KR20030058911A - 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

박막 트랜지스터를 이용한 능동행렬 유기전기발광소자에 관한 것이다.
일반적인 능동행렬 유기전기발광소자에서는 파워라인이 배선 형태를 취하므로, 구동시 열 발산의 문제가 있으며, 배선 저항으로 인해 화질의 불균일이 발생할 수 있다. 또한, 7장 내지 8장의 마스크를 이용하여 제조하므로, 공정이 길고 비용이 증가하는 문제가 있다.
본 발명에서는 그라운드층과 파워라인을 기판 전면에 형성하여, 구동시 발산되는 열을 극소화함으로써 열화를 방지할 수 있고, 저항을 감소시켜 화질을 불균일을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 능동행렬 유기 LED에서는 캐소드 전극을 소스 및 드레인 전극과 같은 공정으로 형성함으로써, 제조 공정 및 비용을 줄이고 불량 발생 요인을 감소시켜 제조 수율을 증가시킬 수 있다.
또한, 게이트 배선과 데이터 배선 사이에 형성하는 층간 절연막을 두터운 유기 절연층으로 형성하여 표면을 평탄화 한다.
이와 같이 하면, 절연막의 표면 거칠기에 의해 유기 발광층에 형성되는 전계가 편재되는 현상을 막을 수 있으므로 유기발광층의 수명을 연장할 수 있다.
한편, 본 발명은 상부 발광 방식 및 하부 발광 방식 모두 적용할 수 있는데, 상부 발광 방식을 이용할 경우에는 개구율이 증가되므로 유기 LED의 수명을 증가시킬 수 있다.

Description

능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법{an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same}
본 발명은 유기전기발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터를 이용한 능동행렬 유기전기발광소자에 관한 것이다.
현재 텔레비전이나 모니터와 같은 디스플레이 장치에는 음극선관(cathode ray tube : CRT)이 주된 장치로 이용되고 있으나, 이는 무게와 부피가 크고 구동전압이 높은 문제가 있다. 이에 따라, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었으며, 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 플라즈마 표시 장치(plasma display panel), 전계 방출 표시 장치(field emission display), 그리고 전기 발광 표시 장치(또는 전기발광소자라고도 함 : electroluminescence display(ELD))와 같은 다양한 평판 표시 장치가 연구 및 개발되고 있다.
이중 전기발광소자는 형광체에 일정 이상의 전기장이 걸리면 빛이 발생하는 전기발광(electroluminescence : EL) 현상을 이용한 표시 소자로서, 캐리어들의 여기를 일으키는 소스에 따라 무기(inorganic) 전기발광소자와 유기전기발광소자(organic electroluminescence display : OELD 또는 유기 ELD)로 나눌 수 있다.
이중, 유기전기발광소자가 청색을 비롯한 가시광선의 모든 영역의 빛이 나오므로 천연색 표시 소자로서 주목받고 있으며, 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가진다. 또한 자체 발광이므로 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 공정이 간단하여 환경 오염이 비교적 적다. 한편, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.
이러한 유기전기발광소자는 구조가 무기전기발광소자와 비슷하나, 발광원리는 전자와 정공의 재결합에 의한 발광으로 이루어지므로 유기 LED(organic light emitting diode : OLED)라고 부르기도 한다. 따라서, 이하에서는 유기 LED라고 칭하기로 한다.
최근, 다수의 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 각 화소에 박막 트랜지스터를 연결한 능동행렬(active matrix) 형태가 평판 표시 장치에 널리 이용되는데, 이를 유기전기발광소자에 적용한 능동행렬 유기 LED(active matrix organic LED : AMOLED)에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 능동행렬 유기 LED의 한 화소에 대한 회로 구조를 도시한 것으로서, 도시한 바와 같이 능동행렬 유기 LED의 한 화소는 스위칭(switching) 박막 트랜지스터(4)와 드라이빙(driving) 박막 트랜지스터(5), 스토리지 커패시터(storage capacitor)(6), 그리고 발광 다이오드(7)로 이루어진다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(4)와 드라이빙 박막 트랜지스터(5)는 p형 다결정 실리콘 박막 트랜지스터로 이루어진다.
스위칭 박막 트랜지스터(4)의 게이트 전극은 게이트 배선(1)과 연결되고, 소스 전극은 데이터 배선(2)과 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(4)의 드레인 전극은 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극과 연결되어 있고, 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 드레인 전극은 발광 다이오드(7)의 애노드(anode) 전극과 연결되어 있다. 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 소스 전극은 파워라인(power line)(3)과 연결되어 있고, 발광 다이오드(7)의 캐소드(cathode) 전극은 접지되어 있다. 다음, 스토리지 커패시터(6)가 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되어 있다.
따라서, 게이트 배선(1)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막 트랜지스터(4)가 온(on) 되고, 데이터 배선(2)의 신호가 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극에 전달되어 드라이빙 박막 트랜지스터(5)가 온 되므로 발광 다이오드(7)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 스토리지 커패시터(6)는 스위칭 박막 트랜지스터(4)가 오프(off) 되었을 때, 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전압을 일정하게 유지시킨다.
이와 같이 박막 트랜지스터를 이용한 종래의 능동행렬 유기 LED의 단면을 도 2에 도시하였는데, 도 2는 드라이빙 박막 트랜지스터와 발광 다이오드 및 스토리지 커패시터에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 버퍼층(buffer layer)(11)이 형성되어 있고, 그 위에 아일랜드(island) 형태를 가지는 제 1 및 제 2 다결정 실리콘층(12a, 12b, 12c, 13a)이 형성되어 있다. 제 1 다결정 실리콘층(12a, 12b, 12c)은 박막 트랜지스터의 액티브층(12a)과 불순물이 도핑된 드레인 영역(12b)과 소스 영역(12c)으로 나누어지고, 제 2 다결정 실리콘층(13a)은 커패시터 전극이 된다.
다음, 액티브층(12a) 상부에는 게이트 절연막(14)이 형성되어 있고, 그 위에게이트 전극(15)이 형성되어 있다.
이어, 게이트 전극(15) 위에 제 1 층간 절연막(16)이 형성되어 게이트 전극(15)과 소스 및 드레인 영역(12c, 12b) 그리고 커패시터 전극(13a)을 덮고 있으며, 커패시터 전극(13a) 상부의 제 1 층간 절연막(16) 위에는 파워라인(17)이 형성되어 있다. 여기서, 파워라인(17)은 배선의 형태를 가지고 일 방향으로 길게 연장되어 있다.
다음, 파워라인(17) 상부에는 제 2 층간 절연막(18)이 형성되어 있는데, 제 2 층간 절연막(18)은 제 1 층간 절연막(16)과 함께 드레인 영역(12b)과 소스 영역(12c)의 일부를 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀(18a, 18b)을 가지며, 또한 파워라인(17)을 일부 드러내는 제 3 콘택홀(18c)을 가진다.
다음, 제 2 층간 절연막(18) 상부에는 드레인 전극(19a)과 소스 전극(19b)이 형성되어 있다. 여기서, 드레인 전극(19a)은 제 1 콘택홀(18a)을 통해 드레인 영역(12b)과 연결되고, 소스 전극(19b)은 제 2 및 제 3 콘택홀(18b, 18c)을 통해 소스 영역(12c) 및 파워라인(17)과 각각 연결되어 있다.
이어, 드레인 전극(19a)과 소스 전극(19b) 상부에는 제 1 보호층(20)이 형성되어 있고, 제 1 보호층(20)은 드레인 전극(19a)을 일부 드러내는 제 4 콘택홀(20a)을 가진다.
다음, 제 1 보호층(20) 상부에는 투명 도전 물질로 이루어진 애노드 전극(21)이 형성되어 있고, 그 위에 제 2 보호층(22)이 형성되어 있다. 제 2 보호층(22)은 애노드 전극(21)을 일부 드러내는 뱅크(bank)(22a)를 가진다.
다음, 제 2 보호층(22)의 뱅크(22a) 위에는 유기 발광층(23)이 형성되어 있고, 그 위에 금속과 같은 불투명 도전 물질로 이루어진 캐소드 전극(24)이 형성되어 있다. 여기서, 캐소드 전극(24)은 기판 전면에 형성되어 있다.
도 2의 능동행렬 유기 LED에서는 애노드 전극(21)이 투명 도전 물질로 이루어지고, 캐소드 전극(24)은 불투명 도전 물질로 이루어지므로, 유기 발광층(23)에서의 빛은 애노드 전극(23)을 통해 하부로 방출되게 된다. 따라서, 하부 방출(bottom emission)을 이루게 된다.
이러한 종래의 능동행렬 유기 LED의 제조 과정을 도 3a 내지 도 3g에 도시하였다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(10) 위에 버퍼층(11)을 형성하고 그 위에 다결정 실리콘을 형성한 후, 다결정 실리콘을 제 1 마스크로 패터닝하여 아일랜드 형태를 가지는 반도체층(12, 13)을 형성한다.
다음, 도 3b에 도시한 바와 같이 반도체층(12, 13) 상부에 실리콘 산화막과 같은 절연막을 증착하고 그 위에 금속과 같은 도전 물질을 증착한 후, 제 2 마스크를 이용하여 패터닝함으로써 게이트 절연막(14) 및 게이트 전극(15)을 형성한다. 이어, 게이트 전극(15)을 마스크로 반도체층(도 3a의 12, 13)에 불순물을 주입하여, 불순물이 주입되지 않은 액티브층(12a)과 불순물이 주입된 드레인 영역(12b) 및 소스 영역(12c) 그리고 커패시터 전극(13a)을 형성한다. 여기서, 드레인 영역(12b)과 소스 영역(12c)은 액티브층(12a) 양측에 위치한다.
다음, 도 3c에 도시한 바와 같이 게이트 전극(15) 위에 제 1 층간절연막(16)을 형성하고, 그 위에 금속과 같은 도전 물질을 증착한 후 제 3 마스크로 패터닝하여, 커패시터 전극(13a) 상부에 파워라인(17)을 형성한다. 파워라인(17)은 커패시터 전극(13a)과 스토리지 커패시터를 이룬다.
이어, 도 3d에 도시한 바와 같이 파워라인(17) 상부에 제 2 층간 절연막(18)을 형성하고, 제 4 마스크를 이용하여 패터닝함으로써 제 1 내지 제 3 콘택홀(18a, 18b, 18c)을 형성한다. 제 1 콘택홀(18a)은 드레인 영역(12b)을 드러내고, 제 2 콘택홀(18b)은 소스 영역(12c)을 드러내며, 제 3 콘택홀(18c)은 파워라인(17)을 드러낸다.
다음, 도 3e에 도시한 바와 같이 제 2 층간 절연막(18) 상부에 금속과 같은 도전 물질을 증착하고 제 5 마스크로 패터닝하여, 드레인 전극(19a)과 소스 전극(19b)을 형성한다. 드레인 전극(19a)은 제 1 콘택홀(18a)을 통해 드레인 영역(12b)과 연결되고, 소스 전극(19b)은 제 2 및 제 3 콘택홀(18b, 18c)을 통해 소스 영역(12c) 및 파워라인(17)과 각각 연결된다.
다음, 도 3f에 도시한 바와 같이 드레인 전극(19a)과 소스 전극(19b) 상부에 제 1 보호층(20)을 형성하고, 이를 제 6 마스크로 패터닝하여 드레인 전극(19a)을 드러내는 제 4 콘택홀(20a)을 형성한다.
이어, 도 3g에 도시한 바와 같이 투명 도전 물질을 증착하고 제 7 마스크를 이용하여 패터닝함으로써, 제 4 콘택홀(20a)을 통해 드레인 전극(19a)과 연결되는 애노드 전극(21)을 형성한다.
다음, 도 3h에 도시한 바와 같이 애노드 전극(21) 상부에 제 2 보호층(22)을형성하고 제 8 마스크로 패터닝하여, 애노드 전극(21)을 드러내는 뱅크(22a)를 형성한다.
다음, 도 3i에 도시한 바와 같이 제 2 보호층(22)의 뱅크(22a) 상부에 유기 발광층(23)을 성막하고, 그 위에 금속과 같은 불투명 도전 물질을 증착하여 캐소드 전극(24)을 형성한다.
