CN101179092B - 有机发光显示器的制造方法 - Google Patents
有机发光显示器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101179092B CN101179092B CN2007100978654A CN200710097865A CN101179092B CN 101179092 B CN101179092 B CN 101179092B CN 2007100978654 A CN2007100978654 A CN 2007100978654A CN 200710097865 A CN200710097865 A CN 200710097865A CN 101179092 B CN101179092 B CN 101179092B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transmission layer
- layer
- substrate
- light emitting
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 40
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 214
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 AlNd Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910020091 MgCa Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100003996 Mus musculus Atrn gene Proteins 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N alumane;neodymium Chemical compound [AlH3].[Nd] VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007799 cork Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种能够用在薄的装置例如移动电话和个人数字助理中的薄的有机发光器件。有机发光显示器(OLED)包括阻挡紫外线的层，使得在制造期间和制造之后，二极管和晶体管被屏蔽于紫外线。为了防止制造期间的破损，将两个基底结合到一起，并在两个基底的每个上形成器件，提供不易破坏的较厚结构。在制造完成之后将基底分离。
Description
本申请参照早期于2006年11月10日在韩国知识产权局提交的题为“有机发光显示器及其制造方法(ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY ANDFABRICATING METHOD THEREOF)”的第10-2006-0111299号韩国专利申请，并要求该韩国专利申请的所有权益，该韩国专利申请结合于此。
技术领域
本发明涉及一种能够使用在薄的装置(如移动电话、个人数字助理等)中的薄的有机发光显示器及其制造方法，其中，在制造过程中或者在制造之后，紫外线不能通过基底透射到有机发光二极管，在制造过程中基底没有被弯曲或损坏，并且减少了制造时间。
背景技术
有机发光二极管(OLED)向荧光或磷光有机材料驱动电流，在所述有机材料中电子和空穴结合，导致OLED发光。OLED显示器通过对例如n行、m列的矩阵进行电压编程或电流编程来显示图像。
基本的OLED包括阳极、有机薄膜层和阴极。如图1所示，有机薄膜层可以包括：发射层(EML)，通过在电子和空穴复合时形成激子来发光；电子传输层(ETL)，调节电子流的速度；空穴传输层(HTL)，调节空穴流的速度；电子注入层(EIL)，提高电子的注入效率，该电子注入层可以形成在电子传输层上；空穴注入层(HIL)，提高空穴的注入效率，该空穴注入层可以形成在空穴传输层上。
OLED由于例如宽视角、高响应速度和自发射的优点而可以用作小尺寸或大尺寸的运动画面显示器。OLED的功耗低，并且因为不需要背光，所以可以被轻松地构造在平板显示器中。OLED可以以低温制造，并且因为制造工艺简单，所以其可以以低成本制造。近来，随着有机薄膜材料相关技术的快速发展，OLED被认为是平板显示器市场中的成长技术。
然而，由于电子设备(例如移动电话、个人数字助理、笔记本电脑、计 算机监视器和电视)正被做得纤薄，所以需要将OLED制造成厚度小于1mm。然而，因为可以用来代替包封技术的保护膜技术还没全面发展，所以难以使OLED的厚度小于1mm。
为了将OLED制造成厚度小于1mm，第2005-340182、2005-222930和2005-22789号日本专利描述了一种制造纤薄OLED的方法，该方法包括：在两个玻璃基底上形成各器件层(即，半导体层和有机发光二极管)，以各器件层相互面对的方式附着所述玻璃基底，然后通过蚀刻或磨削去除不包括器件层的基底。然而，根据这个方法，附着和蚀刻或磨削工艺消耗很多时间。根据这个方法，由于几乎完成的玻璃基底被附着，所以玻璃基底、半导体层和OLED器件经常损坏或破裂，导致产品良率低，使得产品成本高。在可选的方案中，可以在通过将玻璃基底制造成厚度小于1mm的基底上形成器件层，然而当所述基底与制造设备接触时，如此薄的玻璃基底会易于导致玻璃基底弯曲或损坏。因此，需要改进OLED的设计并改进制造该OLED的方法，使得通过提高产品良率来更好地限制薄OLED的产品成本。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种改进的薄OLED设计，所述薄OLED可以使用在小装置例如移动电话、个人数字助理等中。
本发明的另一目的是提供一种制造所述OLED的方法，该方法降低了生产成本并缩短了生产时间。
本发明的又一目的是提供一种设计和制造OLED的方法，其中，保护有机发光二极管在OLED的制造期间和之后不暴露于紫外线。
本发明的又一目的是提供一种制造薄OLED的方法，该方法减少了基底在制造期间发生弯曲和损坏。
本发明的又一目的是为了减少制造薄OLED所需的时间，使得生产率更高并降低成本。
可以通过一种有机发光显示器(OLED)来实现这些和其它目的，所述OLED包括：基底；有机发光二极管、绝缘层、栅极绝缘层和半导体层，位于基底上，绝缘层位于有机发光二极管和栅极绝缘层之间，栅极绝缘层位于绝缘层和半导体层之间；非透射层，位于栅极绝缘层上，所述非透射层适于阻挡紫外线。所述OLED还可包括：缓冲层，位于所述基底上；栅极，位于 所述栅极绝缘层上；层间介电层，位于所述栅极上；源极/漏极，位于所述层间介电层上，所述绝缘层可以位于所述源极/漏极和所述有机发光二极管之间。
