CN112310180B - 显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法和显示装置，该显示面板划分为显示区和非显示区，非显示区包括邦定区，该显示面板包括基板；金属走线，位于基板上，由显示区延伸至非显示区；平坦化层，位于金属走线远离基板的一侧；金手指，与金属走线邦定连接，金手指靠近显示区的一端与平坦化层不接触。本发明实施例提供的技术方案通过去除邦定区的平坦化层，使得在刻蚀非显示区的电极层(阳极)的时候，邦定区内不存在平坦化层坡面，也就不存在阳极刻蚀残留，且金手指靠近显示区的一端与平坦化层不接触，避免了金手指与平坦化层上的阳极刻蚀残留短接，进而避免了金属走线之间出现短路的现象，有利于改善显示效果。

Description

显示面板及其制备方法和显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法和显示装置。

背景技术

随着技术的发展，有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，AMOLED)显示面板在智能手机和平板电脑等显示装置中的应用越来越广。

显示面板显示区的信号线通常通过设置在非显示区的金属走线与驱动芯片连接，以实现画面显示。然而在现有技术中，非显示区会存在电极刻蚀残留，造成金属线短接，严重影响显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，以解决阳极刻蚀残留影响显示面板的显示效果的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板划分为显示区和非显示区，所述非显示区包括邦定区，该显示面板包括：

基板；

金属走线，位于所述基板上，由所述显示区延伸至所述非显示区；

平坦化层，位于所述金属走线远离所述基板的一侧；

金手指，与所述金属走线邦定连接，所述金手指靠近所述显示区的一端与所述平坦化层不接触。

可选地，本发明实施例提供的显示面板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述非显示区，并覆盖所述金属走线在所述非显示区的部分；所述绝缘层包括开口，所述开口暴露所述金属走线。

可选地，本发明实施例提供的显示面板还包括像素定义层，所述像素定义层包括第一像素定义层和第二像素定义层；所述第一像素定义层位于所述平坦化层远离所述基板的一侧；所述第二像素定义层为所述绝缘层。

可选地，所述平坦化层靠近所述邦定区的边界与所述金手指靠近所述显示区的边界的最短距离大于50μm。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板划分为显示区和非显示区，所述非显示区包括邦定区，该显示面板的制备方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成金属走线，所述金属走线由所述显示区延伸至所述非显示区；

在所述金属走线远离所述基板的一侧形成平坦化层；

去除位于所述邦定区的平坦化层；

在去除所述平坦化层的所述邦定区形成金手指，且所述金手指与所述金属走线连接，所述金手指靠近所述显示区的一端与所述平坦化层不接触。

可选地，在去除所述平坦化层的所述邦定区形成金手指，且所述金手指与所述金属走线连接包括：

在所述非显示区的所述金属走线远离所述基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层设有开口，所述开口暴露所述金属走线，所述金属走线与所述金手指连接。

可选地，在去除位于所述邦定区的平坦化层之后，还包括：

在位于所述显示区的所述平坦化层远离所述基板的一侧形成阳极层。

可选地，在去除位于所述邦定区的平坦化层之后，还包括：

在位于所述显示区的所述平坦化层远离所述基板的一侧形成第一像素定义层以及在位于所述非显示区的所述金属走线远离所述基板的一侧形成第二像素定义层，所述第二像素定义层为所述绝缘层。

可选地，位于所述显示区的所述平坦化层与所述第二像素定义层同层设置。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例所提供的显示面板。

本发明实施例提供的技术方案通过曝光显影去除邦定区的平坦化层，使得在刻蚀非显示区的电极层(阳极)的时候，邦定区内不存在平坦化层坡面，也就不存在阳极刻蚀残留，且金手指靠近显示区的一端与平坦化层之间存在一定的距离，避免了金手指与平坦化层上的阳极刻蚀残留短接，金手指也就不会导通至平坦化层的边缘，相邻金手指之间也就不可能通过阳极刻蚀残留在G方向上横向导通，进而有效的避免了金属走线之间出现短路的现象，有利于改善显示效果。

附图说明

图1为现有技术中显示面板的结构示意图；

图2为现有技术刻蚀阳极的显示面板的结构示意图；

图3为现有技术金属走线对应的俯视图；

图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图6为图5中沿剖面线AA’显示面板的剖面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术中所提到的现有的显示面板在制备过程中会出现信号线短接的问题，经发明人仔细研究发现，出现上述问题的原因在于，在刻蚀位于平坦化层上的阳极时，由于伯努利效应使得平坦化坡面上容易形成阳极刻蚀残留，阳极刻蚀残留与柔性电路板的金手指短接，即不同信号线之间短接，使得像素电位发生变化，从而导致显示画面出现暗线，影响显示效果。图1为现有技术中显示面板的结构示意图，图2为现有技术刻蚀阳极的显示面板的结构示意图，图3为现有技术金属走线对应的俯视图，参考图1、图2和图3，显示面板包括显示区AA和位于显示区AA一侧的非显示区NA，非显示区NA包括邦定覆晶薄膜封装区CPA，覆晶薄膜封装区域CPA中的金属走线11通过金手指21与柔性电路板连接。在显示面板的制备过程中，通常采用平坦化层70覆盖金属走线11，并在平坦化层70上开孔形成邦定区PA，之后在平坦化层70远离基板10的一侧形成阳极膜801，并对阳极膜801进行刻蚀形成阳极层80。在开孔完成后，平坦化层70会在邦定区PA形成坡面，在刻蚀形成阳极层80的时候，根据伯努利效应可知，在坡面上的阳极刻蚀液的流速大、压强小，使得刻蚀难度大幅提升，并且越靠近金属走线11的地方(即坡面的根部)越容易存在刻蚀残留。且在平坦化层70的表面形成阳极膜801后，需要在阳极膜801表面涂覆一层光阻12(光敏材料)形成刻蚀掩膜版，在刻蚀阳极膜801形成阳极层80之前，平坦化层70坡面处的光阻12的厚度远大于非坡面处的光阻12的厚度，导致平坦化层70坡面处的光阻12无法充分曝光显影去除，容易存留一定的光阻12形成残胶，进而导致后续形成阳极层80时存在阳极刻蚀残留(金属残留物，如图1中虚线框所示)。综上，由于平坦化层70坡面处的阳极刻蚀液受到伯努利效应的影响，以及光阻12较厚容易形成残胶，因此存在容易在平坦化层70坡面(边缘)处形成阳极刻蚀残留的问题，容易导致金手指21在S方向上通过平坦化层70坡面处的阳极刻蚀残留导通至平坦化层70的边缘，由于平坦化层70的边缘阳极刻蚀残留的存在，使得导通至平坦化层70的边缘的相邻金手指21通过阳极刻蚀残留发生横向导通，也即相邻邦定区PA之间在G方向上发生短接，造成相邻金属走线11之间短路，进而影响显示效果。

基于上述问题，本发明实施例提供一种显示面板，以解决阳极刻蚀残留影响显示面板的显示效果的问题。图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，参考图4，本发明实施例提供的显示面板划分为显示区AA和非显示区NA，非显示区NA包括邦定区BA，该显示面板包括基板10；金属走线11，位于基板10上，由显示区AA延伸至非显示区NA；平坦化层70，位于金属走线11远离基板10的一侧；金手指21，与金属走线11邦定连接，金手指21靠近显示区AA的一端与平坦化层70不接触。

具体地，显示面板包括显示区AA和非显示区NA，显示区AA用于显示画面。基板10上可设置有氮化硅缓冲层20、氧化硅缓冲层30、栅极绝缘层40、电容绝缘层50和层间绝缘层60。显示区AA设置有以阵列方式排列的薄膜晶体管31，构成发光器件的驱动电路，在层间绝缘层60远离基板10的一侧还设置有金属走线11，位于非显示区NA的金属走线11与金手指21连接，金手指21设置在覆晶薄膜封装区CPA，用于邦定柔性电路板。其中，邦定柔性电路板上设置有驱动芯片，金属走线11在显示区AA连接薄膜晶体管31的源极，并由显示区AA延伸至非显示区NA，驱动芯片输出的驱动信号通过金手指21、金属走线11传输至薄膜晶体管31，驱动薄膜晶体管31产生驱动信号，驱动发光器件发光。由于显示面板内不同层图案所造成的面内段差，使得膜层表面出现起伏，通过在金属走线11上形成平坦化层70，可以使得膜层表面平整，便于形成后续膜层，且平坦化层70还可以起到绝缘相邻金属走线11的作用。平坦化层70可以为正性光刻胶或负性光刻胶，可根据实际需求选取，在金属走线11远离基板10的一侧形成平坦化层70后，采用相应的掩膜版(如显示区AA的掩膜版对应非透光区，覆晶薄膜封装区CPA的掩膜版对应透光区)通过光照方式去除覆晶薄膜封装区CPA的平坦化层70，也即去除了邦定区BA的平坦化层70，之后在平坦化层70远离基板10的一侧形成阳极膜，并对阳极膜进行刻蚀形成阳极层80。在刻蚀形成阳极层80时，由于去除了邦定区BA的平坦化层70，导致邦定区BA没有平坦化层70所形成的台阶(坡面)，因此也就不会在邦定区BA存在阳极残留刻蚀。其中阳极层80可以为金属层和/或金属氧化物层，如，阳极层80可以为ITO/Ag/ITO层。

金手指21通过导电金球22和导电胶(未示出)与金属走线11邦定连接。由于邦定区BA不存在平坦化层70，也即平坦化层70的边缘不在邦定区BA内，但为了避免金手指21与平坦化层70边缘的阳极刻蚀残留出现短接的风险，将金手指21靠近显示区AA的一端与平坦化层70不接触。也就是说，在平坦化层70靠近邦定区BA的一端，平坦化层70的边缘与金手指21之间存在一定的距离，从而保证金手指21不会与平坦化层70坡面上的阳极刻蚀残留短接。示例性地，结合图3和图4进行具体说明，如果金手指21与平坦化层70的边缘短接，即在S方向上金手指21与平坦化层70上的阳极残留短接，使得金手指21在S方向上通过平坦化层70边缘处的阳极刻蚀残留导通至平坦化层70的边缘，导通至平坦化层70的边缘的相邻金手指21通过阳极刻蚀残留发生横向导通，也即相金属走线11之间在G方向上发生短接，导致相邻金属走线11之间出现短路现象，进而影响显示效果。金属走线11可以为数据信号线、扫描信号线和电源信号线中的一种或多种，以金属走线11为数据信号线为例，在V-Style像素排列结构中，G像素单用一条数据信号线，R像素和B像素共用一条数据信号线，当显示G画面时，所有G像素对应的数据信号线提供低电位信号并写入存储电容的下极板301进行储存，存储电容的下极板301与薄膜晶体管31的栅极302连接，此时薄膜晶体管31处于导通状态，电源电压通过薄膜晶体管31写入阳极层80，G像素被点亮，此时R像素和B像素处于关闭状态，对应的薄膜晶体管31的栅极302为高电位。当相邻的金属走线11(数据线)通过阳极刻蚀残留短接后，R像素和B像素对应的高电位会拉高相邻G像素对应的数据电压信号的电位，从而使得显示画面出现暗线。当去除邦定区BA的平坦化层70后，邦定区BA不会存在平坦化层70的坡面，因此在邦定区BA不会出现阳极刻蚀残留，且金手指21靠近显示区AA的一端与平坦化层70不接触，使得金手指不会与平坦化层70上的阳极刻蚀残留短接，在平坦化层70的坡面上，相邻金手指21不会通过阳极刻蚀残留在G方向上短接，进而相邻金属走线11之间不会出现短路的现象，改善了显示面板的显示效果。

本发明实施例提供的技术方案通过曝光显影去除邦定区的平坦化层，使得在刻蚀非显示区的电极层(阳极)的时候，邦定区内不存在平坦化层坡面，也就不存在阳极刻蚀残留，且金手指靠近显示区的一端与平坦化层之间存在一定的距离，避免了金手指与平坦化层上的阳极刻蚀残留短接，金手指也就不会导通至平坦化层的边缘，相邻金手指之间也就不可能通过阳极刻蚀残留在G方向上横向导通，进而有效的避免了金属走线之间出现短路的现象，有利于改善显示效果。

可选地，图5为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图，图6为图5中沿剖面线AA’显示面板的剖面结构示意图，参考图5和图6，在上述技术方案的基础上，本发明实施例提供的显示面板还包括绝缘层90，绝缘层90位于非显示区NA，并覆盖金属走线11在非显示区NA的部分，绝缘层90包括开口，开口暴露金属走线11。

具体地，由于去除了邦定区BA内的平坦化层70，为了避免相邻金属走线11之间短路，在非显示区NA形成绝缘层90，绝缘层90上设置有开口，开口区域即为邦定区BA。邦定区BA的金属走线11(如虚线框12框出的部分)通过导电金球22和导电胶与金手指21进行邦定连接。由于在邦定区BA不存在平坦化层70，因此金手指21也不会与平坦化层70的边缘短接，绝缘层90是在刻蚀阳极完成之后形成的，因此在绝缘层90的边缘(a点)不会存在阳极刻蚀残留，进而在G方向上，相邻金手指21之间不会通过阳极刻蚀残留短接，进而相邻金属走线11之间不会出现短接的现象。

需要说明的是，以图5为例，S方向为与纸面水平的方向，G方向为垂直纸面向里的方向。

可选地，图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图7，在上述各技术方案的基础上，本发明实施例提供的显示面板还包括像素定义层，像素定义层包括第一像素定义层91和第二像素定义层92；第一像素定义层91位于平坦化层70远离基板10的一侧；第二像素定义层92为绝缘层90。

具体地，像素定义层用于定义多个像素，像素定义层上包括多个暴露阳极层80的开口，每一开口内均可形成一个像素。阳极层80、第一像素定义层91、有机层81和阴极层82设置在平坦化层70上，第一像素定义层91包括多个暴露阳极层80的开口，阳极层80位于开口的底部。阳极层80、有机层81和阴极层82形成OLED发光器件，其中有机层81可以为一层或者多层，例如有机层81可以包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，阴极层82的电子和阳极层80的空穴在电场的驱动作用下分别注入电子注入层和空穴注入层，再经电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，电子和空穴在发光层结合产生激子，激子经过迁移和辐射衰减产生光子发光。第二像素定义层92形成于金属走线11远离基板10的一侧，并直接与金属走线11接触，因此第二像素定义层92可以为绝缘层90，第二像素定义层91包括多个暴露金属走线11的开口，该开口内的金属走线11通过导电金球22和导电胶与金手指21进行邦定连接，第二像素定义层92还起到绝缘隔离的作用，防止相邻金属走线11之间短路。

进一步地，继续参考图7，平坦化层70靠近邦定区BA的边界与金手指21靠近显示区AA的边界的最短距离大于50μm。具体地，通常情况下，为了避免平坦化层70和第二像素定义层92之间的断差过高带来的刻蚀难度增大，不会将第二像素定义层92覆盖住平坦化层70，且考虑到工艺的限制，在邦定金手指21时，很难做到金手指21与邦定区BA完美贴合，因此为了避免金手指21与平坦化层70的边缘的阳极刻蚀残留短接，在平坦化层70靠近邦定区BA的边界与第二像素定义层92靠近显示区AA的边界之间设置预设距离，该预设距离为金手指21超出邦定区BA的距离，如50μm。本发明实施例通过去除邦定区BA的平坦化层70，使得邦定区BA不存在平坦化层70的坡面，也就不存在阳极刻蚀残留，且平坦化层70靠近邦定区BA的边界与金手指21靠近显示区AA的边界之间存在一定的预设距离，在邦定区BA形成金手指21时，由于金手指21与平坦化层70之间存在预设距离，即使平坦化层70的边缘存在阳极刻蚀残留，金手指21也不会与阳极刻蚀残留短接导通至平坦化层70的边缘，相邻金手指21之间也就不可能通过阳极刻蚀残留在G方向上横向导通，进而有效的避免了金属走线11之间出现短路的现象，有利于改善显示效果。

需要说明的是，当平坦化层70的边缘和第二像素定义层92的边缘为坡面的时候，最短距离为平坦化层70的下边缘和第二像素定义层92的下边缘之间的距离。当然，在其他实施例中，平坦化层70靠近邦定区BA的边界与金手指21靠近显示区AA的边界的最短距离，也可以为第二像素定义层92的开口暴露出的用于与金手指21邦定的金属走线11靠近显示区AA一端与平坦化层70靠近邦定区BA的边界之间的距离。

本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，可适用于采用低温多晶硅(LTPS)技术制备AMOLED显示面板。图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，参考图8，在上述各技术方案的基础上，该制备方法包括：

S110、提供基板。

具体地，参考图7，基板10可以是柔性的，可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成，基板10也可以是刚性的，如玻璃基板。在基板10上形成氮化硅缓冲层20、氧化硅缓冲层30、栅极绝缘层40、电容绝缘层50和层间绝缘层60，在显示区AA还包括薄膜晶体管31，薄膜晶体管31以阵列形式排列，并构成发光器件的驱动电路，以驱动发光器件发光。

S120、在基板上形成金属走线，金属走线由显示区延伸至非显示区。

可以理解的是，金属走线11可以是数据信号线、扫描信号线和电源信号线中的一种或者多种。显示区AA的金属走线11用于连接薄膜晶体管31，非显示区NA的金属走线11用于邦定柔性电路板，柔性电路板上设置有驱动芯片，驱动芯片输出的驱动信号通过金手指21、和金属走线11向薄膜晶体管31提供驱动信号，从而驱动发光器件发光。

S130、在金属走线远离基板的一侧形成平坦化层。

S140、去除位于邦定区的平坦化层。

具体地，在形成金属走线11后，在金属走线11远离基板10的一侧形成平坦化层70，其中，平坦化层70的制备方法为本领域常用的方法，在此不再赘述。形成平坦化层70后采用掩膜版对平坦化层70进行曝光显影处理，该掩膜版对应显示区AA的部分为非透光区，对应覆晶薄膜封装区CPA的部分为透光区，经曝光显影处理后的平坦化层70在覆晶薄膜封装区CPA的厚度为零，即邦定区BA不存在平坦化层70，也就不存在平坦化层台阶。

S150、在去除平坦化层的邦定区形成金手指，且金手指与金属走线连接，金手指靠近显示区的一端与平坦化层不接触。

具体地，金属走线11的材料可以为Ti/Al/Ti，位于非显示区NA的金属走线11通过金手指21与柔性电路板邦定连接，柔性电路板上设置有驱动芯片，金属走线11在显示区AA连接薄膜晶体管31的源极，并由显示区AA延伸至非显示区NA，驱动芯片输出的驱动信号通过金手指21和金属走线11传输至薄膜晶体管31，驱动薄膜晶体管31产生驱动信号，驱动发光器件发光。进一步地，邦定区BA可以由绝缘层90进行限定。在曝光显影去除覆晶薄膜封装区CPA的平坦化层70后，在原平坦化层70的图案上直接形成绝缘层90，绝缘层90与金属走线11接触，在绝缘层90上的开口暴露金属走线11的区域形成邦定区BA，邦定区BA的金属走线11通过导电金球22和导电胶与金手指21邦定连接。

邦定区BA的金属走线11位于绝缘层90的开口内，开口深度为2μm，在金属走线11上邦定有导电金球22，其中导电金球22的直径为3μm，将金手指21与导电金球22进行压接，进而实现金手指21与金属走线11电连接。为了避免金手指21与平坦化层70边缘的阳极刻蚀残留出现短接的风险，将金手指21靠近显示区AA的一端与平坦化层70不接触。也就是说，在平坦化层70靠近邦定区BA的一端，平坦化层70的边缘与金手指21之间存在一定的距离，从而保证金手指21不会与平坦化层70坡面上的阳极刻蚀残留短接。示例性地，结合图3和图4进行具体说明，如果金手指21与平坦化层70的边缘短接，即在S方向上金手指21与平坦化层70上的阳极残留短接，使得金手指21在S方向上通过平坦化层70边缘处的阳极刻蚀残留导通至平坦化层70的边缘，导通至平坦化层70的边缘的相邻金手指21通过阳极刻蚀残留发生横向导通，也即相邻金属走线11之间在G方向上发生短接，导致相邻金属走线11之间出现短路现象，进而影响显示效果。金属走线11可以为数据信号线、扫描信号线和电源信号线中的一种或多种，以金属走线11为数据信号线为例，在V-Style像素排列结构中，G像素单用一条数据信号线，R像素和B像素共用一条数据信号线，当显示G画面时，所有G像素对应的数据线提供低电位信号并写入存储电容的下极板301进行储存，存储电容的下极板301与薄膜晶体管31的栅极302连接，此时薄膜晶体管31处于导通状态，电源电压通过薄膜晶体管31写入阳极层80，G像素被点亮，此时R像素和B像素处于关闭状态，对应的薄膜晶体管31的栅极302为高电位。当相邻的金属走线11(数据线)通过阳极刻蚀残留短接后，R像素和B像素对应的高电位会拉高相邻G像素对应的数据电压信号的电位，从而使得显示画面出现暗线。当去除邦定区BA的平坦化层70后，邦定区BA不会存在平坦化层70的坡面，因此在邦定区BA不会出现阳极刻蚀残留，且金手指21靠近显示区AA的一端与平坦化层70不接触，使得金手指不会与平坦化层70上的阳极刻蚀残留短接，在平坦化层70的坡面上，相邻金手指21不会通过阳极刻蚀残留在G方向上短接，进而相邻金属走线11之间不会出现短路的现象，改善了显示面板的显示效果。

可选地，在去除位于邦定区的平坦化层之后，还包括：在位于显示区的平坦化层远离基板的一侧形成阳极层。

具体地，阳极层80可以采用磁控溅射工艺在基板10上整层铺设阳极膜，对阳极膜进行刻蚀得到位于平坦化层70上的阳极层80。由于邦定区BA不存在平坦化层70的坡面，从而非显示区NA的阳极膜也不存在坡度，因此在刻蚀邦定区BA的阳极膜时，不会存在阳极刻蚀残留，其中阳极膜的材料可以为ITO/Ag/ITO。可以采用湿法刻蚀工艺对阳极膜进行刻蚀，形成阳极膜后，在阳极膜的表面涂覆光刻胶，如光阻，以形成阳极刻蚀掩膜版，阳极刻蚀掩膜版上包括刻蚀图案。形成阳极刻蚀掩膜版之后，利用湿法刻蚀装置释放放出阳极刻蚀液对阳极膜进行化学腐蚀，从而完成阳极刻蚀。在显示区AA的平坦化层70上形成阳极层80之后，在阳极层80远离基板10的一侧形成像素定义层。像素定义层包括第一像素定义层91和第二像素定义层92，其中第二像素定义层92可以为绝缘层90，与位于显示区AA的平坦化层70同层设置。在刻蚀阳极膜形成阳极层80时，由于邦定区BA内没有平坦化层70的坡面，因此邦定区BA内也就不存在阳极刻蚀残留，在邦定金手指21时，金手指21与平坦化层70的边缘不接触，也就是说，在平坦化层70靠近邦定区BA的边界与第二像素定义层92靠近显示区AA的边界之间设置预设距离，该预设距离为金手指21超出邦定区BA的距离，如50μm，当平坦化层70的边缘和第二像素定义层92的边缘为坡面的时候，最短距离为平坦化层70的下边缘和第二像素定义层92的下边缘之间的距离。进而金手指21也不会与平坦化层70的边缘短接形成S向暗线，且第二像素定义层92是在刻蚀阳极完成之后形成的，因此在第二像素定义层92的边缘(图7中a点)位置不会存在阳极刻蚀残留，进而在G方向上，相邻金属走线11之间不会出现短接的现象，改善了显示面板的显示效果。

本发明实施例通过去除邦定区BA的平坦化层70，使得邦定区BA不存在平坦化层70的坡面，也就不存在阳极刻蚀残留，且平坦化层70靠近邦定区BA的边界与金手指21靠近显示区AA的边界之间存在一定的预设距离，在邦定区BA形成金手指21时，由于金手指21与平坦化层70之间存在预设距离，即使平坦化层70的边缘存在阳极刻蚀残留，金手指21也不会与阳极刻蚀残留短接导通至平坦化层70的边缘，相邻金手指21之间也就不可能通过阳极刻蚀残留在G方向上横向导通，进而有效的避免了金属走线11之间出现短路的现象，有利于改善显示效果。

可选地，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例所提供的显示面板，并且该显示面板由本发明任意实施例所提供的显示面板的制备方法制得，该显示装置可以为手机、平板、电脑、智能手表等电子产品，因此本发明实施例提供的显示装置具备本发明任意实施例所描述的有益效果。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种显示面板，划分为显示区和非显示区，所述非显示区包括邦定区，其特征在于，包括：

基板；

金属走线，位于所述基板上，由所述显示区延伸至所述非显示区；

平坦化层，位于所述金属走线远离所述基板的一侧；

金手指，与所述金属走线邦定连接，所述金手指靠近所述显示区的一端与所述平坦化层不接触；

所述显示面板，还包括绝缘层，像素定义层；

所述绝缘层位于所述非显示区，并覆盖所述金属走线在所述非显示区的部分；所述绝缘层包括开口，所述开口暴露所述金属走线；

所述像素定义层包括第一像素定义层和第二像素定义层；所述第一像素定义层位于所述平坦化层远离所述基板的一侧；所述第二像素定义层为所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层靠近所述邦定区的边界与所述金手指靠近所述显示区的边界的最短距离大于50μm。

3.一种显示面板的制备方法，所述显示面板划分为显示区和非显示区，所述非显示区包括邦定区，其特征在于，所述显示面板的制备方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成金属走线，所述金属走线由所述显示区延伸至所述非显示区；

在所述金属走线远离所述基板的一侧形成平坦化层；

去除位于所述邦定区的平坦化层；

在去除所述平坦化层的所述邦定区形成金手指，且所述金手指与所述金属走线电连接，所述金手指靠近所述显示区的一端与所述平坦化层不接触。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在去除所述平坦化层的所述邦定区形成金手指，且所述金手指与所述金属走线连接包括：

在所述非显示区的所述金属走线远离所述基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层设有开口，所述开口暴露所述金属走线，所述金属走线与所述金手指连接。

5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在去除位于所述邦定区的平坦化层之后，还包括：

在位于所述显示区的所述平坦化层远离所述基板的一侧形成阳极层。

6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在去除位于所述邦定区的平坦化层之后，还包括：

在位于所述显示区的所述平坦化层远离所述基板的一侧形成第一像素定义层以及在位于所述非显示区的所述金属走线远离所述基板的一侧形成第二像素定义层，所述第二像素定义层为所述绝缘层。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，位于所述显示区的所述平坦化层与所述第二像素定义层同层设置。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-2任一项所述的显示面板。

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