이와 같은 방법으로 능동행렬 유기 LED를 제조할 수 있는데, 이러한 능동행렬 유기 LED에서는 파워라인이 배선 형태를 취하므로, 박막 트랜지스터의 구동시 열이 발생하게 되면 이를 발산하는데 문제가 있다. 또한, 배선 저항으로 인해 전류 구동을 하는데 있어 화질의 불균일이 발생할 수 있다.
한편, 능동행렬 유기 LED는 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 사진 식각하는 공정을 여러 번 반복함으로써 형성되고, 이때 사용하는 마스크 수가 공정수를 나타낸다. 사진 식각 공정에는 세정, 감광막 도포, 노광 및 현상, 식각 등 여러 공정을 수반하고 있기 때문에, 마스크 수를 하나만 줄이더라도 제조 공정과 시간 및 비용 등을 크게 줄일 수 있다. 그런데, 앞서 설명한 능동행렬 유기 LED의 경우에는 8장의 마스크를 이용하여 제조해야 하므로, 제조 공정이 길어 불량 발생 요인이 많아지고, 이에 따라 수율이 저하되며 비용이 증가하는 문제가 있다.
또한, 능동행렬 유기 LED에서는 한 화소 내에 다수의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터를 가지며, 스토리지 커패시터를 불투명한 물질로 형성하므로 발광면적이 줄어들어 개구율이 저하된다. 이에 따라, 휘도를 향상시키기 위해서는 전류 밀도가 높아지므로 유기 LED의 수명이 저하된다.
더욱이, 상기 액티브층을 형성하기 위해, 다결정 실리콘을 기판의 전면에 대해 형성하고 이를 패턴하는 공정에서, 상기 다결정 실리콘층을 구성하는 그레인과 그레인 바운더리의 식각 선택비가 다르기 때문에 이를 모두 식각하려면 식각 시간을 늘려 과식각(ovet etching)하는 공정을 진행하게 된다.
그런데, 상기 과식각 공정에서 폴리 실리콘 중 이미 제거된 부분으로 노출된 일부 버퍼층의 표면이 깍이는 현상이 일어나게 되고, 다결정 실리콘을 모두 제거하게 되면 결과적으로 버퍼층의 표면에 결정형상의 모양이 남겨지게 된다.
이러한 경우에는 상기 버퍼층에 증착되는 게이트 절연막과 층간절연막 등을 성막할 때 버퍼층의 표면에 남겨진 형상이 그대로 전사되어 상기 양극전극에 해당되는 층인 ITO 전극 표면의 거칠기가 나쁘게 된다.
이는 유기 발광층과 음극전극 형성 후, 구동시에 상기 거칠기에 따라 양극과 음극간의 균일한 필드가 형성되지 않고 편재되게 함으로써 수명의 저하를 유발하는 원인이 된다. 또한, 표면의 거칠기로 인하여 정류비 특성 또한 좋지 못하여 액티브 구동시 그레이(gray)재현에 좋지 않은 영향을 준다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 파워라인의 열화를 방지하며, 균일한 화질을 나타내는 능동행렬 유기 LED 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제조 공정 및 비용을 감소시킬 수 있으며, 개구율을증가시켜 수명이 긴 능동행렬 유기 LED 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 게이트 전극을 형성한 후, 데이터 배선을 형성하기 전 층간절연막을 유기절연층으로 형성하여 표면을 평탄하게 함으로써, 버퍼층의 표면 거칠기에 의해 발광층이 영향을 받지 않도록 하여, 발광층에 형성되는 필드가 균일하도록 하여 유기발광층의 수명이 긴 능동행렬 유기 LED 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소에 대한 회로도.
도 2는 종래의 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도.
도 3a 내지 도 3i는 종래의 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 과정을 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소에 대한 회로도.
도 6은 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대해 간략하게 도시한 평면도.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 과정을 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 그라운드층을 이용한 다결정 실리콘층의 사진.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 그라운드층의 평면도.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 그라운드층을 이용한 다결정 실리콘층의 사진.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 기판 120 : 그라운드층
130 : 버퍼층131 : 액티브층
132 : 드레인 영역133 : 소스 영역
140 : 게이트 절연막151 : 게이트 전극
152 : 제 1 커패시터 전극160 : 층간 절연막
161, 162, 163, 164 : 콘택홀171 : 캐소드 전극
172 : 드레인 전극173 : 소스 전극
174 : 제 2 커패시터 전극180 : 보호층
181 : 뱅크190 : 유기 발광층
200 : 애노드 전극
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자는 기판 상부에 그라운드층이 형성되어 있고, 그 위에 다결정 실리콘으로 이루어진 액티브층과 액티브층의 양측에 위치하는 소스 및 드레인 영역이 형성되어 있다. 이어, 액티브층 상부에는 게이트 절연막이 형성되어 있고, 게이트 절연막 상부에는 게이트 전극과 제 1 커패시터 전극이 형성되어 있다. 다음, 게이트 전극 및 제 1 커패시터 전극을 층간 절연막이 덮고 있으며, 층간 절연막 상부에 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되어 있는 캐소드 전극, 그리고 제 2 커패시터 전극이 형성되어 있다. 이어, 캐소드 전극 상부에 캐소드 전극을 드러내는 뱅크를 가지는 보호층이 형성되어 있고, 뱅크 위에 유기 발광층이 형성되어 있으며, 그 위에 애노드 전극이 형성되어 있다.
본 발명에서, 캐소드 전극은 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 불투명한 도전 물질로 이루어질 수도 있다. 이때, 애노드 전극은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.
한편, 캐소드 전극은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있는데, 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 이때 그라운드층은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지고, 애노드 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 것이 좋다. 여기서, 소스 및 드레인 전극은 투명 도전 물질과 불투명한 도전 물질의 이중층으로 이루어질 수 있다.
또한, 소스 전극은 그라운드층과 연결되어 있을 수 있고, 제 1 커패시터 전극은 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있을 수 있다. 이때, 제 1 커패시터 전극은 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
본 발명에서, 제 2 커패시터 전극은 그라운드층과 연결되어 있을 수 있으며, 제 2 커패시터 전극은 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
그라운드층은 액티브층과 소스 및 드레인 영역에 대응하는 부분에 개구부를 가질 수도 있다.
