CN107787526A - 基于功能金属氧化物的微电子器件 - Google Patents

基于功能金属氧化物的微电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN107787526A
CN107787526A CN201580081359.9A CN201580081359A CN107787526A CN 107787526 A CN107787526 A CN 107787526A CN 201580081359 A CN201580081359 A CN 201580081359A CN 107787526 A CN107787526 A CN 107787526A
Authority
CN
China
Prior art keywords
function metal
metal oxide
microelectronic
raceway groove
transition layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580081359.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107787526B (zh
Inventor
E.V.卡波夫
P.马吉
R.科特拉尔
N.穆克尔杰
C.C.郭
U.沙
R.皮拉利塞蒂
R.S.周
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of CN107787526A publication Critical patent/CN107787526A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107787526B publication Critical patent/CN107787526B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/517—Insulating materials associated therewith the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78642—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/253—Multistable switching devices, e.g. memristors having three or more electrodes, e.g. transistor-like devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10N99/03—Devices using Mott metal-insulator transition, e.g. field-effect transistor-like devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

可以通过在微电子衬底与功能金属氧化物沟道之间形成缓冲过渡层来在微电子衬底上制作具有功能金属氧化物沟道的微电子器件，所述微电子衬底可以在超大规模集成中利用，诸如硅衬底。在一个实施例中，微电子器件可以是具有形成在缓冲过渡层上的源极结构和漏极结构的微电子晶体管，其中源极结构和漏极结构邻接功能金属氧化物沟道的相对侧，并且在栅极电极与功能金属氧化物沟道之间设置栅极电介质。在另一实施例中，微电子器件可以是双端微电子器件。

Description

基于功能金属氧化物的微电子器件
技术领域
本描述的实施例涉及微电子器件的领域，并且更特别地，涉及微电子器件中的功能金属氧化物沟道在诸如硅微电子衬底之类的微电子衬底上的制作。
背景技术
微电子工业持续地力求产生更快且更小的微电子器件以用于使用在各种电子产品中，所述电子产品包括但不限于计算机服务器产品和便携式产品，诸如膝上型/上网本计算机、电子平板电脑、智能电话、数码相机等。这促进了用以形成这样的微电子器件的各种材料的使用的研究以实现这些目标。可以具有用于用作沟道材料的前景的一类材料是功能金属氧化物，因为这样的材料可以在低电压下经历双稳态（非易失性）或单稳态（易失性）绝缘体-金属相过渡。然而，这样的功能金属氧化物不能直接形成在诸如硅衬底之类的常见微电子衬底上，而是要求奇特衬底诸如二氧化钛和蓝宝石来用于它们的形成。因此，由于功能金属氧化物与常见的微电子衬底不兼容，因此它们不能被有效地合并到超大规模集成（VLSI）制造中。另外，在微电子器件中的电极与这样的金属氧化物与之间要求液体电解质，因为当前不存在器件质量高k/金属电极堆叠可用于引起绝缘体-金属相过渡。因此，存在对用于将功能金属氧化物合并在诸如硅衬底之类的常见微电子衬底上供使用在微电子器件中的过程和结构的需要。
附图说明
在说明书中的结尾部分中特别地指出并且清楚地要求保护本公开的主题。本公开的前述和其他特征将从结合附图理解的以下描述和随附权利要求变得更加充分明显。要理解的是，附图仅描绘依照本公开的若干实施例，并且因而不要被视为限制其范围。将通过附图的使用以附加的特殊性和细节来描述本公开，使得可以更容易地查明本公开的优点，其中：
