CN1637480B - 制造显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造显示器的方法，包括：在母基底上形成预定数量单元的单元形成步骤(ST11)；使用预定抛光溶液化学抛光所述母基底外表面的第一抛光步骤(ST12)；分离化学抛光的母基底以包括一定数量单元的分离步骤(ST14)，所述数量少于预定数量；以及使用固体抛光剂机械抛光已分离的母基底外表面的第二抛光步骤(ST17)。

Description

制造显示设备的方法
技术领域
本发明通常涉及一种制造显示设备的方法，更特别地涉及一种制造能够减少基底厚度的显示设备的方法。
平板显示设备，典型地为液晶显示器，由于其特征如轻的重量、小的厚度和低能量消耗的优点，而被用于如OA装置、信息终端、时计和TV的各种领域中。特别地，为了高响应率，使用薄膜晶体管(TFT)的液晶显示设备被广泛地用作能够显示大量信息的移动终端、计算机等的监视器。
近年来，从设计和便携性以及性能的观点出发，对于用于移动信息终端，如移动电话和PDA(个人数字助理)的更薄、更轻的显示设备的需求有所增加，。例如，提出一种能够具有更薄结构的液晶显示装置(参见，例如韩国公布的日本专利申请No.5-61011)。
可是，由于很难控制形成薄板玻璃基底的制造步骤，或由于薄板玻璃基底本身的易碎性，显示设备，如可使用薄板玻璃基底液晶显示设备的产量，，显著地降低。
在薄板玻璃基底的制造中，化学抛光方法具有一些优势，如低成本和每单位时间中大的抛光量。可是，所述化学抛光方法存在一些问题，如抛光表面中大的厚度不均匀性，以及很难获得具有所需均匀厚度的基底。
发明内容
为了克服上述问题，形成了本发明，并且本发明的目的是提供制造显示设备的方法，所述显示设备能够以低成本、在短时间内高精确度地获得所需厚度的基底，没有引起减产的降低。
根据本发明的一个方面，提供一种制造显示设备的方法，所述方法包括步骤：在母基底上形成预定数量单元的单元形成步骤；使用预定抛光溶液化学抛光所述母基底外表面的第一抛光步骤；分离化学抛光的母基底以包括一定数量单元的分离步骤，其中所述的数量少于预定数量；以及使用固体抛光剂机械抛光分离的母基底外表面的第二抛光步骤。
在下文将详细地阐明本发明的其他目的和优势，这些其他目的和优势部分地由于说明书而变得明显，或通过实践本发明而获知。借助下文中特别指出的手段和组合，可了解和实现本发明的目的和优势。
附图的简要说明
合并在说明书中并构成说明书一部分的说明本发明的优选实施例的附图与上面给出的一般性说明以及下面给出的优选实施例的详细说明一起用于说明本发明的原理。
图1示意性地表示根据本发明一个实施例的显示设备的构造；
图2为用于解释制造根据本发明实例1的显示设备的方法的示意图；
图3示意性地示出了在图2中所示单元形成步骤中彼此接合的一对母基底的截面构造；
图4示意性地示出了在图2中所示单元形成步骤中彼此接合的一对母基底的平面构造；
图5示意性地示出了经受图2中所示第一抛光步骤中化学抛光处理的一对母基底的截面构造；
图6示意性地示出了图2中所示第一分离步骤中分离出的部件的平面构造；
图7示意性地示出了所述部件的平面构造，其中，在附图2中说明的注射步骤和密封步骤中密封液晶合成物；
图8示意性地示出了经受图2中所示第二抛光步骤中机械抛光处理的一对母基底的截面构造；
图9示意性地示出了图2中所示第二抛光步骤中分离的单元的平面构造；
图10为用于说明制造根据本发明实例2的显示设备的方法的示意图；
图11示意性地示出了图10中所示各个制造步骤中单元的平面构造。
实施例详细说明
现在参照附图说明制造根据本发明一个实施例的显示设备的方法。在该实施例中，将液晶显示装置作为显示设备的一个实例予以说明。本发明也适用于自发光的显示设备，如包括自发光元件的有机EL(电致发光)显示设备。
