TWI714166B - 透光ｏｌｅｄ基板及ｏｌｅｄ基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種透光OLED基板及OLED基板，其中，該透光OLED基板包括：襯底，位於所述襯底上的第一電極層，位於第一電極層上的發光結構層，位於所述發光結構層上的第二電極。所述第一電極層包括沿第一方向排列的多個電極組，各個所述電極組包括至少一個第一電極，各個第一電極沿第二方向延伸，第二方向與第一方向垂直；當向各個所述第一電極與所述第二電極之間施加驅動電壓時，透光OLED基板被配置為執行顯示功能；當各個所述第一電極與所述第二電極之間未施加驅動電壓時，所述透光OLED基板被配置為執行透光功能。

Description

透光OLED基板及OLED基板
本發明涉及OLED顯示裝置技術領域，尤其涉及一種透光OLED基板和OLED基板。
隨著顯示裝置的快速發展，使用者對螢幕占比的要求越來越高，由於螢幕上方需要安裝攝像頭、感測器、聽筒等元件，因此螢幕上方通常會預留一部分區域用於安裝上述元件，例如蘋果手機iphoneX的前劉海區域，影響了螢幕的整體一致性，全面屏顯示受到業界越來越多的關注。
本發明的發明目的是提供一種透光OLED基板及OLED基板，改變透光OLED基板的結構，解決衍射問題，提高透光OLED基板的成像品質。
為實現上述目的，本發明的第一方面提供一種透光OLED基板，包括：襯底、位於所述襯底上的第一電極層，其中，所述第一電極層包括沿第一方向排列的多個電極組，各個所述電極組包括至少一個第一電極，各個所述第一電極沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向垂直；位於所述第一電極層上的發光結構層，其中，所述發光結構層包括n種顏色的發光結構，n
Figure 108125139-A0101-12-0001-32
1；針對各個所述第一電極，所述第一電極上設有至少一個所述發光結構，設置在同一所述第一電極上的發光結構為同種顏色；和位於所述發光結構層上的第二電極；其中，當向各個所述第一電極與所述第二電極之間施加驅動電壓時，所述透光OLED基板被配 置為執行顯示功能；當各個所述第一電極與所述第二電極之間未施加驅動電壓時，所述透光OLED基板被配置為執行透光功能。
本發明的有益效果在於：在全面屏中，屏下攝像頭的成像效果變差的原因在於：對應透光顯示區的子像素包含多個圖形化的膜層，光線通過該多個圖形化的膜層時，會在不同圖形膜層的交界處出現干涉及衍射現象。基於上述分析，本發明通過將透光OLED基板的第一電極層設置為包括沿第一方向排列的多個電極組，一個電極組包括至少一個第一電極，同一個電極組中的第一電極都沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向垂直；所述第一電極在第二方向的尺寸遠大於在第一方向的尺寸；相對於第一電極的第一方向尺寸與第二方向尺寸差別不大的結構，可以減少圖形膜層的交界、降低複雜度，改善透光時的干涉及衍射問題。如此，透光OLED基板需要執行顯示功能時，在各個所述第一電極與第二電極之間施加驅動電壓，透光OLED基板被配置為執行顯示功能，與非透光OLED基板一併顯示，整個OLED基板形成全面屏；透光OLED基板需要執行透光功能時，各個所述第一電極與第二電極之間不施加驅動電壓、不進行驅動。由於解決了干涉及衍射問題，因而透光OLED基板下的感光元件成像效果佳。
11,12,13,14,15‧‧‧透光OLED基板
110‧‧‧襯底
111‧‧‧第一電極層
112,212‧‧‧發光結構層
113‧‧‧第二電極
Y‧‧‧第一方向(或第二方 向)
1111‧‧‧電極組
1111a,1111b‧‧‧第一電極
X‧‧‧第二方向(或第一 方向)
1121,2121‧‧‧發光結構
114,214‧‧‧像素定義層
11a,11b,11c,11d‧‧‧第一OLED子像素
X1‧‧‧開關電晶體
X2‧‧‧驅動電晶體
C‧‧‧存儲電容
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
T3‧‧‧第三電晶體
T4‧‧‧第四電晶體
T5‧‧‧第五電晶體
XCK‧‧‧第一時鐘信號線
CK‧‧‧第二時鐘信號線
Vgh‧‧‧第一柵極線
Vgl‧‧‧第二柵極線
Gn,Gn+1,Gn-1‧‧‧掃描線
DDIC‧‧‧顯示驅動集成晶片
VDATA‧‧‧資料線信號
EM‧‧‧發射信號
INIT‧‧‧初始信號
VDD‧‧‧電源電壓
11‧‧‧第一OLED基板
21‧‧‧第二OLED基板
211‧‧‧第三電極層
213‧‧‧第四電極
2111‧‧‧第三電極
21a‧‧‧第二OLED子像素
1‧‧‧OLED基板
第1圖是本發明第一實施例中的透光OLED基板的俯視圖；第2圖是沿著第1圖中的AA直線的剖視圖；第3圖是透光OLED基板兩行各第一OLED同色子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖；第4圖是透光OLED基板兩行各第一OLED同色子像素的另一種被動驅動方式的電路示意圖；第5圖是透光OLED基板兩行各第一OLED同色子像素的一種主動驅動方式的電路示意圖；第6圖是一種GIP電路結構及時序圖； 第7圖是透光OLED基板兩行各第一OLED同色子像素的另一種主動驅動方式的電路示意圖；第8圖是具有對驅動電晶體的閾值電壓進行補償功能的一種像素驅動電路的電路圖以及時序圖；第9圖是本發明第二實施例中的透光OLED基板的俯視圖；第10圖、第11圖與第12圖分別是本發明第三實施例中的透光OLED基板的俯視圖；第13圖是本發明第四實施例中的透光OLED基板的俯視圖；第14圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖；第15圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的另一種被動驅動方式的電路示意圖；第16圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的再一種被動驅動方式的電路示意圖；第17圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的一種主動驅動方式的電路示意圖；第18圖是本發明第五實施例中的透光OLED基板的俯視圖；第19圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖；第20圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的另一種被動驅動方式的電路示意圖；第21圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的一種主動驅動方式的電路示意圖；第22圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的另一種主動驅動方式的電路示意圖；第23圖是透光OLED基板兩列各第一OLED子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖；第24圖是透光OLED基板兩列各第一OLED子像素的一種主動驅動 方式的電路示意圖；第25圖是本發明第一實施例中的OLED基板的俯視圖；第26圖是第25圖中的第二OLED基板的一個剖視圖。
為方便理解本發明，以下列出本發明中出現的圖式標記。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂，下面結合圖式對本發明的實施例做詳細的說明。
第1圖是本發明第一實施例中的透光OLED(Organic Light-Emitting Diode)基板的俯視圖；第2圖是沿著第1圖中的AA直線的剖視圖。
參照第1圖與第2圖所示，該透光OLED基板11包括：襯底110、位於襯底110上的第一電極層111、位於第一電極層111上的發光結構層112、位於發光結構層112上的第二電極113。
其中，第一電極層111包括沿第一方向Y排列的多個電極組1111，一個電極組1111包括兩個第一電極1111a、1111b，同一個電極組1111中的第一電極1111a、1111b都沿著第二方向X延伸，即，在第二方向X的尺寸遠大於在第一方向Y的尺寸，第二方向X與第一方向Y垂直。第二電極113為面電極。
發光結構層112包括n種顏色的發光結構1121，n
Figure 108125139-A0101-12-0004-28
1，一個第一電極1111a上設有一個發光結構1121，同一第一電極1111a的發光結構1121為同種顏色；當向各個第一電極1111a、1111b與第二電極113之間施加驅動電壓時，透光OLED基板11執行顯示功能；當各個第一電極1111a、1111b與第二電極113之間未施加驅動電壓時，透光OLED基板11執行透光功能。
在具體實施過程中，第一電極1111a在第二方向X的尺寸遠大於在第一方向Y的尺寸中的“遠大於”優選：大於10：1。其它可選方案中，也可以大於20：1、50：1、100：1，甚至大於400：1。以下實施例所 介紹Y為第一方向，X為第二方向，但實際實施上，Y亦可為第二方向，X為第一方向。
參照第1圖所示，本實施例中，第一方向Y為行方向，第二方向X為列方向。
此外，本實施例中，一個第一電極1111a/1111b上的發光結構1121佈滿整個第一電極1111a/1111b，即發光結構1121自第一電極1111a/1111b的頂端延伸至底端。其它可選方案中，發光結構1121也可以僅分佈在整個第一電極1111a/1111b的部分區域。參照第2圖所示，第一電極1111a/1111b上的發光結構1121的大小及位置由像素定義層114限定。其它可選方案中，也可以省略像素定義層114，由蒸鍍用掩膜版上的圖案來限定發光結構1121的大小及位置。
將第一電極1111a/1111b和/或發光結構1121設置為自頂端延伸至中部、自中部延伸至底端的若干列，相對於陣列式分佈的若干行列單元，可以減少圖形交界的數量，改善透光OLED基板11透光時的干涉和衍射問題。
一個第一電極1111a/1111b、該第一電極1111a/1111b上的發光結構1121以及與該第一電極1111a/1111b對應的部分第二電極113形成一個第一OLED子像素11a。
本實施例中，n=1，即所有第一OLED子像素11a為同色子像素。可選方案中，兩行第一OLED子像素11a可以都為紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素、黃色子像素、白色子像素等。換言之，透光OLED基板11執行顯示功能時，該區域為單色發光。
關於第一OLED子像素11a的發光驅動方式，可以為主動式，也可以為被動式。
被動驅動式OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)，也稱無源驅動式OLED，單純地以陰極(第二電極)、陽極(第一電極)構成矩陣狀，以掃描方式點亮陣列中行列交叉點的像素，每個子像素都是操作在短脈衝模式下，為瞬間高亮度發光。換言之，每個 OLED子像素的定址直接受控於外部電路。該外部電路可以受控於顯示驅動集成晶片(display driver integrated chip,DDIC)。
主動驅動式OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)，也稱有源驅動式OLED，包括薄膜電晶體(Thin-film transistor,TFT)陣列，該薄膜電晶體陣列中的每一薄膜電晶體包含存儲電容。AMOLED是採用獨立的薄膜電晶體控制每個像素發光，且每個子像素可以連續發光。換言之，每個OLED子像素的定址直接受控於薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列的行選擇信號可以來源於GIP(Gate In Panel)電路、列選擇信號可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)。
第3圖是透光OLED基板兩行各第一OLED同色子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第3圖所示，第一行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接相同的一個資料信號，第二行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接相同的另一個資料信號；所有第一OLED子像素11a的第二電極接地。該兩個資料信號通道攜帶的顏色資料與對應的第一OLED子像素11a的顏色一致。該資料信號由外部電路提供。由於該透光OLED基板具有兩行第一OLED子像素11a，因而需向第一行施加一個驅動電流、第二行施加另一個驅動電流，該兩個驅動電流可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的兩個資料信號通道(資料線)。
