２）にエッジアライメント補正情報を加え、補正された基準位置Ｃ２’（ＸＣ２＋ｃ，ＹＣ２）を取得する。この補正された基準位置Ｃ２’を、以降の位置合わせにおける、基板１００のエッジ１００１を基準とした中心位置Ｃ１の目標位置として用いる。これを目標位置として基板１００のエッジ１００１を基準とした中心位置Ｃ１の位置を合わせたときには、アライメントマーク１００２に基づく中心位置Ｃ１１１は（ＸＣ２，ＹＣ２）に位置するようになる。

Ｓ５で、Ｓ２での検知結果に基づいて算出された基板１００のエッジ１００１を基準とした中心位置Ｃ１（ＸＣ１，ＹＣ１）と、Ｓ４で補正された目標位置としての基準位置Ｃ２’（ＸＣ２＋ｃ，ＹＣ２）とを比較する。Ｓ５では中心位置Ｃ１と基準位置Ｃ２’との間の位置ずれ量が許容範囲内か否かが判定される。中心位置Ｃ１と基準位置Ｃ２’との間の距離が閾値以下であれば許容範囲内と判定され、距離が閾値を超えている場合は許容範囲外と判定される。Ｓ５の判定結果が許容範囲内であればエッジアライメント動作を終了し、許容範囲外であればＳ６へ進む。

なお、ここでは単純のために中心位置Ｃ１と基準位置Ｃ２’との間の距離を閾値と比較することで位置合わせの判定を行う場合について説明したが、これに限定はされない。例えば、Ｓ４で補正された基準位置Ｃ２’に対応する複数の基準マーク１６５１の位置（すなわち、Ｓ２で検知された複数の基準マーク１６５１の位置をそれぞれエッジアライメント補正情報で補正した位置）と、各基準マーク１６５１と対応する基板１００のエッジ１００１の位置と、を比較して位置合わせの判定を行ってもよい。この場合には、基準マーク１６５１とエッジ１００１の各組について、Ｓ４での補正後の基準マーク１６５１の位置とエッジ１００１の位置との間の距離をそれぞれ算出する。そして、算出された距離の平均値や二乗和を、予め設定された閾値と比較して、距離が閾値以下であれば許容範囲内と判定され、距離が閾値を超えている場合は許容範囲外と判定されるようにしてもよい。

Ｓ６で、処理部３１１１は、位置調整機構１６２の制御量を設定する。例えば、処理部３１１１は、検知ユニット１６３の検知結果に基づく中心位置Ｃ１及びＳ４で補正された基準位置Ｃ２’の位置ずれ量に基づいて、中心位置Ｃ１及び基準位置Ｃ２’の位置ずれが許容範囲内に収まるように支持ユニット１６１のＸ方向及びＹ方向の変位量を設定する。典型的には、処理部３１１１は、中心位置Ｃ１が基準位置Ｃ２’と一致すように支持ユニット１６１のＸ方向及びＹ方向の変位量を設定する。また、例えば、基板１００の角度も判定条件に含まれる場合、処理部３１１１は、Ｓ２での検知結果に基づいて基板１００の基準からの角度のずれを算出し、基板１００の角度のずれが許容範囲内に収まるように支持ユニット１６１のＺ軸周りの回転角度を設定する。なお、制御量は、支持ユニット１６１の変位量に限られず、位置調整ユニットの制御パラメータ等であってもよい。

Ｓ７で、処理部３１１１は、Ｓ６で設定した制御量に基づいて位置調整機構１６２により基板１００の位置を調整する位置調整処理を実行する。これにより、支持ユニット１６１がＸ－Ｙ平面上で変位され、チャンバ１６４及び基準部材１６５に対する基板１００の相対位置が調整される。

Ｓ８で、処理部３１１１は、検知ユニット１６３による検知処理を再度実行する。具体的には、処理部３１１１は、検知ユニット１６３に基板１００のエッジ１００１及び基準マーク１６５１を検知させる。その後、処理部３１１１はＳ５に戻り、中心位置Ｃ１及びＳ４で補正された基準位置Ｃ２’の位置ずれが許容範囲内に収まるまで上述の処理を繰り返す。

＜エッジアライメントから成膜処理までの動作例＞
図９（Ｂ）は電子デバイスの製造ラインの動作例を示すフローチャートであって、受渡室１６におけるエッジアライメントから成膜装置１における成膜処理までの流れを示している。

Ｓ１０１で、エッジアライメント装置１６はエッジアライメントを実行する。本実施形態では、エッジアライメント装置１６は、処理部３１１１が図９（Ａ）で示すフローチャートを実行することにより、基板１００のエッジアライメントを実行する。

Ｓ１０２で、搬送ロボット３０２ａは基板１００を成膜室３０３へと搬送する。例えば、制御装置３０９は、制御装置３１１又は上位装置３００から基板１００の搬送指示を受け付けると、搬送ロボット３０２ａに基板１００を搬送させる。本実施形態では、搬送ロボット３０２ａは、成膜室３０３に設けられる成膜装置１の基板支持ユニット６へと基板１００を搬送する。

本実施形態では、Ｓ１０１でエッジアライメントが実行された後に基板１００が搬送ロボット３０２ａにより搬送される。このため、基板１００の搬送時点には、アライメントマーク１００２に基づく基板１００の中心位置が一定の位置にくるように基板１００の位置が調整されている。よって、搬送ロボット３０２ａは、成膜装置１においてマークアライメントを行った後に基板１００が位置するであろう成膜装置１内の位置又はその近傍の位置に基板１００を搬送することができる。換言すれば、搬送ロボット３０２ａは、受渡先である基板支持ユニット６に支持された基板１００の、アライメントマーク１００２に基づく基板１００の中心位置が一定となるように（あるいは中心位置のばらつきが抑制されるように）、基板１００を搬送することができる。

Ｓ１０３で、成膜装置１のアライメント装置２は、基板１００のマークアライメントを実行する。例えば、アライメント装置２は、＜成膜装置の概要＞で説明した方法でマークアライメントを実行する。上述したように、基板支持ユニット６に支持された基板１００は、マークアライメントの開始時点におけるアライメントマーク１００２に基づく基板１００の中心位置が一定となっている（あるいは中心位置のばらつきが抑制されている）。よって、アライメント装置はマークアライメントを効率的に実行することができる。

Ｓ１０４で、成膜装置１は基板１００に対して成膜処理を実行する。例えば、制御装置３０３は、成膜ユニット４に成膜処理を実行させる。

以上説明したように、本実施形態では、処理部３１１１は検知ユニット１６３によって検知された基板１００のエッジ１００１の位置情報と、基板情報と、に基づいて位置調整機構１６２を制御する（Ｓ４～Ｓ７）。これにより、大型基板ＭＧから切り出された基板１００のエッジアライメントに関し、搬送先の成膜装置１におけるアライメントの精度の低下を抑制することができる。さらに言えば、本実施形態では、大型基板ＭＧからの切り出し部位が異なる基板１００Ａ、１００Ｂに対して基板情報に基づいた異なる制御量で位置調整機構１６２を制御する。これにより、切り出し部位の異なる基板１００に対して、エッジ１００１に基づく中心位置とアライメントマークに基づく中心位置のずれを加味してエッジアライメントを実行することができる。

また、本実施形態では、切り出し部位が異なっても、アライメントマークに基づく中心位置が一定の位置にくるように、エッジアライメントを実行することができる。これにより、エッジアライメント完了後に基板１００が成膜装置１に搬送された際の、基板１００のアライメントマークに基づく中心位置を、基板１００の切り出し部位によらずに一定にすることができる。換言すれば、エッジアライメント装置１６から搬送されてきた基板１００を成膜装置１の基板支持ユニット６が最初に受け取る際の、基板１００のアライメントマークに基づく中心位置を、基板１００の切り出し部位によらずに一定にすることができる。この結果、搬送先の成膜装置１におけるアライメントの精度の低下や、アライメントに要する時間の増大を抑制することができる。

