JP2005077945A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 250
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 55
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 10
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 108090000237 interleukin-24 Proteins 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【課題】歩留まりの低下を招くことなく、低コストでありながら、短時間で精度良く所望の厚さの基板を得ることが可能な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の第1主面に複数の表示画素を形成する工程(ST11)と、基板の第2主面を所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する工程(ST12)と、化学的に研磨された基板の第2主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程(ST17)と、を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板の第1主面に複数の表示画素を形成する工程(ST11)と、基板の第2主面を所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する工程(ST12)と、化学的に研磨された基板の第2主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程(ST17)と、を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【選択図】 図2
Description
この発明は、表示装置の製造方法に係り、特に、基板の薄型化が可能な表示装置の製造方法に関する。
液晶表示装置に代表される平面表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、OA機器、情報端末、時計、テレビなどの各種分野で利用されている。中でも薄膜トランジスタ(TFT)を用いた液晶表示装置は、その応答性の高さから携帯端末やコンピュータなど多くの情報を表示するモニタとして多用されている。
近年、携帯電話やPDA(personal digital assistant)などの携帯情報端末機器では性能面もさることながら、デザイン性、携帯性などの観点から、より薄くしかもより軽い表示装置の要求が高まっている。例えば、より一層の薄型化構造を実現とする液晶表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
一般的に剛直であるはずのガラス基板であっても、厚さ0.2mm以下のものを採用すると幾ばくかの柔軟性を示す。このため、このような薄板状のガラス基板を適用した薄型化構造の液晶表示装置では、外部からの応力に対して変形し、ガラス基板の破損を回避できるとの期待も高まっている。
特開平5−61011号公報
しかしながら、薄板状のガラス基板を適用した液晶表示装置などの表示装置では、薄板状のガラス基板を形成する工程でのハンドリングの難しさや、薄板ガラス基板単体での脆さにより、歩留まりが著しく低下するといった問題がある。
また、薄板状のガラス基板を製造するにあたり、低コストの化学的研磨方法では、短時間で所望の厚さまでガラス基板を研磨することは困難であり、しかも、研磨した面内での所望の厚さに対するバラツキを抑えることが困難である。
そこで、この発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、歩留まりの低下を招くことなく、低コストでありながら、短時間で精度良く所望の厚さの基板を得ることが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。
この発明の第1の様態による表示装置の製造方法は、
基板の第1主面に複数の表示画素を形成する工程と、
前記基板の第2主面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された前記基板の第2主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする。
基板の第1主面に複数の表示画素を形成する工程と、
前記基板の第2主面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された前記基板の第2主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする。
この発明の第2の様態による表示装置の製造方法は、
マザー基板の第1主面に表示画素を含む複数の有効表示部を形成する工程と、
前記マザー基板の第2主面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された前記マザー基板を複数のセグメントに分断する工程と、
前記マザー基板の第2主面に相当する各セグメントの主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする。
マザー基板の第1主面に表示画素を含む複数の有効表示部を形成する工程と、
前記マザー基板の第2主面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された前記マザー基板を複数のセグメントに分断する工程と、
前記マザー基板の第2主面に相当する各セグメントの主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、歩留まりの低下を招くことなく、低コストでありながら、短時間で精度良く所望の厚さの基板を得ることが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。この実施の形態では、表示装置の一例として液晶表示装置を例に説明するが、自己発光素子を備えた有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)表示装置などの自己発光型表示装置であっても良い。
図1に示すように、液晶表示装置1は、液晶表示パネル100を備えて構成されている。すなわち、液晶表示パネル100は、アレイ基板200と、対向基板400と、アレイ基板200と対向基板400との間に保持された液晶層300とを備えている。この液晶表示パネル100は、画像を表示する有効表示部102を有している。
