JP2018021993A - 半導体基板及びそれを用いた表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機ＥＬ表示装置または液晶表示装置において、有機パッシベーション膜の上に形成された配線の剥離を防止する。【解決手段】基板１００にＴＦＴが形成され、ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜１０８が形成された有機ＥＬ表示装置であって、有機パッシベーション膜１０８を覆ってＡｌＯ膜１０９が形成され、ＡｌＯ膜１０９の上には導電性線条１１０が形成され、導電性線条１１０は、有機パッシベーション膜１０８、および、ＡｌＯ膜１０９に形成されたスルーホールを介してＴＦＴと接続している。【選択図】図２

Description

本発明は半導体基板及びそれを用いた表示装置に係り、特に有機絶縁膜から生ずるガスによる、有機絶縁膜上の膜の剥離を防止した構成に関する。
有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置は画素部分を平坦にするために、有機パッシベーション膜を用いる。有機ＥＬ表示装置では、有機パッシベーション膜の上に導電性線条や反射電極が形成される。液晶表示装置では、有機パッシベーション膜の上に平面状にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成されたコモン電極や、これを覆ってＳｉＮ等で形成された絶縁膜が形成される。
有機ＥＬ表示装置では、導電膜、絶縁膜、アノード、有機ＥＬ膜、カソード、保護膜等多くの層で形成され、また、液晶表示装置では、導電膜、絶縁膜、コモン電極、層間絶縁膜、画素電極等の多くの層で形成されている。表示装置では、これらの膜間の接着力が問題になる。
特許文献１には、基板が有機材料で形成されたフレキシブルディスプレイを形成する工程において、まず、ガラス基板に樹脂基板を形成して、その上にディスプレイを構成するための種々の層を形成し、その後、ガラス基板と樹脂基板の間に光を照射して、ガラス基板を樹脂基板から剥離する構成が記載されている。
特開２００４−３４９５３９号公報
有機絶縁膜（以後有機パッシベーション膜という）は、通常は水分等を含有している。ポリイミドは、耐熱性、機械的な強度が高い等から、特にフレキシブルディスプレイでは重要な材料である。一方、ポリイミドは水分を非常に含有しやすいという性質がある。
樹脂が水分等を含有すると、後工程におけるベーキング等において、有機パッシベーション膜からガスが放出され、有機パッシベーション膜の上に形成された金属膜あるいは絶縁膜等が剥離する現象が生ずる。これは、導通不良、絶縁不良等の原因になる。
本発明の課題は、ポリイミド等の水分やガスを含有し易い有機材料をパッシベーション膜に使用した場合に、パッシベーション膜の上に形成された導電性線条や無機絶縁膜が、後工程におけるベーキング等において剥離する現象を防止することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
（１）基板にＴＦＴが形成され、前記ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜が形成された有機ＥＬ表示装置であって、前記有機パッシベーション膜を覆ってＡｌＯ膜が形成され、前記ＡｌＯ膜の上には導電性線条が形成され、前記導電性線条は、前記有機パッシベーション膜、および、前記ＡｌＯ膜に形成されたスルーホールを介して前記ＴＦＴと接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（２）基板にＴＦＴが形成され、前記ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜が形成された有機ＥＬ表示装置であって、前記有機パッシベーション膜を覆って第１のＡｌＯ膜が形成され、前記第１のＡｌＯ膜の上には導電性線条が形成され、前記導電性線条を覆って第２のＡｌＯ膜が形成され、前記導電性線条は、前記有機パッシベーション膜、および、前記第１のＡｌＯ膜に形成されたスルーホールを介して前記ＴＦＴと接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（３）基板にＴＦＴが形成され、前記ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜が形成された液晶表示装置であって、前記有機パッシベーション膜を覆ってＡｌＯ膜が形成され、前記ＡｌＯ膜の上には第１の電極が形成され、前記第１の電極を覆って第１の絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
有機ＥＬ表示装置の平面図である。 実施例１を示す画素部の断面図である。 有機パッシベーション膜のベーキングの温度プロファイルの例である。 本発明を使用しない場合の問題点を示す断面図である。 実施例１の他の形態を示す断面図である。 ガス抜き孔の例を示す平面図である。 有機パッシベーション膜の上にＡｌＯ膜を形成した状態を示す断面図である。 ＡｌＯ膜にスルーホールを形成した状態を示す断面図である。 ＡｌＯ膜の上に導電性線条を形成した状態を示す断面図である。 導電性線条およびＡｌＯ膜を貫通してガス抜き孔を形成した状態を示す断面図である。 実施例２を示す画素部の断面図である。 実施例２の他の形態を示す断面図である。 導電性線条を覆って第２のＡｌＯ膜を形成した状態を示す断面図である。 第２のＡｌＯ膜、導電性線条、第１のＡｌＯ膜を貫通してガス抜き孔を形成した状態を示す断面図である。 液晶表示装置の平面図である。 実施例３を示す画素部の断面図である。 実施例３の他の形態を示す断面図である。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
図１は本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００の周辺には走査線駆動回路２０、電源線バス２１、映像信号線１１を駆動するドライバＩＣ３０が配置し、その内側が表示領域となっている。走査線駆動回路２０は、表示領域の両側に形成され、走査線１０が両側の走査線駆動回路２０から表示領域を横方向に交互に延在している。表示領域の上側の電源線バス２１からは電源線１２が上側から縦方向に延在し、表示領域の下側の映像信号線駆動回路を含むドライバＩＣ３０からは映像信号線１１が縦方向に延在している。走査線１０と映像信号線１１と電源線１２とで囲まれた領域が画素１３となっている。ドライバＩＣ３０の外側にはフレキシブル配線基板４０が接続している。フレキシブル配線基板４０から、映像信号、電源、クロック信号等が供給される。
図２は、本発明による有機ＥＬ表示装置の表示領域における断面図である。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上に下地膜１０１が形成されている。下地膜はＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜等の積層膜で形成され、ガラスからの不純物が半導体層を汚染することを防止する。なお、有機ＥＬ表示装置をフレキシブルディスプレイとする場合は、ＴＦＴ基板１００はポリイミド等の樹脂で形成される。この場合も下地膜１０１は必要であり、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜に加えて、水分に対するブロック性の強い酸化アルミニウム(ＡｌＯ)膜等の積層膜が使用される場合もある。
なお、本明細書におけるＡＢ(例：ＳｉＯ)等の表記はそれぞれＡ及びＢを構成元素とする化合物であることを示すものであって、Ａ，Ｂがそれぞれ等しい組成比であることを意味するのではない。それぞれに基本となる組成比が存在するが、一般には製造条件等によりその基本組成から乖離することが多い。
下地膜の上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を構成する半導体層１０２が形成される。半導体層１０２は当初はＣＶＤによってａ-Ｓｉ(非晶質シリコン)を形成し、その後、エキシマレーザによってＰｏｌｙ-Ｓｉ(多結晶シリコン)に変換したものである。半導体層１０２を覆って、ＴＥＯＳ(Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を原料とするＳｉＯによってゲート絶縁膜１０３が形成され、その上にゲート電極１０４が形成される。その後、リンあるいはボロン等をイオンインプランテーションすることによって、ゲート電極１０４で覆われていない部分の半導体層１０２に導電性を付与してドレイン１０２１およびソース１０２２を形成する。
ゲート電極１０４を覆って層間絶縁膜１０５がＳｉＮ等によって形成される。層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０３にスルーホールを形成し、ドレイン電極１０６および、ソース電極１０７を接続する。ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成される。有機パッシベーション膜１０８の材料としては、ポリイミドが好適である。ポリイミドは優れた耐熱性と機械的な強度を有している。有機パッシベーション膜１０８を構成するポリイミドは感光性の樹脂で形成される。感光性の樹脂は、露光された部分が現像液に溶解するものであり、レジストを用いずに、スルーホール等の形成を行うことが出来る。