본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법에서는 기판 상부에 그라운드층을 형성하고, 그 위에 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체층을 형성한다. 이어, 게이트 절연막을 형성하고, 게이트 절연막 상부에 게이트 전극과 제 1 커패시터 전극을 형성한다. 다음, 게이트 전극을 마스크로 반도체층에 이온을 주입하여 소스 및 드레인 영역을 형성한다. 다음, 게이트 전극 및 제 1 커패시터 전극 상부에 층간 절연막을 형성하고, 그 위에 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되는 캐소드 전극, 그리고 제 2 커패시터 전극을형성한다. 이어, 캐소드 전극 상부에 캐소드 전극을 드러내는 뱅크를 가지는 보호층을 형성한 후, 뱅크 상부에 유기 발광층을 형성하고 그 위에 애노드 전극을 형성한다.
캐소드 전극을 형성하는 단계는 드레인 전극을 형성하는 단계와 동일한 공정으로 이루어질 수 있다. 이때, 캐소드 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있고, 애노드 전극은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.
한편, 캐소드 전극은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있는데, 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 이때 그라운드층은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지고, 애노드 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 소스 및 드레인 전극은 투명 도전 물질과 불투명 도전 물질의 이중층으로 이루어질 수도 있다.
본 발명에서, 소스 전극은 그라운드층과 연결될 수 있다.
제 1 커패시터 전극은 게이트 전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제 1 커패시터 전극은 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 제 2 커패시터 전극은 그라운드층과 연결될 수 있고, 제 2 커패시터 전극을 형성하는 단계는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와 동일한 공정으로 이루어질 수 있다.
그라운드층은 액티브층과 소스 및 드레인 영역에 대응하는 부분에 개구부를가지도록 이루어질 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 그라운드층과 파워라인을 기판 전면에 형성하여, 구동시 발산되는 열을 극소화함으로써 열화를 방지할 수 있고, 저항을 감소시켜 화질을 불균일을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 능동행렬 유기 LED에서는 캐소드 전극을 소스 및 드레인 전극과 같은 공정으로 형성함으로써, 제조 공정 및 비용을 줄이고 불량 발생 요인을 감소시켜 제조 수율을 증가시킬 수 있다.
한편, 본 발명은 상부 발광 방식 및 하부 발광 방식 모두 적용할 수 있는데, 상부 발광 방식을 이용할 경우에는 개구율이 증가되므로 유기 LED의 수명을 증가시킬 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬 유기 LED 및 그의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동행렬 유기 LED의 단면도이다. 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 그라운드층(120)이 형성되어 있고, 그 위에 버퍼층(130)이 형성되어 있다. 버퍼층(130) 상부에는 아일랜드 형태를 가지는 다결정 실리콘층(131, 132, 133)이 형성되어 있는데, 이 다결정 실리콘층(131, 132, 133)은 박막 트랜지스터의 액티브층(131)과 불순물이 도핑된 드레인 영역 및 소스 영역(132, 133)으로 나누어진다. 여기서, 그라운드층(120)은 기판(110) 전면에 형성되어 있으며, 버퍼층(130)은 기판(110)으로부터의 불순물이 액티브층(131)과 드레인 영역 및 소스 영역(132, 133)으로 유입되는 것을 방지하기 위한 것으로 실리콘 산화막과 같은 물질로 이루어질수 있다.
이어, 다결정 실리콘층(131, 132, 133) 상부에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있고, 액티브층(131) 상부의 게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(151)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(140) 상부에는 게이트 전극(151)과 동일한 물질로 이루어진 제 1 커패시터 전극(152)이 더 형성되어 있다.
다음, 게이트 전극(151) 및 제 1 커패시터 전극(152) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 이들을 덮고 있으며, 층간 절연막(160)은 제 1 내지 제 4 콘택홀(161, 162, 163, 164)을 가진다. 제 1 및 제 2 콘택홀(161, 162)은 게이트 절연막(140)에까지 연장되어 각각 드레인 영역(132)과 소스 영역(133)을 드러내고, 제 3 및 제 4 콘택홀(163, 164)은 게이트 절연막(140) 및 버퍼층(130)까지 연장되어 그라운드층(120)을 드러낸다.
다음, 층간 절연막(160) 상부에 금속과 같은 불투명 도전 물질로 캐소드 전극(171)과 드레인 전극(172) 및 소스 전극(173) 그리고 제 2 커패시터 전극(174)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(171)과 드레인 전극(172)은 연결되어 있으며, 드레인 전극(172)은 제 1 콘택홀(161)을 통해 드레인 영역(132)과 연결되어 있다. 또한, 소스 전극(173)은 제 2 및 제 3 콘택홀(162, 163)을 통해 소스 영역(133) 및 그라운드층(120)과 연결되어 있고, 제 2 커패시터 전극(174)은 제 4 콘택홀(164)을 통해 그라운드층(120)과 연결되어 있다. 여기서, 도시하지 않았지만 제 1 커패시터 전극(152)은 게이트 전극(151)과 전기적으로 연결되어 있으며, 제 1 및 제 2 커패시터 전극(152, 174)은 스토리지 커패시터를 이룬다. 한편, 캐소드 전극(171)은 게이트 전극(151) 상부에까지 형성되어 있을 수도 있다.
다음, 캐소드 전극(171)과 드레인 전극(172) 및 소스 전극(173) 그리고 제 2 커패시터 전극(174) 상부에는 보호층(180)이 형성되어 있고, 보호층(180)은 캐소드 전극(171)을 드러내는 뱅크(181)를 가진다.
이어, 보호층(180)의 뱅크(181) 상부에는 유기 발광층(190)이 형성되어 있으며, 그 위에 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : 이하 ITO라고 한다)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : 이하 IZO라고 한다)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 애노드 전극(200)이 기판 전면에 형성되어 있다. 여기서, 애노드 전극(200)은 파워라인의 역할도 하게 된다.