图1图示根据本描述的实施例的具有功能金属氧化物沟道的微电子晶体管的侧部截面视图。
图2图示根据本描述的另一实施例的具有功能金属氧化物沟道的微电子晶体管的侧部截面视图。
图3图示根据本描述的实施例的具有功能金属氧化物沟道的微电子器件的侧部截面视图。
图4图示根据本描述的实施例的合并图3的微电子器件的微电子结构的侧部截面视图。
图5图示根据本描述的实施例的针对图4的微电子结构的电路图。
图6图示根据本描述的另一实施例的具有功能金属氧化物沟道的微电子器件的侧部截面视图。
图7图示根据本描述的实施例的合并图6的微电子器件的微电子结构的侧部截面视图。
图8图示根据本描述的实施例的针对图7的微电子结构的电路图。
图9图示依照本描述的一种实现方式的计算设备。
具体实施方式
在以下详细描述中，参考附图，所述附图通过图示的方式示出其中可以实践所要求保护的主题的具体实施例。充分详细地描述这些实施例以使得本领域技术人员能够实践该主题。要理解的是，各种实施例，尽管是不同的，但是不一定相互排斥。例如，本文结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可以在其他实施例内实现而不脱离所要求保护的主题的精神和范围。在本说明书内对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本描述内所涵盖的至少一个实现方式中。因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的使用不一定是指相同的实施例。此外，要理解的是，可以修改每一个所公开的实施例内的各个元件的位置或布置而不脱离所要求保护的主题的精神和范围。因此，不要以限制性含义来理解以下详细描述，并且主题的范围仅由经适当解释的随附权利要求连同随附权利要求被授权的完整范围的等同物限定。在图中，贯穿若干视图，相同的标号是指相同或类似的元件或功能，并且其中描绘的元件不一定关于彼此成比例，而是可以放大或缩小各个元件以便在本描述的上下文中更加容易地理解元件。
如本文所使用的术语“在……之上”、“到……”、“在……之间”和“在……上”可以是指一个层或组件关于其他层或组件的相对位置。在另一层/组件“之上”或“上”或接合“到”另一层/组件的一个层/组件可以与所述另一层/组件直接接触，或者可以具有一个或多个居间层/组件。层/组件“之间”的一个层/组件可以与该层/组件直接接触，或者可以具有一个或多个居间层/组件。
图1图示根据本描述的一个实施例的利用功能金属氧化物沟道112的微电子器件100，具体地，晶体管（例如三端器件）。微电子器件100可以包括在其上具有缓冲过渡层104的微电子衬底102。可以在缓冲过渡层104上形成功能金属氧化物沟道112、源极结构114和漏极结构116，其中源极结构114和漏极结构116邻接功能金属氧化物沟道112的相对侧118。可以在功能金属氧化物沟道112上形成栅极电介质124，并且可以在栅极电介质124之上形成栅极电极126。如图1中图示的，可以在栅极电介质124和栅极电极126之间设置高功函数金属128以改进微电子器件100的性能，如本领域技术人员将理解的。微电子器件100的组件的功能和制作过程在本领域中是公知的，并且为了简洁和清楚起见，本文将不进行讨论。
微电子衬底102可以是由单晶材料构成的体块衬底，所述材料可以包括但不限于，硅、锗、硅-锗或III-V化合物半导体材料。在一个实施例中，微电子衬底102可以是具有菱形立方体结构的晶体硅，其中晶体硅是具有（100）面的取向，如本领域技术人员将理解的。
缓冲过渡层104可以包括任何适当的材料，其可以提供可以缓冲和/或使晶格从微电子衬底102过渡到功能金属氧化物沟道112以允许其形成。缓冲过渡层104可以包括但不限于，无定形氧化物、蓝宝石和钛酸锶（SrTiO3）。
功能金属氧化物沟道112可以是任何适当的金属氧化物材料，其可以在低电压（例如小于大约1.0V的电压）下引起绝缘体-金属相过渡。在一个实施例中，功能金属氧化物沟道112可以包括氧化铌（NbO2）。在另一实施例中，功能金属氧化物沟道112可以包括氧化钒（VO2）。
栅极电介质124可以由任何公知的栅极电介质材料形成，所述栅极电介质材料包括但不限于二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅（Si3N4）和高k电介质材料，其中介电常数可以包括大于大约4的值，诸如氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钽、氧化钽硅、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽和铌锌酸铅。
栅极电极126可以利用任何适当的导电材料形成。在一个实施例中，栅极电极126可以包括金属，包括但不限于钛、钨、钽、铝、铜、钌、钴、铬、铁、钯、钼、锰、钒、金、银和铌的纯金属和合金。在另一实施例中，金属碳化物，诸如碳化钛、碳化锆、碳化钽、碳化钨和碳化钨，可以用于形成栅极电极126。在还有另一实施例中，栅极电极126可以由导电金属氮化物诸如氮化钛和氮化钽，或导电金属氧化物诸如氧化钌形成。在另外的实施例中，栅极电极126可以形成为具有稀土（诸如铽和镝）的合金，或诸如铂之类的贵金属。