ポリイミドは、ガス、特に水分を含有しやすい。したがって、ポリイミドをパターニング後、高温例えば３００℃で１時間程度ベーキングを行い、ポリイミドを硬化させるとともに、ポリイミドから水分、ガス等を放出させる。しかし、ポリイミドから水分やガスを十分放出させるためには、３００℃で１時間程度のベーキングでは十分ではない。そこで、ポリイミドを硬化した後、さらに、脱ガスのために、好ましくは、２００℃で１０時間程度、ベーキングを行い、ポリイミドから水分等を十分に放出させる。なお、時間はプロセスの要求によって、１０時間よりも短い場合もありうる。つまり、２００℃以上で１時間以上のベーキングを行うことが好ましい。
図３は、このベーキングの温度プロファイルである。図３では、２００℃でのベーキングは１時間程度である。このベーキングにおいて、昇温速度が重要である。本発明では、図３の実線で示すように、昇温速度は３℃／分である。比較例として点線で示すように、昇温速度が６℃／分の場合は、有機パッシベーション膜の上に形成する膜が剥離する危険がある。
図２に戻り、有機パッシベーション膜１０８を覆って、バリア膜としてのＡｌＯ膜を３０乃至５０ｎｍ程度スパッタリングによって形成する。すなわち、ポリイミドは水分等を吸収しやすいために、ベーキングによって、ガス出しを行っても、再び水分等を吸収してしまう。ポリイミドで形成された有機パッシベーション膜を覆ってＡｌＯ膜１０９を形成することによって、ポリイミドが再び水分等を吸収することを防止することが出来る。
その後、ポリイミドで形成された有機パッシベーション膜１０８の上に導電性線条１１０を形成する。導電性線条１１０は、有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介してソース電極１０７と接続する。導電性線条１１０はＡｌ合金で形成され、図２の左側に位置する発光領域では反射電極１１０１の役割を有する。一方、図２の右側に示す導電性線条１１０は他の素子と接続する。
図２において、反射電極１１０１の上にはＩＴＯ等でアノード１１１が形成されている。その後、アクリル等の有機材料によってバンク１１４が形成される。バンク１１４は、後で形成される有機ＥＬ膜１１２が段切れを生ずることを防止する、あるいは、画素間を区画する、等の役割を有している。バンク１１４に形成されたスルーホール内に有機ＥＬ層１１２を形成する。有機ＥＬ層１１２は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数層から形成される。
その後、カソード１１３を透明導電膜である、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等のいずれかによって形成する。カソード１１３は表示領域全面に共通に形成されるカソード１１３を覆って、ＳｉＮ等によって保護膜１１５がＣＶＤ等によって形成される。保護膜１１５の上に偏光板１１７が粘着材１１６を介して接着している。偏光板１１７は、外光の反射を防止して、画像を見やすくするためである。
ところで、有機ＥＬ表示装置の製造方法として、例えば図２における導電性線条１１０まで、あるいは、アノード１１１までをアレイメーカが製造し、それより後の工程を有機ＥＬ表示装置の製造メーカが形成する場合がある。そうすると、導電性線条１１０あるいはアノード１１１が形成された後の途中工程での有機ＥＬ表示装置が、大気中に長時間放置される場合が生ずる。
図２における導電性線条１１０、反射電極１１０１、アノード１１１等は、ポリイミド等で形成された有機パッシベーション膜１０８の全面を覆っているわけではないので、有機パッシベーション膜１０８は大気に晒される。したがって、有機パッシベーション膜１０８は大気中の水分等を大量に吸収することになる。
一方、有機ＥＬ表示装置メーカは、バンク１１４を形成する前に、有機パッシベーション膜等から水分やガスを放出させるために、２００℃よりも高い温度、例えば、２７０℃で１時間程度ベーキングを行う。この時、有機パッシベーション膜が吸収した水分やガスを放出すると、有機パッシベーション膜１０８の上に形成された膜が剥離してしまう。
図４は本発明を使用しない場合の有機ＥＬ表示装置の断面図である。図４において、有機パッシベーション膜１０８を覆うＡｌＯは存在せず、有機パッシベーション膜１０８の上に直接、導電性線条１１０および反射電極１１０１が形成されている。有機パッシベーション膜等が形成された後放置されると、有機パッシベーション膜が水分を吸収する。そして、有機ＥＬ表示装置メーカにおいて、バンク等を形成する前にベーキングを行うと、有機パッシベーション膜１０８の上の導電性線条１１０が剥離し、導電性線条１１０と有機パッシベーション膜との間に気泡５０が発生してしまう。
