CN101577289B - 柔性有机电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种柔性有机电致发光器件，其适于提高其柔性并完全和充分地排除外部潮气和/或氧气的侵入。该柔性有机电致发光器件包括：大约0.05mm～0.2mm厚度的基板；在所述基板上的平整层；在所述平整层上的薄膜晶体管；在所述平整层和所述薄膜晶体管上的钝化层，其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；在所述钝化层上的反射层；在所述反射层上的阳极，其与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接；在所述阳极的边缘区域和所述钝化层上的围堰层，其包括有机材料；在所述阳极上的有机发光层；在所述围堰层和所述有机发光层上的阴极；和在所述阴极上的密封层，其包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜。

Description

柔性有机电致发光显示器件及其制造方法
相关申请的交叉引用 
根据35U.S.C.119，本申请要求2008年5月6日提交的韩国专利申请No.10-2008-0041994的优先权，其在这里全部结合作为参考。 
技术领域
本发明涉及一种柔性有机电致发光显示器件，尤其涉及一种具有最大柔性的有机电致发光显示器件及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，能显示信息的显示器件得到广泛发展。这些显示器件包括液晶显示(LCD)器件、有机电致发光显示(OLED)器件、等离子体显示器件、场致发射显示器件等。
近年来要求显示器件增强柔性。据此，正积极研究能弯曲的柔性显示器件。特别是，因为与LCD器件相比，不需要背光单元，所以柔性OLED器件具有能将厚度最小化并减小电力消耗的优点。
这种柔性OLED器件通常制造在塑料基板上。然而，由于其温度敏感性，塑料基板在柔性OLED器件中的应用受到限制。
为了出色的柔性，基板的厚度应最小化。基板的最小化厚度将使基板弯曲，由此很难供给到制造设备中。
此外，当外部潮气和/或氧气侵入时，OLED器件很容易受到损坏。
发明内容
本发明提供一种柔性OLED器件，其包括：大约0.05mm～0.2mm厚度的基板；在所述基板上的平整层；在所述平整层上的薄膜晶体管；在所述平整层和所述薄膜晶体管上的钝化层，其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；在所述钝化层上的反射层；在所述反射层上的阳极，其与所述薄膜晶体管的所 述漏极电连接；在所述阳极电极的边缘区域和所述钝化层上的围堰层，其包括有机材料；在所述阳极上的有机发光层；在所述围堰层和所述有机发光层上的阴极；以及在所述阴极上的密封层，其包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜。
根据本发明另一个一般方面，一种柔性OLED器件的制造方法包括：在大约0.4mm～1mm厚度的基板上形成平整层；在所述平整层上形成薄膜晶体管；在所述平整层和所述薄膜晶体管上形成钝化层，其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；在所述钝化层上形成反射层；在所述反射层上形成与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接的阳极；在所述阳极的边缘区域和所述钝化层上形成包括有机材料的围堰层；在所述阳极上形成有机发光层；在所述围堰层和所述有机发光层上形成阴极；以及在所述阴极上形成包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜的密封层；以及蚀刻所述基板的后侧，直到所述基板的厚度在大约0.05mm～0.2mm的范围内为止。
根据下面附图和详细描述的解释，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是或将变得显而易见。所有这种附加的系统、方法、特征和优点意在包含在该描述中，在本发明的范围内并由下面的权利要求保护。在该部分中不应解释为对权利要求的限制。下面结合实施方式讨论进一步的方面和优点。本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是典型性的和解释性的，意在提供对如权利要求所述的本发明进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方案并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是显示根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件的截面图；
图2A到2E是解释根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件的制造工序的工序图；
图3A和3B是描述包括在根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件中的基板和平整层的表面粗糙度的视图。
具体实施方式
现在将参照本发明的优选实施方案详细描述，附图中图解了其实施例。在 任何时候，在全部附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。
图1是显示根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件的截面图。参照图1，在基板1上设置有平整层7。
基板1由诸如不锈钢这样的金属材料形成。为了制造柔性OLED器件，初始基板1应当作为用于OLED器件的基板，被供给到处理设备中。
在供给到处理设备中之前，初始基板1可为大约0.4mm到1.0mm范围内的厚度。据此，初始基板1不能是柔性的并且不能保持平坦化状态。在通过处理设备制造了柔性OLED器件之后，通过蚀刻其后侧，将该初始基板1处理为具有大约0.05mm到0.2mm的厚度范围。
由金属材料形成的基板1的表面非常粗糙，如图3A中所示。当通过下面的工序制造OLED时，该粗糙表面使得难于制造OLED器件并改变了OLED器件中的元件特性。因此，本实施方式在基板1上设置平整层7，以修正基板1的表面粗糙性。修正基板1的表面粗糙性的平整层7实现了基板1表面的平坦化，从而通过下面的工序很容易制造元件。
