CN1484080A - 有源矩阵基片、具有该基片的液晶显示装置和该基片的制造方法 - Google Patents

有源矩阵基片、具有该基片的液晶显示装置和该基片的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种有源矩阵基片包括：一个绝缘基片；在绝缘基片的线路端子层上，并包括在端子排列方向上延伸的接触孔，使多个线路端子可露出的绝缘薄膜；和多个导电的端子衬垫。该端子衬垫设在绝缘基片的绝缘薄膜层上，覆盖多个通过在绝缘薄膜上的接触孔露出的线路端子。每一个信号输入端子包括一个线路端子和相应的一个端子衬垫。

Description

有源矩阵基片、具有该基片的液晶显示装置和该基片的制造方法
技术领域
本发明涉及包括多个与驱动器连接的隔开的信号输入端子的一种有源基片，具有该基片的液晶显示器装置，和该基片的制造方法。
背景技术
随着最近信息社会的到来，对笔记本电脑，PDA(个人数字或助理)，汽车导航系统等的需求迅速增加。相应地，积极地研究利开发用于这些新技术的显示器(例如，液晶显示器装置)。在各种形式的显示器中，液晶显示器装置是使用最广泛的。在液晶显示器装置中使用的液晶显示器器件，驱动排列成矩阵图形的图像元件电极，在屏幕上形成显示图形。具体地说是，将电压加在选择的每一个图像元素电极和与该图像元素电极相对的副电极之间，以便用光学方法调制一部分显示器介质(例如，在这些电极之间的液晶材料)，从而可用肉眼看见显示图形。在驱动图像元素电极的其他方法中，采用有源的矩阵驱动方法，可以通过转动设置在每一个图像元素电极上的开关装置的通/断按钮，驱动放置有在绝缘基片上的独立的图像元素电极。设置图像元素电极和开关装置的基片，通常称为“有源矩阵基片”。作为用于有选择地驱动图像元素电极的开关装置，技术上普通已知有薄膜晶体管(以后称为“TFT”)，MIM(金属—第一个绝缘薄膜—金属)等。
近年来，积极地研究利开发挠性显示器，目的是要减小显示器组件的重量，改善其耐久性等。对于挠性显示器，使用塑料和不锈钢板作为有源矩阵基片的母板。
图17表示使用通常的有源矩阵基片9的一个液晶显示器装置12。在液晶显示器装置12中，包括在其上形成的彩色滤光片，副电极等(没有示出)的副基片8，利包括在其上形成的源极总线，控制极总线，像素电极开关装置等(没有出示)的有源矩阵基片9彼此相对，而液晶材料(没有示出)则密封在基片8和9之间的间隙内。在有源矩阵基片9的框架区域中，在控制极总线的一个末端上，作出控制板信号输入端子10a：并在源极总线的一个末端上作出源极信号输入端子10b。
图10A为表示通常的有源矩阵基片9的信号输入端子10的平面图。图10B为沿着图10A中的XB-XB线所取的横截面图。图10C为沿着图10A的XC-XC线所取的横截面图。
如图10A-图10C所示，在通常的有源矩阵基片9中，在绝缘基片1上形成由控制极金属或源极金属制成的多个线路端子2，在绝缘基片1上有绝缘薄膜13，它带有与线路端子2相应的接触孔7，并且端子衬垫4覆盖相应的接触孔7。每一个端子衬垫4电气上与相应的线路端子2连接形成信号输入端子10。
现参照附图图11A-图11C(相应于图10A)图12A-图12C(相应于沿着图10A中的XB-XB线所取的图10B)和图13A-13C(相应于沿着图10A中的XC-XC线所取的图10C)，来说明制造通常的有源矩阵基片9的方法。
如图11A、图12A利图13A所示，首先将Cr制成的金属薄膜，利用溅射方法等沉积在由玻璃等制成的绝缘基片1上，然后利用光刻方法等，形成线路端子2。如需要，可在绝缘基片1上形成气体阻挡层或水阻挡层(没有示出)。
然后，如图11B、图12B和图13B所示，利用CVD方法等，将SiNx等制成的绝缘薄膜13沉积在线路端子2上，并利用光刻方法，作出与线路端子2相应的接触孔7。
又如图11C、图12C利图13C所示，利用溅射方法，使ITO、Al等沉积，并利用光刻方法制成端子衬垫以覆盖接触孔7。