如图1所示，液晶显示设备1包括液晶显示板100。所述液晶显示板100包括阵列基底200，相对基底400，插入在阵列基底200和相对基底400之间的液晶层300。所述液晶显示板100包括显示图像的有效显示部分102。通过密封元件104将阵列基底200和对基底400相互接合并具有用于保存液晶层300的预定缝隙。有效显示部分102形成在由液晶显示板100中由密封元件104所围绕的区域内。所述有效显示部分102被设置成包括许多以矩阵形式分布的显示像素PX。
使用具有0.2mm或更小(在本实施例中为0.1mm)厚度的玻璃基底201形成所述阵列基底200。在有效显示部分102中，阵列基底200在其第一主要表面(内表面)上包括大量信号线X、大量扫描线Y、设置在每个像素PX中的开关元件211以及与相应开关211相连的像素电极213。信号线X和扫描线Y以矩阵分布，从而彼此相交。每个开关211，例如由设置在相应信号线X和扫描线Y之间交叉点附近的薄膜晶体管所构成。所述像素电极213由具有光反射性或光透射性的金属材料形成。
使用具有0.2mm或更小(在本实施例中为0.1mm)厚度的玻璃基底401形成所述阵列基底400。在有效显示部分102中，相对基底400在其第一主要表面(内表面)上包括对于所有显示像素PX共用的公共电极411。公共电极411有具有光透射性的金属材料形成。
位于有效显示部分102的外围部分的驱动电路部分110至少部分地包括与所述扫描线Y相连的扫描线驱动电路部分251，以及与所述信号线X相连的信号线驱动电路部分261。
通过第一薄化每个基底的薄化步骤，以及进一步薄化已经在第一薄化步骤中薄化了的基底的第二薄化步骤，制造运用上述薄板基底的显示设备。
特别地，所述第一薄化步骤为以较大的抛光量抛光厚板基底、以便使所述基底具有接近所需厚度的的步骤。第一薄化步骤采用化学抛光处理。在本文中，所述化学抛光处理是这样的抛光步骤，即，使用预定抛光溶液，例如强酸溶液，诸如氢氟酸，或强碱溶液将玻璃基底的表面部分(外表面部分)变成水玻璃。从所述基底的表面移除所述水玻璃。
此所谓的化学抛光处理(也称作“化学蚀刻”)能够以较低的成本执行，而且其相对于借助机械处理进行的抛光玻璃基底的处理，能够在每单位时间提供大的抛光量。可是，所述化学抛光处理，是一种粗抛光。很难通过化学抛光处理精确地控制基底的厚度。
因此，很难通过化学抛光处理将基底的厚度将至所需的厚度值。在这种情况中，将被薄化的基底的最终厚度被设置为，例如0.2mm，优选地根据产量大规模生产，通过化学抛光将基底抛光至大约0.3mm的厚度。
另一方面，跟随化学抛光处理的第二薄化步骤是一个抛光步骤，其中对具有近似所需厚度的基底以较小的抛光量精确地抛光，使其具有所需的厚度。因为所述基底需要以高精确度进行处理，所述第二薄化步骤应有利地采用机械抛光处理。在本文中，机械抛光处理包括切除、搭接以及使用固体抛光剂，如铝(Al2O3)微粒或氧化铈微粒进行的抛光。
与通过化学抛光处理抛光玻璃基底的方法相比，这种所谓的机械抛光处理提供单位时间较小的抛光量，但能准确地控制基底的厚度。在将被薄化的基底的最终厚度被设置为0.2mm的情况中，如果基底通过上述化学抛光处理已经被抛光至大约0.3mm的厚度，则每个基底机械抛光处理中的抛光量为大约0.1mm，。因此，可以高精度地获得具有理想厚度的基底，不会降低产量或可批量生产。
制造薄板基底的上述方法还包括测量步骤，即测量在第一薄化步骤中被抛光的基底厚度。基于测量步骤中所测量的基底厚度，在执行机械抛光的第二薄化步骤中设置用于机械抛光的抛光量。更特别地，即使由于如化学抛光处理中抛光处理条件的差异而产生基底厚度的不均匀性(抛光量中的误差)，也能够基于基底上多个位置处的厚度计算机械抛光处理中的适当的抛光量，其中所述厚度是在测量步骤中被测量。通过执行基于由此设置的抛光量的上述机械抛光处理能够获得具有所述厚度的基底。
从产量和质量的观点出发，优选满足下列关系式：
(b±α)-a≥0.1mm
其中a为在机械抛光处理中最后获得的基底厚度(基底所需的厚度)，而b±α为化学抛光处理中抛光基底的厚度。