这种平整层7包括由有机材料形成的有机膜3和由无机材料形成的无机膜5。有机膜3可包括其厚度很容易形成的有机材料并且可以在大约3mm～5mm的厚度范围内形成，这是因为其修正基板1的表面粗糙性。据此，有机膜3的表面粗糙性大大降低，如图3B中所示。此外，有机膜3可由具有出色柔性的有机材料形成，由此更进一步提高根据本实施方式的柔性OLED的柔性。因此，形成该有机膜3的有机材料可以是任何压克力基团有机材料或聚酰亚胺。在蚀刻如下所述制造的栅极9时，如上形成的有机膜3从基板1脱落。此外，因为从有机膜3释放的有机气体侵入栅极9中，所以栅极9的特性恶化。据此，在有机膜3上设置无机膜5。无机膜在大约 
Figure G2008101861888D00031
到 
Figure G2008101861888D00032
的范围内较薄地形成。形成无机膜5的无机材料可以是氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiOxNx、或铝的氧化物Al2O3。因而，平整层包括由有机膜3和无机膜5形成的双层膜。
在平整层7上，设置有薄膜晶体管18。换句话说，在平整层7上设置有栅极9，在栅极9上设置有栅介电膜11，在栅介电质膜11上与栅极9相对地设置有半导体层13以及源极和/或漏极15和17。半导体层13可包括无定形硅(a-Si)。
在平整层7和薄膜晶体管18上设置有钝化层23。钝化层23可包括由无机材料的无机膜19和有机材料的有机膜21组成的双层膜。与双层膜结构不同，钝化层可仅包括仅由无机材料形成的单层膜。无机材料可以是氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiOxNx、或铝的氧化物Al2O3。有机材料包括压克力有机材料或聚酰亚胺。无机膜19可具有大约 
Figure G2008101861888D00041
范围内的厚度，有机膜21可具有大约 
Figure G2008101861888D00042
～3mm范围内的厚度。有机膜21保护薄膜晶体管18。此外，有机膜21可形成为具有平整表面，由此很容易进行下面所述的工序。
另一方面，在其中钝化层23由无机材料形成的单层膜组成的情形中，钝化层23的厚度可在大约 的范围内。
在钝化层23上，设置有反射层25。反射层25将在由下面所述的工序形成的有机发光层30中产生的光反射到前侧。为此，反射层25可由能反射光的任何材料形成。反射层25设置有位于其上的阳极27。阳极27可通过反射层25和钝化层23与漏极17电连接。此外，阳极27可由透明金属材料形成。例如，阳极27可包括氧化铟锡或氧化铟锌。这种阳极27可将信号从薄膜晶体管18传输到有机发光层30。此外，反射层25和阳极27可布置在像素区域中。像素区域由彼此交叉的栅线和数据线限定。根据本发明实施方式的OLED器件使像素区域以矩阵的形状布置且使每个像素区域产生任何基色的光。来自像素区域的基色光彼此混合，从而实现全色。
在钝化层23和阳极27的边缘区域上设置有围堰层29。围堰层29限定像素区域并防止与阳极27的边缘相对的有机发光层30被在阳极27的边缘区域中产生的高电场损坏。为此，围堰层29可设置在像素区域之间的钝化层23上以及阳极27的边缘上。此外，本实施方式的围堰层29可包括有机材料。有机材料相对于无机材料具有出色的柔性。另一方面，无机材料的围堰层29具有较差的柔性，弯曲时使设置在其上的阴极31脱落。因此，本实施方式使用有机材料的围堰层29。围堰层29的有机材料可以是任何压克力基团有机材料或聚酰亚胺。这种围堰层29可具有大约 
Figure G2008101861888D00044
～3mm范围内的厚度。
有机发光层30设置在围堰层29之外的阳极27上。有机发光层30包括发射红色光的红色有机发光膜、发射绿色光的绿色有机发光膜和发射蓝色光的蓝色有机发光膜。这些红色、绿色和蓝色有机发光膜可分别布置在像素区域中。
阴极31设置在围堰层29和有机发光层30上。阴极31可由透明金属材料组成。例如，阴极可由氧化铟锡或氧化铟锌形成。
在阴极31上设置有防止潮气和/或氧气侵入有机发光层30的密封层41。密封层41可包括有机膜33、无机膜35、粘结膜37和保护片39中的至少一个。
有机膜33可包括从由小分子有机材料和诸如压克力基团材料和聚酰亚胺这样的高分子有机材料组成的组选出的任意一种。有机膜33应形成为与阴极31接触。本实施方式中设置的有机膜33是除了可大大提高OLED器件的柔性和平整性之外还可防止外部潮气和氧气侵入围堰层29和阴极电极31的第一层。这种有机膜33的厚度在大约200 ～1000 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600012
的范围内。
可设置无机膜35，以提供对外部潮气和/或氧气侵入的第二级防护。为此，无机膜35应由诸如氧化铝AlOx或氧化硅SiOx这样的无机材料形成。无机膜35的厚度应在大约500 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600013
～700 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600014
的范围内。
将保护片39粘结到无机膜35的粘结膜37可包括粘结材料和吸湿剂。粘结膜37中包含的吸湿剂可提供对外部潮气和/或氧气侵入的第三级防护。
保护片39保护在制造工序中提供的包括有机发光层30的每个元件免于诸如擦痕等这样的损坏。为此，保护片39可包括塑料材料。实际上，保护片39可由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚醚砜、聚苯乙烯等中的任意一种形成。
因此，因为有机膜33、无机膜35、粘结膜37和保护片39的每一个都阶段性地防止外部潮气和/或氧气，所以密封层41可完全和充分地排除外部潮气和/或氧气的侵入。结果，密封层41可防止元件免于由外部潮气和/或氧气的侵入而导致的缺陷。
图2A到2E是解释根据本发明另一个实施方式的柔性OLED器件的制造工序的工序图。首先，提供具有大约0.4mm～1mm厚度的厚初始板(之后称作“基板”)1。将基板1供给到制造OLED器件的处理设备中。为此，基板1可由不锈钢形成。
如图2A中所示，在供给的基板1上设置包括有机膜3和无机膜5的平整层7。可通过首先在基板1上以大约3mm～5mm的厚度范围沉积有机膜3，然后在有机膜3上以大约100 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600015