高功函数金属128可以是具有大于大约5eV的功函数的任何适当的金属。高功函数金属128可以包括但不限于，铂、钯、铱、镍及其合金。
图2图示根据本描述的另一实施例的利用功能金属氧化物沟道112的微电子器件130，具体地，晶体管。图2的微电子器件130类似于图1的微电子器件100，但是包括设置在功能金属氧化物沟道112与缓冲过渡层104之间的缓冲覆顶层132。要指出的是，可以在缓冲覆顶层132上形成源极结构114和漏极结构116。缓冲覆顶层132可以被形成以提供比缓冲过渡层104更好地用于形成功能金属氧化物沟道112的结构表面。在一个实施例中，缓冲覆顶层132可以包括金红石二氧化钛（TiO2）。
图3图示根据本描述的还有另一实施例的微电子器件200（即双端微电子器件）。微电子器件200可以包括在其上具有缓冲过渡层104的微电子衬底102。可以在缓冲过渡层104上形成功能金属氧化物沟道112，并且可以在功能金属氧化物沟道112上形成第一电极224。微电子器件200可以用作微电子电路210中的选择器S1（参见图5），在图4中以截面图示所述微电子电路210，并且在图5中将其图示为电路图。
如图4中所示，微电子电路210可以包括可以在微电子衬底102上形成的微电子晶体管栅极252。微电子晶体管栅极252可以包括栅极电极256与设置在栅极电极256和微电子衬底102之间的栅极电介质254。微电子晶体管栅极252还可以包括栅极电极256与栅极电介质254之间的高功函数金属258。可以在微电子衬底102中诸如通过适当掺杂剂的离子注入在微电子晶体管栅极252的相对侧形成源极区214和漏极区216。可以在微电子晶体管栅极252之上设置层间电介质材料262，并且可以穿过层间电介质材料262形成漏极接触件236以与漏极区216电气连接。如所图示的，漏极接触件236可以电气连接到形成于层间电介质材料262上的第一金属化结构246。
微电子器件200可以形成为微电子电路210的部分，使得缓冲过渡层104在源极区214（其在微电子衬底102中形成）处接触所述微电子衬底102。器件接触件234可以穿过层间电介质材料262延伸以电气接触第一电极224，并且器件接触件234可以电气连接到形成于层间电介质材料262上的第二金属化结构244。如还进一步图示的，可以在微电子衬底102中形成隔离结构264，诸如浅沟槽隔离结构，以电气隔离与微电子衬底102电气接触的相关组件，如本领域技术人员将理解的。
可以利用任何适当的导电材料形成栅极电极256、漏极接触件236、器件接触件234、第一金属化结构246和/或第二金属化结构244。在一个实施例中，栅极电极256可以包括金属，包括但不限于钛、钨、钽、铝、铜、钌、钴、铬、铁、钯、钼、锰、钒、金、银和铌的纯金属和合金。在另一实施例中，金属碳化物，诸如碳化钛、碳化锆、碳化钽、碳化钨和碳化钨，可以用于形成栅极电极256。在还有另一实施例中，栅极电极256可以由导电金属氮化物诸如氮化钛和氮化钽，或导电金属氧化物诸如氧化钌形成。在另外的实施例中，栅极电极256可以形成为具有稀土（诸如铽和镝）的合金，或诸如铂之类的贵金属。
栅极电介质254可以由任何公知的栅极电介质材料形成，所述栅极电介质材料包括但不限于二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅（Si3N4）和高k电介质材料，其中介电常数可以包括大于大约4的值，诸如氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钽、氧化钽硅、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽和铌锌酸铅。
高功函数金属258可以是具有大于大约5eV的功函数的任何适当的金属。层间电介质材料262可以是任何适当的电介质材料，包括但不限于，二氧化硅、氮化硅等，并且可以由低k（介电常数k，诸如1.0-2.2）材料形成。
关于图5的电路图，微电子晶体管1T将对应于包括图4的微电子晶体管栅极252、源极区214、漏极区216以及微电子衬底102的在源极区214和漏极区216之间的部分的结构。漏极电压Vd对应于图4的漏极区216处的电压。栅极电压Vg对应于图4的栅极电极256处的电压。源极电压Vs对应于图4的源极区214处的电压。选择器1S对应于图4的微电子器件200。电压或地G将对应于接地的第一电极224。
图6图示根据本描述的又还有另一实施例的微电子器件300（例如双端微电子器件）。微电子器件300可以包括在其上具有缓冲过渡层104的微电子衬底102。可以在缓冲过渡层104上形成缓冲覆顶层132。可以在缓冲覆顶层132上形成第二电极302。第二电极302可以包括高功函数金属。可以在第二电极302上形成功能金属氧化物沟道112，并且可以在功能金属氧化物沟道112上形成第一电极224。微电子器件300可以用作微电子电路310中的选择器1S（参见图8），在图7中以截面图示所述微电子电路310，并且在图8中将其图示为电路图。
如图7中所示，微电子电路310可以包括可以形成在微电子衬底102上的微电子晶体管栅极252。微电子晶体管栅极252可以包括栅极电极256与设置在栅极电极256之间的栅极电介质254，并且还可以包括栅极电极256与栅极电介质254之间的高功函数金属258。可以在微电子衬底102中诸如通过适当掺杂剂的离子注入在微电子晶体管栅极252的相对侧形成源极区214和漏极区216。可以在微电子晶体管栅极252之上设置层间电介质材料262，并且可以穿过层间电介质材料262形成漏极接触件236以与漏极区216电气连接。如所图示的，漏极接触件236可以电气连接到形成在层间电介质材料262上的第一金属化结构246。
