JP2008034853A - 薄膜トランジスタ基板、それの製造方法及びそれを有する表示パネル - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 6
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
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Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ基板はゲート電極、ゲート絶縁パターン、チャンネルパターン、有機絶縁パターン、ソース電極及びドレイン電極を含み、ゲート電極はベース基板上に形成され、ゲート絶縁パターンはゲート電極より小さい面積でゲート電極上に形成され、チャンネルパターンはゲート絶縁パターンと同一の面積でゲート絶縁パターン上に形成され、有機絶縁パターンはチャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆うようにベース基板上に形成され、チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有し、ソース電極及びドレイン電極は有機絶縁パターン上に形成され、開口部を通じてチャンネルパターンと接触し、互いに離間している
【選択図】図1
Description
図1〜図5は本発明の第1実施例による薄膜トランジスタ基板の一部を示した図面である。具体的に、図1は第1実施例による薄膜トランジスタ基板の一部を示した平面図であり、図2は図1のI-I’線に沿って切断した断面図であり、図3は図1のII-II’線に沿って切断した断面図であり、図4は図1でアライン絶縁パターンを除去した断面図であり、図5は図3でアライン絶縁パターンを除去した断面図である。
図6及び図7は本発明の第2実施例による薄膜トランジスタ基板を示した図面である。具体的に、図6は図2に対応する薄膜トランジスタ基板の断面図であり、図7は図3に対応する薄膜トランジスタ基板の断面図である。
図8〜図12は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。具体的に、図8はゲート金属層、ゲート絶縁層、チャンネル層及び感光パターンを順に蒸着する過程を説明するための平面図であり、図9は図8のIII−III’線に沿って切断した断面図であり、図10は図8のIV−IV’線に沿って切断した断面図であり、図11は図9における感光パターンを用いてゲート絶縁層及びチャンネル層をエッチングする過程を説明するための断面図であり、図12は図10においてのゲート絶縁層及びチャンネル層をエッチングする過程を説明するための断面図である。
200 ゲート金属パターン
GE ゲート電極
GL ゲート配線
GP ゲート金属パッド
SL ストレージ配線
300 ゲート絶縁パターン
400 チャンネルパターン
402 アクティブパターン
404 イオンドーピングパターン
500 アライン絶縁パターン
600 第1有機絶縁パターン
700 データ金属パターン
SE’ ソース電極
DE ドレイン電極
DL データ配線
DP データ金属パッド
800 第2有機絶縁パターン
850 保護部
900 透明金属パターン
910 画素電極
Claims (26)
- ベース基板と、
べース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁パターンと、
前記ゲート絶縁パターン上に形成され前記ゲート電極の幅より小さい幅を有するチャンネルパターンと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記チャンネルパターンの形状は、前記ゲート絶縁パターンの形状と同一であることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆うように前記ベース基板上に形成され、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第1有機絶縁パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第1有機絶縁パターン上に形成され、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を含むことを特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタ基板。
- 透明導電性物質からなり、前記ドレイン電極と電気的に接続されるピクセル電極をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記開口部に位置して前記チャンネルパターンの露出された部分を保護する保護部をさらに含むことを特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記保護部は有機物質を含むことを特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ソース電極、ドレイン電極及び第1有機絶縁パターンを覆うように前記ベース基板上に形成され、前記ドレイン電極の上部に形成されたコンタクトホールを有する第2有機絶縁パターンをさらに含み、
前記画素電極は前記第2有機絶縁パターン上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記第1有機絶縁パターンの下部に形成され、前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極の一部をカバーし、平面視において側縁が前記ゲート電極の側縁と一直線上にあるアライン絶縁パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記チャンネルパターンは、
前記ゲート絶縁パターン上に形成されたアクティブパターンと、
前記ソース電極とアクティブパターンとの間、及び前記ドレイン電極とアクティブパターンとの間に形成され、前記ソース電極及びドレイン電極と接触されるイオンドーピングパターンを含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。 - 平面視において、前記イオンドーピングパターンの側縁、前記ゲート絶縁パターンの側縁及び前記アクティブパターンの側縁は、一直線上に位置することを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- ベース基板上にゲート金属層、ゲート絶縁層及びチャンネル層を順に形成する段階と、
前記チャンネル層及びゲート絶縁層をパターニングして、チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを形成する段階と、
前記ゲート金属層をパターニングして、前記チャンネルパターンより大きい幅を有するゲート電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆ってカバーし、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第1有機絶縁パターンを形成する段階と、
前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記開口部内にインクを提供し、前記チャンネルパターンの一部を覆って保護する保護部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項14記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ソース電極、ドレイン電極及び第1有機絶縁パターンを覆って表面を平坦化し、前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールを有する第2有機絶縁パターンを形成する段階をさらに含み、
前記画素電極は前記第2有機絶縁パターン上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項14記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する段階は、
前記ゲート絶縁パターンより広い面積で前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンをカバーし、前記開口部に対応するように前記チャンネルパターンの一部を露出させる感光パターンを形成する段階と、
前記感光パターンを通じてゲート金属層の一部をエッチングし、前記ゲート電極を形成する段階と、
前記感光パターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項12記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する段階は、
前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを覆うように前記ゲート金属層上にアライン絶縁層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁パターンより広い面積で前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンをカバーし、前記開口部に対応するように前記アライン絶縁層の一部を露出させる感光パターンを前記アライン絶縁層上に形成する段階と、
前記感光パターンを通じて前記ライン絶縁層の一部をエッチングしてアライン絶縁パターンを形成する段階と、
前記アライン絶縁パターンを通じて前記ゲート金属層の一部をエッチングして前記ゲート電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項12記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する段階は、前記感光パターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項18記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記チャンネル層は、
前記ゲート絶縁層上に形成されたアクティブシリコン層と、
前記アクティブシリコン層上に形成されたイオンドーピングシリコン層と、
を含むことを特徴とする請求項12記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ソース電極とドレイン電極を通じて前記イオンドーピングパターンの一部をエッチングし、前記イオンドーピングパターンを2つの部分に分離させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項20記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記アクティブシリコン層は、アモルファスシリコンからなり、前記イオンドーピングシリコン層は高密度イオンドーピングアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項20記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ベース基板は透明な合成樹脂からなることを特徴とする請求項12記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 薄膜トランジスタ基板、前記薄膜トランジスタ基板と対向する対向基板及び前記薄膜トランジスタ基板と対向基板との間に介在する液晶層を含むことを特徴とする表示パネルにおいて、
前記薄膜トランジスタ基板は、
ベース基板と、
ベース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁パターンと、
前記ゲート絶縁パターン上に形成され前記ゲート電極の幅より小さい幅を有するチャンネルパターンと、
前記チャンネルパターン、前記ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆うように前記ベース基板上に形成され、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する有機絶縁パターンと、
前記有機絶縁パターン上に形成され、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極と、
前記ドレイン電極と電気的に接続され、透明な導電性物質からなる画素電極と、
を含むことを特徴とする表示パネル。 - 前記チャンネルパターンは、前記ゲート絶縁パターンと同一の形状を有することを特徴とする請求項24記載の表示パネル。
- ベース基板上にゲート金属層、ゲート絶縁層及びチャンネル層を順に形成する段階と、
前記チャンネル層及びゲート絶縁層を連続工程でパターニングして、同一の形状を有するチャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを形成する段階と、
前記ゲート金属層をパターニングして、前記ゲート絶縁パターンより大きい幅を有するゲート電極を形成する段階と、
前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆ってカバーし、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第1有機絶縁パターンを形成する段階と、
前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060071166A KR101217182B1 (ko) | 2006-07-28 | 2006-07-28 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는표시패널 |
KR10-2006-0071166 | 2006-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034853A true JP2008034853A (ja) | 2008-02-14 |
JP5424544B2 JP5424544B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=38651285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007196275A Expired - Fee Related JP5424544B2 (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-27 | 薄膜トランジスタ基板、それの製造方法及びそれを有する表示パネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8062937B2 (ja) |
EP (1) | EP1883110B1 (ja) |
JP (1) | JP5424544B2 (ja) |
KR (1) | KR101217182B1 (ja) |
CN (1) | CN101114676B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021113974A (ja) * | 2009-10-09 | 2021-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022169538A (ja) * | 2009-07-31 | 2022-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (3)
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- 2007-07-27 JP JP2007196275A patent/JP5424544B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-27 EP EP07014740.0A patent/EP1883110B1/en not_active Expired - Fee Related
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CN101114676B (zh) | 2011-05-25 |
US20080023705A1 (en) | 2008-01-31 |
EP1883110B1 (en) | 2017-04-05 |
EP1883110A2 (en) | 2008-01-30 |
CN101114676A (zh) | 2008-01-30 |
JP5424544B2 (ja) | 2014-02-26 |
KR101217182B1 (ko) | 2012-12-31 |
US8062937B2 (en) | 2011-11-22 |
EP1883110A3 (en) | 2013-08-14 |
US20110193090A1 (en) | 2011-08-11 |
US8258516B2 (en) | 2012-09-04 |
KR20080010742A (ko) | 2008-01-31 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121212 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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