～300 的厚度范围沉积无机膜5来形成平整层7。有机膜3可包括压克力基团和聚酰亚胺的有机材料中的任意一种，无机膜5可包括氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiOxNx、和铝的氧化物Al2O3中 的任意一种。本实施方式使用有机膜3修正基板1的表面粗糙性。此外，本实施方式通过使用具有出色柔性的有机膜3可更大地提高OLED器件的柔性。本实施方式中形成的无机膜5防止对在下面所述工序中形成的栅极9进行湿蚀刻时有机膜3的脱落。此外，无机膜5防止从有机膜3释放的有机气体侵入栅极电极9等中。
参照图2B，在平整层7上形成薄膜晶体管18。换句话说，在无机膜5上沉积第一金属材料并将其构图，从而形成栅线(没有示出)和栅极9。在栅极9上通过沉积栅介电材料的工序形成栅介电膜11。在它们的构图之前在栅介电膜11上顺序沉积无定形硅和第二金属材料，由此形成半导体层13(即半导体图案)和源极/漏极15和17。可与源极/漏极15和17一起形成图2中没有示出的数据线。据此，薄膜晶体管18构造成包括栅极9、半导体层13和源极/漏极15和17。
在平整层7和薄膜晶体管18上形成钝化层23。钝化层23包括由无机材料的无机膜19和有机材料的有机膜21组成的双层结构。无机膜19可以是氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiOxNx、和铝的氧化物Al2O3中的任意一种，有机膜21可以是压克力基团有机材料或聚酰亚胺。此外，无机膜19具有大约 
Figure G2008101861888D00061
范围内的厚度，有机膜21具有大约 ～4mm范围内的厚度。有机膜21保护薄膜晶体管18。此外，有机膜21可形成为具有平整表面，由此很容易进行下面所述的工序。可选择地，在其中钝化层23由具有无机材料的无机膜19的单层组成的的情形中，钝化层23的厚度在大约 
Figure G2008101861888D00063
的范围内。此外，钝化层23设置有暴露薄膜晶体管18的漏极17的接触孔24。
如图2C中所示，在钝化层23上沉积反射材料并将其构图，由此形成反射层25。该构图工序将除像素区域之外的其余区域上，例如栅线区域、数据线区域、晶体管区域和接触孔区域上的反射材料移除。换句话说，在包括栅线区域、数据线区域、晶体管区域和接触孔区域的这些区域上不形成反射层25。反射层25可由能反射在由下面所述的工序形成的有机发光层30中产生的光的任何材料形成。
通过沉积并构图第一透明材料在反射层25上形成阳极27。第一透明材料可以是氧化铟锡或氧化铟锌。阳极27通过接触孔24与薄膜晶体管18的漏极17电连接。
反射层25和阳极27可仅布置在像素区域中。像素区域由彼此交叉的栅线和数据线限定。OLED器件使像素区域以矩阵的形状重复布置并使像素区域分别产生基色光。像素区域中产生的基色光彼此混合，从而实现全色。
参照图2D，通过在反射层25和阳极27上沉积有机材料并对沉积的有机材料构图的工序，在像素区域之间的钝化层23上以及阳极27的边缘区域上形成围堰层29。围堰层29限定像素区域并防止与阳极27的边缘相对的有机发光层30被阳极的边缘区域中产生的高电场损坏。
本实施方式的围堰层29由相对于无机材料具有出色柔性的有机材料形成。如果围堰层29包括无机材料，则由于其较差的柔性，围堰层29会使沉积在其上的阴极31通过OLED器件的弯曲而脱落。鉴于该点，本实施方式使用由诸如压克力基团有机材料或聚酰亚胺这样的有机材料形成的围堰层29。围堰层29具有大约500 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600021
～3mm范围内的厚度。
在围堰层29之外的阳极27上形成有机发光层30。有机发光层30包括发射红色光的红色有机发光层、发射绿色光的绿色有机发光层和发射蓝色光的蓝色有机发光层。这些红色、绿色和蓝色有机发光层分别布置在像素区域中。
通过在围堰层29和有机发光层30上沉积第二透明材料的工序形成阴极31。第二透明材料可以是氧化铟锡或氧化铟锌。
如图2E中所示，在阴极31上形成防止潮气和/或氧气侵入有机发光层30中的密封层41。换句话说，以大约200 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600022
～1000 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600023
的厚度范围沉积有机材料，然后以大约500 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600024
～700 
Figure DEST_PATH_GSB00000233294600025
的厚度范围沉积无机材料，由此形成有机膜33和无机膜35。有机材料包括从由小分子有机材料和诸如压克力基团材料和聚酰亚胺这样的高分子有机材料组成的组中选出的任意一种。沉积这种有机膜33是为了首次防止外部湿气和/或氧气的侵入并大大提高OLED器件的柔性和平整性。沉积无机膜35是为了第二次防止外部湿气和/或氧气的侵入。无机膜35可由诸如铝的氧化物AlOx或氧化硅SiOx这样的无机材料形成。
此外，可在无机膜35和保护片39之一上形成粘结膜37。将保护片39粘结到无机膜35的粘结膜37包括粘结材料和吸湿剂。粘结膜37中包含的吸湿剂第三次防止外部潮气和/或氧气的侵入。
为了保护由上述工序制造的包括有机发光层30的每个元件，保护片39包括塑料材料。例如，保护片39可由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺PI、 聚醚砜和聚苯乙烯中的任意一种形成。保护片39通过粘结膜37粘附到无机膜35的表面。
据此，密封层41由有机膜33、无机膜35、粘结膜37和保护片39形成。因为有机膜33、无机膜35、粘结膜37和保护片39中的每一个都阶段性地防止外部潮气和/或氧气，所以这种密封层41可完全或充分地排除外部潮气和/或氧气的侵入。因此，密封层41可防止由外部潮气和/或氧气的侵入而导致的元件缺陷。
最后，蚀刻基板1的后侧，以移除其后侧，直到基板1的厚度在大约0.05mm～0.2mm的范围内为止。据此，基板1可自由弯曲。结果，可更大地提高柔性OLED器件的柔性。
如上所述，根据本实施方式的柔性OLED器件及其制造方法通过蚀刻工序将基板的厚度最小化。因此，提高了柔性OLED器件的柔性。此外，柔性OLED器件中包含的围堰层由具有出色柔性的有机材料形成。结果，更大地提高柔性OLED器件的柔性。