微电子器件300可以形成为微电子电路310的部分，使得高功函数电极302在源极区214（其形成于衬底102中）处接触衬底102。器件接触件234可以穿过层间电介质材料262延伸以电气接触第一电极224，并且器件接触件234可以电气连接到形成在层间电介质材料262上的第二金属化结构244。微电子电路310还可以包括电容器304，所述电容器304包括设置在第二电极302与电容器电极308之间的电容器电介质306，其中电容器电极308通过延伸穿过层间电介质层262的电容器接触件312与第二金属化物244电气接触。电容器电介质306可以是任何适当的电介质材料，包括但不限于二氧化硅、氮化硅和高k电介质（诸如氧化铪、氧化钛等）。电容器电极308和电容器接触件312可以由任何适当的导电材料形成。
关于图8的电路图，微电子晶体管1T将对应于包括图7的微电子晶体管栅极252、源极区214、漏极区216以及微电子衬底102的在源极区214和漏极区216之间的部分的结构。漏极电压Vd对应于图7的漏极区216处的电压。栅极电极Vg对应于图7的栅极电极256处的电压。源极电压Vs对应于图7的源极区214处的电压。选择器1S对应于图7的微电子器件300。电容器1C对应于图7的电容器304。电压或地G将对应于接地的第二金属化物244。
出于本描述的目的，术语“微电子装置”宽泛地包括本文所描述的微电子器件和微电子电路。
图9图示依照本描述的一种实现方式的计算设备400。计算设备400容纳板402。板可以包括许多微电子组件，包括但不限于处理器404、至少一个通信芯片406A、406B、易失性存储器408（例如DRAM）、非易失性存储器410（例如ROM）、闪速存储器412、图形处理器或CPU414、数字信号处理器（未示出）、密码处理器（未示出）、芯片集416、天线、显示器（触摸屏显示器）、触摸屏控制器、电池、音频编解码器（未示出）、视频编解码器（未示出）、功率放大器（AMP）、全球定位系统（GPS）设备、罗盘、加速度计（未示出）、陀螺仪（未示出）、扬声器（未示出）、相机和大容量存储设备（未示出）（诸如硬盘驱动器、致密盘（CD）、数字多功能盘（DVD）等）。微电子组件中的任何一个可以物理和电气耦合到板402。在一些实现方式中，微电子组件中的至少一个可以是处理器404的部分。
通信芯片使得能够实现用于数据去往和来自计算设备的输送的无线通信。术语“无线”及其派生物可以用于描述电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等，其可以通过经过非固体介质的调制电磁辐射使用来传送数据。该术语不暗示相关联的设备不包含任何导线，尽管在一些实施例中它们可能不包含。通信芯片可以实现许多无线标准或协议中的任何一个，包括但不限于Wi-Fi（IEEE 802.11族）、WiMAX（IEEE 802.16族）、IEEE 802.20、长期演进（LTE）、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、其派生物，以及被指定为3G、4G、5G及以上的任何其他无线协议。计算设备可以包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片可以专用于诸如Wi-Fi和蓝牙之类的较短程无线通信，并且第二通信芯片可以专用于诸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO和其他之类的较长程无线通信。
术语“处理器”可以是指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据变换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何设备或设备的部分。
计算设备400内的微电子组件中的任何一个可以包括至少一个微电子装置，其具有如本文所描述的形成在微电子衬底（诸如硅微电子衬底）上的功能金属氧化物沟道。
在各种实现方式中，计算设备可以是膝上型电脑、上网本、笔记本电脑、超级本、智能电话、平板电脑、个人数字助理（PDA）、超移动PC、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器或数字视频记录器。在另外的实现方式中，计算设备可以是处理数据的任何其他电子设备。
理解的是，本描述的主题不必限于图1-9中图示的具体应用。该主题可以应用于其他微电子器件和组装件应用，如本领域技术人员将理解的。
以下示例关于另外的实施例，其中示例1是一种微电子装置，包括微电子衬底；微电子衬底上的缓冲过渡层；缓冲过渡层上的功能金属氧化物沟道；以及功能金属氧化物沟道上的电极。
在示例2中，示例1的主题可以可选地包括，形成在其中的微电子晶体管源极区，并且其中缓冲过渡层接触所述微电子晶体管源极区。
在示例3中，示例2的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，并且功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