所述非透射层可以位于所述半导体层的外侧。所述半导体层和所述源极/漏极可以通过穿透所述栅极绝缘层和所述层间介电层的导电接触件而连接到一起，所述非透射层可以位于所述导电接触件的外侧。所述非透射层可以位于所述源极/漏极的下面。所述非透射层位于所述有机发光二极管的下面。所述非透射层的一部分位于与所述有机发光二极管对应的位置。所述非透射层由与所述栅极的材料相同的材料制成。所述非透射层的厚度可以与所述栅极的厚度相同。所述非透射层由钼(Mo)、钼钨(MoW)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)、铝钕(AlNd)、铬(Cr)、钼合金、铜合金、铝合金或掺杂的多晶硅制成。所述非透射层是紫外线防护剂。所述非透射层由不透射紫外线的金属、透明的紫外线防护剂或不透明的紫外线防护剂制成。所述非透射层由铬(Cr)、氧化铬(Cr2O3)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、氧化镁(MgO)或银合金(ATD)制成。所述非透射层的厚度在500 
和3000 
之间。所述基底的厚度可以在0.05mm和1mm之间。所述基底可以由玻璃、塑料、聚合物或钢制成。所述OLED还可包括位于所述基底下面的防磨擦层。所述防磨擦层的厚度可以在10μm和100μm之间。所述防磨擦层可以为有机材料或无机材料。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造OLED的方法，所述方法包括：准备两个基底；将所述两个基底附着到一起；在所述两个附着的基底的外侧上形成缓冲层；在每个缓冲层上形成半导体层；在所述半导体层的外侧上形成非透射层；在每个半导体层和每个非透射层上形成绝缘层；在每个绝缘层上形成有机发光二极管；将所述两个附着的基底分离。
所述方法还可包括：在所述形成半导体层的步骤和所述形成非透射层的步骤之间，在所述半导体层上形成栅极绝缘层和在所述栅极绝缘层上形成栅极。所述方法可以包括：在形成半导体层之后，在所述半导体层上形成栅极绝缘层和在所述栅极绝缘层上形成栅极，其中，所述形成非透射层与所述形成栅极同时进行。可以通过在所述栅极绝缘层上形成所述非透射层来实现所述形成非透射层。所述非透射层可以由与所述栅极的材料相同的材料制成。所述非透射层可以位于所述有机发光二极管的下面。所述非透射层可以由钼 (Mo)、钼钨(MoW)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)、铝钕(AlNd)、铬(Cr)、钼合金、铜合金、铝合金或掺杂的多晶硅制成。所述非透射层可以是紫外线防护剂。所述非透射层可以由紫外线不能穿透的金属、透明的紫外线防护剂或不透明的紫外线防护剂制成。所述非透射层由铬(Cr)、氧化铬(Cr2O3)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、氧化镁(MgO)或银合金(ATD)制成。所述基底的附着可以包括在所述基底之间形成防磨擦层。所述方法还可包括在将所述基底分离之后去除所述防磨擦层。
附图说明
通过参照下面结合附图考虑的详细描述，本发明变得更好理解，本发明的更全面的理解及其许多附属优点将变得更加明显，附图中相同的标号表示相同或相似的组件，其中：
图1是有机薄膜层的视图；
图2是根据本发明的有机发光显示器的剖视图；
图3是示出制造图2中的有机发光显示器的方法的流程图；
图4A至图4J是示出根据本发明的有机发光显示器的制造工艺的次序的剖视图。
具体实施方式
现在转向附图，图2是示出根据本发明的有机发光显示器100的剖视图。如图2所示，有机发光显示器(OLED)100包括：基底110；缓冲层120，形成在基底110上；半导体层130，形成在缓冲层120上；栅极绝缘层140，形成在半导体层130上；栅极150，形成在栅极绝缘层140上；非透射层160，形成在栅极绝缘层140上；层间介电层170，形成在栅极150和非透射层160上；源极/漏极180，形成在层间介电层170上；绝缘层190，形成在源极/漏极180上，该绝缘层在有机发光二极管200的下面；有机发光二极管200，形成在绝缘层190上；像素限定膜210，形成在绝缘层190上；防磨擦层220，形成在基底110的下面。
基底110的两侧都是平坦的，基底110的厚度在0.05mm和1mm之间。当基底110的厚度小于0.05mm时，在清洗工艺、蚀刻工艺、热处理工艺以及施加外力的过程中，基底会易于损坏。当基底110的厚度大于1mm时， 所得的OLED变得太厚，而不能在许多现代装置中使用。基底110可以由玻璃、塑料、聚合物、钢和等同物中的一种制成，然而，本发明不只限于这些材料。
可以在基底110的上侧上形成缓冲层120。缓冲层120防止湿气(H2O)、氢(H2)和氧(O2)穿透基底110并到达半导体层130或有机发光二极管200。缓冲层120可以由材料例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、无机材料或等同物制成，然而，本发明不只限于这些材料。缓冲层120也可以根据情况而省略。
可以在缓冲层120的上侧上形成半导体层130。半导体层130包括：源区/漏区132，位于半导体层130的两侧并远离地相互面对；沟道区134，位于源区/漏区132之间。半导体层130可以是薄膜晶体管。薄膜晶体管可以是非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、微晶硅薄膜晶体管或等同物中的一种，所述微晶硅的晶粒尺寸在非晶硅的晶粒尺寸和多晶硅的晶粒尺寸之间，然而，本发明的薄膜晶体管的类型不只限于这些示例。当薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管时，可以通过在低温下利用激光使多晶硅结晶、利用金属使多晶硅结晶或者利用高压使多晶硅结晶来制造该多晶硅薄膜晶体管，但是本发明不只限于这些结晶方法。可以通过准分子激光退火(ELA)、连续侧向结晶(SLS)或者薄束定向结晶(TDX)来实现利用激光使多晶硅结晶的方法，但是本发明不只限于这些方法。可以通过固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导侧向结晶(MILC)和超晶粒硅(SGS)来实现利用金属使多晶硅结晶的方法，但是本发明不只限于这些方法。薄膜晶体管可以为PMOS、NMOS或者等同物，但是薄膜晶体管的导电类型不只限于这些类型。
可以在半导体层130的上侧上以及缓冲层120的暴露部分上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以由材料例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、无机材料或等同物制成，然而，本发明不只限于这些材料。
可以在栅极绝缘层140的上侧上形成栅极150。更具体地讲，栅极150可以形成在栅极绝缘层140上的与半导体层130的沟道区134对应的位置处。栅极150用于向沟道区134施加电场，从而在沟道区134中形成空穴或电子沟道。栅极150可以由金属例如Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金或其它制成，但是本发明不只限于这些材料。
可以在栅极绝缘层140的上侧上形成非透射层160。非透射层160也可以形成在半导体层130和导电接触件186的下面，将在后面描述导电接触件186。非透射层160位于有机发光二极管200的下面。非透射层160可以不仅形成在有机发光二极管200的下面，而且可以延伸到OLED 100的其它区域中。非透射层160还定位成与源极/漏极180的部分叠置。
非透射层160用于防止在有机发光二极管200的制造过程中紫外线透射穿过OLED并防止紫外线损坏OLED中的感光层(sensitive layer)。非透射层160还防止在基底110相互分开之后外部紫外线损坏有机发光二极管200。
非透射层160可以由与栅极150的材料相同的材料制成。非透射层160可以由Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金制成，但是本发明不只限于这些材料。非透射层160的厚度可以与栅极150的厚度相同。
非透射层160可以由紫外线防护剂或其等同物制成。非透射层160可以由紫外线不能穿透的金属、透明的紫外线防护剂、不透明的紫外线防护剂或者等同物制成。当非透射层160为金属时，它可以由材料例如铬(Cr)、氧化铬(Cr2O3)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、氧化镁(MgO)或银合金(ATD)制成，但是本发明不只限于这些材料。非透射层160的厚度可以在500 
至3000 之间。当非透射层160的厚度小于500 
时，因为紫外线的隔离率低，所以在制造之前或之后，半导体层130或有机发光二极管200会被暴露。当非透射层160的厚度大于3000 
时，尽管有足够的隔离效率，但是非透射层160会变得太厚。
可以在栅极150和非透射层160的上侧上形成层间介电层170。层间介电层170可以由玻璃、塑料、聚合物或者等同物中的一个制成，但是本发明不只限于这些材料。
可以在层间介电层170的上侧上形成源极/漏极180。通过穿过层间介电层170的导电接触件186电连接半导体层130和源极/漏极180中的每个。此外，可以以这样的方式形成导电接触件186，即，导电接触件186不接触非透射层160。此外，源极/漏极180可以由与栅极150中使用的金属相似的金属制成，但是本发明不只限于这些材料。此外，这样的半导体层130(即，薄膜晶体管)可以被定义为共面结构。本发明中公开的半导体层不限于共面结构，而可以替换使用反共面结构(inverted coplanar structure)、交错结构、 反交错结构或者等同结构中的至少一种。本发明不只限于这些结构。
可以在源极/漏极180和层间介电层170的上侧上形成绝缘层190。绝缘层190可以包括保护膜192和形成在保护膜192的上侧上的平坦膜194。保护膜192覆盖源极/漏极180和层间介电层170，并用来保护源极/漏极180。保护膜192可以由无机膜或等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。此外，平坦膜194用来形成整个器件的平坦表面，并可以由材料例如苯并环丁烯(BCB)、压克力(acryl)或者等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。
可以在绝缘层190上形成有机发光二极管200，即可以在平坦膜194的上侧上形成有机发光二极管200。这样的有机发光二极管200包括阳极202、形成在阳极202的上侧上的有机发光薄膜204、形成在有机发光薄膜204的上侧上的阴极206。阳极202由材料例如氧化铟锡(ITO)、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO(IZO：氧化铟锌)制成，但是本发明不只限于这些材料。ITO是由于功函数的均匀性而在有机发光薄膜204上具有小的空穴注入势垒(wall)的透明导电膜，Ag是从有机发光薄膜204向显示器的上侧反射光的膜。此外，如图1所示，有机发光膜204可以包括：发射层(EML)，通过形成激子来发光；电子传输层(ETL)，适当地调节电子的速度；空穴传输层(HTL)，适当地调节空穴的速度。此外，可以在电子传输层上形成提高电子注入效率的电子注入层(EIL)，可以在空穴传输层上形成提高空穴注入效率的空穴注入层(HIL)。此外，阴极206可以由材料例如Al、MgAg合金、MgCa合金或者等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。然而，在前发光型OLED 100的情况下，Al需要很薄。当Al被做得薄时，电阻变高，并且电子注入势垒变大，这是不利的。与Al的电子注入势垒相比，MgAg合金的电子注入势垒小，MgCa合金的电子注入势垒比Mg Ag合金的电子注入势垒低。然而，这样的MgAg合金和MgCa合金对周围环境敏感，并且会被氧化，从而形成绝缘层。因此，需要与外部隔绝。此外，可以通过穿过绝缘层190的导电通孔208将有机发光二极管200的阳极202和源极/漏极180相互电连接。此外，已经针对向基底110的上侧发光的前发光型装置描述了本发明，但是本发明不限于此，因为本发明也可应用于向基底110的下方向发光的背侧发光型装置，或者本发明可以应用于同时向两侧发光的装置。
可以在绝缘层190的上侧上形成像素限定膜210。这样的像素限定膜210通过使红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管之 间的边界清晰而使得像素之间的发光边界区清晰。此外，这样的像素限定膜210可以由材料例如聚酰亚胺或等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。
此外，可以在基底110的下面形成防磨擦层220。这样的防磨擦层220将两个基底110附着到一起，使得在形成半导体层130和有机发光二极管200的过程中，基底110不相互接触。此外，这样的防磨擦层220通过使附着的基底变厚而具有足够的刚性，使得所得的结构在传送或其它工艺中不被弯曲或被损坏。这样的防磨擦层220可以由有机材料、无机材料或者等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。此外，防磨擦层220优选地被形成为具有10μm和100μm之间的厚度。当防磨擦层220的厚度小于10μm时，在制造过程中基底会相互接触。当防磨擦层220的厚度大于100μm时，基底110会变得太厚。
现在参照图3，图3是描述制造图2中的有机发光显示装置(OLED)100的方法的流程图。如图3所示，制造OLED 100的方法可以包括准备基底S1，将基底附着S2，形成缓冲层S3，形成半导体层S4，形成非透射层S5，形成绝缘层S6，形成有机发光二极管S7，分离基底S8，去除防磨擦层S9。
现在转向图4A至图4J，图4A至图4J是示出根据本发明的有机发光显示器(OLED)100的制造工艺的剖视图。参照图3以及图4A至图4J，按次序描述制造OLED的方法。
首先，在准备基底110的步骤S1中，提供厚度均匀且上侧和下侧平坦的基底110。基底110可以是玻璃、塑料、聚合物、钢和等同物中的一种，但是本发明不只限于这些材料。此外，基底110的厚度优选地在0.05mm和1mm之间。当每个基底110的厚度小于0.05mm时，基底在清洗工艺、蚀刻工艺或者热处理工艺中会易于损坏，难以处理，并易于受外力破坏。此外，当基底110的厚度大于1mm时，难以实现能够用在当今纤薄装置中的整体装置厚度。
如图4B所示，在将基底110附着到一起的步骤S2中，基底被相互附着到一起。将两个基底附着到一起来制造的目的在于：(1)使得两个显示装置能够一起形成，从而增加产量并减少制造时间；(2)使得在制造过程中处理较厚的结构，从而在制造过程中装置不易破坏或损坏，因而提高了产品良率。这里，防磨擦层220可以以这样的方式置于两个基底110之间，即，使得两个基底110不直接相互接触，同时在制造过程中提供一定的刚性。可以通过 附着或涂覆有机材料、无机材料或等同物来制造防磨擦层220，但是本发明不只限于这些材料。这里，如果在完成OLED之后去除防磨擦层220，则防磨擦层220优选地由易于去除的材料制成。例如，可以使用为有机材料的光阻剂，但是本发明不限于这种材料。此外，也可以以这样的方式放入粘合剂(未示出)，使得在制造过程中两个基底110不相互分离。这样的粘合剂可以是环氧粘合剂、紫外光硬化粘合剂或等同物，但是本发明不只限于这些粘合剂。此外，防磨擦层220在附着之前事先形成在每个基底110上，但是在为了附着而放置两个基底110之后，可以将液体防磨擦层220注入到形成于两个基底110之间的缝隙中来成型，这是因为由于毛细作用力而使得注入是容易的。这里，优选的是，在这样的液体防磨擦层220形成之后以预定的温度对基底110进行热处理来硬化防磨擦层220。
如图4C中所示，在形成缓冲层120的步骤S3中，预定厚度的缓冲层120形成在双基底结构的相对侧的每个基底110的表面上，所述相对侧是基底110的远离形成防磨擦层220的一侧。缓冲层120可以由氧化硅膜、氮化硅膜、无机膜或等同物制成。包括缓冲层120是为了使湿气、氢或者氧不能传递到半导体层130或有机发光二极管200。缓冲层120也使得更容易在表面上形成半导体层130。缓冲层120可以首先形成在一侧的基底110上，然后依次形成在另一基底110上，或者可以同时形成在两个基底110上。
如图4D所示，在形成半导体层130的步骤S4中，在缓冲层120的表面上形成半导体层130，然后再所得的结构上形成栅极绝缘层140。半导体层130包括在相互远离而面对的两侧上的源区/漏区132，并包括在源区/漏区132之间的沟道区134。例如，半导体层130可以是薄膜晶体管。这样的薄膜晶体管可以是非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、微晶硅薄膜晶体管或者等同物，但是本发明不只限于这些晶体管。
此外，当薄膜晶体管为在缓冲层120上形成非晶硅之后制成的多晶硅薄膜晶体管时，可以使用低温激光、金属、高压或者等同物中的一种来执行结晶，但是本发明不只限于这些方法。
这里，非晶硅可以使用PECVD、LPCVD、溅射或等同方法来形成，但是本发明不只限于这些方法。此外，在使非晶硅结晶之后，通过光阻剂涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光阻剂剥离工艺在期望的位置形成期望数目的半导体层130。
此外，使非晶硅结晶成多晶硅的方法的一些示例为准分子激光退火(ELA)、连续侧向结晶(SLS)和薄束定向结晶(TDX)，但是本发明不只限于这些方法。使用金属的结晶方法的一些示例为固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导侧向结晶(MILC)和超晶粒硅(SGS)，但是本发明不只限于这些方法。此外，薄膜晶体管可以是PMOS、NMOS或等同物中的一种，但是本发明不只限于这些结构。
使用PECVD、LPCVD、溅射或等同方法中的一种在半导体层130的表面上形成预定厚度的栅极绝缘层140。这里，也可以在缓冲层120上形成栅极绝缘层140。此外，栅极绝缘层140可以由氧化硅膜、氮化硅膜、无机膜或等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。
如图4E所示，可以通过PECVD、LPCVD、溅射或等同方法中的一种在栅极绝缘层140的上侧上形成栅极150。这里，在沉积工艺之后通过光阻剂涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光阻剂剥离工艺在期望的位置形成期望数目的栅极150。也就是说，栅极150可以形成在栅极绝缘层140上的与半导体层130的沟道区134相对应的位置处。这样的栅极150在沟道区134中产生电场，从而在沟道区134中形成空穴或电子沟道。此外，栅极150可以由材料例如Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金或者Al合金、掺杂的多晶硅或等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。
此外，如图4E所示，在形成非透射层160的步骤S5中，非透射层160可以与栅极150同时形成。这里，非透射层160以这样的方式形成在离半导体层130和栅极150一定距离的位置，使得非透射层160不接触导电接触件186，所述导电接触件186将源极/漏极180电连接到源区/漏区132。此外，非透射层160宽广地形成在有机发光二极管200的下面的区域上，使得在形成过程中紫外线不能到达有机发光二极管200。此外，非透射层160可以由与栅极150的材料相同的材料形成，并且可以形成为与栅极150的厚度相同的厚度。也就是说，非透射层160可以使用Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金、掺杂的多晶硅以及等同物中的至少一种形成，但是本发明不只限于这些材料。这里，可以以这样的方式使用非透射层160，即，外部紫外线不穿过有机发光二极管200，相反在基底110已被分离之后反射外部紫外线。
此外，非透射层160可以由紫外线防护剂或等同物制成。也就是说，非 透射层160可以由紫外线不能穿透的金属、透明的紫外线防护剂、不透明的紫外线防护剂或者等同物中的一种制成。此外，在非透射层160为金属的情况下，非透射层160可以是铬(Cr)、氧化铬(Cr2O3)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、氧化镁(MgO)、银合金(ATD)或等同物制成，但是本发明不只限于这些材料。此外，这样的非透射层160的厚度优选地在500 
至3000 
之间。当非透射层160的厚度小于500 
时，因为紫外线的隔离率低，所以在制造工艺之前或之后，有机发光二极管200会被暴露于一些紫外线。当非透射层160的厚度大于3000 
时，尽管有足够的紫外线隔离效率，但是非透射层160会变得太厚。
非透射层160可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、溅射、涂覆或者等同的方法制成，但是本发明不只限于这些方法。这里，可以首先在一侧的基底上形成非透射层160，然后依次在另一基底上形成非透射层160，或者可以同时在两个基底上形成非透射层160。
如图4E所示，可以在栅极150和非透射层160的上侧上形成层间介电层170。层间介电层170可以由聚合物、塑料、玻璃或者等同物中的一种制成，但是本发明不只限于这些材料。这里，以这样的方式使用与源区/漏区132对应的区域，即，源区/漏区132通过蚀刻而暴露于外部。这个暴露的部分变为接触孔，并且导电接触件186形成在这个接触孔中。
此外，如图4F所示，在层间介电层170的上侧上通过PECVD、LPCVD、溅射或者等同方法制成源极/漏极180。这里，在沉积之后通过光阻剂涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光阻剂剥离工艺在期望的位置形成期望数目的源极/漏极180。这里，源极/漏极180的一定的区域可以与非透射层160叠置。穿过层间介电层170的导电接触件186形成在源极/漏极180和半导体层130的源区/漏区132之间。这里，导电接触件186填充预先形成的孔。此外，导电接触件186被设计成不接触非透射层160。
半导体层130和源极/漏极180通过导电接触件186电连接。这样的导电接触件186可以使用与用来形成栅极150和源极/漏极180的材料相似的材料形成，但是本发明不受这些限制。此外，源极/漏极180可以由与用来形成栅极150的材料相同的材料制成，但是本发明不受这些限制。用于形成薄膜晶体管的半导体层130由普通共面结构限定。但是，根据本发明的半导体层130 可以替换为反共面结构、交错结构、反交错结构或者等同结构，但是本发明不只限于这些结构。
在双基底110的一个基底上形成半导体层130、栅极绝缘层140、栅极150、非透射层160和层间介电层170，然后在另一个基底上形成半导体层130、栅极绝缘层140、栅极150、非透射层160和层间介电层170。也就是说，在双基底110的一个基底上完成半导体层130、栅极绝缘层140、栅极150、非透射层160和层间介电层170，然后在双基底110的另一个基底上完成半导体层130、栅极绝缘层140、栅极150、非透射层160和层间介电层170。可选地，可以通过交换一侧和另一侧的基底的方式按次序形成元件130、140、150、160和170。可选地，如果有适当的设备可以利用，则可以在两个基底上同时形成元件130、140、150、160和170。
如图4G所示，在形成绝缘层190的步骤S6中，绝缘层190形成于层间介电层170的顶侧。绝缘层190包括保护膜192和平坦膜194。这里，首先形成保护膜192，然后在保护膜192上形成平坦膜194。保护膜192覆盖源极/漏极180和层间介电层170，保护源极/漏极180和栅极150。通过蚀刻保护膜192和平坦膜194中的与源极/漏极180对应的区域事先形成通孔208。保护膜192可以为无机膜或者等同物，但是本发明不只限于这些材料。此外，平坦膜194形成在保护膜192上。平坦膜194使得整个装置的表面平坦，可以通过涂覆或沉积苯并环丁烯、压克力或者等同物中的至少一种来制成，但是本发明不只限于这些材料和方法。
在一侧的基底110上形成绝缘层190之后，可以在另一侧的另一基底110上形成绝缘层190。也就是说，首先在两个基底110之一上完成绝缘层190，然后在面对另一侧的另一基底110上形成绝缘层190。此外，这样的绝缘层190可以通过交换一侧和另一侧的基底的方式依次形成。此外，如果有合适的设备可用，则可以在两个基底上同时形成绝缘层190。
如图4H所示，在形成有机发光二极管200的步骤S7中，在绝缘层190上形成有机发光二极管200。具体地讲，在绝缘层190上依次形成阳极202、有机发光薄膜204和阴极206。
阳极202可以由ITO(氧化铟锡)、ITO(氧化铟锡)/Ag、ITO(氧化铟锡)/Ag/ITO(IZO：氧化铟锌)或者等同物中的一种制成，但是本发明不只限于这些材料。可以通过RF溅射、DC溅射、离子束溅射或者真空沉积方法 来形成阳极202。在沉积之后，通过光阻剂涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光阻剂剥离工艺来形成期望面积的阳极202。这里，阳极202通过穿过绝缘层190的导电通孔208电连接到源极/漏极180之一。因为ITO的功函数是均匀的，所以ITO被用作透明导电膜，并且Ag反射光，尤其在前发光型显示器中反射来自有机发光薄膜204的光。
如图1所示，可以通过形成下列层来制造有机发光薄膜204：空穴注入层(HIL)，提高空穴的注入效率；空穴传输层(HTL)，调节空穴的运动速度；发射层(EML)，通过电子和空穴的复合而形成激子来发光；电子传输层(ETL)，调节电子的运动速度；电子注入层(EIL)，提高电子的注入效率。但是，本发明不限于这种结构。有机发光薄膜204可以由湿涂法例如旋涂、浸涂、喷雾、丝网印刷或喷墨印刷制成，或者可以由干涂法例如溅射或真空沉积制成。
在有机发光薄膜204的电子注入层的表面上形成阴极206。阴极206可以通过沉积Al、MgAg合金、MgCa合金或者等同物中的至少一种来制成，但是本发明不只局限于这些用于阴极206的材料或者这些形成阴极206的方法。例如，阴极206可以由RF溅射、DC溅射、离子束溅射或者真空沉积中的一种来制成。然后，通过光阻剂涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光阻剂剥离工艺在期望的位置形成期望面积的阴极206。
此外，在前发光型显示器的情况下，如果Al用作阴极206，则阴极需要很薄，以使光透射率高。在这种情况下，因为电阻变高，所以电子注入势垒会变大。因此，在这种情况下，可以使用电子注入势垒比Al的电子注入势垒低的MgAg合金、MgCa合金或者等同物中的至少一种。此外，阴极206可以由ITO和IZO之一制成。因为MgAg合金和MgCa合金对周围环境敏感，所以当使用这些合金时需要完全实现与外部隔离。
此外，在形成这样的阴极206之后，以这样的方式形成像素限定膜210，即，有机发光二极管200之间的边界变得清晰。这样的像素限定膜210通过涂覆或沉积聚酰亚胺或等同物中的至少一种来制成。这里，在这样的涂覆和沉积之后，通过光阻剂涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和光阻剂剥离工艺来将有机发光二极管200暴露于外部。
此外，已经针对图像朝基底的向上方向发射的前发光型显示器描述了本发明，但是本发明不限于前发光结构，后侧发光型或者两侧发光型也是可以 的。
在有机发光二极管200形成在一侧的一个基底110上之后，有机发光二极管200可以形成在面对另一侧的另一基底110上。也就是说，首先在两个基底110中的一个上完成有机发光二极管200，然后在两个基底110中面对相反方向的另一基底上完成有机发光二极管200。可选地，可以通过交换一侧和另一侧的基底的方式依次形成这样的有机发光二极管200。可选地，如果有适当的设备可用，则可以在两个基底上同时完成有机发光二极管200。
如图4I所示，在分离基底的步骤S8中，已被附着和处理的基底110被单独地分离。也就是说，通过使用锯切工具(sawing tool)或其它工具去除粘合剂来分离两个基底110。这里，在基底110分离之后，防磨擦层220仍保留在两个基底110之一上。此外，虽然在附图中未示出，但是在锯切之前或之后，可以包括使用密封剂附着密封基底的工艺。这里，为了吸湿，在密封基底中可以包括透明的吸湿材料。
通过两个基底110的分离工艺可以完成本发明。也就是说，在基底110分离之后，在单元测试、柔性印刷电路(FPC)结合、模块测试和可靠性测试之后，完成的OLED 100可以作为产品交货。
此外，在基底110的分离步骤S8为最后工艺的情况下，防磨擦层220可以仍然保留在所完成的OLED 100的基底110的一侧表面上。这样的防磨擦层220可以用来阻挡紫外线的穿透，并保护基底110的表面不受周围环境影响。
根据本发明，例如，在基底110的厚度小于0.5mm的情况下，由于将两个基底110粘到一起来用于制造工艺，所以在制造过程中，基底110形成厚度大于1mm的组合基底。因此，因为附着基底110的刚性由于其组合的厚度而变大，所以基底没有弯曲和损坏，并且可以容易实现半导体层的形成和有机发光二极管的形成。此外，在产品完成之后，基底110被分离，从而制成大约0.5mm的纤薄基底。
如在图4J中所示，在进行从上基底110去除防磨擦层220的步骤S9中，使用化学溶液或研磨机将防磨擦层220从基底110去除。因此，这样的防磨擦层220被去除时，没有防磨擦层220保留在基底110的表面上，并且基底变得更薄。当保留的防磨擦层220保留在基底110上时，该保留的防磨擦层220用来阻挡紫外线并防止外部冲击。然而，由于在OLED 100中已经形成非 透射层160，所以防磨擦层220不是绝对必须保留在完成的OLED 100的基底110上。
通过使用厚度在0.05mm和1mm之间的基底110，根据本发明的OLED100可以容易地应用于各种纤薄的电子设备作为显示器，所述电子设备为例如移动电话、个人数字助理、笔记本电脑、计算机监视器和电视。此外，通过在OLED中包括非透射层，根据本发明的OLED以这样的方式制造，即，在使用过程中紫外线不穿过基底侵入到有机发光二极管上。此外，通过在制造过程中将厚度在0.05mm和1mm之间的两个基底附着到一起，并执行半导体工艺和有机薄膜工艺例如清洗、蚀刻、曝光、显影和热处理，根据本发明的制造OLED的方法将所有工艺所需的时间减少大约50％。
此外，根据本发明的制造方法，通过在有机发光二极管的下面形成非透射层，紫外线不易透射到相对侧的另一基底。此外，根据本发明的制造方法，通过在附着的基底之间形成预定厚度的防磨擦层并加强刚性，在制造过程中基底不弯曲或损坏。此外，通过在附着的基底之间形成防磨擦层，根据本发明的制造方法防止当两个基底被附着时基底之间接触，因而防止基底损坏。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员应该明白，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明在形式上和细节上作各种改变。
Claims (8)
1.一种制造有机发光显示器的方法，包括：
准备两个基底；
通过在所述两个基底之间形成防磨擦层来将所述两个基底附着到一起；
在所述两个附着的基底的外侧上形成缓冲层；
在每个缓冲层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述半导体层的外侧上形成非透射层；
在每个半导体层和每个非透射层上形成绝缘层；
在每个绝缘层上形成有机发光二极管；
将所述两个附着的基底分离，
其中，所述非透射层位于所述有机发光二极管的下面，并且所述非透射层适于完全防止紫外线到达所述有机发光二极管的整个区域，
其中，所述形成非透射层的步骤与所述形成栅极的步骤同时进行。
2.如权利要求1所述的方法，其中，通过在所述栅极绝缘层上形成所述非透射层来实现所述形成非透射层。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述非透射层包含与所述栅极的材料相同的材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述非透射层包含从由Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、钼合金、铜合金、铝合金和掺杂的多晶硅构成的组中选择的材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述非透射层包括紫外线防护剂。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述非透射层包含从由紫外线不能透射的金属、透明的紫外线防护剂和不透明的紫外线防护剂构成的组中选择的材料。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述非透射层包含从由Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO和ATD构成的组中选择的材料。
8.如权利要求1所述的方法，还包括在将所述基底分离之后去除所述防磨擦层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0111299 | 2006-11-10 | ||
| KR1020060111299 | 2006-11-10 | ||
| KR1020060111299A KR100770127B1 (ko) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101179092A CN101179092A (zh) | 2008-05-14 |
| CN101179092B true CN101179092B (zh) | 2013-07-24 |
Family
ID=38815821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007100978654A Active CN101179092B (zh) | 2006-11-10 | 2007-04-20 | 有机发光显示器的制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7601982B2 (zh) |
| EP (1) | EP1921678B1 (zh) |
| JP (1) | JP4465367B2 (zh) |
| KR (1) | KR100770127B1 (zh) |
| CN (1) | CN101179092B (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100833738B1 (ko) | 2006-11-30 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824902B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101348408B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2014-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101001552B1 (ko) * | 2009-01-20 | 2010-12-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US8518498B2 (en) | 2009-09-02 | 2013-08-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| KR101084263B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101562285B1 (ko) | 2009-12-28 | 2015-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 3차원 입체 영상 유기전계발광소자 |
| KR101155904B1 (ko) | 2010-01-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20110094837A (ko) * | 2010-02-18 | 2011-08-24 | 서울대학교산학협력단 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의한 박막 트랜지스터 |
| KR101746617B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2017-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20130025717A (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102237163B1 (ko) * | 2014-06-26 | 2021-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양면 발광형 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR102651056B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102615664B1 (ko) * | 2016-11-08 | 2023-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180110924A (ko) * | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 동우 화인켐 주식회사 | Oled 패널 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
| CN107248373B (zh) * | 2017-06-08 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 |
| CN109378338B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-06-11 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示装置 |
| CN114156280B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-08-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、移动终端 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1450837A (zh) * | 2002-03-29 | 2003-10-22 | 三洋电机株式会社 | 电致发光显示装置 |
| CN1575062A (zh) * | 2000-02-03 | 2005-02-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件及其制作方法 |
| KR20060089638A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 유기 전자 디바이스의 제조 방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980476A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nec Corp | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
| JP2002350833A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US6660547B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-12-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Stabilization for thin substrates |
| JP2003173872A (ja) | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Sony Corp | アライメント方法、パターン形成方法及びアライメント装置、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR100491143B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100845557B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4373085B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
| US7304005B2 (en) * | 2003-03-17 | 2007-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device |
| KR20040106808A (ko) * | 2003-06-11 | 2004-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| KR100531294B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2005-11-28 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100527195B1 (ko) * | 2003-07-25 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
| KR100542997B1 (ko) * | 2003-08-07 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2005077945A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
| KR20050029826A (ko) * | 2003-09-23 | 2005-03-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100565639B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| JP3646120B1 (ja) | 2004-02-05 | 2005-05-11 | 西山ステンレスケミカル株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有機ｅｌｄ）パネルの製造方法、および、有機ｅｌｄパネル用ガラス基板の薄型化方法 |
| JP2005340182A (ja) | 2004-04-30 | 2005-12-08 | Toyota Industries Corp | Ｅｌ装置の基板の薄型化方法及び貼り合わせ基板の分断方法 |
| KR100603350B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| KR100700642B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2005222930A (ja) | 2004-12-15 | 2005-08-18 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、および、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル用ガラス基板の薄型化方法 |
| KR100742368B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100833738B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824902B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-11-10 KR KR1020060111299A patent/KR100770127B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-04-13 US US11/785,044 patent/US7601982B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-18 JP JP2007109772A patent/JP4465367B2/ja active Active
- 2007-04-20 CN CN2007100978654A patent/CN101179092B/zh active Active
- 2007-05-25 EP EP20070252151 patent/EP1921678B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1575062A (zh) * | 2000-02-03 | 2005-02-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件及其制作方法 |
| CN1450837A (zh) * | 2002-03-29 | 2003-10-22 | 三洋电机株式会社 | 电致发光显示装置 |
| KR20060089638A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 유기 전자 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080111125A1 (en) | 2008-05-15 |
| JP4465367B2 (ja) | 2010-05-19 |
| EP1921678B1 (en) | 2015-05-13 |
| EP1921678A1 (en) | 2008-05-14 |
| JP2008122905A (ja) | 2008-05-29 |
| US7601982B2 (en) | 2009-10-13 |
| CN101179092A (zh) | 2008-05-14 |
| KR100770127B1 (ko) | 2007-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101179092B (zh) | 有机发光显示器的制造方法 | |
| CN101179111B (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| US10790458B2 (en) | Flexible AMOLED substrate and manufacturing method thereof | |
| CN100583492C (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| US9859346B2 (en) | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| EP2216840B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US9343519B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display device | |
| CN104637438A (zh) | 柔性显示器及其制造方法 | |
| US20100201609A1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| CN101192652A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| KR20120035040A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20220285659A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| JP4974452B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US8952358B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR100934480B1 (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| KR100696548B1 (ko) | 평판 표시장치 및 그 제조방법 | |
| US10211425B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090116 Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090116 |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20130124 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20130124 Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |