JP5440996B2 - 半導体装置、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、本実施の形態のアレイ基板の構成を示す回路図である。図1に示すように、アレイ基板は、表示部(表示領域)1a内に半導体装置の配線を為すx方向に配置された複数のゲート線GLと、半導体装置の他の配線を為すy方向に配置された複数のソース線SLとを有する。また、各画素は、ソース線SLとゲート線GLとの交点に、マトリクス状に複数配置される。この画素は、画素電極PEおよび薄膜トランジスタTを有している。例えば、ソース線SLは、Xドライバにより駆動され、また、ゲート線GLは、Yドライバにより駆動される。
次いで、本実施の形態のアレイ基板(薄膜トランジスタおよび画素電極)の製造方法について説明するとともに、その構成を明確にする。図2〜図20は、本実施の形態のアレイ基板の製造方法を示す断面図又は平面図である。なお、各図において断面図は、平面図のA−A断面およびB−B断面に対応する。
次いで、第1基板S10上に形成された薄膜トランジスタTおよび画素電極PEをフレキシブル基板である第3基板S30に転写する。
図20は、本実施の形態の電気泳動表示装置の製造方法を示す断面図である。転写工程の後、例えば、図20に示すように、対向電極41および電気泳動カプセル層43が形成された電気泳動シート(基板)S40を第3基板S30の画素電極PEの露出面に接着することにより電気泳動表示装置が形成される。
上記実施の形態で説明した電気泳動表示装置は、各種電子機器に組み込むことができる。
例えば、上記電気泳動装置を電子ペーパーに適用することができる。図22は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。
上記各種電気光学装置を有する電子機器の例として、図23および図24に示すものが挙げられる。
Claims (8)
- フレキシブル基板上に形成された半導体装置であって、
平面視で互いが島状に分離された第1の第一絶縁層と第2の第一絶縁層とを含む複数の第一絶縁層と、
第1の第二絶縁層を含む複数の第二絶縁層と、
第1の第一配線層と第2の第一配線層とを含む第一配線層群と、
第1の第二配線層を含む第二配線層群と、を備え、
前記第1の第一配線層と前記第2の第一配線層とが平面視で第一分離部を介して互いに分離されており、前記第1の第一配線層が前記第1の第一絶縁層上に形成され、前記第2の第一配線層が前記第2の第一絶縁層上に形成され、
前記第1の第二絶縁層が平面視で前記第1の第一絶縁層の一部と前記第2の第一絶縁層の一部と前記第一分離部とにわたって形成されるとともに、前記第1の第一絶縁層の他の一部と前記第2の第一絶縁層の他の一部とは重ならないように形成され、
前記第1の第二配線層が前記第1の第二絶縁層上に形成され、前記第1の第一配線層と前記第2の第一配線層とを電気的に接続しており、
前記第1の第一絶縁層、前記第1の第一配線層、前記第1の第二絶縁層、前記第1の第二配線層、前記第2の第一絶縁層、および前記第2の第一配線層により第一配線を構成していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第一絶縁層は、平面視で前記第1の第一絶縁層と前記第2の第一絶縁層とは分離された第3の第一絶縁層をさらに含み、
前記第二絶縁層は、平面視で前記第1の第二絶縁層とは分離され、互いが島状に分離された第2の第二絶縁層と第3の第二絶縁層とをさらに含み、
前記第一配線層群は、平面視で前記第1の第一配線層と前記第2の第一配線層とは分離された第3の第一配線層をさらに含み、
前記第二配線層群は、平面視で前記第1の第二配線層とは分離された、第2の第二配線層と第3の第二配線層とをさらに含み、
前記第2の第二配線層と前記第3の第二配線層とが平面視で第二分離部を介して互いに分離されており、前記第2の第二配線層が前記第2の第二絶縁層上に形成され、前記第3の第二配線層が前記第3の第二絶縁層上に形成され、
前記第3の第一絶縁層が平面視で前記第2の第二絶縁層の一部と前記第3の第二絶縁層の一部と前記第二分離部とに重なるように形成されるとともに、前記第2の第二絶縁層の他の一部と前記第3の第二絶縁層の他の一部とは重ならないように形成され、
前記第3の第一配線層が前記第3の第一絶縁層上に形成され、前記第2の第二配線層と前記第3の第二配線層とを電気的に接続しており、
前記第2の第二絶縁層、前記第2の第二配線層、前記第3の第一絶縁層、前記第3の第一配線層、前記第3の第二絶縁層、および前記第3の第二配線層により第二配線を構成している、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の第一配線層および前記第2の第一配線層と前記第1の第二配線層とは他の配線と交差しない箇所において接続されている、
請求項1に記載の半導体装置。 - フレキシブル基板上に形成された半導体装置であって、
平面視で互いが島状に分離された第1の第一絶縁層と第2の第一絶縁層と第3の第一絶縁層とを含む第一絶縁層と、
第1の第二絶縁層を含む第二絶縁層と、
第1の第一配線層と第2の第一配線層とを含む第一配線層群と、
第1の第二配線層を含む第二配線層群と、
薄膜トランジスタを構成する半導体層を複数含む半導体層群と、を備え、
前記半導体層群を構成する半導体層の各々は互いに分離され、
前記第1の第一配線層と前記第2の第一配線層とが平面視で第一分離部を介して互いが島状に分離されており、前記第1の前記第1の第一配線層が前記第1の第一絶縁層上に形成され、前記第2の第一配線層が前記第2の第一絶縁層上に形成され、 前記半導体層が前記第3の第一絶縁層上に形成され、
前記第1の第二絶縁層が平面視で前記第1の第一絶縁層の一部と前記第2の第一絶縁層の一部と前記半導体層と前記第一分離部とにわたって形成されるとともに、前記第1の第一絶縁層の他の一部と前記第2の第一絶縁層の他の一部とは重ならないように形成され、
前記第1の第二配線層が前記第1の第二絶縁層上に形成され、前記第1の第一配線層と前記第2の第一配線層と前記半導体層とを電気的に接続しており、
前記第1の第一絶縁層、前記第1の第一配線層、前記第1の第二絶縁層、前記第1の第二配線層、前記第2の第一絶縁層、および前記第2の第一配線層により第一配線を構成していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第二絶縁層は、平面視で前記第1の第二絶縁層とは分離され、互いが島状に分離された第2の第二絶縁層と第3の第二絶縁層とをさらに含み、
前記第一配線層群は、平面視で前記第1の第一配線層と前記第2の第一配線層とは分離された第3の第一配線層をさらに含み、
前記第二配線層群は、平面視で前記第1の第二配線層とは分離された、第2の第二配線層と第3の第二配線層とをさらに含み、
前記第2の第二配線層と前記第3の第二配線層とが平面視で第二分離部を介して互いに分離されており、前記第2の第二配線層が前記第2の第二絶縁層上に形成され、前記第3の第二配線層が前記第3の第二絶縁層上に形成され、
前記第3の第一絶縁層が前記半導体層上であって、平面視で前記第2の第二絶縁層の一部と前記第3の第二絶縁層の一部と前記第二分離部とに重なるように形成されるとともに、前記第2の第二絶縁層の他の一部と前記第3の第二絶縁層の他の一部とは重ならないように形成され、
前記第3の第一配線層が前記第3の第一絶縁層上に形成され、前記第2の第二配線層と前記第3の第二配線層とを電気的に接続して、前記半導体層のゲートを構成しており、
前記第2の第二絶縁層、前記第2の第二配線層、前記第3の第一絶縁層、前記第3の第一配線層、前記第3の第二絶縁層、および前記第3の第二配線層により第二配線を構成している、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1の第一配線層および前記第2の第一配線層と前記第1の第二配線層とは他の配線と交差しない箇所において接続されている、
請求項4または5に記載の半導体装置。 - 請求項1乃至6記載のいずれか一項記載の半導体装置を有する、
電気光学装置。 - 請求項1乃至6記載のいずれか一項記載の半導体装置又は請求項7記載の電気光学装置を有する、
電子機器。
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