相对于基底的平均厚度，数值α对应外表面(抛光表面)上厚度不均匀性的最大值。当每对基底的外表面将被抛光时，如同液晶显示设备的情况，相对于每对基底的平均厚度，数值α对应外表面(抛光表面)上厚度不均匀的最大值。
简而言之，如果机械抛光处理中由(b±α)-a确定的每个基底的抛光量，至少为0.1mm或更大，则可通过设定机械抛光处理的条件实现基底的最后目标厚度a。另一方面，如果每个基底的抛光量[(b±α)-a]小于0.1mm，则很难设置机械抛光处理的条件，并存在一种担心，即大规模生产和产量可变坏。考虑到使用机械抛光处理的生产和产量，特别优选所述数值α被设定为[(b±α)-a]或更小。
在上述制造液晶显示设备的方法中，第二薄化步骤中的机械抛光处理可以包括使用第一抛光剂的第一步骤，以及跟随第一步骤执行的第二步骤，并且第二步骤使用不同与第一抛光剂的第二抛光剂.在第一步骤中，使用具有较大颗粒尺寸的第一抛光剂执行所谓的搭接步骤.在接下来的第二步骤中，使用具有较小颗粒尺寸(也就是，具有小于第一抛光剂尺寸的颗粒尺寸)的第二抛光剂执行抛光处理.因此，可以以更高的准确度获得具有所需厚度的基底，并能执行基底表面的镜面加工.而且，能够抑制透过所述基底的光透射的减少，以及阻止不期望的不规则的反射.
优选地，上述制造液晶显示设备的方法进一步包括至少密封有效显示部分102的步骤。在与有效显示部分102接合形成大量显示像素PX之后，密封有效显示部分102。进而，防止用于随后发生的第一薄化步骤中化学抛光的抛光溶液，以及用于第二薄化步骤中机械抛光的抛光剂进入显示像素PX。因此，能够阻止有效显示部分102上缺陷显示的发生。
使用大尺寸母基底制造显示设备的方法包括在母基底的第一主要表面(内表面)上形成预定数量单元的单元形成步骤；通过将第二主要表面浸入预定的抛光溶液中，进行化学抛光母基底第二主要表面(外表面)的第一抛光步骤；分离化学抛光的母基底以包括一定数量单元的分离步骤，其中所述数量少于上述预定的数量；以及使用预定的抛光剂机械抛光分离母基底主要表面的第二抛光步骤，其中所述主要表面对应第二主要表面。
单元形成步骤包括为每个单元形成有效显示部分102的步骤，所述显示部分包括大量设置成矩阵的大量显示像素PX。在本方法中，第一抛光步骤对应上述第一薄化步骤。而且，第二抛光步骤对应上述第二薄化步骤。
上述分离步骤中的分离元件为从几种模式中选出。例如，母基底可以划分为单元元件，或划分为大量单元沿一个方向设置的条形部件单元。在第一抛光步骤的随后制造步骤中，可处理具有非常小厚度(例如0.3mm或更少)的基底。因此，由于其自身的重量，所述基底倾向于容易被弯曲或变弯。特别地，当以母基底形式存在的基底在第二抛光步骤中承受机械抛光处理时，很容易出现如基底损坏等缺陷。
在分离步骤中，如果在第一抛光步骤中被薄化的母基底被分成独立单元或分别包括多个单元的部件，则母基底的重量被分开(即减少)。因此能够抑制基底的弯曲或变弯，并使在制造步骤中的基底控制变得更容易。即使如裂痕或划痕的缺陷出现在单一单元中，这样的缺陷也仅被限制在该单元本身或相应部件。不同于母基底被整体控制的情况，这样的缺陷不会影响整个基底。因此，母基底的分离对于产量非常有益。
特别地，使用薄板基底制造液晶显示设备的方法包括单元形成步骤，所述步骤包括将两个具有像素电极213和公共电极411的基底接合并使其具有预定间隙的步骤；将成对接合的基底的外表面化学浸入预定抛光溶液中的第一抛光步骤；将液晶混合物300注入化学抛光的成对基底之间的注入步骤；密封已注入液晶混合物的密封步骤；以及使用预定抛光剂机械抛光成对基底外表面的第二抛光步骤，在所述基底之间密封有液晶混合物。
在该液晶显示设备中，通过注入和密封步骤形成液晶层300。也就是，在注入步骤中，在单元形成步骤中形成的空单元承受化学抛光之后，液晶混合物被注入空单元中，即阵列基底200和对基底400之间的间隙中。在密封步骤中，使用树脂材料，如环氧树脂将液晶混合物封入所述单元中。在第二抛光步骤中的机械抛光处理中，能够防止抛光液体或抛光剂进入所述单元，以及防止显示器缺陷的产生。
使用大尺寸母基底制造液晶显示设备的方法，包括使用一对母基底形成预定数量的单元的单元形成步骤；通过将外表面浸入预定抛光溶液中进行化学抛光母基底外表面的第一抛光步骤；分离化学抛光的母基底以便包括一定数量单元的分离步骤，其中所述数量少于上述预定数量；将液晶混合物注入每个分离的单元中的注入步骤；以及使用预定抛光剂机械抛光所分离母基底主要表面的第二抛光步骤，其中所述主要表面对应母基底的第二主要表面。
单元形成步骤包括为每个单元形成有效显示部分102的步骤，所述显示部分包括大量分布成矩阵的显示像素PX，以及将两个具有像素电极213和公共电极411的成对母基底接合并使其具有预定间隙的步骤。接合成对母基底的步骤包括沿每个单元的外边缘沉积第一元件104的第一密封步骤，以及沉积环绕母基底上多个单元的第二密封元件的第二密封步骤。
如上所述，用于接合两个对置母基底的密封结构优选地由双结构形成，其包括环绕每个多个有效显示部分102并保护用于将液晶混合物注入每个元件中的主要密封件，以及闭合环形临时密封件，其沿母基底外边缘设置以便阻止化学抛光处理中使用的抛光溶液，和机械抛光处理中使用的抛光剂和抛光液体进入每个单元。
沿成对母基底外周形成的裂痕，影响如化学抛光处理中使用的抛光溶液的流动，并倾向于引起非均匀抛光。因此，在母基底的边缘部分设置临时密封件，以便不形成裂痕。另外，临时密封件为了覆盖基底的边缘部分而需要具有足够大的宽度。也从长度观点出发，密封件的宽度优选设置为1mm或更大。
对于已经说明的理由，通过化学抛光处理已经被薄化的大尺寸的母基底，优选被分离。在分离步骤中，如果母基底被分成条形构件，优选地液晶注入口沿分离的端面暴露。
在上述化学抛光处理中，公知基底的厚度倾向于由于基底表面上的裂纹或污点而局部地改变。这种现象由于基底表面上部分不平坦的地形所引发。另一方面，在机械抛光处理中，抛光基本受抛光压盘和基底表面之间的接触所影响，所述基底表面为抛光的目标物体。因此，不容易产生局部不均匀的地形。简而言之，机械抛光处理具有平坦化局部不均匀地形的优势。因此，在第二抛光步骤中采用机械抛光处理的制造显示设备的方法，能够很容易地获得基底表面的平坦度。
众所周知，在两个接合基底由不同材料形成或具有不同热变化的情况中，化学抛光处理中基底之间的抛光速率中存在差异。如果使用对每个基底设定为例如0.3mm的目标厚度执行所述抛光，则可能发生厚度方面的不对称。也就是，一个基底可能为0.4mm厚，而另一个可能为0.2mm厚。另一方面，当具有对称厚度的成对接合的基底承受机械抛光处理时，能够使用上升或下降抛光压盘的参数控制抛光条件，进而有利地对每个基底的最终目标厚度进行调节。在此方面，上述制造显示设备的方法也是非常好的。
接下来，将说明本发明的几个实例。
实例1
本发明的实例1设计一种制造来自母基底的多个液晶显示板的方法。
如图2所示，首先在单元形成步骤中，使用一对母基底形成预定数量的空单元(ST11)。特别地，预备每个具有0.6mm厚度的两个大尺寸的玻璃基底。为了形成与一个玻璃基底的第一主要表面上单元相关联的多个有效显示部分，每个单元区域配有各种线，如被设置在矩阵中的扫描线和信号线，以及与每个显示像素相关联的开关元件和像素电极，和必要的彩色滤光层和取向层。因此，对阵列基底形成第一母基底。另外，为了形成多个与所述单元相关的有效显示部分，另一玻璃基底的第一主要表面配有位于每个单元区域中的公共电极，以及必要的彩色滤光层和取向层。因此，对电极形成第二母基底。使该对母基底彼此连接，以使得它们的第一主要表面内部相对。
在此情况中，如图3和4所示，第一母基底1和第二母基底2通过被设置得围绕每个有效显示部分102的主要密封元件(第一密封元件)104，以及被设置得沿第一母基底1和第二母基底2的外边缘围绕有效显示部分102的临时密封元件(第二密封元件)106，彼此接合并具有预定的间隙.进而，形成每个具有有效显示部分102的空单元C.设置主要密封元件104以保护用于将液晶混合物注入相关元件C的注入端口107.
主要密封元件104和临时密封元件106可由多种粘合剂形成，如热配置粘结剂和光固化(紫外固化)粘合剂。通过以预定温度对其加热或施用预定波长的光束，固化密封元件并使第一母基底1和第二母基底2相接合。
随后，在第一抛光步骤中，相接合的母基底1和2的外表面由化学抛光处理(ST12)进行抛光。特别地，例如预备作为抛光溶液的氢氟酸溶液。成对的母基底1和2被浸入抛光溶液中。因此，母基底1和2的第二主要表面被溶解并化学地转变成水玻璃。在此情况中，母基底1和2的表面由水玻璃保护。因此，必要地振动母基底，进而移除水玻璃并使基底表面一直浸于抛光溶液中。
如图5所示，当成对的母基底1和2已经被抛光以预设目标厚度时，从抛光溶液中取出成对的母基底1和2。在流动的水中冲洗去母基底1和2的所述表面上的水玻璃和抛光溶液。因此，完成第一抛光步骤中的抛光处理。在此化学抛光处理中，因为所有的单元C由临时密封元件106所密封，所以不会有抛光溶液浸入单元C。
在随后的测量步骤中，测量每个成对的母基底1和2的厚度，其由化学抛光处理所抛光(ST13)。在实例1中，每个母基底1和2的已测量的厚度为0.3mm±0.05mm。0
在第一分离步骤(母基底分离步骤)中，成对的母基底1和2被分成分别包括多个单元C的部件(ST14)。在实例1中，沿图4中虚线所示的刻划线SL，将成对的母基底1和2分成条形部件108。如图6中所示，形成了每个部件108以便沿一个方向设置多个独立的单元C并将每个单元C的注入端口107暴露于分开的端面。但不限制分离母基底的方法。可使用CO2激光或二级至四级谐波YAG激光，或采用机械方法。
在注入步骤中，借助例如真空注入方法，将液晶混合物300从注入端口107注入到构件108的每个单元C中(ST15)。在随后的密封步骤中，光固化树脂109，如环氧树脂被涂覆在注入端口107上并由紫外线辐射固化。因此，密封注入到每个单元C中的液晶混合物(ST16)。进而，如图7所示，在部件108的每个单元C中形成液晶层300。
在第二抛光步骤中，每个部件108的外表面由机械抛光所抛光(ST17)。在机械抛光处理中，以在之前测量步骤(ST13)中所测量的每个基底的厚度为基础，设置用于实现所需厚度的抛光量。
在机械抛光处理中，执行第一步骤以完成使用具有相对大的颗粒尺寸的研磨处理(ST17A)。研磨处理中的抛光量在容器内被设置为大约0.1mm，在化学抛光处理中处理每个基底以具有大约0.3mm厚度。以相对短的时间粗研磨部件108的外表面，使得每个基底具有0.2mm的厚度。
在跟随研磨处理的第二步骤中，使用抛光剂，如具有相对小的颗粒尺寸的氧化铈实现抛光处理(ST17B)。此抛光处理中的抛光量被设定为大约0.1mm，其中在掩模处理中将每个基底处理以具有大约0.2mm的厚度。最后，如图8所示，采用相对长的时间，抛光和镜面加工部件108的外表面，使得每个基底具有大约0.1mm的厚度。
在第二分离步骤(部件分离步骤)中，所述部件108被分成单独的单元C(ST18).特别地，沿图7中所示的虚线刻划线SL分离条形部件108，并如图9所示，形成单独的单元C(即液晶显示板).但并不限制分离部件108的方法.可使用CO2激光或二级至四级谐波YAG激光，或采用机械方法。
