KR100574408B1 - 액티브매트릭스 기판 및 그 제조방법, 그리고 이를구비하는 액정표시장치 - Google Patents

액티브매트릭스 기판 및 그 제조방법, 그리고 이를구비하는 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 단자 배열방향에 대한 단자패드의 포토 얼라인먼트를 크게 취할 수 있으며, 또 액정구동용 드라이버를 실장할 때 절연성기판의 휨에 의한 절연막의 깨짐이 억제되는 액티브매트릭스기판을 제공하는 것이다.
액티브매트릭스기판(9)은, 절연성기판(1)과, 절연성기판(1) 상의 배선단자 (2)층 위에 형성되며, 복수의 배선단자(2)가 노출되도록 단자 배열방향으로 연장되어 형성된 콘택트홀(3)을 갖는 절연막(13)과, 절연성기판(1) 상의 절연막(13) 층 위에, 절연막(13)의 콘택트홀(3)로부터 노출된 복수의 배선단자(2) 각각을 피복하도록 배열된 도전성의 복수의 단자패드(4)를 구비한다. 배선단자(2)와, 이에 대응한 단자패드(4)에 의해 신호입력단자(10)를 구성한다.

Description

액티브매트릭스 기판 및 그 제조방법, 그리고 이를 구비하는 액정표시장치 {ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1의 (a)는 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판에서의 신호입력단자부의 확대평면도이고, (b)는 (a)에서의 IB-IB 단면도이며, (c)는 (a)에서의 IC-IC 단면도.
도 2의 (a)~(d)는 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판 제조공정의 평면도에서의 설명도.
도 3의 (a)~(c)는 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판 제조공정의 도 1 (a)의 IB-IB 단면에서의 설명도.
도 4의 (a)~(c)는 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판 제조공정의 도 1 (a)의 IC-IC 단면에서의 설명도.
도 5의 (a)는 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판의 신호입력단자부의 확대평면도이고, (b)는 (a)에서의 VB-VB 단면도이며, (c)는 (a)에서의 VC-VC 단면도.
도 6의 (a)~(d)는 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판 제조공정의 평면도에서의 설명도.
도 7의 (a)~(d)는 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판 제조공정의 도 5 (a)의 VB-VB 단면에서의 설명도.
도 8의 (a)~(d)는 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판 제조공정의 도 5 (a)의 VC-VC 단면에서의 설명도.
도 9의 (a)는 본 발명의 다른 실시예에 관한 액티브매트릭스기판의 신호입력단자부의 확대평면도이고, (b)는 (a)의 IXB-IXB 단면도이며, (c)는 (a)에서의 IXC-IXC 단면도.
도 10의 (a)는 종래 액티브매트릭스기판의 신호입력단자부의 확대평면도이고, (b)는 (a)의 XB-XB 단면도이며, (c)는 (a)의 XC-XC 단면도.
도 11의 (a)~(c)는 종래의 액티브매트릭스기판 제조공정의 평면도에서의 설명도.
도 12의 (a)~(c)는 종래의 액티브매트릭스기판 제조공정의 도 10 (a)의 XB-XB 단면에서의 설명도.
도 13의 (a)~(c)는 종래의 액티브매트릭스기판 제조공정의 도 10 (a)의 XC-XC 단면에서의 설명도.
도 14는 본 발명에 있어서 가장 큰 포토 얼라인먼트 마진이 얻어지고, 또 실장불량의 발생이 가장 적은 조건 시의 구조 개요도(평면도).
도 15는 제 1 종래예의 구조와 본 발명의 구조에서의, 단자피치가 50㎛~100㎛까지 변경했을 때의, 배선단자 각각에 대한 단자패드 배선단자의 배열방향 포토 얼라인먼트 마진을 표시한 그래프.
도 16의 (a)는 절연성기판의 신축에 의해 콘택트홀의 패턴이 배선단자로부터 어긋난 상태를 표시하는 평면도이며, (b)는 절연성기판의 신축에 의해 단자패드의 패턴이 배선단자로부터 어긋난 상태를 표시한 평면도.
도 17은 액티브매트릭스기판을 갖는 액정표시소자의 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 절연성기판 2 : 배선단자
3 : 띠형 콘택트홀 4 : 단자패드
6 : 하층 단자패드 7 : 콘택트홀
8 : 대향기판 9 : 액티브매트릭스기판
10 : 신호입력단자 10a : 게이트신호 입력단자
10b : 소스신호 입력단자 12 : 액정표시소자
13 : 절연막 14 : 게이트 버스라인
본 발명은 복수의 드라이버접속용 신호입력단자가 간격을 두고 배열된 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법, 그리고 이를 구비하는 액정표시장치에 관한 것이다.
최근의 정보화사회 도래와 함께 노트북 컴퓨터, 정보휴대단말기, 카 내비게이션 등의 수요가 급증되고 있으며, 이에 수반하여 액정표시장치 등 디스플레이에 관한 연구, 개발이 활발히 진행되고 있다. 그 중에서도 가장 광범위하게 보급되고 있는 것은 액정표시장치이며, 이 액정표시장치에 이용되는 액정표시소자는, 매트릭스형으로 배열된 화소전극을 선택 구동시킴으로써, 화면상에 표시패턴을 형성하는 것이다. 즉, 선택된 화소전극과 이에 대향하는 대향전극 사이에 전압이 인가되면, 이들 전극 사이에 개재하는 액정 등 표시매체의 광학적 변조가 이루어져 표시패턴으로서 인식되는 것이다. 화소전극의 구동방식으로는, 절연성기판 상에 개개로 독립된 화소전극이 배열되고, 이들 화소전극 각각에 형성된 스위칭소자의 온/오프에 의해 구동되는 것이 액티브매트릭스 구동방식이며, 이러한 화소전극 및 스위칭소자가 형성된 기판을 일반적으로 액티브매트릭스기판이라 부른다. 화소전극을 선택구동시키는 스위칭소자로는, 예를 들어 박막트랜지스터(이하, "TFT"로 칭함)나, MIM(금속-제 1 절연막-금속) 등이 일반적으로 알려져있다.
또 최근, 표시모듈의 경량화, 견고성 등을 목적으로 한 플렉시블 디스플레이의 연구, 개발이 활발히 진행되고 있으며, 이에 수반하여 액티브매트릭스기판의 모기판으로서 플라스틱이나 스테인리스 스틸이 채용되고 있다.
도 17은 종래의 일반적인 액티브매트릭스기판(9)을 액정표시소자(12)에 이용한 것을 나타낸다. 이 액정표시소자(12)는, 도시하지 않은 컬러필터나 대향전극 등이 형성된 대향기판(8)과, 도시하지 않은 소스 버스라인, 게이트 버스라인, 화소전극, 스위칭소자 등이 형성된 액티브매트릭스기판(9)이 대향하도록 형성되며, 이들 양 기판(8, 9) 사이에 도시하지 않은 액정이 봉입된 것이다. 그리고 액티브매트릭스기판(9)의 주연부에는, 게이트 버스라인 단부에 게이트신호 입력단자(10a) 및 소스 버스라인 단부에 소스신호 입력단자(10b)가 각각 배열된다.
도 10의 (a)는, 이 종래의 액티브매트릭스기판(9) 신호입력단자(10)의 평면도를, 도 10의 (b)는 도 10 (a)의 XB-XB 단면을, 도 10의 (c)는 도 10 (a)의 XC-XC 단면을 각각 나타낸다.
도 10의 (a)~(c)에 나타낸 바와 같이 상기 종래의 액티브매트릭스기판(9)에서는, 절연성기판(1) 상에 게이트금속이나 소스금속으로 이루어진 복수의 배선단자(2)가 배열되며, 그 위에 절연막(13)이 형성되고 각 배선단자(2)에 대응하여 콘택트홀(7)이 형성되고, 각 콘택트홀(7)을 피복하도록 단자패드(4)가 형성되며, 이것이 배선단자(2)와 전기적으로 접속된 구성의 신호입력단자(10)의 구조이다.
상기 종래의 액티브매트릭스기판(9) 제조방법의 일례를 도 11의 (a)~(c)(도 10의 (a)에 대응), 도 12의 (a)~(c)(도 10의 (a)의 XB-XB단면, 도 10의 (b)에 대응), 도 13의 (a)~(c)(도 10의 (a)의 XC-XC단면, 도 10의 (c)에 대응)를 이용하여 설명하기로 한다.
도 11의 (a), 도 12의 (a), 도 13의 (a)에 나타낸 바와 같이, 액티브매트릭스기판(9)의 제조에서는, 우선 유리 등으로 된 절연성기판(1) 상에 스퍼터링 등으로 금속막, 예를 들어 Cr 등으로 된 금속막을 성막하고, 포토리소그래피 등으로 배선단자(2)를 형성한다. 이 때, 필요할 경우는 절연성기판(1) 상에 가스 장벽층이나 수분 장벽층을 형성하는 경우도 있다(도시 생략).
그 후, 도 11의 (b), 도 12의 (b), 도 13의 (b)에 나타낸 바와 같이, 배선단 자(2) 위에 SiNx 등으로 된 절연막(13)을 CVD 등으로 성막하고, 포토리소그래피로써 각 배선단자(2)에 대응하여 콘택트홀(7)을 형성한다.
그 다음에 도 11의 (c), 도 12의 (c), 도 13의 (c)에 나타낸 바와 같이, 스퍼터링으로, 예를 들어 ITO, Al 등을 성막하고, 포토리소그래피로써 콘택트홀(7)을 피복하도록 단자패드(4)를 형성한다.
상기와 같은 종래의 액티브매트릭스기판(9)에 있어서, 절연성기판(1)으로서 열팽창계수나 수분흡수 등에 의한 치수변화가 작은 유리나 실리콘웨이퍼 등을 이용한 경우에는, 포토마스크를 이용한 통상 노광법에 의한 포토리소그래피로써, 배선단자(2), 콘택트홀(7), 단자패드(4)의 패터닝을 높은 정밀도로, 즉 포토 얼라인먼트의 상충이 거의 없는 상태에서 행할 수 있다. 그러나 절연성기판(1)으로서 열팽창계수나 수분흡수 등에 의한 치수변화가 유리에 비해 큰 기판, 예를 들어 주성분이 폴리이미드, 또는 폴리카보네이트, 혹은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 또는 에폭시수지, 혹은 아크릴수지, 또는 폴리에틸렌설폰산 혹은 그 유도체 등 기판치수 변화가 큰, 이른바 플라스틱기판을 이용한 경우에는, 배선단자(2), 콘택트홀(7), 단자패드(4)의 패터닝을 높은 정밀도로, 즉 포토 얼라인먼트의 상충을 작게 패터닝 할 수 없으므로, 도 16의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이, 콘택트홀(7), 단자패드(4), 또는 그 양쪽 패턴이 배선단자(2)로부터 크게 벗어나버릴 경우가 있다.
구체적으로는, 절연성기판(1)과 유리(선 팽창계수 α : 3.6 ×10-6/K)를 이용한 패널을 제작할 경우의 치수변화율, 즉 얼라인먼트의 상충량은 0.5㎛ 이하(5ppm 이하)지만, 플라스틱기판을 이용한 경우, 예를 들어 폴리에틸렌설폰산(α : 77 ×10-6/K)의 경우에는, 열에 의한 선 팽창과 수분흡수에 의한 치수변화를 합한 얼라인먼트 상충량은 20~50㎛(200~500ppm, 경우에 따라서는 그 이상)나 된다. 그리고 그 결과, 배선단자(2)와 단자패드(4)의 접촉면적을 충분히 크게 취할 수 없어, 이들 사이의 접촉저항이 증대하게 된다. 즉, 배선단자(2)와 단자패드(4) 사이의 접촉저항의 증가, 접속불량, 드라이버 실장불량, 나아가 표시불량을 일으킨다는 문제가 있다.
또 종래와 같은 콘택트홀(7)을 형성하는 구조에서는, 절연성기판(1)으로서 상기와 같은 플라스틱기판을 이용한 경우, 액정구동용 드라이버를 실장할 때 절연성기판(1)의 휨 등에 의해, 콘택트홀(7) 부분 절연막(13)의 네 구석 근방으로 힘이 집중돼버리므로, 깨짐이 발생한다는 문제도 있다.
본 발명은 이러한 점에 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 단자 배열방향에 대한 단자패드의 포토 얼라인먼트를 크게 취할 수 있으며, 또 액정구동용 드라이버를 실장할 때 절연성기판의 휨에 의한 절연막의 깨짐이 억제되는 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법, 그리고 이를 구비하는 액정표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 액티브매트릭스기판은, 복수의 드라이버접속용 신호입력단자가 간격을 두고 배열된 것으로, 절연성기판과, 상기 절연성기판 상에 간격을 두고 배열된 복수의 도전성 배선단자와, 상기 절연성기판 상의 배선단자층 상에 형성되며, 상기 복수의 배선단자가 노출되도록 단자배열방향으로 연장되어 형성된 콘택트홀을 갖는 절연막과, 상기 절연성기판 상의 절연막층 상에, 상기 절연막의 콘택트홀로부터 노출된 복수의 배선단자 각각을 피복하도록 배열된 복수의 도전성 단자패드를 구비하며, 상기 배선단자와 이에 대응한 상기 단자패드에 의해 상기 신호입력단자가 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 단자배열방향으로 연장되면서 모든 배선단자가 노출되도록 콘택트홀이 형성되므로, 단자패드를 포토리소그래피로 형성하기 위한 패터닝에서, 단자배열방향에 대한 단자패드의 포토 얼라인먼트를 크게 취할 수 있다.
또 모든 배선단자가 노출되도록 콘택트홀이 형성되므로, 절연성기판의 휨 등에 의한 절연막으로의 응력집중이 완화되고, 그 결과 절연막의 깨짐이 쉽게 발생하지 않는 구조가 된다. 따라서 절연성기판으로서 플라스틱기판을 이용한 경우라도, 액정구동용 드라이버를 실장할 때 절연성기판의 휨에 의한 실장영역 절연막의 깨짐·박리 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 액티브매트릭스기판은, 상기 단자패드의 단자배열방향에 직교하는 방향의 길이가 상기 콘택트홀의 폭보다 긴 것이라도 된다.
상기 구성에 의하면, 단자패드의 단자배열방향에 직교하는 방향의 길이가 콘택트홀의 폭보다 길기 때문에, 단자배열방향에 직교하는 방향의 단자패드 포토 얼 라인먼트 상충에 대하여 충분하게 마진을 취할 수 있어, 그 포토 얼라인먼트를 거의 자유롭게 할 수 있다.
본 발명의 액티브매트릭스기판은, 상기 신호입력단자가, 이를 구성하는 상기 배선단자 및 상기 단자패드 각각의 단자배열방향의 측단이 동일위치인 것이라도 된다.
상기 구성에 의하면, 배선단자 및 단자패드의 단자배열방향 측단이 동일위치에 있으며, 이러한 구조는 배선단자를 연결시킨 배선단자 전구체 상에 간격을 두고 단자패드를 형성하고, 단자패드 또는 단자패드를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로 배선단자 전구체의 단자패드 비형성부분을 에칭하여 제거함으로써 형성되므로, 단자배열방향에 대한 단자패드의 포토 얼라인먼트 마진을 크게 취할 수 있고, 또 배선단자와 단자패드와의 접촉면적을 일정하게 또 충분히 크게 할 수 있는 점에서, 이들 사이의 접촉저항을 충분히 작게 할 수 있다. 즉, 절연성기판이 신축되더라도, 배선단자와 단자패드와의 접속불량이 발생하기 어려운 신호입력단자가 된다.
본 발명의 액티브매트릭스기판은, 상기 절연성기판이 플라스틱기판인 것이라도 된다.
상기 구성에 의하면, 플라스틱기판은 선 팽창계수가 크며, 온도변화에 따르는 신축이 크므로, 단자배열방향에 대한 단자패드의 포토 얼라인먼트를 크게 취할 수 있다는 이점을 특히 크게 누릴 수 있다.
본 발명의 액정표시장치는, 이상에 기재된 바와 같은 액티브매트릭스기판을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이상에 기재된 바와 같은 본 발명의 액티브매트릭스기판 제조방법은, 복수의 드라이버접속용 신호입력단자가 간격을 두고 배열된 액티브매트릭스기판이며, 절연성기판 상에 가늘고 긴 도전성 배선단자 전구체를 형성하는 단계와, 상기 절연성기판 상을 상기 배선단자 전구체의 위로부터 절연막으로 피복하는 단계와, 상기 배선단자 전구체가 노출되도록 상기 절연막에 가늘고 긴 콘택트홀을 형성하는 단계와, 상기 절연막의 콘택트홀로부터 노출된 상기 배선단자 전구체 위에 그 긴 쪽 방향을 따라 간격을 두고 도전성의 단자패드를 형성하는 단계와, 상기 배선단자 전구체의 단자패드 비형성부분을 선택적으로 제거함으로써 간격을 두고 배열된 복수의 배선단자를 형성함과 함께 각 배선단자와 이에 대응한 단자패드에 의해 신호입력단자를 구성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.
(제 1 실시예)
이하에 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)에 대하여, 도 1의 (a)~(c)를 이용하여 설명한다. 여기서 도 1의 (a)~(c)는 본 제 1 실시예의 액티브매트릭스기판(9) 신호입력단자(10)의 확대도이며, 도 1의 (a)는 평면도를, 도 1의 (b)는 도 1 (a)의 IB-IB 단면을, 도 1의 (c)는 도 1 (a)의 IC-IC 단면을 각각 나타낸다.
우선, 이 액티브매트릭스기판(9)의 구조에 대하여 설명하면, 폴리이미드 등으로 된 절연성기판(1) 상에, 도시하지 않은 Ti로 된 게이트 버스라인(14), Ti로 된 소스 버스라인, 화소전극 및 TFT 등이 형성되며, 또 각 게이트 버스라인(14)의 단부에 게이트 버스라인(14)의 연장방향이 긴 변인 장방형의 드라이버접속용 신호입력단자(10)가 배열되며, 마찬가지로 각 소스 버스라인의 단부에도 신호입력단자가 배열된다.
또 이 액티브매트릭스기판(9)은, 도 1의 (a)~(c)에 나타낸 바와 같이, 절연성기판(1) 상에 등 피치로 간격을 두고 배열된 복수의 도전성 배선단자(2)와, 절연성기판(1) 상의 배선단자(2) 층 상에 배치되며, 복수의 배선단자(2) 모두가 노출되도록 단자배열방향(단자의 짧은 변 방향)으로 연장되어 형성된 길고 가는 띠형 콘택트홀(3)을 갖는 절연막과, 절연성기판(1) 상의 절연막(13) 층 상에 배열되며, 띠형 콘택트홀(3)로부터 노출된 복수의 배선단자(2) 각각을 피복하도록 형성된 복수의 도전성 단자패드(4)를 구비한다. 그리고 신호입력단자(10)는, 각 배선단자(2)와 그 위에 적층된 단자패드(4)로 구성된다. 또 배선단자(2) 및 단자패드(4)는 모두 장방형으로 형성되지만, 긴 변의 길이는 배선단자(2)보다 단자패드(4) 쪽이 긴 한편, 짧은 변의 길이, 즉 폭은 동일하며, 배선단자(2) 및 단자패드(4) 각각의 폭 방향의 측단이 동일위치가 된다.
이상과 같은 액티브매트릭스기판(9)의 구조에 의하면, 모든 배선단자(2)가 노출되도록 단자배열방향으로 연장된 띠형 콘택트홀(3)이 길쭉하게 형성되므로, 단자패드(4)를 포토리소그래피로 형성하기 위한 패터닝에서, 단자배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트를 크게 취할 수 있다.
또 배선단자(2)가 전기적으로 접속된 단자패드(4) 긴 변의 길이가 띠형 콘택 트홀(3)의 폭보다 충분히 긴 구조가 되므로, 긴 변 방향 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 상충에 대해 충분하게 마진을 취할 수 있어, 그 포토 얼라인먼트를 거의 자유롭게 할 수 있다.
또한 모든 배선단자(2)가 노출되도록 띠형 콘택트홀(3)이 형성되므로, 절연성기판(1)으로서 플라스틱기판을 이용한 경우라도, 액정구동용 드라이버를 실장할 때 절연성기판(1)의 휨에 의한 실장영역 절연막(13)의 깨짐·박리 발생을 억제할 수 있다.
또 배선단자(2) 및 단자패드(4) 단자배열방향의 측단이 동일 위치인 구조로 되며, 이러한 구조는 후술하는 바와 같이, 띠형 배선단자 전구체(2') 상에 단자패드(4)를 형성하고, 단자패드(4) 또는 단자패드(4)를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로 배선단자 전구체(2')의 단자패드 비 형성부분을 에칭 제거함으로써 형성되는데, 이로써 단자배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 마진을 크게 취할 수 있으며, 또 배선단자(2)와 단자패드(4)의 접촉면적을 일정하게 또 충분히 크게 취할 수 있는 점에서, 이들 사이의 접촉저항을 충분히 작게 할 수 있다. 즉, 절연성기판(1)이 신축됐다 하더라도, 배선단자(2)와 단자패드(4)와의 접속불량이 발생하기 어려운 신호입력단자(10)가 된다.
다음에, 이 액티브매트릭스기판(9) 제조방법에서의 신호입력단자(10)의 형성에 대하여, 게이트 버스라인(14)의 신호입력단자(10)를 예로 도 2의 (a)~(d), 도 3의 (a)~(c)(도 1의 (a)의 IB-IB 단면), 및 도 4의 (a)~(c)(도 1의 (a)의 IC-IC 단면)를 이용하여 설명하기로 한다.
우선 도 2의 (a), 도 3의 (a) 및 도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 폴리이미드 등으로 된 절연성기판(1) 상에 스퍼터링으로 Ti을 150㎚ 정도 성막하고, 질산-불산계 에천트를 사용한 포토리소그래피로 게이트 버스라인(14) 및 보조용량배선(도시 생략)을 형성한다. 이 때, 게이트 버스라인(14)의 단부에, 각 배선단자(2)가 분리돼있지 않은, 즉 배선단자(2)끼리 연결된 띠형 배선단자 전구체(2')도 함께 형성한다. 여기서 배선단자 전구체(2')를 형성하는 막으로서, Ti 대신에 Ti이나 그 합금, ITO나 기타 도전성 금속산화물, Ta, Mo, Al이나 그 합금, 또는 이들의 적층체를 이용해도 된다.
이어서 CVD법으로 SiNx로 된 게이트절연막(350㎚)(13), a-Si로 된 채널층(150㎚) 및 n+-Si로 된 콘택트층의 3층을 성막하고, 채널층, 콘택트층을 포토리소그래피 및 SF6계 가스를 사용하여 드라이에칭 함으로써, 채널층, 콘택트층을 패터닝한다(도시 생략). 이 때, 배선단자 전구체(2') 상의 채널층 및 콘택트층은 제거되어, 게이트절연막(13)이 남은 상태로 된다(도시 생략).
다음에, 도 2의 (b) 및 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 포토리소그래피에 의해 원하는 레지스트패턴을 형성한 후, CF4-O2계 가스를 사용하여 드라이에칭 함으로써 배선단자 전구체(2')가 노출되도록 배선단자 전구체(2')의 폭보다 가는 폭의 띠형 콘택트홀(3)을 형성한다. 이 때, 띠형 콘택트홀(3)의 형상은 완전한 띠형 패턴이 아니라도 되며, 예를 들어 신호입력단자(10)가 델타배열로 됐을 경우 등에는, 도 9의 (a)~(c)에 나타낸 바와 같이, 이에 대응한 형상패턴으로 해도 된다.