この有効表示部102は、アレイ基板200と対向基板400とを所定のギャップをもって貼り合わせるシール材104によって囲まれた内部に形成されている。このような有効表示部102は、マトリクス状に配置された複数の表示画素PXを備えて構成されている。
アレイ基板200は、0.2mm以下の厚さを有する(この実施の形態では0.1mmの厚さを有する)ガラス基板201を用いて形成される。このアレイ基板200は、有効表示部102において、第1主面(内面)上に、マトリクス状に配置された複数の信号線X及び複数の走査線Yと、信号線Xと走査線Yとの交点近傍に配置された薄膜トランジスタなどによって構成されたスイッチ素子211と、スイッチ素子211に接続された画素電極213と、を備えている。
対向基板400は、0.2mm以下の厚さを有する(この実施の形態では0.1mmの厚さを有する)ガラス基板401を用いて形成される。この対向基板400は、有効表示部102において、第1主面(内面)上に、画素電極213に対向して配置された共通電極411を備えている。
有効表示部102の周辺に位置する駆動回路部110は、複数の走査線Yに接続された走査線駆動回路部251、及び、複数の信号線Xに接続された信号線駆動回路部261を備えている。走査線駆動回路部251は、各走査線Yに駆動信号(走査信号)を供給する。また、信号線駆動回路部261は、各信号線Xに駆動信号(映像信号)を供給する。
上述したような薄板状の基板を用いて構成された表示装置は、基板の第1主面(内面)に複数の表示画素PXを形成する工程と、基板の第2主面(外面)を所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する工程と、化学的に研磨された基板の第2主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、を経て製造される。
すなわち、このような表示装置の製造方法において、厚板状の基板を比較的大きな研磨量で所望する厚さ近くまで研磨する第1薄板化工程では、化学的な処理を採用する。ここで言う化学的な処理とは、フッ酸などの強い酸性溶液や、強いアルカリ性溶液の研磨溶液を用いてガラス基板の表面(外面)を水ガラスに変化させ、この水ガラスを基板表面から除去をすることで研磨する方法である。
このようないわゆる化学的研磨処理(ケミカルエッチングとも呼ばれる)は、機械的な処理によってガラス基板を研磨する方法と比べ、比較的低コストであり、しかも、単位時間あたりの研磨量が大きいといった特徴を有している。但し、このような化学的研磨処理は、一種の粗削りに相当し、精度良く基板の厚さを制御することが困難である。
したがって、このような化学的研磨処理によって所望の厚さまで基板を薄板化することは困難である。このため、薄板化した基板の最終的な厚さとして、例えば0.2mmの厚さを所望する場合、好ましくは基板1枚当りの厚さが0.3mm前後の範囲まで化学的研磨処理によって研磨することが歩留まり及び量産性に適している。
一方、化学的研磨処理に続いて行う第2薄板化工程では、所望する厚さに近い状態の基板を比較的小さな研磨量で所望する厚さまで研磨する必要がある。すなわち、基板を精度良く加工する必要があることから、第2薄板化工程では、機械的な処理を採用することが有効である。ここで言う機械的な処理とは、切削加工や、アルミナ(Al2O3)粒子や酸化セリウム粒子などの研磨材を用いたラッピング加工、及び、ポリシング加工などである。
このようないわゆる機械的研磨処理は、化学的な処理によってガラス基板を研磨する方法と比べ、単位時間あたりの研磨量が少ないが、精度良く基板の厚さを制御することが可能である。このため、薄板化した基板の最終的な厚さとして、例えば0.2mmの厚さを所望する場合、先の化学的研磨処理にて基板1枚当り0.3mm前後の厚さまで研磨した状態であれば、基板1枚当りの厚さが0.3mm以下での研磨処理に機械的研磨処理を採用することで、歩留まり及び量産性を低下することなく、精度良く所望の厚さの基板を得るのに適している。
上述したような薄板状の基板を用いた表示装置の製造方法は、さらに、第1薄板化工程での化学的研磨処理にて研磨された基板の厚さを計測する工程を含み、機械的研磨処理を行う第2薄板化工程は、この計測工程にて計測された基板の厚さに基づいて機械的に研磨する研磨量を設定する。このため、化学的研磨処理での研磨条件の差異などに基づく基板の厚さのバラツキ(研磨量の誤差)を考慮して、適正な研磨量を算出した上で、先に説明した機械的研磨処理が行われ、より精度良く所望の厚さの基板を得ることができる。
なお、機械的研磨工程により最終的に得られる基板の厚さ(基板の所望する厚さ)をa、化学的研磨工程にて研磨された基板の厚さをb±αとすると、
(b±α)−a ≧ 0.1mm
の関係を満たすことが歩留まりや品質の観点から好ましい。
(b±α)−a ≧ 0.1mm
の関係を満たすことが歩留まりや品質の観点から好ましい。
ここで、αは基板の平均厚さに対する外面(研磨面)上での厚さバラツキの最大値に相当し、また、液晶表示装置のように一対の基板の両外面を研磨する場合には、αは一対の基板それぞれの平均厚さバラツキ、及び、各基板の平均厚さに対する外面(研磨面)内での厚さバラツキの最大値に相当する。
[(b±α)−a]によって決まる研磨量が少なくとも基板一枚当り0.1mm以上あれば、第2薄板化工程以降の機械的研磨処理の条件設定によって最終目的である基板厚さaを実現することが可能となる。一方、研磨量[(b±α)−a]が基板一枚当り0.1mm未満の場合には、第2薄板化工程以降の機械的研磨処理の条件設定が非常に困難となるため、量産性及び歩留まりの低下が危惧される。基板の厚さバラツキαは、機械的研磨処理による生産性及び歩留まりを考慮すると、[(b−a)/2]以下であることが特に好ましい。
第2薄板化工程での機械的研磨処理工程は、第1研磨材を用いる第1工程と、この第1工程に続いて第1研磨材より微細な粒径を有する第2研磨材を用いる第2工程と、を含んでも良い。すなわち、先に第1工程として、比較的粗い粒径の第1研磨材を用いていわゆるラッピング処理を行い、続く第2工程として、比較的微細な粒径の第2研磨材を用いてポリッシング処理を行うことにより、さらに精度良く所望の厚さの基板を得ることができるとともに、基板表面の鏡面仕上げが可能となり、基板を通過する光の透過率の低減及び不所望な乱反射を防止することができる。
上述したような薄板状の基板を用いた表示装置の製造方法は、さらに、少なくとも複数の表示画素PXからなる有効表示部102をシールする工程を含むことが望ましい。このように、表示画素PXの形成工程の後、有効表示部102をシール(密封)することにより、後の第1薄板化工程での化学的研磨処理で用いられる研磨溶液及び第2薄板化工程での機械的研磨処理で用いられる研磨材の表示画素PXへの浸入を防ぐことができ、有効表示部102での表示不良の発生を未然に防止することができる。
また、大型のマザー基板を用いて構成された表示装置は、マザー基板の第1主面(内面)に表示画素PXを含む複数の有効表示部102を形成する工程と、マザー基板の第2主面(外面)を所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する工程と、化学的に研磨されたマザー基板を複数のセグメントに分断する工程と、マザー基板の第2主面に相当する各セグメントの主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、を経て製造される。
このように、大型のマザー基板を化学的研磨処理による第1薄板化工程にて薄板化した後には、マザー基板を複数のセグメントに分断することが望ましい。このような分断処理によって分断されるセグメントは、いくつかの形態が選択可能である。例えば、単個と呼ばれる1個単位のセルに細分化したセグメントに分断する方法と、短冊と呼ばれる1個単位のセルが一方向に複数個連なった帯状のセグメントに分断する方法とがある。
すなわち、第2薄板化工程以降では、極めて薄い厚さ(例えば0.3mm以下の厚さ)の基板をハンドリングすることになるため、基板の自重による撓みや曲がりが生じやすくなる。マザー基板の状態で第2薄板化工程以降の機械的研磨処理を行った場合には、基板の自重による基板の破損といった不良が特に発生し易い。
このため、第1薄板化工程にて薄板化されたマザー基板から単個状または短冊状のセグメントに分断することにより、基板の自重自体が分散(低減)される。これにより、基板の撓みや曲がりを抑制することができ、製造工程での基板のハンドリングも容易となる。また、一つのセルで仮に割れや欠けといった不良が発生した場合においても、マザー基板のように、基板全体への影響が広がる危険性が減り、単個状または短冊状のセグメント単位での不良にとどまることから、歩留まりの点でも非常に有効である。
特に、薄板状の基板を用いて構成された液晶表示装置は、2枚の基板の少なくとも一方に電極すなわち画素電極213及び共通電極411を形成し、これらの電極を形成した面を内面とするよう2枚の基板を所定のギャップをもって貼り合わせる工程と、貼り合わせられた一対の基板すなわちアレイ基板200及び対向基板400の外面を所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する工程と、化学的に研磨された一対の基板間に液晶組成物300を注入し、封止する工程と、液晶組成物を封止した一対の基板の外面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、を経て製造される。
このように、液晶表示装置の場合、空のセルを形成した後に、第1薄板化工程で化学的研磨処理を行い、その後、空セル内すなわちアレイ基板200と対向基板400との間に形成されたギャップに液晶組成物を注入し、エポキシ樹脂などの樹脂材料を用いて封止することでセル内部の液晶組成物を密閉し、液晶層300を形成する。このため、この後に続く第2薄板化工程での機械的研磨処理において、セルの内部への研磨液や研磨材の浸入の懸念が無くなり、表示不良の発生を未然に防止することができる。
また、大型のマザー基板を用いて構成された液晶表示装置は、2枚のマザー基板の少なくとも一方に複数の有効表示部102に対応してそれぞれ画素電極213及び共通電極411を形成し、これらの電極を形成した面を内面とするよう2枚のマザー基板を所定のギャップを持って第1シール材104によって貼り合わせるとともに、一対のマザー基板の外縁に沿って第2シール材を配置する工程と、貼り合わせられた一対のマザー基板の外面を所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する工程と、化学的に研磨された一対のマザー基板を複数のセグメントに分断する工程と、分断されたセグメントの一対の基板間に液晶組成物を注入し、封止する工程と、液晶組成物を封止した一対の基板の外面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、を経て製造される。
このように、対向する2枚のマザー基板を貼り合わせるためのシール構造は、複数の有効表示部102のそれぞれを囲むとともに各々のセルに液晶組成物を注入するための注入口を確保した状態の本シール構造と、各セル内に化学的研磨処理に用いる研磨溶液や機械的研磨処理に用いる研磨材及び研磨液が浸入するのを防ぐことを目的としてマザー基板の外縁に沿って付与された閉環状の仮シール構造とによって構成することが好ましい。
一対のマザー基板の外周部に形成される隙間は、化学的研磨処理に用いる研磨溶液の流れなどに影響を与え、研磨ムラ等を発生し易い。このため、仮シールの位置とそのシール幅は、基板端とオーバーラップする位置と幅を確保する必要がある。シール幅は強度などの観点からも1mm以上の幅を持つことが好ましい。
また、先に説明した理由により、大型のマザー基板を化学的研磨処理による第1薄板化工程にて薄板化した後には、マザー基板を複数のセグメントに分断することが望ましい。なお、短冊状セグメントに分断する場合、分断した端面に沿って液晶注入口が露出することが望ましい。このような単個状または短冊状のセグメントに分断された状態で液晶組成物を注入し、封止する。これらの形態でのセル流品は、従来技術を踏襲するものであるため、新たなプロセス開発や装置開発等を必要とせず歩留まりへの影響も少なく、このような表示装置の製造方法における新規な研磨プロセスとの組み合わせには有効である。
なお、上述した化学的研磨処理は、基板表面の傷や汚染状態により基板厚が局所的に変化し易いことが知られている。この現象は、部分的な基板表面の凸凹として現れる。一方、機械的研磨処理では、基本的には研磨用定盤と研磨対象である基板表面との接触によって削り取られるため、局所的な凸凹は発生し難い。つまり、機械的研磨処理は、部分的な凸凹を平坦化する効果を有している。このため、第2薄板化工程以降での研磨に機械的研磨処理を用いる上述した表示装置の製造方法は、基板表面の平坦性を実現しやすい特徴を有している。
また、貼りあわせた2枚の基板の材質や熱履歴が異なる場合、化学的研磨処理ではそれぞれの基板の研磨速度に差が生じることも良く知られている。このため、基板1枚当りの厚さとして例えば0.3mmを目標に研磨すると、一方の基板の厚さが0.4mmであって、他方の基板の厚さが0.2mmといった非対称な厚さとなることがある。
機械的研磨処理は、このような非対称な厚さを有する一対の貼り合わせ基板を投入した場合、研磨条件を上下の研磨用定盤のパラメータで制御し、最終的な基板の厚さに合わせ込むことができるといった利点を有している。この点においても、上述した表示装置の製造方法は非常に優れている。
次に、この発明の実施例について説明する。
(実施例1)
この実施例1では、マザー基板から複数の液晶表示パネルを形成する製造方法を例に説明する。
(実施例1)
この実施例1では、マザー基板から複数の液晶表示パネルを形成する製造方法を例に説明する。
まず、図2に示すように、一対のマザー基板を用いて複数の空のセルを形成する(ST11)。すなわち、厚さ0.6mmの大型ガラス基板を2枚用意する。一方のガラス基板の第1主面に複数の有効表示部を形成するために、それぞれの領域にマトリクス状に配置された走査線や信号線などの各種配線、表示画素毎に配置されたスイッチング素子及び画素電極、さらには、必要に応じてカラーフィルタ層や配向膜などを形成し、アレイ基板用の第1マザー基板を形成する。また、他方のガラス基板の第1主面にも複数の有効表示部を形成するために、それぞれの領域に共通電極、さらには必要に応じてカラーフィルタ層や配向膜などを形成し、対向基板用の第2マザー基板を形成する。そして、これら一対のマザー基板をそれぞれの第1主面を内面とするよう対向した状態で貼り合わせる。
このとき、図3及び図4に示すように、第1マザー基板1及び第2マザー基板2は、各有効表示部102を囲むように配置された本シール材(第1シール材)104と、第1マザー基板1及び第2マザー基板2の外縁に沿ってすべての有効表示部102を囲むように配置された仮シール材(第2シール材)106とによって所定のギャップをもって貼り合わせられ、有効表示部102毎に空のセルCが形成される。なお、本シール材104は、各セルCの内部に液晶組成物を注入するための注入口107を確保するように配置されている。
本シール材104及び仮シール材106としては、熱硬化型や光(例えば紫外線)硬化型等の種々の接着剤を用いることができ、所定温度に加熱するあるいは所定波長の光を照射することにより硬化させ、第1マザー基板1及び第2マザー基板2を接着する。
続いて、一体化された一対のマザー基板1及び2を化学的研磨処理によりそれぞれの外面を研磨する(ST12)。すなわち、研磨溶液として例えばフッ酸溶液を用意し、一対のマザー基板1及び2を研磨溶液に浸漬する。これにより、マザー基板の表面が溶解し、水ガラスへと化学変化する。このとき、水ガラスによってマザー基板の表面が保護されるため、随時マザー基板を揺動して水ガラスを剥離し、新しい基板表面を露出させるようにした。
そして、図5に示すように、予め設定した目標の厚さまで研磨したところで、一対のマザー基板をフッ酸溶液から取り出し、流水によって基板表面の水ガラス及びフッ酸溶液を除去する。このようにして、第1薄板化工程での研磨処理を完了する。このとき、仮シール材106によってすべてのセルCが密封されているため、このような化学的研磨処理を行った際に研磨溶液がセルCの内部に浸入することはない。
続いて、化学的研磨処理によって研磨された一対のマザー基板1及び2について、それぞれの厚さを計測する(ST13)。この実施例1では、マザー基板1及び2の厚さの測定結果は、0.3mm±0.05mmであった。
続いて、一対のマザー基板1及び2を複数のセグメントに分断する(ST14)。すなわち、この実施例1では、図4にて破線で示したスクライブラインSLに沿って短冊状のセグメント108に分断される。このセグメント108は、図6に示すように、1個単位のセルCが一方向に複数個連なった状態であり、しかも、注入口107を露出した状態に形成した。このようなマザー基板を分断する方法には、特に制限はなく、CO2レーザや2次乃至4次の高調波YAGレーザなどを利用してもよいし、機械的な方法などを採用しても良い。
続いて、図7に示すように、真空注入法などのプロセスを用いてセグメント108の各セルCの内部に注入口107から液晶組成物300を注入し(ST15)、さらに、注入口107にエポキシ樹脂などの光硬化型樹脂109を塗布した後、紫外線を照射することによって硬化させ、封止する(ST16)。
続いて、各セグメントの外面を機械的研磨処理によりそれぞれ研磨する(ST17)。この機械的研磨処理では、先の厚さ計測工程(ST13)にて計測された基板1枚あたりの厚さに基づいて所望する厚さまでの研磨量が設定される。
そして、この機械的研磨処理では、まず、比較的粗い粒径の研磨材を用いてラッピング処理を行う(ST17A)。このラッピング処理は、化学的研磨処理によって基板1枚当たり約0.3mmの厚さが得られた場合、約0.1mmの研磨量に設定される。そして、セグメント外面は、このラッピング処理により、基板1枚当たり約0.2mmまで比較的短時間で粗く研磨される。
このラッピング処理に続いて、比較的微細な粒径の酸化セリウム研磨材を用いてポリッシング処理を行う(ST17B)。このポリッシング処理は、ラッピング処理によって基板1枚当たり約0.2mmの厚さが得られた場合、約0.1mmの研磨量に設定される。そして、セグメント外面は、このポリッシング処理により、最終的には図8に示すように、基板1枚当たり約0.1mmまで比較的時間をかけて研磨され、鏡面状態に加工される。
続いて、セグメント108から単個のセルCに分断する(ST18)。すなわち、短冊状のセグメント108を図7にて破線で示したスクライブラインSLに沿って分断することにより、図9に示すような単個のセルC(すなわち液晶表示パネル)を形成する。このようなセグメントを分断する方法には、特に制限はなく、CO2レーザや2次乃至4次の高調波YAGレーザなどを利用してもよいし、機械的な方法などを採用しても良い。
そして、このようなセルCに各種配線や偏光板などをアセンブリしてモジュール(すなわち液晶表示装置)を構成した。
そして、このようなセルCに各種配線や偏光板などをアセンブリしてモジュール(すなわち液晶表示装置)を構成した。
上述したような実施例1によれば、化学的研磨処理及び機械的研磨処理の各研磨工程(ST12及びST17)において、また、マザー基板分断処理及びセグメント分断処理の各分断工程(ST14及びST18)において、基板の破損は一切発生しなかった。
(実施例2)
この実施例2でも、実施例1と同様にマザー基板から複数の液晶表示パネルを形成する他の製造方法について説明する。
この実施例2でも、実施例1と同様にマザー基板から複数の液晶表示パネルを形成する他の製造方法について説明する。
まず、図10に示すように、一対のマザー基板を用いて複数の空のセルを形成する(ST21)。すなわち、厚さ0.7mmの大型ガラス基板を2枚用意する。これら2枚のガラス基板のそれぞれの第1主面に複数の有効表示部を形成するために、それぞれの領域に各種配線、スイッチング素子、画素電極、共通電極、さらには、必要に応じてカラーフィルタ層や配向膜などを形成し、アレイ基板用の第1マザー基板及び対向基板用の第2マザー基板を形成する。そして、これら一対のマザー基板をそれぞれの第1主面を内面とするよう対向した状態で貼り合わせる。
このとき、図11に示すように、第1マザー基板1及び第2マザー基板2は、各有効表示部102を囲むように配置された本シール材(第1シール材)104と、一対のマザー基板1及び2の外縁に沿ってすべての有効表示部102を囲むように配置された仮シール材(第2シール材)106とによって所定のギャップをもって貼り合わせられ、有効表示部102毎に空のセルCが形成される。なお、本シール材104は、各セルCの内部に液晶組成物を注入するための注入口107を確保するように配置されている。
