CN106058077A - 显示器件的制造方法和显示器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在阳极反射电极的蚀刻形成中能够减少残渣的显示器件的制造方法和该残渣少的显示器件。在该显示器件的制造方法中，形成从衬底侧依次层叠了第一透明导电膜、金属膜和第二透明导电膜的三层层叠构造，上述三层层叠构造形成配置于像素区域的多个阳极电极和与上述像素区域相邻配置的多个虚设电极，对上述第二透明导电膜和上述金属膜进行蚀刻，对上述第一透明导电膜进行蚀刻，上述多个虚设电极的图案的密度随着从上述像素区域离开而减少。

Description

显示器件的制造方法和显示器件
本发明基于日本申请JP2015－78053主张优先权，并将其编入本发明中。
技术领域
本发明涉及显示器件的制造方法和显示器件。
背景技术
例如，如专利文献1(日本特开平09－199481号公报)所公开，作为半导体器件的多层配线，有时使用以Al为基体的合金配线。在此，该合金配线中含有Cu、Si等不同种类的金属，由于其蚀刻速率的不同，因此产生Cu和Si等蚀刻残渣，存在引起配线的短路等的情况。在此，为了抑制该残渣的产生，在下述专利文献1中公开有以下技术：在该合金配线的蚀刻工序中，通过在没有设置衬底实际配线等的宽的部分设置虚设配线，抑制蚀刻工序的残渣的产生。
在此，在使用了以有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)为代表的被称为有机EL(Organic Electro－luminescent)元件的自发光体的显示器件中，例如，作为阳极反射电极，使用依次层叠了ITO、Ag、ITO的三层层叠构造。
在此，阳极反射电极的形成例如利用混合酸(磷酸、硝酸、醋酸)和草酸的两个阶段湿式蚀刻进行。具体而言，例如，如图11A和图11B所示，首先，利用混合酸对表面的ITO111和Ag112进行蚀刻，之后，如图11C和图11D所示，利用草酸对Ag112层下的ITO113进行蚀刻。另外，图11A表示第一阶段的蚀刻处理中的图，图11B表示第一阶段的蚀刻结束的图。另外，图11C和D表示第二阶段的蚀刻处理中的图，图11E表示第二阶段的蚀刻结束的图。
在该情况下，如图11D所示，存在在混合酸进行的蚀刻结束的阶段产生Ag112的残渣114，通过接下来的草酸进行的蚀刻，剥离该Ag112的残渣114的情况。Ag112在草酸是不溶的，因此，该被剥离的Ag112的残渣114在草酸中形成漂浮颗粒。由此，会导致发生像素电路的短路等。另外，如图11A～图D所示，在没有通过上述的蚀刻进行加工的部分配置有抗蚀剂层115，并且，ITO113配置于形成有TFT等的衬底116上。接着，如图11E所示，如使用图11D进行说明的那样，在剥离残渣114后，ITO113在抗蚀剂层115的开口部被去除，衬底116在该ITO被去除的部分露出，蚀刻完成。
发明内容
于是，本发明的目的在于，提供一种例如在阳极反射电极的蚀刻形成时能够减少残渣的显示器件的制造方法和该残渣少的制造装置。
本发明提供一种显示器件的制造方法，其特征在于：形成从衬底侧依次层叠第一透明导电膜、金属膜和第二透明导电膜的三层层叠构造，上述三层层叠构造形成配置于像素区域的多个阳极电极和配置于上述像素区域的外侧的多个虚设电极，对上述第二透明导电膜和上述金属膜进行蚀刻，对上述第一透明导电膜进行蚀刻，上述多个虚设电极的图案的密度随着从上述像素区域离开而减少。
本发明提供一种显示器件，其特征在于，包括配置于像素区域的多个阳极电极和配置于上述像素区域的外侧的多个虚设电极，上述多个虚设电极的图案的密度随着从上述像素区域离开而减少。
附图说明
图1概略地表示本发明的实施方式的显示器件的一例。
图2是用于说明显示器件的功能性构成的一例的图。
图3是用于说明各像素的电路构成的一例的图。
图4A是用于说明各像素的动作的一例的图。
图4B是用于说明各像素的动作的一例的图。
图4C是用于说明各像素的动作的一例的图。
图4D是用于说明各像素的动作的一例的图。
图5A是用于对显示器件的制造方法的蚀刻工序进行说明的图。
图5B是用于对显示器件的制造方法的蚀刻工序进行说明的图。
图5C是用于对显示器件的制造方法的蚀刻工序进行说明的图。
图5D是用于对显示器件的制造方法的蚀刻工序进行说明的图。
图6A是用于对显示器件的制造方法的蚀刻工序进行说明的图。
图6B是表示图6A的VI－VI剖面的一例的图。
图7A是用于对虚设图案的设置进行说明的图。
图7B是用于对虚设图案的设置进行说明的图。
图7C是用于对虚设图案的设置进行说明的图。
图7D是用于对虚设图案的设置进行说明的图。
图8A是用于对多个虚设电极的配置图案进行说明的图。
图8B是用于对多个虚设电极的配置图案进行说明的图。
图9A是表示图8A的IVA－IVA剖面的一例的图。
图9B是表示图8B的IVB－IVB剖面的一例的图。
图10A是用于对本实施方式的效果进行说明的图。
图10B是用于对本实施方式的效果进行说明的图。
图10C是用于对本实施方式的效果进行说明的图。
图11A是用于对本发明的技术问题的一例进行说明的图。
图11B是用于对本发明的技术问题的一例进行说明的图。
图11C是用于对本发明的技术问题的一例进行说明的图。
图11D是用于对本发明的技术问题的一例进行说明的图。
图11E是用于对本发明的技术问题的一例进行说明的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在附图中，对相同或同等的要素标注相同的符号，省略重复的说明。
图1是概略性表示本发明实施方式的显示器件100的一例的图。如图1所示，显示器件100包含：以夹着设有有机EL面板的TFT(ThinFilm Transistor)衬底150的方式固定的上框架110和下框架120；设置有生成显示的信息的电路元件的电路衬底140；将在该电路衬底140中生成的RGB的信息传送到TFT衬底150的挠性衬底130。另外，图1所示的显示器件100仅是例示，不限于上述结构。
图2是用于说明图1所示的显示器件的功能性构成的一例的图。如图2所示，显示器件100具有对显示画面进行显示的像素区域201、数据线控制部202、扫描线控制部203、显示控制部204。另外，虽然图2中将显示控制部204、数据线控制部202、扫描线控制部203等作为独立的单元来记载，但它们也可以作为一个单元形成。
像素区域201具有以矩阵状配置的多个像素(未图示)，该多个像素分别与对应的数据线205和扫描线206连接。另外，各数据线205与数据线控制部202连接，另外，各扫描线206与扫描线控制部203连接。另外，在像素区域201上连接有除此之外的用于对驱动晶体管303进行驱动的驱动电压供给线307等，但为了说明的简略，在图2中省略。
显示控制部204与数据线控制部202和扫描线控制部203连接。在显示控制部204输入控制信号群组等(未图示)，根据该控制信号群组，分别向数据线控制部202和扫描线控制部203输出数据线控制信号207和扫描线控制信号208。另外，数据线控制信号207和扫描线控制信号208包含其他水平同步信号等控制信号群组。
数据线控制部202根据来自显示控制部204的数据线控制信号207，经由各数据线205向各像素输出与灰度值对应的显示电压。
扫描线控制部203根据来自显示控制部204的扫描线控制信号208，经由各扫描线206输出用于控制配置于各像素的TFT开关(未图示)的扫描信号。
另外，根据来自上述数据线控制部202和扫描线控制部203的该扫描信号和该显示电压等，控制各像素发光。
图3是用于说明各像素的电路构成的一例的图。如图3所示，各像素301具有例如保持电容302、驱动晶体管303、写入控制开关304、发光控制开关305、有机EL306。
保持电容302与数据线205和驱动晶体管303连接。驱动晶体管303的栅极与保持电容302连接，源极和漏极中的一方与驱动电压供给线307连接，另一方与发光控制开关305连接。
发光控制开关305的栅极连接到发光控制线308上，源极和漏极中的一方与驱动晶体管303的输出侧连接，另一方与有机EL306连接。
写入控制开关304的栅极与写入控制线309连接，源极和漏极中的一方与驱动晶体管303的栅极连接，另一方与驱动晶体管303的输出侧和有机EL306连接。有机EL306的一端与发光控制开关305连接，同时另一端接地310。
接着，对该显示器件100的动作的一例进行说明。首先，对写入期间和发光期间的各像素301的动作进行说明。在写入期间，如图4A－图4C所示，依次进行预充电动作、写入动作、非写入时动作，在其后的发光期间进行发光动作。
另外，为了便于说明，图4中用开关等记号表示写入控制开关304等，相同的符号表示相同的要素。另外，Vcc表示用于驱动驱动晶体管303的驱动供给电压，该驱动供给电压例如从外部的电源(未图示)供给。
首先，在时刻T1，输出与向数据线205输出的映像信号对应的显示电压(Vdata)。接着，如图4A所示，在下一个时刻T2接通写入控制开关304、发光控制开关305。因此，电流如箭头(a)所示流动，驱动晶体管303的栅极成为低电压。
在下一个时刻T3，如图4B所示，发光控制开关305断开，驱动晶体管303的栅极的电压成为驱动电压供给线307的电压Vcc和驱动晶体管303的阈值电压Vth之差Vcc-Vth。此时，保持电容302的电压为Vcc-Vth-Vdata。另外，此时电流如箭头(b)所示流动。
在下一个时刻T4，如图4C所示，写入控制开关304断开，进行向其他的像素的写入，此时，维持保持电容302的电压。
在下一个时刻T5，如图4D所示，在全部的数据线205上施加基准电压(以下，为“VSL”)，同时接通发光控制开关305。由此，与Vcc-Vth-Vdata+VSL对应的电流在有机EL306流通，有机EL306发光。通过反复上述的动作，驱动各像素301。另外，在上述说明的各像素301的构成和动作为一例，本实施方式不限于上述。
接着，对本实施方式的显示器件100的制造方法进行说明。如图5A所示，首先，在衬底601上例如形成包含形成驱动晶体管303的TFT和配线的TFT层501。
接着，如图5A所示，在上述TFT层501上依次层叠第一透明导电膜502(下部ITO(Indium Tin Oxide))、金属膜503(Ag)、第二透明导电膜504(上部ITO)。此外，在显示器件100中，金属膜503作为反射膜发挥功能，由第一透明导电膜502、金属膜503、第二透明导电膜504三层层叠构造形成所谓阳极反射电极(阳极电极)。另外，第二透明导电膜504的厚度例如约为30nm，金属膜503的厚度例如约为150nm，第一透明导电膜502的厚度例如约为30nm，TFT层501的厚度例约为200nm即可。另外，该三层层叠构造是一例，本实施方式不限于此。
接着，如图5A所示，在形成有上述三层构造等的衬底601上的规定位置，例如在形成后述的像素的阳极电极802(下部电极)、用于形成虚设像素的阳极电极(虚设阳极电极)803和虚设电极801的位置等涂布抗蚀剂层505。
接着，利用混合酸对第二透明导电膜504和金属膜503进行蚀刻(第一蚀刻)。由此，如图5B所示，去除不要的第二透明导电膜504和金属膜503。
接着，通过草酸对第一透明导电膜502进行蚀刻(第二蚀刻)。由此，如图5C所示，去除不要的第一透明导电膜502。
在此，如图6A和图6B所示，上述第一和第二蚀刻以在使衬底601移动的同时使衬底601相对于水平方向倾斜的方式进行。此外，图6B表示图6A的VI－VI剖面的概要。另外，如图6A和图6B所示，蚀刻液例如从衬底601的纵横方向以每规定的间隔设置的多个喷嘴602滴下。在此，衬底601如上所述，相当于形成有第一透明导电膜502、金属膜503、第二透明导电膜504等的衬底601。另外，图6A的箭头604表示衬底601的移动方向，另外，图6B的箭头605表示滴下的蚀刻液流动的方向。
接着，如图5D所示，剥离抗蚀剂层505。
接着，使用图7A和图7B对虚设电极801的图案的配置位置进行说明。图7A作为一例是对于使用形成有多个像素区域201的衬底一次对多个像素区域201进行蚀刻的情况进行说明的图。此外，在图7A中，上侧即上述第一和第二蚀刻的倾斜的上游侧相当于图6B的左侧，下侧即上述第一和第二蚀刻倾斜的下流侧相当于图6B的右侧。另外，箭头703表示随着该倾斜，蚀刻液流动的方向。
图7B是放大图7A的像素区域201和该像素区域201的周边的端子区域701(图7A的用虚线包围的区域704)的图。如图7B所示，例如，后述的多个虚设电极801的图案(虚设图案702)沿着像素区域201的上游侧的一边，以与像素区域201相邻的方式形成。
此外，虚设图案702除此之外，如图7C所示，也可以设置于下流侧，另外，如图7D所示，也可以沿着像素区域201的4边以与像素区域201相邻的方式设置。另外，图7A中表示形成有多个像素区域201的一个衬底601，但是也可以构成为例如对按每一个像素区域201切断后的衬底601进行虚设图案702的形成。另外，图7A～7D的像素区域201包含后述的虚设像素区域804，但为了附图的简化，在图7A～7D中省略虚设像素区域804。
接着，使用图8A和图8B对一个虚设图案702中的多个虚设电极801的配置图案进行说明。图8A是表示多个虚设电极801的配置图案的一例的平面图。此外，虚设电极801的形状是一例，本实施的形状不限定于图8A和图8B所示的形状。
例如，多个虚设电极801以该多个虚设电极801的密度随着从前述像素区域201离开而减少的方式配置。例如，如图8A所示，配置成随着从像素区域201离开，与形成于像素区域201的阳极电极802相比虚设电极801的面积减少。更具体而言，例如，在图8A中作为一例，表示面积从虚设像素区域804的左侧依次每隔两个虚设电极801分别减少20％的情况。
另外，例如，如图8B所示，也可以构成为以虚设电极801的数量随着从像素区域201离开而减少的方式配置多个虚设电极801。更具体而言，例如，在图8B中作为一例，表示虚设电极801的数量从虚设像素区域804的左侧依次每隔两个虚设电极801分别减少20％的情况。
此外，虚设电极801的尺寸例如在俯视观察虚设电极801的形状的情况下假定为正方形时，优选一边的长度为1.5μm以上。由此，可以更有效地防止虚设电极801自身的剥离。另外，上述图8A和图8B所示的配置图案为一例，只要是阳极电极802的密度随着从像素区域离开而减少，则也可以是其它的图案。例如，也可构成为阳极电极802的数量减少，并且其面积也减少。
接着，使用图9A和图9B，对如上所述形成的显示器件的剖面的一部分进行说明。在此，图9A相当于图8A的IVA－IVA剖面，图9B相当于图8B的IVB－IVB剖面。
如图8A所示，在TFT层501上配置有如上所述进行蚀刻的多个阳极电极802、虚设像素的阳极电极(虚设阳极电极)803、虚设电极801。而且，在配置了该多个阳极电极802的TFT层501上配置有绝缘层901(肋)，在该绝缘层901上配置有机EL层902。在该有机EL层902上配置上部电极903。而且，在上部电极903上配置密封膜904。如上所述，像素区域201和配置有虚设像素的虚设像素区域804包含阳极电极802(下部电极)或虚设阳极电极803、有机EL层902、上部电极903和堤坝部905。另一方面，如图8A所示，在显示器件100中的位于像素区域201和虚设像素区域804的外侧的端子区域701，残留有虚设电极801。
此外，在上述密封膜904上还填充有填充剂等(未图示)，以与填充有该填充剂等的衬底601对置的方式配置有设置了滤色片等的滤光片衬底(未图示)，但对使用了有机EL元件的显示器件的剖面构造自身而言因为是众所周知的，所以省略详细的说明。另外，对于图8B所示的剖面，除虚设电极801的数量随着从像素区域201离开而减少这一点外，与图8A相同，所以省略说明。
根据本实施方式，可以抑制在形成阳极反射电极的蚀刻工序的Ag的残渣的产生。具体而言，使用图10A～图10C进行说明。图10A、图10B、图10C是作为比较例，用于对没有设置上述本实施方式的虚设电极801的图案的情况下的Ag残渣的产生进行说明的图。另外，图10A与图8A和8B对应。另外，图10B和图10C与图11A和图11B对应。
如图10A和图10B的箭头101所示，在阳极反射电极形成工序的混合酸蚀刻中，因抗蚀剂层505(厚度1μm以上)等图案的疏密变化，所以产生混合酸的湍流。而且，因配置于虚设像素区域804的抗蚀剂层505等图案与端子区域701中的与虚设像素区域804相邻的区域之间的物理上的密度急剧变化，该湍流的流速大的点与小的点之差显著。在此，由Ag的混合酸进行的蚀刻具有在浸渍条件下的蚀刻速率大，在搅拌条件下的蚀刻速率小这种特征。即，具有当混合酸的流速小时蚀刻速率大，当混合酸的流速大时蚀刻速率小这种特征。因此，如上所述，在密度急剧变化的部分，混合酸的湍流产生，具有在流速大的点产生Ag残渣这种趋势。
根据本实施方式，通过设置多个虚设电极801的图案，使配置于虚设像素区域804的抗蚀剂层505等图案与其它区域(例如，端子区域701中的与虚设像素区域804相邻的区域)之间的物理上密度慢慢变化，可以抑制上述的蚀刻液(混合酸)的湍流的流速差。由此，可以进一步实现没有残渣的显示器件等。
本发明不限定于上述实施方式，可有各种变形。例如，可以利用与上述实施方式所示的结构实际上相同的结构、起到相同的作用效果的结构或能够实现相同的目的的结构进行置换。例如，在以上叙述中，对透明导电膜502、504为ITO的情况进行了说明，但也可以由IZO(Indium Zinc Oxide)等其它透明导电材料构成。另外，在以上叙述中，作为显示器件，以有机EL显示器件为例进行了说明，但也可以适用于其它的自发光型显示器件。

Claims (12)

1.一种显示器件的制造方法，其特征在于：
形成从衬底侧依次层叠了第一透明导电膜、金属膜和第二透明导电膜的三层层叠构造，所述三层层叠构造形成配置于像素区域的多个阳极电极和配置于所述像素区域的外侧的多个虚设电极，
对所述第二透明导电膜和所述金属膜进行蚀刻，
对所述第一透明导电膜进行蚀刻，
所述多个虚设电极的图案的密度随着从所述像素区域离开而减少。
2.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述多个虚设电极的面积随着从所述像素区域离开而变小。
3.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述多个虚设电极的数量随着从所述像素区域离开而减少。
4.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述第二透明导电膜和所述金属膜的蚀刻在将所述衬底倾斜的状态下进行。
5.根据权利要求4所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述多个虚设电极的图案的密度，在向由所述倾斜引起的蚀刻液的流动的上游方向去的方向上减少。
6.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述金属膜的材料为银。
7.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜的材料为ITO。
8.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述第一透明导电膜的蚀刻使用草酸进行。
9.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述第二透明导电膜和所述金属膜的蚀刻使用混合酸进行。
10.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述多个虚设电极配置于所述金属膜的蚀刻中使用的蚀刻液的上游侧。
11.根据权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，
所述多个虚设电极与相邻地配置于所述像素区域的外侧的多个虚设像素相邻配置。
12.一种显示器件，其特征在于，包含：
配置于像素区域的多个阳极电极；和
配置于所述像素区域的外侧的多个虚设电极，
所述多个虚设电极的图案的密度随着从所述像素区域离开而减少。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461656A (zh) * 2018-01-19 2018-08-28 云谷（固安）科技有限公司 一种刻蚀阳极膜层的方法及其显示面板
CN110767702A (zh) * 2018-12-28 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102377906B1 (ko) 2017-04-21 2022-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102481468B1 (ko) * 2018-01-04 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7314752B2 (ja) 2019-09-30 2023-07-26 株式会社リコー 光電変換素子、読取装置、画像処理装置および光電変換素子の製造方法
CN111028702B (zh) * 2019-12-05 2022-01-25 湖南创瑾科技有限公司 一种制造led透明显示屏的方法及显示屏
KR20210149283A (ko) 2020-06-01 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7543568B2 (ja) 2021-07-26 2024-09-02 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107511A (ja) * 2001-09-26 2003-04-09 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法
CN1446034A (zh) * 2002-02-07 2003-10-01 三星日本电气移动显示株式会社 有机电致发光显示设备、它的衬底以及切割衬底的方法
KR100646974B1 (ko) * 2005-10-20 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
CN103872072A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199481A (ja) 1996-01-23 1997-07-31 Sony Corp エッチング方法
JP2005123368A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板のエッチング装置
JP4581405B2 (ja) * 2004-01-08 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4419603B2 (ja) * 2004-02-25 2010-02-24 日本電気株式会社 液晶表示装置の駆動方法
JP4055171B2 (ja) * 2004-05-19 2008-03-05 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
KR101107135B1 (ko) * 2005-05-31 2012-01-31 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자
TWI286224B (en) * 2006-08-03 2007-09-01 Au Optronics Corp Color filter substrate and fabricating method thereof
US8304982B2 (en) * 2006-11-30 2012-11-06 Lg Display Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
KR100873275B1 (ko) 2007-03-19 2008-12-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
JP5017584B2 (ja) * 2007-08-02 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
JP5543692B2 (ja) * 2008-03-21 2014-07-09 株式会社東芝 有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置および照明装置
KR101300034B1 (ko) 2010-10-18 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 및 이를 이용한 액정표시장치
KR102071007B1 (ko) * 2013-02-13 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101641690B1 (ko) * 2013-09-25 2016-07-21 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 일체형 표시장치
TWI545749B (zh) * 2014-04-23 2016-08-11 群創光電股份有限公司 顯示基板及應用其之顯示裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107511A (ja) * 2001-09-26 2003-04-09 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法
CN1446034A (zh) * 2002-02-07 2003-10-01 三星日本电气移动显示株式会社 有机电致发光显示设备、它的衬底以及切割衬底的方法
KR100646974B1 (ko) * 2005-10-20 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
CN103872072A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461656A (zh) * 2018-01-19 2018-08-28 云谷（固安）科技有限公司 一种刻蚀阳极膜层的方法及其显示面板
CN110767702A (zh) * 2018-12-28 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板
CN110767702B (zh) * 2018-12-28 2022-04-05 云谷（固安）科技有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板

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