これに対して本発明では、有機パッシベーション膜１０８を長時間ベーキングして有機パッシベーション膜１０８から水分等を十分に放出させ、さらには、有機パッシベーション膜１０８をＡｌＯ膜１０９によって覆って、大気から再び水分等が有機パッシベーション膜１０８に吸収されるのを防止するので、図４に示すような導電性線条１１０の剥離および気泡５０の発生を防止することが出来る。
図５は実施例１における他の形態を示す有機ＥＬ表示装置の断面図である。図５が図２と異なる点は、ＡｌＯ膜１０９とその上の導電性線条１１０の一部にガス抜き孔６０が形成されている点である。有機パッシベーション膜１０８が十分にガス抜きされていないような場合、後のベーキング工程において、有機パッシベーション膜１０８から、水分あるいはガスが放出され、ＡｌＯ膜１０９を有機パッシベーション膜１０９から剥離させる危険がある。
図５では、ＡｌＯ膜１０９とその上の導電性線条１１０の一部にガス抜き孔６０を形成することによって、バンク等を形成する前におけるベーキング時に有機パッシベーション膜１０８から放出されるガスを外部に逃がすことによって、ＡｌＯ膜１０９の膨れを防止するものである。
このようなガス抜き孔６０はＡｌＯ膜１０９と導電性線条１１０が積層された部分に形成すると特に効果がある。また、導電性線条１１０の幅が大きい部分にガス抜き孔６０を形成すると効果が大きい。図６はガス抜き孔６０が形成されている部分の平面図である。図６において、ガス抜き孔６０が形成されている部分は導電性線条１１０の幅ｗ２は２０μｍよりも大きい。そして、導電性線条１１０内におけるガス抜き孔の径は１０μｍ程度であり、ガス抜き孔のピッチは１００μｍ程度である。一方、導電性線条１１０の幅ｗ１が２０μｍよりも小さい領域では、ガス抜き孔６０は必ずしも必要ではない。
図７乃至図１０は、本実施例の構造を実現するプロセス図である。図７は、有機パッシベーション膜１０８の上にＡｌＯ膜１０９を３０乃至５０ｎｍ程度形成した状態である。ＡｌＯ膜１０９はスパッタリングによって形成する。ＡｌＯ膜１０９を形成する前に、有機パッシベーション膜１０８をパターニングしてスルーホールを形成し、硬化した後、さらに、ガス出しのために、好ましくは、２００℃程度で１０時間程度ベーキングを行う。このベーキングにおける昇温速度は３℃／分よりも遅い方がよい。
図８は有機パッシベーション膜１０８のスルーホールにおいて、ＡｌＯ膜１０９にもスルーホールを形成した状態を示す断面図である。ＡｌＯ膜１０９のスルーホールは塩素系のドライエッチングによって形成する。その後、図９に示すように、例えば、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金によって導電性線条１１０を被着し、フォトリソグラフィによってパターニングを行う。なお、Ａｌ合金は、ヒロックの発生を防ぐため、あるいは、他の導電体との電気的接触を安定させるために、Ｔｉ、あるいは、ＷＭｏ合金等の高融点金属あるいは高融点合金によってサンドイッチされる場合が多い。その後、必要に応じて、図１０に示すように、ガス抜き孔６０を導電性線条とＡｌＯ膜を貫通して形成する。
図１１は、本発明の実施例２を示す有機ＥＬ表示装置の断面図である。図１１が図２と異なる点は、導電性線条１１０を覆ってさらに第２のＡｌＯ膜１１８が形成されていることである。導電性線条１１０は第２のＡｌＯ膜と第１のＡｌＯ膜によって上下から覆われていることによって、さらに剥離しにくくなっている。また、有機パッシベーション膜１０８をＡｌＯ膜によって２重に覆うことになるので、有機パッシベーション膜１０８が大気からの水分を吸収するのをより効果的に防止することが出来る。
一方、図１１に示すように、有機ＥＬ層１１２が形成される発光領域では、導電性線条１１０が反射電極１１０１の役割を有しているが、この部分では第２のＡｌＯ膜１１８は形成されていない。この部分は、アノード１１１と反射電極１１０１との導通をとる必要があるからである。図１１のその他の構成は図２と同様である。
図１２は、本実施例における他の形態を示す断面図である。図１２が図１１と異なる点は、第１のＡｌＯ膜１０９と導電性線条１１０と第２のＡｌＯ膜１１８が積層された領域の一部において、ガス抜き孔６０が形成されている点である。ガス抜き孔６０は、第２のＡｌＯ膜１１８、導電性線条１１０、第１のＡｌＯ膜１０９の３層に対して貫通して形成されている。
ガス抜き孔６０の目的は、実施例１において説明したのと同様である。また、ガス抜き孔６０の平面形状、平面配置も実施例１の図６で説明したのと同様である。このように、ガス抜き孔６０を形成することによって、有機パッシベーション膜１０８に残留したガスによって、導電性線条１１０等が剥離する危険を防止することが出来る。
図１３および図１４は本実施例を実現する工程を示す断面図である。図１３において、導電性線条１１０を形成するまでは、実施例１の図７乃至図９で説明したのと同様である。図１３では、導電性線条１１０を覆って第２のＡｌＯ膜１１８が厚さ３０乃至５０ｎｍでスパッタリングによって形成されている。なお、第２のＡｌＯ膜１１８の厚さは、第１のＡｌＯ膜１０９の厚さと同じでもよいし、薄くともよい。
図１４は、第２のＡｌＯ膜１１８、導電性線条１１０、第１のＡｌＯ膜１０９の一部にガス抜き孔６０を形成した状態を示す断面図である。ガス抜き孔６０は、第２のＡｌＯ膜１１８、導電性線条１１０、第１のＡｌＯ膜１０９の３層を貫通して形成される。本実施例におけるガス抜き孔６０の効果も実施例１において説明したガス抜き孔６０の効果と同様である。
実施例３は、本発明を液晶表示装置に適用した例である。図１５は液晶表示装置の平面図である。図１５において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺においてシール材１５０によって接着し、内部に液晶が封入されている。シール材１５０の内側が表示領域となっている。
ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は端子部であり、この部分にドライバＩＣ３０が搭載され、また、フレキシブル配線基板４０が接続している。図１５において、表示領域の両側には走査線駆動回路２０が形成されている。左右の走査線駆動回路２０からは交互に表示領域に走査線１０が横方向に延在している。ドライバＩＣ３０からは映像信号線１１が縦方向に延在している。走査線１０と映像信号線１１で囲まれた領域が画素１３となっている。
図１６は本発明による液晶表示装置の画素部の断面図である。図１６において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００に下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１は、実施例１における有機ＥＬ表示装置で説明したのと同様である。下地膜１０１の上に半導体層１０２が形成されている。
半導体層を覆ってゲート絶縁膜１０３が形成され、ゲート絶縁膜１０３の上にゲート電極１０４が形成されている。ゲート電極１０４は走査線が兼用している。ゲート電極１０４を形成した後、イオンインプランテーションによって、ゲート電極で覆われた部分以外の半導体層に導電性を付与し、ドレイン１０２１およびゲート１０２２を形成する。
半導体層１０２を覆ってＣＶＤによるＳｉＮ等によって層間絶縁膜１０５を形成する。層間絶縁膜１０５の上にコンタクト電極１１９を形成する。コンタクト電極１１９は、層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０３に形成されたスルーホールを介して画素電極１２２とＴＦＴのソース１０２２を接続する。
層間絶縁膜１０５、コンタクト電極１１９等を覆って有機パッシベーション膜１０８をポリイミド等で形成する。有機パッシベーション膜１０８を構成する材料は感光性樹脂なので、レジストを使用せずにパターニングして、スルーホールを形成することが出来る。パターニング後、３００℃で1時間程度ベーキングして硬化させる。
ポリイミド等の有機材料は水分を含有しやすいので、硬化後も例えば昇温速度は３℃／分程度で、２００℃で１０時間程度ベーキングをしてガス出しをすること、等は実施例１で説明したのと同様である。さらに、実施例１で説明したのと同様、有機パッシベーション膜が再び、水分等を吸収しないように、ＡｌＯ膜１０９を厚さ３０ｎｍ乃至５０ｎｍで有機パッシベーション膜１０８を覆うように形成する。
その後、有機パッシベーション膜１０８のスルーホール内において、ＡｌＯ膜１０９にスルーホールを形成して、コンタクト電極１１９と画素電極１２２の接続を可能にする。その後、ＡｌＯ膜１０９の上にＩＴＯで形成されたコモン電極１２０を平面状に形成する。その後、ＳｉＮによって容量絶縁膜１２１を形成し、その上に櫛歯状あるいはストライプ状に画素電極１２２をＩＴＯによって形成する。画素電極１２２は有機パッシベーション膜のスルーホール内において、容量絶縁膜１２１に形成されたスルーホールを介して、コンタクト電極１１９と接続し、ＴＦＴのソース１０２２と接続する。
その後、画素電極１２２および容量絶縁膜１２１を覆って液晶を初期配向させるための配向膜１２３を形成する。図１６において、画素電極１２２に電圧が印加されると、コモン電極１２０との間に矢印のような電気力線が発生して液晶分子３０１を回転させて、液晶層３００の透過率を制御して画像を形成する。
図１６において、液晶層３００を挟んで、ガラスで形成された対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２が形成され、これらの膜を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３を覆って配向膜１２３が形成されている。
本発明では、有機パッシベーション膜１０８を硬化した後、さらに、２００℃以上の高温で、２時間乃至１０時間ベーキングするので、有機パッシベーション膜１０８から水分やガス等を効果的に放出させることが出来る。さらに、有機パッシベーション膜１０８を覆ってＡｌＯ膜１０９が形成されているので、仮に、有機パッシベーション膜１０８を形成後、長時間大気中に放置されても、水分等が再び、有機パッシベーション膜１０８内に侵入することを防止することが出来る。
これによって、有機パッシベーション膜１０８の上に形成されたコモン電極１２０やＳｉＮ等で形成された容量絶縁膜１２１が有機パッシベーション膜１０８からの放出ガスによって剥離することを防止することが出来る。
図１７は本実施例の第２の形態を示す画素部の断面図である。図１７が図１６と異なる点は、有機パッシベーション膜１０８の上に形成されたＡｌＯ膜１０９、コモン電極１２０、及び容量絶縁膜１２１を貫通してガス抜き孔６０を形成し、有機パッシベーション膜１０８内の残留ガスあるいは水分等によって、コモン電極１２０あるいは容量絶縁膜１２１が剥離することを防止している。
図１７のガス抜き孔６０の平面形状、配置等は、図６で説明したのと同様である。このように、本発明を適用した液晶表示装置では、コモン電極１２０あるいは容量絶縁膜１２１の剥離を効果的に防止することが出来る。
図１６および図１７は、有機パッシベーション膜１０８を覆って形成されたＡｌＯ膜１０９の上にコモン電極１２０が形成され、その上に容量絶縁膜１２１を介して画素電極１２２が形成されている構成であるが、逆に、ＡｌＯ膜１０９の上に画素電極１２２が形成され、その上に容量絶縁膜１２１を介してコモン電極１２０が形成されている構成の場合にも本発明を適用することが出来る。
実施例１乃至３では、ＴＦＴはトップゲート型であるとして説明したが、ＴＦＴがボトムゲート型である場合も同様に本発明を適用することが出来る。ボトムゲート型ＴＦＴでは、ａ-Ｓｉの半導体層を用いることが多い。また、実施例１乃至３では、ＴＦＴはＳｉ系の半導体を用いるとして説明したが、これに限らず、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の酸化物半導体を用いたＴＦＴである場合にも本発明を適用することが出来る。
１０…走査線、 １１…映像信号線、 １２…電源線、 １３…画素、 ２０…走査線駆動回路、２１…電源線バス、 ３０…ドライバＩＣ、 ４０…フレキシブル配線基板、 ５０…気泡、 ６０…ガス抜き孔、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…下地膜、 １０２…半導体層、 １０３…ゲート絶縁膜、 １０４…ゲート電極、 １０５…層間絶縁膜、 １０６…ドレイン電極、 １０７…ソース電極、 １０８…有機パッシベーション膜、 １０９…第１ＡｌＯ膜、 １１０…導電性線条、 １１１…アノード、 １１２…有機ＥＬ層、 １１３…カソード、 １１４…バンク、 １１５…保護膜、 １１６…粘着材、 １１７…偏光板、 １１８…第２ＡｌＯ膜、 １１９…コンタクト電極、 １２０…コモン電極、 １２１…容量絶縁膜、 １２２…画素電極、 １２３…配向膜、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜、 ３００…液晶層、 ３０１…液晶分子、 １０２１…ドレイン、 １０２２…ソース、 １１０１…反射電極

Claims (20)

  1. 基板にＴＦＴが形成され、前記ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜が形成された半導体基板であって、
    前記有機パッシベーション膜を覆ってＡｌＯ膜が形成され、
    前記ＡｌＯ膜の上には導電性線条が形成され、
    前記導電性線条は、前記有機パッシベーション膜、および、前記ＡｌＯ膜に形成されたスルーホールを介して前記ＴＦＴと接続していることを特徴とする半導体基板。
  2. 前記有機パッシベーション膜はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
  3. 前記有機パッシベーション膜は感光性の樹脂で形成され、パターニングして硬化させた後、前記ＡｌＯ膜を形成する前に、さらに、２００℃以上で、１時間以上ベーキングされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
  4. 前記ＡｌＯ膜の厚さは３０ｎｍ乃至５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
  5. 前記有機パッシベーション膜の上であって、前記導電性線条および前記ＡｌＯ膜を貫通してスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
  6. 基板にＴＦＴが形成され、前記ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜が形成された半導体基板であって、
    前記有機パッシベーション膜を覆って第１のＡｌＯ膜が形成され、
    前記第１のＡｌＯ膜の上には導電性線条が形成され、
    前記導電性線条を覆って第２のＡｌＯ膜が形成され、
    前記導電性線条は、前記有機パッシベーション膜、および、前記第１のＡｌＯ膜に形成されたスルーホールを介して前記ＴＦＴと接続していることを特徴とする半導体基板。
  7. 前記有機パッシベーション膜はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板。
  8. 前記有機パッシベーション膜は感光性の樹脂で形成され、パターニングして硬化させた後、前記第１のＡｌＯ膜を形成する前に、さらに、２００℃以上で、１時間以上ベーキングされていることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板。
  9. 前記第１のＡｌＯ膜の厚さは３０ｎｍ乃至５０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板。
  10. 前記第２のＡｌＯ膜の厚さは３０ｎｍ乃至５０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板。
  11. 前記有機パッシベーション膜の上であって、前記第２のＡｌＯ膜、前記導電性線条、前記第１のＡｌＯ膜を貫通してスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板。
  12. 基板にＴＦＴが形成され、前記ＴＦＴを覆って有機パッシベーション膜が形成された半導体基板であって、
    前記有機パッシベーション膜を覆ってＡｌＯ膜が形成され、
    前記ＡｌＯ膜の上には第１の電極が形成され、
    前記第１の電極を覆って第１の絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体基板。
  13. 前記有機パッシベーション膜はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板。
  14. 前記有機パッシベーション膜は感光性の樹脂で形成され、パターニングして硬化させた後、前記ＡｌＯ膜を形成する前に、さらに、２００℃以上で、１時間以上ベーキングされていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板。
  15. 前記ＡｌＯ膜の厚さは３０ｎｍ乃至５０ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板。
  16. 前記有機パッシベーション膜の上であって、前記第１の電極および前記第１の絶縁膜を貫通してスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板。
  17. 前記第１の絶縁膜の上には、第２の電極が形成され、前記第１の電極はコモン電極であり、前記第２の電極は画素電極であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板。
  18. 前記第１の絶縁膜の上には、第２の電極が形成され、前記第１の電極は画素電極であり、前記第２の電極はコモン電極であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板。
  19. 請求項１ないし請求項１１記載のいずれかの半導体基板を有する有機ＥＬ表示装置。
  20. 請求項１２ないし請求項１８記載のいずれかの半導体基板を有する液晶表示装置。
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