続いて、一体化された一対のマザー基板1及び2を化学的研磨処理によりそれぞれの外面を研磨する(ST22)。すなわち、研磨溶液として例えばフッ酸溶液を用意し、一対のマザー基板1及び2を研磨溶液に浸漬する。これにより、マザー基板の表面が溶解し、水ガラスへと化学変化する。このとき、水ガラスによってマザー基板の表面が保護されるため、随時マザー基板を揺動して水ガラスを剥離し、新しい基板表面を露出させるようにした。
そして、図11に示すように、予め設定した目標の厚さまで研磨したところで、一対のマザー基板をフッ酸溶液から取り出し、流水によって基板表面の水ガラス及びフッ酸溶液を除去する。このようにして、第1薄板化工程での研磨処理を完了する。このとき、仮シール材106によってすべてのセルCが密封されているため、このような化学的研磨処理を行った際に研磨溶液がセルCの内部に浸入することはない。
続いて、化学的研磨処理によって研磨された一対のマザー基板1及び2について、それぞれの厚さを計測する(ST23)。この実施例2では、マザー基板1及び2の厚さの測定結果は、0.4mm±0.03mmであった。
続いて、一対のマザー基板1及び2を複数のセグメントに分断する(ST24)。すなわち、この実施例2では、図11にて破線で示したスクライブラインSLに沿って単個状のセグメントに分断され、空のセルCが形成される。このようなマザー基板を分断する方法には、実施例1と同様に、特に制限はない。
続いて、真空注入法などのプロセスを用いて空のセルCの内部に注入口107から液晶組成物300を注入し(ST25)、さらに、注入口107にエポキシ樹脂などの光硬化型樹脂109を塗布した後、紫外線を照射することによって硬化させ、封止する(ST26)。
続いて、各セグメントの外面を機械的研磨処理によりそれぞれ研磨する(ST27)。この機械的研磨処理では、先の厚さ計測工程(ST23)にて計測された基板1枚あたりの厚さに基づいて所望する厚さまでの研磨量が設定される。
そして、この機械的研磨処理では、まず、比較的粗い粒径の研磨材を用いてラッピング処理を行う(ST27A)。このラッピング処理は、化学的研磨処理によって基板1枚当たり約0.4mmの厚さが得られた場合、約0.1mm以上の研磨量に設定される。そして、セグメント外面は、このラッピング処理により、基板1枚当たり約0.3mm以下まで比較的短時間で粗く研磨される。
このラッピング処理に続いて、比較的微細な粒径の酸化セリウム研磨材を用いてポリッシング処理を行う(ST27B)。このポリッシング処理は、ラッピング処理によって基板1枚当たり約0.2mm程度の厚さが得られた場合、約0.1mmの研磨量に設定される。そして、セグメント外面は、このポリッシング処理により、基板1枚当たり約0.1mmまで比較的時間をかけて研磨され、鏡面状態に加工される。これにより、図11に示すような単個のセルC(すなわち液晶表示パネル)を形成する。
そして、このようなセルCに各種配線や偏光板などをアセンブリしてモジュール(すなわち液晶表示装置)を構成した。
上述したような実施例2によれば、化学的研磨処理及び機械的研磨処理の各研磨工程(ST22及びST27)において、また、マザー基板分断処理及びセグメント分断処理の各分断工程(ST24)において、基板の破損は一切発生しなかった。
(比較例)
この比較例では、一対のマザー基板を用いて複数の空のセルを形成した後、これら一対のマザー基板を化学的研磨処理によりそれぞれの外面を研磨した。この化学的研磨処理のみにより、基板1枚あたり所望する最終的な厚さを目標として研磨した。ここでは、最終的な基板の厚さを0.1mmに設定した。化学的研磨処理を完了した時点で、基板厚は総厚で0.2mmtであった。この状態で常法によりマザー基板を分断し、単個状のセルの内部に真空注入法などのプロセスを用いて液晶組成物を注入し、さらに、注入口を封止した。
この比較例では、一対のマザー基板を用いて複数の空のセルを形成した後、これら一対のマザー基板を化学的研磨処理によりそれぞれの外面を研磨した。この化学的研磨処理のみにより、基板1枚あたり所望する最終的な厚さを目標として研磨した。ここでは、最終的な基板の厚さを0.1mmに設定した。化学的研磨処理を完了した時点で、基板厚は総厚で0.2mmtであった。この状態で常法によりマザー基板を分断し、単個状のセルの内部に真空注入法などのプロセスを用いて液晶組成物を注入し、さらに、注入口を封止した。
このような比較例による製造方法では、基板の面内での厚さのばらつきが大きく、特に基板の厚さの薄い部分で基板の破損が発生しやすい。この比較例によれば、単個状のセルに分断する際のハンドリングにより、7枚中3枚の基板が破損した。
以上説明したように、薄板状の基板を用いた表示装置を製造するにあたり、基板を薄板化する第1薄板化工程では、化学的研磨処理を採用する。この化学的研磨処理は、比較的低コストであり、しかも、単位時間あたりの研磨量が大きく、短時間で粗削りすることができる。そして、この第1薄板化工程に続く第2薄板化工程では、機械的研磨処理を採用する。この機械的研磨処理は、単位時間あたりの研磨量が小さく、精度良く基板の厚さを制御することができる。
このとき、化学的研磨処理により、最終的に所望する厚さに近い状態まで研磨することにより、機械的研磨処理に要する時間を短縮することができ、しかも、機械的研磨処理のコストを低減することができる。したがって、基板を薄板化するに当たって段階的に化学的研磨処理⇒機械的研磨処理を行うことにより、低コストでありながら、短時間で精度良く所望する厚さの基板を得ることができる。
また、大型基板を用いた表示装置の製造方法では、第1薄板化工程の後、大型基板を小型の複数のセグメントに分断することにより、基板自身の自重が軽減され、基板の破損を回避することができる。また、このセグメントに分断した状態で、第2薄板化工程での機械的研磨処理を行うことで、基板の厚さの制御性が良好であり、なおかつ、研磨工程及び分断工程における基板の割れや欠けなどの破損が発生せず、高い歩留まりで薄型の表示装置を提供することができる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
1…液晶表示装置、100…液晶表示パネル、102…有効表示部、104…シール材(第1シール材)、106…シール材(第2シール材)、107…注入口、108…セグメント、200…アレイ基板、201…ガラス基板、300…液晶層、400…対向基板、401…ガラス基板、PX…表示画素、C…セル
Claims (8)
- 基板の第1主面に複数の表示画素を形成する工程と、
前記基板の第2主面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された前記基板の第2主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。 - さらに、前記化学的研磨工程にて研磨された前記基板の厚さを計測する工程を含み、前記機械的研磨工程は、この計測工程にて計測された前記基板の厚さに基づいて機械的に研磨する研磨量を設定することを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記機械的研磨工程により最終的に得られる前記基板の厚さをa、前記化学的研磨工程にて研磨された前記基板の厚さをb±α(但し、αは前記基板の平均厚さに対する第2主面内での厚さバラツキの最大値)とすると、
(b±α)−a ≧ 0.1mm
の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。 - 前記機械的研磨工程は、第1研磨材を用いる第1工程と、この第1工程に続いて前記第1研磨材より微細な粒径を有する第2研磨材を用いる第2工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- さらに、複数の前記表示画素からなる有効表示部をシールする工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- マザー基板の第1主面に表示画素を含む複数の有効表示部を形成する工程と、
前記マザー基板の第2主面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された前記マザー基板を複数のセグメントに分断する工程と、
前記マザー基板の第2主面に相当する各セグメントの主面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 2枚の基板の少なくとも一方に電極を形成し、前記電極を形成した面を内面とするよう2枚の基板を所定のギャップをもって貼り合わせる工程と、
貼り合わせられた一対の基板の外面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された一対の基板間に液晶組成物を注入し、封止する工程と、
液晶組成物を封止した一対の基板の外面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 2枚のマザー基板の少なくとも一方に複数の有効表示部に対応して電極を形成し、前記電極を形成した面を内面とするよう2枚のマザー基板を所定のギャップを持って第1シール材によって貼り合わせるとともに、一対のマザー基板の外縁に沿って第2シール材を配置する工程と、
貼り合わせられた一対のマザー基板の外面を所定の研磨溶液にて化学的に研磨する工程と、
化学的に研磨された一対のマザー基板を複数のセグメントに分断する工程と、
分断されたセグメントの一対の基板間に液晶組成物を注入し、封止する工程と、
液晶組成物を封止した一対の基板の外面を所定の研磨材を用いて機械的に研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310503A JP2005077945A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 表示装置の製造方法 |
US10/926,072 US7289185B2 (en) | 2003-09-02 | 2004-08-26 | Method of manufacturing a display including chemically polishing, dividing and mechanically polishing a substrate |
KR1020040069414A KR20050024211A (ko) | 2003-09-02 | 2004-09-01 | 디스플레이 장치를 제조하는 방법 |
CN200410082284XA CN1637480B (zh) | 2003-09-02 | 2004-09-02 | 制造显示设备的方法 |
TW093126571A TWI263076B (en) | 2003-09-02 | 2004-09-02 | Method of manufacturing display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310503A JP2005077945A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005077945A true JP2005077945A (ja) | 2005-03-24 |
Family
ID=34214224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003310503A Pending JP2005077945A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7289185B2 (ja) |
JP (1) | JP2005077945A (ja) |
KR (1) | KR20050024211A (ja) |
CN (1) | CN1637480B (ja) |
TW (1) | TWI263076B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007052367A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2008292919A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 表示装置 |
JP2009069759A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液晶基板の加工方法 |
JPWO2009087706A1 (ja) * | 2008-01-09 | 2011-05-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US8110120B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-02-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display apparatus |
WO2017222263A1 (ko) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 주식회사 토비스 | 곡면형 디스플레이패널의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 곡면형 디스플레이패널 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5301080B2 (ja) | 2005-12-26 | 2013-09-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2008003194A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 基板装置および表示素子の製造方法 |
KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100770127B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100833738B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100824902B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2009003237A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 表示装置及びその製造方法 |
JP4648422B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2011-03-09 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示素子の製造方法 |
JP6300398B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-03-28 | 三菱重工業株式会社 | 流体機械用部材の製造方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04116619A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Casio Comput Co Ltd | 薄型液晶表示素子の製造方法 |
JPH09138392A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-05-27 | Lg Electron Inc | 複合基板の製造方法 |
JPH1115012A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2000206503A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2001013489A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2001142412A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Sharp Corp | 平面型表示パネルの製造方法、平面型表示パネルおよび保持用治具 |
WO2001091520A1 (fr) * | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Nagase & Co., Ltd. | Ecran electroluminescent organique et procede de fabrication de celui-ci |
JP2002160932A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-06-04 | Sony Corp | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器 |
JP2003015111A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Toshiba Corp | 平面表示装置の製造方法 |
JP2003021818A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 平面表示素子の製造方法 |
JP2003043501A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Toshiba Corp | 平面表示素子の製造方法 |
JP2003066397A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
JP2003255855A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Seiko Epson Corp | 表示装置とその製造方法 |
JP2004021016A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Yodogawa Hu-Tech Kk | 薄型液晶表示素子の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US639137A (en) * | 1899-09-13 | 1899-12-12 | Benjamin E Bergen | Gate. |
US4616403A (en) * | 1984-08-31 | 1986-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Configuration of a metal insulator semiconductor with a processor based gate |
JPH0561011A (ja) | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Rohm Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
KR100234896B1 (ko) * | 1997-07-29 | 1999-12-15 | 구본준 | 액정표시장치의 기판 평탄화 방법 |
JP2002087844A (ja) | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
KR100652041B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
WO2002092516A2 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Cambridge Research And Instrumentation, Inc. | Liquid crystal assembly and method of making |
US6784970B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-08-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating LCD |
-
2003
- 2003-09-02 JP JP2003310503A patent/JP2005077945A/ja active Pending
-
2004
- 2004-08-26 US US10/926,072 patent/US7289185B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-01 KR KR1020040069414A patent/KR20050024211A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-02 TW TW093126571A patent/TWI263076B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-02 CN CN200410082284XA patent/CN1637480B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04116619A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Casio Comput Co Ltd | 薄型液晶表示素子の製造方法 |
JPH09138392A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-05-27 | Lg Electron Inc | 複合基板の製造方法 |
JPH1115012A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2000206503A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2001013489A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2001142412A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Sharp Corp | 平面型表示パネルの製造方法、平面型表示パネルおよび保持用治具 |
WO2001091520A1 (fr) * | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Nagase & Co., Ltd. | Ecran electroluminescent organique et procede de fabrication de celui-ci |
JP2002160932A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-06-04 | Sony Corp | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器 |
JP2003015111A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Toshiba Corp | 平面表示装置の製造方法 |
JP2003021818A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 平面表示素子の製造方法 |
JP2003043501A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Toshiba Corp | 平面表示素子の製造方法 |
JP2003066397A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
JP2003255855A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Seiko Epson Corp | 表示装置とその製造方法 |
JP2004021016A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Yodogawa Hu-Tech Kk | 薄型液晶表示素子の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007052367A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US8110120B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-02-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display apparatus |
JP2008292919A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 表示装置 |
JP2009069759A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液晶基板の加工方法 |
JPWO2009087706A1 (ja) * | 2008-01-09 | 2011-05-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2017222263A1 (ko) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 주식회사 토비스 | 곡면형 디스플레이패널의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 곡면형 디스플레이패널 |
US10705360B2 (en) | 2016-06-21 | 2020-07-07 | Tovis Co., Ltd. | Method for manufacturing curved display panel, and curved display panel manufactured by same manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050024211A (ko) | 2005-03-10 |
US20050046783A1 (en) | 2005-03-03 |
CN1637480A (zh) | 2005-07-13 |
TW200530661A (en) | 2005-09-16 |
US7289185B2 (en) | 2007-10-30 |
TWI263076B (en) | 2006-10-01 |
CN1637480B (zh) | 2010-05-12 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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