CN110767697B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。阵列基板，包括：衬底；第一电极层，第一电极层形成于衬底上；发光层形成于第一电极层上，包括第一发光区和第二发光区，第一发光区包括多个第一发光结构、第二发光区包括多个第二发光结构，多个第一发光结构和多个第二发光结构在同一个工艺中形成，且多个第一发光结构的分布密度区别于小于第二发光结构的分布密度；第二电极层形成于发光层上；其中，第一电极层包括对应于第一发光区、且沿第二方向排列的多个第一电极，多个第一电极均沿第二方向延伸，第二方向与所述第一方向垂直，每一第一电极对应多个第一发光结构，且同一第一电极上的第一发光结构颜色相同。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，故而可通过在显示面板上开槽(Notch)，在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等，但开槽区域并不用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。

发明内容

为解决相关技术中的技术问题，本申请提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。

根据本申请的实施例，提供一种阵列基板，包括：衬底；

第一电极层，所述第一电极层形成于所述衬底上；

发光层，所述发光层形成于所述第一电极层上，包括第一发光区和第二发光区，所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构，所述多个第一发光结构和所述多个第二发光结构在同一个工艺中形成，且多个第一发光结构的分布密度区别于小于第二发光结构的分布密度，所述第一发光区为透明区、所述第二发光区为非透明区；

第二电极层，所述第二电极层形成于所述发光层上；

其中，所述第一电极层包括对应于所述第一发光区、且沿第二方向排列的多个第一电极，多个第一电极均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直，每一第一电极对应多个所述第一发光结构，且同一第一电极上的第一发光结构颜色相同。

优选的，相邻两个第一发光结构之间的间距大于相邻两个所述第二发光结构之间间距；和/或

第一发光结构的面积大于第二发光结构的面积。

优选的，所述第一发光区的至少部分被所述第二发光区包围。

优选的，所述第一发光区呈下述任一种形状：

水滴形、圆形、矩形、椭圆形。

优选的，所述第一方向为列方向，所述第二方向为行方向；或所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向；

优选的，所述第二电极层包括对应于所述第一发光区设置的第二电极，所述第二电极为面电极；

优选的，所述第二电极为单层结构或叠层结构，所述第二电极为单层结构时，所述第二电极为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第二电极为叠层结构时，所述第二电极为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第二电极为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于40％；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于40％；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于50％；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于60％；

优选的，所述第二电极为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。

优选的，每一所述第一电极对应沿第二方向设置的多列所述第一发光结构。

优选的，在第一方向上，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构对齐设置或者错位设置。

优选的，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构的中轴线在第一方向上的间距、为所述第一发光结构在第一方向上尺寸的0.5-2倍；

优选的，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构的中轴线在第一方向上的间距、为所述第一发光结构在第一方向上尺寸的0.5倍；

优选的，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构的中轴线在第一方向上的间距、为所述第一发光结构在第一方向上尺寸的1.5倍。

优选的每一所述第一电极包括：

多个第一子电极，所述多个第一子电极在第二方向上错位排列，每一所述第一子电极对应一列沿第二方向设置的所述第一发光结构，每一第一子电极包括多个电极块；

连接部，所述连接部电性连接相邻的两个电极块，以得到沿第二方向延伸的、呈波浪形的所述第一电极。

优选的，相邻两个所述第一电极对应的所述第一发光结构对齐设置或错位设置。

优选的，一个第一电极、该一个第一电极上的所有第一发光结构和第二电极层组成一个OLED像素，所述OLED像素的驱动方式为主动式或者被动式。

优选的，当OLED像素的驱动方式为主动式时，每一OLED像素对应的像素驱动电路设置在所述阵列基板的边缘区域。

优选的，相邻的两个第一电极上第一发光结构的颜色相同，所有所述OLED像素为相同颜色的像素。

优选的，所述OLED像素的驱动方式为被动式；

当所述第一方向为列方向时，一列各行OLED像素的第一电极连接至同一数据信号；各列OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号；

当所述第一方向为行方向时，一列各行OLED像素的第一电极连接至同一数据信号；各列OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号。

优选的，所述OLED像素的驱动方式为主动式；

当所述第一方向为列方向时，一列各行OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号；

当所述第一方向为行方向时，一行各列OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号。

优选的，相邻的两个第一电极上第一发光结构的颜色不同；

其中，沿第一方向、连续的n个OLED像素组成一个像素重复单元，所述像素重复单元包括n个颜色，n≥3。

优选的，所述像素重复单元的驱动方式为被动式；

当所述第一方向为列方向时，各像素重复单元中的各行同色OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号；

当所述第一方向为行方向时，各像素重复单元中的各列同色OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号。

优选的，所述像素重复单元的驱动方式为被动式；

当所述第一方向为列方向时，各像素重复单元中的OLED像素的第一电极连接至一开关晶体管的漏极，所述开关晶体管的源极连接同一数据信号或不同数据信号，位于一列的部分行或所有行同色OLED像素对应的开关晶体管的栅极连接同一开关信号；

当所述第一方向为行方向时，各像素重复单元中的OLED像素的第一电极连接至一开关晶体管的漏极，所述开关晶体管的源极连接同一数据信号或不同数据信号，位于一行的部分列或所有列同色OLED像素对应的开关晶体管的栅极连接同一开关信号。

优选的，所述像素重复单元的驱动方式为主动式；

当所述第一方向为列方向时，一列像素重复单元中的各行同色OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路或不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，每一所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号；

当所述第一方向为行方向时，一行像素重复单元中的各列同色OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路或不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，每一所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号。

优选的，所述第一电极在延伸方向上的两条边均为波浪形，且两条边的波峰相对设置、波谷相对设置。

优选的，每一所述第一电极在所述衬底上的投影由一个第一图形单元或者多个第一图形单元组成；

所述第一图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。

优选的，所述第一发光结构在所述第一电极的延伸方向上的两条边均为波浪形，且两条边的波峰相对设置、波谷相对设置。

优选的，每一所述第一发光结构在所述衬底上的投影由一个第二图形单元或者多个第二图形单元组成；

所述第二图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。

优选的，还包括：

像素限定层，所述像素限定层形成于所述第一电极层上，且包括对应于所述第一发光区的多个第一像素限定孔，每一所述第一像素限定孔对应一个或者多个所述第一发光结构。

优选的，所述像素限定层还包括对应于所述第二发光区的多个第二像素限定孔，所述第二像素限定孔的尺寸不大于所述第一像素限定孔的尺寸。

优选的，多个所述第一发光结和多个所述第二发光结构均排布成多列，且一一对应。

优选的，同一列上所述第一发光结构颜色、与对应列第二发光结构中靠近所述第一发光区设置的一个第二发光结构颜色一致。

优选的，一列所述第二发光结构中靠近所述第一发光区设置的一个或者多个所述第二发光结构、和对应列所述第一发光结构中相邻的一个或者多个所述第二发光结构组成一个像素重复单元。

优选的，所述第一电极层和/或所述第二电极层为透明材质；

优选的，所述透明材质的透光率大于或等于90％。

优选的，所述透明材质包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板，包括：

如上述任一项实施例所述的阵列基板；

封装层，所述封装层封装于所述阵列基板上远离所述衬底的一侧，所述第一发光区对应的区域可放置感光器件。

配置该阵列基板的电子设备所包括的感光器件能够设置于该第一发光区的下方，以保证感光器件能够正常工作，并且不占用显示区域，从而提升屏占比。

可选的，所述阵列基板上第一发光区的至少部分被第二发光区包围；所述显示面板还包括：芯片组件，所述芯片组件用于控制第一发光结构和所述第二发光结构的显示状态，并使得位于第一发光区和第二发光处交界处第一发光结构和第二发光块结构颜色一致。通过芯片组件调节第一发光区和第二发光区交界处的显示颜色，可以提升交界处的显示效果，降低视觉差异，提升显示效果。

可选的，所述显示面板上对应于所述第一发光区的位置为透明显示区域、对应于所述第二发光区的位置为非透明显示区域。

可选的，所述封装层包括偏光片，所述偏光片覆盖所述第二发光区、且未覆盖所述第一发光区。避免偏光片对穿设第一发光区的光线进行阻挡，提升光线透过率。

根据本申请实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括：

设备本体，具有器件区；

如包括如上述任一项实施例所述的显示面板，所述显示面板覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述第一发光区的下方，且所述器件区包括透过所述第一发光区发射或者采集光线的感光器件。

显示装置所包括的感光器件能够设置于该第一发光区的下方，以保证感光器件能够正常工作，并且不占用显示区域，从而提升屏占比。

可选的，所述感光器件包括下述至少之一：

摄像头、光线感应器、光线发射器。

由上述实施例可知，本申请中多个第一发光结构和第二发光结构采用一张mask进行蒸镀，而由于本申请提出可以在同一第一电极上形成多个第一发光结构，那么相应的，在mask上对应于第一发光区上同一电极的区域需要形成多个孔，从而能够提高mask的强度，缓冲应力，减少mask的形变，降低相邻第一发光结构之间混色的风险。且由于第一发光结构的分布密度较小，基于此，在单位面积内，第一发光结构的数量小于第二发光结构的数量，从而间隙数量减少，或者相邻第一发光结构之间的间距大于相邻第二发光结构之间的夹具，能够降低光线透过第一发光区是发生衍射的概率。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图。

图2是图1的A-A截面图。

图3-5是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图之一。

图6-9是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板上第一发光区的结构示意图之一。

图10是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的局部示意图。

图11是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板上第一发光区的结构示意图之二。

图12-18是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板上的第一电极的结构示意图。

图19是本申请根据一示例性实施例示出的另一种阵列基板的截面示意图。

图20-24是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板上的结构示意图之二。

图25是本申请根据一示例性实施例示出的一种OLED像素的结构示意图。

图26是本申请根据一示例性实施例示出的一种第一发光区的OLED像素排布图。

图27是第一发光区两行多列OLED同色像素的一种被动驱动方式的电路示意图。

图28是第一发光区两行多列OLED同色像素的另一种被动驱动方式的电路示意图。

图29是第一发光区两行多列OLED同色像素的一种主动驱动方式的电路示意图。

图30是一种GIP电路结构及时序图。

图31是第一发光区两行多列OLED同色像素的另一种主动驱动方式的电路示意图。

图32是具有对驱动晶体管的阈值电压进行补偿功能的一种像素驱动电路的电路图以及时序图。

图33是本申请根据一示例性实施例示出的另一种第一发光区的OLED像素排布图。

图34是第一发光区两列多行OLED同色像素的一种被动驱动方式的电路示意图。

图35是第一发光区两列多行OLED同色像素的另一种被动驱动方式的电路示意图。

图36是第一发光区两列多行OLED同色像素的一种主动驱动方式的电路示意图。

图37是第一发光区两列多行OLED同色像素的另一种主动驱动方式的电路示意图。

图38是本申请根据一示例性实施例示出的又一种第一发光区的OLED像素排布图。

图39是第一发光区两行多列OLED像素的一种被动驱动方式的电路示意图。

图40是第一发光区两行多列OLED像素的另一种被动驱动方式的电路示意图。

图41是第一发光区两行多列OLED像素的再一种被动驱动方式的电路示意图。

图42是第一发光区两行多列OLED像素的一种主动驱动方式的电路示意图。

图43是第一发光区两列多行OLED像素的一种被动驱动方式的电路示意图。

图44是第一发光区两列多行OLED像素的一种主动驱动方式的电路示意图。

图45是本申请根据一示例性实施例示出的一种显示面板的截面示意图。

图46是本申请根据一示例性实施例示出的一种显示装置的截面示意图。

图47是本申请根据一示例性实施例示出的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

基于当前电子设备的全面屏发展趋势，如何在保证电子设备前置拍摄功能的同时，将电子设备所配置的显示面板屏占比提高至接近100％，已经成为本领域内亟待需要解决的问题。

基于此，图1是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板100的结构示意图、图2是图1的A-A截面图、图3是本申请根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图。如图1-图3所示，该阵列基板100可以包括衬底1、第一电极层2、发光层3和第二电极层4。其中，衬底1可以包括基板、无机层和有机层等层结构。该基板可以包括柔性基板或者刚性基板，其中柔性基板可以采用柔性材料制成，该柔性材料可以为聚酰亚胺PI(Polyimide，简称PI)聚合物，聚碳酸酯PC(Polycarbonate，简称PC)树脂，也称为PC塑料，聚对苯二甲酸类PET(Polyethylene terephthalate，简称PET)塑料等制成；刚性基板可以采用有机玻璃材质制成。第一电极层2形成在衬底1上、发光层3形成于第一电极层2上、第二电极层4形成于发光层3上。

在本实施例中，发光层3可以包括第一发光区31和第二发光区32，该第一发光区31可以包括多个第一发光结构311、第二发光区32可以包括多个第二发光结构321；并且所有的第一发光结构311和第二发光结构321是在同一个工艺中形成，以减少mask的张数，降低生产成本。进一步地，第一电极层2还可以包括对应于第一发光区31设置的多个第一电极，该多个第一电极沿第一方向(图3中所示的X方向)排列、每一第一电极均沿第二方向(图3中所示的Y方向)延伸，该第二方向与第一方向垂直。每一第一电极上可以设置多个第一发光结构311，并且，同一第一电极对应的第一发光结构311的颜色相同。

需要说明的是：第一方向可以是如图3中所示为阵列基板100上所有发光结构排列的行方向、第二方向可以是如图3中所示为阵列基板100上所有发光结构排列的列方向。当然，在其他实施例中，第一方向可以是如图4中所示为阵列基板100上所有发光结构排列的列方向、第二方向可以是如图3中所示为阵列基板100上所有发光结构排列的行方向。

举例而言，仍以图3、图4所示，假定第一电极层2可以包括对应于第一发光区31的多个第一电极21、22和23，并且，第一电极21、22和23分别对应两个第一发光结构311。且，第一电极21对应的第一发光结构311均为红色色块、第一电极22对应的第一发光结构311均为绿色色块、第一电极23对应的第一发光结构311均为蓝色色块。当然，在此仅以第一电极21、22和23分别对应两个第一发光结构311为例进行说明，在其他实施例中，固然还可以包括三个或者三个以上的第一发光结构311，且不同第一电极所包括的第一发光结构311的数量可以相同也可以不同，本申请并不限制。

基于此，由于多个第一发光结构311和第二发光结构321采用一张mask进行蒸镀，而本申请中可以在同一第一电极上形成多个第一发光结构311，相应的在mask上对应于第一发光区31的区域可以形成多个孔，从而能够提高mask的强度，减少mask的形变，降低相邻第一发光结构311之间混色的概率。

进一步地，在本申请中，第一发光区31为透明区、第二发光区32为非透明区。并且配置有该阵列基板100的电子设备所包括的感光器件可以对应于第一发光区31设置。此时，外部光线可以透过第一发光区31后被感光器件采集；相类似的，内部光线可以透过第一发光区31而出射。基于此，可以在保证感光器件正常工作的同时，不影响电子设备的屏占比。其中，当感光器件处于关闭状态时，第一发光区31对应的区域可以用于显示图像，并且第一发光区31的对应区域示出的图像与第二发光区32的对应区域示出的图像之间可以吻合，以保证图像显示的完整性，提升显示效果。当然，在其他一些实施例中，第一发光区31对应的区域也可以是采用静态显示，本申请并不对此进行限制。

此外，仍以图3所示，多个第一发光结构311的分布密度区别于多个第一发光结构311的分布密度小于多个第二发光结构321的分布密度。基于第一发光区31为透明区的特性，通过减小第一发光结构311的分布密度，有利于提高第一发光区31的透光率，加强位于第一发光区31下方感光器件的检测精度。

而且，由于第一发光结构311的分布密度较小，在一实施例中，如图3所示，可以是相邻的两个第一发光结构311之间的间距大于相邻的两个第二发光结构321之间的间距，以通过增大间距的方式，降低光线透过第一发光区31是发生衍射的概率。在另一实施例中，如图5所示，也可以是第一发光结构311的面积大于第二发光结构321的面积。基于此，在单位面积内，第一发光结构311的数量小于第二发光结构321的数量，从而间隙数量减少，同样能够降低光线透过第一发光区31是发生衍射的概率。

在一实施例中，仍以图1所示，第一发光区31的至少部分可以被第二发光区32包围。例如，可以是第一发光区31全部被第二发光区32包围、或者也可以是第一发光区31的一侧边缘与第二发光区32的相对侧边缘接触。该第一发光区31可以如图1所示为水滴形；或者，在其他实施例中，该第一发光区31也可以为圆形或者矩形或者椭圆形等，本申请并不限制。

在上述实施例中，所述第二电极层4包括对应于所述第一发光区31设置的第二电极，所述第二电极为面电极；

优选的，所述第二电极为单层结构或叠层结构，所述第二电极为单层结构时，所述第二电极为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第二电极为叠层结构时，所述第二电极为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第二电极为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于40％；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于40％；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于50％；

优选的，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于60％；

优选的，所述第二电极为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。

基于本申请的技术方案，每一在一实施例中，如图6所示，以X方向为第一方向、Y方向为第二方向(即第一电极的延伸方向)为例。每一第一电极可以对应沿第二方向设置的多列第一发光结构311，基于此，可以在第一发光区31的像素密度不变的情况下，在降低mask形变量的同时，减少第一电极的数量，降低加工难度。

在本实施例中，在与第二方向垂直的第一方向上，即在图6所示的X方向上，同一第一电极上相邻的两个第一发光结构311对齐设置；或者，如图7所示，在X所示方向上，同一第一电极上相邻的两个个第一发光结构311错位设置，相对于图7所示的方式，能够提高第一发光结构311排布的均匀性，提升显示效果。

进一步地，针对形成图7中所示第一发光结构311的排列方式，仍以图7所示，同一第一电极上相邻的两个第一发光结构311的中轴线在Y向上的间距、为第一发光结构311在该Y向上尺寸的0.5-2倍。例如，图7中所示，第一发光结构311A与第一发光结构311B在X所示方向上错位，且第一发光结构311A与第一发光结构311B中轴线之间的间距D3、等于第一发光结构311B宽度D4。当然，在此仅以D3＝D4为例进行说明，在其他实施例中，例如，如图8所示，D3＝1.5*D4，当然，在其他实施例中D3也可以是D4的0.5倍、0.8倍、1.2或者2倍，本申请并不进行限制。

进一步地，在本申请中，如图8、9所示，每一第一电极可以包括连接部和多个第一子电极，该多个第一子电极在第二方向上错位排列，每一子电极包括多个电极块，该连接部电性连接相邻的两个电极块，以得到沿第一方向延伸的、呈波浪形的第一电极。具体而言，如图8中所示，第一电极23为例，该第一电极23可以包括第一子电极231和232，且第一子电极231包括多个电极块2311、第二子电极232包括多个电极块2321；该第一电极23还可以包括连接部233，该连接部233连接相邻的两个电极块，从而能够得到如图9所示的沿X向延伸的、呈波浪形的第一电极23。

需要说明的是：针对图8、图9中所示的第一电极21、22、23的结构形状，在第一发光区31内可以排布成如图10所示的三行两列的结构。并且，在在行方向上(即图10中由左至右或者由右至左的方向)所有的第一电极所对应的第一发光结构311可以颜色相同。当然在此仅作示例性说明，在其他实施例中，也可以是排成两行两列、三行三列等，本申请并不限制；并且，也可以是同一列方向上(即图10中由上至下或者由下至上的方向)所有第一电极对应的第一发光结构311可以颜色相同。

在图8、图9所示实施例中，第一方向为Y方向、即为列方向，第二方向为X方向，即行方向为例进行说明。在其他实施例中，如图11所示，也可以是第一方向为Y方向、即为列方向，第二方向为X方向，本申请并不限制。

在一实施例中，仍以图8所示，相邻的两个第一电极对应的第一发光结构311可以对齐设置；或者如图9所示，相邻的两个第一电极对应的第一发光结构311也可以错位设置，本申请并不对此进行限制。

基于本申请的技术方案，由于第一发光区31可以允许外部光线透过，而相邻的第一电极之间存在间隔，导致光线穿设时容易发生衍射。所以，本申请中还提出，如图12所示，在每一第一电极的延伸方向上，该第一电极的两条边均为波浪形，且两条边的波峰相对设置、波谷相对设置。因此，相邻两排第一电极的间隙在延伸方向(图12中Y所示方向)呈现为连续变化或者间断变化。第一电极21在延伸方向上，无论其宽度是连续变化还是间断变化都可以为周期性变化，一个变化周期的长度可以对应于一个像素的宽度。

上述第一发光区31中共设置有多排波浪形的第一电极，以在延伸方向上，第一电极的宽度连续变化或者间断变化，从而使得相邻第一电极具有连续变化的间距或者间断变化的间距。因此在第一电极的不同宽度位置以及相邻第一电极的不同间距之间，产生的衍射条纹的位置不同，不同位置处的衍生效应相互抵消，从而可以有效减弱衍射效应，进而有利于保证提高位于该第一发光区31下方摄像头的拍照效果。

具体而言，在一实施例中，仍以图12所示，以第一电极呈多行多列的形式为例进行说明。在该实施例中，Y方向为第一电极的延伸方向即第二方向、X方向为第一电极的排列方向即第一方向。每一第一电极均可以包括一个或者多个波峰、一个或者多个波谷。以第一电极21为例，图12中T所示位置处为波峰、以图12中B所示位置处为波谷。其中，在两条边的波峰相对处的宽度D5在30um～(A-X)um之间；两条边的波谷相对处的宽度D6大于X，且小于所述波峰相对处的宽度D5，其中A为有机发光结构大小，X为最小工艺尺寸，且所述A大于或等于(30+X)um。在本实施例中X为4微米，在其他的实施例中还可以更小。

进一步地，由于相邻两排第一电极的边呈波浪形变化，从而导致相邻两排第一电极之间的间距亦随随之产生变化。在本申请中，两排第一电极的波峰相对处间具有最小间距W1，并在两排第一电极的波谷位置相对处具有最大间距W2。其中，最小间距W1为(A-D5)，最大间距W2为(A-D6)。

在本实施例中，以第一电极21为例，如图12所示，对应于第一电极21设置的第一发光结构311形状可以与该第一电极21的形状相同。或者，如图13所示，对应于第一电极21设置的第一发光结构311形状可以与该第一电极21的形状不同，例如，第一发光结构311可以如图13中表现为长方形，或者在其他实施例中也可以表现为圆形或者椭圆形等，本申请并不对此进行限制。

针对本申请中所述边缘为波浪形的第一电极，每排第一电极可以由多个第一图形单元组成，从而能够形成上述所述的波峰和波谷。例如，如图12、图13中所示的，每一第一电极均是由多个圆形组成，或者如图14所示，每一第一电极21可以是由多个椭圆形组成；或者如图15所示，由多个哑铃形组成。当然，在一些实施例中，也可以是通过两个圆形组成一个葫芦形，并通过多个葫芦形组成电极块，具体可以参考图12、13所示的情况。

在一实施例中，如图16所示，每一排第一电极21也可以是由一个图形单元组成。例如，图16中所示的一个葫芦形图形单元。需要说明的是，在一些情况下，如图17所示，由于第一电极21由一个椭圆形的图形单元组成，那么，在该情况下，第一电极21仅包括波峰，不存在波谷，从而相应的并不对第一电极21在波谷相对处的宽度进行限定。

在另一实施例中，如图18所示，每一排第一电极21也可以成矩形状设置，例如可以是正方形也可以是长方形，本申请并不限制。而针对为矩形的第一电极，仍以图18所示，该呈矩形的第一电极21所对应的第一发光结构311也可以为矩形，当然，在其他实施例中，该呈矩形的第一电极21所对应的第一发光结构31也可以是圆形或者椭圆形等。

在本申请所述的技术方案中，第一电极层2可以采用透明材质制成，第二电极层2也可以是采用透明材质制成，或者，该第一电极层2和第二电极层3均采用透明材质制成。具体，该透明材质的透过率大于等于90％，进一步提高第一发光区31的透光率，甚至使得整个第一发光区31的透光率在80％以上。该透明材质具体可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡和掺杂银的氧化铟锌中一种或者多种。

在一实施例中，发光层3可以包括有机发光材料层和公共层。其中，有机发光材料层可以存在多个独立的个体，以形成对应的有机发光结构。公共层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，该空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层中的至少一层覆盖第一电极层2、以及相邻两排第一电极之间的间隙，从而可以通过该公共层中一层或者多层隔离第一电极层2和第二电极层4，避免短路。

在上述各个实施例中，如图19所示，该阵列基板100还可以包括像素限定层5，该像素限定层5形成于第一电极层2上，并且包括对应于第一发光区31设置的多个第一像素限定孔51，仍以图19所示，每一像素限定孔51内可以对应形成多个第一发光结构311；或者，在另一实施例中，每一像素限定孔51内也可以形成单个第一发光结构311，降低相邻第一发光结构311之间的混色的风险。需要说明的是：如图20所示，该像素限定层5固然还可以包括对应于第二发光区32设置的多个第二像素限定孔52，该第二像素限定孔52与第二发光结构之间可以为一一对应，或者也可以是单个第二像素限定孔内形成多个第二发光结构，在此不再一一赘述。

在本实施例中，第二像素限定孔52的尺寸不大于第一像素限定孔51的尺寸。举例而言，如图20所示，第一像素限定孔51和第二像素限定孔52的尺寸相等，可以降低对mask的加工难度；或者，如图21所示，该第一像素限定孔51的尺寸可以大于第二像素限定孔52的尺寸，从而在相邻第一像素限定孔51之间间距等于相邻第二像素限定孔52之间间距时，减小第一像素限定孔51的分布密度，减少第一像素限定孔51之间的间隙数量，降低光线的衍射概率。其中，该像素限定层5可以整体采用透明有机材质制成；或者，该像素限定层5也可以采用透明无机材质制成；或者，该像素限定层5对应第一发光区31的一段采用透明材质制成，而对应于第二发光区32的一段采用非透明材质制成，本申请并不对此进行限制。

基于本申请的技术方案，如图22所示，多个第一发光结构311和多个第二发光结构321均排成多列，并且一一对应，相对于多列第一发光结构311对应一列第二发光结构321的方案，可以提高第一发光区31的分布密度。其中，多个第一发光结构311和多个第二发光结构321排成的列方向可以如图22所示沿Y向；当然，在其他实施例中，也可以是多个第一发光结构31和多个第二发光结构321排成的列方向沿X向。

在本实施例中，仍以图22所示，同一列第一发光结构311的颜色、与对应列第二发光结构321中靠近第一发光区31设置的一个第二发光结构321颜色一致，以降低对第一发光区31的工艺要求，降低第一发光区31在同一列方向的混色风险。例如，以图22中左侧由第一发光结构311C和第一发光结构311D组成一列、左侧一列第二发光结构中一个靠近第一发光区31的第二发光结构321A。那么，当第二发光结构321A为蓝色时，第一发光结构311C和第一发光结构311D均为蓝色；或者，当第二发光结构321A为绿色时，第一发光结构311C和第一发光结构311D均为绿色；或者，当第二发光结构321A为红色时，第一发光结构311C和第一发光结构311D均为红色。

在另一实施例中，如图23所示，一列第二发光结构中靠近第一发光区31设置的一个或者多个第二发光结构321、和对应列第一发光结构中相邻的一个或者多个第一发光结构311组成一个像素重复单元。举例而言，如图23所示，可以是通过第二发光结构321A、第一发光结构311C和第一发光结构311D组成一个包括红色、绿色和蓝色色块的像素重复单元(如图23中虚线框所示)；或者，如图24所示，可以是通过第二发光结构321A、第二发光结构321B和第一发光结构311C组成一个包括红色、绿色和蓝色色块的像素重复单元(如图24中虚线框所示)。基于此，可以在第一发光区31和第二发光区32的交界处进行显示过渡，提升显示效果。

当然，需要说明的是：在其他实施例中，该一个像素重复单元也可以是包括两个原色，例如红色和绿色；或者红色和蓝色。再例如，在还一些实施例中，一个像素重复单元也可以是包括四个或者四个以上的原色，从而组成该一个像素重复单元的第一发光结构311和第二发光结构321的数量可以相应进行调整。

基于上述各个实施例中所述的阵列基板100，如图25所示，可以将一个第一电极、该第一电极上的所有发光结构和第二电极层4组成一个OLED像素6，该OLED像素的驱动方式可以为主动式或者被动式。举例而言，仍以图26所示，以第一电极21为例，该第一电极21上设置有第一发光结构311E、311F和311G、且在第一发光结构311E、311F和311G上覆盖有第二电极层4，在本申请中可以将该第一电极21、第一发光结构311E、311F和311G以及第二电极层4定义为一个OLED像素6。

其中，OLED像素6的发光驱动方式，可以为主动式，也可以为被动式。被动驱动式OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)，也称无源驱动式中，单纯地以阴极、阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中行列交叉点的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光。换言之，每个OLED像素的寻址直接受控于外部电路。该外部电路可以受控于显示驱动集成芯片(DDIC)。

主动驱动式OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)，也称有源驱动式中，包括薄膜晶体管(TFT)阵列，每一薄膜晶体管单元包含存储电容。AMOLED是采用独立的薄膜电晶体管控制每个像素发光，且每个像素可以连续发光。换言之，每个OLED像素的寻址直接受控于薄膜晶体管阵列。薄膜电晶体管阵列的行选择信号可以来源于GIP电路、列选择信号可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)。

在一实施例中，如图26所示，相邻的两个第一电极上第一发光结构311的颜色相同，从而所有所述OLED像素为同色像素。例如，仍以图26所示，第一电极21与第一电极22相邻，从而该第一电极21和第一电极22上设置的所有第一发光结构311均为红色，并且位于第一电极21和第二电极22右侧的第一电极上设置的第一发光结构311亦为红色。依次类推，这个第一发光区31对应的第一发光结构311均为红色。当然，在其他实施例中，也可以是蓝色，也可以是绿色，本申请并不限制。

在本实施例中，仍以图26所示，以第一方向为行方向(即X所示方向)、第二方向为列方向(即Y所示方向)。其中，图27是第一发光区31两行多列OLED同色像素的一种被动驱动方式的电路示意图。参照图27所示，第一行各列OLED像素6的第一电极连接一个数据信号，第二行各列OLED像素6的第一电极连接另一个数据信号；所有OLED像素6的阴极接地。该两列数据信号通道携带的颜色数据与各列OLED像素的颜色一致。该数据信号由外部电路提供，事实上，由于仅具有两行、两列，因而仅需向第一行各列施加一个驱动电流、第二行各列施加另一个驱动电流，该两列驱动电流可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)的两个数据信号通道(数据线、source线)。

图28是第一发光区31两行多列OLED同色像素的另一种被动驱动方式的电路示意图。参照图28所示，每行各列OLED像素6的第一电极连接不同数据信号，所有OLED像素6的阴极接地。该各个数据信号通道携带的颜色数据与各个OLED像素的颜色一致。该各个数据信号也由外部电路提供，事实上，由于仅具有两行，因而仅需向第一行各列、第二行各列施加驱动电流。各列的驱动电流可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)的若干个数据信号通道(source线)。

图27与图28实施例中，对于第一行各列OLED像素6的第一电极的走线设置在第一发光区31上边的边框区以及侧边的边框区。可以理解的是，相对于走线设置在各列OLED像素6所在区域的方案，设置在边框区的方案能进一步减少各列OLED像素6所在区域的图形膜层，进一步降低透光模式下的衍射问题。

可以看出，图27实施例相对于图28实施例的好处在于：前者对数据信号的通道数目要求少，连接走线数目也少、占用面积少。

图29是第一发光区31两行多列OLED同色像素的一种主动驱动方式的电路示意图。参照图29所示，第一行各列OLED像素6的第一电极连接至一个像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，第二行各列OLED像素6的第一电极连接至另一个像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极；所有OLED像素的阴极接地；第一行各列OLED像素6对应的驱动晶体管的栅极对应一个数据信号，第二行各列第一OLED像素6对应的驱动晶体管的栅极对应另一个数据信号，该两个驱动晶体管的源极对应一电源电压VDD。图29中，一个像素驱动电路包括一开关晶体管X1、一驱动晶体管X2以及一存储电容C。

第一行各列OLED像素6的第一电极连接的像素驱动电路可以设置在第一发光区31上方的边框区。第二行各列OLED像素6的第一电极连接的像素驱动电路可以设置在第一发光区31下方的边框区。

该上方的驱动电路的数据线可以接入显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；下方的驱动电路的数据线可以接入显示驱动集成芯片(DDIC)的另一个数据信号通道(source线)；上下方的驱动电路的扫描线可62以接入GIP电路的一行扫描信号通道。

图30是一种GIP电路结构及时序图。参照图30所示，GIP电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5。第一时钟信号线XCK连接第一晶体管T1的栅极和第三晶体管T3的栅极，第二时钟信号线CK连接第二晶体管T2的源极。第一栅极线Vgh连接第四晶体管T4的源极和第五晶体管T5的源极，第二栅极线Vgl连接第三晶体管T3的源极。显示面板1中可以包括多级GIP电路，第n级GIP电路的第一晶体管T1的源极连接一输入信号线Gn，为第n级电路的输入信号。第n级GIP电路的第二晶体管T2的漏极连接第n级电路的输出信号线，并且，第n级GIP电路的输出信号作为第n+1级GIP电路的输入信号Gn+1。

参照图30中的GIP电路驱动的波形图，第一栅极线Vgh为高电平，第二栅极线Vgl为低电平，第一时钟信号线XCK和第二时钟信号线CK分别输出高低电平相反的数字信号。在第一时钟信号线XCK跳变为低电平时，第1级GIP电路输入信号线G1级输入一低电平，在第二时钟信号线CK跳变为低电平时，第1级GIP电路输出低电平，作为第2级GIP电路的输入信号G2，并以此类推，第n级电路的输出信号作为第n+1级电路的输入信号。

图31是第一发光区31两行多列OLED同色像素的另一种主动驱动方式的电路示意图。参照图31所示，第一行各列第一OLED像素6的第一电极连接至不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，第二行各列第一OLED像素6的第一电极连接至不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极；所有第一OLED像6的阴极接地；每一像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极对应一个数据信号，各个像素驱动电路中的驱动晶体管的源极对应同一电源电压。

图31中，一个像素驱动电路包括一晶体管阵列，每个晶体管单元包括：一开关晶体管X1、一驱动晶体管X2以及一存储电容C。第一行各列第一OLED像素6的第一电极连接的像素驱动电路可以设置在第一发光区31上方的边框区。第二行各列OLED像素6的第一电极连接的像素驱动电路可以设置在第一发光区31下方的边框区。

设置在上方的各个像素驱动电路中的每个晶体管单元中的数据线可以接入显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；设置在下方的各个像素驱动电路中的每个晶体管单元中的数据线可以接入显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；上下方的各个像素驱动电路中的各晶体管单元中的各个扫描线可以接入GIP电路的一行扫描信号通道。换言之，占据显示驱动集成芯片的多个数据信号通道，以及占据GIP电路的一行扫描信号通道。

图32是具有对驱动晶体管的阈值电压进行补偿功能的一种像素驱动电路的电路图以及时序图。在具体实施过程中，像素驱动电路除了上述的2T1C，还可以为如图32所示，7T1C、6T1C等对驱动晶体管的阈值电压进行补偿的像素驱动电路。图32所示7T1C像素驱动电路分为三个工作阶段：复位、补偿、发光。工作思路为：在补偿阶段把驱动晶体管的阈值电压Vth先存在在它的栅源电压Vgs内，在最后发光阶段，把Vgs-Vth转换为电流，因为Vgs已经包含了Vth，因而在转化成电流时就把Vth的影响抵消了，从而实现了电流的一致性。上述电路可以提高各列OLED像素6的寿命以及显示均匀性。

针对第一行各列OLED像素6的第一电极连接至一个像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，该驱动晶体管的栅极对应显示驱动芯片的一个数据信号，源极对应一电源电压；第二行各列OLED像素6的第一电极连接至另一个像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，该驱动晶体管的栅极对应显示驱动芯片的另一个数据信号，源极对应一电源电压的情况：上述第一行OLED像素6的像素驱动电路的数据线信号VDATA可以来自显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；第二行OLED像素6的像素驱动电路的数据线信号VDATA可以来自显示驱动集成芯片(DDIC)的另一个数据信号通道(source线)；第一行与第二行OLED像素6的各自像素驱动电路的扫描线Gn-1、Gn的信号可以来自GIP电路的两行扫描信号通道，发射信号EM可以来自GIP电路的一行发射信号通道，初始信号INIT可以来自显示驱动集成芯片。

针对第一行、第二行各列OLED像素6的第一电极连接至不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，每一像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极对应显示驱动芯片的一个数据信号，各驱动晶体管的源极对应同一或不同电源电压的情况：上述第一行每列第一OLED像素、第二行每列第一OLED像素的像素驱动电路的数据线信号VDATA可以来自显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；上述第一行与第二行每列第一OLED像素的像素驱动电路的扫描线Gn-1、Gn的信号可以来自GIP电路的两行扫描信号通道，发射信号EM可以来自GIP电路的一行发射信号通道，初始信号INIT可以来自显示驱动集成芯片。第一行、第二行多列第一OLED像素的像素驱动电路的数据线信号VDATA可以来自显示驱动集成芯片(DDIC)的多列数据信号通道(source线)；扫描线Gn-1、Gn的信号可以来自GIP电路的两行扫描信号通道，发射信号EM可以来自GIP电路的一行发射信号通道，初始信号INIT可以来自显示驱动集成芯片。

可以看出，图29实施例相对于图31实施例的好处在于：前者对数据信号的通道数目要求少，连接走线数目也少、占用面积少。

在上述27-32所实施例中，以第一方向为阵列基板100上发光结构排布的行方向(即图26中所示的X向)、第二方向为为阵列基板100上发光结构排布的列方向(即图26中所示的Y向)为例进行说明，在其他实施例中，如图33所示，也可以是第一方向为阵列基板100上发光结构排布的列方向(即图33中所示的Y向)、第二方向为阵列基板100上发光结构排布的行方向(即图33中所示的X向)。下述针对图33中所示的第一方向为列方向、第二方向为行方向时的驱动方式进行说明

图34是第一发光区31两列多行OLED同色像素的一种被动驱动方式的电路示意图。参照图34所示，第一列各行OLED像素6的第一电极连接一个数据信号，第二列各行OLED像素6的第一电极连接另一个数据信号；所有OLED像素6的阴极接地。该两列数据信号通道携带的颜色数据与各列OLED像素6的颜色一致。如图19所示，第一列行各行OLED像素6对应的数据信号的引线可以走在左边的边框区，第二列行各行OLED像素6对应的数据信号的引线可以走在右边的边框区。

图35是第一发光区31两列多行OLED同色像素的另一种被动驱动方式的电路示意图。参照图35所示，第一列、第二列各行OLED像素6的第一电极连接同一个数据信号。

图36是第一发光区31两列多行OLED同色像素的一种主动驱动方式的电路示意图。参照图36所示，第一列各行OLED像素6的第一电极连接一个像素驱动电路的驱动晶体管的漏极，该驱动晶体管的数据线连接一数据信号；第二列各行OLED像素6的第一电极连接另一个像素驱动电路的驱动晶体管的漏极，该驱动晶体管的数据线连接另一数据信号；两像素驱动电路的扫描线连接GIP电路的同一扫描信号。

可以看出，图36中的像素驱动电路以2T1C为例，其它可选方案中，也可以为3T1C、6T1C、7T1C等具体的像素驱动电路。

图37是第一发光区31两列多行OLED同色像素的另一种主动驱动方式的电路示意图。参照图37所示，第一列、第二列各行OLED像素6的第一电极连接一个像素驱动电路的驱动晶体管的漏极，该驱动晶体管的数据线连接一数据信号；像素驱动电路的扫描线连接GIP电路的一个扫描信号。

可以看出，图37中的像素驱动电路以2T1C为例，其它可选方案中，也可以为3T1C、6T1C、7T1C等具体的像素驱动电路。

在上述各个实施例中，以第一发光区31所包括的各个OLED像素为同色像素为例，对驱动方式说明。下述将针对第一发光区31所包括的OLED像素为不同颜色时的驱动方式进行说明。

如图38所示，假定一个像素重复单元包括三原色为例，并进一步假定该三原色包括红色、绿色、和蓝色。那么，可以假定第一电极21上布置的第一发光结构311均为红色，并组成一OLED像素61、第一电极22上布置的第一发光结构311均为绿色，并组成一OLED像素62、第一电极23上布置的第一发光结构311均为蓝色，并组成一OLED像素63，从而该OLED像素61、62和63可以构成一像素重复单元7。在此仅以像素重复单元包括三原色为例进行说明，在其他实施例中，固然也可以是包括四原色或者五原色，在此不再一一赘述。

下述将针对图38所示的像素排布，对驱动方式进行说明：

图39是第一发光区31两行多列OLED像素的一种被动驱动方式的电路示意图。参照图39所示，第一行各重复像素单元中的各列同色OLED像素的第一电极连接至一个数据信号，第二行各重复像素单元中的各列同色OLED像素的第一电极连接至另一个数据信号；所有列同色OLED像素的第二电极接地。换言之，所有列红色子像素的第一电极连接至同一R数据信号；所有列绿色子像素的第一电极连接至同一G数据信号；所有列蓝色子像素的第一电极连接至同一B数据信号。该R\G\B数据信号由外部电路提供，事实上，图39示意中，由于仅具有两行、三列，因而仅需向第一行各列同色子像素施加一个驱动电流，第二行各列同色子像素施加另一个驱动电流；该第一行各列同色子像素所施加的驱动电流可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)的三个数据信号通道(source线)，该第二行各列同色子像素所施加的驱动电流可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)的另三个数据信号通道。

图40是第一发光区31两行多列OLED像素的另一种被动驱动方式的电路示意图。参照图40所示，第一行与第二行各重复像素单元的各列OLED像素的第二电极接地，第一电极连接一开关晶体管的漏极，第一行各像素单元的各列同色子像素对应的开关晶体管的源极连接一个数据信号，栅极连接一个开关信号；第二行各像素单元的各列同色子像素对应的开关晶体管的源极连接另一个数据信号，栅极连接另一开关信号。除了能统一控制一行所有列同色子像素显示或不显示外，在开关信号为“关”时，还能将所有列同色子像素控制在不显示状态，防止相邻其它颜色子像素显示时串扰。

其它可选方案中，每行各像素单元的各列子像素的阳极连接一开关晶体管的漏极，第一行各像素单元的各列同色子像素对应的开关晶体管的源极连接一个数据信号，栅极连接不同开关信号；第二行各像素单元的各列同色子像素对应的开关晶体管的源极连接另一个数据信号，栅极连接不同开关信号。上述结构使得各列同色子像素可以单独控制显示或透明。

图41是第一发光区31两行多列OLED像素的再一种被动驱动方式的电路示意图。为了使得每行各列同色子像素可以单独控制显示或透明，参照图41所示，也可以第一行、第二行各重复像素单元中的各列子像素的阳极连接至不同数据信号。该数据信号也由外部电路提供，事实上，由于仅具有两行，因而仅需向各列施加驱动电流。各列的驱动电流可以来源于显示驱动集成芯片(DDIC)的若干个数据信号通道(source线)。

图42是第一发光区31两行多列OLED像素的一种主动驱动方式的电路示意图。参照图42所示，第一行与第二行各像素单元的各列同色OLED像素的第二电极接地，第一行各像素单元的各列同色OLED像素的第一电极连接至一个像素驱动电路中的驱动晶体管漏极，驱动晶体管的栅极对应一个数据信号；第二行各像素单元的各列同色OLED像素的第一电极连接至另一个像素驱动电路中的驱动晶体管漏极，驱动晶体管的栅极对应一个数据信号。

图42中，像素驱动电路可以包括晶体管阵列。第一行、第二行各像素单元的各列同色OLED像素对应的每一晶体管单元可以包括：一开关晶体管X1、一驱动晶体管X2以及一存储电容C。每一晶体管单元中的数据线可以接入显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；上下两行各像素单元的各列同色子像素11对应的各晶体管单元中的各扫描线可以接入GIP电路的一行扫描信号通道。换言之，第一行各像素单元占据显示驱动集成芯片的三个数据信号通道，第二行各像素单元占据显示驱动集成芯片的另三个数据信号通道；第一行与第二行各像素单元占据GIP电路的一行扫描信号通道。

其它可选方案中，各像素单元的各列同色OLED像素的第一电极连接至不同像素驱动电路中的驱动晶体管漏极，每一驱动晶体管的栅极对应一个数据信号。像素驱动电路可以包括晶体管阵列。每一晶体管单元可以包括：一开关晶体管X1、一驱动晶体管X2以及一存储电容C。各个晶体管单元中的数据线可以接入显示驱动集成芯片(DDIC)的一个数据信号通道(source线)；各晶体管单元中的各扫描线可以接入GIP电路的一行扫描信号通道。换言之，占据显示驱动集成芯片的多个数据信号通道，以及占据GIP电路的一行扫描信号通道。

在具体实施过程中，各像素单元的同色OLED像素的第一电极连接的像素驱动电路中，除了上述的2T1C，还可以为6T1C、7T1C等现有像素驱动电路。上述各具体像素驱动电路的数据线信号V_DATA可以来自显示驱动集成芯片(DDIC)的多列数据信号通道(source线)；扫描线G_n-1、G_n的信号可以来自GIP电路的两行扫描信号通道，发射信号EM可以来自GIP电路的一行发射信号通道，初始信号INIT可以来自显示驱动集成芯片。

在上述39-42所实施例中，以第一方向为阵列基板100上发光结构排布的行方向(即图38中所示的X向)、第二方向为为阵列基板100上发光结构排布的列方向(即图38中所示的Y向)为例进行说明，在其他实施例中，如图43所示，也可以是第一方向为阵列基板100上发光结构排布的列方向(即图43中所示的Y向)、第二方向为阵列基板100上发光结构排布的行方向(即图43中所示的X向)。下述针对图43中所示的第一方向为列方向、第二方向为行方向时的驱动方式进行说明

图43是第一发光区31两列多行OLED像素的一种被动驱动方式的电路示意图。参照图43所示，第一列各行同色OLED像素对应一数据信号；第二列各行同色OLED像素对应另一数据信号，以使第一列同色OLED像素同时发同样亮度的光、第二列同色子像素同时发同样亮度的光。其它方案中，也可以第一列每行子像素对应一个数据信号；第二列每行子像素对应一个数据信号，以单独对每一行子像素的发光进行亮暗控制。

图44是第一发光区两列多行OLED像素的一种主动驱动方式的电路示意图。参照图44所示，第一列各行同色OLED像素对应一像素驱动电路的驱动晶体管的漏极；第二列各行同色OLED像素对应另一像素驱动电路的驱动晶体管的漏极，以使第一列同色OLED像素一并控制、第二列同色OLED像素一并控制。其它方案中，也可以第一列每行OLED像素对应一像素驱动电路的驱动晶体管的漏极；第二列每行OLED像素对应一像素驱动电路的驱动晶体管的漏极，以单独对每一行子像素的发光进行控制。

其它可选方案中，除了2T1C，也可以选择3T1C、6T1C、7T1C等具体的像素驱动电路。

在上述各个实施例中，均已三原色为红色、绿色和蓝色为例，且排列顺序为红色、绿色和蓝色为例进行说明。固然，在其他实施例中，也可以是蓝色、红色、绿色的顺序进行排列，本申请并不限制。

本申请的实施例图45所示，还提供一种显示面板200，该显示面板200可以包括封装层201和上述任一项实施例中所述的阵列基板100，该封装层201位于阵列基板100上远离衬底的一侧。基于此，在显示面板100上可以形成对应于第一发光区31设置的透明显示区域、和对应于第二发光区设置的非透明显示区域。并且，在透明显示区域的下方可以放置感光器件，该感光器件可以通过该透明显示区域采集外部光线，或者向外发射光线。具体，在当感光器件处于工作状态时，透明显示区域可以切换至非显示状态，当感光器件处于关闭状态时，透明显示区域可以切换至显示状态。其中，该封装层201可以包括偏光片(图中未示出)，该偏光片可以覆盖第二发光区32对应的区域，且未覆盖第一发光区31对应的区域，以避免偏光片影响外部的入射光线，或者自配置有该显示面板200的电子设备发出的光线。

在本实施例中，阵列基板100的第一发光区31至少部分被第二发光区32包围，并且该显示面板200还可以包括芯片组件202，该芯片组件202可以用于控制第一发光结构311和第二发光结构321的显示状态，并且能够使得位于第一发光区31和第二发光区32交界处的第一发光结构和第二发光结构颜色一致，从而在视觉上减弱透明显示区域和非透明显示区域之间的差异，提升用户的视觉效果。

本申请实施例还提供如图46所示的一种显示装置300，该显示装置300可以包括设备本体301和上述任一项实施例所述的显示面板200，显示面板200设置在设备本体301上，且与该设备本体301相互连接。其中，显示面板200可以采用前述任一实施例中的显示面板，用以显示静态或者动态画面。

在本实施例中，如图47所示，设备本体301可以包括一器件区3011，该器件区3011可以设置有诸如摄像头400以及光传感器等感光器件。此时，显示面板200的透明显示区域对应于器件区3011设置，以使得上述的诸如摄像头400及光传感器等感光器件能够透过该第一发光区对外部光线进行采集等操作。由于第一发光区中的显示面板能够有效改善外部光线透射该第一发光区所产生的衍射现象，从而可有效提升显示设备上摄像头400所拍摄图像的质量，避免因衍射而导致所拍摄的图像失真，同时也能提升光传感器感测外部光线的精准度和敏感度。

该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本申请所必须的。以上所述仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (45)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

第一电极层，所述第一电极层形成于所述衬底上；

发光层，所述发光层形成于所述第一电极层上，包括第一发光区和第二发光区，所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构，所述多个第一发光结构和所述多个第二发光结构在同一个工艺中形成，且多个第一发光结构的分布密度小于第二发光结构的分布密度，所述第一发光区为透明区、所述第二发光区为非透明区；

第二电极层，所述第二电极层形成于所述发光层上；

其中，所述第一电极层包括对应于所述第一发光区、且沿第一方向排列的多个第一电极，多个第一电极均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直，每一第一电极对应多个所述第一发光结构，且同一第一电极上的第一发光结构颜色相同；

相邻两个第一发光结构之间的间距大于相邻两个所述第二发光结构之间间距；和/或

第一发光结构的面积大于第二发光结构的面积。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一发光区的至少部分被所述第二发光区包围。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一发光区呈下述任一种形状：

水滴形、圆形、矩形、椭圆形。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向为列方向，所述第二方向为行方向；或所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层包括对应于所述第一发光区设置的第二电极，所述第二电极为面电极。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为单层结构或叠层结构，所述第二电极为单层结构时，所述第二电极为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第二电极为叠层结构时，所述第二电极为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第二电极为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于40％。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于40％。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于50％。

10.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于60％。

11.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一所述第一电极对应沿第二方向设置的多列所述第一发光结构。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，在第一方向上，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构对齐设置或者错位设置。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构的中轴线在第一方向上的间距、为所述第一发光结构在第一方向上尺寸的0.5-2倍。

15.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构的中轴线在第一方向上的间距、为所述第一发光结构在第一方向上尺寸的0.5倍。

16.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，同一所述第一电极上相邻的两个所述第一发光结构的中轴线在第一方向上的间距、为所述第一发光结构在第一方向上尺寸的1.5倍。

17.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，每一所述第一电极包括：

多个第一子电极，所述多个第一子电极在第二方向上错位排列，每一所述第一子电极对应一列沿第二方向设置的所述第一发光结构，每一第一子电极包括多个电极块；

连接部，所述连接部电性连接相邻的两个电极块，以得到沿第二方向延伸的、呈波浪形的所述第一电极。

18.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述第一电极对应的所述第一发光结构对齐设置或错位设置。

19.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，一个第一电极、该一个第一电极上的所有第一发光结构和第二电极层组成一个OLED像素，所述OLED像素的驱动方式为主动式或者被动式。

20.根据权利要求19所述的阵列基板，其特征在于，当OLED像素的驱动方式为主动式时，每一OLED像素对应的像素驱动电路设置在所述阵列基板的边缘区域。

21.根据权利要求19所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两个第一电极上第一发光结构的颜色相同，所有所述OLED像素为相同颜色的像素。

22.根据权利要求19所述的阵列基板，其特征在于，所述OLED像素的驱动方式为被动式；

当所述第一方向为列方向时，一列各行OLED像素的第一电极连接至同一数据信号；各列OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号；

当所述第一方向为行方向时，一列各行OLED像素的第一电极连接至同一数据信号；各列OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号。

23.根据权利要求19所述的阵列基板，其特征在于，所述OLED像素的驱动方式为主动式；

当所述第一方向为列方向时，一列各行OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号；

当所述第一方向为行方向时，一行各列OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号。

24.根据权利要求19所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两个第一电极上第一发光结构的颜色不同；

其中，沿第一方向、连续的n个OLED像素组成一个像素重复单元，所述像素重复单元包括n个颜色，n≥3。

25.根据权利要求24所述的阵列基板，其特征在于，所述像素重复单元的驱动方式为被动式；

当所述第一方向为列方向时，各像素重复单元中的各行同色OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号；

当所述第一方向为行方向时，各像素重复单元中的各列同色OLED像素的第一电极连接至同一数据信号或不同数据信号。

26.根据权利要求24所述的阵列基板，其特征在于，所述像素重复单元的驱动方式为被动式；

当所述第一方向为列方向时，各像素重复单元中的OLED像素的第一电极连接至一开关晶体管的漏极，所述开关晶体管的源极连接同一数据信号或不同数据信号，位于一列的部分行或所有行同色OLED像素对应的开关晶体管的栅极连接同一开关信号；

当所述第一方向为行方向时，各像素重复单元中的OLED像素的第一电极连接至一开关晶体管的漏极，所述开关晶体管的源极连接同一数据信号或不同数据信号，位于一行的部分列或所有列同色OLED像素对应的开关晶体管的栅极连接同一开关信号。

27.根据权利要求24所述的阵列基板，其特征在于，所述像素重复单元的驱动方式为主动式；

当所述第一方向为列方向时，一列像素重复单元中的各行同色OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路或不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，每一所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号；

当所述第一方向为行方向时，一行像素重复单元中的各列同色OLED像素的第一电极连接至同一像素驱动电路或不同像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极，每一所述驱动晶体管的栅极对应一个数据信号。

28.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极在延伸方向上的两条边均为波浪形，且两条边的波峰相对设置、波谷相对设置。

29.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一所述第一电极在所述衬底上的投影由一个第一图形单元或者多个第一图形单元组成；

所述第一图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。

30.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一发光结构在所述第一电极的延伸方向上的两条边均为波浪形，且两条边的波峰相对设置、波谷相对设置。

31.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一所述第一发光结构在所述衬底上的投影由一个第二图形单元或者多个第二图形单元组成；

所述第二图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。

32.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

像素限定层，所述像素限定层形成于所述第一电极层上，且包括对应于所述第一发光区的多个第一像素限定孔，每一所述第一像素限定孔对应一个或者多个所述第一发光结构。

33.根据权利要求32所述的阵列基板，其特征在于，所述像素限定层还包括对应于所述第二发光区的多个第二像素限定孔，所述第二像素限定孔的尺寸不大于所述第一像素限定孔的尺寸。

34.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第一发光结构和多个所述第二发光结构均排布成多列，且一一对应。

35.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，同一列上所述第一发光结构颜色、与对应列第二发光结构中靠近所述第一发光区设置的一个第二发光结构颜色一致。

36.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，一列所述第二发光结构中靠近所述第一发光区设置的一个或者多个所述第二发光结构、和对应列所述第一发光结构中相邻的一个或者多个所述第二发光结构组成一个像素重复单元。

37.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极层为透明材质。

38.根据权利要求37所述的阵列基板，其特征在于，所述透明材质的透光率大于或等于90％。

39.根据权利要求37所述的阵列基板，其特征在于，所述透明材质包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。

40.一种显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1-39中任一项所述的阵列基板；

封装层，所述封装层封装于所述阵列基板上远离所述衬底的一侧，所述第一发光区对应的区域可放置感光器件。

41.根据权利要求40所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上所述第一发光区的至少部分被所述第二发光区包围；所述显示面板还包括：芯片组件，所述芯片组件用于控制所述第一发光结构和所述第二发光结构的显示状态，并使得位于所述第一发光区和所述第二发光区交界处所述第一发光结构和所述第二发光结构颜色一致。

42.根据权利要求40所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板上对应于所述第一发光区的位置为透明显示区域、对应于所述第二发光区的位置为非透明显示区域。

43.根据权利要求40所述的显示面板，其特征在于，所述封装层包括偏光片，所述偏光片覆盖所述第二发光区、且未覆盖所述第一发光区。

44.一种显示装置，其特征在于，包括：

设备本体，具有器件区；

如权利要求40-43中任一项所述的显示面板，所述显示面板覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述第一发光区的下方，且所述器件区包括透过所述第一发光区发射或者采集光线的感光器件。

45.根据权利要求44所述的显示装置，其特征在于，所述感光器件包括：

摄像头、光线感应器或光线发射器。

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