CN114156280B - 一种显示面板及其制备方法、移动终端 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法、移动终端，该显示面板包括显示区和与显示区相邻的弯折区；显示面板包括依次层叠设置的基底、金属层以及有机膜层，金属层包括至少部分位于弯折区的金属走线，有机膜层至少覆盖金属走线；其中，显示面板还包括设置于有机膜层远离金属层一侧的紫外阻挡层，紫外阻挡层的投影覆盖弯折区，从而缓解现有显示面板的金属走线在弯折区内发生断裂的风险。

Description

一种显示面板及其制备方法、移动终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、移动终端。
背景技术
OLED(OrganicLightEmittingDiode)显示屏是利用有机电自发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光有机电激发光二极管，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性。
目前，全屏无边框的显示产品，可以使用户获得更好的观看体验，必将引爆新的消费市场。Pad弯折(PadBending)是全屏无边框的OLED显示产品的核心技术，因此各家都在开发PadBending技术，以求降低边框的大小，实现更大的屏占比；在现有技术中，显示面板被划分为显示区、过渡区以及弯折区，其中，所述显示面板包括位于所述弯折区的金属走线、及覆盖所述金属走线的有机膜层；在所述弯折区内，当所述显示面板的弯曲半径较小，或者在所述显示面板的制备过程中，由于紫外光照射而造成所述有机膜层的弹性模量升高、拉伸率下降时，均会增加所述金属走线发生断裂的风险，从而使所述显示面板发生垂直亮线的不良现象。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、移动终端，用以缓解现有显示面板的金属走线在弯折区内发生断裂的风险。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供的技术方案如下：
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区；
所述显示面板包括依次层叠设置的基底、金属层以及有机膜层，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；
其中，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层远离所述金属层一侧的紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的投影覆盖所述弯折区。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述紫外阻挡层的材料包括吸光材料。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层远离所述金属层一侧的隔垫层，所述隔垫层包括所述紫外阻挡层，且所述紫外阻挡层位于所述弯折区内。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述紫外阻挡层的材料还包括光阻材料，所述吸光材料为紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层内。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述有机膜层包括层叠设置的有机平坦层和像素定义层，所述有机平坦层和所述像素定义层中至少一者位于所述弯折区内的部分填充有所述紫外光吸收剂。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述有机平坦层位于所述弯折区内的部分填充有所述紫外光吸收剂，所述像素定义层位于所述弯折区内的部分填充有所述紫外光吸收剂。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在所述紫外阻挡层中，所述紫外光吸收剂的质量百分比为10﹪～50﹪。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述吸光材料为黑色矩阵材料。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述基底远离所述金属层一侧的玻璃基板、及位于所述玻璃基板和所述基底之间的遮挡层，所述遮挡层的材料与所述紫外阻挡层的材料相同，所述紫外阻挡层在所述玻璃基板上的正投影与所述遮挡层在所述玻璃基板上的正投影重叠。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述紫外阻挡层的厚度为1um～1.5um。
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述制备方法包括以下步骤：
提供一基底、在所述基底上依次制备金属层和有机膜层，其中，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；
在所述有机膜层上制备紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的投影覆盖所述弯折区。
在本申请实施例所提供的显示面板的制备方法中，所述在所述有机膜层上制备紫外阻挡层的步骤包括：
在所述有机膜层远离所述金属层一侧制备隔垫层，所述隔垫层包括所述紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的材料包括光阻材料和紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层内。
在本申请实施例所提供的显示面板的制备方法中，所述在所述有机膜层上制备紫外阻挡层的步骤包括：
在所述有机膜层上制备薄膜封装层；
在所述薄膜封装层上同时制备一黑色矩阵和所述紫外阻挡层，其中，所述紫外阻挡层位于所述弯折区，所述紫外阻挡层的材料与所述黑色矩阵的材料相同。
本申请实施例提供一种移动终端，包括终端主体和上述任一所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区；所述显示面板包括依次层叠设置的基底、金属层以及有机膜层，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；其中，本申请通过在所述有机膜层远离所述金属层一侧设置一紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的投影覆盖所述弯折区，从而避免现有技术中，由于所述有机膜层受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层在弯折区内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层下方的所述金属走线存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有显示面板的截面示意图；
图2为本申请实施例所提供的显示面板的第一种截面示意图；
图3为本申请实施例所提供的显示面板的第二种截面示意图；
图4为本申请实施例所提供的显示面板的第三种截面示意图；
图5为本申请实施例所提供的显示面板的第四种截面示意图；
图6为本申请实施例所提供的显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图1，现有显示面板的截面示意图。
现有的显示面板包括显示区1000、弯折区3000以及位于所述显示区1000和所述弯折区3000之间的过渡区2000；所述显示面板包括层叠设置的玻璃基板10、基底20、缓冲层30、阵列基板40、第二平坦层50、像素定义层60、隔垫层70以及薄膜封装层90，其中，所述阵列基板40包括有源层(图中未画出)、第一栅极绝缘层41、第一栅极层(图中未画出)、第二栅极绝缘层42、介电层43、第一金属层(图中未画出)，第一平坦层44以及第二金属层(图中未标出)，所述第二金属层包括位于所述第一平坦层44和所述第二平坦层50之间的金属走线120，所述金属走线120由所述过渡区2000向所述弯折区3000延伸，所述第一平坦层44和所述隔垫层70均覆盖所述金属走线120，所述第一平坦层44和所述隔垫层70均为有机层。
其中，在现有技术中，当有紫外光照射到所述有机层时，会造成所述有机层的弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机层在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机层下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象；其中，紫外光照射所述有机层的情况包括但不限于利用紫外光制备所述显示面板的膜层。基于此，本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、移动终端，用以缓解现有显示面板的金属走线在弯折区内发生断裂的风险。
请参阅图2～图6，本申请提供一种显示面板及其制备方法、移动终端，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区；所述显示面板包括依次层叠设置的基底、金属层以及有机膜层，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；其中，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层远离所述金属层一侧的紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的投影覆盖所述弯折区。
本申请通过在所述有机膜层远离所述金属层一侧设置一紫外阻挡层，所述紫外阻挡层至少位于所述弯折区内，且在所述弯折区内所述紫外阻挡层在所述基底上的正投影覆盖所述有机膜层在所述基底上的正投影，从而避免现有技术中，由于所述有机膜层受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层在弯折区内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层下方的所述金属走线存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图2，本申请实施例所提供的显示面板的第一种截面示意图。
本实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括但不限于有机发光二极管显示面板(OrganicLightEmittingDiodeOLED)，本实施例对此不做具体限制；需要说明的是，本实施例以所述显示面板为有机发光二极管显示面板为例对本申请的技术方案进行描述。
在本实施例中，所述显示面板包括显示区1000、弯折区3000以及位于所述显示区1000和所述弯折区3000之间的过渡区2000；所述显示面板包括依次层叠设置的玻璃基板10、基底20、缓冲层30、阵列基板40、有机膜层140以及薄膜封装层90；其中，所述阵列基板40包括但不限于有源层(图中未画出)、第一栅极绝缘层41、第一栅极层(图中未画出)、第二栅极绝缘层42、第二栅极层(图中未画出)、介电层43、第一金属层(图中未画出)，第一平坦层44以及第二金属层(图中未标记)。
在本实施例中，所述基底20包括依次层叠设置的第一衬底21、间隔层22以及第二衬底23；其中，所述第一衬底21和所述第二衬底23均为柔性衬底，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种；优选地，所述第一衬底21和所述第二衬底23的材料均为聚酰亚胺；所述间隔层22的材质为氮化硅(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等具有吸水性能的材质。
在本实施例中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属，本实施例对所述第一金属层和所述第二金属层的材料不做限制；进一步地，所述第一金属层包括但不限于第一源漏极层，所述第二金属层包括但不限于第二源漏极层、及由所述过渡区2000向所述弯折区3000延伸的金属走线120。
所述有机膜层140位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧，所述有机膜层140至少覆盖所述金属走线120；进一步地，所述有机膜层140包括但不限于位于所述第二金属层上的第二平坦层50、像素定义层60以及隔垫层70。
在本实施例中，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层140远离所述第二金属层一侧的紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130的投影覆盖所述弯折区3000；具体地，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000内，且在所述弯折区3000内所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影。
需要说明的是，在本实施例中，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000仅用于举例说明，本实施例对此不做具体限制。
可以理解的是，在现有技术中，当有紫外光照射到所述有机膜层140时，会造成所述有机膜层140的弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层140在所述弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层140下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象；其中，紫外光照射所述有机层的情况包括但不限于利用紫外光照制备所述显示面板的膜层，本实施例通过在所述有机膜层140远离所述第二金属层一侧设置一紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130的投影覆盖所述弯折区3000，即，在所述弯折区3000内所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影，从而避免现有技术中，由于所述有机膜层140受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，进而增加所述金属走线120发生断裂的风险、防止所述显示面板发生垂直亮线的不良现象。
具体地，在本实施例中，所述紫外阻挡层130的材料包括吸光材料；优选地，所述吸光材料为紫外光吸收剂，且所述吸收材料在所述紫外阻挡层130内均匀分布。
可以理解的是，本实施例通过设置所述紫外阻挡层130的材料包括吸光材料，所述吸光材料优选为吸收紫外光的光吸收剂，当使用所述特定波长的光线(如紫外光)照射所述显示面板的所述弯折区3000时，所述紫外阻挡层130在所述弯折区3000内对所述有机膜层140进行保护。
在本实施例中，所述显示面板还包括位于所述有机膜层140远离所述阵列基板40一侧的薄膜封装层90、彩膜层100和黑色矩阵110，所述彩膜层100包括间隔排布于所述显示区1000内的多个子色阻(图中未标记)，需要说明的是，多个所述子色阻包括但不限于红色子色阻R、绿色子色阻G以及蓝色子色阻B，所述黑色矩阵110设置于相邻两所述子色阻之间，用于限定各个所述子色阻之间的界限；进一步地，为了防止相邻所述子色阻之间的漏光，通常将所述子色阻的边缘重叠于所述黑色矩阵110上。
进一步地，在本实施例中，在所述缓冲层30上开设有第一通孔31，所述第一通孔31至少位于所述显示面板的弯折区3000，优选地，所述第一通孔31在所述基底20上的正投影至少部分位于所述过渡区2000、及覆盖所述弯折区3000；在所述第一栅极绝缘层41上开设由第二通孔411，所述第二通孔411与所述第一通孔31相对设置；在所述第二栅极绝缘层42上开设有第三通孔421，所述第三通孔421与所述第二通孔411相对设置；在所述介电层43上开设有第四通孔431，所述第四通孔431与所述第三通孔421相对设置；其中，所述第一平坦层44填满所述第一通孔31、所述第二通孔411、所述第三通孔421以及所述第四通孔431。
可以理解的是，在本实施例中，在所述弯折区3000内设置所述第一通孔31、所述第二通孔411、所述第三通孔421以及所述第四通孔431，使得所述显示面板在所述弯折区3000的厚度小于所述显示面板在所述显示区1000的厚度，相当于将位于所述弯折区3000的所述显示面板的厚度减薄，降低了所述弯折区3000内的弹性模量，并且所述第一通孔31、所述第二通孔411、所述第三通孔421以及所述第四通孔431内填充所述第一平坦层44，所述第一平坦层44的弹性模量较小，使得所述显示面板在所述弯折区3000具有较好的弯折特性。
需要说明的是，在本实施例中，所述薄膜封装层90包括层叠设置于所述有机膜层140远离所述第二金属层上方的第一无机层91、第一有机层92以及第二无机层93；所述第二平坦层50还包括至少位于所述过渡区2000内的第一开槽51，所述像素定义层60还包括至少位于所述过渡区2000内的第二开槽61，所述第二开槽61与所述第一开槽51相对设置，所述显示面板还包括位于所述第一开槽51内的第一堤坝80，所述第一堤坝80的高度大于或等于所述第一开槽51和所述第二开槽61的深度之和，所述第一无机层91填充所述第一开槽51和所述第二开槽61，并且覆盖所述第一堤坝80。
请参阅图3，本申请实施例所提供的显示面板的第二种截面示意图。
在本实施例中，所述显示面板的结构与上述实施例所提供的显示面板的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示面板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述紫外阻挡层130的材料还包括光阻材料，所述吸光材料为紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层130内。
其中，所述光阻材料包括但不限于聚酰亚胺，所述紫外光吸收剂包括但不限于邻羟基苯甲酸苯酯，二羟基二苯甲酮等具有紫外光吸收功能的化合物中的任一种；其中，在所述紫外阻挡层130中，所述紫外光吸收剂的质量百分比为10﹪～50﹪，本实施例对此不做具体限制。
具体地，在本实施例中，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层140远离所述金属层一侧的隔垫层70，所述隔垫层70包括所述紫外阻挡层130，所述有机膜层140包括层叠设置的第二平坦层50和像素定义层60，所述第二平坦层50位于所述第二金属层远离所述第一平坦层44的一侧；其中，所述紫外阻挡层130覆盖所述第二平坦层50在所述弯折区3000内的部分，所述紫外阻挡层130覆盖所述像素定义层60在所述弯折区3000内的部分。
需要说明的是，在本实施例中，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000仅用于举例说明，本实施例对此不做具体限制。
可以理解的是，在本实施例中，所述紫外阻挡层130的材料包括光阻材料和紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层130内，相对于上述实施例，本实施例通过设置所述隔垫层70包括所述紫外阻挡层130，从而避免现有技术中，由于所述有机膜层140受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层140在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层140下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象；同时，本实施例通过在现有显示面板中原有的所述隔垫层70的材料中添加紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层130内，可以避免在现有的显示面板中增加新的膜层，从而影响所述显示面板的厚度，并且节省了所述显示面板的制备工艺成本。
进一步地，在一实施例中，所述第二平坦层50和所述像素定义层60中至少一者位于所述弯折区3000内的部分填充有所述紫外光吸收剂；具体地，所述第二平坦层50位于所述弯折区3000内的部分填充有所述紫外光吸收剂，所述像素定义层60中位于所述弯折区3000内的部分填充有所述紫外光吸收剂；可以理解的是，本实施例通过设置所述紫外阻挡层130的材料包括光阻材料和紫外光吸收剂，所述第二平坦层50位于所述弯折区3000内的部分填充有所述紫外光吸收剂，所述像素定义层60中位于所述弯折区3000内的部分填充有所述紫外光吸收剂，提升了所述有机膜层140防紫外线照射地能力，从而跟好的避免现有技术中，由于所述有机膜层140受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层140在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层140下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象。
请参阅图4，本申请实施例所提供的显示面板的第三种截面示意图。
在本实施例中，所述显示面板的结构与上述实施例所提供的显示面板的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示面板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述吸光材料包括但不限于黑色矩阵110材料；进一步地，所述紫外阻挡层130的材料与所述黑色矩阵110的材料相同。
可以理解的是，所述黑色矩阵110材料具有吸收光性，通过设置所述紫外阻挡层130的材料为所述黑色矩阵110材料，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000，所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影，从而避免现有技术中，由于所述有机膜层140受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层140在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层140下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象；同时，本实施例通过设置所述紫外阻挡层130的材料与所述黑色矩阵110的材料相同，因此所述紫外阻挡层130和所述黑色矩阵110可以通过一道光照制程制备，节省了所述显示面板的制备工艺成本。
需要说明的是，在本实施例中，所述紫外阻挡层130的厚度小于所述第二平坦层50的厚度；具体地，所述紫外阻挡层130的厚度范围为1um～1.5um，可以理解的是，在本实施例中，所述紫外线阻挡层位于所述弯折区3000，当所述紫外阻挡层130的厚度过大，会对所述显示面板的弯折区3000造成影响，因此本实施例通过设置所述紫外阻挡层130的厚度为1um～1.5um，从而能够减小弯折过程中所述显示面板所承受的来自所述紫外阻挡层130的应力作用，进而避免所述紫外阻挡层130对所述显示面板的弯折特性造成影响。可以理解的是，在本实施例中对所述紫外阻挡层130的厚度不做具体限制。
请参阅图5，本申请实施例所提供的显示面板的第四种截面示意图。
在本实施例中，所述显示面板的结构与上述实施例所提供的显示面板的第三种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示面板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述显示面板还包括位于所述玻璃基底20和所述第一衬底21之间的遮挡层150，所述遮挡层150的材料与所述紫外阻挡层130的材料相同，所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影与所述遮挡层150在所述基底20上的正投影重叠；具体地，在本实施例中所述遮挡层150材料和所述紫外阻挡层130的材料相同均为黑色矩阵110材料。
需要说明的是，当所述显示面板处于弯折状态时，在所述弯折区3000会产生一中性层，由于本实施例在所述有机膜层140远离所述金属走线120的一侧制备所述紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130的材料为黑色矩阵110材料，因此会导致所述显示面板中，所述中性层的位置移动，位于所述中性层的所述金属走线120存在断裂的风险，本实施例通过在所述玻璃基底20和所述第一衬底21之间的设置一所述遮挡层150，所述遮挡层150位于所述弯折区3000内，所述遮挡层150的材料与所述紫外阻挡层130的材料相同，且所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影于所述遮挡层150在所述基底20上的正投影重叠，从而保证了在所述显示面板中，所述金属走线120受到的应力为零，所述金属走线120为中性层，进而降低了所述金属走线120断裂的风险。
请参阅图6，本申请实施例所提供的显示面板的制备方法的流程图。
本实施例提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区1000、弯折区3000以及位于所述显示区1000和所述弯折区3000之间的过渡区2000，所述制备方法包括以下步骤：
步骤S10：提供一基底20、在所述基底20上依次制备金属层和有机膜层140，其中，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区3000的金属走线120，所述有机膜层140至少覆盖所述金属走线120。
请结合图3，在一实施例中，所述步骤S10包括以下步骤：
步骤S11：提供一玻璃基板10，在所述玻璃基板10上涂布聚酰亚胺溶液，形成第一衬底21；采用化学蒸汽沉积的方式(chemicalvapordeposition，CVD)在所述第一衬底21远离所述玻璃基板10的一侧制备间隔层22，所述间隔层22的材料包括但不限于氮化硅(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等具有吸水性能的材质；在所述间隔层22远离所述第一衬底21的一侧涂布聚酰亚胺溶液，形成第二衬底23。
步骤S12：采用CVD工艺在所述第二衬底23远离所述间隔层22的一侧制备一缓冲层30，在所述缓冲层30上形成第一通孔31，所述第一通孔31至少位于所述显示面板的弯折区3000，优选地，所述第一通孔31在所述基底20上的正投影至少部分位于所述过渡区2000、及覆盖所述弯折区3000。
步骤S13：在所述缓冲层30远离所述第二衬底23的一侧依次制备有源层、第一栅极绝缘层41、第一栅极层、第二栅极绝缘层42、第二栅极层以及介电层43。
其中，步骤S13包括以下步骤：
步骤S131：在所述缓冲层30远离所述第二衬底23的一侧通过激光晶化(ELA)制备所述有源层。
步骤S132：采用CVD工艺在所述有源层远离所述缓冲层30的一侧制备第一栅极绝缘层41，在所述第一栅极绝缘层41上形成第二通孔411，所述第二通孔411与所述第一通孔31相对设置；
步骤S133：采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)工艺在所述第一栅极绝缘层41远离所述有源层的一侧制备所述第一栅极层。
步骤S134：采用CVD工艺在所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层41的一侧制备所述第二栅极绝缘层42，在所述第二栅极绝缘层42上形成第三通孔421，所述第三通孔421与所述第二通孔411相对设置。
步骤S135：采用PVD工艺在所述第二栅极绝缘层42远离所述第一栅极层的一侧制备所述第二栅极层。
步骤S136：采用CVD工艺在所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层42的一侧制备所述介电层43，在所述介电层43上形成第四通孔431，所述第四通孔431与所述第三通孔421相对设置。
步骤S14：采用PVD工艺在所述介电层43远离所述第二栅极层的一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括但不限于第一源漏极层。
步骤S15：在所述第一金属层远离所述介电层43的一侧制备第一平坦层44，所述第一平坦层44填满所述第一通孔31、所述第二通孔411、所述第三通孔421以及所述第四通孔431。
可以理解的是，在本实施例中，在所述弯折区3000内设置所述第一通孔31和所述第二通孔，使得所述弯折区3000的所述显示面板的厚度小于所述显示区1000、所述过渡区2000的显示面板的厚度，相当于将位于所述弯折区3000的所述显示面板的厚度减薄，降低了所述弯折区3000内的弹性模量，并且在所述第一通孔31和所述第二通孔内填充所述第一平坦层44，所述第一平坦层44的弹性模量较小，使得所述显示面板具有较好的弯折特性。
步骤S16：采用PVD工艺在所述第一平坦层44远离所述第一金属层的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括但不限于第二源漏极层、及至少部分位于所述弯折区3000的金属走线120。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。本实施例对所述第一金属层和所述第二金属层的材料不做限制。
步骤S17：在所述第二金属层远离所述第一平坦层44的一侧制备所述有机膜层140。
其中，所述步骤S17包括以下步骤：
步骤S171：在所述第二金属层远离所述第一平坦层44的一侧制备第二平坦层50，所述第二平坦层50在所述薄膜基板上的正投影至少覆盖所述金属走线120在所述薄膜基板上的正投影。
步骤S172：在所述第二平坦层50上开设第一开槽51，所述第一开槽51至少位于所述过渡区2000。
步骤S173：在所述第二平坦层50远离所述第二金属层的一侧制备像素定义层60，在所述像素定义层上开设第二开槽61，所述第二开槽61至少位于所述过渡区2000，所述第二开槽61与所述第一开槽51相对设置。
步骤S20：在所述有机膜层140上制备紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130的投影覆盖所述弯折区3000；具体地，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000内，且在所述弯折区3000内所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影。
承上，在一实施例中，所述步骤S20包括以下步骤：
步骤S21：在所述有机膜层140远离所述第二金属层的一侧制备隔垫层70，所述隔垫层70包括所述紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130的材料包括光阻材料和紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层130内。
需要说明的是，所述光阻材料包括但不限于聚酰亚胺，所述紫外光吸收剂包括但不限于邻羟基苯甲酸苯酯，二羟基二苯甲酮等具有紫外光吸收功能的化合物中的任一种；其中，在所述紫外阻挡层130中，所述紫外光吸收剂的质量百分比为10﹪～50﹪，本实施例对此不做具体限制。
在本实施例中，所述显示面板的制备方法还包括以下步骤：
步骤S30：在所述第一开槽51内制备第一堤坝80，所述第一堤坝80的高度大于或等于所述第一开槽51和所述第二开槽61的深度之和。
步骤S40：采用紫外光(UA)照在所述隔垫层70远离所述有机膜层140的一侧制备薄膜封装层90；其中，所述薄膜封装层90包括第一无机层91、第一有机层92以及第二无机层93；其中，所述第一无机层91填充所述第一开槽51和所述第二开槽61，并且覆盖所述第一堤坝80；其中，所述第一有机层92采用喷墨打印工艺制备，所述第一堤坝80能有效地将量较大的墨水尽可能阻挡在所述第一开槽51和所述第二开槽61内。
步骤S50：采用紫外光(UA)照在所述薄膜封装层90远离所述隔垫层70的一侧制备触控基板(图中未画出)。
步骤S60：在所述触控基板远离所述薄膜封装层90的一侧制备彩膜层100和黑色矩阵110。
步骤S70：在所述彩膜层100远离所述触控基板的一侧制备一玻璃盖板(图中未画出)。
可以理解的是，在现有技术中，当有紫外光照射到所述有机层时(例如上述薄膜封装层90和所述触控基板的制备过程均使用了UA光照)，会造成所述有机膜层140的弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机层在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机层下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象，本申请通过在所述有机膜层140上制备所述隔垫层70，所述隔垫层70包括所述紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000内，且在所述弯折区3000内所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影，从而避免了现有技术中，由于所述有机膜层140受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机膜层140在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机膜层140下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象。
并且，本实施例通过在现有显示面板中原有的所述隔垫层70的材料中添加紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层130内，可以避免在现有的显示面板中增加新的膜层，从而影响所述显示面板的厚度，并且节省了所述显示面板的制备工艺成本。
请结合图5，在一实施例中，所述步骤S10包括以下步骤：
步骤S11：提供一玻璃基板10，在所述玻璃基板10上制备一遮挡层150，所述遮挡层150至少位于所述弯折区3000内，所述遮挡层150的材料包括但不限于黑色矩阵110材料。
步骤S12：在所述遮挡层150上涂布聚酰亚胺溶液，形成第一衬底21；采用化学蒸汽沉积的方式(chemicalvapordeposition，CVD)在所述第一衬底21远离所述玻璃基板10的一侧制备间隔层22，所述间隔层22的材料包括但不限于氮化硅(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等具有吸水性能的材质；在所述间隔层22远离所述第一衬底21的一侧涂布聚酰亚胺溶液，形成第二衬底23。
步骤S13：采用CVD工艺在所述第二衬底23远离所述间隔层22的一侧制备一缓冲层30，在所述缓冲层30上形成第一通孔31，所述第一通孔31至少位于所述显示面板的弯折区3000，优选地，所述第一通孔31在所述基底20上的正投影至少部分位于所述过渡区2000、及覆盖所述弯折区3000。
步骤S14：在所述缓冲层30远离所述第二衬底23的一侧依次制备有源层、第一栅极绝缘层41、第一栅极层、第二栅极绝缘层42、第二栅极层以及介电层43。
其中，步骤S14包括以下步骤：
步骤S141：在所述缓冲层30远离所述第二衬底23的一侧通过激光晶化(ELA)制备所述有源层。
步骤S142：采用CVD工艺在所述有源层远离所述缓冲层30的一侧制备第一栅极绝缘层41，在所述第一栅极绝缘层41上形成第二通孔411，所述第二通孔411与所述第一通孔31相对设置；
步骤S143：采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)工艺在所述第一栅极绝缘层41远离所述有源层的一侧制备所述第一栅极层。
步骤S144：采用CVD工艺在所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层41的一侧制备所述第二栅极绝缘层42，在所述第二栅极绝缘层42上形成第三通孔421，所述第三通孔421与所述第二通孔411相对设置。
步骤S145：采用PVD工艺在所述第二栅极绝缘层42远离所述第一栅极层的一侧制备所述第二栅极层。
步骤S146：采用CVD工艺在所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层42的一侧制备所述介电层43，在所述介电层43上形成第四通孔431，所述第四通孔431与所述第三通孔421相对设置。
步骤S15：采用PVD工艺在所述介电层43远离所述第二栅极层的一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括但不限于第一源漏极层
步骤S16：在所述第一金属层远离所述介电层43的一侧制备第一平坦层44，所述第一平坦层44填满所述第一通孔31、所述第二通孔411、所述第三通孔421以及所述第四通孔431。
步骤S17：采用PVD工艺在所述第一平坦层44远离所述第一金属层的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括但不限于第二源漏极层、及至少部分位于所述弯折区3000的金属走线120。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。本实施例对所述第一金属层和所述第二金属层的材料不做限制。
步骤S18：在所述第二金属层远离所述第一平坦层44的一侧制备所述有机膜层140。
其中，所述步骤S18包括以下步骤：
步骤S181：在所述第二金属层远离所述第一平坦层44的一侧制备第二平坦层50，所述第二平坦层50在所述基底20上的正投影至少覆盖所述金属走线120在所述基底20上的正投影。
步骤S182：在所述第二平坦层50上开设一第一开槽51，所述第一开槽51位于所述过渡区2000。
步骤S183：在所述第二平坦层50远离所述第二金属层的一侧制备隔垫层70，所述隔垫层70在所述基底20上的正投影至少覆盖所述金属走线120在所述基底20上的正投影。
步骤S20：在所述有机膜层140上制备紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000内，且在所述弯折区3000内所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影。
承上，在一实施例中，所述步骤S20包括以下步骤：
步骤S21：在所述第一开槽51内制备第一堤坝80，所述第一堤坝80地高度大于或等于所述第二平坦层和所述像素定义层的高度之和。
步骤S22：在所述有机膜层140上制备薄膜封装层90。
具体地，所述步骤S22包括：采用紫外光(UA)照在所述隔垫层70远离所述有机膜层140的一侧制备薄膜封装层90；其中，所述薄膜封装层90包括第一无机层91、第一有机层92以及第二无机层93；其中，所述第一无机层91填充所述第一开槽51，所述第一有机层92采用喷墨打印工艺制备，所述第一堤坝80能有效地将量较大的墨水尽可能阻挡在所述第一开槽51内。
步骤S23：在所述薄膜封装层90上同时制备一黑色矩阵110和所述紫外阻挡层130，其中，所述紫外阻挡层130位于所述弯折区内3000，所述紫外阻挡层130的材料与所述黑色矩阵110的材料相同。
在本实施例中，所述步骤S23还包括在所述有机膜层140上制备彩膜层100，所述彩膜层100包括间隔排布于所述显示区1000内的多个子色阻，需要说明的是，多个所述子色阻包括但不限于红色子色阻R、绿色子色阻G以及蓝色子色阻B，所述黑色矩阵110设置于相邻两所述子色阻之间，用于限定各个所述子色阻之间的界限；进一步地，为了防止相邻所述子色阻之间的漏光，通常将所述子色阻的边缘重叠于所述黑色矩阵110上。
需要说明的是，步骤S23：在所述薄膜封装层90上同时制备一黑色矩阵110和所述紫外阻挡层130仅用作举例说明，本实施例对此不做具体限制，例如在一实施例中，可以一次制备所述紫外阻挡层130、所述薄膜封装层90以及所述黑色矩阵110。
步骤S30：采用紫外光(UA)照在所述薄膜封装层90远离所述隔垫层70的一侧制备触控基板(图中未画出)。
步骤S40：在所述彩膜层100远离所述触控基板的一侧制备一玻璃盖板(图中未画出)。
可以理解的是，所述黑色矩阵110材料具有吸收光性，通过由所述黑色矩阵110材料制备所述紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130至少位于所述弯折区3000，且在所述弯折区3000内所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影覆盖所述有机膜层140在所述基底20上的正投影，从而避免现有技术中，当有紫外光照射到所述有机层时(例如上述薄膜封装层90和所述触控基板的制备过程均使用了UA光照)，会造成所述有机膜层140的弹性模量升高、拉伸率下降，从而导致所述有机层在弯折区3000内容易产生裂纹，进而造成位于所述有机层下方的所述金属走线120存在发生断裂的风险，使得所述显示面板发生垂直亮线的不良现象；同时，本实施例通过设置所述紫外阻挡层130的材料与所述黑色矩阵110的材料相同，将所述紫外阻挡层130和所述黑色矩阵110同时制备，节省了所述显示面板的制备工艺成本。
进一步地，在本实施例中，所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影于所述遮挡层150在所述基底20上的正投影重叠。
需要说明的是，当所述显示面板处于弯折状态时，在所述弯折区3000会产生一中性层，由于本实施例在所述有机膜层140远离所述金属走线120的一侧制备所述紫外阻挡层130，所述紫外阻挡层130的材料为黑色矩阵110材料，因此会导致所述显示面板中，所述中性层的位置移动，位于所述中性层的所述金属走线120存在断裂的风险，本实施例通过在所述玻璃基底20和所述第一衬底21之间的设置一所述遮挡层150，所述遮挡层150位于所述弯折区3000内，所述遮挡层150的材料与所述紫外阻挡层130的材料相同，且所述紫外阻挡层130在所述基底20上的正投影于所述遮挡层150在所述基底20上的正投影重叠，从而保证了在所述显示面板中，所述金属走线120受到的应力为零，所述金属走线120为中性层，进而降低了所述金属走线120断裂的风险。
本实施例提供一种移动终端，所述移动终端包括终端主体和上述任一实施例中所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
可以理解的是，所述显示面板已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
在具体应用时，所述移动终端可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能眼镜、智能头盔、台式机电脑、智能电视或者数码相机等设备的显示屏，甚至可以应用在具有柔性显示屏的电子设备上。
综上所述，本申请提出了一种显示面板及其制备方法、移动终端，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区；所述显示面板包括依次层叠设置的基底、金属层以及有机膜层，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；其中，本申请通过在所述有机膜层远离所述金属层一侧设置一紫外阻挡层，所述紫外阻挡层至少位于所述弯折区内，且在所述弯折区内所述紫外阻挡层在所述基底上的正投影覆盖所述有机膜层在所述基底上的正投影，从而避免现有技术中，由于所述有机膜层受到紫外光照射而使其弹性模量升高、拉伸率下降，进而增加所述金属走线发生断裂的风险。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区；
所述显示面板包括依次层叠设置的基底、金属层以及有机膜层，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；
其中，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层远离所述金属层一侧的紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的投影覆盖所述弯折区。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述紫外阻挡层的材料包括吸光材料。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述有机膜层远离所述金属层一侧的隔垫层，所述隔垫层包括所述紫外阻挡层，且所述紫外阻挡层位于所述弯折区内。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述紫外阻挡层的材料还包括光阻材料，所述吸光材料为紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层内。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述有机膜层包括层叠设置的有机平坦层和像素定义层，所述有机平坦层和所述像素定义层中至少一者位于所述弯折区内的部分填充有所述紫外光吸收剂。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述有机平坦层位于所述弯折区内的部分填充有所述紫外光吸收剂，所述像素定义层位于所述弯折区内的部分填充有所述紫外光吸收剂。
7.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述紫外阻挡层中，所述紫外光吸收剂的质量百分比为10﹪～50﹪。
8.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述吸光材料为黑色矩阵材料。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述基底远离所述金属层一侧的玻璃基板、及位于所述玻璃基板和所述基底之间的遮挡层，所述遮挡层的材料与所述紫外阻挡层的材料相同，所述紫外阻挡层在所述玻璃基板上的正投影与所述遮挡层在所述玻璃基板上的正投影重叠。
10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述紫外阻挡层的厚度为1um～1.5um。
11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述制备方法包括以下步骤：
提供一基底、在所述基底上依次制备金属层和有机膜层，其中，所述金属层包括至少部分位于所述弯折区的金属走线，所述有机膜层至少覆盖所述金属走线；
在所述有机膜层上制备紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的投影覆盖所述弯折区。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有机膜层上制备紫外阻挡层的步骤包括：
在所述有机膜层远离所述金属层一侧制备隔垫层，所述隔垫层包括所述紫外阻挡层，所述紫外阻挡层的材料包括光阻材料和紫外光吸收剂，其中，所述紫外光吸收剂均匀分布于所述紫外阻挡层内。
13.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有机膜层上制备紫外阻挡层的步骤包括：
在所述有机膜层上制备薄膜封装层；
在所述薄膜封装层上同时制备一黑色矩阵和所述紫外阻挡层，其中，所述紫外阻挡层位于所述弯折区，所述紫外阻挡层的材料与所述黑色矩阵的材料相同。
14.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体和如权利要求1-10中任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114156280B (zh) * 2021-11-29 2023-08-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、移动终端
CN115236909B (zh) * 2022-08-08 2023-10-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110610961A (zh) * 2019-08-20 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100531294B1 (ko) * 2003-06-23 2005-11-28 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
KR100770127B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101244706B1 (ko) * 2009-12-01 2013-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140021398A (ko) * 2012-08-10 2014-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105097831B (zh) * 2015-06-23 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件
KR102560703B1 (ko) * 2016-04-29 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106449658A (zh) * 2016-11-08 2017-02-22 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板及其制作方法
JP7139715B2 (ja) * 2018-06-26 2022-09-21 大日本印刷株式会社 ポリイミドフィルム、積層体、ディスプレイ用表面材、タッチパネル部材、液晶表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN109873003A (zh) * 2019-02-27 2019-06-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
CN109920332B (zh) * 2019-02-28 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板
CN109817691B (zh) * 2019-02-28 2021-04-30 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN110010794B (zh) * 2019-04-15 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110853517A (zh) * 2019-11-21 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111312930A (zh) * 2020-04-02 2020-06-19 昆山国显光电有限公司 封装结构及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN111524902A (zh) * 2020-04-22 2020-08-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN211787964U (zh) * 2020-04-30 2020-10-27 合肥维信诺科技有限公司 显示面板
CN111694465B (zh) * 2020-06-23 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示面板的制作方法、触控显示面板和显示装置
CN112542499B (zh) * 2020-12-03 2023-05-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN114156280B (zh) * 2021-11-29 2023-08-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、移动终端

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110610961A (zh) * 2019-08-20 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板

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