JP7346217B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、強誘電体薄膜を圧電素子、あるいは、焦電素子として用いたセンサを有する半導体装置に関する。
強誘電体をマイクロセンサやマイクロアクチュエータとして用いたデバイスが開発されている。このようなデバイスとして、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、インクジェット用薄膜ヘッド等を挙げることが出来る。
強誘電体の中でも、チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO、以後PZTという)は優れた圧電特性を有している。特許文献1には、高電圧による分極処理を不用とし、使用環境による分極劣化を防止したPZTを有する圧電デバイスの構造、及び、その製造方法が記載されている。
WO2014/045914
強誘電体を単独のアクチュエータあるいは単独のセンサとして使用するのではなく、例えば、表示パネルに組み込んで使用したい場合がある。有機EL表示装置、液晶表示装置等では、画素が形成される領域は平坦である必要がある。しかし、例えば、PZT等の強誘電体を用いたセンサはある程度の厚さが必要である。このようなセンサと画素形成領域を積層して形成する場合、センサの存在している部分と存在していない部分とで、凹凸が発生する。
また、センサは、表示領域全面に形成するのではなく、一部の領域のみに形成したい場合がある。そうすると、センサが形成された領域とその他の領域との間に輝度むらや色むらが発生するおそれがある。センサに限らず、強誘電体のアクチュエータを用いる場合も同様である。
このような、輝度むらや色むらの発生は、有機EL表示装置や液晶表示装置に限らず、他の表示装置についても同様である。さらに、表示装置に限らず、センサ等を積層して用いる、表示装置以外の他の機能を有する半導体装置についても、性能のむらを生ずるおそれがある。
本発明の課題は、表示装置等の半導体装置において、機能領域と積層して強誘電体によるセンサ、あるいは、アクチュエータを用いた場合に、領域毎に機能にむらが発生することを防止することである。
本発明は上記課題を解決するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
(1)PZT(チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO))センサを有する半導体装置であって、前記PZTセンサは、ガラス基板の上に形成された下部電極、PZT、上部電極、前記上部電極を覆う第1の無機絶縁膜、前記第1の無機絶縁膜の上に形成され、前記無機絶縁膜に形成された第1のスルーホールを介して前記上部電極と接続した上部配線を有し、前記PZTセンサを覆ってポリイミド膜が形成され、前記ポリイミド膜の上にアクティブ領域が形成され、前記ポリイミド膜の厚さは、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
(2)PZT(チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO))センサを有する半導体装置であって、前記PZTセンサは、第1のポリイミド膜の上に形成された下部電極、PZT、上部電極、前記上部電極を覆う第1の無機絶縁膜、前記第1の無機絶縁膜の上に形成され、前記無機絶縁膜に形成された第1のスルーホールを介して前記上部電極と接続した上部配線を有し、前記PZTセンサを覆って第2のポリイミド膜が形成され、前記第2のポリイミド膜の上にアクティブ領域が形成され、前記第2のポリイミド膜の厚さは、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
(3)PZT(チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO))センサを有する半導体装置であって、前記PZTセンサは、第1のポリイミド膜を覆って形成された第1の無機絶縁膜の上に形成された下部電極、PZT、上部電極、前記上部電極を覆う第1の無機絶縁膜、前記第2の無機絶縁膜の上に形成され、前記無機絶縁膜に形成された第1のスルーホールを介して前記上部電極と接続した上部配線を有し、前記PZTセンサを覆って第2のポリイミド膜が形成され、前記第2のポリイミド膜の上にアクティブ領域が形成され、前記第2のポリイミド膜の厚さは、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
PZTセンサを有する有機EL表示装置の平面図である。 PZTセンサを含む、表示領域の断面図である。 PZTセンサを含まない、表示領域の断面図である。 HAPTICセンサ(PZTセンサアレイ)の平面図である。 図4のB-B断面図である。 図4のC-C断面図である。 PZTセンサを形成するプロセスを示す図である。 実施例2の断面図である。 実施例3の途中工程を示す断面図である。 実施例3の途中工程を示す、図9に続く断面図である。
以下に本発明の内容を、実施例を用いて説明する。実施例では、強誘電体によるセンサ、あるいは、アクチュエータとして、PZTを用いたセンサで代表させて説明する。また、以下の実施例では、有機EL表示装置において、PZTセンサを積層した構成について説明するが、この構成は、液晶表示装置等の他の表示装置、あるいは、他の半導体装置についても同様に適用することができる。
図1は本発明が適用される有機EL表示装置の例を示す平面図である。図1において、画素、映像信号線、走査線、電源線等が形成された表示領域20の周辺に、走査線、映像信号線、電源線等からの引出し線21が存在している周辺領域30が形成されている。周辺領域30には、走査線駆動回路等が形成される場合もある。
表示領域20のy方向の上下には、PZTセンサの1次元アレイで構成されるいわゆるHAPTICセンサ10がx方向に帯状に形成されている。この場合のHAPTICセンサ10は、例えば、人が表示領域20のいずれかの場所をタッチした場合の、タッチ位置を検出するタッチセンサとして使用することが出来る。
すなわち、個別のPZTセンサから所定の振動を発生させ、他のPZTセンサによってこの振動を検知する。そして、例えば、画面を人がタッチした場合に、PZTセンサから送られた振動が変化するので、この変動を他のPZTセンサによって検知し、タッチ位置を割り出すものである。この場合、振動発生のためのPZTセンサと検知するためにPZTセンサを別々に配置してもよいし、同じPZTセンサを所定の時間を振動発生用として用い、他の時間を検出用のセンサとして用いる、タイムシェアリング方式でもよい。
図1におけるHAPTICセンサ10は表示領域20の上側端部及び下側端部からやや内側に配置しているが、場所はこれに限られず、センサが動作しやすい任意の場所に配置させることが出来る。また、HAPTICセンサ10は、y方向に延びる帯状に形成してもよい。さらに、表示領域20ではなく、周辺領域30に形成してもよい。
図1のy方向下側には端子領域40が存在し、端子領域40にはドライバIC50が搭載されている。例えば、ドライバIC50の左側に、PZTセンサを駆動するための回路が形成されており、ドライバIC50の右側に有機EL表示パネルの表示領域40を駆動するための回路が形成されている。また、端子領域40には、HAPTICセンサ10や、有機EL表示装置に電源や信号を供給するために、フレキシブル配線基板60が接続している。なお、端子領域40の面積を小さくするために、ドライバIC50はフレキシブル配線基板60に搭載される場合もある。
図2は、図1のA-A断面図であり、PZTセンサが存在する領域における断面図である。PZTセンサは、PZTによる圧電効果、あるいは、焦電効果(逆圧電効果)を利用したセンサである。図2において、基板100の上にセンサを構成するための下部電極101が形成されている。基板100は、ノンアルカリガラスで形成され、厚さは例えば0.5mmである。基板110に対して550℃以上の耐熱性が要求される場合は、シリコン基板等を使用することが出来るが、この場合、大きな基板面積を確保することが困難である。すなわち、有機EL表示装置では、大きなマザー基板に複数の表示パネルを形成するので、PZTセンサもガラス基板が使用できるようなプロセスによって構成することが望ましい。
図2において、下部電極101は、チタン(Ti)と白金(Pt)の積層膜で構成されている。チタン膜が基板100側であり、白金膜が、PZT膜102と接触する側である。下部電極101の上層に白金を用いるのは、PZT膜102を結晶化しやすくするためである。下部電極101の厚さは、合計で、数百nmであるが、500nmよりも薄い。
下部電極101の上に、圧電特性を有する、PZT膜102を形成する。PZT膜102は、例えば2乃至3μm程度の厚さである。PZT膜102は、例えば、RFマグネトロンスパッタリングによって形成することが出来る。