如上所述，在通常的有源矩阵基片9中，当使用热膨胀系数小，并且吸收水等引起的尺寸变化小的玻璃，硅晶片等作为绝缘基片1时，线路端子2，接触孔7和端子衬垫4可以高精度地作出图形，即利用光掩膜，由普通的曝光方法在光刻过程中，基本上不会发生错误的光对准。然而，当绝缘基片1为热膨胀系数较大，并且由吸水造成的尺寸变化比玻璃大，(例如主要成分为聚酰亚胺、聚碳酸脂、聚乙烯对酞酸盐、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯磺酸盐或其衍生物的基片)的所谓的“塑料基片”时，不能高精度地即光对准误差小地作出线路端子2，接触孔7和端子衬垫4的图形。这样，如图16A和图16B所示，接触孔7和/或端子衬垫4可以基本上与线路端子2不对准。
具体地说，当利用玻璃基片(线性膨胀系数。α：3.6×10-6/k)作为绝缘基片1生产控制极时，尺寸改变(即不对准的量)为0.5微米或更小(5ppm或更小)。然而，利用塑料基片(例如聚乙烯磺酸盐α：77×10-6/k)，包括线性热膨胀和吸收水造成的尺寸改变的总的不对准量为20～50微米(在某些情况下为200～500ppm或更大)。结果，不能保证线路端子2和端子衬垫4之间的足够的接触面积，从而增加了接触电阻，这会导致线路端子2和端子衬垫4之间的接触电阻，它们之间的连接缺陷，驱动器安装缺陷和显示器缺陷的增加。
另外，当如上所述，在先前技术中，在具有接触孔7的结构中，使用塑料基片作为绝缘基片1时，当安装用于驱动液晶控制板的驱动器时，由于绝缘基片1的挠曲造成在与接触孔7相应的绝缘薄膜13的一部分的每一个拐角附近，应力集中，从而造成裂纹。
发明内容
本发明的目的是要提供一种有源的矩阵基片，该基片可使端子衬垫相对于端子排列方向具有大的光对准余量，并且当安装驱动液晶控制板的驱动器时，可防止由于绝缘基片的挠曲在绝缘薄膜中产生裂纹；另外，还要提供一种制造该基片方法和具有该基片的液晶显示器装置。
达到上述目的的本发明的有源矩阵基片，它包括多个用于与驱动器连接的隔开的信号输入端子，该有源矩阵基片包括：
一个绝缘基片；
设在绝缘基片上的多个隔开的导电线路端子；
设在绝缘基片上的线路端子层上的绝缘薄膜，该绝缘薄膜包括在端子排列方向上延伸的一个接触孔，可使多个线路端子通过该孔露出；和
多个导电的端子衬垫，它设在绝缘基片上的绝缘薄膜层上，分别覆盖通过在绝缘薄膜上的接触孔露出的多个线路端子；
其中，每一个信号输入端子包括线路端子中的一个端子和相应的一个端子衬垫。
采用这种结构时，接触孔在端子排列方向延伸，使所有的线路端子通过该孔露出，因此应用光刻法形成端子衬垫的作出图形的工序中，可使端子衬垫相对于端子排列方向的光对准余量较大。
另外，由于接触孔使所有的线路端子露出，可以消除由于绝缘基片的挠曲造成的在绝缘薄膜上的应力集中，从而不会在绝缘薄膜上产生裂纹。因此，即使利用塑料基片作为绝缘基片，当安装驱动液晶控制板的驱动器时，可以防止由于绝缘基片的挠曲，在驱动器安装区域中的绝缘薄膜上产生裂纹或撕开。
在本发明的一个实施例中，在与端子排列方向垂直的方向上的每一个端子衬垫的长度，比接触孔的宽度大。
这样，在与端子排列方向垂直的方向上，每一个端子衬垫的长度都比接触孔的宽度大，因此，可使端子衬垫相对于与端子排列方向垂直的方向的光对准余量足够大，从而使形成端子衬垫的过程基本上无需光对准。
在本发明的一个实施例中，在端子排列方向上彼此相对的每一个信号输入端子的线路端子的侧边缘，与信号输入端子的端子衬垫的侧边缘对准。
这种在端子排列方向上互相相对的线路端子的侧边缘与端子衬垫的侧边缘对准的结构可以这样得到：在后来分成单个线路端子的单件式线路端子形成薄膜上作出多个隔开的端子衬垫，然后利用端子衬垫本身或用于形成端子衬垫的光图形作为掩膜，腐蚀掉线路端子形成薄膜上的没有端子和衬垫的部分。因此，可使端子衬垫相对于端子排列方向的光对准余量较大，并保证线路端子和端子衬垫之间的足够大的接触面积，减少接触电阻。这样，可以得到即使绝缘基片膨胀/收缩，在线路端子和端子衬垫之间不会产生连接缺陷的信号输入端子。
在本发明的一个实施例中，绝缘基片为塑料基片。
