CN1573445A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

液晶显示器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1573445A
CN1573445A CNA2004100455484A CN200410045548A CN1573445A CN 1573445 A CN1573445 A CN 1573445A CN A2004100455484 A CNA2004100455484 A CN A2004100455484A CN 200410045548 A CN200410045548 A CN 200410045548A CN 1573445 A CN1573445 A CN 1573445A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
data
contact hole
contact holes
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100455484A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1573445B (zh
Inventor
李垌默
南承熙
吴载映
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1573445A publication Critical patent/CN1573445A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1573445B publication Critical patent/CN1573445B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

一种液晶显示器件，其包括：基板上的多条信号线；该基板上的多个焊盘电极，该多个焊盘电极中的每一个与该多条信号线之一相连；该多个焊盘电极上的至少一个绝缘膜，该至少一个绝缘膜具有多个接触孔以露出该多个焊盘电极的多个部分；以及通过该多个接触孔与该多个焊盘电极中的每一个电连接的导电膜。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本发明要求2003年6月20日提交的韩国专利申请No.P2003-40126的优先权，在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及显示器件以及制造显示器件的方法，更具体地，本发明涉及液晶显示器件以及制造液晶显示器件的方法。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)器件响应于视频信号而控制以矩阵形式设置的液晶单元的透光率，以在液晶显示板上显示与视频信号相对应的图像。LCD器件包括：具有以有源矩阵阵列形式设置的多个液晶单元的液晶显示板；以及用于驱动这些液晶单元的多个驱动集成电路(IC)。当通过载带自动焊(TAB)系统制造这些驱动IC时，这些驱动IC安装在带载封装(TCP)上。相反地，当通过玻载芯片(COG)系统制造这些驱动IC时，这些驱动IC安装在液晶显示板的表面上。在TAB系统中，这些驱动IC通过TCP电连接到液晶显示板中的焊盘部分。
图1是根据现有技术的液晶显示器件的平面图，图2是根据现有技术的沿图1的线II-II’的截面图。在图1中，LCD器件包括图像显示部分40、以及连接在驱动IC与图像显示部分40之间的选通焊盘42和数据焊盘44。图像显示部分40具有下述结构，其中薄膜晶体管阵列基板48和滤色器阵列基板彼此相连，并且其间设置有多个液晶单元。
在图像显示部分40内，薄膜晶体管阵列基板48包括：被提供数据信号的多条数据线；被提供选通信号的多条选通线；用于切换位于多条数据线和多条选通线的交叉点处的多个液晶单元的薄膜晶体管；连接到该薄膜晶体管以驱动液晶单元的像素电极；以及施加在薄膜晶体管阵列基板48上以提供液晶材料的配向的下配向膜。
滤色器阵列基板46包括：用于产生彩色光的滤色器；用于防止光泄漏的黑底；用于与像素电极一起产生垂直电场的公共电极；以及施加在滤色器阵列基板46上以提供液晶材料的配向的上配向膜。
薄膜晶体管阵列基板48与滤色器阵列基板46通过隔离体彼此间隔开，以提供均匀的单元间隙。此外，将液晶材料填充到由该隔离体提供的单元间隙中。
在图1中，选通焊盘42将来自选通驱动IC的选通信号提供给图像显示部分40的各条选通线。如图2所示，选通焊盘42包括：从选通线延伸出来的选通焊盘下电极30；以及选通焊盘上电极32，该选通焊盘上电极32通过穿过栅绝缘膜12和钝化膜18的栅接触孔38连接到选通焊盘下电极30。
在图1中，数据焊盘44将来自数据驱动IC的数据信号提供给图像显示部分40的各条数据线。如图2所示，数据焊盘44包括：从数据线延伸出来的数据焊盘下电极34；以及数据焊盘上电极36，该数据焊盘上电极36通过穿过钝化膜18的数据接触孔28连接到数据焊盘下电极34。
虽然未示出，选通焊盘42和数据焊盘44与TAB系统中的安装有多个驱动IC的多个TCP接触。例如，连接到选通线的选通焊盘下电极30通过选通焊盘上电极32电连接到安装有多个选通驱动IC的选通TCP。类似地，连接到数据线的数据焊盘下电极34通过数据焊盘上电极36电连接到安装有多个数据驱动IC的数据TCP。因此，选通焊盘上电极32和数据焊盘上电极36分别用于在重复TAB系统所需的接触这些TCP的步骤的过程中防止选通焊盘下电极30及数据焊盘下电极34被损坏。
LCD器件(例如，反射型LCD器件或面内切换型LCD器件)不需要透明导电膜。类似地，透射型LCD器件在选通焊盘42和数据焊盘44内不需要透明导电膜，以减少掩模工艺的总数和降低制造成本。相应地，这些LCD器件具有多个选通焊盘42和多个数据焊盘44，如图1和图2所示。
图3A是根据现有技术的焊盘结构的平面图，图3B是根据现有技术的沿图3A的线III1-III1’的截面图。类似地，图3C是根据现有技术的另一焊盘结构的平面图，图3D是根据现有技术的沿图3C的线III2-III2’的截面图。在图3B和3D中，完全露出了分别包括在选通焊盘42和数据焊盘44中的选通焊盘下电极30及数据焊盘下电极34。
图4A是根据现有技术的另一焊盘结构的平面图，图4B是根据现有技术的沿图4A的线IV1-IV1’的截面图。类似地，图4C是根据现有技术的另一焊盘结构的平面图，图4D是根据现有技术的沿图4C的线IV2-IV2’的截面图。在图4B和4D中，通过栅接触孔28和数据接触孔38部分地露出了选通焊盘下电极30和数据焊盘下电极34，如在日本专利申请公开Heisei 1-287624中所述。
在图3A-3D和4A-4D的焊盘结构中，完全地或部分地露出了选通焊盘下电极30和数据焊盘下电极34，以直接与TAB系统中安装有多个驱动IC的TCP接触。但是，如果在将TCP键合到选通焊盘下电极30和数据焊盘下电极34上时由于未对准而导致产生缺陷，则需要多次重复进行连接和断开TCP的修理工艺。在修理工艺过程中，暴露的选通焊盘下电极30和暴露的数据焊盘下电极34均由于被与TCP一起拉出而被损坏。因此，该损坏导致了选通焊盘下电极30和数据焊盘下电极34两者的电断路。
发明内容
因此，本发明致力于一种液晶显示器件以及制造液晶显示器件的方法，其基本上消除了由于现有技术的限制及缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的一个目的是提供一种能够承受TAB修理工艺的液晶显示器件。
本发明的另一目的是提供一种制造能够承受TAB修理工艺的液晶显示器件的方法。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明中进行阐述，一部分可以通过说明书而明了，或者可以通过本发明的实践而体验到。通过说明书、权利要求书和附图中具体指出的结构，可以实现或获得本发明的这些和其它优点。