第4圖是透光OLED基板兩行各第一OLED同色子像素的另一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第4圖所示，每行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接不同的資料信號，所有第一OLED子像素11a的第二電極接地。該各個資料信號通道攜帶的顏色資料與對應的第一OLED子像素11a的顏色一致。該各個資料信號也由外部電路提供。由於該透光OLED基板具有兩行第一OLED子像素11a，因而需向第一行、第二行中各第一OLED子像素11a施加驅動電流，上述各驅動電流可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)，所有驅動電流可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的若干個資料信號通道(資料線)。
第3圖與第4圖的實施例中，第一行中的各第一OLED子像素11a的第一電極的走線設置在透光OLED基板11上邊的邊框區以及側邊的邊框區，即第一電極的走線沒有設置在第一OLED子像素11a所在的區域。類似地，第二行中的各第一OLED子像素11a的第一電極的走線設置在透光OLED基板11下邊的邊框區以及側邊的邊框區。相對於第一電極的走線設置在第一OLED子像素11a所在區域的方案，將第一電極的走線設置在邊框區的方案能進一步減少第一OLED子像素11a所在區域的圖形膜層，進一步降低透光模式下的干涉和衍射問題。
對比第3圖實施例與第4圖實施例：前者資料信號的通道數目較少，連接走線數目也較少、佔用面積也較少。
第5圖是透光OLED基板兩行第一OLED同色子像素的一種主動驅動方式的電路示意圖。一個像素驅動電路包括一個開關電晶體X1、一個驅動電晶體X2以及一個存儲電容C。參照第5圖所示，第一行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接至相同的一個像素驅動電路中的驅動電晶體X2的漏極，第二行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接至相同的另一個像素驅動電路中的驅動電晶體X2的漏極；所有第一OLED子像素11a的第二電極接地；第一行像素驅動電路中的驅動電晶體X2的柵極對應一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體X1與驅動電晶體X2的柵極連接，第二行像素驅動電路中的驅動電晶體X2的柵極對應另一個資料信號，該資料信號通過另一個開關電晶體X1與驅動電晶體X2的柵極連接，該兩個驅動電晶體的源極對應一個電源電壓(Voltage Drain Drain,VDD)。
第一行的像素驅動電路可以設置在透光OLED基板11上方的邊框區。第二行的像素驅動電路可以設置在透光OLED基板11下方的邊框區。
該上方的像素驅動電路的資料線可以接入顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)；該下方的像素驅動電路的資料線可以接入顯示驅動集成晶片(DDIC)的另一個資料信號通道 (資料線)；所述上方及下方的像素驅動電路的掃描線可以接入GIP電路的一個掃描信號通道。
第6圖是一種GIP電路結構及時序圖。參照第6圖所示，一級GIP電路包括第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4和第五電晶體T5。第一時鐘信號線XCK連接第一電晶體T1的柵極和第三電晶體T3的柵極，第二時鐘信號線CK連接第二電晶體T2的源極。第一柵極線Vgh連接第四電晶體T4的源極和第五電晶體T5的源極，第二柵極線Vgl連接第三電晶體T3的源極。GIP電路結構中可以包括多級GIP電路，第n級GIP電路的第一電晶體T1的源極連接輸入信號(掃描線Gn)，為第n級GIP電路輸入信號。第n級GIP電路的第二電晶體T2的漏極連接第n級GIP電路的輸出信號線，並且，第n級GIP電路的輸出信號作為第n+1級GIP電路的輸入信號(掃描線Gn+1)。
參照第6圖中的GIP電路驅動的波形圖。第一柵極線Vgh為高電平，第二柵極線Vgl為低電平，第一時鐘信號線XCK和第二時鐘信號線CK分別輸出高低電平相反的數位信號。在第一時鐘信號線XCK跳變為低電平時，第1級GIP電路的掃描線G1輸入一低電平，在第二時鐘信號線CK跳變為低電平時，第1級GIP電路輸出一低電平信號，作為第2級GIP電路的輸入信號，即，第2級GIP電路的掃描線G2輸入一低電平，並以此類推，第n級電路的輸出信號作為第n+1級電路的輸入信號。
第7圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的另一種主動驅動方式的電路示意圖。參照第7圖所示，第一行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接至不同的像素驅動電路中的驅動電晶體X2的漏極，第二行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接至不同的像素驅動電路中的驅動電晶體X2的漏極；所有第一OLED子像素11a的第二電極接地；每一像素驅動電路中的驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體與驅動電晶體的柵極連接，各個像素驅動電路中的驅動電晶體的源極對應同一電源電壓。
第7圖中，一個像素驅動電路包括一電晶體陣列，該電晶體陣列中的每個電晶體單元包括：一個開關電晶體X1、一個驅動電晶體X2以及一個存儲電容C。第一行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接的像素驅動電路可以設置在透光OLED基板11上方的邊框區。第二行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接的像素驅動電路可以設置在透光OLED基板11下方的邊框區。
設置在上方的各個像素驅動電路中的每個電晶體單元中的資料線可以接入顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)；設置在下方的各個像素驅動電路中的每個電晶體單元中的資料線可以接入顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)；所述上方及下方的各個像素驅動電路中的各電晶體單元中的各個掃描線可以接入GIP電路的一個掃描信號通道。換言之，各電晶體單元中的資料線佔據顯示驅動集成晶片的一個資料信號通道，以及各電晶體單元中的掃描線佔據GIP電路的一個掃描信號通道。