なお、本実施形態では、基板情報に基づいて位置合わせの基準位置を補正し、中心位置Ｃ１及び補正された基準位置Ｃ２’の位置ずれ量に基づいて、位置調整機構１６２の制御量を設定した。しかしながら、基板１００の中心位置Ｃ１が基準マーク１６５１の中心位置Ｃ２と一致するように位置調整機構１６２の制御量が設定された後に、基板情報に基づいて制御量の補正が実行されてもよい。すなわち、基板情報による補正の対象は位置合わせの基準位置に限られず、位置調整機構１６２の制御量等であってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図１に例示した成膜ブロック３０１が、製造ライン上に、例えば、３か所、設けられる。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１１（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図１１（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。

図１１（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。

なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。

図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１１（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。

なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。

図１１（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。

赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。或いは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。

なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。

第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層５９の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層５９の形成後に、基板５３を分割する分割工程が実行される。

絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜室３０３に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。

次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜室３０３に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。

赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜室３０３において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜室３０３において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜室３０３において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜室３０３に移動し、第２電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜室３０３～第６の成膜室３０３では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜室３０３における第２電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２電極５８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。

ここで、第１の成膜室３０３～第６の成膜室３０３での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板５３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板５３を載置して成膜が行われる。ここで、各成膜室において行われるアライメント工程は、上述のアライメント工程の通り行われる。

＜他の実施形態＞
上記実施形態では、エッジアライメント装置１６の記憶部３１１２が、基板情報と、中心位置Ｃ２（ＸＣ２，ＹＣ２）からの位置ずれ許容値、及び補正量を対応付けて記憶していた。しかし、これらの情報の一部又は全部を上位装置３００が一括で管理してもよい。

また、上記実施形態では、処理部３１１１が基板情報を上位装置３００から通信により取得した（ステップＳ１）。しかし、処理部３１１１による基板情報の取得は他の態様であってもよい。例えば、検知ユニット１６３或いは別途エッジアライメント装置１６に設けられたカメラがオリエンテーションフラットＯＦの有無を検知し、処理部３１１１がその検知結果に基づいて基板情報を取得してもよい。また、例えば基板情報を示すコードを各基板１００に付与しておき、コードを読み取ることで処理部３１１１が基板情報を取得してもよい。

また、上記実施形態では、基板情報と基板１００の識別情報とが関連付けられて上位装置３００により管理されているとしたが、基板１００の識別情報自体に基板情報が含まれていてもよい。例えば、識別情報を構成する文字列等に、基板情報を表す部分が含まれていてもよい。この場合、処理部３１１１は、上位装置３００から受信した基板１００の識別情報から基板情報を取得することができる。

本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１ 成膜装置、１６ エッジアライメント装置（アライメント装置、第１のアライメントユニット）、１６１ 支持ユニット（基板支持手段、第１の基板支持手段）、１６２ 位置調整機構（位置調整手段、第１の位置調整手段）、１６３ 検知ユニット（エッジ検知手段）、３１１１ 処理部（取得手段、制御手段）、３１１２ 記憶部（記憶手段）、１００ 基板、１０１ マスク

Claims (16)

1. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段と、
   前記基板支持手段に支持された前記基板のエッジを検知するエッジ検知手段と、
   前記基板支持手段に支持された前記基板の位置を調整する位置調整手段と、
   前記位置調整手段を制御する制御手段と、
   を備えるアライメント装置であって、
   前記基板支持手段に支持されている基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
   前記制御手段は、前記エッジ検知手段によって検知された前記基板のエッジの位置情報と、前記取得手段によって取得された前記基板情報と、に基づいて、前記位置調整手段を制御する、
   ことを特徴とするアライメント装置。
2. 前記基板にはアライメントマークが形成されており、
   前記制御手段は、分割前の前記大型基板における部位が異なる基板の、前記アライメントマークに基づく前記基板の中心位置のばらつきが抑制される方向に前記基板の位置がオフセットされるように、前記位置調整手段を制御する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
3. 前記位置調整手段によって位置が調整された基板を搬送する搬送手段と、
   前記搬送手段によって搬送された前記基板を支持する第２の基板支持手段と、
   マスクを支持するマスク支持手段と、
   前記第２の基板支持手段によって支持された前記基板に形成されているアライメントマークを検知するアライメントマーク検知手段と、
   前記第２の基板支持手段に支持された前記基板と前記マスク支持手段によって支持された前記マスクとの相対位置を調整する第２の位置調整手段と、
   前記アライメントマーク検知手段の検知結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する第２の制御手段と、をさらに備える、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のアライメント装置。
4. 前記エッジ検知手段は、複数の前記エッジを検知するとともに複数の基準マークを検知し、
   前記制御手段は、前記エッジ検知手段によって検知された前記複数の基準マークの位置情報を前記基板情報に応じて補正し、補正された前記複数の基準マークの位置情報と、前記エッジ検知手段によって検知された前記複数の前記エッジの位置情報と、に基づいて、前記位置調整手段を制御する、
   ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のアライメント装置。
5. 前記基板支持手段を収容する容器をさらに備え、
   前記基準マークを有する部材が、前記容器に対して固定されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載のアライメント装置。
6. 前記制御手段は、前記エッジ検知手段によって検知された前記複数の基準マークの位置情報を前記基板情報に応じてオフセットさせるように補正する、
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載のアライメント装置。
7. 前記基準マークの位置情報を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶手段をさらに有する、
   ことを特徴とする請求項４～６のいずれか１項に記載のアライメント装置。
8. 前記基板情報は、前記基板を識別する識別情報に含まれることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載のアライメント装置。
9. 前記アライメント装置は、外部装置から搬出される前記基板を、前記外部装置と異なる他の外部装置に受け渡すための受渡室として機能することを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載のアライメント装置。
10. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する第１の基板支持手段、
    前記第１の基板支持手段に支持された前記基板のエッジを検知するエッジ検知手段、
    前記第１の基板支持手段に支持された前記基板の位置を調整する第１の位置調整手段、及び、
    前記第１の位置調整手段を制御する第１の制御手段、
    を備える第１のアライメントユニットと、
    前記基板を支持する第２の基板支持手段、
    マスクを支持するマスク支持手段、
    前記第２の基板支持手段によって支持された前記基板のアライメントマークを検知するアライメントマーク検知手段、
    前記第２の基板支持手段に支持された前記基板と前記マスク支持手段によって支持された前記マスクとの相対位置を調整する第２の位置調整手段、及び、
    前記アライメントマーク検知手段によって検知された前記アライメントマークの位置情報に基づいて前記第２の位置調整手段を制御する第２の制御手段、
    を備え、前記第１のアライメントユニットから搬送されてきた、前記第１の位置調整手段により位置が調整された基板のアライメントを行う第２のアライメントユニットと、
    を備えるアライメント装置であって、
    前記第１の基板支持手段に支持されている基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
    前記第１の制御手段は、前記エッジ検知手段によって検知された前記基板のエッジの位置情報と、前記取得手段によって取得された前記基板情報と、に基づいて、前記第１の位置調整手段を制御する、
    ことを特徴とするアライメント装置。
11. 請求項１０に記載のアライメント装置と、
    前記マスクを介して前記基板上に成膜する成膜手段と、を備える、
    ことを特徴とする成膜装置。
12. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する支持工程と、
    前記支持工程で支持した前記基板のエッジを検知するエッジ検知工程と、
    前記基板の位置を調整する位置調整工程と、を含むアライメント方法であって、
    位置調整を行う基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得工程を備え、
    前記位置調整工程では、前記エッジ検知工程で検知された前記基板のエッジの位置情報と、前記取得工程で取得した前記基板情報とに基づいて、前記基板の位置を調整する、
    ことを特徴とするアライメント方法。
13. 請求項１２に記載のアライメント方法によって基板をアライメントするアライメント工程と、
    前記アライメント工程によりアライメントされた前記基板を成膜装置に搬入する搬入工程と、
    前記搬入工程により前記成膜装置に搬入された基板に成膜を行う成膜工程と、を含む、
    ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
14. 前記成膜工程の前に、前記搬入工程で前記成膜装置に搬入された前記基板と、前記成膜装置に備えられたマスクと、の相対位置を、前記基板に形成されたアライメントマークの位置に基づいて調整する第２のアライメント工程をさらに含む、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
15. 請求項１２に記載のアライメント方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
16. 請求項１２に記載のアライメント方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

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