为了实现这些和其它优点，并根据本发明的目的，正如具体实施和广泛描述的，一种液晶显示器件包括：基板上的多条信号线；该基板上的多个焊盘电极，该多个焊盘电极中的每一个与该多条信号线中的一条相连；在该多个焊盘电极上的至少一个绝缘膜，该至少一个绝缘膜具有多个接触孔，以露出这些焊盘电极的多个部分；以及通过这些接触孔与该多个焊盘电极中的每一个相连的导电膜。
在另一方面，一种制造液晶显示器件的方法包括：在基板上形成与多条信号线相连的多个焊盘电极；形成至少一个绝缘膜，该绝缘膜具有多个接触孔以露出该多个焊盘电极的多个部分；以及使用导电膜直接连接这些焊盘电极的露出部分。
应当理解，以上的概要说明及以下的详细说明均为示例性和说明性的，旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图帮助更好地理解本发明，并构成本申请的一部分，附图显示了本发明的实施例，并与说明书一起解释本发明的原理。
图1是根据现有技术的液晶显示器件的平面图；
图2是根据现有技术的沿图1的线II-II’的截面图；
图3A是根据现有技术的焊盘结构的平面图；
图3B是根据现有技术的沿图3A的线III1-III1’的截面图；
图3C是根据现有技术的另一焊盘结构的平面图；
图3D是根据现有技术的沿图3C的线III2-III2’的截面图；
图4A是根据现有技术的另一焊盘结构的平面图；
图4B是根据现有技术的沿图4A的线IV1-IV1’的截面图；
图4C是根据现有技术的另一焊盘结构的平面图；
图4D是根据现有技术的沿图4C的线IV2-IV2’的截面图；
图5是根据本发明的示例性薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图6是根据本发明的沿图5的线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图；
图7A至7D是根据本发明的制造图6的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图；
图8是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的沿图5的线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图；
图9A至9D是根据本发明的制造图8的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿图8的线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图；
图10是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图11是根据本发明的图10的薄膜晶体管阵列基板的沿图10的线XI-XI’的截面图；
图12A至12D是根据本发明的制造图11的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿图10的线XI-XI’的截面图；
图13是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的沿与图10的线XI-XI’相对应的线XII-XII’的截面图；
图14A至14C是根据本发明的制造图13的薄膜晶体管阵列基板的另一示例性方法的沿与图10的线XI-XI’相对应的线XII-XII’的截面图；
图15是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图16是根据本发明的薄膜晶体管阵列基板的沿图15的线XVI-XVI’的截面图；
图17A至17D是根据本发明的制造图16的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿图16的线XVI-XVI’的截面图；
图18A至18F是根据本发明的示例性接触孔的平面图；以及
图19A和19B是根据本发明的与薄膜阵列基板的焊盘下电极相连的示例性TCP的示意性截面图。
具体实施方式
现将对本发明的优选实施例进行详细说明，其示例在附图中显示。
图5是根据本发明的示例性薄膜晶体管阵列基板的平面图，图6是根据本发明的沿图5的线VI1-VI1、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图。在图5和图6中，薄膜晶体管阵列基板可以包括设置在下基板51上的选通线52和数据线54，选通线52和数据线54彼此交叉，并且在它们之间设置有栅绝缘膜62。此外，可以在多条选通线52和数据线54的各个交叉点处设置薄膜晶体管55，可以在多条选通线52和数据线54的交叉点处的像素区域57形成反射电极72，可以在选通线52与反射电极72的重叠区域中形成存储电容96，选通焊盘92可以连接到选通线52，数据焊盘94可以连接到数据线54。相应地，选通线52可以提供来自选通焊盘92的选通信号，而数据线54可以提供来自数据焊盘94的数据信号。
响应于沿选通线52传送的选通信号，薄膜晶体管55可以使沿数据线54传送的像素信号充入反射电极72。薄膜晶体管55可包括与选通线52相连的栅极56、与数据线54相连的源极58、以及与反射电极72相连的漏极60。此外，该薄膜晶体管55可以包括与栅极56重叠的有源层64，在栅极56和有源层64之间具有栅绝缘膜62，由此在源极58与漏极60之间限定了沟道。此外，在有源层64上可以设置欧姆接触层66，以实现与源极58和漏极60的欧姆接触。
在图6中，反射电极72可以与薄膜晶体管55的漏极60集成为一体，并且可以形成在像素区域57中。因此，可以在反射电极72(通过薄膜晶体管55向其提供像素信号)和公共电极(未示出，向其提供基准电压)之间形成电场。由于介电各向异性，该电场可以使薄膜晶体管阵列基板与滤色器阵列基板之间的液晶分子转动。因此，像素区域57的光反射率会随液晶分子的转动量而不同，由此来显示图像。
在图5和6中，存储电容96可包括选通线52和与该选通线52重叠的反射电极72，在选通线52和反射电极72之间具有栅绝缘膜62。存储电容96可以稳定地保持充入反射电极72的像素信号，直到下一个像素信号充入反射电极72。
虽然未示出，选通焊盘92可以与选通驱动IC相连，以将来自选通驱动IC的选通信号提供给选通线52。因此，选通焊盘92可以包括从选通线52延伸出来的选通焊盘电极80，并且多个栅接触孔88可以穿过栅绝缘膜62和钝化膜68，以露出选通焊盘电极80的多个部分。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或更多个栅接触孔88露出的一部分选通焊盘电极80，但是通过其余栅接触孔88露出的选通焊盘电极80可以与安装有选通驱动IC的选通TCP保持电连接。因此，可以通过选通焊盘电极80将来自选通驱动IC的选通信号提供给选通线52。
虽然未示出，数据焊盘94可以连接到数据驱动IC，以将来自数据驱动IC的数据信号提供给数据线54。相应地，数据焊盘94可以包括从数据线54延伸出来的数据焊盘电极84、以及穿过钝化膜68以露出数据焊盘电极84的多个部分的多个数据接触孔78。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或更多个数据接触孔78露出的一部分数据焊盘电极84，但是通过其余数据接触孔78露出的数据焊盘电极84可以与安装有数据驱动IC的数据TCP保持电连接。因此，可以通过数据焊盘电极84将来自数据驱动IC的数据信号提供给数据线54。
图7A至7D是根据本发明的制造图6的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图。在图7A中，可以在下基板51上形成包括选通线52、栅极56和选通焊盘电极80的第一导电图案组。例如，可以通过淀积技术(例如溅射)在下基板51上形成栅金属层(例如铝(Al)系金属或铜(Cu))。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对栅金属层进行构图以形成包括选通线52、栅极56和选通焊盘电极80的第一导电图案组。
在图7B中，可以在设置有第一导电图案组的下基板51上形成包括栅绝缘膜62以及栅绝缘膜62上的有源层64和欧姆接触层66的半导体图案。例如，可通过淀积技术(例如等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和溅射)在下基板51上依次形成栅绝缘膜62以及第一和第二半导体层。栅绝缘膜62可以由无机绝缘材料(例如，氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx))制成。第一半导体层可以由未搀杂的非晶硅制成，第二半导体层可以由掺有N型或P型杂质的非晶硅制成。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对第一与第二半导体层同时进行构图，以形成包括有源层64和欧姆接触层66的半导体图案。
在图7C中，可以在设置有半导体图案的下基板51上形成第二导电图案组，其中第二导电图案组可以包括源极58、漏极60、反射电极72、数据线54及数据焊盘电极84。例如，可以在具有半导体图案的下基板51上淀积数据金属层。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对该数据金属层进行构图，以形成包括数据线54、源极58、漏极60、反射电极72(可以与漏极60形成为一体)及数据焊盘电极84的第二导电图案组。此外，可使用源极58和漏极60作为掩模通过干法蚀刻工艺对欧姆接触层66进行蚀刻，由此露出有源层64。
在图7D中，可以在设置有第二导电图案组的下基板51上形成包括多个栅接触孔88和数据接触孔78的钝化膜68。例如，可以通过淀积方法(例如PECVD)在栅绝缘膜62的整个表面上形成钝化膜68。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对钝化膜68进行构图，以形成多个栅接触孔88和多个数据接触孔78。该多个栅接触孔88可以形成为穿过钝化膜68和栅绝缘膜62，以露出选通焊盘电极80的多个区域。类似地，该多个数据接触孔78可以形成为穿过钝化膜68，以露出数据焊盘电极84的多个区域。钝化膜68可以由无机绝缘材料(例如栅绝缘膜62)或者具有低介电常数的有机绝缘材料(如丙烯系有机化合物、苯并环丁烯(BCB)或全氟环丁烷(PFCB))制成。
图8是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的沿图5的线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图。在图8中，薄膜晶体管阵列基板可以类似于图5和6中的薄膜晶体管阵列基板，只是可以在包括源极、漏极、数据焊盘电极的第二导电图案组以及沿第二导电图案组的数据线的下面形成包括有源层和欧姆接触层的半导体图案。因此，为了简明起见省略了图8的示例性薄膜晶体管阵列基板的某些特征。
在图8中，可以将源极58、漏极60和数据焊盘电极84形成为具有类似于半导体图案的图案。此外，反射电极72可以由不同于漏极60的金属制成，并形成在由数据线54和选通线52限定的像素区域中。
虽然未示出，选通焊盘92可以连接到选通驱动IC，以将来自选通驱动IC的选通信号提供给选通线52。因此，选通焊盘92可以包括从选通线52延伸出来的选通焊盘电极80以及穿过栅绝缘膜62和钝化膜68以露出选通焊盘电极80的多个部分的多个栅接触孔88。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或更多个栅接触孔88露出的一部分选通焊盘电极80，但是通过其余栅接触孔88露出的选通焊盘电极80可以与安装有选通驱动IC的选通TCP保持电连接。因此，可以通过选通焊盘电极80将来自选通驱动IC的选通信号提供给选通线52。
虽然未示出，数据焊盘94可以连接到数据驱动IC，以将来自数据驱动IC的数据信号提供给数据线54。相应地，数据焊盘94可以包括具有有源层64和欧姆接触层66的半导体图案，并且数据焊盘电极84可以从数据线54延伸出来，其中数据焊盘电极84可以具有类似于半导体图案的图案以及穿过钝化膜68以露出数据焊盘电极84的多个部分的多个数据接触孔78。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或更多个数据接触孔78露出的一部分数据焊盘电极84，但是通过其余数据接触孔78露出的数据焊盘电极84可以与安装有数据驱动IC的数据TCP保持电连接。因此，可以通过数据焊盘电极84将来自数据驱动IC的数据信号提供给数据线54。
图9A至9D是根据本发明的制造图8的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿图8的线VI1-VI1’、VI2-VI2’和VI3-VI3’的截面图。在图9A中，可以将由铝系金属制成的栅金属层淀积在下基板51的整个表面上，并通过光刻和蚀刻工艺对其进行构图，以形成包括选通线52、栅极56和选通焊盘电极80的第一导电图案组。
在图9B中，可以在具有第一导电图案组的下基板51上依次形成栅绝缘膜62、第一和第二半导体层以及数据金属层。然后，虽然未示出，可以使用第二掩模通过光刻工艺在数据金属层上形成光刻胶图案，其中该光刻胶图案可以具有不同高度的沟道区域。然后，可以使用具有不同高度的沟道部分的光刻胶图案通过湿法蚀刻工艺对数据金属层进行构图，以形成包括数据线54、源极58、漏极60(可以与源极58形成为一体)和数据焊盘电极84的第二导电图案组。接着，可以使用具有不同高度的沟道部分的光刻胶图案通过蚀刻工艺对第一和第二半导体层进行构图，以形成有源层64和欧姆接触层66。然后，可以通过灰化工艺去除沟道区域中具有相对低的高度的光刻胶图案，并且可以通过干法蚀刻工艺对该沟道区域内的源极和漏极的多个部分以及欧姆接触层66进行蚀刻。因此，可以露出沟道区域中的有源层64，以将源极58与漏极60电隔离。接着，可以通过剥离工艺去除第二导电图案组上的光刻胶图案的剩余部分。
在图9C中，可以将由铝系金属制成的反射金属层淀积在设置有第二导电图案组的栅绝缘膜62上。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对该反射金属层进行构图，以形成包括反射电极72的第三导电图案组。
在图9D中，可以在设置有第三导电图案组的栅绝缘膜62上淀积有机绝缘材料或无机绝缘材料之一，以形成整体地淀积在下基板51上的钝化膜68。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对该钝化膜68进行构图，以形成多个栅接触孔88和多个数据接触孔78。该多个栅接触孔88可以形成为穿过钝化膜68和栅绝缘膜62，以露出选通焊盘电极80的多个部分。类似地，该多个数据接触孔78可以形成为穿过钝化膜68，以露出数据焊盘电极84的多个部分。
图10是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的平面图，图11是根据本发明的图10的薄膜晶体管阵列基板的沿图10的线XI-XI’的截面图。在图10和11中，面内切换(IPS)型薄膜晶体管阵列基板可以包括形成在下基板151上并彼此交叉的选通线152和数据线154。此外，可以在多条选通线52和多条数据线154的每个交叉点上形成薄膜晶体管120，可以形成像素电极172和公共电极140，以在由多条选通线152和多条数据线154的交叉点限定的像素区域中产生水平电场，并且公共线142可连接到公共电极140。此外，该薄膜晶体管阵列基板可以包括：形成在像素电极172与公共线142之间的交迭部分的存储电容130、连接到选通线152的选通焊盘192、连接到数据线154的数据焊盘194、以及连接到公共线142的公共焊盘148。因此，选通线152可以将选通信号提供给薄膜晶体管120的栅极156，并且数据线154可通过薄膜晶体管120的漏极160将像素信号提供给像素电极172。此外，公共线142可以与选通线152平行，像素区域128位于公共线142与选通线152之间，以将用于驱动液晶的基准电压提供给公共电极140。
