KR100845557B1 - 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 구동하는 금속 배선들, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 유기 전계발광층을 구비하는 기판; 및 상기 기판 상의 상기 화소 전극이 형성된 부분을 제외한 영역에 형성된 저반사율의 물질로 이루어진 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 상술한 일 목적은 기판; 상기 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 영역에 형성된 저반사율의 물질로 이루어진 패턴; 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 상에 형성되고, 액티브 패턴, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터, 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 및 기판 상에 형성된 보호막; 상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 형성된 화소 전극; 및 상기 화소 전극 상에 형성된 유기 전계발광층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치에 의해 달성될 수 있다.
또한, 본 발명의 상술한 다른 목적은, 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 영역에 저반사율의 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 및 기판 상에 액티브 패턴, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터, 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 및 기판 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 및 상기 화소 전극 상에 유기 전계발광층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법에 의해 달성될 수 있다.
Claims (22)
- 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 구동하는 금속 배선들, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 유기 전계발광층을 구비하는 기판;상기 기판 상의 상기 화소 전극이 형성된 부분을 제외한 영역에 형성된 블랙 매트릭스; 및상기 블랙 매트릭스와 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 열확산 방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 박막 트랜지스터의 하부 및 상기 금속 배선들의 하부에 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 금속 산화막 및 상기 금속 산화막 상에 적층된 금속막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 제4항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 크롬 산화막/크롬, 니켈 산화막/니켈 및 철 산화막/철의 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 기판;상기 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 영역에 형성된 블랙 매트릭스;상기 블랙 매트릭스 상에 형성되고, 액티브 패턴, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;상기 블랙 매트릭스와 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 열확산 방지층;상기 박막 트랜지스터, 열확산 방지층, 블랙 매트릭스 및 기판 상에 형성된 보호막;상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 형성된 화소 전극; 및상기 화소 전극 상에 형성된 유기 전계발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 삭제
- 제6항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 액티브 패턴은 상기 블랙 매트릭스의 에지로부터 떨어진 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 영역에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;상기 블랙 매트릭스 및 기판 상에 열확산 방지층을 형성하는 단계;상기 블랙 매트릭스, 열확산 방지층 및 기판 상에 액티브 패턴, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터, 블랙 매트릭스 및 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 및상기 화소 전극 상에 유기 전계발광층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 제9항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 액티브 패턴은:상기 블랙 매트릭스 및 기판 상에 액티브층을 증착하는 단계;블랙 매트릭스를 통한 열 손실을 보상할 수 있는 정도의 에너지로 상기 액티브층을 결정화시키는 단계; 및상기 액티브층을 패터닝하여 상기 블랙 매트릭스의 에지로부터 떨어진 영역에 액티브 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 금속 산화막 및 상기 금속 산화막 상에 적층된 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 크롬 산화막/크롬, 니켈 산화막/니켈 및 철 산화막/철의 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
- 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 구동하는 금속 배선들, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 유기 전계발광층을 구비하는 기판;상기 기판 상의 상기 화소 전극이 형성된 부분을 제외한 영역에 형성된 저반사율의 물질로 이루어진 패턴; 및상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴과 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 열확산 방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 제14항에 있어서, 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴은 블랙 매트릭스인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 제14항에 있어서, 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴은 금속 산화막 및 상기 금속 산화막 상에 적층된 금속막으로 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 제16항에 있어서, 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴은 크롬 산화막/크롬, 니켈 산화막/니켈 및 철 산화막/철의 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 기판;상기 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 영역에 형성된 저반사율의 물질로 이루어진 패턴;상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 상에 형성되고, 액티브 패턴, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴과 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 열확산 방지층;상기 박막 트랜지스터, 열확산 방지층, 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 및 기판 상에 형성된 보호막;상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 형성된 화소 전극; 및상기 화소 전극 상에 형성된 유기 전계발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 제18항에 있어서, 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴은 5% 미만의 반사율을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
- 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 영역에 저반사율의 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계;상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 및 기판 상에 열확산 방지층을 형성하는 단계;상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴, 열확산 방지층 및 기판 상에 액티브 패턴, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터, 저반사율의 물질로 이루어진 패턴 및 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 및상기 화소 전극 상에 유기 전계발광층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
- 제20항에 있어서, 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴은 5% 미만의 반사율을 갖는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 저반사율의 물질로 이루어진 패턴은 금속 산화막 및 상기 금속 산화막 상에 적층된 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
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