塑料基片的线路膨胀系数大，其在温度变化时，产生膨胀/收缩。因此，当使用塑料基片时，可以更发挥本发明的使端子衬垫相对于端子排列方向的光对准余量较大的优点。
本发明的液晶显示器装置包括上述的有源矩阵基片。
制造上述的本发明的有源矩阵基片的方法为：一种制造包括多个与驱动器连接的隔开的信号输入端子的有源矩阵基片的方法，该方法包括下列工序：
在绝缘基片上形成导电的细长的线路端子形成薄膜；
形成覆盖在绝缘基片上的线路端子形成薄膜的绝缘薄膜；
在绝缘薄膜上形成细长的接触孔，使线路端子形成薄膜通过该孔露出；
在通过在绝缘薄膜上的接触孔露出的线路端子形成薄膜上，形成多个导电的端子衬垫，使端子衬垫在线路端子形成薄膜的纵向方向上，彼此隔开；和
有选择地除去线路端子形成薄膜的没有端子和衬垫的部分，形成多个隔开的线路端子，同时形成每一个都包括一个线路端子和相应的一个端子衬垫的信号输入端子。
附图说明
本发明的上述和其他目的、优点和特点，从下面结合附图进行的说明中将会了解。其中：
图1A为表示根据本发明的实施例1的有源矩阵基片的信号输入端子截面的放大的平面图；图1B为为沿着图1A中的IB-IB线所取的横截面图；图1C为沿着图1A中的IC-IC线所取的横截面图；
图2A-2D为表示制造根据本发明的实施例的有源矩阵基片的过程的平面图；
图3A-3C为沿着图1A的IB-IB线所取的横截面图，它表示制造根据本发明的实施例1的有源矩阵基片的过程；
图4A-4C为沿着图1A中的IC-IC线所取的横截面图，它表示制造根据本发明的实施例1的有源矩阵基片的过程；
图5A为表示根据本发明的实施例2的有源矩阵基片的信号输入端子截面的放大的平面图；图5B为沿着图5A中的VB-VB线所取的横截面图；图5C为沿着图5A中的VC-VC线所取的横截面图；
图6A-6D为表示制造根据本发明的实施例2的有源矩阵基片的过程的平面图；
图7A-7D为沿着5A中的VB-VB线所取的横截面图，它表示制造根据本发明的实施例2的有源矩阵基片的过程；
图8A-8D为沿着图5A中的VC-VC线所取的横截面图，它表示制造根据本发明的实施例2的有源矩阵基片的过程；
图9A为表示根据本发明的另一个实施例的有源矩阵基片的信号输入端子截面的放大的平面图；图9B为沿着图9A中的IXB-IXB线所取的横截面图；图9C为沿着图9A中的IXC-IXC线所取的横截面图；
图10A为表示通常的有源矩阵基片的信号输入端子截面的放大的平面图，图10B为沿着图10A的XB-XB线所取的横截面图；图10C为沿着图10A中的XC-XC线所取的横截面图；
图11A-11C为表示通常的有源矩阵基片的制造过程的平面图；
图12A-12C为沿着图10A中的XB-XB线所取的横截面图，它表示通常的有源矩阵基片的制造过程；
图13A-13C为沿着图10A中的XC-XC线所取的横截面图，它表示通常的有源矩阵基片的制造过程；
图14为表示根据本发明的，可满足光对准余量最大，安装缺陷最小的特定条件的结构的平面图；
图15为表示与通常的结果比较，本发明的结构的，相对于各种端子间距为50-100微米的线路端子的端子衬垫的光对准余量(在线路端子排列的方向上)的图形；
图16A为表示绝缘基片的膨胀/收缩造成的接触孔与线路端子不对准情况的平面图；图16B为表示由于绝缘基片的膨胀/收缩造成端子衬垫与线路端子不对准的情况的平面图；以及
图17为表示包括一个有源矩阵基片的液晶显示器装置的平面图。
具体实施方式
现参照图附图来说明本发明的优选实施例。
实施例1
现参照图1A-1C来说明本发明的实施例1的有源矩阵基片9。图1A-1C为表示实施例1的有源矩阵基片9的信号输入端子10的放大图，其中图1A为平面图，图1B为沿着图1A中的IB-IB线所取的横截面图，图1C为沿着图1A中的IC-IC线所取的横截面图。
首先，说明有源矩阵基片9的结构。在有源矩阵基片9中，在由聚酰亚胺等制成的绝缘基片1上形成由Ti制成的控制极总线14，由Ti制成的源极总线和图像元素电极，TFT等(没有示出)。在控制极总线14的一个末端，没有与驱动器连接的信号输入端子10。每一个信号输入端子10均为矩形形状，其长边与控制极总线14平行。同样，在源极总线的一个末端没有信号输入端子。
如图1A-1C所示，有源矩阵基片9还包括导电的线路端子2，绝缘薄膜13和导电的端子衬垫4。线路端子2在绝缘基片1上按正常的间距排列。在绝缘基片1上的线路端子2的层上，形成绝缘薄膜13。绝缘薄膜13包括细长的，在端子排列方向(沿着端子的短边)上延伸的，带形的接触孔3。因此，所有的线路端子2都通过该孔露出。在绝缘基片1的绝缘薄膜13的层上，形成端子衬垫4，覆盖通过该带形接触孔3露出的相应的线路端子2。每一个信号输入端子10包括线路端子2和沉积在上面的端子衬垫4。线路端子2和端子衬垫4都为矩形，端子衬垫4的长边长度比线路端子2的长边长度大，而端子衬垫4的短边长度(即宽度)与线路端子2的宽度相等。在宽度方向彼此相对的线路端子2的侧边缘，与端子衬垫4的侧边缘对准。
如上所述，有源矩阵基片9包括在端子排列方向延伸的细长的带形接触孔3。因此所有的线路端子2通过该孔露出。因此，在用光刻法形成端子衬垫4的图形的过程中，可以使端子衬垫4相对于端子排列到方向有大的光对准余量。
另外，线路端子2与其电气上连接的端子衬垫4的长边的长度，比该带形接触孔3的宽度大很多。因此，可以使端子衬垫4相对于纵向方向有足够的光对准余量，从而使形成端子衬垫4的过程基片上无需光对准。
另外，带形接触孔3使所有的线路端子2露出。因此，而使当使用塑料基片作为端子基片1时，可以防止在安装驱动液晶控制板的驱动器时，由于绝缘基片1的挠曲造成的驱动器安装区域中绝缘薄膜13出现裂纹或撕开。
另外，在端子排列到方向上彼此相对的线路端子2的侧边缘，与端子衬垫4的侧边缘对准。如下面将要更详细地说明的那样，这种结构可以这样来实现：首先，在带形的线路端子形成薄膜2’上形成端子衬垫4，然后利用端子衬垫4本身或用于形成端子衬垫4的光图形作为掩膜，腐蚀线路端子形成薄膜2’上的没有端子端和衬垫的部分(不形成端子衬垫的部分)。因此可以使端子衬垫4相对于端子排列方向的光对准余量较大，并可保证线路端子2和端子衬垫4之间的固定和足够大的接触面积，从而使接触电阻足够小。这样，可以得到即使在绝缘基片1膨胀/收缩时，线路端子2和端子沉淀之间也不会出现连接缺陷的信号输入端子10。
其次，参照图2A-2D，图3A-3C(沿着图1A的IB-IB线所取的)和图4A-4C(沿着图1A的IC-IC线所取的)，来说明在有源矩阵基片9的制造方法中，信号输入端子10(控制极总线14的)的形成。
首先，如图2A、3A和4A所示，利用溅射法，在由聚酰亚胺等制成的绝缘基片1上，沉积Ti至厚度大约为150纳米(nm)，并通过使用HNO3-HF腐蚀剂的光刻方法，形成控制极总线14和存储电容器线(没有示出)。在这个工序中，在控制级总线14的一个末端，形成带形的线路端子形成薄膜2’。线路端子形成薄膜2’为一个单件，以后再分割成单个的线路端子2。线路端子形成薄膜2’的材料不是仅限于Ti。线路端子形成薄膜2’的材料可以为Ti，Ti的合金，ITO(或任何其他适当的导电金属氧化物)，Ta，Mo，Al或其合金；或者，线路端子形成薄膜2’可以为二种或多种这些材料的层叠件。
然后，利用CVD方法，沉积由SiNx制成的控制级绝缘薄膜(350nm)13，由a-Si制成的通道层(150nm)，和由n+-Si制成的接触层。再通过光刻方法和使用SF6气体的干腐蚀法，作出通道层和接触层的图形(没有示出)。通过这个工序，除去在线路端子形成薄膜2’上的通道层和接触层，留下控制极绝缘薄膜13(没有示出)。
再如图2B和3B所示，利用光刻方法形成适当的接触图形，并利用CF4-O2气体干腐蚀该结构，形成宽度比线路端子形成薄膜2’的宽度小的带形接触孔3，使线路端子形成薄膜2’露出。带形接触孔3不是必须为完整的带形图形，如图9A-9C所示，当信号输入端子10交错排列时，接触孔3可以为适合信号输入端子10排列的任何图形。
然后，利用溅射方法，沉积Ti至厚度大约为150nm，并通过利用HNO3-HF腐蚀剂的光刻方法，形成源极总线(没有示出)。在这个工序中，也形成端子衬垫4。如图2C，3C和4B所示，在线路端子形成薄膜2’的纵向方向上，端子衬垫4以正常间距排列，使得每一个端子衬垫4的中心，在沿着相应的控制极总线14延长线的线路端子形成薄膜2’的部分周围时，每一个端子衬垫4跨过接触孔3。采用这种结构时，端子衬垫的长边的长度比带形接触孔3的宽度大很多。因此，可使端子衬垫4相对于纵向方向的光对准余量足够大，使得形成端子衬垫4的过程基本上无需光对准。在这个工序中，在源极总线(没有示出)的一个末端，形成与在控制极总线14的一个末端上的线路端子形成薄膜2’相同的线路端子形成薄膜。端子衬垫4的材料不是仅限于Ti。端子衬垫4的材料可以为Ti，Ti的合金，ITO(或任何其他适合的导电金属氧化物)，Ta、Mo、Al或其合金；或者，端子衬垫4可以为二种或多种这些材料的层叠体。另外，在实施例1中，用于制造源极总线的材料(Ti)，也用于制造控制极总线14，因此，控制极总线14的信号输入端子10的端子衬垫4也由Ti制成。另一种方式是，例如在后述的，在金属薄膜基本上没有被用于腐蚀制造源极总线的金属薄膜的腐蚀剂腐蚀的情况下，可以使用作出图像元素电极图形的金属薄膜来形成端子衬垫4，如同在源极总线的信号输入端子10时一样。
然后，如图2D和图4C所示，利用形成端子衬垫4的光图形作为掩膜，以HNO3-HF腐蚀剂腐蚀掉线路端子形成薄膜2’的没有端子衬垫部分。这样，就形成控制极总线14的信号输入端子10，每一个端子包括将这个次序沉积的线路端子2和端子衬垫4。
因此，可以这样来形成信号输入端子10：首先在带形线路端子形成薄膜2’上形成端子衬垫4，然后利用端子衬垫4本身或用于形成端子衬垫4的光图形作为掩膜，腐蚀掉线路端子形成薄膜2’上的没有端子和衬垫部分。这样，可使端子衬垫4相对于端子排列方向的光对准余量较大，并可保证线路端子2和端子衬垫4之间的固定和足够的的接触面积，以使接触电阻减小。这样，可以得到甚至当绝缘基片1膨胀/收缩时，线路端子2和端子衬垫4之间不会产生连接缺陷的信号输入端子10。
图15为表示在同样的条件下(条件A)，与端子衬垫4作出单独的接触孔的通常的有源矩阵基片9(例2)比较，对于实施例1(例1)的有源矩阵基片9，在各种50-100微米范围内的端子间距，端子衬垫4的光对准余量(在线路端子2的排列方向上)的图形。参见图14，条件A为：每一个线路端子2的宽度(W3)为端子排列间距(W1+W2)的，(式中：W1为每一个端子衬垫4的宽度，W2为相邻的端子衬垫4之间的间隔)。
从图15可看出，在条件A下，实施例1(例1)的有源矩阵基片9的光对准余量，为通常的有源矩阵基片9(例2)的光对准余量的二倍。因此，即使因为液晶控制极的高分辨率，需要端子排列间距小的情况下，也可以使端子衬垫4相对于端子排列方向的光对准余量非常大。
再利用源极图形作为掩膜，进行通道的腐蚀过程，并利用CVD方法，沉积由SiNx制成的钝化薄膜。然后，在利用光刻方法形成适当的抗蚀图形后(没有示出)，利用CF4-O2气体，对该结构进行干腐蚀。在这个工序中，在钝化薄膜(绝缘薄膜)中形成带形的接触孔(没有示出)，使源极总线的线路端子形成薄膜露出。
再利用溅射方法沉积Al到厚度大约为100nm，并且通过利用HNO3-HCl-CH3COOH腐蚀剂的光刻方法，将Al薄膜作出图形，变成图形元素。在这个工序中，在源极总线的线路端子形成薄膜上，作出由与图像元素金属薄膜材料相同的材料制成的多个端子衬垫，使端子衬垫在线路端子形成薄膜(没有示出)的纵向方向上，以正常间距排列。
然后，利用形成源极总线的端子衬垫用的光图形作为掩膜，腐蚀掉通过带形接触孔露出的线路端子形成薄膜的没有端子和衬垫部分。这样，就形成了源极总线的信号输入端子，每一个端子包括按这个次序放置的线路端子和端子衬垫。
如上所述，得到本发明实施例1的有源矩阵基片9。所得到的有源矩阵基片9，与副基片一起，形成一个液晶显示器器件，然后将该器件装入液晶显示器装置中。
绝缘基片1不是仅限于聚酰亚胺基片，可以为陶瓷基片或塑料基片(例如聚乙烯磺酸盐基片)中的任何一种。
实施例2
现参照图5A，5B，5C来说明本发明的实施例2的有源矩阵基片9。图中与实施例1共同的器件用相同的标号表示。
除了本实施例的有源矩阵基片9使用包括为不同的金属层(例如，控制板金属薄膜和源极金属薄膜，源极金属薄膜和图像元素金属薄膜，或控制板金属薄膜和图像元素金属薄膜)的端子衬垫4和6以外，本实施例的有源矩阵基片9的结构，基本上与实施例1的结构相同。换句话说，本实施例的有源矩阵基片9与实施例1的有源矩阵基片比较，另外包括在线路端子2和端子衬垫4之间的下部端子衬垫6。
利用这种结构，甚至在腐蚀控制极总线14的金属薄膜同时，腐蚀源极总线的金属薄膜；和在腐蚀源极总线的金属薄膜同时，腐蚀图像元素电极的金属薄膜的情况下，即信号输入端子10需要通过以高的光对准精度，使三层或四层彼此重叠而形成时，可以使用最上层的图形作为掩膜来腐蚀下层的金属薄膜，从而可以端子衬垫4相对于线路端子2排列的方向的光对准余量较大，可保证线路端子2和端子衬垫4之间的固定和足够大的接触面积，以减小接触电阻。
下面，参照图6A-6D，图7A-7D(沿着图5A的VB-VB线所取的)和图8A-8D(沿着图5A的VC-VC线所取的)，来说明本发明的实施例2的有源矩阵基片9的制造方法中，信号输入端子10(控制极总线14的)的形成。
首先，利用溅射方法，在由聚酰亚胺制成的绝缘基片1上，沉积AlNd至厚度大约为150nm；并通过HNO3-HCl-CH3COOH腐蚀剂的光刻方法，形成控制极总线14和存储电容器线(没有示出)。在这个工序中，在控制及总线14的一个末端，形成线路端子形成薄膜2’。线路端子形成薄膜2’为一个单件，以后将它分割成单独的线路端子2。线路端子形成薄膜2’的材料不是仅限于Ti。线路端子形成薄膜2’的材料可以为Ti，Ti合金，ITO(或任何其他适当的导电金属氧化物)，Ta、Mo、Al或其合金；或者，线路端子形成薄膜2’可以为二种或多种这些材料的层叠体。
然后，利用CVD方法沉积由SiNx制成的控制极绝缘薄膜(350nm)13，由a-Si制成的通道层(150nm)，和由n+-Si制成的接触层。另外，通过光刻法和使用SF6气体的干腐蚀，作出通道层和接触层的图形(没有示出)。通过这个工序，除去在线路端子形成薄膜2’上的通道层和接触层，留下控制极绝缘薄膜13(没有示出)。
再如图6A、7A、8A所示，利用光刻方法形成适当的接触图形；并利用CF4-O2气体对该结构进行干腐蚀，形成带形接触孔3，使线路端子形成薄膜2’通过该孔露出。在这个工序中、带形接触孔3不是必须作成完整的带形图形。例如，如图9A-9C所示，当信号输入端子10交错排列时，接触孔3可以为任何适合于信号输入端子10排列的图形。
然后，如图6B、7B和8B所示，利用溅射方法沉积Mo至厚度大约为150nm，并通过利用HNO3-HF腐蚀剂的光刻方法，形成源极总线(没有示出)，和形成沿着带形接触孔3延伸，宽度比带形接触孔3的宽度大，覆盖带形接触孔3的带形下部端子衬垫形成薄膜6’。在这个工序中，在源极总线(没有示出)的一个末端，形成与在控制极总线14的一个末端上的线路端子形成薄膜2’相同的线路端子形成薄膜。下部端子衬垫形成薄膜6’的材料不是仅限于Mo。下部端子衬垫形成薄膜6’的材料可以为Mo，Mo的合金，ITO(或任何其他适当的导电金属氧化物)，Ti，Ta，Al或其合金；或者，下部端子衬垫形成薄膜6’可以为二种或多种这些材料的层叠件。
然后，利用源极图形作为掩膜，进行通道腐蚀过程，并用CVD方法沉积由SiNx制成的钝化薄膜。在利用光刻法形成适当的抗蚀图形(没有示出)后，利用CF4-O2气体对该结构进行干腐蚀。在这个工序中，在钝化薄膜(绝缘薄膜)上形成带形接触孔(没有示出)，使源极总线的线路端子形成薄膜露出。
再利用溅射方法，沉积Al，至厚度大约为100nm，并通过使用HNO3-HCl-CH3COOH腐蚀剂的光刻方法，在Al薄膜上作出图形，成为图像元素电极。另外，如图6C，7C和8C所示，在下部端子衬垫形成薄膜6’上形成由与图像元素金属薄膜的材料相同的材料制成的端子衬垫4。每一个端子衬垫4均为矩形，其长边在下端端子衬垫形成薄膜6’的宽度方向延伸，使端子衬垫4在下部的端子衬垫形成薄膜6’的纵向方向上，以正常的间距排列。端子衬垫4的长边长度比下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度大。在这个工序中，在源极总线的线路端子形成薄膜(没有示出)上，还形成由与图像元素金属薄膜材料相同的材料制成的端子衬垫。