在单元C上集成各种布线、偏振板等，并形成模块(即液晶显示装置)。
根据上述实例1，在用于化学抛光的第一抛光步骤(ST12)、用于化学抛光的第二抛光步骤(ST17)、母基底分离步骤(ST14)或部件分离步骤(ST18)中，基底未产生损坏。
实例2
本发明的实例2涉及与实例1相类似，由母基底制造多个液晶显示板的另一方法。
如图10所示，首先在单元形成步骤中，使用一对母基底形成预定数量的空单元(ST21)。特别地，预备每个具有0.7mm厚度的两个大尺寸的玻璃基底。为了形成与一个玻璃基底的第一主要表面上单元相关联的多个有效显示部分，每个单元区域配有各种线、开关元件、像素电极和公共电极，以及必要的彩色滤光层和取向层。因此，形成用于阵列基底的第一母基底和用于对基底的第二母基底。使该对母基底彼此连接，以使得它们的第一主要表面内部相对。
在此情况中，如图11所示，第一母基底1和第二母基底2通过被设置得围绕每个有效显示部分102的主要密封元件(第一密封元件)104，以及被设置得沿第一母基底1和第二母基底2的外边缘围绕有效显示部分102的临时密封元件(第二密封元件)106，彼此接合并具有预定的间隙。进而，形成每个具有有效显示部分102的空单元C。设置主要密封元件104以便保护用于将液晶混合物注入相关元件C的注入端口107。
随后，在第一抛光步骤中，相接合的母基底1和2的外表面由化学抛光处理(ST22)进行抛光。特别地，例如预备作为抛光溶液的氢氟酸溶液。成对的母基底1和2被浸入抛光溶液中。因此，母基底1和2的第二主要表面被溶解并化学地转变成水玻璃。在此情况中，母基底1和2的表面由水玻璃保护。因此，必要地振动母基底，进而移除水玻璃并使基底表面一直浸于抛光溶液中。
如图11所示，当成对的母基底1和2已经被抛光以预设目标厚度时，从抛光溶液中取出成对的母基底1和2。在流动的水中冲洗去母基底1和2的所述表面上的水玻璃和抛光溶液。因此，完成第一抛光步骤中的抛光处理。在此化学抛光处理中，因为所有的单元C由临时密封元件106所密封，所以不会有抛光溶液浸入单元C。
在此随后的测量步骤中，测量每个成对的母基底1和2的厚度，其由化学抛光处理所抛光(ST23)。在实例2中，每个母基底1和2的已测量的厚度为0.4mm±0.03mm。
在分离步骤中，成对的母基底1和2被分成多个单元C(ST24)。在实例2中，沿图11中的虚线所示，沿刻划线SL将成对的母基底1和2分成单独的空单元C。类似于实例1，不限制分离母基底1和2的方法。
在注入步骤中，借助例如真空注入方法，将液晶混合物300从注入端口107注入到构件108的每个单元C中(ST25)。在随后的密封步骤中，光固化树脂109，如环氧树脂被涂覆在注入端口107上并由紫外线辐射固化。因此，密封注入到每个单元C中的液晶混合物(ST26)。进而，如图11所示，在部件108的每个单元C中形成液晶层300。
在第二抛光步骤中，每个部件108的外表面由机械抛光所抛光(ST27).在机械抛光处理中，以在之前测量步骤(ST23)中所测量的每个基底的厚度为基础，设置用于实现所需厚度的抛光量.
在机械抛光处理中，执行第一步骤以完成使用具有相对大的颗粒尺寸的研磨处理(ST27A)。研磨处理中的抛光量被设置为大约0.1mm或更大，其中在化学抛光处理中处理每个基底以具有大约0.4mm厚度。以相对短的时间粗研磨单元C的外表面，使得每个基底具有0.3mm的厚度。
在跟随的研磨处理的第二步骤中，使用抛光剂，如具有相对小的颗粒尺寸的氧化铈实现抛光处理(ST27B)。此抛光处理中的抛光量被设定为大约0.1mm，其中在掩模处理中将每个基底处理以具有大约0.2mm的厚度。采用相对长的时间，抛光和镜面加工单元C的外表面，使得每个基底具有大约0.1mm的厚度。进而，如图11所示，形成单独的单元C(即液晶显示板)。
在单元C上集成各种布线、偏振板等，并形成模块(即液晶显示装置)。
根据上述实例2，在用于化学抛光的第一抛光步骤(ST22)、用于化学抛光的第二抛光步骤(ST27)、母基底分离步骤(ST24)中，基底未产生损坏。
比较实例
在比较实例中，使用一对母基底形成多个空单元。进而，通过化学抛光处理抛光成对母基底的外表面。仅通过化学抛光处理将每个基底抛光至所需的最终厚度。每个基底的最终厚度被设定为0.1mm。在化学抛光处理完成时，整个基底的厚度为0.2mm。在此情况中，由普通方法分离母基底。通过如真空注入方法将液晶混合物注入到每个单独单元C中。
在比较实例的制造方法中，在基底表面厚度中存在大的不均匀性。在比较实例中，由于在基底分成多个单元的步骤中的处理，使得七分之三的基底被损坏。
如上所述，在本发明中，当制造使用薄板基底的显示设备时，在用于薄化基底的第一薄化步骤(第一抛光步骤)中采用化学抛光处理。能够以相对低的成本实行所述化学抛光处理，其能提供大的每单位时间抛光量，并能在短时间周期内进行粗抛光。在跟随第一薄化步骤的第二薄化步骤(第二抛光步骤)中，采用化学抛光处理。所述化学抛光处理提供小的每单位时间抛光量，并能精确地控制每个基底的厚度。
在此情况中，能通过将每个基底抛光至接近由化学抛光处理形成的所需最终的厚度，减少机械抛光处理所需要的时间。而且，机械抛光处理的成本能被缩减。相应地，当基底被薄化时，在化学抛光处理之后执行机械抛光处理。因此，能够以低成本、短时间获取所需厚度并具有高精确度的基底。
此外，在使用大尺寸基底制造显示设备的方法中，在第一薄化步骤之后，大尺寸基底被分成多个小部件或多个单元。进而，基底的重量被分化和减少，并防止了基底的损坏。另外，因为在基底被分成多个部件或单元的情况下执行第二薄化步骤中的机械抛光处理，所以能够实现对基底厚度的良好可控性，并在抛光步骤或分离步骤中的基底未发生损坏，如裂纹或划痕。薄显示设备可具有高的产量。
对于本领域技术人员来讲，也很容易地想到其他优点和改进。因此处于更广泛方面的本发明，不限于在此示出和说明的特定细节和代表性的实施例。相应地，在不脱离如所附权利要求及其等同内容所限定的本发明观点的精神和范围的情况下，可进行各种修改。

Claims (7)

1.一种制造显示设备的方法，其特征在于包括：
在母基底上形成预定数量单元的单元形成步骤，进一步包括沿每个单元外围沉积第一密封元件的第一密封步骤，以及沉积第二密封元件以使其围绕母基底上多个单元的第二密封步骤；
使用预定抛光溶液化学抛光所述母基底外表面的第一抛光步骤；
测量在第一抛光步骤中被抛光的母基底厚度的测量步骤，
分离化学抛光的母基底以包括一定数量单元的分离步骤，所述数量少于预定数量；以及
使用固体抛光剂机械抛光分离的母基底外表面的第二抛光步骤，其中，以测量步骤中所测量的母基底厚度为基础设定机械抛光的抛光量，将第二抛光步骤中抛光量设定为0.1mm或更大。
2.根据权利要求1所述的制造显示设备的方法，其特征在于所述分离步骤为将母基底分成多个分别包含多个单元的部件的分离步骤，和
所述方法进一步包括在第二抛光步骤之后，将所述部件分成多个单独单元的部件分离步骤。
3.根据权利要求2所述的制造显示设备的方法，其特征在于进一步包括：
在第一抛光步骤后，将液晶混合物注入到所述部件每个单元中的注入步骤；和
在第二抛光步骤前，将注入到每个单元中的液晶混合物密封的密封步骤。
4.根据权利要求3所述的制造显示设备的方法，其特征在于在第二抛光步骤之前进行注入步骤和密封步骤。
5.一种制造显示设备的方法，包括：
在母基底上形成预定数量单元的单元形成步骤，进一步包括沿每个单元外围沉积第一密封元件的第一密封步骤，以及沉积第二密封元件以使其围绕母基底上多个单元的第二密封步骤；
使用预定抛光溶液化学抛光所述母基底外表面的第一抛光步骤；
测量在第一抛光步骤中被抛光的母基底厚度的测量步骤，
将化学抛光的母基底分成单独单元的分离步骤；以及
使用固体抛光剂机械抛光分离的母基底外表面的第二抛光步骤，其中，以测量步骤中所测量的母基底厚度为基础设定机械抛光的抛光量，将第二抛光步骤中抛光量设定为0.1mm或更大。
6.根据权利要求5所述的制造显示设备的方法，其特征在于进一步包括：
在分离步骤之后将液晶混合物注入到每个单元中的注入步骤；和
在第二抛光步骤之前将注入到每个单元中的液晶混合物密封的密封步骤。
7.根据权利要求1或5所述的制造显示设备的方法，其特征在于第二抛光步骤包括，使用第一抛光剂的第一步骤，和在第一步骤之后进行第二步骤并使用不同于第一抛光剂的第二抛光剂。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4738097B2 (ja) * 2005-08-19 2011-08-03 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP5301080B2 (ja) 2005-12-26 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP2008003194A (ja) * 2006-06-21 2008-01-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 基板装置および表示素子の製造方法
JP4197018B2 (ja) 2006-07-31 2008-12-17 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100770127B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824880B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824881B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100833738B1 (ko) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2008292919A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nishiyama Stainless Chem Kk 表示装置
JP2009003237A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Nishiyama Stainless Chem Kk 表示装置及びその製造方法
JP5069987B2 (ja) * 2007-09-18 2012-11-07 株式会社ディスコ 液晶基板の加工方法
CN101855663A (zh) * 2008-01-09 2010-10-06 夏普株式会社 显示装置
JP4648422B2 (ja) * 2008-04-25 2011-03-09 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示素子の製造方法
JP6300398B2 (ja) * 2013-09-30 2018-03-28 三菱重工業株式会社 流体機械用部材の製造方法
KR101831944B1 (ko) 2016-06-21 2018-04-04 주식회사 토비스 곡면형 디스플레이패널의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 곡면형 디스플레이패널

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US639137A (en) * 1899-09-13 1899-12-12 Benjamin E Bergen Gate.

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4616403A (en) * 1984-08-31 1986-10-14 Texas Instruments Incorporated Configuration of a metal insulator semiconductor with a processor based gate
JP2722798B2 (ja) * 1990-09-07 1998-03-09 カシオ計算機株式会社 薄型液晶表示素子の製造方法
JPH0561011A (ja) 1991-09-03 1993-03-12 Rohm Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
KR0171092B1 (ko) * 1995-07-06 1999-05-01 구자홍 기판 제조방법
JP3290379B2 (ja) * 1997-06-19 2002-06-10 株式会社東芝 表示装置及びその製造方法
KR100234896B1 (ko) * 1997-07-29 1999-12-15 구본준 액정표시장치의 기판 평탄화 방법
JP3475105B2 (ja) * 1999-01-14 2003-12-08 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2001013489A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 液晶表示装置の製造方法
JP2001142412A (ja) * 1999-11-15 2001-05-25 Sharp Corp 平面型表示パネルの製造方法、平面型表示パネルおよび保持用治具
AU5882101A (en) * 2000-05-23 2001-12-03 Nagase And Co., Ltd. Organic el display and method for manufacturing organic el display
JP2002087844A (ja) * 2000-09-14 2002-03-27 Sony Corp 表示パネルの製造方法
JP2002160932A (ja) * 2000-11-17 2002-06-04 Sony Corp ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器
KR100652041B1 (ko) * 2000-12-29 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
WO2002092516A2 (en) * 2001-05-11 2002-11-21 Cambridge Research And Instrumentation, Inc. Liquid crystal assembly and method of making
JP4750969B2 (ja) * 2001-06-27 2011-08-17 東芝モバイルディスプレイ株式会社 平面表示装置の製造方法
JP2003021818A (ja) * 2001-07-05 2003-01-24 Toshiba Corp 平面表示素子の製造方法
JP4737881B2 (ja) * 2001-07-31 2011-08-03 東芝モバイルディスプレイ株式会社 平面表示素子の製造方法
JP2003066397A (ja) * 2001-08-23 2003-03-05 Sony Corp 表示パネルの製造方法
US6784970B2 (en) * 2002-02-27 2004-08-31 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating LCD
JP3982283B2 (ja) * 2002-03-05 2007-09-26 セイコーエプソン株式会社 表示装置とその製造方法
JP3737782B2 (ja) * 2002-06-18 2006-01-25 淀川ヒューテック株式会社 薄型液晶表示素子の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US639137A (en) * 1899-09-13 1899-12-12 Benjamin E Bergen Gate.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005077945A (ja) 2005-03-24
KR20050024211A (ko) 2005-03-10
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US20050046783A1 (en) 2005-03-03

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