이러한 본 발명의 능동행렬 유기 LED에 대한 등가회로를 도 5에 도시하였다. 도시한 바와 같이, 게이트 배선(212)과 데이터 배선(211)이 교차하고, 게이트 배선(212) 및 데이터 배선(211)의 교차부분에는 스위칭 박막 트랜지스터(214)가 이들과 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(214)의 드레인 전극은 드라이빙 박막 트랜지스터(215)의 게이트 전극과 연결되어 있고, 드라이빙 박막 트랜지스터(215)의 드레인 전극은 발광 다이오드(217)의 캐소드 전극과 연결되어 있다. 드라이빙 박막 트랜지스터(215)의 소스 전극은 접지(ground)되어 있고, 발광 다이오드(217)의 애노드 전극은 파워라인(213)과 연결되어 있다. 다음, 드라이빙 박막 트랜지스터(215)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(216)가 드라이빙 박막 트랜지스터(215)의 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되어 있다.
이러한 본 발명에 따른 능동행렬 유기 LED에서 드라이빙 박막트랜지스터(216)는 n형 박막 트랜지스터인 것이 바람직하며, 스위칭 박막 트랜지스터(215)는 n형 박막 트랜지스터로 이루어질 수도 있고 또는 p형 박막 트랜지스터로 이루어질 수도 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 그라운드층과 파워라인층이 기판 전면에 형성되어 있는데, 이에 대한 평면도를 도 6에 도시하였다. 여기서, 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터와 같은 소자는 생략하였다. 도시한 바와 같이 기판(220) 상부에 그라운드층(221)과 파워라인층(222)이 형성되어 있는데, 그라운드층(221)과 파워라인층(222)은 각각 일측을 드러내도록 기판(220) 전면에 형성되어 있다. 그라운드층(221)과 파워라인층(222)이 중첩되는 부분은 화상이 표현되는 영역으로, 다수의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터 및 발광 다이오드가 형성되어 있다. 본 발명에서 파워라인층(222)은 발광 다이오드의 애노드 전극의 역할도 한다.
이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 그라운드층과 파워라인이 기판 전면에 형성되어 있으므로, 구동시 발산되는 열을 극소화하여 열화를 방지할 수 있고, 저항을 감소시켜 화질을 불균일을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에서는 하부의 캐소드 전극을 불투명 도전 물질로 형성하고 상부의 애노드 전극을 투명 도전 물질로 형성하여, 상부 발광(top emission) 방식을 이용하므로 개구율이 증가된다. 따라서, 구동시 전류의 밀도를 크게 하지 않더라도 휘도를 높일 수 있으므로 유기 LED의 수명을 증가시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동행렬 유기 LED의 제조 방법에 대하여 도 7a 내지 도 7g에 도시하였다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 금속과 같은 도전 물질을 증착하고 제 1 마스크로 패터닝하여 그라운드층(120)을 형성한다. 이때, 그라운드층(120)은 앞선 도 6에 도시한 바와 같이 넓은 면적을 가지고 화상 표시 영역 전부에 걸쳐 형성되어 있다. 이어, 그라운드층(120) 상부에 실리콘 산화막과 같은 물질로 버퍼층(130)을 형성한 후, 그 위에 다결정 실리콘을 형성하고 제 2 마스크로 패터닝하여 반도체층(135)을 형성한다. 여기서, 다결정 실리콘의 형성은 여러가지 방법으로 이루어질 수 있는데, 비정질 실리콘층을 증착하고 이를 열처리를 하거나 또는 비정질 실리콘층에 레이저 빔을 조사하는 방법을 이용하여 결정화할 수 있다. 또한, 기판(110)은 유리와 같은 투명 기판을 이용할 수도 있고, 불투명한 기판을 이용할 수도 있다.
다음, 도 7b에 도시한 바와 같이 반도체층(도 7a의 135) 상부에 게이트 절연막(140)을 증착한 후, 그 위에 금속과 같은 물질을 증착하고 제 3 마스크를 이용하여 패터닝함으로써 게이트 전극(151) 및 제 1 커패시터 전극(152)을 형성한다. 이어, 게이트 전극(151)을 마스크로 반도체층(도 7a의 135)의 양측에 불순물을 주입함으로써, 액티브층(131)과 액티브층(131) 양측의 드레인 및 소스 영역(132, 133)을 형성한다. 이때, 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화막으로 이루어질 수 있고 또는 실리콘 질화막으로 이루어질 수도 있다. 또한, 도시하지 않았지만 제 1 커패시터 전극(152)은 게이트 전극(151)과 전기적으로 연결된다.
다음, 도 7c에 도시한 바와 같이 게이트 전극(151) 및 제 1 커패시터 전극(152) 상부에 실리콘 산화막과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이크롤 부텐과 같은 유기절연물질을 증착하여 층간 절연막(160)을 형성하고, 이를 게이트 절연막(140) 및 버퍼층(130)과 함께 제 4 마스크로 패터닝하여 제 1 내지 제 4 콘택홀(161, 162, 163, 164)을 형성한다.
이때, 상기 층간 절연막(160)은 바람직하게는 유기절연물질을 도포하여 표면을 평탄화하는 기능을 하도록 한다.
왜냐하면, 앞서 종래에서 설명하였듯이, 다결정 실리콘을 패터닝하는 공정에서 버퍼층의 표면이 거칠어지는 경우가 발생하기 때문이다.
다시한번 설명하면, 다결정 실리콘을 기판의 전면에 대해 형성하고 이를 패턴하는 공정에서, 기판에 형성된 다결정 실리콘층을 구성하는 그레인과 그레인 바운더리의 식각 선택비가 다르기 때문에 이를 모두 식각하려면 식각 시간을 늘려 과식각(ovet etching)하는 공정을 진행하게 된다.
그런데, 상기 과식각 공정에서 다결정 실리콘층 중 이미 제거된 부분으로 노출된 일부 버퍼층의 표면이 깍이는 현상이 일어나게 되고, 다결정 실리콘층을 모두 제거하게 되면 결과적으로 버퍼층의 표면에 결정형상의 모양이 남겨지게 된다.
따라서, 상기 버퍼층 표면의 거칠기가 이후 형성되는 발광층에 영향을 미치지 않도록(절연막의 거칠기에 의해 전사된 투명 전극의 거칠기에 의해 발광층에 나타나는 영향) 상기 층간 절연막을 유기절연층으로 형성하여 표면을 평탄화 하는 공정이 필요하다.
다음, 도 7d에 도시한 바와 같이 층간 절연막(160) 상부에 금속과 같은 도전 물질을 증착하고 제 5 마스크로 패터닝하여, 캐소드 전극(171)과 드레인 전극(172) 및 소스 전극(173) 그리고 제 2 커패시터 전극(174)을 형성한다. 이때, 캐소드 전극(171)은 드레인 전극(172)과 연결되며, 드레인 전극(172)은 제 1 콘택홀(161)을 통해 드레인 영역(132)과 연결되고, 소스 전극(173)은 제 2 및 제 3 콘택홀(162, 163)을 통해 소스 영역(133) 및 그라운드층(120)과 연결된다. 또한, 제 2 커패시터 전극(174)은 제 4 콘택홀(164)을 통해 그라운드층(120)과 연결되며, 제 1 커패시터 전극(152)과 함께 스토리지 커패시터를 이룬다.
이어, 도 7e에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(171)과 드레인 전극(172) 및 소스 전극(173) 그리고 제 2 커패시터 전(174) 상부에 실리콘 산화막과 같은 물질을 증착하여 보호층(180)을 형성하고, 이를 제 6 마스크로 패터닝함으로써 캐소드 전극(171)을 드러내는 뱅크(181)를 형성한다.
이어, 도 7f에 도시한 바와 같이 뱅크(181) 상부에 유기 발광층(190)을 성막하고, 그 위에 ITO나 IZO와 같은 투명 도전 물질을 증착하여 애노드 전극(200)을 형성한다. 이때, 유기 발광층(190)은 잉크젯 방법이나 섀도우 마스크(shadow mask)를 이용하여 형성하며, 애노드 전극(200)은 섀도우 마스크를 이용하여 형성하므로 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정이 필요하지 않게 된다.
이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 6장의 마스크로 능동행렬 유기 LED를 제조할 수 있으므로, 제조 공정 및 비용을 줄이고 불량 발생 요인을 감소시켜 제조 수율을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에서는 상부 발광(top emission) 방식을 이용한 경우에 대하여 설명하였으나, 이를 하부 발광(bottom emission) 방식에도 적용할 수 있다.
이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동행렬 유기 LED에 대하여 도 8에 도시하였다.
도 8에 도시한 바와 같이, 절연 기판(310) 위에 ITO나 IZO와 같은 투명 도전물질로 이루어진 그라운드층(320)이 형성되어 있고, 그 위에 버퍼층(330)이 형성되어 있다. 버퍼층(330) 상부에는 아일랜드 형태를 가지는 다결정 실리콘층(331, 332, 333)이 형성되어 있는데, 이 다결정 실리콘층(331, 332, 333)은 박막 트랜스터의 액티브층(331)과 불순물이 도핑된 드레인 영역 및 소스 영역(332, 333)으로 나누어진다. 여기서, 그라운드층(320)은 기판(310) 전면에 형성되어 있으며, 절연 기판(310)은 유리와 같이 투명한 기판으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이어, 다결정 실리콘층(331, 332, 333) 상부에는 게이트 절연막(340)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(340) 위에는 게이트 전극(351)과 제 1 커패시터 전극(352)이 형성되어 있는데, 제 1 커패시터 전극(352)은 게이트 전극(251)과 전기적으로 연결되어 있다.
다음, 게이트 전극(351) 및 제 1 커패시터 전극(352) 위에는 층간 절연막(360)이 형성되어 이들을 덮고 있다.
이때, 상기 층간 절연막(360)을 유기절연층으로 형성하여 표면을 평탄화 하도록 한다.
상기 층간 절연막(360)은 제 1 내지 제 4 콘택홀(361, 362, 363, 364)을 가지며, 제 1 및 제 2 콘택홀(361, 362)은 게이트 절연막(340)에까지 연장되어 각각 드레인 영역(332)과 소스 영역(333)을 드러내고, 제 3 및 제 4 콘택홀(363, 364)은 게이트 절연막(340) 및 버퍼층(330)까지 연장되어 그라운드층(320)을 드러낸다.
다음, 층간 절연막(360) 상부에 캐소드 전극(371)과 드레인 전극(372a, 372b) 및 소스 전극(373a, 373b) 그리고 제 2 커패시터 전극(374a, 374b)이 형성되어 있다. 여기서, 캐소드 전극(371)은 ITO나 IZO와 같은 투명 도전 물질로 이루어지고 드레인 전극(372a, 372b)과 연결되어 있으며, 드레인 전극(372a, 372b)과 소스 전극(373a, 373b) 및 제 2 커패시터 전극(374a, 374b)은 하부의 투명 도전 물질과 상부의 금속 물질의 이중층으로 이루어질 수 있다. 이때, 드레인 전극(372a, 372b)은 제 1 콘택홀(361)을 통해 드레인 영역(332)과 연결되어 있고, 소스 전극(373a, 373b)은 제 2 및 제 3 콘택홀(362, 363)을 통해 소스 영역(333) 및 그라운드층(320)과 연결되어 있고, 제 2 커패시터 전극(374a, 374b)은 제 4 콘택홀(364)을 통해 그라운드층(320)과 연결되어 있다. 제 2 커패시터 전극(374a, 374b)은 제 1 커패시터 전극(352)과 함께 스토리지 커패시터를 이룬다.
다음, 캐소드 전극(371)과 드레인 전극(372a, 372b) 및 소스 전극(373a, 373b) 그리고 제 2 커패시터 전극(374a, 374b) 상부에는 보호층(380)이 형성되어 있고, 보호층(380)은 캐소드 전극(371)을 드러내는 뱅크(381)를 가진다.
이어, 보호층(380)의 뱅크(381) 상부에는 유기 발광층(390)이 형성되어 있으며, 그 위에 금속과 같은 불투명 도전 물질로 이루어진 애노드 전극(400)이 기판전면에 형성되어 있다. 여기서, 애노드 전극(400)은 파워라인의 역할도 하게 된다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 그라운드층과 파워라인을 기판 전면에 형성하여, 열화를 방지하고 화질을 균일하게 하는데 있어서, 캐소드 전극과 그라운드층을 투명 도전 물질로 형성하고 애노드 전극을 불투명 도전 물질로 형성하여, 하부 발광 방식을 이용할 수 있다.
이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동행렬 유기 LED는 앞선 제 1 실시예와 같은 방법으로 제조할 수 있다. 이때, 제 1 실시예에서처럼 6장의 마스크를 이용하여 형성하기 위해서는, 캐소드 전극과 소스 및 드레인 전극 그리고 제 2 커패시터 전극 형성시 투명 도전 물질과 불투명 도전 물질을 차례로 증착하고 감광막을 도포한 다음, 캐소드 전극이 형성될 부분에 슬릿(slit)과 같은 미세한 패턴이 형성되어 있는 마스크를 이용하여 노광하고 패터닝한다.
한편, 앞서 언급한 바와 같이 액티브층과 소스 및 드레인 영역은 비정질 실리콘을 증착하고 이를 열처리하거나 레이저빔을 조사하여 결정화함으로써 형성된다. 그런데, 본 발명에서와 같이 그라운드층을 기판 전면에 형성하고, 그 위에 비정질 실리콘을 형성한 후 이를 결정화할 경우, 비정질 실리콘을 결정화하는데 필요한 열이 열전도도가 높은 그라운드층에 의해 분산 방출되므로, 결정화하는데 걸리는 시간이 길어지게 되고 결정화가 제대로 이루어지지 않게 된다. 이때 결정화된 박막의 사진을 도 9에 도시하였는데, 도시한 바와 같이 결정립의 크기가 작은 박막을 얻게 되고 소자특성이 저하되는 문제가 있다.
특히 레이저빔을 이용할 경우 결정 상태는 더욱 나빠지게 되는데, 이는 레이저빔을 이용한 결정화 방법은 빛에 의한 에너지를 이용하는 것으로, 빛에 의한 에너지는 그라운드층에 의해 더욱 쉽게 분산되기 때문이다.
따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 본 발명의 다른 실시예에서는 박막 트랜지스터, 특히 액티브층과 소스 및 드레인 영역이 형성되는 부분의 그라운드층을 제거한다. 이에 따른 그라운드층에 대한 평면도를 도 10에 도시하였는데, 도시한 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 그라운드층(421)은 내부에 다수 개의 개구부(421a)를 가진다. 상기한 바와 같이 이 개구부(421a)는 박막 트랜지스터가 형성되는 위치에 대응한다.
도 10의 그라운드층을 이용하여 형성된 다결정 실리콘층의 사진을 도 11에 도시하였는데, 도시한 바와 같이 결정립의 크기가 큰 다결정 실리콘층이 형성됨을 알 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
본 발명에서는 그라운드층과 파워라인을 기판 전면에 형성하여, 구동시 발산되는 열을 극소화함으로써 열화를 방지할 수 있고, 저항을 감소시켜 화질을 불균일을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 능동행렬 유기 LED에서는 캐소드 전극을 소스 및 드레인 전극과 같은 공정으로 형성함으로써, 제조 공정 및 비용을 줄이고 불량 발생 요인을 감소시켜 제조 수율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 게이트 배선과 데이터 배선 사이에 개재되는 층간 절연막을 유기절연층으로 형성하는데, 이를 통한 표면 평탄화 효과에 의해 발광층의 전계 형성이 균일하도록 하여, 균일한 정류비 특성에 의한 그레인 재현특성을 개선할 수 있고 동시에, 발광층의 수명을 연장할 수 있다.
한편, 본 발명은 상부 발광 방식 및 하부 발광 방식 모두 적용할 수 있는데,상부 발광 방식을 이용할 경우에는 개구율이 증가되므로 유기 LED의 수명을 증가시킬 수 있다.

Claims (32)

  1. 기판;
    상기 기판 상부에 형성되어 있는 그라운드층;
    상기 그라운드층 상부에 형성되어 있고, 다결정 실리콘으로 이루어진 액티브층;
    상기 액티브층의 양측에 위치하는 소스 및 드레인 영역;
    상기 액티브층 상부에 형성되어 있는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있는 게이트 전극;
    상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있는 제 1 커패시터 전극;
    상기 게이트 전극 및 제 1 커패시터 전극을 덮고 있는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상부에 형성되고 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극;
    상기 층간 절연막 상부에 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 캐소드 전극;
    상기 층간 절연막 상부에 형성되어 있는 제 2 커패시터 전극;
    상기 캐소드 전극을 드러내는 뱅크를 가지는 보호층;
    상기 보호층의 뱅크 위에 형성되어 있는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상부에 형성되어 있는 애노드 전극
    을 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 애노드 전극은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 투명 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 그라운드층은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 애노드 전극은 상기 불투명한 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 소스 및 드레인 전극은 투명 도전 물질과 불투명한 도전 물질의 이중층으로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 상기 그라운드층과 연결되어 있는 능동행렬 유기전기발광소자.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 커패시터 전극은 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 능동행렬 유기전기발광소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 커패시터 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 커패시터 전극은 상기 그라운드층과 연결되어 있는 능동행렬 유기전기발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 커패시터 전극은 상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 그라운드층은 상기 액티브층과 소스 및 드레인 영역에 대응하는 부분에 개구부를 가지는 능동행렬 유기전기발광소자.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 층간 절연막은 유기절연층인 능동행렬 유기전계 발광소자.
  17. 기판 상부에 그라운드층을 형성하는 단계;
    상기 그라운드층 상부에 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상부에 제 1 커패시터 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극을 마스크로 상기 반도체층에 이온을 주입하여 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 및 제 1 커패시터 전극 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상부에 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상부에 상기 드레인 전극과 연결되는 캐소드 전극을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상부에 제 2 커패시터 전극을 형성하는 단계;
    상기 캐소드 전극 상부에 상기 캐소드 전극을 드러내는 뱅크를 가지는 보호층을 형성하는 단계;
    상기 뱅크 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층 상부에 애노드 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는 상기 드레인 전극을 형성하는 단계와 동일한 공정으로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 애노드 전극은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 투명 도전 물질로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 그라운드층은 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 애노드 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 소스 및 드레인 전극은 투명 도전 물질과 불투명 도전 물질의 이중층으로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  26. 제 17 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 상기 그라운드층과 연결되는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  27. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 커패시터 전극은 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 1 커패시터 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  29. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 2 커패시터 전극은 상기 그라운드층과 연결되는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 제 2 커패시터 전극을 형성하는 단계는 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와 동일한 공정으로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  31. 제 16 항에 있어서,
    상기 그라운드층은 상기 액티브층과 소스 및 드레인 영역에 대응하는 부분에 개구부를 가지도록 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.
  32. 제 17 항에 있어서,
    상기 층간 절연막은 유기절연층으로 형성한 능동행렬 유기전계 발광소자의 제조 방법.
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TW092110050A TWI255432B (en) 2002-06-03 2003-04-29 Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
CNB031241344A CN100470842C (zh) 2002-06-03 2003-04-30 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法
JP2003157754A JP4091481B2 (ja) 2002-06-03 2003-06-03 アクティブ・マトリクス有機電界発光素子及びその製造方法
US10/994,290 US7094624B2 (en) 2001-12-29 2004-11-23 Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
KR101015850B1 (ko) * 2009-02-09 2011-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101026812B1 (ko) * 2003-11-28 2011-04-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101151797B1 (ko) * 2005-06-10 2012-06-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법
KR101373386B1 (ko) * 2006-12-27 2014-03-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140077023A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판, 이를 포함한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US9013461B2 (en) 2010-03-18 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9012890B2 (en) 2010-07-07 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR20160008680A (ko) * 2014-07-14 2016-01-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20190102157A (ko) * 2008-10-16 2019-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 플렉시블 발광 장치, 전자기기 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법
CN113078272A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
KR100635042B1 (ko) * 2001-12-14 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
US6835954B2 (en) * 2001-12-29 2004-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device
KR100497096B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
US7495257B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100710170B1 (ko) * 2003-12-30 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
TWI648719B (zh) * 2004-09-16 2019-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 具有圖素的顯示裝置和電子裝置
US20060103299A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 The Hong Kong University Of Science And Technology Polycrystalline silicon as an electrode for a light emitting diode & method of making the same
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7586121B2 (en) * 2004-12-07 2009-09-08 Au Optronics Corp. Electroluminescence device having stacked capacitors
US7652291B2 (en) * 2005-05-28 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
US7459351B2 (en) * 2005-08-16 2008-12-02 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Method of manufacturing an AMOLED
JP5148086B2 (ja) * 2005-08-18 2013-02-20 三星電子株式会社 有機薄膜トランジスタ表示板
KR101152134B1 (ko) 2005-08-26 2012-06-15 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI280073B (en) * 2005-09-15 2007-04-21 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display panel
US7381596B2 (en) * 2005-09-26 2008-06-03 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Method of manufacturing an AMOLED
JP4939045B2 (ja) 2005-11-30 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4661557B2 (ja) 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US20070176538A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Eastman Kodak Company Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry
KR101276662B1 (ko) * 2006-06-30 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
TWI317556B (en) * 2006-11-10 2009-11-21 Innolux Display Corp Top emission type oled and method for fabricating same
KR101366162B1 (ko) * 2007-03-20 2014-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조방법
KR100942562B1 (ko) * 2008-01-17 2010-02-12 재단법인서울대학교산학협력재단 조명용 유기 발광 다이오드 장치
JP2010055070A (ja) * 2008-07-30 2010-03-11 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
KR101422362B1 (ko) 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기
KR101073562B1 (ko) * 2009-08-21 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 패드부, 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 유기전계발광표시장치의 제조방법
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
KR101714539B1 (ko) * 2010-08-24 2017-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104094431B (zh) * 2012-02-03 2018-03-27 皇家飞利浦有限公司 Oled设备及其制造
KR101335527B1 (ko) * 2012-02-23 2013-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
KR101938761B1 (ko) * 2012-05-23 2019-01-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6076626B2 (ja) * 2012-06-14 2017-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
FR2999018B1 (fr) * 2012-11-30 2016-01-22 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage a diodes electroluminescentes organiques
KR102100880B1 (ko) * 2013-06-26 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN104091818B (zh) * 2014-06-23 2017-09-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法
KR102175811B1 (ko) 2014-09-17 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102304725B1 (ko) * 2014-10-16 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102567317B1 (ko) * 2015-12-29 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치
CN107871757B (zh) * 2016-09-23 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106876407B (zh) * 2017-02-07 2019-11-08 信利（惠州）智能显示有限公司 薄膜晶体管及制备方法
KR102092034B1 (ko) * 2017-12-06 2020-03-23 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20190096468A (ko) * 2018-02-08 2019-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11180519B2 (en) 2018-02-09 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109166864A (zh) * 2018-08-08 2019-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN109166865B (zh) * 2018-08-08 2020-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN109904210B (zh) * 2019-03-27 2021-08-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11600688B2 (en) * 2019-04-05 2023-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110391283B (zh) * 2019-07-31 2022-05-27 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置
US11404588B2 (en) * 2019-12-11 2022-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel
CN113629104A (zh) * 2020-05-09 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、显示基板及显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644327A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
US6909114B1 (en) * 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
JP3880244B2 (ja) * 1999-06-04 2007-02-14 キヤノン株式会社 発光装置
KR100675622B1 (ko) * 1999-08-16 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광표시장치
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP4700156B2 (ja) * 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001237063A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス光源
TW495809B (en) * 2000-02-28 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device
JP2001267086A (ja) * 2000-03-23 2001-09-28 Fujitsu Ltd ディスプレイパネルおよびそのパネルを搭載した情報処理装置
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
US6835954B2 (en) 2001-12-29 2004-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
KR101026812B1 (ko) * 2003-11-28 2011-04-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101151797B1 (ko) * 2005-06-10 2012-06-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법
KR101373386B1 (ko) * 2006-12-27 2014-03-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20190102157A (ko) * 2008-10-16 2019-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 플렉시블 발광 장치, 전자기기 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법
US11189676B2 (en) 2008-10-16 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having fluorescent and phosphorescent materials
US11930668B2 (en) 2008-10-16 2024-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible light-emitting device and EL module including transparent conductive film
US8241933B2 (en) 2009-02-09 2012-08-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR101015850B1 (ko) * 2009-02-09 2011-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9013461B2 (en) 2010-03-18 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9595574B2 (en) 2010-03-18 2017-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9012890B2 (en) 2010-07-07 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR20140077023A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판, 이를 포함한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20160008680A (ko) * 2014-07-14 2016-01-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법
CN113078272A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备
CN113078272B (zh) * 2020-01-06 2023-05-05 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备

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