薄膜晶体管120响应于沿选通线152传送的选通信号，使数据线154的像素信号充入并保持在像素电极172中。该薄膜晶体管120可以包括：连接到选通线152的栅极156；连接到数据线154的源极158；以及连接到像素电极172的漏极160。此外，该薄膜晶体管120还可以包括：与栅极156交迭的有源层164，在栅极156和有源层164之间设置有栅绝缘膜162；以及在源极158与漏极160之间的沟道。可以在有源层164上形成欧姆接触层166，以实现与源极158与漏极160的欧姆接触。
在图11中，可以在像素区域128中形成像素电极172，其与薄膜晶体管120的漏极160形成为一体，并且也可以与存储电极150形成为一体。例如，像素电极172可以包括：与漏极160相连并与相邻选通线152平行的水平部分172A；以及从水平部分172A  伸出来并与公共电极140平行的指状部分172B。此外，公共电极140可以连接到公共线142，并且可以形成在像素区域128中。因此，公共电极140可以形成为与像素区域128中的像素电极172的指状部分172B平行。
因此，可以在像素电极172(通过薄膜晶体管120向其提供像素信号)和公共电极140(通过公共线16向其提供基准电压)之间形成水平电场。此外，可以在像素电极172的指状部分172B与公共电极140之间形成水平电场。因此，由于介电各向异性，可以使通过水平电场在薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板之间沿水平方向排列的液晶分子转动。因此，可以根据液晶分子的转动量而使像素区域128的透光率不同，由此来产生图像。
在图11中，存储电容130可以包括公共线142以及与公共线142交迭的存储电极150，在公共线142和存储电极150之间设置有栅绝缘膜162，其中存储电极150可以与像素电极172一体地形成。存储电容130使得能够稳定地保持充入像素电极172的像素信号，直到充入下一个像素信号为止。
虽然未示出，选通线152可以通过选通焊盘192连接到选通驱动IC。此外，选通焊盘192可以包括从选通线152延伸出来的选通焊盘电极180、以及穿过栅绝缘膜162和钝化膜168以露出选通焊盘电极180的多个部分的多个栅接触孔188。
虽然未示出，数据线154可以通过数据焊盘194连接到数据驱动IC。此外，数据焊盘194可以包括从数据线152延伸出来的数据焊盘电极184、以及穿过钝化膜168以露出数据焊盘电极184的多个部分的多个数据接触孔178。
虽然未示出，可以通过公共焊盘148从外部基准电压源将基准电压提供给公共线142。此外，公共焊盘148可以包括从公共线142延伸出来的公共焊盘电极144、以及穿过栅绝缘膜162和钝化膜168以露出公共焊盘电极144的多个部分的多个公共接触孔146。
图12A至12D是根据本发明的制造图11的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿图10的线XI-XI’的截面图。在图12A中，可以在下基板151上形成包括公共线142、公共电极140、公共焊盘电极144、选通线(未示出)、栅极156和选通焊盘电极180的第一导电图案组。例如，可以通过淀积技术(例如溅射)在下基板151上形成栅金属层(例如铝系金属)。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对栅金属层进行构图，以形成包括公共线142、公共电极140、公共焊盘电极144、选通线(未示出)、栅极156和选通焊盘电极180的第一导电图案组。
在图12B中，可以在具有第一导电图案组的下基板151上形成包括栅绝缘膜162、栅绝缘膜162上的有源层164和欧姆接触层166的半导体图案。例如，可以通过淀积方法(例如PECVD和溅射)在下基板151上依次形成栅绝缘膜162以及第一半导体层和第二半导体层。栅绝缘膜162可以由无机绝缘材料(例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx))制成。第一半导体层可以由未搀杂的非晶硅制成，第二半导体层可以由掺有N型或P型杂质的非晶硅制成。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺同时对第一和第二半导体层进行构图，以形成具有有源层164和欧姆接触层166的半导体图案。
在图12C中，可以在具有半导体图案的下基板151上形成包括源极158、漏极160、像素电极172、数据线154和数据焊盘电极184的第二导电图案组。例如，可以在具有半导体图案的下基板151上淀积数据金属层。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对该数据金属层进行构图，以提供包括数据线154、源极158、漏极160(可以与漏极160形成为一体)、以及数据焊盘电极184的第二导电图案组。接着，可以使用源极158和漏极160作为掩模通过干蚀刻工艺对欧姆接触层166进行蚀刻，由此露出薄膜晶体管的有源层164。
在图12D中，可以在形成有第二导电图案组的栅绝缘膜162上形成包括多个公共接触孔146、多个栅接触孔188和多个数据接触孔178的钝化膜168。例如，可以通过淀积方法(例如PECVD)在栅绝缘膜162的整个表面上形成钝化膜168。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对钝化膜168进行构图，以形成多个公共接触孔146、多个栅接触孔188和多个数据接触孔178。该多个公共接触孔146可以形成为穿过钝化膜168和栅绝缘膜162，以露出公共焊盘电极144的多个部分。类似地，该多个栅接触孔188可以形成为穿过钝化膜168和栅绝缘膜162，以露出选通焊盘电极180的多个部分。此外，该数据接触孔78可以形成为穿过钝化膜168，以露出数据焊盘电极184的多个部分。钝化膜168可以由无机绝缘材料(例如栅绝缘膜162)制成，或者可以由具有低介电常数的有机绝缘材料(例如丙烯系有机化合物、苯并环丁烯(BCB)或全氟环丁烷(PFCB))形成。
图13是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的沿与图10的线XI-XI’相对应的线XII-XII’的截面图。在图13中，薄膜晶体管阵列基板可以类似于图10和11中的薄膜晶体管阵列基板，除了可以在包括源极、漏极、数据焊盘电极的第二导电图案组以及沿第二导电图案组的数据线的下面形成有源层和欧姆接触层之外。因此，为了简明起见省略了图13的该示例性薄膜晶体管阵列基板的某些特征。
在图13中，薄膜晶体管阵列基板可以包括源极158、漏极160和数据焊盘电极184，源极158、漏极160和数据焊盘电极184被形成为具有类似于半导体图案的图案。此外，存储电容130可以包括：公共线142；存储电极150，该存储电极150可以与公共线142交迭，并在存储电极150和公共线142之间具有栅绝缘膜162，并且存储电极150可以与像素电极172形成为一体；以及半导体图案164和166，其具有与存储电极150的图案类似的图案。因此，存储电容130可以稳定地保持充入像素电极172的像素信号，直到充入下一个像素信号为止。
虽然未示出，选通焊盘192可连接到选通驱动IC，以将来自选通驱动IC的选通信号提供给选通线152。选通焊盘192可包括从选通线152延伸出来的选通焊盘电极180、以及穿过栅绝缘膜162和钝化膜168以露出选通焊盘电极180的多个部分的多个栅接触孔188。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或更多个栅接触孔188露出的一部分选通焊盘电极180，但是通过其余栅接触孔188露出的选通焊盘电极180可以与安装有选通驱动IC的选通TCP保持电连接。因此，可以通过选通焊盘电极180将来自选通驱动IC的选通信号提供给选通线。
虽然未示出，数据焊盘194可以连接到数据驱动IC，以将来自数据驱动IC的数据信号提供给数据线154。数据焊盘194可以包括：具有有源层164和欧姆接触层166的半导体图案；具有类似于半导体图案的图案并从数据线154延伸出来的数据焊盘电极184；以及穿过钝化膜168以露出数据焊盘电极184的多个部分的多个数据接触孔178。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或多个数据接触孔178露出的一部分数据焊盘电极184，但是通过其余数据接触孔178露出的数据焊盘电极184可以与安装有数据驱动IC的数据TCP保持电连接。因此，可以通过数据焊盘电极184将来自数据驱动IC的数据信号提供给数据线154。
虽然未示出，公共焊盘148可以连接到外部基准电压源以将基准电压提供给公共线。公共焊盘148可以包括从公共线142延伸出来的公共焊盘电极144、以及穿过栅绝缘膜162和钝化膜168以露出公共焊盘电极144的多个部分的多个公共接触孔146。因此，尽管在修理工艺过程中会拉出通过至少一个或多个公共接触孔146露出的一部分公共焊盘电极144，但是通过其余公共接触孔146露出的公共焊盘电极144可以与外部连接的TCP保持电连接。因此，可以通过公共焊盘电极144将来自外部基准电压源的基准电压提供给公共线142。
图14A至14C是根据本发明的制造图13的薄膜晶体管阵列基板的另一示例性方法的沿与图10的线XI-XI’相对应的线XII-XII’的截面图。虽然未示出，可以在下基板151的整个表面上淀积由铝系金属制成的栅金属层，并且随后通过光刻和蚀刻工艺对其进行构图，以形成包括公共线142、公共电极144、选通线140、栅极156和选通焊盘电极180的第一导电图案组，如图14A所示。
在图14B中，可以在具有第一导电图案组的下基板151上依次形成栅绝缘膜162、第一和第二半导体层以及数据金属层。然后，虽然未示出，可使用第二掩模通过光刻工艺在数据金属层上形成光刻胶图案，其中该光刻胶图案可以具有不同高度的沟道部分。然后，可以使用具有不同高度的沟道部分的光刻胶图案通过湿法蚀刻工艺对数据金属层进行构图，以形成包括数据线154、源极158、漏极160、数据焊盘电极184、以及存储电极150的数据图案。接着，可以使用具有不同高度的沟道部分的光刻胶图案通过干法蚀刻工艺对第一和第二半导体层进行构图，以形成有源层164和欧姆接触层166。接着，通过灰化工艺去除沟道区域中具有相对低的高度的光刻胶图案。然后，可以通过干法蚀刻工艺对沟道区域内的源极和漏极的连接部分以及欧姆接触层166进行蚀刻。结果，可以露出该沟道区域中的有源层164，以将源极158与漏极160电隔离。然后，可以通过剥离工艺去除第二导电图案组上的光刻胶图案的剩余部分。
在图14C中，可以在设置有第二导电图案组的栅绝缘膜162的整个表面上淀积有机绝缘材料或无机绝缘材料之一，以形成整体地淀积在栅绝缘膜162上的钝化膜168。然后，可以通过光刻和蚀刻工艺对钝化膜168进行构图，以形成多个公共接触孔、多个栅接触孔188和多个数据接触孔178。相应地，该多个公共接触孔146可以形成为穿过钝化膜168和栅绝缘膜162，以露出公共焊盘电极144的多个部分。类似地，该多个栅接触孔188可以形成为穿过钝化膜168和栅绝缘膜162，以露出选通焊盘电极180的多个部分。此外，该多个数据接触孔178可以形成为穿过钝化膜168，以露出数据焊盘电极184的多个部分。
图15是根据本发明的另一示例性薄膜晶体管阵列基板的平面图，图16是根据本发明的薄膜晶体管阵列基板的沿图15的线XVI-XVI’的截面图。在图15和16中，薄膜晶体管阵列基板可以包括图像显示部分240、以及连接在多个驱动IC(未示出)和图像显示部分240之间的选通焊盘242和数据焊盘244。图像显示部分240可以包括相互连接并且其间设置有多个液晶单元的薄膜晶体管阵列基板248和滤色器阵列基板246。
选通焊盘242可以将来自选通驱动IC(未示出)的选通信号提供给各条选通线。选通焊盘242可以包括从选通线延伸出来的选通焊盘下电极230、穿过栅绝缘膜212和钝化膜218以露出选通焊盘下电极230的多个部分的多个栅接触孔238、以及具有与栅绝缘膜212和钝化膜218的图案相似的图案的选通焊盘上电极232。
数据焊盘244可以将来自数据驱动IC(未示出)的数据信号提供给各条数据线。数据焊盘244可以包括从数据线延伸出来的数据焊盘下电极234、穿过钝化膜218以露出数据焊盘下电极234的多个部分的多个数据接触孔228、以及具有与钝化膜218的图案相似的图案的数据焊盘上电极236。
图17A至17D是根据本发明的制造图16的薄膜晶体管阵列基板的示例性方法的沿图16的线XVI-XVI’的截面图。虽然未示出，可以在下基板201的整个表面上淀积栅金属层，并且随后通过光刻和蚀刻工艺对其进行构图，以与选通焊盘下电极230一起形成薄膜晶体管的栅极和选通线，如图17A所示。
在图17B中，可以在形成有选通焊盘下电极230的下基板201的整个表面上淀积有机绝缘材料或无机绝缘材料之一，以形成栅绝缘膜212。然后，虽然未示出，可以在形成有栅绝缘膜212的下基板201上形成包括形成薄膜晶体管的沟道部分的有源层和欧姆接触层的半导体图案。
在图17C中，可以在具有半导体图案的下基板201上淀积数据金属层，并且随后对其进行构图，以与数据焊盘下电极234一起形成数据线、以及薄膜晶体管的源极和漏极。
在图17D中，可以在其上具有数据焊盘下电极234的下基板201上整体地淀积有机绝缘材料或无机绝缘材料之一，以形成钝化膜218。然后，可以在钝化膜218上整体地淀积透明导电材料，并且随后对其进行构图，以形成选通焊盘上电极232和数据焊盘上电极236。接着，通过使用选通焊盘上电极232和数据焊盘上电极236作为掩模，对栅绝缘膜212和钝化膜218进行干法蚀刻，以形成多个栅接触孔238和多个数据接触孔228。
图18A至18F是根据本发明的示例性接触孔的平面图。在图18A中，涵盖栅接触孔、数据接触孔和公共接触孔在内的接触孔292可以具有多边形的形状，由此露出焊盘电极290(例如公共焊盘电极、选通焊盘电极和数据焊盘电极)的多个部分。在图18B中，涵盖栅接触孔、数据接触孔和公共接触孔在内的接触孔292可以是具有相对大的直径的圆形形状，由此露出焊盘电极290(例如公共焊盘电极、选通焊盘电极及数据焊盘电极)的多个部分。相反地，在图18C中，涵盖栅接触孔、数据接触孔和公共接触孔在内的接触孔292可以是具有相对小的直径的圆形形状，由此露出焊盘电极290(如公共焊盘电极、选通焊盘电极及数据焊盘电极)的多个部分。另选地，如图18D中所示，接触孔292可以具有弯曲(crooked)或曲折(zigzaged)的构造以露出焊盘电极。此外，如图18E中所示，接触孔292可以具有包括沿焊盘电极290的长度方向彼此啮合的第一C形接触孔292a和第二C形接触孔292b的形状。此外，如图18F中所示，接触孔292可以具有包括沿焊盘电极290的宽度方向彼此啮合的第一U形接触孔292a和第二U形接触孔292b的形状。例如，图18A至18F中所示的接触孔292可以具有约5μm至约50μm的宽度。
图19A和19B是根据本发明的与薄膜阵列基板的焊盘下电极相连的示例性TCP的示意性截面图。在图19A和19B中，可以对图5至17的任何或所有的薄膜晶体管实施焊盘电极。如图19A和19B所示，焊盘电极可以通过各向异性导电膜(ACF)270和280与其上安装有驱动IC的TCP278和288接触。因此，形成在TCP 278和288上的输出焊盘272和282可以通过ACF 270和280的导电珠276和286与选通焊盘电极274和230、数据焊盘电极284和234、以及公共焊盘电极(未示出)中的至少一个电连接。例如，TCP 278的基膜上的第一输出焊盘272可以通过ACF 270和280的导电珠276和286与选通焊盘电极274和230电连接。类似地，TCP288的基膜上的第二输出焊盘282可以与数据焊盘电极284和234电连接。此外，虽然未示出，TCP 288的基膜上的第三输出焊盘可以通过ACF 270和280的导电珠276和286与公共焊盘电极电连接。
因此，选通焊盘、数据焊盘和公共焊盘中的任何一个可以具有类似于通过该多个接触孔露出的选通焊盘电极274和230、数据焊盘电极284和234以及公共焊盘电极中的任何一个的结构，由此可以防止焊盘下电极的断路，尽管可能会重复地进行TCP 278和288的连接。
根据本发明，可以通过多个接触孔露出包括选通焊盘电极、数据焊盘电极和公共焊盘电极在内的焊盘电极。因此，尽管可能在重复的修理工艺过程中拉出一部分焊盘电极，但是通过其余接触孔露出的焊盘电极可以与TCP保持电连接。因此，可以防止焊盘电极电断路，并可以执行TAB修理工艺，以容易地连接和拆开TCP。
对于本领域的技术人员，很明显，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，能对本发明进行多种改进和变化。因此，如果这些改进和变化落在所附权利要求及其等同物的范围内，则本发明涵盖这些改进和变化。

Claims (20)

1.一种液晶显示器件，包括：
基板上的多条信号线；
所述基板上的多个焊盘电极，该多个焊盘电极中的每一个与所述多条信号线之一相连；
所述多个焊盘电极上的至少一个绝缘膜，该至少一个绝缘膜具有多个接触孔，以露出所述多个焊盘电极的多个部分；以及
通过所述多个接触孔与所述多个焊盘电极中的每一个电连接的导电膜。
2.根据权利要求1的器件，其中所述多条信号线包括下列中的至少之一：
数据线，通过所述多个焊盘电极中的任意一个向其提供数据信号；
选通线，通过所述多个焊盘电极中的任意一个向其提供选通信号；
以及
公共线，通过所述多个焊盘电极中的任意一个向其施加基准电压信号。
3.根据权利要求2的器件，还包括形成在所述数据线与所述选通线的交叉区域中的反射电极。
4.根据权利要求2的器件，还包括：
形成在所述数据线与所述选通线的交叉区域中的像素电极；以及
在所述交叉区域中平行于所述像素电极而形成的公共电极，
其中，所述像素电极接收所述数据信号，所述公共电极接收所述基准电压信号，以形成平行于所述基板的水平电场。
5.根据权利要求2的器件，还包括：
形成在所述数据线与所述选通线的交叉区域中的像素电极；以及
具有与所述至少一个绝缘膜的图案相类似的图案的透明导电膜。
6.根据权利要求1的器件，其中所述多个接触孔中的每一个被形成为具有包括圆、椭圆和多边形中的一种的形状。
7.根据权利要求1的器件，其中所述多个接触孔中的每一个具有第一U形接触孔以及沿所述焊盘电极的宽度方向与该第一U形接触孔啮合的第二U形接触孔。
8.根据权利要求1的器件，其中所述多个接触孔中的每一个具有第一C形接触孔以及沿所述焊盘电极的长度方向与该第一C形接触孔啮合的第二C形接触孔。
9.根据权利要求1的器件，其中所述多个接触孔中的每一个包括沿所述焊盘电极的长度方向的连续曲折结构。
10.根据权利要求1的器件，其中所述多个接触孔中的每一个具有约5μm至约50μm的宽度。
11.一种制造液晶显示器件的方法，包括：
在基板上形成与多条信号线相连的多个焊盘电极；
形成至少一个绝缘膜，该绝缘膜具有多个接触孔以露出所述多个焊盘电极的多个部分；以及
将所述多个焊盘电极的所述多个露出部分与一导电膜直接连接。
12.根据权利要求11的方法，还包括：
形成数据线，通过所述多个焊盘电极中的任意一个向该数据线提供数据信号；以及
形成选通线，通过所述多个焊盘电极中的任意一个向该选通线提供选通信号。
13.根据权利要求12的方法，还包括在所述数据线与所述选通线的交叉区域中形成反射电极。
14.根据权利要求11的方法，还包括：
形成公共线以及与该公共线相连的公共电极，通过所述多个焊盘电极中的任意一个对该公共线施加基准电压信号；以及
形成接收所述数据信号的像素电极；
其中，所述公共电极和所述像素电极形成平行于所述基板的水平电场。
15.根据权利要求12的方法，还包括：
在所述数据线与所述选通线的交叉区域中形成像素电极；以及
形成具有与所述至少一个绝缘膜的图案相类似的图案的透明导电膜。
16.根据权利要求11的方法，其中所述多个接触孔中的每一个被形成为具有包括圆、椭圆和多边形中的一种的形状。
17.根据权利要求11的方法，其中所述多个接触孔中的每一个包括第一U形接触孔以及沿所述焊盘电极的宽度方向与该第一U形接触孔啮合的第二U形接触孔。
18.根据权利要求11的方法，其中所述多个接触孔中的每一个包括第一C形接触孔以及沿所述焊盘电极的长度方向与该第一C形接触孔啮合的第二C形接触孔。
19.根据权利要求11的方法，其中所述多个接触孔中的每一个包括沿所述焊盘电极的长度方向的连续曲折结构。
20.根据权利要求11的方法，其中所述多个接触孔中的每一个具有约5μm至约50μm的宽度。
CN2004100455484A 2003-06-20 2004-05-28 液晶显示器件及其制造方法 Active CN1573445B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0040126A KR100538328B1 (ko) 2003-06-20 2003-06-20 액정표시장치 및 그 제조방법
KR40126/2003 2003-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1573445A true CN1573445A (zh) 2005-02-02
CN1573445B CN1573445B (zh) 2010-05-05

Family

ID=32501513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100455484A Active CN1573445B (zh) 2003-06-20 2004-05-28 液晶显示器件及其制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7733456B2 (zh)
JP (1) JP2005010775A (zh)
KR (1) KR100538328B1 (zh)
CN (1) CN1573445B (zh)
DE (1) DE102004021156B4 (zh)
FR (1) FR2856484B1 (zh)
GB (1) GB2403058B (zh)
TW (1) TWI269100B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101211109B (zh) * 2006-12-26 2011-11-23 乐金显示有限公司 液晶显示器件及其制造方法
CN102683277A (zh) * 2012-05-08 2012-09-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN102983152A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 乐金显示有限公司 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件及其制造方法
CN111158194A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 三星显示有限公司 显示设备

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10361802B1 (en) 1999-02-01 2019-07-23 Blanding Hovenweep, Llc Adaptive pattern recognition based control system and method
US8352400B2 (en) 1991-12-23 2013-01-08 Hoffberg Steven M Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-factored interface therefore
US8364136B2 (en) 1999-02-01 2013-01-29 Steven M Hoffberg Mobile system, a method of operating mobile system and a non-transitory computer readable medium for a programmable control of a mobile system
US7904187B2 (en) 1999-02-01 2011-03-08 Hoffberg Steven M Internet appliance system and method
US7492343B2 (en) * 2003-12-11 2009-02-17 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP4598663B2 (ja) * 2005-03-18 2010-12-15 株式会社フューチャービジョン 表示装置とその製造方法
KR100742376B1 (ko) * 2005-09-30 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 패드부 및 그 제조 방법
KR101229280B1 (ko) * 2005-12-28 2013-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널
KR20080019398A (ko) * 2006-08-28 2008-03-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN101382679B (zh) * 2007-09-07 2012-02-08 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
KR101386574B1 (ko) * 2008-04-23 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
KR101392268B1 (ko) * 2008-11-26 2014-05-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 패드부
KR20130034359A (ko) * 2011-09-28 2013-04-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2013235127A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US20150316802A1 (en) * 2012-08-31 2015-11-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus, display panel, and method of manufacturing semiconductor apparatus
JP6427360B2 (ja) * 2014-08-22 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6574939B2 (ja) * 2014-09-16 2019-09-18 ソニー株式会社 表示制御装置、表示制御方法、表示制御システムおよび頭部装着ディスプレイ
TWI536074B (zh) * 2015-03-31 2016-06-01 業鑫科技顧問股份有限公司 電連接結構及陣列基板
CN104777687B (zh) * 2015-04-29 2017-12-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
CN105097840B (zh) * 2015-07-27 2018-12-11 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
KR102454383B1 (ko) * 2015-12-28 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 방식의 액정 표시장치
JP6756508B2 (ja) 2016-04-04 2020-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101842176B1 (ko) 2017-10-27 2018-03-26 동우 화인켐 주식회사 전극 접속 구조체 및 이를 포함하는 전자 소자

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3060806B2 (ja) 1993-12-16 2000-07-10 松下電器産業株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JPH07230100A (ja) 1994-02-18 1995-08-29 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH1048654A (ja) 1996-07-30 1998-02-20 Nec Kagoshima Ltd Ｌｃｄパネルの端子構造
JP3152193B2 (ja) 1996-12-18 2001-04-03 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
KR100244447B1 (ko) 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
TW531686B (en) * 1997-04-11 2003-05-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
KR100252306B1 (ko) * 1997-07-04 2000-04-15 구본준, 론 위라하디락사 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조방법
KR100243914B1 (ko) * 1997-07-29 2000-02-01 구본준 액정표시패널의 탭패드부 구조 및 그 제조방법
JP3102392B2 (ja) * 1997-10-28 2000-10-23 日本電気株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
US6297519B1 (en) * 1998-08-28 2001-10-02 Fujitsu Limited TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals
JP3462135B2 (ja) * 1999-01-14 2003-11-05 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置
JP3139549B2 (ja) * 1999-01-29 2001-03-05 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100366768B1 (ko) * 2000-04-19 2003-01-09 삼성전자 주식회사 배선의 접촉부 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2001343669A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6735054B2 (en) * 2000-08-04 2004-05-11 Seagate Technology Llc Low cost overmolded magnet and pole assembly
KR100737896B1 (ko) * 2001-02-07 2007-07-10 삼성전자주식회사 어레이 기판과, 액정표시장치 및 그 제조방법
US20020115263A1 (en) * 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate
JP3756418B2 (ja) * 2001-02-28 2006-03-15 株式会社日立製作所 液晶表示装置及びその製造方法
KR20030016051A (ko) * 2001-08-20 2003-02-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP3747828B2 (ja) 2001-09-21 2006-02-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法
TWI237141B (en) * 2001-09-25 2005-08-01 Hannstar Display Corp Manufacturing method for in-plane switching mode liquid crystal display (LCD) unit
KR100813019B1 (ko) 2001-10-19 2008-03-13 삼성전자주식회사 표시기판 및 이를 갖는 액정표시장치
KR100829786B1 (ko) * 2001-12-28 2008-05-16 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100866976B1 (ko) * 2002-09-03 2008-11-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
JP4199501B2 (ja) * 2002-09-13 2008-12-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101211109B (zh) * 2006-12-26 2011-11-23 乐金显示有限公司 液晶显示器件及其制造方法
CN102983152A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 乐金显示有限公司 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件及其制造方法
CN102983152B (zh) * 2011-09-02 2015-06-10 乐金显示有限公司 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件及其制造方法
CN102683277A (zh) * 2012-05-08 2012-09-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN111158194A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 三星显示有限公司 显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
US7733456B2 (en) 2010-06-08
KR20040110696A (ko) 2004-12-31
DE102004021156A1 (de) 2005-01-13
GB2403058A9 (en) 2005-07-12
DE102004021156B4 (de) 2007-07-12
GB2403058A (en) 2004-12-22
JP2005010775A (ja) 2005-01-13
CN1573445B (zh) 2010-05-05
TW200500725A (en) 2005-01-01
GB2403058B (en) 2006-05-31
US20040257509A1 (en) 2004-12-23
KR100538328B1 (ko) 2005-12-22
TWI269100B (en) 2006-12-21
FR2856484A1 (fr) 2004-12-24
FR2856484B1 (fr) 2006-09-08
GB0409742D0 (en) 2004-06-11
DE102004021156A8 (de) 2005-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1573445A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1275075C (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1288477C (zh) 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN1713057A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1892394A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1932622A (zh) 透反射式液晶显示器件及其制造方法
CN1707343A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1797163A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1614487A (zh) 水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1309034C (zh) 底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
CN1551367A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN101079429A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1605918A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1612344A (zh) 用于显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1702531A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1921095A (zh) 半导体芯片、显示屏板及其制造方法
CN1514468A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1677209A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1797150A (zh) 液晶显示器件及其制作方法
CN1707342A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1869775A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1797156A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1503042A (zh) Tft阵列电路板及其制造方法
CN1847940A (zh) 形成焊盘电极及液晶显示器件的方法
CN1489217A (zh) 薄膜晶体管阵列面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant