CN111524902A - 一种柔性显示面板及其制备方法 - Google Patents

一种柔性显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111524902A
CN111524902A CN202010323422.8A CN202010323422A CN111524902A CN 111524902 A CN111524902 A CN 111524902A CN 202010323422 A CN202010323422 A CN 202010323422A CN 111524902 A CN111524902 A CN 111524902A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic layer
layer
display area
metal
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010323422.8A
Other languages
English (en)
Inventor
李柱辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010323422.8A priority Critical patent/CN111524902A/zh
Publication of CN111524902A publication Critical patent/CN111524902A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Abstract

本申请提供一种柔性显示面板及其制备方法，该柔性显示面板包括显示区以及位于显示区至少一侧的非显示区，显示区与非显示区之间设置有弯折区。柔性显示面板还包括：柔性衬底；阵列驱动层，设置于柔性衬底上；发光器件层，设置于阵列驱动层上；阵列驱动层中包括金属走线，金属走线由显示区延伸至非显示区，金属走线对应弯折区的部分位于第一有机层与第二有机层之间；其中，第一有机层面向金属走线的表面设有凹凸状结构，金属走线至少对应弯折区的部分沿第一有机层的凹凸状结构表面设置。本申请通过对弯折区的膜层结构进行设计，从而防止弯折区的金属走线在弯折时因受到应力过大导致断线。

Description

一种柔性显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
柔性屏技术是当前最热门的技术，柔性屏技术又分为全面屏技术、无缝拼接屏技术等。为达到屏幕占比更大的目的，就需要将不显示的区域全部弯折到显示区的背面。
不管是全面屏技术还是无缝拼接屏技术都涉及到弯折这一工艺，弯折工艺就是对显示区与非显示区的边界(弯折区)进行弯折，弯折区的金属走线也会随之受到弯折。但是，弯折区的金属走线在弯折时若受到的应力过大则会出现断线问题，从而降低了产品的良率及品质。
因此，现有技术存在缺陷，急需解决。
发明内容
本申请提供一种柔性显示面板及其制备方法，能够解决弯折区的金属走线在面板弯折时因受到的应力过大而导致出现断线的问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种柔性显示面板，包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示区与所述非显示区之间设置有弯折区；
所述柔性显示面板还包括：
柔性衬底；
阵列驱动层，设置于所述柔性衬底上；
发光器件层，设置于所述阵列驱动层上；
所述阵列驱动层中包括金属走线，所述金属走线由所述显示区延伸至所述非显示区，所述金属走线对应所述弯折区的部分位于第一有机层与第二有机层之间；
其中，所述第一有机层面向所述金属走线的表面设有凹凸状结构，所述金属走线至少对应所述弯折区的部分沿所述第一有机层的凹凸状结构表面设置。
在本申请的柔性显示面板中，所述阵列驱动层还包括无机堆叠层和对应所述显示区的薄膜晶体管，所述无机堆叠层对应所述弯折区设有凹槽，所述凹槽内设有所述第一有机层。
在本申请的柔性显示面板中，所述第二有机层设置于所述阵列驱动层上，并且与所述金属走线对应所述弯折区的部分相接触，所述第二有机层对应所述弯折区的部分呈网状结构。
在本申请的柔性显示面板中，所述网状结构包括镂空部，所述镂空部部分贯穿所述第二有机层，所述第二有机层面向所述金属走线的一侧表面整面覆盖所述金属走线，所述第二有机层背向所述金属走线的一侧表面呈网状结构。
在本申请的柔性显示面板中，所述网状结构包括镂空部，所述镂空部完全贯穿所述第二有机层，且所述镂空部对应位于相邻两条所述金属走线之间。
在本申请的柔性显示面板中，所述金属走线在垂直于所述柔性显示面板所在平面上的截面形状呈折线状、波浪线状、曲线状中的任意一种或一种以上的组合。
本申请还提供一种柔性显示面板的制备方法，所述柔性显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示区与所述非显示区之间设置有弯折区；
所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1，对设置在基板上的无机堆叠层进行图案化，以形成对应所述弯折区的凹槽；
步骤S2，在所述凹槽内制备第一有机层，并对所述第一有机层进行图案化，以在所述第一有机层的表面形成凹凸状结构；
步骤S3，在所述无机堆叠层和所述第一有机层上制备金属层，并对所述金属层进行图案化，以形成由所述显示区延伸至所述非显示区的金属走线，其中所述金属走线对应所述弯折区的部分位于所述凹凸状结构表面；
步骤S4，在所述无机堆叠层、所述第一有机层以及所述金属走线上制备第二有机层，并对所述第二有机层进行图案化，以形成对应所述显示区的像素孔以及对应所述弯折区的网状结构；
步骤S5，在所述像素孔内制备发光器件层。
本申请的制备方法，所述步骤S1中，对所述无机堆叠层图案化后还同时形成对应所述显示区的源/漏极过孔。
本申请的制备方法，在所述步骤S3中，对所述金属层图案化后还同时形成对应所述源/漏极过孔的源极和漏极。
本申请的制备方法，所述网状结构包括镂空部，所述步骤S4还包括以下步骤：
对所述第二有机层进行半色调掩膜处理，以形成完全贯穿所述第二有机层的所述像素孔，以及形成部分贯穿所述第二有机层的所述镂空部。
本申请的有益效果为：本申请提供的柔性显示面板及其制备方法，通过将弯折区金属走线下方的无机膜层挖空并填充有机膜层，对有机膜层进行图案化使其表面呈凹凸状结构，金属走线沿凹凸状结构的表面设置；并且将金属走线上方的有机膜层进行图案化，使其表面形成网状结构，从而降低金属走线所受的弯折应力，同时减少了弯折区保护胶涂布等工序，也不需要额外的光罩工艺，降低了产品的成本，提高了产品的良率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例一提供的柔性显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例二提供的柔性显示面板的结构示意图；
图3为本实施例提供的三种不同的第二有机层的网状结构的示意图；
图4为本申请提供的柔性显示面板的制备方法流程图；
图5A～5D为本申请提供的柔性显示面板的制备流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请中，“/”表示“或者”的意思。
本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以下请结合具体实施例对本申请的柔性显示面板进行详细描述。
实施例一
请参照图1所示，为本申请实施例一提供的柔性显示面板的结构示意图。柔性显示面板包括显示区100以及位于所述显示区100至少一侧的非显示区200，所述显示区100与所述非显示区200之间设置有弯折区300。本实施例中仅以所述非显示区200位于所述显示区100一侧为例进行说明，可以理解的是，在其他实施例中，所述显示区100的三边或四边均设置有所述非显示区200，且所述非显示区200均可通过所述弯折区300弯折至所述显示区100的背部。
所述柔性显示面板还包括：柔性衬底10；阵列驱动层20，设置于所述柔性衬底10上；发光器件层50，设置于所述阵列驱动层20上；所述阵列驱动层20中包括金属走线2001，所述金属走线2001由所述显示区100延伸至所述非显示区200，所述金属走线2001对应所述弯折区300的部分位于第一有机层30与第二有机层40之间。
其中，所述阵列驱动层20包括无机堆叠层和薄膜晶体管204。具体地，所述无机堆叠层包括但不限于层叠设置的缓冲层201、栅绝缘层202、层间绝缘层203。所述薄膜晶体管204包括有源层、栅极以及源/漏极。
所述无机堆叠层对应所述弯折区300设有凹槽2002，所述凹槽2002内填充有所述第一有机层30，从而缓解所述弯折区300处的弯折应力。
其中，所述金属走线2001对应所述弯折区300的部分位于所述第一有机层30表面。所述第一有机层30面向所述金属走线2001的表面设有凹凸状结构301，所述金属走线2001至少对应所述弯折区300的部分沿所述第一有机层30的凹凸状结构301起伏的表面设置。
所述金属走线2001在垂直于所述柔性显示面板所在平面上的截面形状呈折线状、波浪线状、曲线状中的任意一种或一种以上的组合。
所述无机堆叠层上还设置有第二有机层40和发光器件层50，所述第二有机层40包括但不限于平坦化层401、像素定义层402中的一者或一者以上。所述发光器件层50包括层叠设置的阳极501、发光层502、阴极503。
其中，所述阳极501设置于所述平坦化层401上，并通过平坦化层401上的过孔与薄膜晶体管204的源/漏极电连接。所述像素定义层402在对应所述阳极501的位置形成像素孔，所述发光层502位于所述像素孔内，所述阴极503设置于所述发光层502上。
所述显示面板还可以包括薄膜封装层，所述薄膜封装层设置于所述阴极503上。
在本实施例中，通过将弯折区金属走线下方的无机膜层挖空并填充有机膜层，对有机膜层进行图案化使其表面呈凹凸状结构，金属走线沿起伏的凹凸状结构的表面设置，从而缓解金属走线所受的弯折应力。其中，所述第一有机层表面的凹凸状结构可经过所述显示区的图案化工艺一同形成，比如所述凹凸状结构可与薄膜晶体管的源/漏极过孔同时形成，因此不需要额外的光罩工艺。
实施例二
请参照图2所示，为本申请实施例二提供的柔性显示面板的结构示意图。本实施例的柔性显示面板与上述实施例一的柔性显示面板的结构相同/相似，区别仅在于：本实施例所述第二有机层40对应所述弯折区300的部分呈网状结构，所述网状结构包括镂空部4001，所述镂空部4001部分贯穿所述第二有机层40，所述第二有机层40面向所述金属走线2001的一侧表面整面覆盖所述金属走线2001，从而保护所述金属走线2001，避免所述金属走线2001被刮伤以及被水汽腐蚀；所述第二有机层40背向所述金属走线2001的一侧表面呈所述网状结构，从而可以进一步缓解所述弯折区的应力。
如图3所示，为本实施例提供的三种不同的第二有机层的网状结构的示意图，当然，并不限于这三种结构。
在另一种实施例中，所述网状结构的所述镂空部4001完全贯穿所述第二有机层40，且所述镂空部4001对应位于相邻两条所述金属走线2001之间，从而在保护所述金属走线2001的同时，起到缓解所述弯折区的应力。
在本实施例中，通过对所述金属走线两侧的所述第一有机层和所述第二有机层进行图案化，从而降低金属走线所受的弯折应力，同时减少了弯折区保护胶涂布等工序，也不需要额外的光罩工艺，降低了产品的成本，提高了产品的良率。
本申请还提供上述柔性显示面板的制备方法，所述柔性显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示区与所述非显示区之间设置有弯折区。请参照图4和5A～5D所示，所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1，对设置在基板上的无机堆叠层进行图案化，以形成对应所述弯折区的凹槽。
如图5A所示，所述无机堆叠层包括层叠设置的缓冲层201、栅绝缘层202、层间绝缘层203。对所述无机堆叠层进行图案化，形成对应所述弯折区300的凹槽2002，其中，所述凹槽2002部分贯穿或全部贯穿所述无机堆叠层。
在所述步骤S1中，对所述无机堆叠层图案化后还同时形成对应所述显示区的源/漏极过孔。也就是说，所述凹槽2002是通过对所述显示区图案化制程时同时形成的，因此不用额外增加光罩工艺。
步骤S2，如图5B所示，在所述凹槽2002内制备第一有机层30，并对所述第一有机层30进行图案化，以在所述第一有机层30的表面形成凹凸状结构301。
步骤S3，如图5C所示，在所述无机堆叠层和所述第一有机层30上制备金属层，并对所述金属层进行图案化，以形成由所述显示区延伸至所述非显示区的金属走线2001，其中所述金属走线2001对应所述弯折区300的部分位于所述凹凸状结构301表面。
在所述步骤S3中，对所述金属层图案化后还同时形成对应所述源/漏极过孔的源极和漏极。
步骤S4，如图5D所示，在所述无机堆叠层、所述第一有机层30以及所述金属走线2001上制备第二有机层40，并对所述第二有机层40进行图案化，以形成对应所述显示区的像素孔以及对应所述弯折区300的网状结构。
其中，所述网状结构包括镂空部4001，所述步骤S4还包括以下步骤：
对所述第二有机层40进行半色调掩膜处理，以形成完全贯穿所述第二有机层40的所述像素孔，以及形成部分贯穿所述第二有机层40的所述镂空部4001。
步骤S5，在所述像素孔内制备发光器件层。
其中，所述发光器件层包括层叠的阳极、发光层、阴极。
综上所述，本申请的柔性显示面板及其制备方法，通过将弯折区的金属走线夹设于两层有机膜层之间，并在金属走线下方的有机膜层的表面上设置凹凸状结构，使金属走线沿起伏的凹凸状结构表面设置；并且使金属走线上方的有机膜层表面形成网状结构，从而降低金属走线所受的弯折应力，同时减少了弯折区保护胶涂布等工序，也不需要额外的光罩工艺，降低了产品的成本，提高了产品的良率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种柔性显示面板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示区与所述非显示区之间设置有弯折区；
所述柔性显示面板还包括：
柔性衬底；
阵列驱动层，设置于所述柔性衬底上；
发光器件层，设置于所述阵列驱动层上；
所述阵列驱动层中包括金属走线，所述金属走线由所述显示区延伸至所述非显示区，所述金属走线对应所述弯折区的部分位于第一有机层与第二有机层之间；
其中，所述第一有机层面向所述金属走线的表面设有凹凸状结构，所述金属走线至少对应所述弯折区的部分沿所述第一有机层的凹凸状结构表面设置。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述阵列驱动层还包括无机堆叠层和对应所述显示区的薄膜晶体管，所述无机堆叠层对应所述弯折区设有凹槽，所述凹槽内设有所述第一有机层。
3.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述第二有机层设置于所述阵列驱动层上，并且与所述金属走线对应所述弯折区的部分相接触，所述第二有机层对应所述弯折区的部分呈网状结构。
4.根据权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述网状结构包括镂空部，所述镂空部部分贯穿所述第二有机层，所述第二有机层面向所述金属走线的一侧表面整面覆盖所述金属走线，所述第二有机层背向所述金属走线的一侧表面呈网状结构。
5.根据权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述网状结构包括镂空部，所述镂空部完全贯穿所述第二有机层，且所述镂空部对应位于相邻两条所述金属走线之间。
6.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述金属走线在垂直于所述柔性显示面板所在平面上的截面形状呈折线状、波浪线状、曲线状中的任意一种或一种以上的组合。
7.一种柔性显示面板的制备方法，其特征在于，所述柔性显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示区与所述非显示区之间设置有弯折区；
所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1，对设置在基板上的无机堆叠层进行图案化，以形成对应所述弯折区的凹槽；
步骤S2，在所述凹槽内制备第一有机层，并对所述第一有机层进行图案化，以在所述第一有机层的表面形成凹凸状结构；
步骤S3，在所述无机堆叠层和所述第一有机层上制备金属层，并对所述金属层进行图案化，以形成由所述显示区延伸至所述非显示区的金属走线，其中所述金属走线对应所述弯折区的部分位于所述凹凸状结构表面；
步骤S4，在所述无机堆叠层、所述第一有机层以及所述金属走线上制备第二有机层，并对所述第二有机层进行图案化，以形成对应所述显示区的像素孔以及对应所述弯折区的网状结构；
步骤S5，在所述像素孔内制备发光器件层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，对所述无机堆叠层图案化后还同时形成对应所述显示区的源/漏极过孔。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，对所述金属层图案化后还同时形成对应所述源/漏极过孔的源极和漏极。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述网状结构包括镂空部，所述步骤S4还包括以下步骤：
对所述第二有机层进行半色调掩膜处理，以形成完全贯穿所述第二有机层的所述像素孔，以及形成部分贯穿所述第二有机层的所述镂空部。
CN202010323422.8A 2020-04-22 2020-04-22 一种柔性显示面板及其制备方法 Pending CN111524902A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010323422.8A CN111524902A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 一种柔性显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010323422.8A CN111524902A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 一种柔性显示面板及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111524902A true CN111524902A (zh) 2020-08-11

Family

ID=71903559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010323422.8A Pending CN111524902A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 一种柔性显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111524902A (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112038355A (zh) * 2020-08-28 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN112420746A (zh) * 2020-11-11 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112687725A (zh) * 2020-12-24 2021-04-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及其制造方法
CN112802876A (zh) * 2020-11-30 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112864180A (zh) * 2021-03-04 2021-05-28 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、柔性显示面板及显示装置
CN113594222A (zh) * 2021-07-30 2021-11-02 合肥维信诺科技有限公司 折叠显示面板、显示装置及折叠显示面板的制备方法
CN113724631A (zh) * 2021-09-02 2021-11-30 荣耀终端有限公司 一种支撑组件、显示模组和电子设备
CN113851520A (zh) * 2021-11-29 2021-12-28 荣耀终端有限公司 显示面板及其制作方法、终端设备
CN114038330A (zh) * 2021-11-30 2022-02-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种可折叠显示模组和可折叠显示装置
CN114141825A (zh) * 2021-11-09 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114156280A (zh) * 2021-11-29 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、移动终端
CN114171567A (zh) * 2021-12-07 2022-03-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备
CN114698232A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115019657A (zh) * 2022-06-23 2022-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023216201A1 (zh) * 2022-05-12 2023-11-16 北京小米移动软件有限公司 Oled显示面板、oled显示面板的像素电路及显示设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108230907A (zh) * 2018-01-03 2018-06-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示屏及显示装置
CN108638621A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及显示装置
CN108962950A (zh) * 2018-07-06 2018-12-07 云谷（固安）科技有限公司 显示屏、显示装置、显示屏的制备方法
CN109300964A (zh) * 2018-10-26 2019-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板及其制作方法
CN109449163A (zh) * 2018-09-29 2019-03-08 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板和柔性显示装置
CN109448554A (zh) * 2018-12-03 2019-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
US20190273221A1 (en) * 2018-05-11 2019-09-05 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Thin film packaging structures and display devices
CN111045264A (zh) * 2019-12-13 2020-04-21 武汉华星光电技术有限公司 显示面板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108230907A (zh) * 2018-01-03 2018-06-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示屏及显示装置
CN108638621A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及显示装置
US20190273221A1 (en) * 2018-05-11 2019-09-05 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Thin film packaging structures and display devices
CN108962950A (zh) * 2018-07-06 2018-12-07 云谷（固安）科技有限公司 显示屏、显示装置、显示屏的制备方法
CN109449163A (zh) * 2018-09-29 2019-03-08 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板和柔性显示装置
CN109300964A (zh) * 2018-10-26 2019-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板及其制作方法
CN109448554A (zh) * 2018-12-03 2019-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN111045264A (zh) * 2019-12-13 2020-04-21 武汉华星光电技术有限公司 显示面板

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11837610B2 (en) 2020-08-28 2023-12-05 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
CN112038355A (zh) * 2020-08-28 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN112038355B (zh) * 2020-08-28 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
WO2022041496A1 (zh) * 2020-08-28 2022-03-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN112420746A (zh) * 2020-11-11 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112802876A (zh) * 2020-11-30 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112687725A (zh) * 2020-12-24 2021-04-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及其制造方法
CN112687725B (zh) * 2020-12-24 2022-09-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及其制造方法
CN112864180B (zh) * 2021-03-04 2023-12-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、柔性显示面板及显示装置
CN112864180A (zh) * 2021-03-04 2021-05-28 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、柔性显示面板及显示装置
CN113594222A (zh) * 2021-07-30 2021-11-02 合肥维信诺科技有限公司 折叠显示面板、显示装置及折叠显示面板的制备方法
WO2023005250A1 (zh) * 2021-07-30 2023-02-02 合肥维信诺科技有限公司 折叠显示面板及折叠显示面板的制备方法
CN113724631A (zh) * 2021-09-02 2021-11-30 荣耀终端有限公司 一种支撑组件、显示模组和电子设备
CN114141825A (zh) * 2021-11-09 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114156280A (zh) * 2021-11-29 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、移动终端
CN113851520A (zh) * 2021-11-29 2021-12-28 荣耀终端有限公司 显示面板及其制作方法、终端设备
CN114038330A (zh) * 2021-11-30 2022-02-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种可折叠显示模组和可折叠显示装置
CN114171567A (zh) * 2021-12-07 2022-03-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备
CN114698232A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2023216201A1 (zh) * 2022-05-12 2023-11-16 北京小米移动软件有限公司 Oled显示面板、oled显示面板的像素电路及显示设备
CN115019657A (zh) * 2022-06-23 2022-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111524902A (zh) 一种柔性显示面板及其制备方法
US10707429B2 (en) Flexible display panel and flexible display apparatus
US11217642B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device
CN106601133B (zh) 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
KR102554304B1 (ko) 보강된 부분을 갖는 배선을 포함하는 플렉서블 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
KR101810304B1 (ko) 가요성 디스플레이
CN107706220B (zh) 柔性显示面板及其制作方法和显示装置
CN110620132B (zh) 一种显示面板
CN109979973B (zh) Oled显示装置及制备方法
CN112768502A (zh) 有机发光显示面板和显示装置
KR20190042395A (ko) 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
JP2015002177A (ja) アレイ基板及びこれを含む有機発光表示装置
JP2022534635A (ja) フレキシブル表示パネル及びその製造方法
CN109378325B (zh) 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
CN110112196B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN101488479B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN109378339B (zh) 具有应力缓解结构的显示面板及其制作方法
CN109659322B (zh) 一种阵列基板及其制备方法
JP5146477B2 (ja) トランジスタアレイ基板及びその製造方法
US20200295111A1 (en) Oled display device and manufacturing method for the oled display device
KR101143356B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
CN110634885A (zh) 阵列基板及其制备方法
CN113097256B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN111725279B (zh) 阵列基板及oled显示面板
CN110600493A (zh) 显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200811

RJ01 Rejection of invention patent application after publication