第8圖是具有對驅動電晶體的閾值電壓進行補償功能的一種像素驅動電路的電路圖以及時序圖。在具體實施過程中，像素驅動電路除了上述的2T1C結構(包括兩個電晶體及一個存儲電容的結構)，還可以為7T1C、6T1C等對驅動電晶體的閾值電壓進行補償的像素驅動電路。第8圖所示的7T1C像素驅動電路分為三個工作階段：復位階段、補償階段、發光階段。在補償階段把驅動電晶體的閾值電壓Vth先存在它的柵源電壓Vgs內，在最後發光階段，把Vgs-Vth轉換為電流，因為Vgs已經包含了Vth，因而在轉化成電流時就把Vth的影響抵消了，從而實現了電流的一致性。第8圖所示的像素驅動電路可以提高第一OLED子像素11a的壽命以及顯示均勻性。
針對第一行中的各第一OLED子像素11a(也被稱為第一OLED像素行)的第一電極連接至相同的一個像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極，該驅動電晶體的柵極對應顯示驅動晶片的一個資料信號，源極對應一電源電壓；第二行中的各第一OLED子像素11a(也被稱為第二 OLED像素行)的第一電極連接至相同的另一個像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極，該驅動電晶體的柵極對應顯示驅動晶片的另一個資料信號，源極對應一電源電壓的情況(參照第5圖所示)：上述第一行OLED像素11a的像素驅動電路的資料線信號VDATA可以來自顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)；第二行OLED像素11a的像素驅動電路的資料線信號VDATA可以來自顯示驅動集成晶片(DDIC)的另一個資料信號通道(資料線)；第一行與第二行OLED像素11a的各像素驅動電路的掃描線Gn-1、Gn的信號可以來自GIP電路的兩個掃描信號通道，各像素驅動電路的發射信號(Emitting signal,EM)可以來自GIP電路的一個發射信號通道，各像素驅動電路的初始信號(Initiating signal,INIT)可以來自顯示驅動集成晶片。
針對第一行、第二行中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接至不同的像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極，每一像素驅動電路中的驅動電晶體的柵極對應顯示驅動晶片的一個資料信號，各驅動電晶體的源極對應同一或不同電源電壓的情況(參照第7圖所示)：上述第一行、第二行中的各第一OLED子像素11a的像素驅動電路的資料線信號VDATA可以來自顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)，即第一行、第二行多個第一OLED子像素11a的像素驅動電路的資料線信號VDATA可以來自顯示驅動集成晶片(DDIC)的多個資料信號通道(資料線)；上述第一行與第二行的第一OLED像素11a的像素驅動電路的掃描線Gn-1、Gn的信號可以來自GIP電路的兩個掃描信號通道，發射信號EM可以來自GIP電路的一個發射信號通道，初始信號INIT可以來自顯示驅動集成晶片。
對比第5圖實施例與第7圖實施例：前者資料信號的通道數目較少，連接走線數目也較少、佔用面積較少。
第9圖是本發明第二實施例中的透光OLED基板的俯視圖。第9圖所示的透光OLED基板12與第1圖所示的透光OLED基板11大致相同，區別在於：一個第一電極1111a/1111b上設有多個間隔的發光 結構1121。各個間隔的發光結構1121由像素定義層114分隔開或間隔的發光結構1121之間無像素定義層114。
透光OLED基板12能提高透光OLED基板12上的第一OLED子像素11a的像素密度。除此之外，第一電極1111a上不論設有一個，還是多個發光結構1121，不影響透光OLED基板12上的第一OLED子像素11a的發光驅動。
第10圖、第11圖與第12圖分別是本發明第三實施例中的透光OLED基板的俯視圖。第10圖所示的透光OLED基板13與第1圖所示的透光OLED基板11大致相同，區別在於：一個電極組1111包括一個第一電極1111a。
第10圖所示的結構相當於在第1圖所示的結構的基礎上：去除第二行的第一電極1111b，並將第一行的第一電極1111a沿X方向延伸至透光OLED基板13的底端；或去除第一行的第一電極1111a，並將第二行的第一電極1111b沿X方向延伸至透光OLED基板13的頂端。如此，本實施例中的各第一OLED子像素11a的結構與第1圖以及第9圖實施例中的第一行中的各第一OLED子像素11a的結構或第二行中的各第一OLED子像素11a的結構大致相同。
第一電極1111a在襯底110上的投影可以包括一個圖形單元或者兩個以上的圖形單元。第10圖中圖形單元為矩形，第11圖中圖形單元為葫蘆形。其它可選方案中，圖形單元還可以為橢圓形、啞鈴形、或圓形等。上述圖案可以使得衍射圖案條紋相互疊加相消，從而改善衍射問題。
本實施例中的各第一OLED子像素11a的驅動方法對應於第1圖實施例中第一行中的各第一OLED子像素11a的驅動方法或對應於第二行中的各第一OLED子像素11a的驅動方法。本發明在此不再贅述。
第12圖中，各第一OLED子像素11a可以在透光OLED基板13的中部某一段內沿X方向上下延伸、或自透光OLED基板13的頂 端沿X方向向下延伸至中部、或自中部沿X方向延伸至下端。當透光OLED基板13包括兩行、多列第一OLED子像素11a時，第一行中的各第一OLED子像素11a可以在透光OLED基板13沿X方向上下延伸，具體為：靠上區段的中部某一段內沿上下方向延伸、或自OLED基板13的頂端向下延伸至上中部、或自上中部延伸至中部；第二行中的各第一OLED子像素11a可以在透光OLED基板13沿X方向上下延伸，具體為靠下區段的中部某一段內沿上下方向延伸、或自OLED基板13的底端向上延伸至下中部、或自下中部延伸至中部。不同於前述方案中，通過在第一電極上施加不同大小的驅動電流，和/或對不同顏色的子像素施加驅動電流以實現不同的圖案，本實施例中各第一OLED子像素可以結合子像素的不同圖案形成各種圖案。
第13圖是本發明第四實施例中的透光OLED基板的俯視圖。第13圖所示的透光OLED基板14與第1圖所示的透光OLED基板11大致相同，區別在於：n=3。
換言之，同一行不同列的第一電極1111a/1111b上的發光結構1121的顏色按同一規律交替分佈，相鄰的、顏色互不相同的三列第一OLED子像素11b、11c、11d形成一個OLED像素單元。在OLED像素單元中，第一OLED子像素11b、11c、11d可以分別為紅、綠、藍子像素。其它可選方案中，第一OLED子像素11b、11c、11d可以分別為其它顏色的子像素。其它可選方案中，相鄰的、顏色互不相同的四列第一OLED子像素也可以形成一個OLED像素單元。
各第一OLED子像素11b、11c、11d的具體結構請參照前述實施例中第一OLED子像素11a的具體結構。在第1圖-第12圖所示實施例中，由於各第一OLED子像素11a為同色子像素，一個第一OLED子像素11a可以被稱為一個OLED像素單元。以下介紹多個顏色子像素的驅動方式。
第14圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第14圖所示，第一行各OLED像 素單元中的各第一OLED同色子像素11b、11c、11d的第一電極連接至一個資料信號，第二行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素11b、11c、11d的第一電極連接至另一個資料信號；所有第一OLED子像素11b、11c、11d的第二電極接地。換言之，所有紅色子像素的第一電極連接至同一R資料信號；所有綠色子像素的第一電極連接至同一G資料信號；所有藍色子像素的第一電極連接至同一B資料信號。該R、G、B資料信號由外部電路提供。第14圖中，由於該透光OLED基板具有兩行第一OLED子像素，因而需向第一行各第一OLED同色子像素施加一個驅動電流，向第二行各第一OLED同色子像素施加另一個驅動電流；該第一行中的各第一OLED同色子像素所施加的驅動電流可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的三個資料信號通道(資料線)，該第二行中的各第一OLED同色子像素所施加的驅動電流可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的另三個資料信號通道。簡言之，對於各個OLED像素行，在該OLED像素行中，各個第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一資料信號。
第15圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的另一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第15圖所示，第一行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素11b、11c、11d的第二電極接地、第一電極連接一個開關電晶體的漏極，第一行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應的開關電晶體的源極連接一個資料信號，柵極連接一個開關信號；第二行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應的開關電晶體的源極連接另一個資料信號，柵極連接至另一個開關信號。所述開關信號除了能統一控制一行所有第一OLED同色子像素執行顯示功能或透光功能外，在開關信號為“關”時，還能控制一行所有第一OLED同色子像素執行透光功能，防止相鄰其它顏色子像素執行顯示功能時串擾。
其它可選方案中，每行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素的第一電極連接一個開關電晶體的漏極，第一行各 OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應的開關電晶體的源極連接一個資料信號，柵極連接不同的開關信號；第二行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應的開關電晶體的源極連接另一個資料信號，柵極連接不同的開關信號。上述結構使得各第一OLED同色子像素可以獨立執行顯示功能或透光功能。
第16圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的再一種被動驅動方式的電路示意圖。為了使每行各第一OLED同色子像素可以獨立執行顯示功能或透光功能，參照第16圖所示，第一行、第二行各OLED像素單元中的各第一OLED子像素的第一電極也可以連接至不同的資料信號。該資料信號也由外部電路提供。由於該透光OLED基板具有兩行第一OLED子像素，因而需向各第一OLED子像素施加驅動電流。各第一OLED子像素的驅動電流可以來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)，所有第一OLED子像素的驅動電流來源於顯示驅動集成晶片(DDIC)的若干個資料信號通道(資料線)。
第17圖是透光OLED基板兩行各第一OLED子像素的一種主動驅動方式的電路示意圖。參照第17圖所示，各第一OLED子像素的第二電極接地，第一行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素的第一電極分別連接至一個像素驅動電路中的驅動電晶體漏極，該驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體與驅動電晶體的柵極連接，驅動電晶體的源極對應一個電源電壓VDD；第二行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素的第一電極分別連接至另一個像素驅動電路中的驅動電晶體漏極，驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體連接到驅動電晶體的柵極，驅動電晶體的源極對應一個電源電壓。
第17圖中，像素驅動電路可以包括電晶體陣列。該電晶體陣列包括多個電晶體單元。每一個電晶體單元可以包括：一個開關電晶體X1、一個驅動電晶體X2以及一個存儲電容C。每一電晶體單元中的資料線可以接入顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料 線)；第一行、第二行各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應的各個電晶體單元中的各掃描線可以接入GIP電路的一個掃描信號通道。換言之，第一行各OLED像素單元佔據顯示驅動集成晶片的三個資料信號通道(在一個OLED像素單元包含三種第一OLED子像素的情況下)，第二行各OLED像素單元佔據顯示驅動集成晶片的另三個資料信號通道。
其它可選方案中，各OLED像素單元中的各第一OLED子像素的第一電極連接至不同的像素驅動電路中的驅動電晶體漏極，每一驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體與驅動電晶體的柵極連接，驅動電晶體的源極對應一個電源電壓。像素驅動電路可以包括電晶體陣列。電晶體陣列中的每一電晶體單元可以包括：一個開關電晶體X1、一個驅動電晶體X2以及一個存儲電容C，也被稱為2T1C結構。各個電晶體單元中的資料線可以接入顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)；各個電晶體單元中的各掃描線可以接入GIP電路的一個掃描信號通道。換言之，各第一OLED子像素佔據顯示驅動集成晶片的一個資料信號通道，以及GIP電路的一個掃描信號通道。
在具體實施過程中，像素驅動電路，除了上述的2T1C結構，還可以為6T1C結構、7T1C結構等。上述各像素驅動電路的資料線信號VDATA可以來自顯示驅動集成晶片(DDIC)的一個資料信號通道(資料線)；掃描線Gn-1、Gn的信號可以來自GIP電路的兩個掃描信號通道，發射信號EM可以來自GIP電路的一個發射信號通道，初始信號INIT可以來自顯示驅動集成晶片。
第18圖是本發明第五實施例中的透光OLED基板的俯視圖。參照第18圖所示，本實施例中的透光OLED基板15與第1圖至第17圖實施例中的透光OLED基板11、12、13、14的結構相比，區別在於：第一方向Y為列方向，第二方向X為行方向。換言之，第一電極沿Y方向延伸。
以下介紹發光驅動的區別。
第19圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第19圖所示，第一列中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接一個資料信號，第二列中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接另一個資料信號；所有第一OLED子像素11a的第二電極接地。該兩個資料信號通道攜帶的顏色資料與對應的第一OLED子像素11a的顏色一致。如第19圖所示，第一列中的各第一OLED子像素11a對應的資料信號的引線可以走在左邊的邊框區，第二列中的各第一OLED子像素11a對應的資料信號的引線可以走在右邊的邊框區。
第20圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的另一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第20圖所示，第一列、第二列中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接同一個資料信號。
第21圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素11a的一種主動驅動方式的電路示意圖。參照第21圖所示，第一列中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接一個像素驅動電路的驅動電晶體的漏極，該驅動電晶體的柵極連接一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體與驅動電晶體的柵極連接，驅動電晶體的源極對應一個電源電壓；第二列中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接另一個像素驅動電路的驅動電晶體的漏極，該驅動電晶體的柵極連接另一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體與驅動電晶體的柵極連接，驅動電晶體的源極對應一個電源電壓；這兩個像素驅動電路的掃描線連接GIP電路的同一掃描信號。
第21圖中的像素驅動電路以2T1C結構為例，其它可選方案中，也可以為3T1C結構、6T1C結構、7T1C結構等。
第22圖是透光OLED基板兩列各第一OLED同色子像素的另一種主動驅動方式的電路示意圖。參照第22圖所示，第一列、第二列中的各第一OLED子像素11a的第一電極連接一個像素驅動電路的驅 動電晶體X2的漏極，該驅動電晶體X2的柵極連接一個資料信號，該資料信號通過一個開關電晶體X1與驅動電晶體X2的柵極連接，驅動電晶體X2的源極對應一個電源電壓VDD；像素驅動電路的掃描線連接GIP電路的一個掃描信號。
第22圖中的像素驅動電路以2T1C結構為例，其它可選方案中，也可以為3T1C結構、6T1C結構、7T1C結構等。
第23圖是透光OLED基板兩列各第一OLED子像素的一種被動驅動方式的電路示意圖。參照第23圖所示，第一列中的各OLED像素單元中的各個具有相同顏色的第一OLED子像素對應相同的一個資料信號；第二列中的各OLED像素單元中的各個具有相同顏色的第一OLED子像素對應相同的另一個資料信號，以使第一列第一OLED同色子像素同時發同樣亮度的光、第二列第一OLED同色子像素同時發同樣亮度的光。其它實施方案中，第一列各第一OLED子像素對應一個資料信號；第二列各第一OLED子像素對應一個資料信號，以單獨對每一子像素的發光進行亮暗控制。
第24圖是透光OLED基板兩列各第一OLED子像素的一種主動驅動方式的電路示意圖。參照第24圖所示，第一列中的各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應一個像素驅動電路的驅動電晶體的漏極；第二列中的各OLED像素單元中的各第一OLED同色子像素對應另一個像素驅動電路的驅動電晶體的漏極，以使第一列同色子像素一併控制、第二列同色子像素一併控制。其它實施方案中，第一列各第一OLED子像素對應一個像素驅動電路的驅動電晶體的漏極；第二列各第一OLED子像素對應一個像素驅動電路的驅動電晶體的漏極，以單獨對每一子像素的發光進行控制。
其它可選方案中，第24圖中的像素驅動電路除了是2T1C結構，也可以包括3T1C結構、6T1C結構、7T1C結構等。
在具體實施過程中，透光OLED基板11、12、13、14、15的形狀可以為水滴形、矩形、劉海形、圓形或半圓形等。
可以在透光OLED基板11、12、13、14、15上方設置封裝層以形成顯示面板。
顯示面板除了作為顯示器件外，還可以設置觸控層，作為觸控面板使用。顯示面板也可以作為半成品與其它部件集成、裝配在一起形成如手機、平板電腦、車載顯示幕等的顯示裝置。
在顯示裝置中，在透光OLED基板11、12、13、14、15下方對應設置光感測器，光感測器包括：攝像頭、虹膜識別感測器以及指紋識別感測器中的一種或組合。
第25圖是本發明第一實施例中的OLED基板的俯視圖。
參照第25圖所示，一種OLED基板1包括第一OLED基板11及第二OLED基板21； 其中，第一OLED基板11包括上述實施例中的透光OLED基板；第二OLED基板21包括非透光基板，第一OLED基板11與第二OLED基板21共用襯底110(參照第2圖、第26圖所示)。
其它可選方案中，第一OLED基板11還可以包括上述任一實施例中的透光OLED基板12、13、14、15。
參照第25圖所示，第二OLED基板21包圍或半包圍第一OLED基板11。
第26圖是第25圖中的第二OLED基板的一個剖視圖。
參照第26圖所示，第二OLED基板21包括：襯底110、位於襯底110上的第三電極層211、位於第三電極層211上的發光結構層212、位於發光結構層212上的第四電極213； 其中，第三電極層211具有反光性能；第三電極層211包括多個第三電極2111，發光結構層212包括多個不同顏色的發光結構2121，每一第三電極2111上設有一個發光結構2121；在第一方向Y和/或第二方向X上，不同顏色的發光結構2121按同一規律交替分佈；第四電極213為面電極； 一個第三電極2111、第三電極2111上的發光結構2121以及與該發光結構2121對應的第四電極213形成一個第二OLED子像素21a。
第26圖中，第三電極2111上的發光結構2121由像素定義層214限定大小及位置，其它可選方案中，也可以省略像素定義層214。
一個可選方案中，第一OLED基板11與第二OLED基板21各自製作，之後組裝在一起。另一個可選方案中，兩者在同一襯底110上同時製作。
在具體製作過程中，第三電極層211與第一電極層111可以位於同一層、和/或第四電極213與第二電極113可以位於同一層；或第一電極層111上的發光結構1121與第三電極層211上的發光結構2121在同一工序中蒸鍍形成。
可選地，對於第一電極層111上的發光結構1121與第三電極層211上的發光結構2121，兩者在蒸鍍工序中可以使用同一掩膜版一次蒸鍍完成，也可以使用不同掩膜版分次或兩個掩膜版組合在一起一次蒸鍍完成。
在具體實施過程中，第二OLED子像素21a的驅動方式為主動式，即第二OLED基板21為AMOLED。
對於OLED基板1，第一OLED基板11通過主動驅動式執行顯示功能時，第一OLED基板11對應的像素驅動電路可以位於第二OLED基板21上的邊框區或第二OLED基板21與第一OLED基板11之間的過渡區。總之，將像素驅動電路從第一OLED基板11的顯示區中移開，可以提高透光率及降低衍射。
一個可選方案中，第二電極113與第四電極213連接成一個整體的面電極。相對於兩個面電極斷開的結構，一方面可以節省接地端及電壓端，另一方面結構簡單。
一個可選方案中，第二電極113為單層結構或疊層結構；當為單層結構時，第二電極113為單層金屬層、或單層金屬混合物層、或單層透明金屬氧化物層；當為疊層結構時，第二電極113為透明金屬氧化物層與金屬層的疊層、或第二電極113為透明金屬氧化物層與金屬混合物層的疊層。
一個可選方案中，形成第二電極的材料中摻雜有金屬氧化物，且第二電極113的厚度大於或等於100埃，小於或等於500埃時，第二電極113的厚度整體連續，且第二電極113的透明度大於40%。
進一步地，形成第二電極的材料中摻雜有金屬，且第二電極113的厚度大於或等於100埃，小於或等於200埃時，第二電極113的厚度整體連續，且第二電極113的透明度大於40%。
進一步地，形成第二電極的材料中摻雜有金屬，且第二電極113的厚度大於或等於50埃，小於或等於200埃時，第二電極113的厚度整體連續，且第二電極113的透明度大於50%。
進一步地，形成第二電極的材料中摻雜有金屬氧化物，第二電極113的厚度大於或等於50埃，小於或等於200埃時，第二電極113的厚度整體連續，且第二電極113的透明度大於60%。
第二電極113為單層結構時，單層金屬層材料為Al、Ag等，單層金屬混合物層材料為MgAg或摻雜Al的金屬混合材料等，透明金屬氧化物為ITO或IZO等。
一個可選方案中，第二電極113與第四電極213的材料相同或不同。
一個可選方案中，第二電極113與第四電極213的材料相同，且第二電極113與第四電極213為單層結構，第二電極113的厚度小於第四電極213的厚度。
一個可選方案中，第二電極113與第四電極213的材料為單層金屬層、或單層金屬混合物層、或單層透明金屬氧化物層。
一個可選方案中，第二電極113與第四電極213的材料相同，且第二電極113為單層結構，第四電極213為疊層結構，第二電極113的厚度小於第四電極213的厚度，第四電極213包括與第二電極113同時形成的第二電極材料層，以及形成於所述第二電極材料層上方或下方的第四電極材料層。
一個可選方案中，第四電極材料層的厚度大於所述第二電極材料層的厚度。
一個可選方案中，第二電極113為單層金屬層、或單層金屬混合物層、或單層透明金屬氧化物層、或透明金屬氧化物層與金屬層的疊層、或透明金屬氧化物層與金屬混合物層的疊層；第四電極213為單層金屬層、或單層金屬混合物層、或金屬混合物層的疊層、或金屬層與金屬混合物層的疊層； 一個可選方案中，第二電極113的材料為Al、Ag、MgAg、摻雜Al的金屬混合材料、ITO或IZO等，第四電極213的材料為Al、Ag、MgAg、摻雜Al的金屬混合材料等。
雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動、組合與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為准。
11‧‧‧第一OLED基板
11a‧‧‧第一OLED子像素
1111‧‧‧電極組
1111a,1111b‧‧‧第一電極
Y‧‧‧第一方向(或第二方向)
X‧‧‧第二方向(或第一方向)

Claims (10)

  1. 一種透光OLED基板，包括：襯底；位於所述襯底上的第一電極層，其中，所述第一電極層包括沿第一方向排列的多個電極組，各個所述電極組包括至少一個第一電極，各個所述第一電極沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向垂直；位於所述第一電極層上的發光結構層，其中，所述發光結構層包括n種顏色的發光結構，n
    Figure 108125139-A0305-02-0025-1
    1；針對各個所述第一電極，所述第一電極上設有至少一個所述發光結構，設置在同一所述第一電極上的發光結構為同種顏色；和位於所述發光結構層上的第二電極；其中，當向各個所述第一電極與所述第二電極之間施加驅動電壓時，所述透光OLED基板被配置為執行顯示功能；當各個所述第一電極與所述第二電極之間未施加驅動電壓時，所述透光OLED基板被配置為執行透光功能。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透光OLED基板，還包括：多個第一OLED子像素，其中每個所述第一OLED子像素包括：一個所述第一電極；所述第一電極上的所有發光結構；以及與所述第一電極對應的部分所述第二電極；其中，所述第二電極接地；所述第一OLED子像素的驅動方式為主動式或被動式。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的透光OLED基板，其中，當各個所述第一OLED子像素的驅動方式為主動式或被動式時，所述第一OLED子像素對應的一個或多個像素驅動電路設置在與所述第一OIED子像素所在的區域無重疊的邊框區。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的透光OLED基板，還包括：至少一個OLED像素單元，其中，各個所述OLED像素單元包括至少一個所述第一OLED子像素；當n=1時，各個所述OLED像素單元中各個所述第一OLED子像素為第一OLED同色子像素；當n
    Figure 108125139-A0305-02-0026-2
    3時，各個所述OLED像素單元中各個所述第一OLED子像素第一電極上的發光結構的顏色各不相同並按照同一規律交替分佈。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的透光OLED基板，其中，各個所述第一OLED同色子像素的驅動方式為被動式：當所述第一方向為列方向時，一列中的各所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個資料信號；各列所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個資料信號或不同的資料信號；當所述第一方向為行方向時，一行中的各所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個資料信號；各行所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個資料信號或不同的資料信號；各個所述OLED像素單元的驅動方式為被動式：當所述第一方向為列方向時，一列各所述OLED像素單元中的各個具有相同顏色的第一OLED子像素的第一電極連接至同一個資料信號或不同的資料信號；當所述第一方向為行方向時，一行各所述OLED像素單元中的各個具有相同顏色的第一OLED子像素的第一電極連接至同一個資料信號或不同的資料信號。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的透光OLED基板，其中，各個所述OLED像素單元的驅動方式為被動式：當所述第一方向為列方向時，各所述OLED像素單元中的第一OLED子像素的第一電極連接至一個開關電晶體的漏極，所述開關電晶體的源極連接同一個資料信號或不同的資料信號，位於一列的具有相同顏色的第一OLED子像素對應的開關電晶體的柵極連接同一個開關信號或不同的開關 信號；當所述第一方向為行方向時，各所述OLED像素單元中的第一OLED子像素的第一電極連接至一個開關電晶體的漏極，所述開關電晶體的源極連接同一個資料信號或不同的資料信號，位於一行的具有相同顏色的第一OLED子像素對應的開關電晶體的柵極連接同一個開關信號或不同的開關信號。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的透光OLED基板，其中，各個所述第一OLED同色子像素的驅動方式為主動式：當所述第一方向為列方向時，一列中的各所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極；或者各列所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個或不同的像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極；所述驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，所述驅動電晶體的源極對應電源電壓；當所述第一方向為行方向時，一行中的各所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極；或者各行所述第一OLED同色子像素的第一電極連接至同一個或不同的像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極；所述驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，所述驅動電晶體的源極對應電源電壓；各個所述OLED像素單元的驅動方式為主動式：當所述第一方向為列方向時，一列各所述OLED像素單元中的各個具有相同顏色的第一OLED子像素的第一電極連接至同一像素驅動電路或連接至不同的像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極，每個所述驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，每個所述驅動電晶體的源極對應電源電壓；當所述第一方向為行方向時，一行各所述OLED像素單元中的各個具有相同顏色的第一OLED子像素的第一電極連接至同一像素驅動電路或連接至不同的像素驅動電路中的驅動電晶體的漏極，每個所述驅動電晶體的柵極對應一個資料信號，每個所述驅動電晶體的源極對應電源電壓。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的透光OLED基板，其中，所述第一電 極在第二方向的尺寸與在第一方向的尺寸之比大於10：1。
  9. 一種OLED基板，包括：所述第一OLED基板；及第二OLED基板；其中，所述第一OLED基板包括申請專利範圍第1-8項任一項所述的透光OLED基板；所述第二OLED基板為非透光基板，第一OLED基板與第二OLED基板共用襯底；所述第二OLED基板包括：所述襯底；所述第二OLED基板包括：所述襯底；位於所述襯底上的第三電極層，其中，所述第三電極層具有反光性能；位於所述第三電極層上的第二發光結構層，其中，在第一方向和/或第二方向上，所述第二發光結構的顏色按同一規律交替分佈；和位於所述第二發光結構層上的第四電極，其中，所述第四電極為面電極。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的OIED基板，其中，所述第三電極層與所述第一電極層位於同一層、和/或所述四電極層與所述第二電極位於同一層；或所述第一電極上發光結構與所述第三電極上的發光結構在同一工序中蒸鍍形成，所述第一電極上發光結構與所述第三電極上的發光結構在同一蒸鍍工序中使用同一掩膜版形成。
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