JP2018021994A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機EL表示装置または液晶表示装置において、有機パッシベーション膜の上に形成された配線の剥離を防止する。【解決手段】基板100にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜108が形成された有機EL表示装置であって、前記有機パッシベーション膜108を覆ってSiOまたはSiNを有する中間膜109が形成され、前記中間膜109の上には有機材料による絶縁膜114が形成され、前記中間膜109の上には、反射電極109が形成されており、前記反射電極109は、前記有機パッシベーション膜108、および、前記中間膜109に形成されたスルーホールを介して前記TFTと接続していることを特徴とする有機EL表示装置。【選択図】図2
Description
本発明は表示装置に係り、特に有機絶縁膜から生ずるによるガスによる、有機絶縁膜上の膜の剥離を防止した構成に関する。
有機EL表示装置や液晶表示装置は画素部分を平坦にするために、有機パッシベーション膜を用いる。有機EL表示装置では、有機パッシベーション膜の上に金属配線や反射電極が形成される。液晶表示装置では、有機パッシベーション膜の上に平面状にITO(Indium Tin Oxide)で形成されたコモン電極や、これを覆ってSiN等で形成された絶縁膜が存在する。
有機EL表示装置では、導電膜、絶縁膜、アノード、有機EL膜、カソード、保護膜等多くの層で形成され、また、液晶表示装置では、導電膜、絶縁膜、コモン電極、層間絶縁膜、画素電極等の多くの層で形成されている。表示装置では、これらの膜間の接着力が問題になる。
特許文献1には、有機膜の上に透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)膜を形成した場合、ITO膜への応力によって、ITO膜が破壊されたり、ITO膜が有機膜から剥離したりする現象を防止するために、有機膜とITOとの間にSiO2とCr2O3等の薄膜を6層形成して、ITOに生ずる応力を緩和する構成が記載されている。
有機絶縁膜(以後有機パッシベーション膜という)は、通常は水分等を含有している。ポリイミドは、耐熱性、機械的な強度が高い等から、特にフレキシブルディスプレイでは重要な材料である。一方、ポリイミドは水分を非常に含有しやすいという性質がある。
有機パッシベーション膜が水分等を含有すると、後工程におけるベーキング等において、有機パッシベーション膜からガスが放出され、有機パッシベーション膜の上に形成された金属膜あるいは絶縁膜等が剥離する現象が生ずる。これは、導通不良、絶縁不良等の原因になる。なお、特許文献1に記載の構成は有機膜からのガスによる膜の剥離を対策するものではない。
本発明の課題は、ポリイミド等の水分やガスを含有し易い有機材料をパッシベーション膜に使用した場合に、パッシベーション膜の上に形成された金属配線や無機絶縁膜が、後工程におけるベーキング等において剥離する現象を防止することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
(1)基板にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜が形成された有機EL表示装置であって、前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNを有する中間膜が形成され、前記中間膜の上には有機材料による絶縁膜が形成され、前記中間膜の上には、反射電極が形成されており、前記反射電極は、前記有機パッシベーション膜、および、前記中間膜に形成されたスルーホールを介して前記TFTと接続していることを特徴とする有機EL表示装置。
(2)基板にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜が形成された有機EL表示装置の製造方法であって、前記有機パッシベーション膜を形成後、250℃乃至300℃で1時間以上アニールするステップと、前記アニールした後、CVD装置内で加熱するステップと、前記加熱をした後に200℃乃至300℃の環境下で前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNによる中間膜をCVDによって被着するステップと、を有することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
(3)基板にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜が形成された液晶表示装置の製造方法であって、前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNを有する中間膜を形成し、前記有機パッシベーション膜を形成後、250℃乃至300℃で1時間以上アニールするステップと、前記アニールした後、CVD装置内で加熱するステップと、前記加熱をした後に200℃乃至300℃の環境下で前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNによる中間膜をCVDによって被着するステップと、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
図1は本発明が適用される有機EL表示装置の平面図である。図1において、TFT基板100の周辺には走査線駆動回路20、電源線バス21、映像信号線を駆動するドライバIC30が配置し、その内側が表示領域となっている。走査線駆動回路20は、表示領域の両側に形成され、走査線10が両側の走査線駆動回路20から表示領域を横方向に交互に延在している。表示領域の上側の電源線バス21からは電源線12が上側から縦方向に延在し、表示領域の下側の映像信号線駆動回路を含むドライバIC30からは映像信号線11が縦方向に延在している。走査線10と映像信号線11と電源線12とで囲まれた領域が画素13となっている。ドライバIC30の外側にはフレキシブル配線基板40が接続している。フレキシブル配線基板40から、映像信号、電源、クロック信号等が供給される。
図2は、本発明による有機EL表示装置の表示領域における断面図である。図2において、ガラスで形成されたTFT基板100の上に下地膜101が形成されている。下地膜はSiO膜、SiN膜等の積層膜で形成され、ガラスからの不純物が半導体層を汚染することを防止する。なお、有機EL表示装置をフレキシブルディスプレイとする場合は、TFT基板100はポリイミド等の樹脂で形成される。この場合も下地膜101は必要であり、SiO膜、SiN膜に加えて、水分に対するブロック性の強いAlO膜等の積層膜が使用される場合もある。
なお、本明細書におけるAB(例:SiO)等の表記はそれぞれA及びBを構成元素とする化合物であることを示すものであって、A,Bがそれぞれ等しい組成比であることを意味するのではない。それぞれに基本となる組成比が存在するが、一般には製造条件等によりその基本組成から乖離することが多い。
下地膜101の上にTFT(Thin Film Transistor)を構成する半導体層102が形成される。半導体層102は当初はCVDによってa-Si(非晶質シリコン)を形成し、その後、エキシマレーザによってPoly-Si(多結晶シリコン)に変換したものである。半導体層102を覆って、TEOS(Tetraethyl orthosilicate)を原料とするSiOによってゲート絶縁膜103が形成され、その上にゲート電極104が形成される。その後、リンあるいはボロン等をイオンインプランテーションすることによって、ゲート電極104で覆われていない部分の半導体層102に導電性を付与してドレイン1021およびソース1022を形成する。
ゲート電極104を覆って層間絶縁膜105がSiN等によって形成される。層間絶縁膜105およびゲート絶縁膜103にスルーホールを形成し、ドレイン電極106および、ソース電極107を接続する。ドレイン電極106およびソース電極107を覆って有機パッシベーション膜108が形成される。有機パッシベーション膜108の材料としては、ポリイミドが好適である。ポリイミドは優れた耐熱性と機械的な強度を有している。有機パッシベーション膜108を構成するポリイミドは感光性の樹脂で形成される。感光性の樹脂は、露光された部分が現像液に溶解するものであり、レジストを用いずに、スルーホール等の形成を行うことが出来る。
ポリイミドは、ガス、特に水分を含有しやすい。本発明では、ポリイミドをパターニングし、硬化させた後、高温でベーキングすることによって、ポリイミドから水分やガスを放出する。そして、ポリイミドが再び水分やガスを吸収しないように、中間膜109としてのSiN膜またはSiO膜を50nm乃至200nm程度の厚さで、ポリイミドを覆う。このプロセスについては後述する。
その後、中間膜109の上に反射電極110を形成する。反射電極110は、有機パッシベーション膜108及び中間膜109に形成されたスルーホールを介してソース電極107と接続する。反射電極110はAl合金で形成されるが、ヒロックの防止、あるいは、他の金属との電気的な接触を安定させるために、TiあるいはMoW等の高融点金属あるいは高融点合金でサンドイッチされている。
図2において、反射電極110の上にはITO等でアノード111が形成されている。その後、ポリイミド、アクリル等の有機材料によってバンク114が形成される。バンク114は、後で形成される有機EL膜112が段切れを生ずることを防止する、あるいは、画素間を区画する、等の役割を有している。バンク114に形成されたスルーホール内に有機EL層112を形成する。有機EL層112は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数層から形成される。
その後、カソード113を透明導電膜である、ITO、IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(Antimony Zinc Oxide)等のいずれかによって形成する。カソード113は表示領域全面に共通に形成される。カソード113を覆って、SiN等によって保護膜115がCVD等によって形成される。保護膜115の上に偏光板117が粘着材116を介して接着している。偏光板117は、外光の反射を防止して、画像を見やすくするためである。
ところで、有機EL表示装置の製造方法として、例えば図2における反射電極110あるいはアノード111までをアレイメーカが製造し、それより後の工程を有機EL表示装置の製造メーカが形成する場合がある。そうすると、反射電極110あるいはアノード111が形成された後の途中工程での有機EL表示装置が、大気中に長時間放置される場合が生ずる。
図2における反射電極110、アノード111等は、ポリイミド等で形成された有機パッシベーション膜108の全面を覆っているわけではないので、有機パッシベーション膜108は大気に晒される。したがって、有機パッシベーション膜108は大気中の水分等を大量に吸収することになる。
一方、有機EL表示装置メーカは、バンク114を形成する前に、有機パッシベーション膜等から水分やガスを放出させるために、200℃よりも高い温度、例えば、270℃で1時間程度ベーキングを行う。この時、有機パッシベーション膜が吸収した水分やガスを放出すると、有機パッシベーション膜108の上に形成された膜が剥離してしまう。または、上記ベーキングでガス出しが十分でなかった場合は、有機EL表示装置の動作中にガスが放出されて膜剥離を生ずる。このような剥離は有機パッシベーション膜108と同じく有機膜で形成されたバンク114の積層部分において特に問題となる。
図3は本発明を使用しない場合の有機EL表示装置の断面図である。図3において、有機パッシベーション膜108を覆う中間膜109は存在せず、有機パッシベーション膜108の上に、直接バンク114等が形成されている。有機パッシベーション膜108等が形成された後放置されると、有機パッシベーション膜108が水分を吸収する。
一方、バンク114を形成するときは、パターニングをした後、高温でバンク114を硬化させる。この時、有機パッシベーション膜108が水分を含んでいると、この水分がガスとなって放出され、有機パッシベーション膜108とバンク114の界面において、気泡50を発生させ、バンク114が有機パッシベーション膜108から剥離する現象を生ずる。
つまり、有機材料は水分を含有しやすく、有機材料と有機材料が接触する部分は、両方から水分が放出されるために、界面において気泡が発生しやすい。さらに、ポリイミドの場合は、他の有機材料に比べてより多くの水分を放出させるので、ポリイミド膜とポリイミド膜が接触する部分は気泡の発生の危険がより高くなる。しかし、ポリイミドは、優れた耐熱性、優れた機械的強度を有しているので、ポリイミド膜とポリイミド膜が接触する構成とせざるを得ない場合がある。
これに対して本発明では、有機パッシベーション膜108を長時間ベーキングして有機パッシベーション膜108から水分等を十分に放出させ、その後、有機パッシベーション膜108を中間膜109によって覆って、大気から再び水分等が有機パッシベーション膜108に吸収されるのを防止するので、図3に示すようなバンク114の剥離および気泡50の発生を防止することが出来る。
図4は、本発明における有機パッシベーション膜およびこれを覆う中間膜の製造工程を示すチャートである。図4において、TFTを覆ってポリイミド材料を塗布し、乾燥し、予備硬化させてパターニングを行う。その後、300℃程度でポリイミドの硬化を行う。
次工程以後が本発明の特徴である。硬化したポリイミド膜をさらに、250℃乃至300℃で1時間程度アニールすることによってポリイミドから水分やガスを放出させる。十分に水分あるいはガスを放出させるために、アニールの時間は1時間以上であることが望ましい。しかし、ポリイミド膜からガスを放出させても、大気中に放置すれば、ポリイミド膜は再び水分を吸収してしまう。
本発明は、ポリイミド膜をSiOあるいはSiNによって覆うことによってポリイミドが再び大気中の水分を吸収することを防止する。このために、アニールが終わったポリイミド膜をCVD装置に投入する。投入チャンバーにおいて、まず、予備加熱を100℃で10分程度行う。その後、本加熱チャンバーにおいて200℃乃至300℃で10分程度本加熱を行う。その後、成膜チャンバーにおいて、200℃乃至300℃程度で10分程度CVDを行い、SiOあるいはSiNを50乃至200nm程度形成する。
図5は、CVD装置500の模式図である。図5の矢印は基板の移動方向を示している。図5において、有機パッシベーション膜(例えばポリイミド膜)のアニールの終わったTFT基板を入出チャンバー501からからCVD装置500に投入する。入出チャンバー501において、TFT基板は10分程度、100℃で予備加熱される。
予備加熱が終わったTFT基板は加熱チャンバー502に搬送され、加熱チャンバー502において、200℃乃至300℃で10分程度加熱してアニール後に有機パッシベーション膜が吸収した水分等を放出させる。その後、TFT基板は成膜チャンバー503に搬送され、SiOあるいはSiNをCVDによって50乃至200nm程度成膜する。CVDは200℃〜300℃の環境下で行い、被着時間は10分程度である。
以上で説明した、予備加熱の時間、加熱チャンバーにおける加熱の時間、CVDによる被膜形成の時間は10分であるとしたが、10分以上であれば、水分やガスをより多く放出することが出来るので望ましい。10分というのは各工程のタクト時間を合わせるためである。各工程において、加熱時間等を異ならせる場合は、各工程における基板の蓄積枚数を変えればよい。すなわち、基板の蓄積枚数が多い工程では、各基板はその工程により長時間滞留させることが出来る。
その後、入出チャンバー501からTFT基板は大気中に出ていく。この時、有機パッシベーション膜108はすでに、SiOあるいはSiNによる中間膜109に覆われているので、有機パッシベーション膜108が再び大気中から水分を吸収するという現象を抑制することが出来る。また、TFT基板がCVD装置に投入された後、SiOあるいはSiNによる中間膜109を形成するまでは、全て真空チャンバーであるCVD装置内で行われるので、有機パッシベーション膜109が大気中から水分等を吸収することは無い。
また、この後の工程で水分に対するバリア性の高いAlOをスパッタ形成してもよい。あるいは上述のSiOあるいはSiN形成のための真空装置内にAlO形成のためのチャンバーを設けてAlOを真空内で連続形成してもよい。
したがって、後工程において、バンクの形成のために、有機パッシベーション膜108が高温でベーキングされても、有機パッシベーション膜108から水分あるいはガスが放出されて、中間膜109を剥離させるという現象は避けることが出来る。
図6および図7は、本発明を使用しない場合と本発明を使用した場合の、有機パッシベーション膜からの水分およびガスの放出量の測定結果である。図6は本発明を使用しない場合の、有機パッシベーション膜からの水分およびガスの放出の状態を示すものである。図6において、横軸は時間(秒)である。縦軸は、基板の温度(℃)、全ガスの量(Pa)、水分の量(イオン電流(A))を示すものである。
図6は、基板を24分かけて、室温から270℃まで上昇させている。そうすると、270℃近辺において、全ガス量が急激に増加する。図6において、水分は、対応するイオン電流によって測定しているが、放出される水分量も270℃近辺において急減に増大する。つまり、本発明を使用しない場合、有機パッシベーション膜に大量のガスあるいは水分が含まれていることを示している。
図7は、本発明による有機パッシベーション膜からの水分あるいは全ガスの放出量を示す図である。図7において、横軸は時間(秒)である。縦軸は、基板の温度(℃)、全ガスの量(Pa)、水分の量(イオン電流(A))を示すものである。測定条件は図6の場合と同じである。すなわち、基板を24分かけて、室温から270℃まで上昇させる。
図7では、温度上昇に伴って全ガス量は、増加はするが、図6におけるような大きな増加はない。また、270℃付近においても、ガスの急激な増加は無い。水分量を示すイオン電流も同様であり、270℃付近において急激に増加するということは無い。つまり、本発明における有機パッシベーション膜は、内部のガスおよび水分はプロセス中において、放出されてしまっていることがわかる。
本発明では、さらに、SiOあるいはSiN等の中間膜によって、大気中の水分やガスが再び有機パッシベーション膜内に吸収されることを防止するので、有機パッシベーション膜からの水分あるいはガスによる膜剥離をより確実に防止することが出来る。
実施例2は本発明を液晶表示装置に適用した場合の例である。図8は液晶表示装置の平面図である。図8において、TFT基板100と対向基板200が周辺においてシール材150によって接着し、内部に液晶が封入されている。シール材150の内側が表示領域となっている。
TFT基板100が1枚となっている部分は端子部であり、この部分にドライバIC30が搭載され、また、フレキシブル配線基板40が接続している。図8において、表示領域の両側には走査線駆動回路20が形成されている。左右の走査線駆動回路20からは交互に表示領域に走査線10が横方向に延在している。ドライバIC30からは映像信号線11が縦方向に延在している。走査線10と映像信号線11で囲まれた領域が画素13となっている。
図9は本発明による液晶表示装置の画素部の断面図である。図9において、ガラスで形成されたTFT基板100に下地膜101が形成されている。下地膜101は、実施例1における有機EL表示装置で説明したのと同様である。下地膜101の上に半導体層102が形成されている。
半導体層102を覆ってゲート絶縁膜103が形成され、ゲート絶縁膜103の上にゲート電極104が形成されている。ゲート電極104は走査線が兼用している。ゲート電極104を形成した後、イオンインプランテーションによって、ゲート電極で覆われた部分以外の半導体層に導電性を付与し、ドレイン1021およびゲート1022を形成する。
半導体層102を覆ってCVDによるSiN等によって層間絶縁膜105を形成する。層間絶縁膜105の上にコンタクト電極119を形成する。コンタクト電極119は、層間絶縁膜105およびゲート絶縁膜103に形成されたスルーホールを介して画素電極122とTFTのソース1022を接続する。
層間絶縁膜105、コンタクト電極119等を覆って有機パッシベーション膜108をポリイミド等で形成する。有機パッシベーション膜108を構成する材料は感光性樹脂なので、レジストを使用せずにパターニングして、スルーホールを形成することが出来る。有機パッシベーション膜108をパターニングして硬化させた後、300℃で1時間程度アニールして有機パッシベーション膜108内の水分およびガスを放出させる。
また、有機パッシベーション膜108から水分およびガスを放出させた後、SiOあるいはSiNによる中間膜109を形成して、有機パッシベーション膜108が再び大気中から水分等を吸収することを防止することは、実施例1と同様である。有機パッシベーション膜108のアニール方法、SiOあるいはSiNによる中間膜109の形成方法は、図4および図5で説明したのと同様である。
その後、有機パッシベーション膜108のスルーホール内において、中間膜109にスルーホールを形成して、コンタクト電極118と画素電極112の接続を可能にする。その後、中間膜109の上にITOで形成されたコモン電極120を平面状に形成する。その後、SiNによって容量絶縁膜121を形成し、その上に櫛歯状あるいはストライプ状に画素電極122をITOによって形成する。画素電極122は有機パッシベーション膜のスルーホール内において、容量絶縁膜121に形成されたスルーホールを介して、コンタクト電極118と接続し、TFTのソース1022と接続する。
その後、画素電極122および容量絶縁膜121を覆って液晶を初期配向させるための配向膜123を形成する。図9において、画素電極122に電圧が印加されると、コモン電極120との間に矢印のような電気力線が発生して液晶分子301を回転させて、液晶層300の透過率を制御して画像を形成する。
図9において、液晶層300を挟んで、ガラスで形成された対向基板200が配置している。対向基板200の内側には、カラーフィルタ201とブラックマトリクス202が形成され、これらの膜を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203を覆って配向膜123が形成されている。
本発明では、有機パッシベーション膜108を硬化した後、さらに、250℃乃至300℃で、1時間あるいはそれ以上の時間をかけてアニールするので、有機パッシベーション膜108から水分やガス等を効果的に放出させることが出来る。さらに、有機パッシベーション膜108を覆って中間膜109が形成されているので、仮に、有機パッシベーション膜108を形成後、基板を長時間大気中に放置しても、水分等が再び、有機パッシベーション膜108内に侵入することを防止することが出来る。
図10は、本発明を使用しない場合の液晶表示装置の断面図である。図10は、有機パッシベーション膜を覆う中間膜が存在しない他は図9と同様である。しかし、本発明を使用しない場合、有機パッシベーション膜108には、水分やガス含まれているので、これらの水分やガスが、液晶表示装置の動作中に有機パッシベーション膜108から放出される。そうすると、図10で示すように、有機パッシベーション膜108とコモン電極120あるいは有機パッシベーション膜108と容量絶縁膜121との間に気泡50が発生することがあり、液晶表示装置の動作に重大な影響を与えることになる。
これに対して、本発明の液晶表示装置では、有機パッシベーション膜108から十分に水分やガスを放出されるとともに、中間膜109によって、大気中から再び、水分やガスが有機パッシベーション膜108に吸収されることを防止することが出来るので、信頼性の高い液晶表示装置を実現することが出来る。
図9は、有機パッシベーション膜108を覆って形成された中間膜109の上にコモン電極120が形成され、その上に容量絶縁膜121を介して画素電極122が形成されている構成であるが、逆に、中間膜109の上に画素電極122が形成され、その上に容量絶縁膜121を介してコモン電極120が形成されている構成の場合にも本発明を適用することが出来る。
実施例1および2では、中間膜はSiOまたはSiNで形成されているとしたが、SiOおよびSiNの積層膜であってもよい。積層膜は、図5に示す成膜装置内において、連続してCVDによって形成することが出来る。この場合、積層膜の合計の膜厚は、例えば50nm乃至200nmである。
実施例1及び2では、TFTはトップゲート型であるとして説明したが、TFTがボトムゲート型である場合も同様に本発明を適用することが出来る。ボトムゲート型TFTでは、a-Siの半導体層を用いることが多い。また、実施例1及び2では、TFTはSi系の半導体を用いるとして説明したが、これに限らず、IGZO等の酸化物半導体を用いたTFTである場合にも本発明を適用することが出来る。
10…走査線、 11…映像信号線、 12…電源線、 13…画素、 20…走査線駆動回路、21…電源線バス、 30…ドライバIC、 40…フレキシブル配線基板、 50…気泡、 100…TFT基板、 101…下地膜、 102…半導体層、 103…ゲート絶縁膜、 104…ゲート電極、 105…層間絶縁膜、 106…ドレイン電極、 107…ソース電極、 108…有機パッシベーション膜、 109…中間膜、 110…反射電極、 111…アノード、 112…有機EL層、 113…カソード、 114…バンク、 115…保護膜、 116…粘着材、 117…偏光板、 119…コンタクト電極、 120…コモン電極、 121…容量絶縁膜、 122…画素電極、 123…配向膜、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 300…液晶層、 301…液晶分子、 500…CVD装置、 501…入出チャンバー、 502…加熱チャンバー、 503…成膜チャンバー、 1021…ドレイン、 1022…ソース
Claims (14)
- 基板にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜が形成された有機EL表示装置であって、
前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNを有する中間膜が形成され、
前記中間膜の上には有機材料による絶縁膜が形成され、
前記中間膜の上には、反射電極が形成されており、
前記反射電極は、前記有機パッシベーション膜、および、前記中間膜に形成されたスルーホールを介して前記TFTと接続していることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記有機パッシベーション膜はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記有機パッシベーション膜は感光性の樹脂で形成され、パターニングして硬化させた後、前記中間膜を形成する前に、さらに、250℃乃至300℃で、1時間以上アニールされていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記中間膜の厚さは50nm乃至200nmであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記中間膜はSiOおよびSiNの積層膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記絶縁膜を構成する有機材料はポリイミドであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 基板にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜が形成された有機EL表示装置の製造方法であって、
前記有機パッシベーション膜を形成後、250℃乃至300℃で1時間以上アニールするステップと、
前記アニールした後、CVD装置内で加熱するステップと、
前記加熱をした後に200℃乃至300℃の環境下で前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNによる中間膜をCVDによって被着するステップと、を有することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記CVD装置内では、前記加熱するステップの前に予備加熱をするステップを有することを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記予備加熱をするステップと、前記加熱するステップと、前記CVDによって前記中間膜を被着するステップは、同一の真空装置内の別々のチャンバーにおいて形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記有機パッシベーション膜はポリイミドであることを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 基板にTFTが形成され、前記TFTを覆って有機パッシベーション膜が形成された液晶表示装置の製造方法であって、
前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNを有する中間膜を形成し、
前記有機パッシベーション膜を形成後、250℃乃至300℃で1時間以上アニールするステップと、
前記アニールした後、CVD装置内で加熱するステップと、
前記加熱をした後に200℃乃至300℃の環境下で前記有機パッシベーション膜を覆ってSiOまたはSiNによる中間膜をCVDによって被着するステップと、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記CVD装置内では、前記加熱するステップの前に予備加熱をするステップを有することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記予備加熱をするステップと、前記加熱するステップと、前記CVDによって前記中間膜を被着するステップは、同一の真空装置内の別々のチャンバーにおいて形成されることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記有機パッシベーション膜はポリイミドであることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置の製造方法。
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