这样，形成一个结构，其下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度比带形接触孔3的宽度大得多，并且比上部端子衬垫4的长边长度小得多。该上部端子衬垫4则与下部端子衬垫形成薄膜6’电气上连接。利用这种结构，可使带形接触孔3和下部端子衬垫形成薄膜6’之间，和下部端子衬垫形成薄膜6’与端子衬垫4之间的光对准余量足够大。
在这种情况下，下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度，端子衬垫4的长边长度，和带形接触孔3的宽度之间的关系如下：
端子衬垫4的长边长度＞下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度＞带形接触孔3的宽度。
可选择地，该结构可以是这样：下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度比带形接触孔3的宽度大很多，而与下部端子衬垫形成薄膜6’电气上连接的上部端子衬垫4的长边长度比带形接触孔3的宽度大很多。利用这种结构，也可使带形接触孔3和下部端子衬垫形成薄膜6’之间，与下部端子衬垫形成薄膜6’和端子衬垫之间的光对准余量足够大。
在这种情况下，下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度，端子衬垫4的长边长度，和带形接触孔3的宽度之间的关系如下：
下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度＞端子衬垫4的长边长度＞带形接触孔3的宽度。
又如图6D、7D和8D所示，利用用于形成端子衬垫4的光图形作为掩膜，借助HNO3-HCl-CH3COOH腐蚀剂，将线路端子形成薄膜2’和下部端子衬垫形成薄膜6’上的没有端子衬垫的部分腐蚀掉，形成线路端子2和下部端子衬垫6。线路端子2和下部端子衬垫6都为矩形，其长边与端子衬垫4的长边平行。这样，形成控制极总线14的信号输入端子10，每一个端子包括按这个次序放置的线路端子2，下部端子衬垫6和端子衬垫4。在这个工序中，利用用于形成源极总线的端子衬垫的光图形作为掩膜，通过腐蚀掉线路端子形成薄膜的没有端子和衬垫部分，形成源极总线的线路端子(没有示出)。这样，形成了源极总线的信号输入端子，每一个端子包括按这个次序放置的线路端子，下部端子衬垫和端子衬垫。
对于如上所述形成的控制极总线14的信号输入端子10，下部端子衬垫6的长边长度，端子衬垫4的长边长度和带形接触孔3的宽度之间的关系；与下部端子衬垫6的短边长度(宽度)和端子衬垫4的短边宽度之间的关系如下：
端子衬垫4的长边长度＞下部端子衬垫6的长边长度＞带形接触孔3的宽度；和
端子衬垫4的宽度＝(或≈)下部端子衬垫6的宽度。
在下部端子衬垫形成薄膜6’的宽度比带形接触孔3的宽度大很多，和与下部端子衬垫形成薄膜6’电气上连接的上部端子衬垫4的长边长度，比带形接触孔3的宽度大很多的情况下，利用用于最终形成端子衬垫4的光图形作为掩膜进行腐蚀，形成下部端子衬垫6。这样，端子衬垫4的形状基本上与下部端子衬垫6的形状相同。在这种情况下，下部端子衬垫6的长边长度，端子衬垫4的长边长度和带形接触孔3的宽度之间的关系；与下部端子衬垫6的短边长度(宽度)和端子衬垫4的短边宽度之间的关系如下：
端子衬垫4的长边长度＝(或≈)下部端子衬垫6的长边长度＞带形接触孔3的宽度；和
端子衬垫4的宽度＝(或≈)下部端子衬垫6的宽度。
如上所述，得到本发明的实施例2的有源矩阵基片9。所得到的有源矩阵基片9，与副基片一起，形成放入液晶显示器装置中的液晶显示器器件。
