KR102544116B1 - 디스플레이 패널, 투광 oled 기판 및 oled 기판 - Google Patents

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Abstract

본 출원은 디스플레이 패널, 투광 OLED 기판 및 OLED 기판을 제공한다. 상기투광 OLED 기판은, 베이스; 상기 베이스상에 위치하는 제1 전극층; 제1 전극층상에 위치하고, n(n≥1) 가지 색상의 발광 구조를 포함하는 발광 구조층; 및 상기 발광 구조층상에 위치하는 제2 전극; 을 포함한다. 상기 제1 전극층은 제1 방향을 따라 배열되는 복수 개의 전극 어셈블리를 포함하고, 각각의 상기 전극 어셈블리는 적어도 하나의 제1 전극을 포함하고, 각각의 제1 전극은 제2 방향을 따라 연장되고, 제2 방향은 제1 방향과 수직된다. 각각의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가될 때, 투광 OLED 기판은 표시 기능을 수행하도록 구성되고; 각각의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가되지 않을 때, 상기 투광 OLED 기판은 투광 기능을 수행하도록 구성된다.

Description

디스플레이 패널, 투광 OLED 기판 및 OLED 기판
본 출원은 OLED 표시 기기 기술분야에 관한 것으로, 특히 디스플레이 패널, 투광 OLED 기판 및 OLED 기판에 관한 것이다.
표시 장치의 급속한 발전과 더불어, 본체 대비 스크린 비율에 대한 사용자의 요구가 점점 높아지고 있다. 스크린 위쪽에 카메라, 센서, 핸드셋 등의 소자를 장착해야 하기 때문에, 통상적으로, 스크린 위쪽에 일부 영역을 미리 남겨 두어 상기 소자를 장착하는데 사용하게 되는데, 예컨대 애플 휴대폰 iphoneX의 앞머리 영역은 스크린의 전체적인 일치성에 영향을 미치고 있어, 풀 스크린 표시는 업계에서 점점 더 많은 관심을 받고 있다.
본 발명의 발명 목적은 디스플레이 패널, 투광 OLED 기판 및 OLED 기판을 제공하여, 투광 OLED 기판의 구조를 변경시켜, 회절의 문제점을 해결하고, 투광 OLED 기판의 이미징 품질을 향상시키는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 출원의 제1 측면은 투광 OLED 기판을 제공한다. 상기 투광 OLED 기판은, 베이스; 상기 베이스상에 위치하는 제1 전극층 - 상기 제1 전극층은 제1 방향을 따라 배열되는 복수 개의 전극 어셈블리를 포함하고, 각각의 상기 전극 어셈블리는 적어도 하나의 제1 전극을 포함하고, 각각의 상기 제1 전극은 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 수직임 - ; 상기 제1 전극층상에 위치하는 발광 구조층 - 상기 발광 구조층은 n가지 색상의 발광 구조를 포함하고, n≥1이고; 상기 제1 전극상에 적어도 하나의 상기 발광 구조가 마련되고, 동일 상기 제1 전극상에 설치되는 발광 구조는 동일 색상임 - ; 및 상기 발광 구조층상에 위치하는 제2 전극; 을 포함하고, 각각의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가될 때, 상기 투광 OLED 기판은 표시 기능을 수행하도록 구성되고; 각각의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가되지 않을 때, 상기 투광 OLED 기판은 투광 기능을 수행하도록 구성된다.
본 출원의 제2 측면은 디스플레이 패널을 제공한다. 상기 디스플레이 패널은 상기와 같은 투광 OLED 기판을 포함한다.
본 출원의 제3 측면은 OLED 기판을 제공한다. 상기OLED 기판은 제1 OLED 기판 및 제2 OLED 기판을 포함한다. 상기 제1 OLED 기판은 상기와 같은 투광 OLED 기판을 포함하고, 상기 제2 OLED 기판은 비투광 기판을 포함하고, 상기 제1 OLED 기판과 상기 제2 OLED 기판은 베이스(110)를 공유한다.
본 출원의 유익한 효과는 하기와 같다. 즉,
풀 스크린에 있어서, 스크린 아래의 카메라의 이미징 효과가 저하되는 이유는, 대응되는 투광 표시 영역의 서브 픽셀이 복수 개의 패터닝화된 막층을 포함하는데, 광선이 당해 복수 개의 패터닝화된 막층을 통과할 때, 상이한 패터닝 막층의 경계 지점에서 간섭 및 회절 현상이 생기는데 있다. 상기의 분석을 토대로, 본 출원은, 투광 OLED 기판의 제1 전극층을, 제1 방향을 따라 배열되는 복수 개의 전극 어셈블리를 포함하고,하나의 전극 어셈블리가 적어도 하나의 제1 전극을 포함하고, 동일 전극 어셈블리 중의 제1 전극이 모두 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 방향이 상기 제1 방향과 수직이며, 상기 제1 전극의 제2 방향에서의 사이즈가 제1 방향에서의 사이즈보다 훨씬 커, 제1 전극에 대한 제1 방향에서의 사이즈와 제2 방향에서의 사이즈의 차이가 크지 않은 구조로 설치함으로써, 패터닝 막층의 경계를 줄이고, 복잡도를 저하시키며, 투광 시의 간섭 및 회절의 문제점을 개선시킬 수 있다. 이와 같이, 투광 OLED 기판이 표시 기능을 수행해야 할 경우, 각각의 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가되어, 투광 OLED 기판이 표시 기능을 수행하도록 구성되어, 비투광 OLED 기판과 함께 표시를 진행하여, OLED 기판 전체가 풀스크린을 형성하고; 투광 OLED 기판이 투광 기능을 수행해야 할 경우, 각각의 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구동 전압을 인가하지 않고, 구동을 진행하지 않는다. 간섭 및 회절의 문제점이 해결되기 때문에, 투광 OLED 기판 아래의 감광 소자의 이미징 효과가 양호하다.
도 1은 본 출원의 제1 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다.
도 2는 도 1에서의 2-2 직선을 따른 단면도이다.
도 3은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 4는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 5는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 6은 GIP 회로 구조 및 타임 시퀀스 다이어그램이다.
도 7은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 다른 능동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 8은 구동 트랜지스터의 역치 전압에 대한 보상 기능을 갖는 픽셀 구동 회로의 회로도 및 타임 시퀀스 다이어그램이다.
도 9는 본 출원의 제2 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다.
도 10, 도 11 및 도 12는 각각 본 출원의 제3 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다.
도 13은 본 출원의 제4 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다.
도 14는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 15는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 16은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 또 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 17은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 18은 본 출원의 제5 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다.
도 19는 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 20은 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 21은 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 22는 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 다른 능동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 23은 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 24는 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다.
도 25는 본 출원의 제1 실시예에 따른 OLED 기판의 부감도이다.
도 26은 도 25에서의 제2 OLED 기판의 일 단면도이다.
본 출원의 상기의 목적, 특징 및 이점이 보다 뚜렷하고 이해하기 용이하도록 하기 위하여, 아래에서는 도면을 결부시켜 본 출원의 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 출원의 제1 실시예에 따른 투광OLED(Organic Light-Emitting Diode, 유기 발광 다이오드) 기판의 부감도이다. 도 2는 도 1에서의 2-2 직선을 따른 단면도이다.
도 1과 도 2가 나타내는 바를 참조하면, 당해 투광 OLED 기판(11)은, 베이스(110), 베이스(110) 상에 위치하는 제1 전극층(111), 제1 전극층(111) 상에 위치하는 발광 구조층(112), 및 발광 구조층(112) 상에 위치하는 제2 전극(113)을 포함한다.
제1 전극층(111)은 제1 방향(Y)을 따라 배열되는 복수 개의 전극 어셈블리(1111)를 포함하고, 하나의 전극 어셈블리(1111)는 두 개의 제1 전극(1111a) 및 (1111b)를 포함하고, 동일 전극 어셈블리(1111) 중의 제1 전극(1111a) 및 (1111b)는 모두 제2 방향(X)을 따라 연장되는바, 즉, 제2 방향(X)에서의 사이즈는 제1 방향(Y)에서의 사이즈보다 훨씬 크며, 제2 방향(X)은 제1 방향(Y)과 수직이다. 제2 전극(113)은 면전극이다.
발광 구조층(112)은 n가지 색상의 발광 구조(1121)를 포함하고, n≥1이며, 하나의 제1 전극(1111a) 상에 하나의 발광 구조(1121)가 마련되고, 동일한 제1 전극(1111a)의 발광 구조(1121)는 동일 색상이다. 각각의 제1 전극(1111a) 및 (1111b)과 제2 전극(113)사이에 구동 전압이 인가될 때, 투광 OLED 기판(11)은 표시 기능을 수행하고; 각각의 제1 전극(1111a) 및 (1111b)와 제2 전극(113) 사이에 구동 전압이 인가되지 않을 때, 투광 OLED 기판(11)은 투광 기능을 수행한다.
구체적인 실시 과정에서, 제1 전극(1111a)의 제2 방향(X)에서의 사이즈는 제1 방향(Y)에서의 사이즈보다 훨씬 크다. 제1 전극의 제2 방향에서의 사이즈와 제1 방향에서의 사이즈의 비율은 10:1보다 큰 것이 바람직하다. 기타 선택가능한 방안에서, 20:1, 50:1, 100:1보다 클 수도 있고, 심지어 400:1보다 클 수 있다.
도 1이 나타내는 바를 참조하면, 본 실시예에서, 제1 방향(Y)은 행 방향이고, 제2 방향(X)은 열 방향이다.
또한, 본 실시예에서, 하나의 제1 전극(1111a)/(1111b) 상의 발광 구조(1121)에 제1 전극(1111a)/(1111b) 전체가 가득 분포되는바, 즉, 발광 구조(1121)는 제1 전극(1111a)/(1111b)의 상단에서 하단까지 연장된다. 기타 선택가능한 방안에서, 발광 구조(1121)는 제1 전극(1111a)/(1111b) 전체의 일부 영역에만 분포될 수도 있다. 도 2가 나타내는 바를 참조하면, 제1 전극(1111a)/(1111b) 상의 발광 구조(1121)의 크기 및 위치는 픽셀 정의층(114)에 의해 한정된다. 기타 선택가능한 방안에서, 픽셀 정의층(114)을 생략하여, 증착용 마스크상의 패턴에 의해 발광 구조(1121)의 크기 및 위치를 한정할 수도 있다.
제1 전극(1111a)/(1111b) 및/또는 발광 구조(1121)를 상단에서 중부까지 연장되고, 중부에서 하단의 몇몇 열까지 연장되도록 설치함으로써, 어레이형으로 분포되는 몇몇 행열 유닛에 비해, 패턴 경계의 수량을 감소시키고, 투광 OLED 기판(11)의 투광 시의 간섭 및 회절의 문제점을 개선시킬 수 있다.
하나의 제1 전극(1111a)/(1111b), 당해 제1 전극(1111a)/(1111b) 상의 발광 구조(1121) 및 당해 제1 전극(1111a)/(1111b)과 대응되는 제2 전극(113)의 일부는 하나의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)을 형성한다.
본 실시예에서, n=1인바, 즉 모든 제1 OLED 서브 픽셀(11a)은 동일 색상의 서브 픽셀이다. 선택적인 방안에 있어서, 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 두 개의 행은 모두 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀, 노란색 서브 픽셀, 백색 서브 픽셀 등일 수 있다. 바꿔 말하면, 투광 OLED 기판(11)이 표시 기능을 수행할 경우, 당해 투광 OLED 기판은 단색 발광을 진행한다.
제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 발광 구동 방식은, 능동식일 수도 있고, 수동식일 수도 있다.
수동 구동식 OLED(Passive Matrix OLED, PMOLED)는 패시브 매트릭스형 구동식 OLED라고도 칭하는데, 단순히 음극(제2 전극), 양극(제1 전극)으로 매트릭스 형상을 구성하여, 스캔 방식으로 어레이 중의 행열 교차점의 픽셀을 턴온하여, 각각의 서브 픽셀이 모두 쇼트 펄스 모드에서 작동하여, 순간적 고휘도 발광을 하는 것이다. 바꿔 말하면, 각각의 OLED 서브 픽셀의 어드레싱은 직접 외부 회로에 의해 제어된다. 당해 외부 회로는 디스플레이 구동 집적 칩(display driver integrated chip, DDIC)에 의해 제어될 수 있다.
능동 구동식 OLED(Active Matrix OLED, AMOLED)는 액티브 매트릭스형 구동식 OLED라고도 칭하는데, 박막 트랜지스터(Thin-film transistor, TFT) 어레이를 포함하고, 당해 박막 트랜지스터 어레이 중의 각각의 박막 트랜지스터는 스토리지 커패시터를 포함한다. AMOLED는 독립적인 박막 트랜지스터를 적용하여 각각 픽셀이 발광하도록 제어하며, 각각의 서브 픽셀은 연속적으로 발광할 수 있다. 바꿔 말하면, 각각의 OLED 서브 픽셀의 어드레싱은 박막 트랜지스터 어레이에 의해 직접 제어된다. 박막 트랜지스터 어레이의 행 선택 신호는 GIP(Gate In Panel) 회로에서 올 수 있으며, 열 선택 신호는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)에서 올 수 있다.
도 3은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 3이 나타내는 바를 참조하면, 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 동일한 하나의 데이터 신호에 연결되고, 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 동일한 다른 하나의 데이터 신호에 연결되고; 모든 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제2 전극은 접지된다. 당해 두 개의 데이터 신호 통로가 전달하는 색상 데이터는 대응되는 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 색상과 일치하다. 당해 데이터 신호는 외부 회로에 의해 제공된다. 당해 투광 OLED 기판은 두 행의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)을 가지므로, 제1 행에 일 구동 전류를 인가하고, 제2 행에 다른 일 구동 전류를 인가해야 하는데, 당해 두 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 두 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있다.
도 4는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 4가 나타내는 바를 참조하면, 각 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 상이한 데이터 신호에 연결되고, 모든 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제2 전극은 접지된다. 당해 각각의 데이터 신호 통로가 전달하는 색상 데이터는 대응되는 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 색상과 일치하다. 당해 각각의 데이터 신호도 외부 회로에서 제공된다. 당해 투광 OLED 기판은 두 행의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)을 가지므로, 제1 행, 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)에 구동 전류를 인가해야 한다. 상기의 각 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있으며, 모든 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 몇몇 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있다.
도 3 및 도 4의 실시예에서, 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극의 배선은 투광 OLED 기판(11)의 윗변의 가장자리 영역 및 측변의 가장자리 영역에 설치되는바, 즉 제1 전극의 배선은 제1 OLED 서브 픽셀(11a)이 소재하는 영역에 설치되어 있지 않다. 유사하게, 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극의 배선은 투광 OLED 기판(11)의 아랫변의 가장자리 영역 및 측변의 가장자리 영역에 설치된다. 제1 전극의 배선이 제1 OLED 서브 픽셀(11a)이 소재하는 영역에 설치되는 방안에 비해, 제1 전극의 배선을 가장자리 영역에 설치하는 방안은 제1 OLED 서브 픽셀(11a)이 소재하는 영역의 패턴 막층을 진일보하여 감소시킬 수 있고, 투광 모드에서의 간섭 및 회절의 문제점을 더 한층 해소할 수 있다.
도 3에 따른 실시예와 도 4에 따른 실시예를 비교하면, 전자의 경우, 데이터 신호의 통로 수량이 비교적 적고, 연결 배선 수량도 비교적 적으며, 점용 면적도 비교적 적다.
도 5는 투광 OLED 기판의 두 행의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다. 하나의 픽셀 구동 회로는 하나의 스위칭 트랜지스터(X1), 하나의 구동 트랜지스터(X2) 및 하나의 스토리지 커패시터(C)를 포함한다. 도 5가 나타내는 바를 참조하면, 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 동일한 하나의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터(X2)의 드레인 전극에 연결되며, 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 동일한 다른 하나의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터(X2)의 드레인 전극에 연결되고; 모든 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제2 전극은 접지되고; 제1 행의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터(X2)의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터(X1)를 통해 구동 트랜지스터(X2)의 게이트 전극과 연결되고, 제2 행의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터(X2)의 게이트 전극은 다른 하나의 데이터 신호에 대응되며, 당해 데이터 신호는 다른 하나의 스위칭 트랜지스터(X1)를 통해 구동 트랜지스터(X2)의 게이트 전극과 연결되고, 당해 두 개의 구동 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 전원 전압(Voltage Drain Drain, VDD)에 대응된다.
제1 행의 픽셀 구동 회로는 투광 OLED 기판(11) 위쪽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다. 제2 행의 픽셀 구동 회로는 투광 OLED 기판(11) 아래쪽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다.
당해 위쪽의 픽셀 구동 회로의 데이터선은 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에 액세스할 수 있고; 당해 아래쪽의 픽셀 구동 회로의 데이터선은 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 다른 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에 액세스할 수 있고; 상기 위쪽 및 아래쪽의 픽셀 구동 회로의 스캔선은 GIP 회로의 하나의 스캔 신호 통로에 액세스할 수 있다.
도 6은 GIP 회로 구조 및 타임 시퀀스 다이어그램이다. 도 6이 나타내는 바를 참조하면, 일급 GIP 회로는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4) 및 제5 트랜지스터(T5)를 포함한다. 제1 클록 신호선(XCK)은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극에 연결되고, 제2 클록 신호선(CK)은 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 연결된다. 제1 게이트 전극선(Vgh)은 제4 트랜지스터(T4)의 소스 전극 및 제5 트랜지스터(T5)의 소스 전극에 연결되고, 제2 게이트 전극선(Vgl)은 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극에 연결된다. GIP 회로 구조에 복수 급의 GIP 회로가 포함될 수 있으며, 제n급 GIP 회로의 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 입력 신호선(Gn)에 연결되는 것으로, 제n급 GIP 회로 입력 신호이다. 제n급 GIP 회로의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 제n급 GIP 회로의 출력 신호선에 연결되며, 제n급 GIP 회로의 출력 신호는 제n+1급 GIP 회로의 입력 신호(Gn + 1)로 사용된다
도 6에서의 GIP 회로 구동의 파형도를 참조하기로 한다. 제1 게이트 전극선(Vgh)은 고레벨이고, 제2 게이트 전극선(Vgl)은 저레벨이며, 제1 클록 신호선(XCK) 및 제2 클록 신호선(CK)은 각각 고저 레벨이 상반되는 디지털 신호를 출력한다. 제1 클록 신호선(XCK)이 저레벨로 점핑할 때, 제1급 GIP 회로의 스캔선(G1)은 일 저레벨이 입력되고, 제2 클록 신호선(CK)이 저레벨로 점핑할 때, 제1급 GIP 회로는 일 저레벨 신호를 출력하여, 제2급 GIP 회로의 입력 신호로 하는바, 즉, 제2급 GIP 회로의 스캔선(G2)은 일 저레벨이 입력되고, 이로써 유추하여, 제n급 회로의 출력 신호를 제n+1급 회로의 입력 신호로 한다.
도 7은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 다른 능동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 7이 나타내는 바를 참조하면, 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 상이한 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터(X2)의 드레인 전극에 연결되고, 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 상이한 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터(X2)의 드레인 전극에 연결되고; 모든 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제2 전극은 접지되고; 각각의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 각각의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 소스 전극은 동일 전원 전압에 대응된다.
도 7에서, 하나의 픽셀 구동 회로는 하나의 트랜지스터 어레이를 포함하고, 당해 트랜지스터 어레이 중의 각각의 트랜지스터 유닛은 하나의 스위칭 트랜지스터(X1), 하나의 구동 트랜지스터(X2) 및 하나의 스토리지 커패시터(C)를 포함한다. 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극이 연결되는 픽셀 구동 회로는 투광 OLED 기판(11) 위쪽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다. 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극이 연결되는 픽셀 구동 회로는 투광 OLED 기판(11) 아래쪽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다.
위쪽에 설치되는 각 픽셀 구동 회로내의 각각의 트랜지스터 유닛 중의 데이터선은 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선) 에 액세스할 수 있다. 아래쪽에 설치되는 각 픽셀 구동 회로내의 각각의 트랜지스터 유닛 중의 데이터선은 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에 액세스할 수 있다. 상기 위쪽 및 아래쪽의 각 픽셀 구동 회로내의 각 트랜지스터 유닛 중의 각각의 스캔선은 GIP 회로의 하나의 스캔 신호 통로에 액세스할 수 있다. 바꿔 말하면, 각 트랜지스터 유닛 중의 데이터선은 디스플레이 구동 집적 칩의 하나의 데이터 신호 통로를 차지하고, 각 트랜지스터 유닛 중의 스캔선은 GIP 회로의 하나의 스캔 신호 통로를 차지한다.
도 8은 구동 트랜지스터의 역치 전압에 대한 보상 기능을 갖는 픽셀 구동 회로의 회로도 및 타임 시퀀스 다이어그램이다. 구체적인 실시 과정에서, 픽셀 구동 회로는, 상기의 2T1C 구조(두 개의 트랜지스터 및 하나의 스토리지 커패시터를 포함하는 구조)외에, 7T1C, 6T1C 등의 구동 트랜지스터의 역치 전압에 대해 보상을 진행하는 픽셀 구동 회로일 수도 있다. 도 8이 나타내는 7T1C픽셀 구동 회로는, 리셋 단계, 보상 단계, 발광 단계의 세 개의 작동 단계로 나뉜다. 보상 단계에서, 구동 트랜지스터의 역치 전압(Vth)을 먼저 그의 게이트 소스 전압(Vgs)내에 저장해 두고; 최종 발광 단계에서, Vgs-Vth를 전류로 전환시킨다. Vgs는 이미 Vth를 포함하고 있기 때문에, 전류로 전환시킬 때 Vth의 영향이 상쇄되는바, 따라서 전류의 일치성을 실현한다. 도 8이 나타내는 픽셀 구동 회로는 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 수명 및 표시 균일성을 향상시킬 수 있다.
제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)(제1 OLED 픽셀행으로도 칭함)의 제1 전극이 동일한 하나의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 디스플레이 구동 칩의 하나의 데이터 신호에 대응되며, 소스 전극은 일 전원 전압에 대응되며; 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)(제2 OLED 픽셀행으로도 칭함)의 제1 전극이 동일한 다른 하나의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 디스플레이 구동 칩의 다른 하나의 데이터 신호에 대응되며, 소스 전극이 일 전원 전압에 대응되는 경우에 대해(도 5가 나타내는 바를 참조), 상기의 제1 행의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 픽셀 구동 회로의 데이터선 신호(VDATA)는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있고; 제2 행의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 픽셀 구동 회로의 데이터선 신호(VDATA)는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 다른 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있고; 제1 행과 제2 행의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 각 픽셀 구동 회로의 스캔선(Gn -1), (Gn)의 신호는 GIP 회로의 두 스캔 신호 통로에서 올 수 있고, 각 픽셀 구동 회로의 발광 신호(Emitting signal, EM)는 GIP 회로의 하나의 발광 신호 통로에서 올 수 있고, 각 픽셀 구동 회로의 초기 신호(Initiating signal, INIT)는 디스플레이 구동 집적 칩에서 올 수 있다.
제1 행, 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극이 상이한 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 각각의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 디스플레이 구동 칩의 하나의 데이터 신호에 대응되고, 각 구동 트랜지스터의 소스 전극이 동일하거나 상이한 전원 전압에 대응되는 경우에 대해(도 7이 나타내는 바를 참조), 상기의 제1 행, 제2 행 중의 각각의 제1 서브 OLED 서브 픽셀(11a)의 픽셀 구동 회로의 데이터선 신호(VDATA)는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있는바, 즉 제1 행, 제2 행의 복수 개의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 픽셀 구동 회로의 데이터선 신호(VDATA)는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 복수 개의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있으며; 상기의 제1 행과 제2 행의 제1 OLED 서브-픽셀(11a)의 픽셀 구동 회로의 스캔선 (Gn-1), (Gn)의 신호는 GIP 회로의 두 스캔 신호 통로에서 올 수 있고, 발광 신호(EM)는 GIP 회로의 하나의 발광 신호 통로에서 올 수 있고, 초기 신호(INIT)는 디스플레이 구동 집적 칩에서 올 수 있다.
도 5의 실시예와 도 7의 실시예를 비교하면, 전자의 경우 데이터 신호의 통로 수량이 비교적 적고, 연결 배선 수량도 비교적 적으며, 점용 면적이 비교적 적다.
도 9는 본 출원의 제2 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다. 도 9에 나타내는 투광 OLED 기판(12)은 도 1에 나타내는 투광 OLED 기판(11)과 대체로 동일한데, 구별점은, 하나의 제1 전극(1111a)/(1111b) 상에 간격을 두는 복수 개의 발광 구조(1121)가 마련되는 것에 있다. 각각의 간격을 두는 발광 구조(1121)는 픽셀 정의층(114)에 의해 이격되거나, 또는 간격을 두는 발광 구조(1121) 사이에 픽셀 정의층(114)이 없다.
투광 OLED 기판(12)은 투광 OLED 기판(12) 상의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 픽셀 밀도를 향상시킬 수 있다. 이 외에, 제1 전극(1111a) 상에 마련되는 발광 구조(1121)가 하나 마련되든 복수 개 마련되든, 투광 OLED 기판(12) 상의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 발광 구동에 영향을 미치지 않는다.
도 10, 도 11 및 도 12는 각각 본 출원의 제3 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다. 도 10이 나타내는 투광 OLED 기판(13)은 도 1에 나타내는 투광 OLED 기판(11)과 대체로 동일한데, 구별점은, 하나의 전극 어셈블리(1111)가 하나의 제1 전극(1111a)을 포함하는데 있다.
도 10에 나타내는 구조는, 도 1에 나타내는 구조에 기초하여, 제2 행의 제1 전극(1111b)을 제거하고, 제1 행의 제1 전극(1111a)을 X 방향을 따라 투광 OLED 기판(13)의 하단까지 연장시키거나; 또는 제1 행의 제1 전극(1111a)을 제거하고, 제2 행의 제1 전극(1111b)을 X 방향을 따라 투광 OLED 기판(13)의 상단까지 연장시킨 것에 해당한다. 이와 같이, 본 실시예에 따른 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구조는 도 1 및 도 9의 실시예에 따른 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구조 또는 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구조와 대체로 동일하다.
제1 전극(1111a)의 베이스(110) 상에서의 투영은 하나의 패턴 유닛 또는 둘 이상의 패턴 유닛을 포함할 수 있다. 도 10에서 패턴 유닛은 직사각형이고, 도 11에서 패턴 유닛은 조롱박형이다. 기타 선택가능한 방안에서, 패턴 유닛은 타원형, 아령형, 또는 원형 등이 될 수 있다. 상기의 패턴은 회절 패턴 줄무늬가 서로 중첩 상쇄되도록 할 수 있어, 회절의 문제점을 개선시킨다
본 실시예에 따른 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구동 방법은 도 1의 실시예에 따른 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구동 방법에 대응되거나, 또는 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구동 방법에 대응된다. 본 출원은 여기서 더 이상 상세하게 기술하지 않기로 한다.
도 12에서, 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)은 투광 OLED 기판(13)의 중부 어느 한 구역내에서 X 방향을 따라 상하로 연장되거나, 또는 투광 OLED 기판(13)의 상단에서 X 방향을 따라 하향으로 중부까지 연장되거나, 또는 중부에서 X 방향을 따라 하단까지 연장될 수 있다. 투광 OLED 기판(13)이 두 개의 행, 복수 열의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)을 포함할 경우, 제1 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)은 투광 OLED 기판(13)에서 X 방향을 따라 상하로 연장될 수 있다. 구체적으로는, 상위 구역의 중부 어느 한 구역내에서 상하 방향을 따라 연장되거나, 또는 OLED 기판(13)의 상단에서 하향으로 중부까지 연장되거나, 또는 상중부에서 중부까지 연장되고; 제2 행 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)은 투광 OLED 기판(13)에서 X 방향을 따라 상하 연장될 수 있는데, 구체적으로는, 하위 구역의 중부 어느 한 구역내에서 상하 방향을 따라 연장되거나, 또는 OLED 기판(13)의 하단에서 상향으로 하중부까지 연장되거나, 또는 하중부에서 중부까지 연장되는 것이다. 전술한 방안과 다르게, 제1 전극상에 상이한 크기의 구동 전류를 인가하고, 및/또는 상이한 색상의 서브 픽셀에 구동 전류를 인가하여 상이한 패턴을 실현함으로써, 본 실시예에서 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 서브 픽셀의 상이한 패턴을 결합하여 각종 패턴을 형성할 수 있다.
도 13은 본 출원의 제4 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다. 도 13에 나타내는 투광 OLED 기판(14)은 도 1에 나타내는 투광 OLED 기판(11)과 대체로 동일한데, 구별점은, n=3인 것에 있다.
바꿔 말하면, 동일 행의 상이한 열의 제1 전극(1111a)/(1111b) 상의 발광 구조(1121)의 색상은 동일한 규칙에 따라 교대로 분포되며, 인접하며 색상이 서로 상이한 세 열의 제1 OLED 서브 픽셀 (11b), (11c), (11d)는 하나의 OLED 픽셀 유닛을 형성한다. OLED 픽셀 유닛에서, 제1 OLED 서브 픽셀(11b), 픽셀(11c), 픽셀(11d)는 각각 적색, 녹색, 청색 서브 픽셀일 수 있다. 기타 선택가능한 방안에서, 제1 OLED 서브 픽셀 (11b), (11c), 및 (11d)는 각각 기타 색상의 서브 픽셀일 수 있다. 기타 선택가능한 방안에서, 인접하며 색상이 서로 상이한 네 열의 제1 OLED 서브 픽셀이 하나의 OLED 픽셀 유닛을 형성할 수도 있다.
각각의 제1 OLED 서브 픽셀 (11b), (11c), (11d)의 구체적인 구조는 전술한 실시예에 따른 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 구체적인 구조를 참조하도록 한다. 도 1 내지 도 12에 나타내는 실시예에 있어서, 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)은 동일 색상의 서브 픽셀이므로, 하나의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)은 하나의 OLED 픽셀 유닛으로 칭할 수 있다. 이하, 복수 개의 색상의 서브 픽셀의 구동 방식을 소개하기로 한다.
도 14는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 14가 나타내는 바를 참조하면, 제1 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀 (11b), (11c), (11d)의 제1 전극은 하나의 데이터 신호에 연결되고, 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀 (11b), (11c), (11d)의 제1 전극은 다른 하나의 데이터 신호에 연결되고; 모든 제1 OLED 서브 픽셀 (11b), (11c), (11d)의 제2 전극은 접지된다. 바꿔 말하면, 동일한 행 중의 모든 적색 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 R 데이터 신호에 연결되고; 모든 녹색 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 G 데이터 신호에 연결되고; 모든 청색 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 B 데이터 신호에 연결된다. 당해 R, G, B 데이터 신호는 외부 회로에 의해 제공된다. 도 14에서, 당해 투광 OLED 기판은 두 개의 행의 제1 OLED 서브 픽셀을 가지므로, 제1 행의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 일 구동 전류를 인가하고, 제2 행의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 다른 일 구동 전류를 인가해야 한다. 당해 제1 행 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 인가되는 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 세 개의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있고, 당해 제2 행 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 인가되는 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 다른 세 개의 데이터 신호 통로에서 올 수 있다. 요컨대, 각각의 OLED 픽셀 행에 있어서, 당해 OLED 픽셀 행에서, 각각의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호에 연결된다.
도 15는 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 15가 나타내는 바를 참조하면, 제1 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀 (11b), (11c), (11d)의 제2 전극은 접지되고, 제1 전극은 하나의 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 제1 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 대응되는 스위칭 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 데이터 신호에 연결되고, 게이트 전극은 하나의 스위칭 신호에 연결되고; 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 대응되는 스위칭 트랜지스터의 소스 전극은 다른 하나의 데이터 신호에 연결되고, 게이트 전극은 다른 하나의 스위칭 신호에 연결된다. 상기 스위칭 신호는 일 행의 모든 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀이 표시 기능을 수행하도록 통일적으로 제어가능할 뿐만 아니라, 스위칭 신호가 '오프'일 경우, 일 행의 모든 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀이 투광 기능을 수행하도록 제어할 수도 있어, 인접한 기타 색상의 서브 픽셀이 표시 기능을 수행 시 크로스토크를 방지한다.
기타 선택가능한 방안에서, 각 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 제1 전극은 하나의 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 제1 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 대응되는 스위칭 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 데이터 신호에 연결되고, 게이트 전극은 상이한 스위칭 신호에 연결되고; 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 대응되는 스위칭 트랜지스터의 소스 전극은 다른 하나의 데이터 신호에 연결되고, 게이트 전극은 상이한 스위칭 신호에 연결된다. 상기의 구조는, 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀이 독립적으로 표시 기능 또는 투광 기능을 수행가능하도록 한다.
도 16은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 또 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 각 행의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀이 독립적으로 표시 기능 또는 투광 기능을 수행가능하도록 하기 위하여, 도 16이 나타내는 바를 참조하면, 제1 행, 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 상이한 데이터 신호에 연결될 수도 있다. 당해 데이터 신호도 외부 회로에 의해 제공된다. 당해 투광 OLED 기판은 두 행의 제1 OLED 서브 픽셀을 가지므로, 각각의 제1 OLED 서브 픽셀에 구동 전류를 인가해야 한다. 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있으며, 모든 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 전류는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 몇몇 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있다.
도 17은 투광 OLED 기판의 두 개의 행 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 17이 나타내는 바를 참조하면, 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제2 전극은 접지되고, 제1 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 제1 전극은 각각 하나의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 구동 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 전원 전압(VDD)에 대응되고; 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀의 제1 전극은 각각 다른 하나의 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 구동 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 전원 전압에 대응된다.
도 17에서, 픽셀 구동 회로는 트랜지스터 어레이를 포함할 수 있다. 당해 트랜지스터 어레이는 복수 개의 트랜지스터 유닛을 포함한다. 각각의 트랜지스터 유닛은 하나의 스위칭 트랜지스터(X1), 하나의 구동 트랜지스터(X2) 및 하나의 스토리지 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 각각의 트랜지스터 유닛 중의 데이터선은 각각 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에 액세스할 수 있다. 제1 행, 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀에 대응되는 각각의 트랜지스터 유닛 중의 각 스캔선은 GIP 회로의 하나의 스캔 신호 통로에 액세스할 수 있다. 바꿔 말하면, 제1 행의 각 OLED 픽셀 유닛은 디스플레이 구동 집적 칩의 세 개의 데이터 신호 통로를 차지하고(하나의 OLED 픽셀 유닛이 세 가지 제1 OLED 서브 픽셀을 포함하는 경우), 제2 행의 각 OLED 픽셀 유닛은 디스플레이 구동 집적 칩의 다른 세 개의 데이터 신호 통로를 차지한다.
기타 선택가능한 방안에서, 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 상이한 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 각각의 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되고, 구동 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 전원 전압에 대응된다. 픽셀 구동 회로는 트랜지스터 어레이를 포함할 수 있다. 트랜지스터 어레이 중의 각각의 트랜지스터 유닛은 하나의 스위칭 트랜지스터(X1), 하나의 구동 트랜지스터(X2) 및 하나의 스토리지 커패시터(C)를 포함할 수 있는데, 2T1C 구조라고도 칭한다. 각각의 트랜지스터 유닛 중의 데이터선은 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에 액세스할 수 있고; 각 트랜지스터 유닛 중의 각 스캔선은 GIP 회로의 하나의 스캔 신호 통로에 액세스할 수 있다. 바꿔 말하면, 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 디스플레이 구동 집적 칩의 하나의 데이터 신호 통로 및 GIP 회로의 하나의 스캔 신호 통로를 차지한다.
구체적인 실시 과정에서, 픽셀 구동 회로는, 상기의 2T1C 구조외에, 6T1C 구조, 7T1C 구조 등이 될 수도 있다. 상기의 각 픽셀 구동 회로의 데이터선 신호(VDATA)는 디스플레이 구동 집적 칩(DDIC)의 하나의 데이터 신호 통로(데이터선)에서 올 수 있고; 스캔선 (Gn -1), (Gn)의 신호는 GIP 회로의 두 스캔 신호 통로에서 올 수 있고, 발광 신호(EM)는 GIP 회로의 하나의 발광 신호 통로에서 올 수 있고, 초기 신호(INIT)는 디스플레이 구동 집적 칩에서 올 수 있다.
도 18은 본 출원의 제5 실시예에 따른 투광 OLED 기판의 부감도이다. 도 18이 나타내는 바를 참조하면, 본 실시예에 따른 투광 OLED 기판(15)은, 도 1 내지 도 17의 실시예에 따른 투광 OLED 기판(11), (12), (13), (14)의 구조와 비교할 경우, 제1 방향(Y)이 열 방향이고, 제2 방향(X)이 행 방향인 점에서 상이하다. 바꿔 말하면, 제1 전극은 Y 방향을 따라 연장된다.
이하, 발광 구동의 차이를 소개하기로 한다.
도 19는 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 19가 나타내는 바를 참조하면, 제1 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 하나의 데이터 신호에 연결되고, 제2 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 다른 하나의 데이터 신호에 연결되고; 모든 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제2 전극은 접지된다. 당해 두 데이터 신호 통로가 전달하는 색상의 데이터는, 대응되는 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 색상과 일치한다. 도 19가 나타내는 바와 같이, 제1 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)에 대응되는 데이터 신호의 리드선은 좌측의 가장자리 영역에 배치될 수 있고, 제2 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)에 대응되는 데이터 신호의 리드선은 우측의 가장자리 영역에 배치될 수 있다.
도 20은 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 다른 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 20이 나타내는 바를 참조하면, 제1 열, 제2 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 동일 데이터 신호에 연결된다.
도 21은 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 21이 나타내는 바를 참조하면, 제1 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 연결되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되고, 구동 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 전원 전압에 대응되고; 제2 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 다른 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 다른 하나의 데이터 신호에 연결되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되고, 구동 트랜지스터의 소스 전극은 하나의 전원 전압에 대응되고; 이 두 픽셀 구동 회로의 스캔선은 GIP 회로의 동일 스캔 신호에 연결된다.
도 21에서의 픽셀 구동 회로는 2T1C 구조를 예로 하는데, 기타 선택가능한 방안에서, 3T1C 구조, 6T1C 구조, 7T1C 구조 등이 될 수도 있다.
도 22는 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 다른 능동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 22가 나타내는 바를 참조하면, 제1 열, 제2 열 중의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀(11a)의 제1 전극은 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터(X2)의 드레인 전극에 연결되고, 당해 구동 트랜지스터(X2)의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 연결되고, 당해 데이터 신호는 하나의 스위칭 트랜지스터(X1)를 통해 구동 트랜지스터(X2)의 게이트 전극과 연결되고, 구동 트랜지스터(X2)의 소스 전극은 하나의 전원 전압(VDD)에 대응되고; 픽셀 구동 회로의 스캔선은 GIP 회로의 하나의 스캔 신호에 연결된다.
도 22에서의 픽셀 구동 회로는 2T1C 구조를 예로 하는데, 기타 선택가능한 방안에서, 3T1C 구조, 6T1C 구조, 7T1C 구조 등이 될 수도 있다.
도 23은 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 수동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 23이 나타내는 바를 참조하면, 제1 열 중의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 동일한 색상을 갖는 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 동일한 하나의 데이터 신호에 대응되고; 제2 열 중의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 동일한 색상을 갖는 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 동일한 다른 하나의 데이터 신호에 대응되어, 제1 열의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀이 동시에 동일한 휘도의 빛을 내고, 제2 열의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀이 동시에 동일한 휘도의 빛을 내도록 한다. 기타 실시 방안에서, 제1 열의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 하나의 데이터 신호에 대응되고; 제2 열의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 하나의 데이터 신호에 대응되어, 단독적으로 각각의 서브 픽셀의 발광에 대한 명암 제어를 진행하도록 한다.
도 24는 투광 OLED 기판의 두 개의 열 각자의 제1 OLED 서브 픽셀의 능동 구동 방식의 회로 개략도이다. 도 24가 나타내는 바를 참조하면, 제1 열 중의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀은 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 대응되고; 제2 열 중의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 각각의 제1 OLED의 동일 색상의 서브 픽셀은 다른 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 대응되어, 제1 열의 동일 색의 서브 픽셀이 함께 제어되고, 제2 열의 동일 색의 서브 픽셀이 함께 제어되도록 한다. 기타 실시 방안에서, 제1 열의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 대응되고; 제2 열의 각각의 제1 OLED 서브 픽셀은 하나의 픽셀 구동 회로의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 대응되어, 단독적으로 각각의 서브 픽셀의 발광을 제어하도록 한다.
기타 선택가능한 방안에서, 도 24에서의 픽셀 구동 회로는, 2T1C 구조외에, 3T1C 구조, 6T1C 구조, 7T1C 구조 등을 더 포함할 수 있다.
구체적인 실시 과정에서, 투광 OLED 기판 (11), (12), (13), (14), (15)의 형상은 물방울형, 직사각형, 앞머리형, 원형 또는 반원형 등이 될 수 있다.
투광 OLED 기판 (11), (12), (13), (14), (15) 위쪽에 캡슐화층을 설치하여 디스플레이 패널을 형성할 수 있다.
디스플레이 패널은 표시 소자로 사용되는 것 외에, 터치층을 설치하여, 터치 패널로 사용될 수도 있다. 디스플레이 패널은 반제품으로서 기타 컴포넌트와 함께 집적 및 조립되어, 휴대폰, 태블릿 PC, 차량 탑재 표시 스크린 등과 같은 표시 장치를 형성할 수도 있다.
표시 장치에서, 투광 OLED 기판 (11), (12), (13), (14), (15) 아래쪽에 대응되게 광센서가 설치된다. 광센서는 카메라, 홍채 인식 센서 및 지문 인식 센서 중 하나 또는 조합을 포함한다.
도 25는 본 출원의 제1 실시예에 따른 OLED 기판의 부감도이다.
도 25가 나타내는 바를 참조하면, OLED 기판(1)에 있어서, 제1 OLED 기판(11) 및 제2 OLED 기판(21)을 포함한다.
제1 OLED 기판(11)은 상기의 실시예에 따른 투광 OLED 기판을 포함하고; 제2 OLED 기판(21)은 비투광 기판을 포함하고, 제1 OLED 기판(11)과 제2 OLED 기판(21)은 베이스(110)를 공유한다(도 2, 도 26에 나타내는 바를 참조).
기타 선택가능한 방안에서, 제1 OLED 기판(11)은 상기의 임의의 실시예에 따른 투광 OLED 기판 (12), (13), (14), (15)을 더 포함할 수 있다.
도 25가 나타내는 바를 참조하면, 제2 OLED 기판(21)은 제1 OLED 기판(11)을 포위하거나 반포위한다.
도 26은 도 25에서의 제2 OLED 기판의 일 단면도이다.
도 26이 나타내는 바를 참조하면, 제2 OLED 기판(21)은, 베이스(110); 베이스(110) 상에 위치하는 제3 전극층(211); 제3 전극층(211) 상에 위치하는 발광 구조층(212); 및 발광 구조층(212) 상에 위치하는 제4 전극(213); 을 포함한다.
제3 전극층(211)은 반사 성능을 갖는다. 제3 전극층(211)은 복수 개의 제3 전극(2111)을 포함하고, 발광 구조층(212)은 복수 개의 상이한 색상의 발광 구조(2121)를 포함하고, 각각의 제3 전극(2111) 상에 하나의 발광 구조(2121)가 마련되고; 제1 방향(Y) 및/또는 제2 방향(X)에서, 상이한 색상의 발광 구조(2121)는 동일한 규칙에 따라 교대로 분포되고;
제4 전극(213)은 면전극이고;
하나의 제3 전극(2111), 제3 전극(2111) 상의 발광 구조(2121) 및 당해 발광 구조(2121)와 대응되는 제4 전극(213)은 하나의 제2 OLED 서브 픽셀(21a)을 형성한다.
도 26에서, 제3 전극(2111) 상의 발광 구조(2121)는 픽셀 정의층(214)에 의해 크기 및 위치가 한정되는데, 기타 선택가능한 방안에서, 픽셀 정의층(214)이 생략될 수도 있다.
일 선택적인 방안에서, 제1 OLED 기판(11)과 제2 OLED 기판(21)은 각자 제작되고, 이 후에 함께 조립된다. 다른 하나의 선택적인 방안에서, 양 자는 동일 베이스(110) 상에서 동시에 제작된다.
구체적인 제작 과정에서, 제3 전극층(211)과 제1 전극층(111)은 동일 층에 위치할 수 있고, 및/또는 제4 전극(213)과 제2 전극(113)은 동일 층에 위치할 수 있고; 또는 제1 전극층(111) 상의 발광 구조(1121)와 제3 전극층(211) 상의 발광 구조(2121)는 동일 공정에서 증착 형성된다.
선택적으로, 제1 전극층(111) 상의 발광 구조(1121)와 제3 전극층(211) 상의 발광 구조(2121)에 대해, 양자는 증착 공정에서 동일 마스크를 사용하여 단일회 증착에 의해 완성될 수도 있고, 상이한 마스크를 사용하여 복수 회로 나누어 또는 두 개의 마스크를 함께 조합하여 증착에 의해 완성될 수도 있다.
구체적인 실시 과정에서, 제2 OLED 서브 픽셀(21a)의 구동 방식은 능동식인바, 즉 제2 OLED 기판(21)은 AMOLED이다.
OLED 기판(1)에 대해, 제1 OLED 기판(11)이 능동 구동식에 의해 표시 기능을 수행할 경우, 제1 OLED 기판(11)에 대응되는 픽셀 구동 회로는 제2 OLED 기판(21) 상의 가장자리 영역 또는 제2 OLED 기판(21)과 제1 OLED 기판(11) 사이의 과도 영역에 위치할 수 있다. 총괄적으로 말해서, 픽셀 구동 회로를 제1 OLED 기판(11)의 표시 영역에서 옮겨 냄으로써, 투광율을 향상시키고 회절을 저하시킬 수 있다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)과 제4 전극(213)은 하나의 전체적인 면전극으로 연결된다. 두 개의 면전극이 끊기는 구조에 비해, 한편으로는 접지단 및 전압단을 절약하고, 다른 한편으로는 구조가 간단한다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)은 단층 구조 또는 적층 구조이다. 단층 구조일 경우, 제2 전극(113)은 단층 금속층, 또는 단층 금속 혼합물층, 또는 단층 투명 금속 산화물층이고; 적층 구조일 경우, 제2 전극(113)은 투명 금속 산화물층과 금속층의 적층이거나, 또는 제2 전극(113)은 투명 금속 산화물층과 금속 혼합물층의 적층이다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극을 형성하는 재료에 금속 산화물이 도핑되어 있으며, 제2 전극(113)의 두께가 100옹스트롬보다 크거나 같고 500옹스트롬보다 작거나 같을 경우, 제2 전극(113)의 두께는 전체적으로 연속적이며, 제2 전극(113)의 투광율은 40%보다 크다.
진일보하여, 제2 전극을 형성하는 재료에 금속이 도핑되어 있으며, 제2 전극(113)의 두께가 100옹스트롬보다 크거나 같고 200옹스트롬보다 작거나 같을 경우, 제2 전극(113)의 두께는 전체적으로 연속적이며, 제2 전극(113)의 투광율은 40%보다 크다.
진일보하여, 제2 전극을 형성하는 재료에 금속이 도핑되어 있으며, 제2 전극(113)의 두께가 50옹스트롬보다 크거나 같고 200옹스트롬보다 작거나 같을 경우, 제2 전극(113)의 두께는 전체적으로 연속적이며, 제2 전극(113)의 투광율은 50%보다 크다.
진일보하여, 제2 전극을 형성하는 재료에 금속 산화물이 도핑되어 있으며, 제2 전극(113)의 두께가 50옹스트롬보다 크거나 같고 200옹스트롬보다 작거나 같을 경우, 제2 전극(113)의 두께는 전체적으로 연속적이며, 제2 전극(113)의 투광율은 60%보다 크다.
제2 전극(113)이 단층 구조일 경우, 단층 금속층의 재료는 Al, Ag 등이고, 단층 금속 혼합물층의 재료는 MgAg 또는 Al 도핑된 금속 혼합 재료 등이고, 투명 금속 산화물은 ITO 또는 IZO 등이다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)과 제4 전극(213)의 재료는 동일하거나 상이하다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)과 제4 전극(213)의 재료는 동일하며, 제2 전극(113)과 제4 전극(213)은 단층 구조이고, 제2 전극(113)의 두께는 제4 전극(213)의 두께보다 작다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)과 제4 전극(213)의 재료는 단층 금속층, 또는 단층 금속 혼합물층, 또는 단층 투명 금속 산화물층이다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)과 제4 전극(213)의 재료는 동일하며, 제2 전극(113)은 단층 구조이고, 제4 전극(213)은 적층 구조이며, 제2 전극(113)의 두께는 제4 전극(213)의 두께보다 작고, 제4 전극(213)은 제2 전극(113)과 동시에 형성된 제2 전극 재료층, 및 상기 제2 전극 재료층 위쪽 또는 아래쪽에 형성된 제4 전극 재료층을 포함한다.
일 선택적인 방안에서, 제4 전극 재료층의 두께는 상기 제2 전극 재료층의 두께보다 크다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)은 단층 금속층, 또는 단층 금속 혼합물층, 또는 단층 투명 금속 산화물층, 또는 투명 금속 산화물층과 금속층의 적층, 또는 투명 금속 산화물층과 금속 혼합물층의 적층이고; 제4 전극(213)은 단층 금속층, 또는 단층 금속 혼합물층, 또는 금속 혼합물층의 적층, 또는 금속층과 금속 혼합물층의 적층이다.
일 선택적인 방안에서, 제2 전극(113)의 재료는 Al, Ag, MgAg, Al 도핑된 금속 혼합재료, ITO 또는 IZO 등이고, 제4 전극(213)의 재료는 Al, Ag, MgAg, Al 도핑된 금속 혼합 재료 등이다.
상기와 같이 본 출원을 개시하였으나, 본 출원은 이에 한정되지 않는다. 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 출원의 정신과 범위를 일탈하지 않는 영역내에서 각종 변경, 조합 및 수정을 실시할 수 있다. 따라서, 본 출원의 보호 범위는 특허청구범위에 의해 한정되는 범위를 기준으로 해야 한다.

Claims (20)

  1. 투광 OLED 기판에 있어서,
    베이스;
    상기 베이스상에 위치하는 제1 전극층 - 상기 제1 전극층은 제1 방향을 따라 배열되는 복수 개의 전극 어셈블리를 포함하고, 각 상기 전극 어셈블리는 적어도 하나의 제1 전극을 포함하고, 각각의 상기 제1 전극은 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 수직이며, 상기 제1 전극의 제2 방향에서의 사이즈와 제1 방향에서의 사이즈의 비율은 10:1보다 큼 - ;
    상기 제1 전극층상에 위치하는 발광 구조층 - 상기 발광 구조층은 n가지 색상의 발광 구조를 포함하고, n≥1이고; 상기 제1 전극상에 적어도 하나의 상기 발광 구조가 마련됨 - ; 및
    상기 발광 구조층상에 위치하는 제2 전극; 을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가될 때, 상기 투광 OLED 기판은 표시 기능을 수행하도록 구성되고; 상기 적어도 하나의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구동 전압이 인가되지 않을 때, 상기 투광 OLED 기판은 투광 기능을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 면전극이거나; 또는
    상기 제2 전극은 단층 구조 또는 적층 구조이고, 상기 제2 전극이 단층 구조일 경우, 상기 제2 전극은 단층 금속층, 또는 단층 금속 혼합물층, 또는 단층 투명 금속 산화물층이고, 상기 제2 전극이 적층 구조일 경우, 상기 제2 전극은 투명 금속 산화물층과 금속층의 적층이거나, 투명 금속 산화물층과 금속 혼합물층의 적층인 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    복수 개의 제1 OLED 서브 픽셀을 더 포함하고,
    각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀은,
    하나의 상기 제1 전극;
    상기 제1 전극상에 설치되는 상기 적어도 하나의 발광 구조 - 동일한 상기 제1 전극상에 설치되는 상기 적어도 하나의 발광 구조는 동일한 색상임 - ; 및
    상기 제1 전극과 대응되는 상기 제2 전극의 일부를 포함하고,
    상기 제2 전극은 접지되고;
    상기 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 방식은 능동식 또는 수동식인 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 방식이 능동식일 경우, 상기 제1 OLED 서브 픽셀에 대응되는 하나 또는 복수 개의 픽셀 구동 회로는 상기 제1 OLED 서브 픽셀이 소재하는 영역과 중첩되지 않는 가장자리 영역에 설치되거나, 또는,
    각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 방식이 수동식일 경우, 각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀 중의 제1 전극의 배선은 상기 제1 OLED 서브 픽셀이 소재하는 영역과 중첩되지 않는 가장자리 영역에 설치되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  5. 제3항에 있어서,
    적어도 하나의 OLED 픽셀 유닛을 더 포함하고,
    각각의 상기 OLED 픽셀 유닛은 적어도 하나의 상기 제1 OLED 서브 픽셀을 포함하고;
    n=1일 경우, 상기 적어도 하나의 제1 OLED 서브 픽셀은 동일 색상의 서브 픽셀이고;
    n≥3일 경우, 상기 적어도 하나의 제1 OLED 서브 픽셀은, 색상이 각기 다르며 동일한 규칙에 따라 교대로 분포되는 복수의 제1 OLED 서브 픽셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  6. 제3항에 있어서,
    동일 색상인 각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 방식은 수동식이고;
    상기 제1 방향이 열 방향일 경우, 동일한 열 중의 동일 색상인 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호에 연결되고; 각 열의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호 또는 상이한 데이터 신호에 연결되고;
    상기 제1 방향이 행 방향일 경우, 동일한 행 중의 동일 색상인 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호에 연결되고; 각 행의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호 또는 상이한 데이터 신호에 연결되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  7. 제5항에 있어서,
    각각의 상기 OLED 픽셀 유닛의 구동 방식은 수동식이고; 각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀은 하나의 제1 전극을 가지며,
    상기 제1 방향이 열 방향일 경우, 동일한 열의 각각의 OLED 픽셀 유닛 중의 동일한 색상을 갖는 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호 또는 상이한 데이터 신호에 연결되고;
    상기 제1 방향이 행 방향일 경우, 동일한 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 동일한 색상을 갖는 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 데이터 신호 또는 상이한 데이터 신호에 연결되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 OLED 픽셀 유닛의 구동 방식은 수동식이고;
    상기 제1 방향이 열 방향일 경우, 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 하나의 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스 전극은 동일 데이터 신호 또는 상이한 데이터 신호에 연결되고, 일 열에 위치하는 동일한 색상을 갖는 제1 OLED 서브 픽셀에 대응되는 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극은 동일 스위칭 신호 또는 상이한 스위칭 신호에 연결되고;
    상기 제1 방향이 행 방향일 경우, 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 하나의 스위칭 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스 전극은 동일 데이터 신호 또는 상이한 데이터 신호에 연결되고, 일 행에 위치하는 동일한 색상을 갖는 제1 OLED 서브 픽셀에 대응되는 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극은 동일 스위칭 신호 또는 상이한 스위칭 신호에 연결되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  9. 제3항에 있어서,
    동일 색상인 각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀의 구동 방식은 능동식이고; 각각의 상기 제1 OLED 서브 픽셀은 하나의 제1 전극을 가지며,
    상기 제1 방향이 열 방향일 경우, 동일한 열 중의 동일 색상인 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 픽셀 구동 회로 내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고; 또는 각 열의 동일 색상인 상기 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일한 또는 상이한 픽셀 구동 회로 내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고; 각각의 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 각각의 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극은 전원 전압에 대응되고;
    상기 제1 방향이 행 방향일 경우, 동일한 행 중의 동일 색상인 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 픽셀 구동 회로 내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고; 또는 각 행의 동일 색상인 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일한 또는 상이한 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고; 각각의 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 각각의 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극은 전원 전압에 대응되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 OLED 픽셀 유닛의 구동 방식은 능동식이고;
    상기 제1 방향이 열 방향일 경우, 동일한 열의 각각의 OLED 픽셀 유닛 중의 동일한 색상을 갖는 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 픽셀 구동 회로에 연결되거나 또는 상이한 픽셀 구동 회로 내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 각각의 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 각각의 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극은 전원 전압에 대응되고;
    상기 제1 방향이 행 방향일 경우, 동일한 행의 각 OLED 픽셀 유닛 중의 동일한 색상을 갖는 각각의 제1 OLED 서브 픽셀의 제1 전극은 동일 픽셀 구동 회로에 연결되거나 또는 상이한 픽셀 구동 회로내의 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고, 각각의 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 하나의 데이터 신호에 대응되고, 각각의 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극은 전원 전압에 대응되는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 방향에서, 상기 제1 전극의 상기 베이스상에서의 투영은 하나의 제1 패턴 유닛 또는 두 개 이상의 제1 패턴 유닛으로 구성되고; 상기 제1 패턴 유닛은 원형, 타원형, 아령형, 조롱박형 또는 직사각형이고,
    각각의 제1 전극 및/또는 제1 전극에 해당되는 상기 적어도 하나의 발광 구조의 상기 베이스상에서의 투영의 길이 및/또는 위치는 동일하거나 상이하고, 상기 제1 전극상에 하나의 상기 발광 구조가 마련되고, 상기 발광 구조에 상기 제1 전극이 가득 분포되고; 또는 상기 제1 전극상에 간격을 두고 분포되는 몇몇 발광 구조가 마련되고, 상기 간격을 두는 발광 구조는 픽셀 정의층에 의해 이격되거나 또는 간격을 두는 발광 구조 사이에 픽셀 정의층이 없는 것을 특징으로 하는 투광 OLED 기판.
  12. 디스플레이 패널에 있어서,
    제1항에 따른 투광 OLED 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
  13. OLED 기판에 있어서,
    제1 OLED 기판; 및
    제2 OLED 기판; 을 포함하고,
    상기 제1 OLED 기판은 제1항에 따른 투광 OLED 기판을 포함하고; 상기 제2 OLED 기판은 비투광 기판이고, 제1 OLED 기판은 제2 OLED 기판과 베이스를 공유하는 것을 특징으로 하는 OLED 기판.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 OLED 기판은 상기 제1 OLED 기판을 포위하거나 반포위하며,
    상기 제2 OLED 기판은,
    상기 베이스;
    상기 베이스상에 위치하는 제3 전극층 - 상기 제3 전극층은 복수의 제3 전극을 포함하고, 또한 반사 성능을 가짐 - ;
    상기 제3 전극층상에 위치하고, 복수의 제2 발광구조를 포함하는 제2 발광 구조층 - 제1 방향 및/또는 제2 방향에서, 상기 제2 발광 구조의 색상은 동일한 규칙에 따라 교대로 분포됨 - ; 및
    상기 제2 발광 구조층상에 위치하는 제4 전극 - 상기 제4 전극은 면전극임 - ; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 기판.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제3 전극층과 상기 제1 전극층은 동일층에 위치하고, 및/또는 상기 제4 전극과 상기 제2 전극은 동일층에 위치하고; 또는 상기 제1 전극상의 상기 적어도 하나의 발광 구조와 각각의 상기 제3 전극상의 하나의 발광 구조는 동일 공정에서 증착 형성되고,
    상기 제1 전극상의 상기 적어도 하나의 제1 발광 구조와 상기 제3 전극상의 상기 하나의 발광 구조는 동일 증착 공정에서 동일 마스크를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 기판.
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