다음으로, 스퍼터링으로 Ti을 150㎚ 정도 성막하고, 질산-불산계 에천트를 사용한 포토리소그래피로 소스 버스라인(도시 생략)을 형성함과 동시에, 도 2의 (c), 도 3의 (c) 및 도 4의 (c)에 나타낸 바와 같이, 배선단자 전구체(2')에서의 게이트 버스라인(14)의 연장부분을 중심으로 하여 콘택트홀을 걸치도록 배선단자 전구체(2')의 긴 쪽 방향으로 등 피치로 간격을 두고 배열된 복수의 단자패드(4)를 형성한다. 이와 같은 구조에서는, 단자패드(4)의 긴 변 길이가 띠형 콘택트홀(3)의 폭보다 충분히 길기 때문에, 긴 변 방향 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 상충에 대하여 충분하게 마진을 취할 수 있어, 그 포토 얼라인먼트를 거의 자유롭게 할 수 있다. 또 이 때 동시에, 소스 버스라인의 단부에, 게이트 버스라인 (14) 단부에 형성된 배선단자 전구체(2')와 동일한 배선단자 전구체를 형성한다(도시 생략). 또한 단자패드(4)를 형성하는 막으로서, Ti 대신에 Ti이나 그 합금, ITO나 기타 도전성 금속산화물, Ta, Mo, Al이나 그 합금, 또는 이들의 적층체를 이용해도 된다. 그리고 본 제 1 실시예에서는, 게이트 버스라인(14)의 재료로서 소스 버스라인과 동일한 Ti을 채용하기 때문에, 게이트 버스라인(14) 쪽 신호입력단자(10)의 단자패드(4)가 Ti으로 형성되지만, 소스 버스라인의 재료인 금속막을 에칭할 때에 사용되는 에천트로 그 금속막이 거의 에칭되지 않을 경우 등에는, 후술하는 바와 같이 소스 버스라인 쪽 신호입력단자(10)와 마찬가지로, 화소전극의 패터닝 시에 이용되는 금속막으로 단자패드(4)를 형성하도록 해도 된다.
이어서, 도 2의 (d) 및 도 4의 (c)에 나타낸 바와 같이, 단자패드(4)를 형성했을 때의 포토패턴을 마스크로, 배선단자 전구체(2')의 단자패드 비 형성부분을 질산-불산계 에천트를 사용한 에칭으로 제거한다. 그리고 이로써 배선단자(2) 및 단자패드(4)가 밑으로부터 차례로 적층된 게이트 버스라인(14) 쪽 신호입력단자(10)가 구성된다.
이상과 같이 하면, 띠형의 배선단자 전구체(2') 상에 단자패드(4)를 형성하고, 단자패드(4) 또는 단자패드(4)를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로 배선단자 전구체(2')의 단자패드 비 형성부분을 에칭 제거함으로써 신호입력단자(10)가 형성되므로, 단자배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 마진을 크게 취할 수 있으며, 나아가 배선단자(2)와 단자패드(4)의 접촉면적을 일정하게 또 충분히 크게 할 수 있는 점에서, 이들 사이의 콘택트 저항을 충분하게 작게 할 수 있다. 즉, 절연성기판(1)이 신축됐다 하더라도, 배선단자(2)와 단자패드(4)의 접속불량이 쉽게 발생하지 않는 신호입력단자(10)를 형성할 수 있다.
도 15는 종래의 액티브매트릭스기판(9), 즉 각 단자패드(4)별로 콘택트홀을 형성하는 구조의 액티브매트릭스기판(예 2) 및 본 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)(예 1)에 대하여, 도 14에 나타내는 단자패드(4)의 폭(W1), 서로 인접하는 단자패드(4) 사이의 간격(W2), 및 배선단자(2)의 폭(W3)이, 예를 들어 단자 배열피치(W1+W2)의 1/2(조건 A)일 때, 단자 배열피치(W1+W2)를 50㎛~100㎛까지 변량시켰을 때 배선단자(2)의 배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 마진의 추이를 나타낸 것이다.
도 15에서도 알 수 있는 바와 같이, 본 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)의 구조(예 1)는, 종래의 액티브매트릭스기판(9) 구조(예 2)에 비해, 조건 A에서 포토 얼라인먼트 마진이 2 배이다. 따라서 액정패널의 정밀도가 높고 단자배열 피치를 짧게 해야 할 경우 등에 있어서도, 단자 배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 마진을 매우 크게 취할 수 있다.
이어서, 소스패턴을 마스크로 한 채널에칭, CVD법으로 SiNx로 된 패시베이션막을 성막하고, 포토리소그래피에 의해 원하는 레지스트패턴을 형성한 후, CF4-O2계 가스를 이용하여 드라이에칭을 실시한다(도시 생략). 동시에 소스 버스라인 쪽의 배선단자 전구체가 노출되도록 절연막(passivation film)에 띠형 콘택트홀을 형성한다(도시 생략).
다음에, 스퍼터링으로 Al을 100㎚ 정도 성막하고, 질산-염산-초산계 에천트를 사용한 포토리소그래피에 의해, 화소전극의 패터닝을 행한다. 동시에, 소스 버스라인 쪽 배선단자 전구체 상에도 화소금속막과 같은 소재의 단자패드를 배선단자 전구체의 긴 쪽 방향으로 등 피치로 간격을 두고 형성한다(도시 생략).
다음으로, 소스 버스라인 쪽 단자패드를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로 하여, 띠형 콘택트홀로부터 노출된 단자패드를 제외한 배선단자 전구체의 부분을 에칭으로 제거한다. 그리고 이로써 배선단자 및 단자패드가 밑으로부터 차례로 적층된 소스 버스라인 쪽 신호입력단자가 구성된다.
이상과 같이 하여, 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)이 제조된다. 제조된 액티브매트릭스기판(9)은, 대향기판과 함께 액정표시소자를 구성하여 액정표시장치에 조립된다.
여기서 절연성기판(1)으로는, 폴리이미드기판 이외에, 세라믹스기판이나 폴리에틸렌설폰산 등 플라스틱기판을 들 수 있다.
(제 2 실시예)
본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)에 대하여 도 5의 (a)~(c)를 이용하여 설명한다. 여기서 제 1 실시예와 동일한 부분은 동일 부호로 나타낸다.
이 액티브매트릭스기판(9)은, 서로 다른 층으로 성막·형성된 금속으로 된(게이트금속막과 소스금속막, 소스금속막과 화소금속막, 게이트금속막과 화소금속막 등) 2층의 단자패드(4, 6)를 갖는 점을 제외하고 제 1 실시예의 액티브매트릭스기판 구조와 동일하다. 즉, 이 액티브매트릭스기판(9)은 제 1 실시예의 액티브매트릭스기판에 있어서, 배선단자(2)와 단자패드(4) 사이에 하층 단자패드(6)를 개설한 것이다.
상기 구조에 의하면, 예를 들어 소스 버스라인의 금속막을 에칭할 때에 게이트 버스라인(14)의 금속막이 에칭되며, 또 화소전극의 금속막을 에칭할 때에 소스 버스라인의 금속막이 에칭되는 등의 경우, 즉 높은 포토 얼라인먼트 정밀도로 3층, 4층 중첩시켜 신호입력단자(10)를 구성해야 하는 등의 경우라도, 최상층의 패턴을 마스크로 하층 금속막을 에칭함으로써 형성 가능하므로, 배선단자(2)의 배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 마진을 크게 취할 수 있으며, 나아가 배선단자(2)와 단자패드(4)의 접촉면적을 일정하게 또 충분히 크게 취할 수 있으므로, 이들 사이의 접촉저항을 충분히 작게 할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9) 제조방법에서의 신호입력단자(10)의 형성에 대하여, 게이트 버스라인(14)의 신호입력단자(10)를 예로, 도 6의 (a)~(d), 도 7의 (a)~(d)(도 5의 (a)의 VB-VB 단면), 및 도 8의 (a)~(d)(도 5의 (a)의 VC-VC 단면)를 이용하여 설명하기로 한다.
우선 폴리이미드로 된 절연성기판(1) 상에, 스퍼터링으로 AlNd을 150㎚ 정도 성막하고, 질산-염산-초산계 에천트를 사용한 포토리소그래피에 의해, 게이트 버스라인(14) 및 보조용량배선(도시 생략)을 형성한다. 이 때, 게이트 버스라인(14)의 단부에 각 배선단자(2)가 분리돼있지 않은, 즉 배선단자(2)끼리를 연결시킨 형상의 배선단자 전구체(2')도 함께 형성한다. 여기서 배선단자 전구체(2')를 형성하는 막으로서, Ti 대신에 Ti이나 그 합금, ITO나 기타 도전성 금속산화물, Ta, Mo, Al이나 그 합금, 또는 이들의 적층체를 이용해도 된다.
이어서 CVD법에 의해 SiNx로 된 게이트절연막(350㎚)(13), a-Si로 된 채널층(150㎚), n+-Si로 된 콘택트층의 3층을 성막하고, 채널층, 콘택트층을 포토리소그래피 및 SF6계 가스를 사용하여 드라이에칭 함으로써 채널층, 콘택트층을 패터닝한다(도시 생략). 이 때, 배선단자 전구체(2') 상의 채널층 및 콘택트층은 제거되고, 게이트절연막(13)이 남은 상태로 된다(도시 생략).
다음에, 도 6의 (a), 도 7의 (a) 및 도 8의 (a)에 나타낸 바와 같이, 포토리소그래피에 의해 원하는 레지스트패턴을 형성한 후, CF4-O2계 가스를 사용하여 드라이에칭 함으로써 배선단자 전구체(2')가 노출되도록 띠형 콘택트홀(3)을 형성한다. 이 때, 띠형 콘택트홀(3)의 형상은 완전한 띠형상의 패턴이 아니라도 되며, 예를 들어 신호입력단자(10)가 델타배열로 됐을 경우 등에는, 도 9의 (a)~(c)에 나타낸 바와 같이, 이에 대응한 형상패턴으로 해도 된다.
다음으로, 스퍼터링으로 Mo을 150㎚ 정도 성막하고, 질산-불산계 에천트를 사용한 포토리소그래피로 소스 버스라인(도시 생략)을 형성함과 동시에, 도 6의 (b), 도 7의 (b) 및 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이, 띠형 콘택트홀(3)을 따라 연장되며 또 그 띠형 콘택트홀(3)을 피복하도록, 콘택트홀(3)보다 폭이 넓은 띠형 하층단자패드 전구체(6')를 형성한다. 또 이 때 동시에 소스 버스라인의 단부에, 게이트 버스라인(14) 단부에 형성된 배선단자 전구체(2')와 마찬가지의 배선단자 전구체를 형성한다(도시 생략). 여기서 하층단자패드 전구체(6')를 형성하는 막으로서, Mo 대신에 Mo이나 그 합금, ITO나 기타 도전성 금속산화물, Ti, Ta, Al이나 그 합금, 또는 이들의 적층체를 이용해도 된다.
이어서, 소스패턴을 마스크로 한 채널에칭, SiNx로 된 패시베이션막을 CVD법으로 성막하고, 포토리소그래피에 의해 원하는 레지스트패턴을 형성한 후, CF4-O2계 가스를 사용하여 드라이에칭을 실시한다(도시 생략). 이 때 동시에 소스 버스라인 쪽의 배선단자 전구체가 노출되도록 절연막(패시베이션막)에 띠형 콘택트홀을 형성한다(도시 생략).
다음에, 스퍼터링으로 Al을 100㎚ 정도 성막하고, 질산-염산-초산계 에천트를 사용한 포토리소그래피로 화소전극의 패터닝을 실시함과 동시에, 도 6의 (c), 도 7의 (c) 및 도 8의 (c)에 나타낸 바와 같이, 하층단자패드 전구체(6') 상에 화소금속막과 같은 소재이자 하층단자패드 전구체(6')의 폭 방향을 긴 변으로 하는 장방형의 단자패드(4)를 긴 쪽 방향으로 등 피치로 간격을 두고 형성한다. 이 때, 단자패드(4)의 긴 변을 하층단자패드 전구체(6')의 폭보다 길게 형성한다. 또 이 때 동시에, 소스 버스라인 쪽 배선단자 전구체 상에도 화소금속막과 같은 소재의 단자패드를 형성한다(도시 생략).
이상으로써, 하층단자패드 전구체(6')의 폭이 띠형 콘택트홀(3)의 폭보다 충분히 길며 또 하층단자패드 전구체(6')에 전기적으로 접속된 상층 단자패드(4)의 긴 변 길이보다 충분히 짧은 구조가 구성된다. 이와 같은 구조에 의해, 띠형 콘택트홀(3)과 하층단자패드 전구체(6') 사이, 및 하층단자패드 전구체(6')와 단자패드(4) 사이 각각에 있어서 포토 얼라인먼트 상충량에 대하여 충분한 마진을 취할 수 있게 된다.
이 경우, 하층단자패드 전구체(6')의 폭, 단자패드(4) 긴 변의 길이 및 띠형 콘택트홀(3) 폭의 관계는 다음과 같이 된다.
단자패드(4) 긴 변의 길이＞하층단자패드 전구체(6')의 폭＞띠형 콘택트홀(3)의 폭.
또 하층단자패드 전구체(6')의 폭이 띠형 콘택트홀(3)의 폭 및 하층단자패드 전구체(6')에 전기적으로 접속된 상층 단자패드(4)의 긴 변의 길이보다 충분히 길고, 또 단자패드(4) 긴 변의 길이가 띠형 콘택트홀(3)의 폭보다 충분히 긴 구조라도 된다. 이러한 구조에서도 전술한 바와 마찬가지로, 띠형 콘택트홀(3)과 하층단 자패드 전구체(6') 사이, 및 하층단자패드 전구체(6')와 단자패드(4) 사이의 각각에 있어서 포토 얼라인먼트 상충량에 대하여 충분한 마진을 취할 수 있게 된다.
이 경우, 하층단자패드 전구체(6')의 폭, 단자패드(4) 긴 변의 길이 및 띠형 콘택트홀(3) 폭의 관계는 다음과 같이 된다.
하층단자패드 전구체(6')의 폭＞단자패드(4) 긴 변의 길이＞띠형 콘택트홀(3)의 폭.
이어서 도 6의 (d), 도 7의 (d) 및 도 8의 (d)에 나타낸 바와 같이, 단자패드(4)를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로, 배선단자 전구체(2') 및 하층단자패드 전구체(6')의 단자패드 비형성부분을 질산-염산-초산계 에천트를 사용한 에칭으로 제거하여, 단자패드(4)와 같은 방향으로 연장되는 긴 변을 갖는 장방형의 배선단자(2) 및 하층단자패드(6)를 형성한다. 그리고 이로써 배선단자(2), 하층단자패드(6) 및 단자패드(4)가 밑으로부터 차례로 적층된 게이트 버스라인(14) 쪽 신호입력단자(10)가 구성된다. 또 이 때 동시에, 소스 버스라인 쪽 단자패드를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로, 단자패드를 제외한 배선단자 전구체의 부분을 에칭으로 제거하여 배선단자를 형성한다(도시 생략). 이로써 배선단자, 하층단자패드 및 단자패드가 밑으로부터 차례로 적층된 소스 버스라인 쪽 신호입력단자가 구성된다.
이상과 같이 하여 형성된 게이트 버스라인(14) 쪽 신호입력단자(10)에서는, 하층단자패드(6) 및 단자패드(4) 각각의 긴 변의 길이 및 띠형 콘택트홀(3)의 폭 길이의 관계, 및 하층단자패드(6) 및 단자패드(4) 각각의 짧은 변 길이(폭)의 관계 는 다음과 같이 된다.
단자패드(4)의 긴 변＞하층단자패드의 긴 변＞띠형 콘택트홀(3)의 폭.
단자패드(4)=(혹은 ≒)하층단자패드(6).
하층단자패드 전구체(6')의 폭을, 띠형 콘택트홀(3)의 폭 및 하층단자패드 전구체(6')에 전기적으로 접속되는 상층 단자패드(4)의 긴 변 길이보다 충분히 길게 또 단자패드(4) 긴 변의 길이를, 띠형 콘택트홀(3)의 폭보다 충분히 길게 한 경우에는, 최종적으로 단자패드(4)를 형성할 때의 포토패턴을 마스크로 하층단자패드(6)가 에칭되므로, 단자패드(4)와 하층단자패드(6)가 거의 같은 형상이 된다. 이 경우, 하층단자패드(6) 및 단자패드(4) 각각의 긴 변 길이 및 띠형 콘택트홀(3)의 폭 길이의 관계, 및 하층단자패드(6) 및 단자패드(4) 각각의 짧은 변 길이(폭)의 관계는 다음과 같이 된다.
단자패드(4)의 긴 변=(또는 ≒)하층단자패드(6)의 긴 변＞띠형 콘택트홀(3).
단자패드(4)=(또는 ≒)하층단자패드(6).
이상과 같이 하여 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)이 제조된다. 제조된 액티브매트릭스기판(9)은 대향기판과 함께 액정표시소자를 구성하여 액정표시장치에 조립된다.
본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)과 같이, 높은 포토 얼라인먼트 정밀도로 3층, 4층의 금속막을 중첩시켜 신호입력단자(10)를 구성해야 할 경우라도, 상기의 제조방법에 의하면, 최상층의 패턴을 마스크로 하층의 금속막을 에칭하므로, 배선단자(2)의 배열방향에 대한 단자패드(4)의 포토 얼라인먼트 마진 을 크게 취할 수 있으며, 나아가 배선단자(2)와 단자패드(4)의 접촉면적을 일정하게 또 충분히 크게 취할 수 있으므로, 이들 사이의 접촉저항을 충분히 작게 할 수 있다. 즉, 절연성기판(1)이 신축되더라도, 배선단자(2)와 단자패드(4)와의 접촉불량이 쉽게 발생하지 않는 신호입력단자(10)의 형성이 가능해진다.
또 이와 같이 하여 제조된 본 발명의 제 2 실시예에 관한 액티브매트릭스기판(9)의 하층단자패드(6) 및 단자패드(4)와 같이, 서로 다른 층으로 성막·형성된 2층 이상의 금속막으로 된 게이트 버스라인(14) 쪽 신호입력단자(10)를 구성할 경우에도, 제 1 실시예에서 도 14에 기초하여 설명한 바와 마찬가지의 구조를 취함으로써, 도 15에 나타내는 것과 똑같은 포토 얼라인먼트 마진으로 신호입력단자(10)를 형성할 수 있다.
여기서, 절연성기판(1)으로는 폴리이미드기판 이외에, 세라믹기판이나 폴리에틸렌설폰산 등 플라스틱기판 등을 들 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 모든 배선단자가 노출되도록 단자배열방향으로 연장된 콘택트홀이 형성되므로, 단자패드를 포토리소그래피로 형성하기 위한 패터닝에 있어서, 단자배열방향에 대한 단자패드의 포토 얼라인먼트를 크게 취할 수 있다.
또 모든 배선단자가 노출되도록 콘택트홀이 형성되므로, 절연성기판의 휨 등에 의한 절연막에의 응력집중이 완화되고, 그 결과 절연막의 깨짐이 발생하기 어려운 구조가 된다. 따라서 절연성기판으로서 플라스틱기판을 이용한 경우라도, 액정 구동용 드라이버를 실장할 때 절연성기판의 휨에 의한 실장영역 절연막의 깨짐·박리의 발생을 억제할 수 있다.

Claims (11)

  1. 복수의 드라이버접속용 신호입력단자가 간격을 두고 배열된 액티브매트릭스기판으로,
    절연성기판과,
    상기 절연성기판 상에 간격을 두고 배열된 복수의 도전성 배선단자와,
    상기 절연성기판 상의 배선단자층 상에 형성되며, 상기 복수의 배선단자가 노출되도록 단자배열방향으로 연장되어 형성된 콘택트홀을 갖는 절연막과,
    상기 절연성기판 상의 절연막층 상에, 상기 절연막의 콘택트홀로부터 노출된 복수의 배선단자 각각을 피복하도록 배열된 복수의 도전성 단자패드를 구비하며,
    상기 배선단자와 이에 대응한 상기 단자패드에 의해 상기 신호입력단자가 구성되고,
    상기 신호입력단자는, 이를 구성하는 상기 배선단자 및 상기 단자패드 각각의 단자배열방향의 측단이 동일위치인 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단자패드의 단자배열방향에 직교하는 방향의 길이가 상기 콘택트홀의 폭보다 긴 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스기판.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연성기판이 플라스틱기판인 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스기판.
  5. 복수의 드라이버접속용 신호입력단자가 간격을 두고 배열된 액티브매트릭스기판을 구비하는 액정표시장치로서,
    상기 액티브매트릭스기판은,
    절연성기판과,
    상기 절연성기판 상에 간격을 두고 배열된 복수의 도전성 배선단자와,
    상기 절연성기판 상의 배선단자층 상에 형성되며, 상기 복수의 배선단자가 노출되도록 단자배열방향으로 연장되어 형성된 콘택트홀을 갖는 절연막과,
    상기 절연성기판 상의 절연막층 상에, 상기 절연막의 콘택트홀로부터 노출된 복수의 배선단자 각각을 피복하도록 배열된 복수의 도전성 단자패드를 구비하며,
    상기 배선단자와 이에 대응한 상기 단자패드에 의해 상기 신호입력단자가 구성되는 액티브매트릭스기판을 구비하고,
    상기 신호입력단자는, 이를 구성하는 상기 배선단자 및 상기 단자패드 각각의 단자배열방향의 측단이 동일위치인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 단자패드의 단자배열방향에 직교하는 방향의 길이가 상기 콘택트홀의 폭보다 긴 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 삭제
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연성기판이 플라스틱기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 복수의 드라이버접속용 신호입력단자가 간격을 두고 배열된 액티브매트릭스기판의 제조방법으로,
    절연성기판 상에 가늘고 긴 도전성 배선단자 전구체를 형성하는 단계와,
    상기 절연성기판 상을 상기 배선단자 전구체의 위로부터 절연막으로 피복하는 단계와,
    상기 배선단자 전구체가 노출되도록 상기 절연막에 가늘고 긴 콘택트홀을 형성하는 단계와,
    상기 절연막의 콘택트홀로부터 노출된 상기 배선단자 전구체 상에 그 긴 쪽 방향을 따라 간격을 두고 도전성의 단자패드를 복수 형성하는 단계와,
    상기 배선단자 전구체의 단자패드 비형성부분을 선택적으로 제거함으로써 간격을 두고 배열된 복수의 배선단자를 형성함과 함께 각 배선단자와 이에 대응한 단자패드에 의해 신호입력단자를 구성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스기판의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 단자패드의 단자배열방향에 직교하는 방향의 길이를 상기 콘택트홀의 폭보다 길게 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스기판의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 절연성기판을 플라스틱기판으로 하는 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스기판의 제조방법.
KR1020030057326A 2002-08-20 2003-08-19 액티브매트릭스 기판 및 그 제조방법, 그리고 이를구비하는 액정표시장치 KR100574408B1 (ko)

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