在示例4中，示例1的主题可以可选地包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
在示例5中，示例4的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
在示例6中，示例4的主题可以可选地包括缓冲覆顶层与功能金属氧化物沟道之间的第二电极。
在示例7中，示例6的主题可以可选地包括，微电子衬底包括形成在其中的微电子晶体管源极区，并且第二电极接触所述微电子晶体管源极区。
在示例8中，示例7的主题可以可选地包括与第二电极电气接触的电容器。
在示例9中，示例8的主题可以可选地包括，电容器和电极与公共金属化物电气接触。
在示例10中，示例1的主题可以可选地包括形成在缓冲过渡层上的源极结构和漏极结构，其中源极结构和漏极结构邻接功能金属氧化物沟道的相对侧；以及电极与功能金属氧化物沟道之间的栅极电介质。
在示例11中，示例10的主题可以可选地包括电极与栅极电介质之间的高功函数层。
在示例12中，示例10的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
在示例13中，示例10的主题可以可选地包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
在示例14中，示例13的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
在示例15中，示例1-14的主题可以可选地包括，微电子衬底包括硅微电子衬底。
在示例16中，示例1、2、4、6-11和13中任一项的主题可以可选地包括，源极线电气连接到缓冲过渡层，其选自包括无定形氧化物、蓝宝石和钛酸锶的组。
以下示例关于另外的实施例，其中示例17是一种电子系统，包括板；以及附接到板的微电子组件，其中所述微电子组件包括至少一个微电子装置，其包括微电子衬底；微电子衬底上的缓冲过渡层；缓冲过渡层上的功能金属氧化物沟道；以及功能金属氧化物沟道上的电极。
在示例18中，示例17的主题可以可选地包括，形成在其中的微电子晶体管源极区，并且其中缓冲过渡层接触所述微电子晶体管源极区。
在示例19中，示例18的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，并且功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
在示例20中，示例17的主题可以可选地包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
在示例21中，示例20的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
在示例22中，示例20的主题可以可选地包括缓冲覆顶层与功能金属氧化物沟道之间的第二电极。
在示例23中，示例22的主题可以可选地包括，微电子衬底包括形成在其中的微电子晶体管源极区，并且第二电极接触所述微电子晶体管源极区。
在示例24中，示例23的主题可以可选地包括与第二电极电气接触的电容器。
在示例25中，示例24的主题可以可选地包括，电容器和电极与公共金属化物电气接触。
在示例26中，示例17的主题可以可选地包括形成在缓冲过渡层上的源极结构和漏极结构，其中源极结构和漏极结构邻接功能金属氧化物沟道的相对侧；以及电极与功能金属氧化物沟道之间的栅极电介质。
在示例27中，示例26的主题可以可选地包括电极与栅极电介质之间的高功函数层。
在示例28中，示例26的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
在示例29中，示例26的主题可以可选地包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
在示例30中，示例29的主题可以可选地包括，缓冲过渡层包括钛酸锶，缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
在示例31中，示例17-30的主题可以可选地包括，微电子衬底包括硅微电子衬底。
在示例32中，示例17、18、20、22-27和30中任一项的主题可以可选地包括，源极线电气连接到缓冲过渡层，其选自包括无定形氧化物、蓝宝石和钛酸锶的组。
因此已详细描述了本描述的实施例，要理解的是，由随附权利要求限定的本描述不受以上描述中阐述的特定细节限制，因为在不脱离本描述精神或范围的情况下，其许多明显的变型是可能的。

Claims (24)

1.一种微电子装置，包括：
微电子衬底；
微电子衬底上的缓冲过渡层；
缓冲过渡层上的功能金属氧化物沟道；以及
功能金属氧化物沟道上的电极。
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中微电子衬底包括形成在其中的微电子晶体管源极区，并且其中缓冲过渡层接触所述微电子晶体管源极区。
3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，还包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，其中缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
6.根据权利要求4所述的微电子装置，还包括缓冲覆顶层与功能金属氧化物沟道之间的第二电极。
7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中微电子衬底包括形成在其中的微电子晶体管源极区，并且其中第二电极接触所述微电子晶体管源极区。
8. 根据权利要求1所述的微电子装置，还包括：
形成在缓冲过渡层上的源极结构和漏极结构，其中源极结构和漏极结构邻接功能金属氧化物沟道的相对侧，以及
电极与功能金属氧化物沟道之间的栅极电介质。
9.根据权利要求8所述的微电子装置，还包括电极与栅极电介质之间的高功函数层。
10.根据权利要求8所述的微电子装置，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
11.根据权利要求8所述的微电子装置，还包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
12.根据权利要求11所述的微电子装置，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，其中缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的微电子装置，其中微电子衬底包括硅微电子衬底。
14.一种电子系统，包括：
板；以及
附接到板的微电子组件，其中微电子组件包括至少一个微电子装置，其包括：
硅微电子衬底；
微电子衬底上的缓冲过渡层；
缓冲过渡层上的功能金属氧化物沟道；以及
功能金属氧化物沟道上的电极。
15.根据权利要求14所述的电子系统，其中微电子衬底包括形成在其中的微电子晶体管源极区，并且其中缓冲过渡层接触所述微电子晶体管源极区。
16.根据权利要求15所述的电子系统，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
17.根据权利要求14所述的电子系统，还包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
18.根据权利要求14所述的电子系统，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，其中缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
19.根据权利要求14所述的电子系统，还包括缓冲覆顶层与功能金属氧化物沟道之间的第二电极。
20. 根据权利要求14所述的电子系统，还包括：
形成在缓冲过渡层上的源极结构和漏极结构，其中源极结构和漏极结构邻接功能金属氧化物沟道的相对侧；以及
电极与功能金属氧化物沟道之间的栅极电介质。
21.根据权利要求20所述的电子系统，还包括电极与栅极电介质之间的高功函数层。
22.根据权利要求20所述的电子系统，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化铌。
23.根据权利要求20所述的电子系统，还包括缓冲过渡层与功能金属氧化物沟道之间的缓冲覆顶层。
24.根据权利要求23所述的电子系统，其中缓冲过渡层包括钛酸锶，其中缓冲覆顶层包括金红石二氧化钛，并且其中功能金属氧化物沟道包括氧化钒。
CN201580081359.9A 2015-07-31 2015-07-31 基于功能金属氧化物的微电子器件 Active CN107787526B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2015/043166 WO2017023253A1 (en) 2015-07-31 2015-07-31 Functional metal oxide based microelectronic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107787526A true CN107787526A (zh) 2018-03-09
CN107787526B CN107787526B (zh) 2021-04-06

Family

ID=57944148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580081359.9A Active CN107787526B (zh) 2015-07-31 2015-07-31 基于功能金属氧化物的微电子器件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10396211B2 (zh)
EP (1) EP3329515A4 (zh)
KR (1) KR102386522B1 (zh)
CN (1) CN107787526B (zh)
TW (1) TW201709347A (zh)
WO (1) WO2017023253A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11888034B2 (en) 2019-06-07 2024-01-30 Intel Corporation Transistors with metal chalcogenide channel materials
US11777029B2 (en) 2019-06-27 2023-10-03 Intel Corporation Vertical transistors for ultra-dense logic and memory applications
US11171243B2 (en) * 2019-06-27 2021-11-09 Intel Corporation Transistor structures with a metal oxide contact buffer

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6473332B1 (en) * 2001-04-04 2002-10-29 The University Of Houston System Electrically variable multi-state resistance computing
CN1845648A (zh) * 2004-04-07 2006-10-11 株式会社半导体能源研究所 发光装置，电子设备和电视装置
US20120104350A1 (en) * 2010-04-28 2012-05-03 Atsushi Himeno Variable resistance nonvolatile memory device and method of manufacturing the same
JP2013175717A (ja) * 2012-01-23 2013-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
CN104795448A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 三星显示有限公司 薄膜晶体管、其制造方法和具有薄膜晶体管的平板显示器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385857B1 (ko) * 2000-12-27 2003-06-02 한국전자통신연구원 SiGe MODFET 소자 제조방법
KR100576703B1 (ko) * 2003-10-23 2006-05-03 한국전자통신연구원 금속-절연체 상전이 고속 스위칭 소자 및 그 제조 방법
US7778063B2 (en) * 2006-11-08 2010-08-17 Symetrix Corporation Non-volatile resistance switching memories and methods of making same
KR20090013657A (ko) * 2007-08-02 2009-02-05 한국전자통신연구원 Ｇｅ기반 금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 박막, 그 ＭＩＴ박막을 포함하는 ＭＩＴ 소자 및 그 ＭＩＴ 소자 제조방법
US8222657B2 (en) * 2009-02-23 2012-07-17 The Penn State Research Foundation Light emitting apparatus
KR101675113B1 (ko) * 2010-01-08 2016-11-11 삼성전자주식회사 트랜지스터 및 그 제조방법
KR102107535B1 (ko) * 2013-04-18 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 박막 트랜지스터와 유기 발광 표시 장치
TWI567995B (zh) 2013-06-27 2017-01-21 友達光電股份有限公司 薄膜電晶體及其製造方法
KR20150033155A (ko) * 2013-09-23 2015-04-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US9455343B2 (en) * 2013-09-27 2016-09-27 Intel Corporation Hybrid phase field effect transistor
KR20150043890A (ko) * 2013-10-15 2015-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9214508B2 (en) * 2014-02-24 2015-12-15 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6473332B1 (en) * 2001-04-04 2002-10-29 The University Of Houston System Electrically variable multi-state resistance computing
CN1845648A (zh) * 2004-04-07 2006-10-11 株式会社半导体能源研究所 发光装置，电子设备和电视装置
US20120104350A1 (en) * 2010-04-28 2012-05-03 Atsushi Himeno Variable resistance nonvolatile memory device and method of manufacturing the same
JP2013175717A (ja) * 2012-01-23 2013-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
CN104795448A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 三星显示有限公司 薄膜晶体管、其制造方法和具有薄膜晶体管的平板显示器

Also Published As

Publication number Publication date
KR102386522B1 (ko) 2022-04-14
CN107787526B (zh) 2021-04-06
TW201709347A (zh) 2017-03-01
US20180226509A1 (en) 2018-08-09
EP3329515A4 (en) 2019-07-03
EP3329515A1 (en) 2018-06-06
KR20180033581A (ko) 2018-04-03
WO2017023253A1 (en) 2017-02-09
US10396211B2 (en) 2019-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11063131B2 (en) Ferroelectric or anti-ferroelectric trench capacitor with spacers for sidewall strain engineering
US9935205B2 (en) Internal spacers for nanowire transistors and method of fabrication thereof
CN105051905B (zh) 具有底层蚀刻停止的纳米线晶体管
CN105229793A (zh) 利用硬掩模层的纳米线晶体管制造
CN104160507A (zh) 在三栅极（finfet）工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法
CN111052379A (zh) 带有后端晶体管的铁电电容器
US20200343445A1 (en) Resistive random-access memory devices and methods of fabrication
US11488978B2 (en) Ferroelectric gate oxide based tunnel feFET memory
CN106062953A (zh) 用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道
EP3706167A1 (en) Capacitor with epitaxial strain engineering
CN107787526A (zh) 基于功能金属氧化物的微电子器件
CN108028279A (zh) 在晶体管隔片下的电阻降低
US11581417B2 (en) Improper ferroelectric active and passive devices
US11532439B2 (en) Ultra-dense ferroelectric memory with self-aligned patterning
US20200286686A1 (en) Ferroelectric capacitor with insulating thin film
US20230200082A1 (en) Embedded memory with double-walled ferroelectric capacitors
TWI742146B (zh) 實現用於薄膜電晶體的低存取和接觸電阻的在源極和汲極中的雙層半導體氧化物的系統、方法及設備
US20230197654A1 (en) Ic's with multple levels of embedded memory
US20220199833A1 (en) Field-effect transistor (fet) with self-aligned ferroelectric capacitor and methods of fabrication
US20240055429A1 (en) 2d-material gate-all-around complementary fet integration
CN110350037A (zh) 包括环绕式源极和漏极接触部的晶体管
CN105409001A (zh) 具有隔离电荷位置的存储器元件以及制作其的方法
TW202422639A (zh) 二維材料全環繞閘極互補式場效電晶體整合
CN102280451B (zh) 半导体器件及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant