CN110767702B - 显示装置及其显示面板、oled阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示装置及其显示面板、OLED阵列基板，OLED阵列基板包括第一显示区、第二显示区以及位于所述第一显示区与第二显示区之间的过渡区，第二显示区的像素密度高于第一显示区的像素密度；第一显示区包括一行、若干列的第一OLED子像素，第二显示区包括若干呈阵列式排布的第二OLED子像素；第一显示区的各列第一OLED子像素的第一电极在过渡区内向第二显示区延伸。好处在于：可以覆盖第一显示区与第二显示区由于子像素大小不同导致的连接处的无子像素区，解决暗线问题。

Description

显示装置及其显示面板、OLED阵列基板

技术领域

本发明涉及OLED显示设备技术领域，尤其涉及一种显示装置及其显示面板、OLED阵列基板。

背景技术

随着显示装置的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高，由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件，因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件，例如苹果手机iphoneX的前刘海区域，影响了屏幕的整体一致性，全面屏显示受到业界越来越多的关注。

发明内容

本发明的发明目的是提供一种提供一种用于全面屏的显示装置及其显示面板、OLED阵列基板。

为实现上述目的，本发明提供一种OLED阵列基板，包括第一显示区、第二显示区以及位于所述第一显示区与第二显示区之间的过渡区，所述第一显示区包括一行、若干列的第一OLED子像素，一组非同色第一OLED子像素形成一第一OLED像素单元，所述第二显示区包括若干呈阵列式排布的第二OLED子像素，一组非同色第二OLED子像素形成一第二OLED像素单元；所述第二显示区的像素密度高于第一显示区的像素密度；所述第二OLED子像素自下而上包括：块状第一电极、OLED发光结构以及第二电极，所述第一OLED子像素包括：列方向延伸的第一电极、位于所述第一电极上的OLED发光结构以及位于所述OLED发光结构上的第二电极；所述第一显示区的各列第一电极在所述过渡区内向所述第二显示区延伸。

可选地，所述第一OLED子像素与邻近的第一OLED子像素、第二OLED子像素的颜色两两互不相同。

可选地，所述第二OLED子像素与邻近的第二OLED子像素、第一OLED子像素的颜色两两互不相同。

可选地，所述第二显示区为非透明显示区，所述第一显示区为透明显示区；所述第一OLED子像素被驱动时，所述透明显示区为显示功能；所述第一OLED子像素未被驱动时，所述透明显示区为透光功能。

可选地，所述第二OLED子像素的驱动方式为主动式，所述第一OLED子像素的驱动方式为主动式或被动式。

可选地，当所述透明显示区的第一OLED子像素的驱动方式为主动式时，各列第一OLED子像素对应的像素驱动电路设置在过渡区、非透明显示区或边框区。

可选地，所述第二OLED子像素与所述第一OLED子像素的驱动方式都为主动式，所述第一OLED子像素与邻近的第二OLED子像素分别连接一像素驱动电路。

可选地，每列第一电极上具有多个分隔的OLED发光结构；相邻OLED发光结构之间具有像素定义层或不具有像素定义层。

可选地，所述第一OLED子像素与第二OLED子像素的OLED发光结构在同一工序中蒸镀形成。

可选地，所述第一OLED子像素与第二OLED子像素的OLED发光结构在蒸镀工序中使用同一掩膜版或不同掩膜版。

可选地，各列第一OLED子像素的第一电极的宽度大于、小于或等于各列第二OLED子像素的第一电极的宽度，各列第一OLED子像素的OLED发光结构的宽度大于、小于或等于各列第二OLED子像素的OLED发光结构的宽度。

可选地，所述各个第二OLED子像素的第二电极连成一面电极，和/或所述各个第二OLED子像素以及各列第一OLED子像素的第二电极连成一面电极。

可选地，所述第一电极在列方向的长度与行方向的宽度之比大于20:1。

本发明还提供一种显示面板，包括上述任一项的OLED阵列基板。

可选地，所述第一显示区、第二显示区以及过渡区在同一工序中封装；或所述第一显示区与所述过渡区在同一工序中封装，所述第二显示区在另一工序中封装。

本发明还另外提供一种显示装置，包括上述任一项的显示面板。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1)不同像素密度，即不同分辨率的两显示区的子像素大小不同，会造成两显示区的过渡区域无子像素，显示时出现暗线。本发明通过将低像素密度的子像素在过渡区内延伸，覆盖该无子像素区域，从而解决暗线问题。

2)可选方案中，像素密度相对较低的为第一显示区，第一显示区包括一行、若干列的第一OLED子像素，一组非同色第一OLED子像素形成一第一OLED像素单元；像素密度相对较高的为第二显示区，第二显示区包括若干呈阵列式排布的第二OLED子像素，一组非同色第二OLED子像素形成一第二OLED像素单元。一个可选方案中，第一OLED子像素与邻近的第一OLED子像素、第二OLED子像素的颜色两两互不相同。另一个可选方案中，第二OLED子像素与邻近的第二OLED子像素、第一OLED子像素的颜色两两互不相同。相对于第一OLED子像素与同色第二OLED子像素相邻的方案，前述两个可选方案可以提高整个显示区的显示效果。

3)可选方案中，第二显示区为非透明显示区，第一显示区为透明显示区。透明显示区需显示时，在第一OLED子像素的第一电极与第二电极之间施加电压进行驱动，透明显示区执行显示功能，与非透明显示区一并显示，整个显示区形成全面屏；透明显示区需透光时，第一OLED子像素的第一电极与第二电极之间不施加电压、不进行驱动。按列分布的第一OLED子像素相对于阵列式的第二OLED子像素由于省略了行与行之间的图形，简化了平面方向的图形以及上下方向的膜层结构，可以缓解上下方向上的光线衍射问题，因而透明显示区下的光传感器成像效果佳。

4)可选方案中，a)当第二OLED子像素的驱动方式为主动式时，各列第一OLED子像素的驱动方式为c)主动式或d)被动式。换言之，本发明延伸第一OLED子像素的方案并不限制第一OLED子像素的驱动方式。当然，更不限制第二OLED子像素的驱动方式。一些可选方案中，第二OLED子像素的驱动方式也可以为被动式。

5)可选方案中，对于4)可选方案，透明显示区的各列第一OLED子像素对应的像素驱动电路设置在过渡区、非透明显示区或边框区。其它可选方案中，透明显示区的各列第一OLED子像素对应的像素驱动电路也可以设置在透明显示区。相对于后者方案，前者方案能进一步减少透明显示区的图形以及图形膜层结构，进一步降低透光模式下的衍射问题。

6)可选方案中，第二OLED子像素与第一OLED子像素的驱动方式都为主动式，第一OLED子像素与邻近的第二OLED子像素分别连接一像素驱动电路。换言之，过渡区中第一OLED子像素的延伸部分仍与所连接的第一显示区中的第一OLED子像素采用同样的驱动电路；而第一显示区与第二显示区采用不同的像素驱动电路，以实现两显示区显示时的分别控制。

7)可选方案中，每列条状第一电极上的像素限定层中的开口具有多个；每个开口内具有OLED发光结构。该各个开口内的OLED发光结构的发光虽然同步控制，但一方面能提高第一显示区的分辨率，另一方面当第一OLED子像素与第二OLED子像素的发光材料层采用同一掩膜版蒸镀时，掩膜版上的开口差异较小，可以防止掩膜版受热应力不均匀而导致的变形、蒸镀混色问题。优选地，位于过渡区的条状第一电极上具有开口，对应具有OLED发光结构。

8)可选方案中，第一OLED子像素与第二OLED子像素的发光材料层在同一工序中蒸镀形成；其它可选方案中，两者也可以分次蒸镀形成。相对于分次蒸镀，一次蒸镀能减小工序。前者方案中，第一OLED子像素与第二OLED子像素的发光材料层在蒸镀工序中使用同一掩膜版或不同掩膜版。

9)可选方案中，各列第一OLED子像素的第一电极的宽度大于、小于或等于各列第二OLED子像素的第一电极的宽度，各列第一OLED子像素的OLED发光结构的宽度大于、小于或等于各列第二OLED子像素的OLED发光结构的宽度。换言之，本发明并不限制列方向上第一OLED子像素与第二OLED子像素的对应关系。

10)可选方案中，第二OLED子像素的第二电极为面电极。面电极可以选择透明导电材质，例如ITO。

附图说明

图1是本发明第一实施例中的OLED阵列基板的俯视图，其中第二OLED子像素仅显示了部分区域；

图2是图1中的P区域的放大图；

图3是沿着图2中的AA直线的剖视图；

图4是本发明第二实施例中的OLED阵列基板的俯视图，其中第二OLED子像素仅显示了部分区域；

图5是图4中的Q区域的放大图。

为方便理解本发明，以下列出本发明中出现的所有附图标记：

OLED阵列基板1、2 第一显示区11

第二显示区12 过渡区13

第一OLED子像素111 第二OLED子像素121

块状第一电极121a OLED发光结构121b、111b

第二电极121c、111c 条状第一电极111a

像素限定层14

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1是本发明第一实施例中的OLED阵列基板的俯视图，其中第二OLED子像素仅显示了部分区域；图2是图1中的P区域的放大图；图3是沿着图2中的AA直线的剖视图。

参照图1与图2所示，该OLED阵列基板1，包括：第一显示区11、第二显示区12以及位于一显示区11与第二显示区12之间的过渡区13；

其中，第一显示区11包括一行、若干列的第一OLED子像素111，一组非同色第一OLED子像素111形成一第一OLED像素单元，第二显示区12包括若干呈阵列式排布的第二OLED子像素121，一组非同色第二OLED子像素121形成一第二OLED像素单元；第二显示区12的像素密度高于第一显示区11的像素密度；第二OLED子像素121自下而上包括：块状第一电极121a、OLED发光结构121b以及第二电极121c，第一OLED子像素111包括：沿列方向延伸的条状第一电极111a、位于条状第一电极111a上的OLED发光结构111b以及位于OLED发光结构111b上的第二电极111c；第一显示区11的各列第一电极111a在过渡区13内向第二显示区12延伸。

参照图2所示，本实施例中，第二OLED像素121呈“品”字形排布。其它实施例中，第二OLED像素121也可以按其它现有排布方式，本发明对此并不加以限制。

参照图3所示，块状第一电极121a与条状第一电极111a上具有像素限定层14。像素限定层14具有开口；该开口内具有OLED发光结构121b、111b。其它可选方案中，块状第一电极121a和/或条状第一电极111a上也可以不具有像素限定层，依靠蒸镀用掩膜版上的开口决定OLED发光结构121b、111b的形状和位置。

一个可选方案中，第一显示区11为透明显示区，第二显示区12为非透明显示区。具体地，第一OLED子像素111被驱动时，透明显示区为显示功能；第一OLED子像素111未被驱动时，透明显示区为透光功能。换言之，透明显示区需显示时，在第一OLED子像素111的第一电极111a与第二电极111c之间施加电压进行驱动，透明显示区执行显示功能，与非透明显示区一并显示，整个显示区形成全面屏；透明显示区需透光时，第一OLED子像素111的第一电极111a与第二电极111c之间不施加电压、不进行驱动。按列分布的第一OLED子像素111相对于阵列式的第二OLED子像素121由于省略了行与行之间的图形，简化了平面方向的图形以及上下方向的膜层结构，可以缓解上下方向上的光线衍射问题，因而若在透明显示区下设置光传感器，例如摄像头等，成像效果佳。

一个可选方案中，条状第一电极在列方向的长度与行方向的宽度之比大于20:1，具体实施过程中，还可以为大于40:1，100:1，200:1，甚至大于800:1。

一个可选方案中，第一OLED子像素111与邻近的第一OLED子像素111、第二OLED子像素121的颜色两两互不相同。参照图2所示，对于第一OLED子像素111，例如第一列为红色、第二列为蓝色，第二列下方的第二OLED子像素121为绿色。另一个可选方案中，第二OLED子像素121与邻近的第二OLED子像素121、第一OLED子像素111的颜色两两互不相同。参照图2所示，例如对于第一列，最上方为红色的第一OLED子像素111，其下依次为蓝色、绿色的第二OLED子像素121；对于第一列最上方的第二OLED子像素121，其为蓝色，向上为红色的第一OLED子像素111，向右为绿色的第二OLED子像素121。相对于第一OLED子像素111与同色第二OLED子像素121相邻的方案，前述两个可选方案可以提高整个显示区的显示效果。

一个可选方案中，第二OLED子像素121的驱动方式为主动式，此时，各列第一OLED子像素111的驱动方式为a)主动式或b)半主动式或c)被动式。

被动驱动式OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)，也称无源驱动式中，单纯地以第二电极、第一电极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中行列交叉点的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光。换言之，每个OLED像素的寻址直接受控于外部电路。该外部电路可以受控于显示驱动集成芯片(DDIC)。

主动驱动式OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)，也称有源驱动式中，包括薄膜晶体管(TFT)阵列，每一薄膜晶体管单元包含存储电容。AMOLED是采用独立的薄膜电晶体管控制每个像素发光，且每个像素可以连续发光。换言之，每个OLED像素的寻址直接受控于薄膜晶体管阵列。薄膜电晶体管阵列的行选择信号可以来源于GIP电路、列选择信号可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)。

半主动驱动式，与主动式的区别在于，像素驱动电路只包括一个开关晶体管。开光晶体管的栅极连接扫描信号，源极连接数据线，漏极连接第一OLED子像素的第一电极。扫描信号例如可以来源于GIP电路的扫描信号，数据线连接显示驱动集成芯片(DDIC)的数据信号通道。

换言之，本发明延伸第一OLED子像素111的方案并不限制第一OLED子像素111的驱动方式。当然，更不限制第二OLED子像素121的驱动方式。一些可选方案中，第二OLED子像素121的驱动方式也可以为被动式。

一个可选方案中，透明显示区的各列第一OLED子像素111对应的像素驱动电路设置在非透明显示区或边框区。上述设置能进一步减少透明显示区的膜层结构，降低衍射。在具体实施过程中，过渡区也为非透明显示，因而第一OLED子像素111对应的像素驱动电路也可以设置在过渡区。

在具体实施过程中，当第二OLED子像素121与第一OLED子像素111的驱动方式都为主动式，第一OLED子像素111与邻近的第二OLED子像素121分别连接一像素驱动电路。换言之，过渡区13中第一OLED子像素111的延伸部分仍与所连接的第一显示区11中的第一OLED子像素111采用同样的驱动电路；而第一显示区11与第二显示区12采用不同的像素驱动电路，以实现两显示区11、12显示时的分别控制。

可以看出，第一显示区11与第二显示区12的第一OLED子像素111与第二OLED子像素121大小不同，会造成两显示区11、12的过渡区域无子像素，显示时出现暗线。本发明通过将第一显示区11的第一OLED子像素111在过渡区13内延伸，覆盖该无子像素区域，从而解决暗线问题。

图1与图2中，各列第一OLED子像素111的第一电极111a的宽度等于各列第二OLED子像素121的第一电极的宽度，各列第一OLED子像素111的OLED发光结构111b的宽度等于各列第二OLED子像素121的OLED发光结构121b的宽度。其它可选方案中，各列第一OLED子像素111的第一电极111a的宽度可以大于各列第二OLED子像素121的第一电极的宽度，各列第一OLED子像素111的OLED发光结构111b的宽度大于各列第二OLED子像素121的OLED发光结构121b的宽度；或各列第一OLED子像素111的第一电极111a的宽度可以小于各列第二OLED子像素121的第一电极的宽度，各列第一OLED子像素111的OLED发光结构111b的宽度小于各列第二OLED子像素121的OLED发光结构121b的宽度。换言之，本发明并不限制列方向上第一OLED子像素111与第二OLED子像素121的对应关系。

可选方案中，参照图3所示，各个第二OLED子像素121以及各列第一OLED子像素111的第二电极121c、111c为一面电极。需要说明的是，对于第一显示区11为被动驱动的方式，由于第一OLED子像素111按列分布，因而第二电极111c可以为一面电极。面电极可以选择透明导电材质，例如ITO。

关于OLED阵列基板的制作工艺，第一OLED子像素111与第二OLED子像素121的发光材料层111b、121b在同一工序中蒸镀形成；其它可选方案中，两者也可以分次蒸镀形成。相对于分次蒸镀，一次蒸镀能减小工序。前者方案中，第一OLED子像素111与第二OLED子像素121的发光材料层111b、121b在蒸镀工序中使用同一掩膜版或不同掩膜版。

图4是本发明第二实施例中的OLED阵列基板的俯视图，其中第二OLED子像素仅显示了部分区域。图5是图4中的Q区域的放大图。参照图4与图5所示，图4所示的OLED阵列基板2与图1所示的OLED阵列基板1大致相同，区别仅在于：每列条状第一电极111a上的像素限定层14中的开口具有多个；每个开口内具有OLED发光结构111b。

该一列第一电极111a上各个开口内的OLED发光结构111b虽然连接同一第一电极，发光同步控制，但一方面能提高第一显示区的分辨率，另一方面当第一OLED子像素与第二OLED子像素的发光材料层采用同一掩膜版蒸镀时，掩膜版上的开口差异较小，可以防止掩膜版受热应力不均匀而导致的变形、蒸镀混色问题。

一个可选方案中，如图5所示，开口在过渡区13设置，换言之，延伸至过渡区13的各列第一电极111a上具有OLED发光结构111b。

基于上述OLED阵列基板，本发明还提供一种显示面板。

显示面板在OLED阵列基板基础上，可以依次继续制作封装层、偏光片、盖板。

一个可选方案中，封装层可以为无机、有机、无机三层结构。

一个可选方案中，第一显示区11、第二显示区12以及过渡区13在同一工序中封装。另一个可选方案中，第一显示区11与过渡区13在同一工序中封装，第二显示区12在另一工序中封装；之后两者封装后的结构装配在一起。

偏光片可以去除第一显示区11以及过渡区12对应的区域，仅在第二显示区12设置。

此外，还可以在显示面板下方设置屏下光传感器，以形成如手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。

显示装置中，显示面板的透明显示区下方对应设置的光传感器包括：摄像头、虹膜识别传感器以及指纹识别传感器中的一种或组合。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种OLED阵列基板，其特征在于，包括第一显示区、第二显示区以及位于所述第一显示区与第二显示区之间的过渡区，所述第一显示区包括一行、若干列的第一OLED子像素，所述第二显示区包括若干呈阵列式排布的第二OLED子像素；所述第二显示区的像素密度高于第一显示区的像素密度；所述第二OLED子像素自下而上包括：块状第一电极、OLED发光结构以及第二电极，所述第一OLED子像素包括：列方向延伸的第一电极、位于所述第一电极上的OLED发光结构以及位于所述OLED发光结构上的第二电极；所述第一显示区的各列第一电极在所述过渡区内向所述第二显示区延伸。

2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，部分数目的所述第一OLED子像素与邻近的第一OLED子像素、第二OLED子像素的颜色两两互不相同。

3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，部分数目的所述第二OLED子像素与邻近的第二OLED子像素、第一OLED子像素的颜色两两互不相同。

4.根据权利要求1至3任一项所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第二显示区为非透明显示区，所述第一显示区为透明显示区；所述第一OLED子像素被驱动时，所述透明显示区为显示功能；所述第一OLED子像素未被驱动时，所述透明显示区为透光功能。

5.根据权利要求4所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第二OLED子像素的驱动方式为主动式，所述第一OLED子像素的驱动方式为主动式或被动式。

6.根据权利要求4所述的OLED阵列基板，其特征在于，当所述透明显示区的第一OLED子像素的驱动方式为主动式时，各列第一OLED子像素对应的像素驱动电路设置在过渡区、非透明显示区或边框区。

7.根据权利要求2或3所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第二OLED子像素与所述第一OLED子像素的驱动方式都为主动式，所述第一OLED子像素与邻近的第二OLED子像素分别连接一像素驱动电路。

8.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，每列第一电极上具有多个分隔的OLED发光结构；相邻OLED发光结构之间具有像素定义层或不具有像素定义层。

9.根据权利要求1或8所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一OLED子像素与第二OLED子像素的OLED发光结构在同一工序中蒸镀形成。

10.根据权利要求9所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一OLED子像素与第二OLED子像素的OLED发光结构在蒸镀工序中使用同一掩膜版或不同掩膜版。

11.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，各列第一OLED子像素的第一电极的宽度大于、小于或等于各列第二OLED子像素的第一电极的宽度，各列第一OLED子像素的OLED发光结构的宽度大于、小于或等于各列第二OLED子像素的OLED发光结构的宽度。

12.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第二OLED子像素的第二电极为面电极，和/或所述各个第二OLED子像素以及各列第一OLED子像素的第二电极连成一面电极。

13.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一电极在列方向的长度与行方向的宽度之比大于20:1。

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的OLED阵列基板。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区、第二显示区以及过渡区在同一工序中封装；或所述第一显示区与所述过渡区在同一工序中封装，所述第二显示区在另一工序中封装。

16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14或15所述的显示面板。

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