JP2021528820A - ディスプレイパネル、透光ｏｌｅｄ基板、及びｏｌｅｄ基板 - Google Patents

ディスプレイパネル、透光ｏｌｅｄ基板、及びｏｌｅｄ基板 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、ディスプレイパネル、透光ＯＬＥＤ基板、およびＯＬＥＤ基板を提供する。
【解決手段】透光ＯＬＥＤ基板は、サブストレートと、前記サブストレート上に位置する第１の電極層と、前記第１の電極層上に位置する発光構造層と、前記発光構造層上に位置する第２の電極と、を含む。第１の電極層は、第１の方向に沿って配列された複数の電極組を含み、各電極組は、少なくとも１つの第１の電極を含み、各前記第１の電極は、第２の方向に沿って延びており、前記第２の方向は、前記第１の方向に垂直であり、各々の第１の電極と各第２の電極との間に駆動電圧を印加するとき、透光ＯＬＥＤ基板は表示機能を実行し、各々の第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧を印加しないとき、透光ＯＬＥＤ基板は、透光機能を実行するように構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＯＬＥＤディスプレイデバイスの技術分野に関し、特に、ディスプレイパネル、透光ＯＬＥＤ基板、およびＯＬＥＤ基板に関する。
ディスプレイデバイスの急速な発展に伴い、ユーザーの画面占有率に対する要求がますます高くなっている。画面の上部に、カメラ、センサー、イヤピースなどのコンポーネントを取り付ける必要があるため、画面の上部に、一般的に、上述のコンポーネントを取り付けるための一部の領域を残しておく。たとえば、Ａｐｐｌｅの携帯電話ｉｐｈｏｎｅＸのフロントノッチ形エリアは、画面の全体的な一貫性に影響を与えた。全画面表示は業界からますます注目を集めている。
本発明は、ディスプレイパネル、透光ＯＬＥＤ基板、及びＯＬＥＤ基板を提供することによって、透光ＯＬＥＤ基板の構造を変更し、回折の問題を解決し、透光ＯＬＥＤ基板のイメージング品質を改善することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様は、透光ＯＬＥＤ基板を提供し、当該透光ＯＬＥＤ基板は、サブストレートと、前記サブストレート上に位置する第１の電極層と、第１の電極層上に位置する発光構造層と、発光構造層上に位置する第２の電極と、を含み、第１の電極層は、第１の方向に沿って配列された複数の電極組を含み、各電極組は、少なくとも１つの第１の電極を含み、各第１の電極は、第２の方向に沿って延びており、第２の方向は、第１の方向に垂直であり、発光構造層はｎ種の色の発光構造を含み、ｎ≧１であり、各第１の電極ごとに、第１の電極上には、少なくとも１つの発光構造が設けられ、同一の第１の電極上に設けられた発光構造は、同一の種類の色を有し、各第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧が印加されたとき、透光ＯＬＥＤ基板は表示機能を実行するように構成され、各第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧が印加されていないとき、透光ＯＬＥＤ基板は透光機能を実行するように構成される。
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。
全画面ディスプレイパネルで、パネルの下のカメラのイメージング効果が低下する理由は、透光表示領域に対応するサブピクセルが複数のパターン化されたフィルム層を含み、光が複数のパターン化されたフィルム層を通過するときに、異なるパターンフィルム層の境界で干渉および回折現象が発生するためである。本発明は、上記の分析に基づいて、透光ＯＬＥＤ基板の第１の電極層を第１の方向に沿って配列された複数の電極組を含むように設け、１つの電極組は、少なくとも１つの第１の電極を含み、同一の電極組中の第１の電極は、いずれも第２の方向に延びており、第２の方向は、第１の方向に垂直である。第１の電極の第２の方向におけるサイズは、第１の方向におけるサイズよりもはるかに大きい。したがって、第１の電極の第１の方向におけるサイズと第２の方向におけるサイズとの差異がほとんどない構造と比較すると、パターンフィルム層の境界を減らし、複雑さを減らし、透光時の干渉および回折の問題を改善することができる。このようにして、透光ＯＬＥＤ基板が表示機能を実行する必要がある場合、各々の第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧を印加すると、透光ＯＬＥＤ基板は表示機能を実行し、不透光ＯＬＥＤ基板とともに表示を行って、ＯＬＥＤ基板全体が全画面ディスプレイパネルを形成し、透光ＯＬＥＤ基板が透光機能を実行する必要がある場合、各第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧を印加せず、駆動しない。干渉および回折に関連する問題が解決されるため、透光ＯＬＥＤ基板の下の感光性素子のイメージング効果が良好である。
本発明の第１の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 図１のＡ―Ａ線に沿った断面図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 ＧＩＰ回路構造およびタイミング図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 駆動トランジスタの閾値電圧を補償する機能を有するピクセル駆動回路の回路図およびタイミング図である。 本発明の第２の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第３の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第３の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第３の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第４の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの他のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 本発明の第５の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの他のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 本発明の第１の実施例のＯＬＥＤ基板の上面図である。 図２５の第２のＯＬＥＤ基板の断面図である。
本発明の理解を便利にするために、本発明に出現される符号を以下に示す。
本発明の上記の目的、特徴、及び利点をより明らかかつわかりやすくするために、以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例１の透光ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉＣ ＬｉｇｈＴ−ＥｍｉＴＴｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）基板の上面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
図１および図２を参照すると、透光ＯＬＥＤ基板１１は、サブストレート１１０と、サブストレート１１０上に位置する第１の電極層１１１と、第１の電極層１１１上に位置する発光構造層１１２と、発光構造層１１２上に位置する第２の電極１１３と、を含む。
第１の電極層１１１は、第１の方向Ｙに沿って配列された複数の電極組１１１１を含み、１つの電極組１１１１は、２つの第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂを含み、同一の電極組１１１１中の第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂはいずれも第２の方向Ｘに沿って延びており、すなわち、第２の方向Ｘにおけるサイズは、第１の方向Ｙにおけるサイズよりも、はるかに大きく、第２の方向Ｘは、第１の方向Ｙに垂直である。第２の電極１１３は、表面電極である。
発光構造層１１２は、ｎ種の色の発光構造１１２１を含み、ｎ≧１であり、１つの第１の電極１１１１ａ上に発光構造１１２１が設けられ、同一の第１の電極１１１１ａの発光構造１１２１は、同一の色であり、透光ＯＬＥＤ基板１１は、各々の第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂと第２の電極１１３との間に駆動電圧を印加すると、表示機能を実行し、第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂと第２の電極１１３との間に駆動電圧を印加しないと、透光ＯＬＥＤ基板１１は透光機能を実行する。
具体的な実施過程において、第１の電極１１１１ａの第２の方向Ｘにおけるサイズは、第１の方向Ｙにおけるサイズよりも、はるかに大きく、ここで、「はるかに大きい」は、好ましくは１０：１よりも大きい。他のオプションの案において、２０：１、５０：１、１００：１よりも大きくてもよく、さらに、４００：１よりも大きくても良い。
図１を参照すると、本実施例において、第１の方向Ｙは、行方向であり、第２の方向Ｘは、列方向である。
なお、本実施例において、１つの第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂ上の発光構造１１２１は、第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂ一面に広がっており、すなわち、発光構造１１２１は、第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂの上端から下端までに延びる。他のオプションの案において、発光構造１１２１は、第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ全体の一部にのみ配置されてもよい。図２を参照すると、第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ上の発光構造１１２１の大きさおよび位置は、ピクセル規定層１１４によって限定される。他のオプションの案において、ピクセル規定層１１４を省略してもよく、発光構造１１２１の大きさおよび位置は、蒸着用マスクのパターンによって限定されてもよい。
第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂおよび／または発光構造１１２１は、上端から中部までに延び、中部から下端までに延びる多数の列に設けられ、アレイ状に配列される多数の行列ユニットと比較すると、パターンの境界の数を減らすことができ、光が透光ＯＬＥＤ基板１１を透過するときの干渉および回折の問題を改善することができる。
１つの第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂと、当該第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ上の発光構造１１２１と、当該第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂに対応する一部の第２の電極１１３とによって、１つの第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが形成される。
本実施例において、ｎ＝１であり、すなわち、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、同色サブピクセルである。オプションの案において、２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、すべて、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、青色サブピクセル、黄色サブピクセル、白色サブピクセルなどであることができる。つまり、透光ＯＬＥＤ基板１１が表示機能を実行する場合、当該領域は単色光を発生する。
第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの発光駆動方式は、アクティブ方式であってもよいし、パッシブ方式であってもよい。
パッシブ駆動ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ ＭａＴｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＰＭＯＬＥＤ）は、受動駆動ＯＬＥＤとも呼ばれ、単にカソード（第２の電極）とアノード（第１の電極）とでマトリックスを構成し、走査方式でアレイ中の行列交差点のピクセルを点灯し、各サブピクセルは短パルスモードで奏され、瞬間的に高い輝度で発光する。言い換えれば、各ＯＬＥＤサブピクセルのアドレス指定は、外部回路によって直接制御される。当該外部回路は、ディスプレイ駆動集積チップ（ｄｉｓｐｌａｙ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎＴｅｇｒａＴｅｄ Ｃｈｉｐ、ＤＤＩＣ）によって制御されることできる。
アクティブ駆動ＯＬＥＤ（ＡＣＴｉｖｅ ＭａＴｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ）は、能動駆動ＯＬＥＤとも呼ばれ、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ＴｒａｎｓｉｓＴｏｒ、ＴＦＴ）アレイを含み、薄膜トランジスタアレイ中の各薄膜トランジスタは、ストレージコンデンサを含む。ＡＭＯＬＥＤは、独立した薄膜トランジスタを使用して各ピクセルの発光を制御し、各サブピクセルは、連続的に発光することができる。言い換えれば、各ＯＬＥＤサブピクセルのアドレス指定は、薄膜トランジスタアレイによって直接制御される。薄膜トランジスタアレイの行選択信号は、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）回路から得ることができ、列選択信号は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）から得ることができる。
図３は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図３を参照すると、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一の１つのデータ信号に接続され、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一のもう１つのデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は接地される。当該２つのデータ信号チャネルによって運ばれる色データは、対応する第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの色と一致する。当該データ信号は、外部回路によって提供される。当該透光ＯＬＥＤ基板は、２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａを有するため、１行目に１つの駆動電流を印加し、２行目にもう１つの駆動電流を印加する必要があり、当該２つの駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の２つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができる。
図４は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図４を参照すると、各行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は異なるデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は接地される。各データ信号チャネルによって運ばれる色データは、対応する第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの色と一致する。当該各データ信号も外部回路から提供される。当該透光ＯＬＥＤ基板は２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａを有するため、１行目と２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａに駆動電流を印加する必要があり、上記の各駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、すべての駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の多数のデータ信号チャネル（データ線）から得ることができる。
図３および図４の実施例において、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極の配線は、透光ＯＬＥＤ基板１１の上部のベゼル領域および側部のベゼル領域に配置され、すなわち第１の電極の配線は、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが位置する領域に配置されていない。同様に、２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極の配線は、透光ＯＬＥＤ基板１１の下部のベゼル領域および側部のベゼル領域に設けられる。第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが位置する領域に第１の電極の配線を配置する方式と比較すると、ベゼル領域に第１の電極の配線を配置する方式は、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが位置する領域のパターンフィルム層をさらに減らすことができ、透光モードでの干渉および回折の問題をさらに減らすことができる。
図３の実施例と図４の実施例とを比較すると、前者は、データ信号のチャネル数がより少なく、接続配線数もより少なく、占用面積もより少ない。
図５は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。１つのピクセル駆動回路は、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含む。図５に示すように、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一の１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、別の同一の１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は、接地され、１行目のピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、１つのスイッチングトランジスタＸ１を介して駆動トランジスタＸ２のゲートに接続され、２行目のピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のゲートは、別のデータ信号に対応し、当該データ信号は別の１つのスイッチングトランジスタＸ１を介して駆動トランジスタＸ２のゲートに接続され、当該２つの駆動トランジスタのソースは、電源電圧（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｒａｉｎ Ｄｒａｉｎ、ＶＤＤ）に対応する。
１行目のピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の上部のベゼル領域に設けられることができる。２行目のピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の下部のベゼル領域に設けられることができる。
当該上部のピクセル駆動回路のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、当該下部のピクセル駆動回路のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）のもう１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、上部および下部のピクセル駆動回路の走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルに接続されることができる。
図６は、ＧＩＰ回路構造およびタイミング図である。図６を参照すると、１段目のＧＩＰ回路は、第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２、第３のトランジスタＴ３、第４のトランジスタＴ４、および、第５のトランジスタＴ５を含む。第１のクロック信号線ＸＣＫは、第１のトランジスタＴ１のゲートおよび第３のトランジスタＴ３のゲートに接続され、第２のクロック信号線ＣＫは、第２のトランジスタＴ２のソースに接続される。第１のゲート線Ｖｇｈは、第４のトランジスタＴ４のソースおよび第５のトランジスタＴ５のソースに接続され、第２のゲート線Ｖｇ１は、第３のトランジスタＴ３のソースに接続される。ＧＩＰ回路構成は多段のＧＩＰ回路を含むことができ、ｎ段目のＧＩＰ回路の第１のトランジスタＴ１のソースは、ｎ段目のＧＩＰ回路の入力信号線Ｇｎに接続され、ｎ段目のＧＩＰ回路の入力信号である。ｎ段目のＧＩＰ回路の第２のトランジスタＴ２のドレインは、ｎ段目のＧＩＰ回路の出力信号線に接続され、ｎ段目のＧＩＰ回路の出力信号は、ｎ＋１段目のＧＩＰ回路の入力信号Ｇｎ＋１となる。
図６中のＧＩＰ回路が駆動する波形図を参照する。第１のゲート線Ｖｇｈは、ハイレベルであり、第２のゲート線Ｖｇ１は、ローレベルであり、第１のクロック信号線ＸＣＫおよび第２のクロック信号線ＣＫは、それぞれハイレベルとーレベルとが逆であるデジタル信号を出力する。第１のクロック信号線ＸＣＫがローレベルにジャンプすると、１段目のＧＩＰ回路の走査線Ｇ１はローレベルを入力し、第２のクロック信号線ＣＫがローレベルにジャンプすると、１段目のＧＩＰ回路はローレベルの信号を出力して、２段目のＧＩＰ回路の入力信号とし、つまり、２段目のＧＩＰ回路の走査線Ｇ２はローレベルを入力し、…、ｎ段目の回路の出力信号をｎ+１段目の回路の入力信号とする。
図７は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの別のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図７を参照すると、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は、接地され、各ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、各ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのソースは、同一の電源電圧に対応する。
図７において、１つのピクセル駆動回路は、１つのトランジスタアレイを含み、当該トランジスタアレイ中の各トランジスタセルは、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含む。１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極に接続されたピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の上部のベゼル領域に設けられることができる。２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極に接続されたピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の下部のベゼル領域に配置されることができる。
上部に配置された各ピクセル駆動回路中の各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、下部に配置された各ピクセル駆動回路中の各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、上部および下部の各ピクセル駆動回路中の各トランジスタセル中の各走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャンネルに接続することができる。言い換えれば、各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップの１つのデータ信号チャネルを占め、各トランジスタセル中の走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルを占める。
図８は、駆動トランジスタの閾値電圧を補償する機能を有するピクセル駆動回路の回路図およびタイミング図である。具体的な実施過程において、ピクセル駆動回路は、上記の２Ｔ１Ｃ構造（２つのトランジスタと１つの記憶コンデンサとを含む構造）に加えて、７Ｔ１Ｃ、６Ｔ１Ｃなどの、駆動トランジスタの閾値電圧を補償するピクセル駆動回路であってもよい。図８に示す７Ｔ１Ｃピクセル駆動回路は、リセット段階、補償段階、および、発光段階の３つの作業段階に分けられる。補償段階において、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈは、まずそのゲート-ソース間電圧Ｖｇｓに格納され、最後の発光段階において、Ｖｇｓ-ＶＴｈを電流に変換し、Ｖｇｓが既にＶＴｈを含むから、電流に変換する時にＶＴｈの影響を相殺して、電流の整合性を実現した。図８に示すピクセル駆動回路は、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの寿命および表示均一性を改善することができる。
１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａ（第１のＯＬＥＤピクセル行とも呼ばれる）の第１の電極は、同一の１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、ディスプレイ駆動チップの１つのデータ信号に対応し、ソースは、１つの電源電圧に対応し、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａ（第２のＯＬＥＤピクセル行とも呼ばれる）の第１の電極は、同一のもう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、ディスプレイ駆動チップのもう１つのデータ信号に対応し、ソースは、電源電圧に対応し（図５を参照）、この場合、上記の１行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)の１つのデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、上記の２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)のもう１つのデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、１行目と２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動回路の各ピクセルの走査線Ｇｎ-１、Ｇｎの信号は、ＧＩＰ回路の２つの走査信号チャネルから得ることができ、各ピクセル駆動回路の発光信号(Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ、ＥＭ)は、ＧＩＰ回路の１つの発光信号チャネルから得ることができ、各ピクセル駆動回路の初期信号(Ｉｎｉｔｉａｔｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ、ＩＮＩＴ)は、ディスプレイ駆動集積チップから得ることができる。
１行目および２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、各ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのゲートは、駆動チップの１つのデータ信号に対応し、各駆動トランジスタのソースは、同一の電源電圧または異なる電源電圧に対応し(図７を参照)、この場合、前述した１行目および２行目中の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)の１つのデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、すなわち、１行目および２行目の複数の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)の複数のデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、上記の１行目と２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動回路の各ピクセルの走査線Ｇｎ-１、Ｇｎの信号は、ＧＩＰ回路の２つの走査信号チャネルから得ることができ、発光信号ＥＭは、ＧＩＰ回路の１つの発光信号チャネルから得ることができ、初期信号ＩＮＩＴは、ディスプレイ駆動集積チップから得ることができる。
図５の実施例と図７の実施例とを比較すると、前者は、データ信号のチャネル数がより少なく、接続配線数もより少なく、占用面積がより少ない。
図９は、本発明の第２の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図９に示す透光ＯＬＥＤ基板１２は、図１に示す透光ＯＬＥＤ基板１１とほぼ同じであり、区別されるのは、１つの第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂ上に、間隔を置いた複数の発光構造１１２１が設けられていることである。間隔を置いた各発光構造１１２１は、ピクセル規定層１１４によって分離されるか、または、間隔を置いた発光構造１１２１同士の間にピクセル規定層１１４が存在しない。
透光ＯＬＥＤ基板１２は、透光ＯＬＥＤ基板１２上の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル密度を増加させることができる。また、第１の電極１１１１ａ上に、１つの発光構造１１２１が設けられるか、複数の発光構造１１２１が設けられるかにかかわらず、透光ＯＬＥＤ基板１２上の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの発光駆動に影響を与えない。
図１０、１１および１２は、本発明の第３の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図１０に示す透光ＯＬＥＤ基板１３は、図１に示す透光ＯＬＥＤ基板１１とほぼ同じであり、区別されるのは、１つの電極組１１１１が１つの第１の電極１１１１ａを含むことである。
図１０に示す構造は、図１に示す構造を基礎として、２行目の第１の電極１１１１ｂを除去し、１行目の第１の電極１１１１ａをＸ方向に沿って透光ＯＬＥＤ基板１３の下端までに延びた構造、または、１行目の第１の電極１１１１ａを除去し、２行目の第１の電極１１１１ｂをＸ方向に沿って透光ＯＬＥＤ基板１３の上端までに延びた構造に相当する。このように、本実施例中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの構造は、図１および９の実施例中の１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの構造、または、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの構造とほぼ同一のである。
第１の電極１１１１ａのサブストレート１１０における投影は、１つまたは２つ以上のパターンユニットを含むことができる。図１０で、パターンユニットは、矩形であり、図１１で、パターンユニットは、ひょうたん形である。他のオプションの案において、パターンユニットは、楕円形、ダンベル形、または、円形などであることができる。上記のパターンによって、回折パターンのストライプを互いに重ね合わせて消し合うことができ、回折の問題を改善することができる。
本実施例の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動方法は、図１の実施例の１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動方法に対応するか、または、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動方法に対応する。本発明は、ここで繰り返して説明しない。
図１２において、各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、透光ＯＬＥＤ基板１３の中間部の特定のセクション内でＸ方向に沿って上下に延びることができるか、または、透光ＯＬＥＤ基板１３の上端からＸ方向に沿って下向きに中間部まで延びることができるか、または、Ｘ方向の中間部から下端まで延びることができる。透光ＯＬＥＤ基板１３が２行且つ複数の列の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａを含む場合、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、透光ＯＬＥＤ基板１３のＸ方向に沿って上下に延びることができ、具体的には、上部のセクションに近い中間部の特定のセクション内で上下方向に延びるか、または、ＯＬＥＤ基板１３の上端から下向きに上中部まで、または、上中部から中間部まで延びる。２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、透光ＯＬＥＤ基板１３のＸ方向に沿って上下に延び、具体的には、下部のセクションに近い中間部の特定のセクション内で上下方向に延びるか、または、ＯＬＥＤ基板１３の下端から下中部まで、または、下中部から中間部まで延びる。第1の電極に異なる大きさの駆動電流を印加し、および/または、色が異なるサブピクセルに駆動電流を印加することによって、異なるパターンを実現する前述した実施案とは異なり、本実施例の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、サブピクセルの異なるパターンを組み合わせてさまざまなパターンを形成することができる。
図１３は、本発明の第４の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図１３に示される透光ＯＬＥＤ基板１４は、図１に示される透光ＯＬＥＤ基板１１とほぼ同じであり、区別されるのは、ｎ＝３であることである。
言い換えれば、同一の行且つ異なる列の第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ上の発光構造１１２１の色は、同一の規則に従って交互に配置され、隣接する、色が異なる３列の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、および、１１ｄが、１つのＯＬＥＤピクセルユニットを形成する。ＯＬＥＤピクセルユニットにおいて、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、および、１１ｄは、それぞれ、赤、緑、および、青のサブピクセルである。他のオプションの案において、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、および、１１ｄは、それぞれ他の色のサブピクセルであることができる。他のオプションの案において、隣接する、色が異なる４列の第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのＯＬＥＤピクセルユニットを形成することができる。
各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの具体的な構造については、前述した実施例中の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの具体的な構造を参照されたい。図１〜１２に示す実施例において、各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが同色サブピクセルであるため、１つの第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは１つのＯＬＥＤピクセルユニットと呼ばれることができる。以下、複数の色のサブピクセルの駆動方式を説明する。
図１４は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１４を参照すると、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットの第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第１の電極は、１つのデータ信号に接続され、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットの第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第１の電極は、もう１つのデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第２の電極は接地される。言い換えると、すべての赤のサブピクセルの第１の電極は、同一のＲデータ信号に接続され、すべての緑のサブピクセルの第１の電極は、同一のＧデータ信号に接続され、すべての青のサブピクセルの第１の電極は、同一のＢデータ信号に接続される。当該Ｒ、Ｇ、および、Ｂデータ信号は、外部回路によって提供される。図１４において、当該透光ＯＬＥＤ基板が２行の第１のＯＬＥＤサブピクセルを有するため、１行目の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに１つの駆動電流を印加し、２行目の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルにもう１つの駆動電流を印加する必要がり、当該１行目中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに印加される駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の３つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、当該２行目中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルによって印加される駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の他の３つのデータ信号チャネルから得ることができる。要するに、各ＯＬＥＤピクセル行ごとに、当該ＯＬＥＤピクセル行では、各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極が同一のデータ信号に接続される。
図１５は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１５を参照すると、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第２の電極は接地され、第１の電極は、スイッチングトランジスタのドレインに接続され、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、１つのデータ信号に接続され、ゲートは、１つのスイッチング信号に接続され、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、もう１つのデータ信号に接続され、ゲートは、もう１つのスイッチング信号に接続される。前記スイッチ信号は、１行のすべての第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが表示機能または透光機能を実行するように均一に制御することができることに加えて、スイッチ信号が「オフ」である場合、１行のすべての第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが透光機能を実行するように制御することもでき、隣接する他のカラーサブピクセルが表示機能を実行するときのクロストークを防止する。
他のオプションの案において、各行の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、スイッチングトランジスタのドレインに接続され、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、１つのデータ信号に接続され、ゲートは、異なるスイッチング信号に接続され、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、もう１つのデータ信号に接続され、ゲートは、異なるスイッチング信号に接続される。上記の構造は、各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが独立して表示機能または透光機能を実行することが可能である。
図１６は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのさらに別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１６を参照すると、各行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが独立して表示機能または透光機能を実行するようにするために、１行目および２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、異なるデータ信号に接続されることもできる。当該データ信号は、外部回路から提供される。当該透光ＯＬＥＤ基板が２行の第１のＯＬＥＤサブピクセルを有するため、各第１のＯＬＥＤサブピクセルに駆動電流を印加する必要がある。各第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）のいくつかのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができる。
図１７は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図１７を参照すると、各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第２の電極は、接地され、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタドレインにそれぞれ接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、電源電圧ＶＤＤに対応し、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各ＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、もう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインにそれぞれ接続され、駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応する。
図１７において、ピクセル駆動回路は、トランジスタアレイを含むことができる。当該トランジスタアレイは、複数のトランジスタセルを含む。各トランジスタセルは、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含む。各トランジスタセル中のデータ線は、それぞれ、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）のデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができる。１行目と２行目の各第１のＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応する各トランジスタセル中の各走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルに接続されることができる。言い換えれば、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットは、ディスプレイ駆動集積チップの３つのデータ信号チャネルを占用し（１つのＯＬＥＤピクセルユニットが３種類の第１のＯＬＥＤサブピクセルを含む場合）、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットは、ディスプレイ駆動集積チップの他の３つのデータ信号チャネルを占用する。
他のオプションの案において、各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、各駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応する。ピクセル駆動回路は、トランジスタアレイを含むことができる。トランジスタアレイ中の各トランジスタセルは、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含み、２Ｔ１Ｃ構造とも呼ばれる。各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続でき、各トランジスタセルの各走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルに接続することができる。言い換えれば、各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、ディスプレイ駆動集積チップの１つのデータ信号チャネルおよびＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルを占用する。
具体的な実施過程において、ピクセル駆動回路は、上記の２Ｔ１Ｃ構造に加えて、６Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ１Ｃ構造などであることができる。上記の各ピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、走査線Ｇｎ-１およびＧｎの信号は、ＧＩＰ回路の２つの走査信号チャネルから得ることができ、発光信号ＥＭは、ＧＩＰ回路の発光信号チャネルから得ることができ、初期信号ＩＮＩＴは、ディスプレイ駆動集積チップから得ることができる。
図１８は、本発明の第５の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図１８を参照すると、本実施例中の透光ＯＬＥＤ基板１５は、図１から１７の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４の構造と比較すると、区別されるのは、第１の方向Ｙが列方向であり、第２の方向Ｘが行方向である。つまり、第１の電極は、Ｙ方向に沿って延びる。
以下、発光ドライバの違いについて説明する。
図１９は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１９を参照すると、１列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、１つのデータ信号に接続され、２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、もう１つのデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は、接地される。２つのデータ信号チャネルによって運ばれる色データは、対応する第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの色と一致する。図１９に示すように、１列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａに対応するデータ信号のリード線は、左側のベゼル領域に配置されることができ、２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａに対応するデータ信号のリード線は、右側のベゼル領域に配置されることができる。
図２０は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図２０を参照すると、１列目および２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一のデータ信号に接続される。
図２１は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ａのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図２１を参照すると、１列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に接続され、当該データ信号は、１つのスイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、１つの電源電圧に対応し、２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、もう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、もう１つのデータ信号に接続され、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、１つの電源電圧に対応し、当該２つのピクセル駆動回路の走査線は、ＧＩＰ回路の同一の走査信号に接続される。
図２１のピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造の例を挙げたが、他のオプションの案において、３Ｔ１Ｃ構造、６Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ１Ｃ構造などであることができる。
図２２は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図２２を参照すると、１列目および２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、当該駆動トランジスタＸ２のゲートは、データ信号に接続され、当該データ信号は、スイッチングトランジスタＸ１を介して駆動トランジスタＸ２のゲートに接続され、駆動トランジスタＸ２のソースは、１つの電源電圧ＶＤＤに対応し、ピクセル駆動回路の走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号に接続される。
図２２のピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造の例を挙げたが、他のオプションの案において、３Ｔ１Ｃ構造、６Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ１Ｃ構造などであることができる。
図２３は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図２３を参照すると、１列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、同一の１つのデータ信号に対応し、２列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、同一のもう１つのデータ信号に対応することによって、１列目の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが同時に同一の輝度の光を同時に発光し、２列目の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが同時に同一の輝度の光を同時に発光するようにする。他の実施例では、１列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのデータ信号に対応し、２列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのデータ信号に対応することによって、各サブピクセルの発光に対して明るさを個別に制御する。
図２４は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図２４を参照すると、１列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルは、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応し、２列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１同一の色のＯＬＥＤサブピクセルは、もう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応することによって、１列目の同色サブピクセルを一括して制御し、２列目の同色サブピクセルを一括して制御するようにする。他の実施例において、１列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応し、２列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応することによって、各サブピクセルの発光に対して明るさを個別に制御する。
他のオプションの案において、図２４のピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造に加えて、３Ｔ１Ｃ構造、６Ｔ１Ｃ構造、および７Ｔ１Ｃ構造も含むことができる。
具体的な実施過程において、透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４、１５の形状は、水滴形、長方形、ノッチ形、円形、半円形などであることができる。
透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４、１５上に、封止層を設けることによって、ディスプレイパネルを形成することができる。
ディスプレイパネルは、表示装置に加えて、タッチ層を設けてタッチパネルとして使用されることができる。ディスプレイパネルは、半製品として他のコンポーネントと統合したり組み立てしたりして、携帯電話、タブレットコンピュータ、または、自動車のディスプレイ画面などのディスプレイデバイスを形成することもできる。
ディスプレイデバイスにおいて、透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４、１５の下部に、光センサを対応的に設け、光センサは、カメラ、虹彩認識センサ、および指紋認識センサの１つまたは組み合わせを含む。
図２５は、本発明の第１の実施例中のＯＬＥＤ基板の上面図である。
図２５を参照すると、ＯＬＥＤ基板１は、第１のＯＬＥＤ基板１１および第２のＯＬＥＤ基板２１を含む。
ここで、第１のＯＬＥＤ基板１１は、上記実施例中の透光ＯＬＥＤ基板を含み、第２のＯＬＥＤ基板２１は、不透光基板を含み、第１のＯＬＥＤ基板１１と第２のＯＬＥＤ基板２１はサブストレート１１０を共有する（図２および図２６に示すように）。
他のオプションの案において、第１のＯＬＥＤ基板１１は、上記のいずれかの実施例中の透光ＯＬＥＤ基板１２、１３、１４、および１５をさらに含むことができる。
図２５を参照すると、第２のＯＬＥＤ基板２１は、第１のＯＬＥＤ基板１１を包囲するか、または、半包囲する。
図２６は、図２５の第２のＯＬＥＤ基板の断面図である。
図２６を参照すると、第２のＯＬＥＤ基板２１は、サブストレート１１０と、サブストレート１１０上に位置する第３の電極層２１１と、第３の電極層２１１上に位置する発光構造層２１２と、発光構造層２１２上に位置する第４の電極２１３と、を含む。
ここで、第３の電極層２１１は、光反射性能を有し、第３の電極層２１１は、複数の第３の電極２１１１を含み、発光構造層２１２は、複数の色が異なる発光構造２１２１を含み、各第３の電極２１１１上には、発光構造２１２１が設けられ、第１の方向Ｙおよび／または第２の方向Ｘにおいて、色が異なる発光構造２１２１が同一の規則に従って交互に配置される。
第４の電極２１３は、表面電極である。
１つの第３の電極２１１１、第３の電極２１１１上の発光構造２１２１、および、発光構造２１２１に対応する第４の電極２１３によって、１つの第２のＯＬＥＤサブピクセル２１ａが形成される。
図２６において、第３の電極２１１１上の発光構造２１２１は、ピクセル規定層２１４によって大きさおよび位置が規定されるが、他のオプションの案において、ピクセル規定層２１４を省略することもできる。
他のオプションの案において、第１のＯＬＥＤ基板１１および第２のＯＬＥＤ基板２１を別々に製造してから、組み立てる。他のオプションの案において、両者が同一のサブストレート１１０上に同時に製造される。
具体的な製造過程において、第３の電極層２１１および第１の電極層１１１が、同一の層に位置するか、および／または、第４の電極２１３および第２の電極１１３が、同一の層上に位置するか、または、第１の電極層１１１上の発光構造１１２１および第３の電極層２１１上の発光構造２１２１が、同一のプロセスで蒸着によって形成される。
オプションとして、第１の電極層１１１上の発光構造１１２１および第３の電極層２１１上の発光構造２１２１の場合、両者を蒸着プロセスにおいて同一のマスクを使用して一回に蒸着することができるか、または、異なるマスクを使用して何回に分けて蒸着するかまたは２つのマスクを組み合わせて一回に蒸着することができる。
具体的な実施過程において、第２のＯＬＥＤサブピクセル２１ａの駆動方式は、アクティブであり、すなわち、第２のＯＬＥＤ基板２１は、ＡＭＯＬＥＤである。
ＯＬＥＤ基板１の場合、第１のＯＬＥＤ基板１１がアクティブ駆動によって表示機能を実行するとき、第１のＯＬＥＤ基板１１に対応するピクセル駆動回路は、第２のＯＬＥＤ基板２１上のベゼル領域にするか、または、第２のＯＬＥＤ基板２１と第１のＯＬＥＤ基板１１との間の遷移領域に位置する。要するに、第１のＯＬＥＤ基板１１の表示領域からピクセル駆動回路を取り除くことは、透光率を改善し、回折を低減することができる。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３と第４の電極２１３が接続されて一体型表面電極を形成する。２つの表面電極を分離した構造と比較して、一方では、接地端子と電圧端子を節約することができ、もう一方では、構造が簡単である。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３は、単層構造または積層構造であり、単層構造である場合、第２の電極１１３は、単層金属層、単層金属混合物層、または単層透明金属酸化物層であり、積層構造の場合、第２の電極１１３は、透明金属酸化物層と金属層との積層、または、透明金属酸化物層と金属混合物層との積層である。
１つのオプションの案において、第２の電極を形成する材料が金属酸化物でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが１００オングストローム以上であり、５００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光率は４０％よりも大きい。
さらに、第２の電極を形成する材料が金属でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが１００オングストローム以上であり、２００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光率は４０％よりも大きい。
さらに、第２の電極を形成する材料が金属でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが５０オングストローム以上であり、２００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光率は５０％よりも大きい。
さらに、第２の電極を形成する材料が金属酸化物でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが５０オングストローム以上であり、２００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光度は６０％よりも大きい。
第２の電極１１３が単層構造である場合、単層金属層材料はＡｌ、Ａｇなどであり、単層金属混合物層材料は、ＭｇＡｇ、または、Ａｌがドープされた金属混合材料などであり、透光金属酸化物はＩＴＯまたはＩＺＯなどである。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３および第４の電極２１３の材料は、同一のであるか、または、異なる。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３と第４の電極２１３の材質は、同一のであり、第２の電極１１３と第４の電極２１３は、単層構造であり、第２の電極１１３の厚さは、第４の電極２１３の厚さよりも薄い。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３および第４の電極２１３の材料は、単一の金属層、単一の金属混合層、または、単一の透明金属酸化物層である。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３と第４の電極２１３の材質は、同一のであり、第２の電極１１３は、単層構造であり、第４の電極２１３は、積層構造であり、第２の電極１１３の厚さは、第４の電極２１３の厚さよりも薄い。第４の電極２１３は、第２の電極１１３と同時に形成される第２の電極材料層と、第２の電極材料層の上方または下部に形成される第４の電極材料層と、を含む。
１つのオプションの案において、第４の電極材料層の厚さは、第２の電極材料層の厚さよりも大きい。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３は、単一の金属層、単一の金属混合層、単一の透明金属酸化物層、透明金属酸化物層と金属層の積層、または、透明金属酸化物層と金属混合層の積層であり、第４の電極２１３は、単層金属層、単層金属混合物層、金属混合層の積層、または、金属層と金属混合層の積層である。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３の材料は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ、Ａｌがドープされた金属混合材料、ＩＴＯ、または、ＩＺＯなどであり、第４の電極２１３の材料は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ、または、Ａｌがドープされた金属混合材料などである。
本発明は上記のように開示されるが、本発明はこれに限定されない。当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、様々な変更、組み合わせ、および修正を行うことができるので、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって定義される範囲に従うものとする。
本発明は、ＯＬＥＤディスプレイデバイスの技術分野に関し、特に、ディスプレイパネル、透光ＯＬＥＤ基板、およびＯＬＥＤ基板に関する。
ディスプレイデバイスの急速な発展に伴い、ユーザーの画面占有率に対する要求がますます高くなっている。画面の上部に、カメラ、センサー、イヤピースなどのコンポーネントを取り付ける必要があるため、画面の上部に、一般的に、上述のコンポーネントを取り付けるための一部の領域を残しておく。たとえば、Ａｐｐｌｅの携帯電話ｉｐｈｏｎｅＸのフロントノッチ形エリアは、画面の全体的な一貫性に影響を与えた。全画面表示は業界からますます注目を集めている。
本発明は、ディスプレイパネル、透光ＯＬＥＤ基板、及びＯＬＥＤ基板を提供することによって、透光ＯＬＥＤ基板の構造を変更し、回折の問題を解決し、透光ＯＬＥＤ基板のイメージング品質を改善することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様は、透光ＯＬＥＤ基板を提供し、当該透光ＯＬＥＤ基板は、サブストレートと、前記サブストレート上に位置する第１の電極層と、第１の電極層上に位置する発光構造層と、発光構造層上に位置する第２の電極と、を含み、第１の電極層は、第１の方向に沿って配列された複数の電極組を含み、各電極組は、少なくとも１つの第１の電極を含み、各第１の電極は、第２の方向に沿って延びており、第２の方向は、第１の方向に垂直であり、発光構造層はｎ種の色の発光構造を含み、ｎ≧１であり、第１の電極上には、少なくとも１つの発光構造が設けられ、同一の第１の電極上に設けられた発光構造は、同一の種類の色を有し、各第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧が印加されたとき、透光ＯＬＥＤ基板は表示機能を実行するように構成され、各第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧が印加されていないとき、透光ＯＬＥＤ基板は透光機能を実行するように構成される。
本発明の第２の態様は、ディスプレイパネルを提供し、当該ディスプレイパネルは、上記の透光ＯＬＥＤ基板を含む。
本発明の第３の態様は、ＯＬＥＤ基板を提供し、当該ＯＬＥＤ基板は、第１のＯＬＥＤ基板と、第２のＯＬＥＤ基板と、を含む。前記第１のＯＬＥＤ基板は、上記の透光ＯＬＥＤ基板を含み、前記第２のＯＬＥＤ基板は、不透光基板であり、第１のＯＬＥＤ基板と第２のＯＬＥＤ基板とは、サブストレートを共有する。
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。
全画面ディスプレイパネルで、パネルの下のカメラのイメージング効果が低下する理由は、透光表示領域に対応するサブピクセルが複数のパターン化されたフィルム層を含み、光が複数のパターン化されたフィルム層を通過するときに、異なるパターンフィルム層の境界で干渉および回折現象が発生するためである。本発明は、上記の分析に基づいて、透光ＯＬＥＤ基板の第１の電極層を第１の方向に沿って配列された複数の電極組を含むように設け、１つの電極組は、少なくとも１つの第１の電極を含み、同一の電極組中の第１の電極は、いずれも第２の方向に延びており、第２の方向は、第１の方向に垂直である。第１の電極の第２の方向におけるサイズは、第１の方向におけるサイズよりもはるかに大きい。したがって、第１の電極の第１の方向におけるサイズと第２の方向におけるサイズとの差異がほとんどない構造と比較すると、パターンフィルム層の境界を減らし、複雑さを減らし、透光時の干渉および回折の問題を改善することができる。このようにして、透光ＯＬＥＤ基板が表示機能を実行する必要がある場合、各々の第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧を印加すると、透光ＯＬＥＤ基板は表示機能を実行し、不透光ＯＬＥＤ基板とともに表示を行って、ＯＬＥＤ基板全体が全画面ディスプレイパネルを形成し、透光ＯＬＥＤ基板が透光機能を実行する必要がある場合、各第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧を印加せず、駆動しない。干渉および回折に関連する問題が解決されるため、透光ＯＬＥＤ基板の下の感光性素子のイメージング効果が良好である。
本発明の第１の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 図１の２―２線に沿った断面図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 ＧＩＰ回路構造およびタイミング図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 駆動トランジスタの閾値電圧を補償する機能を有するピクセル駆動回路の回路図およびタイミング図である。 本発明の第２の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第３の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第３の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第３の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 本発明の第４の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの他のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 本発明の第５の実施例の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの他のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。 透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。 本発明の第１の実施例のＯＬＥＤ基板の上面図である。 図２５の第２のＯＬＥＤ基板の断面図である。
本発明の上記の目的、特徴、及び利点をより明らかかつわかりやすくするために、以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例１の透光ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉＣ ＬｉｇｈＴ−ＥｍｉＴＴｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）基板の上面図であり、図２は、図１の２−２線に沿った断面図である。
図１および図２を参照すると、透光ＯＬＥＤ基板１１は、サブストレート１１０と、サブストレート１１０上に位置する第１の電極層１１１と、第１の電極層１１１上に位置する発光構造層１１２と、発光構造層１１２上に位置する第２の電極１１３と、を含む。
第１の電極層１１１は、第１の方向Ｙに沿って配列された複数の電極組１１１１を含み、１つの電極組１１１１は、２つの第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂを含み、同一の電極組１１１１中の第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂはいずれも第２の方向Ｘに沿って延びており、すなわち、第２の方向Ｘにおけるサイズは、第１の方向Ｙにおけるサイズよりも、はるかに大きく、第２の方向Ｘは、第１の方向Ｙに垂直である。第２の電極１１３は、表面電極である。
発光構造層１１２は、ｎ種の色の発光構造１１２１を含み、ｎ≧１であり、１つの第１の電極１１１１ａ上に発光構造１１２１が設けられ、同一の第１の電極１１１１ａの発光構造１１２１は、同一の色であり、透光ＯＬＥＤ基板１１は、各々の第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂと第２の電極１１３との間に駆動電圧を印加すると、表示機能を実行し、第１の電極１１１１ａ、１１１１ｂと第２の電極１１３との間に駆動電圧を印加しないと、透光ＯＬＥＤ基板１１は透光機能を実行する。
具体的な実施過程において、第１の電極１１１１ａの第２の方向Ｘにおけるサイズは、第１の方向Ｙにおけるサイズよりも、はるかに大きい。好ましくは、第１の電極の第２の方向におけるサイズと第１の方向におけるサイズとの比率は、１０：１よりも大きい。他のオプションの案において、２０：１、５０：１、１００：１よりも大きくてもよく、さらに、４００：１よりも大きくても良い。
図１を参照すると、本実施例において、第１の方向Ｙは、行方向であり、第２の方向Ｘは、列方向である。
なお、本実施例において、１つの第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂ上の発光構造１１２１は、第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂ一面に広がっており、すなわち、発光構造１１２１は、第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂの上端から下端までに延びる。他のオプションの案において、発光構造１１２１は、第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ全体の一部にのみ配置されてもよい。図２を参照すると、第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ上の発光構造１１２１の大きさおよび位置は、ピクセル規定層１１４によって限定される。他のオプションの案において、ピクセル規定層１１４を省略してもよく、発光構造１１２１の大きさおよび位置は、蒸着用マスクのパターンによって限定されてもよい。
第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂおよび／または発光構造１１２１は、上端から中部までに延び、中部から下端までに延びる多数の列に設けられ、アレイ状に配列される多数の行列ユニットと比較すると、パターンの境界の数を減らすことができ、光が透光ＯＬＥＤ基板１１を透過するときの干渉および回折の問題を改善することができる。
１つの第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂと、当該第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ上の発光構造１１２１と、当該第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂに対応する一部の第２の電極１１３とによって、１つの第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが形成される。
本実施例において、ｎ＝１であり、すなわち、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、同色サブピクセルである。オプションの案において、２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、すべて、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、青色サブピクセル、黄色サブピクセル、白色サブピクセルなどであることができる。つまり、透光ＯＬＥＤ基板１１が表示機能を実行する場合、当該透光ＯＬＥＤ基板は単色光を発生する。
第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの発光駆動方式は、アクティブ方式であってもよいし、パッシブ方式であってもよい。
パッシブ駆動ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ ＭａＴｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＰＭＯＬＥＤ）は、受動駆動ＯＬＥＤとも呼ばれ、単にカソード（第２の電極）とアノード（第１の電極）とでマトリックスを構成し、走査方式でアレイ中の行列交差点のピクセルを点灯し、各サブピクセルは短パルスモードで奏され、瞬間的に高い輝度で発光する。言い換えれば、各ＯＬＥＤサブピクセルのアドレス指定は、外部回路によって直接制御される。当該外部回路は、ディスプレイ駆動集積チップ（ｄｉｓｐｌａｙ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎＴｅｇｒａＴｅｄ Ｃｈｉｐ、ＤＤＩＣ）によって制御されることできる。
アクティブ駆動ＯＬＥＤ（ＡＣＴｉｖｅ ＭａＴｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ）は、能動駆動ＯＬＥＤとも呼ばれ、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ＴｒａｎｓｉｓＴｏｒ、ＴＦＴ）アレイを含み、薄膜トランジスタアレイ中の各薄膜トランジスタは、ストレージコンデンサを含む。ＡＭＯＬＥＤは、独立した薄膜トランジスタを使用して各ピクセルの発光を制御し、各サブピクセルは、連続的に発光することができる。言い換えれば、各ＯＬＥＤサブピクセルのアドレス指定は、薄膜トランジスタアレイによって直接制御される。薄膜トランジスタアレイの行選択信号は、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）回路から得ることができ、列選択信号は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）から得ることができる。
図３は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図３を参照すると、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一の１つのデータ信号に接続され、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一のもう１つのデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は接地される。当該２つのデータ信号チャネルによって運ばれる色データは、対応する第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの色と一致する。当該データ信号は、外部回路によって提供される。当該透光ＯＬＥＤ基板は、２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａを有するため、１行目に１つの駆動電流を印加し、２行目にもう１つの駆動電流を印加する必要があり、当該２つの駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の２つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができる。
図４は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図４を参照すると、各行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は異なるデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は接地される。各データ信号チャネルによって運ばれる色データは、対応する第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの色と一致する。当該各データ信号も外部回路から提供される。当該透光ＯＬＥＤ基板は２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａを有するため、１行目と２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａに駆動電流を印加する必要があり、上記の各駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、すべての駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の多数のデータ信号チャネル（データ線）から得ることができる。
図３および図４の実施例において、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極の配線は、透光ＯＬＥＤ基板１１の上部のベゼル領域および側部のベゼル領域に配置され、すなわち第１の電極の配線は、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが位置する領域に配置されていない。同様に、２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極の配線は、透光ＯＬＥＤ基板１１の下部のベゼル領域および側部のベゼル領域に設けられる。第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが位置する領域に第１の電極の配線を配置する方式と比較すると、ベゼル領域に第１の電極の配線を配置する方式は、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが位置する領域のパターンフィルム層をさらに減らすことができ、透光モードでの干渉および回折の問題をさらに減らすことができる。
図３の実施例と図４の実施例とを比較すると、前者は、データ信号のチャネル数がより少なく、接続配線数もより少なく、占用面積もより少ない。
図５は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。１つのピクセル駆動回路は、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含む。図５に示すように、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一の１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、別の同一の１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は、接地され、１行目のピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、１つのスイッチングトランジスタＸ１を介して駆動トランジスタＸ２のゲートに接続され、２行目のピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のゲートは、別のデータ信号に対応し、当該データ信号は別の１つのスイッチングトランジスタＸ１を介して駆動トランジスタＸ２のゲートに接続され、当該２つの駆動トランジスタのソースは、電源電圧（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｒａｉｎ Ｄｒａｉｎ、ＶＤＤ）に対応する。
１行目のピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の上部のベゼル領域に設けられることができる。２行目のピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の下部のベゼル領域に設けられることができる。
当該上部のピクセル駆動回路のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、当該下部のピクセル駆動回路のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）のもう１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、上部および下部のピクセル駆動回路の走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルに接続されることができる。
図６は、ＧＩＰ回路構造およびタイミング図である。図６を参照すると、１段目のＧＩＰ回路は、第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２、第３のトランジスタＴ３、第４のトランジスタＴ４、および、第５のトランジスタＴ５を含む。第１のクロック信号線ＸＣＫは、第１のトランジスタＴ１のゲートおよび第３のトランジスタＴ３のゲートに接続され、第２のクロック信号線ＣＫは、第２のトランジスタＴ２のソースに接続される。第１のゲート線Ｖｇｈは、第４のトランジスタＴ４のソースおよび第５のトランジスタＴ５のソースに接続され、第２のゲート線Ｖｇ１は、第３のトランジスタＴ３のソースに接続される。ＧＩＰ回路構成は多段のＧＩＰ回路を含むことができ、ｎ段目のＧＩＰ回路の第１のトランジスタＴ１のソースは、ｎ段目のＧＩＰ回路の入力信号線Ｇｎに接続され、ｎ段目のＧＩＰ回路の入力信号である。ｎ段目のＧＩＰ回路の第２のトランジスタＴ２のドレインは、ｎ段目のＧＩＰ回路の出力信号線に接続され、ｎ段目のＧＩＰ回路の出力信号は、ｎ＋１段目のＧＩＰ回路の入力信号Ｇｎ＋１となる。
図６中のＧＩＰ回路が駆動する波形図を参照する。第１のゲート線Ｖｇｈは、ハイレベルであり、第２のゲート線Ｖｇ１は、ローレベルであり、第１のクロック信号線ＸＣＫおよび第２のクロック信号線ＣＫは、それぞれハイレベルとーレベルとが逆であるデジタル信号を出力する。第１のクロック信号線ＸＣＫがローレベルにジャンプすると、１段目のＧＩＰ回路の走査線Ｇ１はローレベルを入力し、第２のクロック信号線ＣＫがローレベルにジャンプすると、１段目のＧＩＰ回路はローレベルの信号を出力して、２段目のＧＩＰ回路の入力信号とし、つまり、２段目のＧＩＰ回路の走査線Ｇ２はローレベルを入力し、…、ｎ段目の回路の出力信号をｎ+１段目の回路の入力信号とする。
図７は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの別のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図７を参照すると、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は、接地され、各ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、各ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのソースは、同一の電源電圧に対応する。
図７において、１つのピクセル駆動回路は、１つのトランジスタアレイを含み、当該トランジスタアレイ中の各トランジスタセルは、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含む。１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極に接続されたピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の上部のベゼル領域に設けられることができる。２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極に接続されたピクセル駆動回路は、透光ＯＬＥＤ基板１１の下部のベゼル領域に配置されることができる。
上部に配置された各ピクセル駆動回路中の各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、下部に配置された各ピクセル駆動回路中の各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができ、上部および下部の各ピクセル駆動回路中の各トランジスタセル中の各走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャンネルに接続することができる。言い換えれば、各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップの１つのデータ信号チャネルを占め、各トランジスタセル中の走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルを占める。
図８は、駆動トランジスタの閾値電圧を補償する機能を有するピクセル駆動回路の回路図およびタイミング図である。具体的な実施過程において、ピクセル駆動回路は、上記の２Ｔ１Ｃ構造（２つのトランジスタと１つの記憶コンデンサとを含む構造）に加えて、７Ｔ１Ｃ、６Ｔ１Ｃなどの、駆動トランジスタの閾値電圧を補償するピクセル駆動回路であってもよい。図８に示す７Ｔ１Ｃピクセル駆動回路は、リセット段階、補償段階、および、発光段階の３つの作業段階に分けられる。補償段階において、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈは、まずそのゲート-ソース間電圧Ｖｇｓに格納され、最後の発光段階において、Ｖｇｓ-ＶＴｈを電流に変換し、Ｖｇｓが既にＶＴｈを含むから、電流に変換する時にＶＴｈの影響を相殺して、電流の整合性を実現した。図８に示すピクセル駆動回路は、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの寿命および表示均一性を改善することができる。
１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａ（第１のＯＬＥＤピクセル行とも呼ばれる）の第１の電極は、同一の１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、ディスプレイ駆動チップの１つのデータ信号に対応し、ソースは、１つの電源電圧に対応し、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａ（第２のＯＬＥＤピクセル行とも呼ばれる）の第１の電極は、同一のもう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、ディスプレイ駆動チップのもう１つのデータ信号に対応し、ソースは、電源電圧に対応し（図５を参照）、この場合、上記の１行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)の１つのデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、上記の２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)のもう１つのデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、１行目と２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動回路の各ピクセルの走査線Ｇｎ-１、Ｇｎの信号は、ＧＩＰ回路の２つの走査信号チャネルから得ることができ、各ピクセル駆動回路の発光信号(Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ、ＥＭ)は、ＧＩＰ回路の１つの発光信号チャネルから得ることができ、各ピクセル駆動回路の初期信号(Ｉｎｉｔｉａｔｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ、ＩＮＩＴ)は、ディスプレイ駆動集積チップから得ることができる。
１行目および２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、各ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのゲートは、駆動チップの１つのデータ信号に対応し、各駆動トランジスタのソースは、同一の電源電圧または異なる電源電圧に対応し(図７を参照)、この場合、前述した１行目および２行目中の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)の１つのデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、すなわち、１行目および２行目の複数の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ(ＤＤＩＣ)の複数のデータ信号チャネル(データ線)から得ることができ、上記の１行目と２行目の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動回路の各ピクセルの走査線Ｇｎ-１、Ｇｎの信号は、ＧＩＰ回路の２つの走査信号チャネルから得ることができ、発光信号ＥＭは、ＧＩＰ回路の１つの発光信号チャネルから得ることができ、初期信号ＩＮＩＴは、ディスプレイ駆動集積チップから得ることができる。
図５の実施例と図７の実施例とを比較すると、前者は、データ信号のチャネル数がより少なく、接続配線数もより少なく、占用面積がより少ない。
図９は、本発明の第２の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図９に示す透光ＯＬＥＤ基板１２は、図１に示す透光ＯＬＥＤ基板１１とほぼ同じであり、区別されるのは、１つの第１の電極１１１１ａ／１１１１ｂ上に、間隔を置いた複数の発光構造１１２１が設けられていることである。間隔を置いた各発光構造１１２１は、ピクセル規定層１１４によって分離されるか、または、間隔を置いた発光構造１１２１同士の間にピクセル規定層１１４が存在しない。
透光ＯＬＥＤ基板１２は、透光ＯＬＥＤ基板１２上の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａのピクセル密度を増加させることができる。また、第１の電極１１１１ａ上に、１つの発光構造１１２１が設けられるか、複数の発光構造１１２１が設けられるかにかかわらず、透光ＯＬＥＤ基板１２上の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの発光駆動に影響を与えない。
図１０、１１および１２は、本発明の第３の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図１０に示す透光ＯＬＥＤ基板１３は、図１に示す透光ＯＬＥＤ基板１１とほぼ同じであり、区別されるのは、１つの電極組１１１１が１つの第１の電極１１１１ａを含むことである。
図１０に示す構造は、図１に示す構造を基礎として、２行目の第１の電極１１１１ｂを除去し、１行目の第１の電極１１１１ａをＸ方向に沿って透光ＯＬＥＤ基板１３の下端までに延びた構造、または、１行目の第１の電極１１１１ａを除去し、２行目の第１の電極１１１１ｂをＸ方向に沿って透光ＯＬＥＤ基板１３の上端までに延びた構造に相当する。このように、本実施例中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの構造は、図１および９の実施例中の１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの構造、または、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの構造とほぼ同一のである。
第１の電極１１１１ａのサブストレート１１０における投影は、１つまたは２つ以上のパターンユニットを含むことができる。図１０で、パターンユニットは、矩形であり、図１１で、パターンユニットは、ひょうたん形である。他のオプションの案において、パターンユニットは、楕円形、ダンベル形、または、円形などであることができる。上記のパターンによって、回折パターンのストライプを互いに重ね合わせて消し合うことができ、回折の問題を改善することができる。
本実施例の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動方法は、図１の実施例の１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動方法に対応するか、または、２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの駆動方法に対応する。本発明は、ここで繰り返して説明しない。
図１２において、各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、透光ＯＬＥＤ基板１３の中間部の特定のセクション内でＸ方向に沿って上下に延びることができるか、または、透光ＯＬＥＤ基板１３の上端からＸ方向に沿って下向きに中間部まで延びることができるか、または、Ｘ方向の中間部から下端まで延びることができる。透光ＯＬＥＤ基板１３が２行且つ複数の列の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａを含む場合、１行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、透光ＯＬＥＤ基板１３のＸ方向に沿って上下に延びることができ、具体的には、上部のセクションに近い中間部の特定のセクション内で上下方向に延びるか、または、ＯＬＥＤ基板１３の上端から下向きに上中部まで、または、上中部から中間部まで延びる。２行目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは、透光ＯＬＥＤ基板１３のＸ方向に沿って上下に延び、具体的には、下部のセクションに近い中間部の特定のセクション内で上下方向に延びるか、または、ＯＬＥＤ基板１３の下端から下中部まで、または、下中部から中間部まで延びる。第1の電極に異なる大きさの駆動電流を印加し、および/または、色が異なるサブピクセルに駆動電流を印加することによって、異なるパターンを実現する前述した実施案とは異なり、本実施例の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、サブピクセルの異なるパターンを組み合わせてさまざまなパターンを形成することができる。
図１３は、本発明の第４の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図１３に示される透光ＯＬＥＤ基板１４は、図１に示される透光ＯＬＥＤ基板１１とほぼ同じであり、区別されるのは、ｎ＝３であることである。
言い換えれば、同一の行且つ異なる列の第１の電極１１１１ａ/１１１１ｂ上の発光構造１１２１の色は、同一の規則に従って交互に配置され、隣接する、色が異なる３列の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、および、１１ｄが、１つのＯＬＥＤピクセルユニットを形成する。ＯＬＥＤピクセルユニットにおいて、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、および、１１ｄは、それぞれ、赤、緑、および、青のサブピクセルである。他のオプションの案において、第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、および、１１ｄは、それぞれ他の色のサブピクセルであることができる。他のオプションの案において、隣接する、色が異なる４列の第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのＯＬＥＤピクセルユニットを形成することができる。
各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの具体的な構造については、前述した実施例中の第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの具体的な構造を参照されたい。図１〜１２に示す実施例において、各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａが同色サブピクセルであるため、１つの第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａは１つのＯＬＥＤピクセルユニットと呼ばれることができる。以下、複数の色のサブピクセルの駆動方式を説明する。
図１４は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１４を参照すると、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットの第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第１の電極は、１つのデータ信号に接続され、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットの第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第１の電極は、もう１つのデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第２の電極は接地される。言い換えると、同一行中のすべての赤のサブピクセルの第１の電極は、同一のＲデータ信号に接続され、すべての緑のサブピクセルの第１の電極は、同一のＧデータ信号に接続され、すべての青のサブピクセルの第１の電極は、同一のＢデータ信号に接続される。当該Ｒ、Ｇ、および、Ｂデータ信号は、外部回路によって提供される。図１４において、当該透光ＯＬＥＤ基板が２行の第１のＯＬＥＤサブピクセルを有するため、１行目の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに１つの駆動電流を印加し、２行目の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルにもう１つの駆動電流を印加する必要があり、当該１行目中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに印加される駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の３つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、当該２行目中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルによって印加される駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の他の３つのデータ信号チャネルから得ることができる。要するに、各ＯＬＥＤピクセル行ごとに、当該ＯＬＥＤピクセル行では、各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極が同一のデータ信号に接続される。
図１５は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１５を参照すると、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ｂ、１１ｃ、１１dの第２の電極は接地され、第１の電極は、スイッチングトランジスタのドレインに接続され、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、１つのデータ信号に接続され、ゲートは、１つのスイッチング信号に接続され、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、もう１つのデータ信号に接続され、ゲートは、もう１つのスイッチング信号に接続される。前記スイッチ信号は、１行のすべての第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが表示機能を実行するように均一に制御することができることに加えて、スイッチ信号が「オフ」である場合、１行のすべての第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが透光機能を実行するように制御することもでき、隣接する他のカラーサブピクセルが表示機能を実行するときのクロストークを防止する。
他のオプションの案において、各行の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、スイッチングトランジスタのドレインに接続され、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、１つのデータ信号に接続され、ゲートは、異なるスイッチング信号に接続され、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのソースは、もう１つのデータ信号に接続され、ゲートは、異なるスイッチング信号に接続される。上記の構造は、各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが独立して表示機能または透光機能を実行することが可能である。
図１６は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのさらに別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１６を参照すると、各行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが独立して表示機能または透光機能を実行するようにするために、１行目および２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、異なるデータ信号に接続されることもできる。当該データ信号は、外部回路から提供される。当該透光ＯＬＥＤ基板が２行の第１のＯＬＥＤサブピクセルを有するため、各第１のＯＬＥＤサブピクセルに駆動電流を印加する必要がある。各第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動電流は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）のいくつかのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができる。
図１７は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図１７を参照すると、各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第２の電極は、接地され、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタドレインにそれぞれ接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、電源電圧ＶＤＤに対応し、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各ＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、もう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインにそれぞれ接続され、駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応する。
図１７において、ピクセル駆動回路は、トランジスタアレイを含むことができる。当該トランジスタアレイは、複数のトランジスタセルを含む。各トランジスタセルは、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含む。各トランジスタセル中のデータ線は、それぞれ、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）のデータ信号チャネル（データ線）に接続されることができる。１行目と２行目の各第１のＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルに対応する各トランジスタセル中の各走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルに接続されることができる。言い換えれば、１行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットは、ディスプレイ駆動集積チップの３つのデータ信号チャネルを占用し（１つのＯＬＥＤピクセルユニットが３種類の第１のＯＬＥＤサブピクセルを含む場合）、２行目の各ＯＬＥＤピクセルユニットは、ディスプレイ駆動集積チップの他の３つのデータ信号チャネルを占用する。
他のオプションの案において、各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、各駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応する。ピクセル駆動回路は、トランジスタアレイを含むことができる。トランジスタアレイ中の各トランジスタセルは、１つのスイッチングトランジスタＸ１、１つの駆動トランジスタＸ２、および、１つの記憶コンデンサＣを含み、２Ｔ１Ｃ構造とも呼ばれる。各トランジスタセル中のデータ線は、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）に接続でき、各トランジスタセルの各走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルに接続することができる。言い換えれば、各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、ディスプレイ駆動集積チップの１つのデータ信号チャネルおよびＧＩＰ回路の１つの走査信号チャネルを占用する。
具体的な実施過程において、ピクセル駆動回路は、上記の２Ｔ１Ｃ構造に加えて、６Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ１Ｃ構造などであることができる。上記の各ピクセル駆動回路のデータ線信号ＶＤＡＴＡは、ディスプレイ駆動集積チップ（ＤＤＩＣ）の１つのデータ信号チャネル（データ線）から得ることができ、走査線Ｇｎ-１およびＧｎの信号は、ＧＩＰ回路の２つの走査信号チャネルから得ることができ、発光信号ＥＭは、ＧＩＰ回路の発光信号チャネルから得ることができ、初期信号ＩＮＩＴは、ディスプレイ駆動集積チップから得ることができる。
図１８は、本発明の第５の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板の上面図である。図１８を参照すると、本実施例中の透光ＯＬＥＤ基板１５は、図１から１７の実施例中の透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４の構造と比較すると、区別されるのは、第１の方向Ｙが列方向であり、第２の方向Ｘが行方向である。つまり、第１の電極は、Ｙ方向に沿って延びる。
以下、発光ドライバの違いについて説明する。
図１９は、透光ＯＬＥＤ基板の２行の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図１９を参照すると、１列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、１つのデータ信号に接続され、２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、もう１つのデータ信号に接続され、すべての第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第２の電極は、接地される。２つのデータ信号チャネルによって運ばれる色データは、対応する第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの色と一致する。図１９に示すように、１列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａに対応するデータ信号のリード線は、左側のベゼル領域に配置されることができ、２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａに対応するデータ信号のリード線は、右側のベゼル領域に配置されることができる。
図２０は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図２０を参照すると、１列目および２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、同一のデータ信号に接続される。
図２１は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセル１１ａのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図２１を参照すると、１列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に接続され、当該データ信号は、１つのスイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、１つの電源電圧に対応し、２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、もう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、当該駆動トランジスタのゲートは、もう１つのデータ信号に接続され、当該データ信号は、スイッチングトランジスタを介して駆動トランジスタのゲートに接続され、駆動トランジスタのソースは、１つの電源電圧に対応し、当該２つのピクセル駆動回路の走査線は、ＧＩＰ回路の同一の走査信号に接続される。
図２１のピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造の例を挙げたが、他のオプションの案において、３Ｔ１Ｃ構造、６Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ１Ｃ構造などであることができる。
図２２は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの別のアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図２２を参照すると、１列目および２列目中の各第１のＯＬＥＤサブピクセル１１ａの第１の電極は、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタＸ２のドレインに接続され、当該駆動トランジスタＸ２のゲートは、データ信号に接続され、当該データ信号は、スイッチングトランジスタＸ１を介して駆動トランジスタＸ２のゲートに接続され、駆動トランジスタＸ２のソースは、１つの電源電圧ＶＤＤに対応し、ピクセル駆動回路の走査線は、ＧＩＰ回路の１つの走査信号に接続される。
図２２のピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造の例を挙げたが、他のオプションの案において、３Ｔ１Ｃ構造、６Ｔ１Ｃ構造、７Ｔ１Ｃ構造などであることができる。
図２３は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのパッシブ駆動方式の回路の模式図である。図２３を参照すると、１列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、同一の１つのデータ信号に対応し、２列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、同一のもう１つのデータ信号に対応することによって、１列目の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが同時に同一の輝度の光を同時に発光し、２列目の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルが同時に同一の輝度の光を同時に発光するようにする。他の実施例では、１列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのデータ信号に対応し、２列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのデータ信号に対応することによって、各サブピクセルの発光に対して明るさを個別に制御する。
図２４は、透光ＯＬＥＤ基板の２列の各第１のＯＬＥＤサブピクセルのアクティブ駆動方式の回路の模式図である。図２４を参照すると、１列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルは、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応し、２列目中の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の各第１同一の色のＯＬＥＤサブピクセルは、もう１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応することによって、１列目の同色サブピクセルを一括して制御し、２列目の同色サブピクセルを一括して制御するようにする。他の実施例において、１列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、１つのピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応し、２列目の各第１のＯＬＥＤサブピクセルは、ピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに対応することによって、各サブピクセルの発光に対して明るさを個別に制御する。
他のオプションの案において、図２４のピクセル駆動回路は、２Ｔ１Ｃ構造に加えて、３Ｔ１Ｃ構造、６Ｔ１Ｃ構造、および７Ｔ１Ｃ構造も含むことができる。
具体的な実施過程において、透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４、１５の形状は、水滴形、長方形、ノッチ形、円形、半円形などであることができる。
透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４、１５上に、封止層を設けることによって、ディスプレイパネルを形成することができる。
ディスプレイパネルは、表示装置に加えて、タッチ層を設けてタッチパネルとして使用されることができる。ディスプレイパネルは、半製品として他のコンポーネントと統合したり組み立てしたりして、携帯電話、タブレットコンピュータ、または、自動車のディスプレイ画面などのディスプレイデバイスを形成することもできる。
ディスプレイデバイスにおいて、透光ＯＬＥＤ基板１１、１２、１３、１４、１５の下部に、光センサを対応的に設け、光センサは、カメラ、虹彩認識センサ、および指紋認識センサの１つまたは組み合わせを含む。
図２５は、本発明の第１の実施例中のＯＬＥＤ基板の上面図である。
図２５を参照すると、ＯＬＥＤ基板１は、第１のＯＬＥＤ基板１１および第２のＯＬＥＤ基板２１を含む。
ここで、第１のＯＬＥＤ基板１１は、上記実施例中の透光ＯＬＥＤ基板を含み、第２のＯＬＥＤ基板２１は、不透光基板を含み、第１のＯＬＥＤ基板１１と第２のＯＬＥＤ基板２１はサブストレート１１０を共有する（図２および図２６に示すように）。
他のオプションの案において、第１のＯＬＥＤ基板１１は、上記のいずれかの実施例中の透光ＯＬＥＤ基板１２、１３、１４、および１５をさらに含むことができる。
図２５を参照すると、第２のＯＬＥＤ基板２１は、第１のＯＬＥＤ基板１１を包囲するか、または、半包囲する。
図２６は、図２５の第２のＯＬＥＤ基板の断面図である。
図２６を参照すると、第２のＯＬＥＤ基板２１は、サブストレート１１０と、サブストレート１１０上に位置する第３の電極層２１１と、第３の電極層２１１上に位置する発光構造層２１２と、発光構造層２１２上に位置する第４の電極２１３と、を含む。
ここで、第３の電極層２１１は、光反射性能を有し、第３の電極層２１１は、複数の第３の電極２１１１を含み、発光構造層２１２は、複数の色が異なる発光構造２１２１を含み、各第３の電極２１１１上には、発光構造２１２１が設けられ、第１の方向Ｙおよび／または第２の方向Ｘにおいて、色が異なる発光構造２１２１が同一の規則に従って交互に配置される。
第４の電極２１３は、表面電極である。
１つの第３の電極２１１１、第３の電極２１１１上の発光構造２１２１、および、発光構造２１２１に対応する第４の電極２１３によって、１つの第２のＯＬＥＤサブピクセル２１ａが形成される。
図２６において、第３の電極２１１１上の発光構造２１２１は、ピクセル規定層２１４によって大きさおよび位置が規定されるが、他のオプションの案において、ピクセル規定層２１４を省略することもできる。
他のオプションの案において、第１のＯＬＥＤ基板１１および第２のＯＬＥＤ基板２１を別々に製造してから、組み立てる。他のオプションの案において、両者が同一のサブストレート１１０上に同時に製造される。
具体的な製造過程において、第３の電極層２１１および第１の電極層１１１が、同一の層に位置するか、および／または、第４の電極２１３および第２の電極１１３が、同一の層上に位置するか、または、第１の電極層１１１上の発光構造１１２１および第３の電極層２１１上の発光構造２１２１が、同一のプロセスで蒸着によって形成される。
オプションとして、第１の電極層１１１上の発光構造１１２１および第３の電極層２１１上の発光構造２１２１の場合、両者を蒸着プロセスにおいて同一のマスクを使用して一回に蒸着することができるか、または、異なるマスクを使用して何回に分けて蒸着するかまたは２つのマスクを組み合わせて一回に蒸着することができる。
具体的な実施過程において、第２のＯＬＥＤサブピクセル２１ａの駆動方式は、アクティブであり、すなわち、第２のＯＬＥＤ基板２１は、ＡＭＯＬＥＤである。
ＯＬＥＤ基板１の場合、第１のＯＬＥＤ基板１１がアクティブ駆動によって表示機能を実行するとき、第１のＯＬＥＤ基板１１に対応するピクセル駆動回路は、第２のＯＬＥＤ基板２１上のベゼル領域にするか、または、第２のＯＬＥＤ基板２１と第１のＯＬＥＤ基板１１との間の遷移領域に位置する。要するに、第１のＯＬＥＤ基板１１の表示領域からピクセル駆動回路を取り除くことは、透光率を改善し、回折を低減することができる。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３と第４の電極２１３が接続されて一体型表面電極を形成する。２つの表面電極を分離した構造と比較して、一方では、接地端子と電圧端子を節約することができ、もう一方では、構造が簡単である。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３は、単層構造または積層構造であり、単層構造である場合、第２の電極１１３は、単層金属層、単層金属混合物層、または単層透明金属酸化物層であり、積層構造の場合、第２の電極１１３は、透明金属酸化物層と金属層との積層、または、透明金属酸化物層と金属混合物層との積層である。
１つのオプションの案において、第２の電極を形成する材料が金属酸化物でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが１００オングストローム以上であり、５００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光率は４０％よりも大きい。
さらに、第２の電極を形成する材料が金属でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが１００オングストローム以上であり、２００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光率は４０％よりも大きい。
さらに、第２の電極を形成する材料が金属でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが５０オングストローム以上であり、２００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光率は５０％よりも大きい。
さらに、第２の電極を形成する材料が金属酸化物でドープされ、且つ、第２の電極１１３の厚さが５０オングストローム以上であり、２００オングストローム以下である場合、第２の電極１１３の厚さは全体的に連続されており、第２の電極１１３の透光度は６０％よりも大きい。
第２の電極１１３が単層構造である場合、単層金属層材料はＡｌ、Ａｇなどであり、単層金属混合物層材料は、ＭｇＡｇ、または、Ａｌがドープされた金属混合材料などであり、透光金属酸化物はＩＴＯまたはＩＺＯなどである。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３および第４の電極２１３の材料は、同一のであるか、または、異なる。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３と第４の電極２１３の材質は、同一のであり、第２の電極１１３と第４の電極２１３は、単層構造であり、第２の電極１１３の厚さは、第４の電極２１３の厚さよりも薄い。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３および第４の電極２１３の材料は、単一の金属層、単一の金属混合層、または、単一の透明金属酸化物層である。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３と第４の電極２１３の材質は、同一のであり、第２の電極１１３は、単層構造であり、第４の電極２１３は、積層構造であり、第２の電極１１３の厚さは、第４の電極２１３の厚さよりも薄い。第４の電極２１３は、第２の電極１１３と同時に形成される第２の電極材料層と、第２の電極材料層の上方または下部に形成される第４の電極材料層と、を含む。
１つのオプションの案において、第４の電極材料層の厚さは、第２の電極材料層の厚さよりも大きい。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３は、単一の金属層、単一の金属混合層、単一の透明金属酸化物層、透明金属酸化物層と金属層の積層、または、透明金属酸化物層と金属混合層の積層であり、第４の電極２１３は、単層金属層、単層金属混合物層、金属混合層の積層、または、金属層と金属混合層の積層である。
１つのオプションの案において、第２の電極１１３の材料は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ、Ａｌがドープされた金属混合材料、ＩＴＯ、または、ＩＺＯなどであり、第４の電極２１３の材料は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ、または、Ａｌがドープされた金属混合材料などである。
本発明は上記のように開示されるが、本発明はこれに限定されない。当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、様々な変更、組み合わせ、および修正を行うことができるので、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって定義される範囲に従うものとする。

Claims (20)

  1. サブストレートと、前記サブストレート上に位置する第１の電極層と、前記第１の電極層上に位置する発光構造層と、前記発光構造層上に位置する第２の電極と、を含む透光ＯＬＥＤ基板であって、
    前記第１の電極層は、第１の方向に沿って配列された複数の電極組を含み、各前記電極組は、少なくとも１つの第１の電極を含み、各前記第１の電極は、第２の方向に沿って延びており、前記第２の方向は、前記第１の方向に垂直であり、
    前記発光構造層は、ｎ種の色の発光構造を含み、ｎ≧１であり、
    各前記第１の電極ごとに、前記第1の電極上に少なくとも１つの前記発光構造が設けられており、同一の前記第１の電極上に設けられた発光構造は、同一の種類の色を有し、
    各前記第１の電極と前記第２の電極との間に駆動電圧が印加されたとき、透光ＯＬＥＤ基板は表示機能を実行し、各前記第１の電極と前記第２の電極との間に駆動電圧が印加されないとき、前記透光ＯＬＥＤ基板は透光機能を実行する
    ことを特徴とする透光ＯＬＥＤ基板。
  2. 前記第２の電極は、表面電極であるか、または、
    前記第２の電極は、単層構造または積層構造であり、前記第２の電極が単層構造である場合、前記第２の電極は、単層金属層、単層金属混合物層、または、単層透明金属酸化物層であり、前記第２の電極が積層構造である場合、前記第２の電極は、透明金属酸化物層と金属層との積層、または、透明金属酸化物層と金属混合物層との積層である
    ことを特徴とする請求項１に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  3. 各前記電極組中の各前記第１の電極上の発光構造の色は、同一であるか、または、異なる
    ことを特徴とする請求項１に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  4. 前記透光ＯＬＥＤ基板は、複数の第１のＯＬＥＤサブピクセルをさらに含み、
    各前記第１のＯＬＥＤサブピクセルは、
    １つの第1の電極と、
    前記第１の電極上のすべての発光構造と、
    前記第１の電極に対応する一部の第２の電極と、を含み、
    前記第２の電極は、接地され、
    前記第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動方式は、アクティブ方式またはパッシブ方式である
    ことを特徴とする請求項１に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  5. 各前記第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動方式がアクティブ方式である場合、前記第１のＯＬＥＤサブピクセルに対応する１つまたは複数のピクセル駆動回路は、第１のＯＬＥＤサブピクセルが位置する領域と重ならないベゼル領域に設けられる
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  6. 各前記第１のＯＬＥＤサブピクセルの駆動方式がパッシブ方式である場合、各前記第１のＯＬＥＤサブピクセル中の第１の電極の配線は、第１のＯＬＥＤサブピクセルが位置する領域と重ならないベゼル領域に設けられる
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  7. 前記透光ＯＬＥＤ基板は、少なくとも１つのＯＬＥＤピクセルユニットをさらに含み、
    各前記ＯＬＥＤピクセルユニットは、少なくとも１つの第１のＯＬＥＤサブピクセルを含み、
    ｎ＝１である場合、各前記ＯＬＥＤピクセルユニット中の各前記第１のＯＬＥＤサブピクセルは、同色サブピクセルであり、
    ｎ≧３である場合、各前記ＯＬＥＤピクセルユニット中の各前記第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極上の発光構造の色は、互いに異なり、同一の規則に従って交互に配置される
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  8. 各前記第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの駆動方式がパッシブ方式であり、
    第１の方向が列方向である場合、１列中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一のデータ信号に接続され、各列の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一のデータ信号または異なるデータ信号に接続され、
    第１の方向が行方向である場合、１行中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一のデータ信号に接続され、各行の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一のデータ信号または異なるデータ信号に接続される
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  9. 各前記ＯＬＥＤピクセルユニットの駆動方式は、パッシブ方式であり、
    前記第１の方向が列方向である場合、１列の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の、同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、同一のデータ信号または異なるデータ信号に接続され、
    前記第１の方向が行方向である場合、１行の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の、同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、同一のデータ信号または異なるデータ信号に接続される
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  10. 各前記ＯＬＥＤピクセルユニットの駆動方式は、パッシブ方式であり、
    前記第１の方向が列方向である場合、各前記ＯＬＥＤピクセルユニット中の第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、１つのスイッチングトランジスタのドレインに接続され、前記スイッチングトランジスタのソースは、同一のデータ信号または異なるデータ信号に接続され、１列に位置する同一の色を有する第１のＯＬＥＤサブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのゲートは、同一のスイッチング信号または異なるスイッチング信号に接続され、
    前記第１の方向が行方向である場合、各前記ＯＬＥＤピクセルユニット中の第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、1つのスイッチングトランジスタのドレインに接続され、前記スイッチングトランジスタのソースは、同一のデータ信号または異なるデータ信号に接続され、１行に位置する同一の色を有する第１のＯＬＥＤサブピクセルに対応するスイッチングトランジスタのゲートは、同一のスイッチング信号または異なるスイッチング信号に接続される
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  11. 各前記第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの駆動方式は、アクティブ方式であり、
    前記第1の方向が列方向である場合、１列中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一のピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続されるか、または、各列の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一または異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、前記駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、前記駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応し、
    前記第１の方向が行方向である場合、１行中の各第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一のピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続されるか、または、各行の第１のＯＬＥＤ同色サブピクセルの第１の電極は、同一または異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、前記駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、前記駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応する
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  12. 各前記ＯＬＥＤピクセルユニットの駆動方式は、アクティブ方式であり、
    前記第１の方向が列方向である場合、１列の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、同一のピクセル駆動回路に接続されるかまたは異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、各駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、各駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応し、
    前記第１の方向が行方向である場合、１行の各ＯＬＥＤピクセルユニット中の同一の色を有する各第１のＯＬＥＤサブピクセルの第１の電極は、同一のピクセル駆動回路に接続されるかまたは異なるピクセル駆動回路中の駆動トランジスタのドレインに接続され、各駆動トランジスタのゲートは、１つのデータ信号に対応し、各駆動トランジスタのソースは、電源電圧に対応する
    ことを特徴とする請求項４に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  13. 前記第２の方向において、前記第１の電極の前記サブストレートにおける投影は、１つの第１のパターンユニットまたは２つ以上の第１のパターンユニットから構成され、前記第１のパターンユニットは、円形、楕円形、ダンベル形、ひょうたん形、または、長方形であり、
    各前記第１の電極および／または前記発光構造の前記サブストレートにおける投影の長さおよび／または位置は、同一であるか、または、異なり、前記第１の電極上に１つの発光構造が設けられ、前記発光構造は、第１の電極一面に広がるか、または、前記第１の電極上に、間隔を置いて配置された複数の発光構造が設けられ、前記間隔を置いた発光構造は、ピクセル定義層によって分離されるか、または、前記間隔を置いた発光構造の間にピクセル定義層がない
    ことを特徴とする請求項１に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  14. 前記第１の電極の前記第２の方向におけるサイズと前記第１の方向におけるサイズとの比は、１０：１よりも大きい
    ことを特徴とする請求項１に記載の透光ＯＬＥＤ基板。
  15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の透光ＯＬＥＤ基板を含む
    ことを特徴とするディスプレイパネル。
  16. 第１のＯＬＥＤ基板と、第２のＯＬＥＤ基板と、を含み、
    前記第１のＯＬＥＤ基板は、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の透光ＯＬＥＤ基板を含み、前記第２のＯＬＥＤ基板は、不透光基板であり、前記第１のＯＬＥＤ基板と前記第２のＯＬＥＤ基板とは、サブストレートを共有する
    ことを特徴とするＯＬＥＤ基板。
  17. 前記第２のＯＬＥＤ基板は、前記第１のＯＬＥＤ基板を包囲するか、または、半包囲する
    ことを特徴とする請求項１６に記載のＯＬＥＤ基板。
  18. 前記第２のＯＬＥＤ基板は、前記サブストレートと、前記サブストレート上に位置する第３の電極層と、前記第３の電極層上に位置する第２の発光構造層と、前記第２の発光構造層上に位置する第４の電極とを含み、
    前記第３の電極層は、光反射性能を有し、
    前記第１の方向および／または前記第２の方向において、前記第２の発光構造の色は、同一の規則に従って交互に配置され、
    前記第４の電極は、表面電極である
    ことを特徴とする請求項１６に記載のＯＬＥＤ基板。
  19. 前記第３の電極層と前記第１の電極層とは、同一の層に位置し、および／または、前記第４の電極層と前記第２の電極とは、同一の層に位置し、または、前記第１の電極上の発光構造と前記第３の電極上の発光構造とは、同一のプロセスにおいて蒸着によって形成され、
    前記第１の電極上の発光構造と前記第３の電極上の発光構造とは、同一の蒸着プロセスにおいて同一のマスクを使用して形成される
    ことを特徴とする請求項１８に記載のＯＬＥＤ基板。
  20. 前記第１のＯＬＥＤ基板は、アクティブ駆動またはパッシブ駆動を通じて表示機能を実行し、前記第１のＯＬＥＤ基板に対応する前記ピクセル駆動回路は、前記第２のＯＬＥＤ基板のベゼル領域に位置するか、または、第２のＯＬＥＤ基板と第１のＯＬＥＤ基板との間の遷移領域に位置する
    ことを特徴とする請求項１６に記載のＯＬＥＤ基板。
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