根据上述的制造方法，甚至在需要将三个或4个金属薄膜层，以高的光对准精度，彼此重叠形成信号输入端子10的情况下，如同在本发明的实施例2的有源矩阵基片9中一样，下部金属，下层金属薄膜，可使用最上层图形作为掩膜进行腐蚀。因此可使端子衬垫4相对于线路端子2排列方向的光对准余量较大，并保证线路端子2和端子衬垫4之间的固定和足够大的接触面积，以减小接触电阻。这样，可以得到当绝缘基片1膨胀/收缩时，在线路端子2和端子衬垫4之间不产生连接缺陷的信号输入端子10。
另外，如同用上述方法制造的，根据本发明的实施例2的有源矩阵基片9的下部端子衬垫6和端子衬垫4一样，在包括二个或多个不同的金属薄膜层的多层端子结构中，形成控制极总线14的信号输入端子10的情况下，通过使用与如图14所示的实施例1相同的结构，可以与图15所示相同的光对准余量形成信号输入端子10。
绝缘基片1不是仅限于聚酰亚胺基片，可以为陶瓷基片或塑料基片(例如聚乙烯磺酸盐基片)中的任何一种。
虽然已用优选实施例说明了本发明，但技术熟练的人知道，本发明可用许多方法改进，并且有许多不同于上述的实施例。因此，在本发明的精神和范围内，所附权利要求书涵盖了本发明的所有改进。

Claims (11)

1.一种有源矩阵基片，它包括多个用于与驱动器连接的隔开的信号输入端子，其特征在于，该有源矩阵基片包括：
一个绝缘基片；
设在绝缘基片上的多个隔开的导电线路端子；
设在绝缘基片上的线路端子层上的绝缘薄膜，该 绝缘薄膜包括在端子排列方向上延伸的一个接触孔，可使多个线路端子通过该孔露出；和
多个导电的端子衬垫，设在绝缘基片上的绝缘薄膜层上，分别覆盖通过在绝缘薄膜上的接触孔露出的多个线路端子；
其中，每一个信号输入端子包括线路端子中的一个端子和相应的一个端子衬垫。
2.如权利要求1所述的有源矩阵基片，其特征在于，在与端子排列方向垂直的方向上的每一个端子衬垫的长度，比接触孔的宽度大。
3.如权利要求1所述的有源矩阵基片，其特征在于，在端子排列方向上彼此相对的每一个信号输入端子的线路端子的侧边缘，与信号输入端子的端子衬垫的侧边缘对准。
4.如权利要求1所述的有源矩阵基片，其特征在于，绝缘基片为塑料基片。
5.一种液晶显示器装置，它包括具有与驱动器连接的多个隔开的信号输入端子的一个有源矩阵基片，其特征在于，该有源矩阵基片包括：
一个绝缘基片：
设在绝缘基片上的多个隔开的导电线路端子；
设在绝缘基片上的线路端子层上的绝缘薄膜，该绝缘薄膜包括在端子排列方向上延伸的一个接触孔，可使多个线路端子通过该孔露出；和
多个导电的端子衬垫，它设在绝缘基片上的绝缘薄膜层上，分别覆盖通过在绝缘薄膜上的接触孔露出的多个线路端子：
其中，每一个信号输入端子包括线路端子中的一个端子和相应的一个端子衬垫。
6.如权利要求5所述的液晶显示器装置，其特征在于，在与端子排列方向垂直的方向上的每一个端子衬垫的长度，比接触孔的宽度大。
7.如权利要求5所述的液晶显示器装置，其特征在于，在端子排列方向上彼此相对的每一个信号输入端子的线路端子的侧边缘，与信号输入端子的端子衬垫的侧边缘对准。
8.如权利要求5所述的液晶显示器装置，其特征在于，绝缘基片为塑料基片。
9.一种制造包括多个与驱动器连接的隔开的信号输入端子的有源矩阵基片的方法，该方法包括下列工序：
在绝缘基片上形成导电的细长的线路端子形成薄膜；
形成覆盖在绝缘基片上的线路端子形成薄膜的绝缘薄膜；
在绝缘薄膜上形成细长的接触孔，使线路端子形成薄膜通过该孔露出；
在通过在绝缘薄膜上的接触孔露出的线路端子形成薄膜上，形成多个导电的端子衬垫，使端子衬垫在线路端子形成薄膜的纵向方向上，彼此隔开；以及
有选择地除去线路端子形成薄膜的没有端子和衬垫的部分，形成多个隔开的线路端子，同时形成每一个都包括一个线路端子和相应的一个端子衬垫的信号输入端子。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成端子衬垫，使每一个端子衬垫在与端子排列方向垂直的方向上的长度，比接触孔的宽度大。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，利用塑料基片作为绝缘基片。
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