PZT膜102の上に、上部電極103を形成する。上部電極103は、例えば、チタン(Ti)、タングステン(W)、あるいは、モリブデンタングステン合金(MoW)で形成され、厚さは、数百nmであるが、500nmよりも薄い。上部電極103は、PZT膜102あるいは下部電極101よりも、やや小さな面積で形成される。
上部電極103、PZT膜102、下部電極101を覆ってシリコン酸化(SiO)膜あるいはシリコン窒化(SiN)膜等で形成された無機絶縁膜104を形成する。無機絶縁膜104の厚さは、例えば、200nm程度である。この無機絶縁膜104にスルーホール130を形成し、上部電極103と上部配線105の接続を可能にする。なお、下部電極101は図4及び図6に示すように、スルーホール131を介して下部配線140と接続する。
上部配線105は、チタン(Ti)、チタンとアルミニウムの積層膜(Ti/Al)、タングステン(W)、モリブデンタングステン合金(MoW)、モリブデンとアルミニウムの積層膜(Mo/Al)、モリブデンタングステン合金とアルミニウムの積層膜(MoW/Al)のいずれかで形成される。上部配線105の厚さは、例えば数百nmである。上部配線105の厚さは、下部電極101あるいは上部電極103の厚さよりも大きい。
以上のようにしてPZTセンサは形成されるが、PZTセンサの厚さは、電極を入れると3乃至4μm程度と厚い。PZTセンサによって、大きな凹凸が形成されるので、PZTセンサに積層して表示領域を形成することは困難である。本発明は、PZTセンサを覆って、厚さが5μm乃至10μm程度のポリイミド膜106を形成することによって、表面を平坦化し、PZTセンサと積層して表示領域を形成することを可能にしている。ポリイミド膜106を5μm以上としたのは、ポリイミド膜106の表面を十分に平坦化させるためである。10μm以下としたのは、平坦なポリイミド膜106を安定して形成するための、プロセス条件を考慮したものである。但し、ポリイミド膜106を複数のプロセスに分けて形成すれば10μm以上の厚さとすることもできる。なお、ここでの厚さは、PZTセンサが形成されていない位置における最大の厚さであり、PZTセンサが形成されている位置においては5μm以下の厚さとなっていてもよい。
ポリイミドは、優れた耐熱性を有するので、後で形成される、TFT(薄膜トランジスタ、Thin Film Transistor)を構成する半導体層108の形成温度にも耐えることが出来る。有機EL表示装置の場合、ポリイミド膜106には、画像形成用の光は透過しないので、より耐熱性の優れた非透明のポリイミドを使用することも出来る。なお、10μm程度のポリイミド膜106を1回の塗布によって形成できない場合は、複数回に分けて形成することが出来る。
図2において、平坦化されたポリイミド膜106の上にバリア膜107を形成する。バリア膜107は、例えば、シリコン酸化(SiO)膜、シリコン窒化(SiN)膜、シリコン酸化(SiO)膜の3層構造である。バリア膜107は、ポリイミド膜106からの水分等がTFT用の半導体層108を汚染することを防止する役割を有する。
バリア膜107の上に、TFTを構成する半導体層108を形成する。半導体は、比較的低温で形成することが出来る酸化物半導体を用いることが望ましいが、耐熱性のポリイミドを用いることによって低温ポリシリコン(poly-Si)を用いることも出来る。半導体層108はゲート電極110に対応する部分にチャネル領域1081が形成され、チャネル領域1081の両側にソース/ドレイン領域1082が形成される。
半導体層108を覆ってゲート絶縁膜109が形成され、その上に、ゲート電極110が形成される。ゲート電極110は走査線と同じ材料で同じ層に形成される。ゲート電極110を覆って層間絶縁膜111が形成される。層間絶縁膜111の上にコンタクト電極112を形成する。コンタクト電極112は映像信号線と同じ層に形成される。コンタクト電極112は、層間絶縁膜111及びゲート絶縁膜109に形成されたスルーホール133を介してTFTのソース/ドレイン領域1082の一方と接続する。TFTのソース/ドレイン領域1082の他方は、図示しない部分において、層間絶縁膜111の上に形成された映像信号線と接続する。
スルーホール133の形成と同時に、層間絶縁膜111、ゲート絶縁膜109、バリア膜107、ポリイミド膜106を貫通して、スルーホール132を形成する。このスルーホール132を介して、PZTセンサの上部配線105と配線引出し線11を接続する。これによって、映像信号線とセンサ用配線引出し線11を同じ層に形成することが出来るので、センサ駆動回路と表示装置駆動回路を共通のドライバIC50に形成することが出来る。また、フレキシブル配線基板60をセンサ用と表示装置用に、共通に形成し、接続することが出来る。
図2において、層間絶縁膜111、コンタクト電極112等を覆って有機パッシベーション膜113を形成し、その上に有機EL膜117のための反射電極114とアノード115を積層して形成する。有機パッシベーション膜113は平坦化膜としての役割を有しているので、2μm乃至3μm程度に厚く形成される。有機パッシベーション膜113にスルーホール134を形成して、コンタクト電極112と、反射電極114及びアノード115を接続する。反射電極114は、例えばアルミニウム(Al)合金で形成し、アノード115は透明金属酸化物導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)で形成する。
アノード115及び有機パッシベーション膜113を覆ってバンク116を構成するための、有機膜を形成する。画素が形成される部分、すなわち、アノード115が形成された部分には、この有機膜にホールを形成する。この有機膜のホール以外の部分がバンク116になる。
有機膜のホール部分に発光層である、有機EL膜117が形成される。有機EL膜117は、複数の有機膜によって形成される。有機EL膜117は非常に薄いので、いわゆる段切れが生じやすいが、バンク116によって、段切れが生ずるのを防止している。
有機EL膜117を覆ってカソード118が金属酸化物による透明導電膜、あるいは、金属薄膜で形成される。カソード118は表示領域全面に、各画素共通に形成される。有機EL膜117は、不純物、特に水分によって特性が劣化するので、保護膜119によって、外部からの水分の影響を防止する。保護膜119は、通常、有機膜と無機膜の積層構造で形成される。
図3は、図1において、HAPTICセンサ10が存在しない部分の表示領域20の断面図である。図3において、基板100の上に無機絶縁膜104が形成され、その上に平坦化膜としてのポリイミド膜106が、5乃至10μmの厚さで形成されている。絶縁膜104、ポリイミド膜106は図2で説明したのと同様である。
図2、図3に示すように、ポリイミド膜106が厚く形成されているので、PZTセンサが存在している部分と存在していない部分との間には、凹凸が存在していない。したがって、表示領域20全てにおいて、平坦な構成とすることが出来、均一な画像を形成することが出来る。
図4は図1のHAPTICセンサ10におけるPZTセンサアレイの平面図である。図4において、PZT膜102は各センサ共通に、幅y2でx方向に延在している。PZT膜102のx方向の幅は、図1に示す表示領域の横幅と同等である。下部電極101及び上部電極103が形成された部分が個別のセンサ素子となる。各センサの平面方向の大きさは、上部電極103の面積、x1×y1によって規定されている。
図4において、x1は例えば、10mm、y1は例えば10mmである。下部電極101は上部電極103よりも片側10μm程度大きく形成されている。すなわち、図4におけるd1及びd2は10μmである。また、PZTのy方向の幅y2は、上部電極103よりも若干大きく形成され、10.03mm程度である。例えば、図4における、d3、d4は10μmである。各センサの下部電極101の間隔s1は100μmである。したがって、各センサは、1.14mmのピッチでx方向に配列している。
上部電極103と接続する上部配線105のx方向の幅x2は100乃至500μmであり、下部電極101と接続する下部配線140の幅x3は100乃至500μmである。上部配線105は、スルーホール130によって上部電極103と接続し、下部配線140はスルーホール131によって下部電極101と接続している。
図5は、図4のB-B断面図であり、PZTセンサと上部配線105の関係を示す断面図である。図5の構成は、図2で説明したのと同様である。図5に示すように、PZTセンサは、5μm乃至10μmの、厚いポリイミド膜106によって覆われているので、ポリイミド膜106の上側表面は平坦になっている。
図6は、図4のC-C断面図であり、PZTセンサと下部配線101の関係を示す断面図である。図6において、基板100の上に形成された下部電極101と下部配線140とは、絶縁膜104に形成されたスルーホール131によって接続している。下部電極101及び下部配線140は厚いポリイミド膜106によって覆われているので、ポリイミド膜106の上側表面は図5と同様に、平坦になっている。
図7は、PZTセンサ部分を形成するためのプロセスを示す図である。図7において、左側はプロセスチャート、右側は対応するPZTセンサの断面図である。図7の断面図は図5と同じであるが、便宜上、下部電極101をM1、上部電極103をM2、上部配線105をM3等のように、名前を付している。図7の左側のチャートにおいて、下部電極M1はスパッタリングによって成膜する。下部電極M1は、チタン(Ti)と白金(Pt)の積層膜であるが、連続してスパッタリングによって成膜する。その後、下部電極M1に対して、フォトリソグラフィ(PEP:photo englaving process)を行い、その後、ドライエッチングによって、下部電極M1のパターニングを行う。
その後、PZTを例えば、RFマグネトロンスパッタリングによって形成する。その後、PZTに対してフォトリソグラフィ(PZT/PEP)を行い、その後、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、PZTのパターニングを行う。
上部電極M2をスパッタリングによって成膜し、その後、上部電極M2に対してフォトリソグラフィ(M2/PEP)を行う。その後、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、上部電極M2のパターニングを行う。
下部電極M1、PZT、上部電極M2を覆って無機膜である層間絶縁膜104を形成する。層間絶縁膜104は、CVD(Chemical Vapor deposition)によって形成することが出来る。その後、上部電極M2と対応する部分の層間絶縁膜104にスルーホール130を形成するためのフォトリソグラフィ(Contact/PEP)を行い、その後ドライエッチングによってスルーホール130を形成する。
その後、上部配線M3をスパッタリングによって成膜し、上部配線M3に対してフォトリソグラフィを行う(M3/PEP)。その後、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、上部配線M3のパターニングを行う。
このようにして形成されたPZTセンサを覆って、表面を平坦化するために、ポリイミド膜PIを5μm乃至10μmの厚さで形成する。ポリイミド膜PIの形成は例えば、次のようにして行われる。すなわち、ポリアミック酸を含むポリイミドの原料をスリットコータ等で塗布する。ポリイミド材料は、例えば、東レ製の「フォトニースDL-1001-C」であり、具体的な成分は、ガンマブチロラクトン(GBL)40%、乳酸エチル(EL)40%、ポリアミック酸12%である。このうち、ポリアミック酸がイミド化し、ポリイミドとなる。この材料を例えば12.5μm塗布する。
この材料を塗布後、プリベークを105℃で3分行い、固化、乾燥させる。この時、溶剤が飛散し、厚さは6.5μm程度になる。その後、ポリイミドを焼成する。焼成の手順は、大きく4段階に分けられる。第1段階は、常温において炉内の雰囲気を酸素が10ppm以下になるように窒素で置換する。第2段階は、4℃/分の温度勾配によって、基板を加熱する。第2段階において、ポリアミック酸をイミド化する反応が進行する。その後、第3段階において、高温で30分程度保持することによって、ポリイミド分子を配向させる。その後、第4段階において窒素雰囲気中において自然冷却する。焼成後のポリイミドの厚さは5μm程度になる。
このように、ポリイミドは、乾燥及び焼成期間において膜厚が減少するので、ポリイミドの原料を塗布した状態の膜厚は、最終膜厚に比較して非常に大きい。したがって、例えば、ポリイミド膜を10μm程度の膜厚にしたい場合、ポリイミドを2回に分けて形成することも出来る。
その後、ポリイミドを覆って、シリコン酸化(SiO)膜、シリコン窒化(SiN)膜等によってバリア膜(Barrier)を形成する。ポリイミドからは、大量の水分が放出される。また、ポリイミドから焼成等によって水分を放出させても、表示領域を形成するまでに、時間があると、この間にポリイミドが水分を吸収し、その後、この水分が放出される。ポリイミド膜106を形成後、ただちにバリア膜107を形成することによって、ポリイミド層106が外部から水分を吸収することを防止することが出来る。
ところで、ポリイミド膜106とガラス基板100との接着力は小さいので、ガラス基板100に直接ポリイミド膜106を形成すると、ポリイミド膜106が剥離しやすい。本発明の構成では、ガラス基板100は、シリコン酸化(SiO)膜、あるいは、シリコン窒化(SiN)膜、あるいは、シリコン酸化(SiO)膜とシリコン窒化(SiN)膜の積層膜による無機絶縁膜104よって覆われているので、ポリイミド膜106とガラス基板100の接着力は安定しており、信頼性の高い、HAPTICセンサを有する表示装置を実現することが出来る。
図1の構成は、膜厚の非常に大きいポリイミド膜106にスルーホール132を形成することによって、PZTセンサの上部電極103、あるいは、下部電極101を、センサ用引出し配線11等と接続している。しかし、膜厚が10μmもあるようなポリイミド膜106にスルーホール132を形成することが困難な場合がある。
このような場合、PZTセンサ用引出し配線11と、表示領域20用の引出し配線21を各々別な層から引出すことも出来る。図8はこの様子を示す断面図である。図8において、端子領域40においては、PZTセンサの上部配線105を覆うポリイミド膜106は形成されていない。つまり、図2におけるスルーホール132は不要である。PZTセンサの上部配線105は、端子領域40において、PZTセンサ用のフレキシブル配線基板61に接続している。
図8の場合、表示領域用の引出し線21はポリイミド膜106の上に形成されている。したがって、表示領域用のフレキシブル配線基板60とPZTセンサ用のフレキシブル配線基板61は別個に端子領域40に接続されることになる。なお、図8では、PZTセンサ用ドライバIC52、表示領域用ドライバIC51は、別個に各々のフレキシブル配線基板に搭載される。
ガラスのような、剛性を有する基板を用いない、フレキシブルな表示装置に対する需要が存在する。本発明は、このような構成にも対応することが出来る。すなわち、PZTセンサをポリイミド膜の上に形成することによって、HAPTICセンサを有するフレキシブルな表示装置を実現することが出来る。
図9及び図10は、このような表示装置を実現するためのプロセスを示す断面図である。図9において、ガラス基板100の上に第2のポリイミド膜200を形成する。第2のポリイミド膜200は、ガラス基板の代わりであり、フレキシブル基板としての役割を有する。第2のポリイミド膜200は、後で除去されるガラス基板100の上に、実施例1で説明したポリイミド膜106の形成と同様な方法で形成することが出来る。その後、シリコン酸化(SiO)膜及びシリコン窒化(SiN)膜によって第2バリア膜201を形成する。第2バリア膜201は、実施例1で説明したバリア膜107と同様な構成とすることが出来る。第2バリア膜201から上の層は、実施例1で説明した構成と同じである。
図10は、図9の構成から、ガラス基板100を剥離している状態を示す断面図である。ガラス基板100の剥離は、例えば、ガラス基板100と第2ポリイミド膜200との境界にレーザを照射する、レーザアブレーションによって行うことが出来る。ポリイミド膜200とガラス基板100との接着はもともと弱いので、ガラス基板100は比較的容易にポリイミド膜200から剥離することが出来る。
図10の構成は、ポリイミド膜が2層形成されているので、各々のポリイミド膜の厚さを極端に大きくする必要が無いため、プロセス負荷が小さい。また、シリコン酸化(SiO)膜及びシリコン窒化(SiN)膜で形成されたバリア膜が2層形成されているので、有機EL膜117等への外部からの水分等の影響を軽減することが出来る。したがって、信頼性の高い、HAPTICセンサを有するフレキシブル表示装置を実現することが出来る。なお、信頼性の上から問題無ければ、第2のバリア膜201を省略し、第2ポリイミド膜200の上に直接PZTセンサを形成してもよい。
以上の説明は、表示装置として有機EL表示装置の場合を説明したが、本発明の構成は液晶表示装置、マイクロLED表示装置等の他の表示装置にも使用することが出来る。さらに、PZTセンサと組み合わせで使用する他の半導体装置に対しても適用することが出来る。この場合、実施例1乃至3における表示領域はアクティブ領域ということが出来る。
また、強誘電体を用いた、圧電素子、あるいは、焦電素子としては、PZT以外の材料も存在するが、本発明は、これらの材料を用いたセンサについても同様に適用することが出来る。
10…HAPTICセンサ(PZTセンサアレイ)、 11…センサ用引出し配線、 20…表示領域、 21…表示装置用引出し配線、 30…周辺領域、 40…端子領域、 50…ドライバIC、 51…表示装置用ドライバIC、 52…センサ用ドライバIC、 60…フレキシブル配線基板、 61…センサ用フレキシブル配線基板、 100…基板、 101…下部電極、 102…PZT膜、 103…上部電極、 104…絶縁膜、 105…上部配線、 106…ポリイミド膜、 107…バリア膜、 108…半導体層、 109…ゲート絶縁膜、 110…ゲート電極、 111…層間絶縁膜、 112…コンタクト電極、 113…有機パッシベーション膜、 114…反射電極、 115…アノード、 116…バンク、 117…有機EL膜、 118…カソード、 119…保護膜、 120…発光、 130…スルーホール、 131…スルーホール、 132…スルーホール、 133…スルーホール、 200…第2ポリイミド膜、 201…第2バリア膜

Claims (10)

  1. PZT(チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO))センサを有する半導体装置であって、
    前記PZTセンサは、ガラス基板の上に形成された下部電極、PZT、上部電極、前記上部電極を覆う第1の無機絶縁膜、前記第1の無機絶縁膜の上に形成され、前記無機絶縁膜に形成された第1のスルーホールを介して前記上部電極と接続した上部配線を有し、
    前記PZTセンサを覆ってポリイミド膜が形成され、
    前記ポリイミド膜の上に複数のTFTが形成され、
    前記ポリイミド膜の厚さは、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記複数のTFTは、表示装置に用いられるスイッチング素子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記ポリイミド膜の厚さは10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 前記ガラス基板と接触して前記無機絶縁膜が形成され、前記無機絶縁膜は、前記ポリイミド膜と接触していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記ポリイミド膜の上には第2の無機絶縁膜が形成され、前記第2の無機絶縁膜の上に前記複数のTFTが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  6. 前記ポリイミド膜には第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールを介して、前記上部電極と引出し配線が接続し、
    前記引出し配線は前記複数のTFTと電気的に接続された配線と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  7. PZT(チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO))センサを有する半導体装置であって、
    前記PZTセンサは、第1のポリイミド膜の上に形成された下部電極、PZT、上部電極、前記上部電極を覆う第1の無機絶縁膜、前記第1の無機絶縁膜の上に形成され、前記無機絶縁膜に形成された第1のスルーホールを介して前記上部電極と接続した上部配線を有し、
    前記PZTセンサを覆って第2のポリイミド膜が形成され、
    前記第2のポリイミド膜の上に複数のTFTが形成され、
    前記第2のポリイミド膜の厚さは、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
  8. 前記第1のポリイミド膜の厚さは5μm以上であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
  9. PZT(チタン酸ジルコン鉛(PbZrTiO))センサを有する半導体装置であって、
    前記PZTセンサは、第1のポリイミド膜を覆って形成された第1の無機絶縁膜の上に形成された下部電極、PZT、上部電極、前記上部電極を覆う第1の無機絶縁膜、前記第2の無機絶縁膜の上に形成され、前記無機絶縁膜に形成された第1のスルーホールを介して前記上部電極と接続した上部配線を有し、
    前記PZTセンサを覆って第2のポリイミド膜が形成され、
    前記第2のポリイミド膜の上に複数のTFTが形成され、
    前記第2のポリイミド膜の厚さは、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。
  10. 前記第1のポリイミド膜の厚さは5μm以上であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
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