此外，根据本实施方式的柔性OLED器件及其制造方法允许平整层由有机材料形成，由此将金属基板的表面粗糙性最小化。
此外，根据本实施方式的柔性OLED器件及其制造方法形成包括每个都具有侵入防止功能的有机膜、无机膜和保护膜的密封层。结果，可完全和充分地排除外部潮气和/或氧气侵入到柔性OLED器件中。
在本发明中可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (10)

1.一种柔性有机电致发光器件，包括：
0.05mm～0.2mm厚度的基板；
在所述基板上的平整层；
在所述平整层上的薄膜晶体管；
在所述平整层和所述薄膜晶体管上的钝化层，其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；
在所述钝化层上的反射层；
在所述反射层上的阳极，其与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接；
在所述阳极的边缘区域和所述钝化层上的围堰层，其包括有机材料；
在所述阳极上的有机发光层；
在所述围堰层和所述有机发光层上的阴极；和
在所述阴极上的密封层，其包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜。
2.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述基板包括不锈钢。
3.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述平整层包括：
在所述基板上的有机膜，其具有3mm～5mm的厚度，以弥补所述基板的表面粗糙性；和
在所述有机膜上的无机膜，其具有100
Figure FSB00000233294500011
～300
Figure FSB00000233294500012
的厚度。
4.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述钝化层包括：
在所述平整层和所述薄膜晶体管上的无机膜，其具有100
Figure FSB00000233294500013
～3000的厚度；和
设置在所述无机膜上的有机膜，其具有500
Figure FSB00000233294500015
～3mm的厚度。
5.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述围堰层是500
Figure FSB00000233294500016
～3mm的厚度。
6.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述有机膜是200
Figure FSB00000233294500017
～1000
Figure FSB00000233294500018
的厚度，所述无机膜是500
Figure FSB00000233294500019
～700
Figure FSB000002332945000110
的厚度。
7.根据权利要求6所述的柔性有机电致发光器件，其中所述有机膜包括从由小分子有机材料和高分子有机材料组成的组中选出的一种材料，所述无机膜包括铝的氧化物和氧化硅中的一种材料。
8.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述粘结膜包括吸湿剂。
9.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中所述阳极和阴极包括透明材料。
10.一种制造柔性有机电致发光器件的方法，包括：
在0.4mm～1mm厚度的基板上形成平整层；
在所述平整层上形成薄膜晶体管；
在所述平整层和所述薄膜晶体管上形成钝化层，其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；
在所述钝化层上形成反射层；
在所述反射层上形成与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接的阳极；
在所述阳极电极的边缘区域和所述钝化层上形成包括有机材料的围堰层；
在所述阳极上形成有机发光层；
在所述围堰层和所述有机发光层上形成阴极；和
在所述阴极上形成包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜的密封层；以及
蚀刻所述基板的后侧，直到所述基板的厚度在0.05mm～0.2mm的范围内为止。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009107171A1 (ja) * 2008-02-28 2009-09-03 シャープ株式会社 薄膜積層デバイスの製造方法及び表示装置の製造方法、並びに、薄膜積層デバイス
US9101005B2 (en) * 2009-09-15 2015-08-04 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
CN101894858B (zh) * 2010-03-09 2011-12-21 电子科技大学 一种有源驱动有机电致发光器件及其制备方法
US8769836B2 (en) 2010-06-22 2014-07-08 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US9301569B2 (en) 2010-06-22 2016-04-05 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US8474146B2 (en) 2010-06-22 2013-07-02 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
KR101814769B1 (ko) 2010-07-07 2018-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN102751443B (zh) * 2011-04-19 2016-02-10 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及其制作方法
KR101308480B1 (ko) 2011-06-14 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 플라스틱 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI474479B (zh) * 2011-11-30 2015-02-21 Au Optronics Corp 有機發光顯示結構及有機發光顯示器
JP5938759B2 (ja) * 2011-12-13 2016-06-22 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 電子デバイス用バリアフィルムとその製造方法
TW201327511A (zh) * 2011-12-20 2013-07-01 Au Optronics Corp 可撓式顯示器
KR101409525B1 (ko) * 2011-12-22 2014-06-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법
JP5907722B2 (ja) 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR101876540B1 (ko) * 2011-12-28 2018-07-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
CN103503054A (zh) * 2012-01-26 2014-01-08 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管阵列装置以及使用其的el显示装置
KR101903054B1 (ko) 2012-07-11 2018-10-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102086545B1 (ko) * 2012-07-19 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP6142151B2 (ja) * 2012-07-31 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US20140091288A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR101980234B1 (ko) * 2012-10-30 2019-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
KR102000043B1 (ko) * 2012-10-31 2019-07-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR101936619B1 (ko) * 2012-10-31 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102050434B1 (ko) * 2012-10-31 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR102028505B1 (ko) * 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
CN102983155B (zh) * 2012-11-29 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示装置及其制作方法
KR102037850B1 (ko) * 2013-02-27 2019-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104124386A (zh) * 2013-04-28 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 柔性导电电极及其制备方法
CN104183772A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 柔性导电电极及其制备方法
KR102090713B1 (ko) * 2013-06-25 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법
KR102047398B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102080752B1 (ko) * 2013-07-23 2020-02-25 삼성디스플레이 주식회사 봉지 구조물, 봉지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR102059167B1 (ko) * 2013-07-30 2020-02-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
KR102116035B1 (ko) * 2013-09-13 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN103474583A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN103500745B (zh) * 2013-09-25 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
KR102110918B1 (ko) * 2013-10-29 2020-05-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI561150B (en) * 2013-11-28 2016-12-01 E Ink Holdings Inc Flexible display apparatus
JP6425114B2 (ja) * 2014-07-02 2018-11-21 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 折り畳み式表示装置及び電気機器
KR102245771B1 (ko) 2014-07-29 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102280162B1 (ko) * 2014-08-31 2021-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 패널
US20160366972A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Nike, Inc. Article Incorporating an Illumination Device
US10306726B2 (en) 2015-06-19 2019-05-28 Nike, Inc. Method of illuminating an article
KR102387786B1 (ko) * 2015-07-28 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이
KR102396364B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR102444177B1 (ko) 2015-12-28 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2018021993A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体基板及びそれを用いた表示装置
CN106129104A (zh) * 2016-09-27 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、oled显示面板
CN107154422B (zh) 2017-05-12 2019-11-15 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
JP2018006351A (ja) * 2017-09-11 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN107845657A (zh) * 2017-09-16 2018-03-27 合肥惠科金扬科技有限公司 一种qled显示面板
CN107768406A (zh) * 2017-09-16 2018-03-06 合肥惠科金扬科技有限公司 一种oled显示面板
CN107706215A (zh) * 2017-09-16 2018-02-16 合肥惠科金扬科技有限公司 一种柔性oled显示面板
CN107706194A (zh) * 2017-09-21 2018-02-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
KR102355103B1 (ko) * 2017-09-29 2022-01-24 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
CN109727530A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示模组及柔性显示模组制备方法
KR101950472B1 (ko) * 2017-12-22 2019-02-21 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
CN108615822A (zh) * 2018-04-28 2018-10-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法、显示装置
KR102085321B1 (ko) * 2019-02-14 2020-03-06 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR102096058B1 (ko) * 2019-05-13 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
CN110989259B (zh) 2019-12-12 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1484080A (zh) * 2002-08-20 2004-03-24 ������������ʽ���� 有源矩阵基片、具有该基片的液晶显示装置和该基片的制造方法
CN1618134A (zh) * 2002-01-31 2005-05-18 3M创新有限公司 使用含吸附剂的粘合剂封装有机电子器件
CN1845648A (zh) * 2004-04-07 2006-10-11 株式会社半导体能源研究所 发光装置，电子设备和电视装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100484109B1 (ko) * 2002-12-14 2005-04-18 삼성에스디아이 주식회사 기판 제조방법, 이 기판제조방법을 이용한 유기 전계발광표시장치의 제조방법 및 유기 전계 발광 표시장치
US8350466B2 (en) * 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP4539547B2 (ja) * 2005-12-08 2010-09-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
KR100796604B1 (ko) * 2006-12-15 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1618134A (zh) * 2002-01-31 2005-05-18 3M创新有限公司 使用含吸附剂的粘合剂封装有机电子器件
CN1484080A (zh) * 2002-08-20 2004-03-24 ������������ʽ���� 有源矩阵基片、具有该基片的液晶显示装置和该基片的制造方法
CN1845648A (zh) * 2004-04-07 2006-10-11 株式会社半导体能源研究所 发光装置，电子设备和电视装置

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Publication number Publication date
CN101577289A (zh) 2009-11-11
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US20090278449A1 (en) 2009-11-12
KR101308200B1 (ko) 2013-09-13

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