CN112542488A - 有机发光显示面板和包括该面板的有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开内容的实施方式涉及有机发光显示面板和包括该面板的有机发光显示装置，并且更具体地，涉及有机发光显示面板和有机发光显示装置，其包括：绝缘膜，在有源区域的至少一个子像素中，该绝缘膜包括至少一个凹部，该至少一个凹部包括平坦部和围绕平坦部的倾斜部；以及有机发光二极管的第一电极，在至少一个子像素区域中，有机发光二极管的第一电极设置在凹部和设置在凹部周围的围绕部的一部分上，并且第一电极在其表面上包括至少一个突起；从而提高光提取效率。

Description

有机发光显示面板和包括该面板的有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月20日提交的韩国专利申请第10-2019-0115803号的优先权，该申请通过引用并入本文，出于所有目的都如同在本文中完全阐述的一样。
技术领域
本公开内容的各种实施方式涉及有机发光显示面板和包括该有机发光显示面板的有机发光显示装置。
背景技术
关于显示装置或照明装置，智能社会的发展导致对各种类型的显示面板的需求增加。在显示面板中，有机发光显示面板可以是薄且重量轻的，不需要单独的光源，因此获得了普及。
有机发光显示面板包括用于发射光的有机层。从有机层发射的光的一部分可以被捕获在有机发光显示装置内部。因此，可能降低有机发光显示面板的光提取效率，并且可能降低照明效率。
发明内容
本公开内容的实施方式旨在提供一种具有带有提高的光提取效率的结构的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
本公开内容的实施方式还旨在提供一种具有能够防止两个相邻子像素之间的颜色混合的结构的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
本公开内容的实施方式还旨在提供一种在有源区域中具有增加的发射区域的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
根据本公开内容的实施方式，可以提供一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括具有多个子像素的有源区域，该有机发光显示面板包括：基板；设置在基板上的绝缘膜，并且在有源区域的至少一个子像素中，绝缘膜包括至少一个凹部，至少一个凹部包括平坦部和围绕平坦部的倾斜部；第一电极，在至少一个子像素区域中，第一电极设置在凹部的一部分和设置在凹部周围的围绕部上，第一电极在其表面上包括至少一个突起；堤，包括：设置在第一电极上的在与凹部的一部分对应的区域中的第一部分以及设置在绝缘膜和第一电极上的在与围绕部对应的区域中的第二部分；与凹部交叠并且设置在第一电极上的有机层，有机层具有与在第一电极上具有突起的第一电极的顶表面的形状对应的表面形状；以及设置在有机层和堤上的第二电极，第二电极在与有机层交叠的区域中具有与有机层的表面形状对应的表面形状。
根据本公开内容的实施方式，可以提供一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括具有多个子像素的有源区域，该有机发光显示装置包括：设置在基板上的绝缘膜，并且在至少一个子像素区域中，绝缘膜包括至少一个凹部，至少一个凹部包括平坦部和围绕平坦部的倾斜部；第一电极，在至少一个子像素区域中，第一电极设置在凹部的一部分和设置在凹部周围的围绕部上，第一电极在其表面上包括至少一个突起；堤，堤包括定位在凹部的一部分上的第一部分和定位在围绕部上的第二部分；与凹部交叠并且设置在第一电极上的有机层，有机层具有与在第一电极上具有突起的第一电极的顶表面的形状对应的表面形状；以及第二电极，第二电极在与有机层交叠的区域中具有与有机层的表面形状对应的表面形状，其中，在设置有平坦部的区域中，其中第一电极与堤不交叠的区域是第一发光部，其中，在设置有平坦部的区域中，其中堤与第一电极交叠的区域是第一非发光部，并且其中，对应于倾斜部的区域是第二发光部。
根据本公开内容的实施方式，可以提供一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括具有多个子像素的有源区域，所述有机发光显示面板包括：基板；设置在所述基板上的绝缘膜，并且在所述有源区域的至少一个子像素中，所述绝缘膜包括至少一个凹部，所述至少一个凹部包括平坦部和围绕所述平坦部的倾斜部；第一电极，在所述至少一个子像素区域中，所述第一电极设置在所述凹部的一部分和设置在所述凹部周围的围绕部上，所述第一电极在其表面上包括至少一个突起；堤，所述堤包括：设置在所述第一电极上的在与所述凹部的一部分对应的区域中的第一部分；以及设置在所述绝缘膜和所述第一电极上的在与所述围绕部对应的区域中的第二部分；以及与所述凹部交叠并且设置在所述第一电极上的有机层，其中，所述倾斜部的高度大于等于所述堤的所述第二部分的高度。
根据本公开内容的实施方式，可以提供一种具有带有提高的光提取效率的结构的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
根据本公开内容的实施方式，可以提供一种具有能够防止两个相邻子像素之间的颜色混合的结构的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
根据本公开内容的实施方式，可以提供一种在有源区域中具有增加的发射区域的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
附图说明
结合附图从以下详细描述中将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和优点，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的系统配置的图；
图2是示出示例3T(晶体管)1C(电容器)结构的图，在该示例3T(晶体管)1C(电容器)结构中，一个子像素还包括电连接在驱动晶体管的第二节点与参考电压线之间的第二晶体管；
图3是示出包括在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示面板的有源区域中的发光部和非发光部的平面图；
图4是示出沿图3的线A-B截取的区域和焊盘区域的一部分的截面图；
图5是示出在第一电极的顶表面上的多个突起的布置的图；
图6是示出图4的区域X的放大图；
图7是示出图4的区域Y的放大图；
图8是示出图4的区域Z的放大图；
图9是示出根据比较例的有机发光显示装置和根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的光提取效率和取决于视角的(通过从外部辐射的光自动调节的)对比度的曲线图；
图10是示出根据本公开内容的另一实施方式的有机发光显示装置的截面图；
图11是示出根据本公开内容的又一实施方式的有机发光显示装置的截面图；以及
图12、图13、图14、图15和图16是示出一个像素中的第一电极的顶表面上的突起的图。
具体实施方式
在本公开内容的示例或实施方式的以下描述中，将参照附图，在附图中通过图示的方式示出了可以实现的具体示例或实施方式，并且在附图中，相同的附图标记和符号可以用于表示相同或相似的部件，即使当这些部件在彼此不同的附图中示出时也是如此。此外，在本公开内容的示例或实施方式的以下描述中，当确定该描述可能使本公开内容的一些实施方式中的主题不清楚时，将省略本文中并入的公知功能和部件的详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由……组成”和“由……形成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文所使用的，单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出以外。
在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语来描述本公开内容的元件。这些术语中的每一个都不是用于限定元件等的本质、顺序、序列或数目，而是仅用于将相应的元件与其他元件区分开。
当提到第一元件“连接至或耦合至”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时，应当解释为，不仅第一元件可以“直接连接至或耦合至”第二元件或与第二元件“直接接触或交叠”，而且可以在第一元件与第二元件之间“插入”第三元件，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或耦合”、经由第四元件彼此“接触或交叠”等。此处，可以在彼此“连接或耦合”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一个中包括第二元件。
当时间相对术语例如“在……之后”、“随后”、“接着”、“在……之前”等用于描述元件或配置的过程或操作，或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，除非与术语“直接”或“立即”一起使用，否则这些术语可以用于描述非连续或非序列性的过程或操作。
另外，当提到任何大小、相对尺寸等时，应当考虑，元件或特征的数值或相应的信息(例如，水平、范围等)包括可能由各种因素(例如，过程因素、内部影响或外部影响、噪声等)引起的公差或误差范围，即使相关描述未被具体说明。此外，术语“可以”完全涵盖术语“可能”的所有含义。
在下文中，参照附图来详细描述本公开内容的实施方式。
图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的系统配置的图。
根据本公开内容的实施方式，显示装置可以包括用于显示图像或输出光的面板PNL和用于驱动面板PNL的驱动电路。
面板PNL可以包括多个数据线DL、多个栅极线GL以及由多个数据线DL和多个栅极线GL限定并且以矩阵类型布置的多个子像素SP。
在面板PNL中，多个数据线DL和多个栅极线GL可以被设置成彼此交叉。例如，多个栅极线GL可以被布置成行或列，并且多个数据线DL可以被布置成列或行。为了便于描述，下面假设多个栅极线GL被布置成行，并且多个数据线DL被布置成列。
根据例如子像素结构，面板PNL可以具有其他种类的信号线以及多个数据线DL和多个栅极线GL。面板PNL还可以具有驱动电压线、参考电压线或公共电压线。
设置在面板PNL上的信号线的种类可以根据例如子像素结构或面板类型而变化。在本公开内容中，信号线的概念可以包括施加信号的电极。
面板PNL可以包括用于显示图片或图像的有源区域A/A和在有源区域A/A周围不显示图像的非有源区域N/A。非有源区域N/A也被称为边框区域。
有源区域A/A包括用于显示图像的多个子像素SP。
非有源区域N/A具有用于与数据驱动器DDR电连接的焊盘区域，并且可以具有用于连接焊盘区域与多个数据线DL的多个数据链路线。多个数据链路线可以是多个数据线DL至非有源区域N/A的延伸，或者可以是与多个数据线DL电连接的单独的图案。
非有源区域N/A还可以包括与栅极驱动有关的线，以通过与数据驱动器DDR电连接的焊盘将用于栅极驱动所需的电压(信号)传输至栅极驱动器GDR。例如，与栅极驱动有关的线可以包括用于传输时钟信号的时钟线、用于传输栅极电压VGH和VGL的栅极电压线以及用于传输生成扫描信号所需的各种控制信号的栅极驱动控制信号线。与设置在有源区域A/A中的栅极线GL不同，与栅极驱动有关的线设置在非有源区域N/A中。
驱动电路可以包括用于驱动多个显示装置的数据驱动器DDR、用于驱动多个栅极线GL的栅极驱动器GDR以及用于控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的控制器CTR。
数据驱动器DDR可以通过向多个数据线DL输出数据电压来驱动多个数据线DL。
栅极驱动器GDR可以通过向多个栅极线GL输出扫描信号来驱动多个栅极线GL。
控制器CTR可以通过供应用于数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的驱动操作所需的各种控制信号DCS和GCS来控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的驱动操作。此外，控制器CTR可以向数据驱动器DDR供应图像数据DATA。
控制器CTR根据在每个帧中实现的定时开始扫描，将从外部输入的输入图像数据转换为适合于数据驱动器DDR中使用的数据信号格式的图像数据DATA，输出图像数据DATA，并且在适合于扫描的适当时间处控制数据驱动。
为了控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR，控制器CTR从外部(例如，主机系统)接收定时信号，例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、输入数据使能信号(数据使能，DE)或时钟信号CLK，生成各种控制信号，并且将控制信号输出至数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR。
作为示例，为了控制栅极驱动器GDR，控制器CTR输出各种栅极控制信号GCS，包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC和栅极输出使能信号(栅极输出使能，GOE)。
为了控制数据驱动器DDR，控制器CTR输出各种数据控制信号DCS，包括例如源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC和源极输出使能信号(源极输出使能，SOE)。
控制器CTR可以是典型的显示技术中使用的定时控制器，或者可以执行其他控制功能以及定时控制器的功能的控制装置。
控制器CTR可以被实现为与数据驱动器DDR分立的部件，或者控制器CTR与数据驱动器DDR一起可以被实现为集成电路。
数据驱动器DDR从控制器CTR接收图像数据DATA，并且将数据电压供应至多个数据线DL，从而驱动多个数据线DL。此处，数据驱动器DDR也被称为源极驱动器。
数据驱动器DDR可以经由各种接口与控制器CTR交换各种信号。
栅极驱动器GDR通过向多个栅极线GL顺序地供应扫描信号来顺序地驱动多个栅极线GL。此处，栅极驱动器GDR也被称为扫描驱动器。
栅极驱动器GDR在控制器CTR的控制下将导通电压或截止电压的扫描信号顺序地供应至多个栅极线GL。
当特定的栅极线被栅极驱动器GDR打开时，数据驱动器DDR将从控制器CTR接收到的图像数据DATA转换为模拟数据电压，并且向多个数据线DL供应模拟数据电压。
数据驱动器DDR可以定位在面板PNL的仅一侧(例如，顶侧或底侧)上，并且在一些情况下，根据例如驱动方案或面板设计，数据驱动器DDR可以定位在面板PNL的两个相对侧中的每一侧(例如，顶侧和底侧两者)上。
栅极驱动器GDR可以定位在面板PNL的仅一侧(例如，左侧或右侧)上，并且在一些情况下，根据例如驱动方案或面板设计，栅极驱动器GDR可以定位在面板PNL的两个相对侧中的每一侧(例如，左侧和右侧两者)上。
数据驱动器DDR可以包括一个或更多个源极驱动器集成电路(SDIC)。
每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器(DAC)和输出缓冲器。在一些情况下，数据驱动器DDR还可以包括一个或更多个模数转换器ADC。
每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以以带式自动接合(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接至面板PNL的接合焊盘，或者可以直接设置在面板PNL上。在一些情况下，每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以集成并设置在面板PNL上。每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以以膜上芯片(COF)类型实现。在这种情况下，每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以安装在电路膜上并且通过该电路膜与面板PNL的数据线DL电连接。
栅极驱动器GDR可以包括多个栅极驱动电路GDC。多个栅极驱动电路可以分别对应于多个栅极线GL。
每个栅极驱动电路GDC可以包括例如移位寄存器和电平移位器。
每个栅极驱动电路GDC可以以带式自动接合(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接至面板PNL的接合焊盘。每个栅极驱动电路GDC可以以膜上芯片(COF)方案实现。在这种情况下，每个栅极驱动电路GDC可以安装在电路膜上并且通过该电路膜与面板PNL的栅极线GL电连接。每个栅极驱动电路GDC可以以板内栅极(GIP)类型实现并且被嵌入面板PNL中。换句话说，每个栅极驱动电路GDC可以直接形成在面板PNL上。
图2是示出示例3T(晶体管)1C(电容器)结构的图，在该示例3T(晶体管)1C(电容器)结构中，一个子像素还包括电连接在驱动晶体管的第二节点与参考电压线之间的第二晶体管。
参照图2，第二晶体管T2可以电连接在驱动晶体管DRT的第二节点N2与参考电压线RVL之间，并且通过栅极节点接收第二扫描信号SCAN2以对其导通/关断进行控制。
有机发光二极管OLED的阳极(也称为像素电极)可以电连接至驱动晶体管DRT的第二节点N2。有机发光二极管OLED的阴极(也称为公共电极)可以具有向其施加的基极电压EVSS。
第二晶体管T2的漏极节点或源极节点可以与参考电压线RVL电连接，并且第二晶体管T2的源极节点或漏极节点可以与驱动晶体管DRT的第二节点N2电连接。
第二晶体管T2可以例如在显示驱动时间段中导通，并且可以在用于感测驱动晶体管DRT的特征值或有机发光二极管(OLED)的特征值的感测驱动时间段中导通。
与相关的驱动定时(例如，显示驱动定时或感测驱动时间段中的初始化定时)同步，第二晶体管T2可以通过第二扫描信号SCAN2导通，将供应至参考电压线RVL的参考电压Vref传输至驱动晶体管DRT的第二节点N2。
与相关的驱动定时(例如，感测驱动时间段中的采样定时)同步，第二晶体管T2可以通过第二扫描信号SCAN2导通，将驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压传输至参考电压线RVL。
换句话说，第二晶体管T2可以控制驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压状态，或者将驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压传输至参考电压线RVL。
参考电压线RVL可以与模数转换器电连接，该模数转换器感测参考电压线RVL的电压、将该电压转换为数字值并且输出包括该数字值的感测数据。
模数转换器可以包括在实现数据驱动器DDR的源极驱动器集成电路(SDIC)中。
从模数转换器输出的感测数据可以用于感测驱动晶体管DRT的特征值(例如，阈值电压或迁移率)或有机发光显示二极管(OLED)的特征值(例如，阈值电压)。
电容器Cst可以是有意设计为在驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是作为存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间的内部电容器的寄生电容器(例如，Cgs或Cgd)。
驱动晶体管DRT的第三节点N3可以是漏极节点或源极节点，其中可以向漏极节点或源极节点施加驱动电压EVDD。第三节点N3可以电连接至驱动电压线DVL，其中通过该驱动电压线DVL提供驱动电压EVDD。
存储电容器Cst可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间，以在单帧时间(或预定时间)期间维持与图像信号电压相对应的数据电压Vdata或与数据电压Vdata相对应的电压。
驱动晶体管DRT、第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每一个可以是n型晶体管或p型晶体管。
第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2可以是分离的栅极信号。在这种情况下，第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2可以通过不同的栅极线被分别施加至第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。
在一些情况下，第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2可以是相同的栅极信号。在这种情况下，第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2可以通过相同的栅极线被共同施加至第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。
图2中所示的每个子像素结构仅是示例，并且可以省略或添加一个或更多个晶体管，并且在一些情况下，可以添加一个或更多个电容器。
多个子像素可以具有相同的结构，或者多个子像素中的一些可以具有不同的结构。
面板PNL的亮度可以根据从布置在有源区域A/A中并且露出于外部的有机发光二极管(OLED)发射的光的量而变化。换句话说，随着从OLED发射并提取的光的量增加，面板PNL的亮度可能增加。下面描述具有带有提高的光提取的结构的薄膜晶体管阵列膜的结构。
设置在有源区域中的多个子像素中的至少一个子像素可以包括在绝缘膜中的至少一个凹部。
下面参照各种附图更详细地描述有机发光显示面板。
图3是示出包括在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示面板的有源区域中的发光部和非发光部的平面图。图4是示出沿图3的线A-B截取的区域和焊盘区域的一部分的截面图。图4可以仅示出设置在一个子像素SP和部分区域中的部分配置，例如设置在焊盘区域和部分区域中的部分配置。
参照图3，在有源区域A/A中设置有多个发光部EA和多个非发光部NEA。
如图3所示，至少两个或更多个子像素SP的发光部EA可以具有不同的尺寸，但是本公开内容的实施方式不限于此。
设置在有源区域A/A中的每个子像素SP可以包括多个发光部EA1和EA2。
具体地，一个子像素SP可以包括第一发光部EA1和围绕第一发光部EA1的第二发光部EA2。
可以在第一发光部EA1与第二发光部EA2之间设置第一非发光部NEA1。
换句话说，第一发光部EA1和第二发光部EA2可以通过第一非发光部NEA1彼此区分。
第一非发光部NEA1在尺寸上可以小于第一发光部EA1和第二发光部EA2。
当显示装置处于开启状态时第一非发光部NEA1可以处于黑色状态，或者由于从第一发光部EA1和第二发光部EA2中的至少一个入射的光，因此第一非发光部NEA1可以具有比第一发光部EA1和第二发光部EA2低的亮度。
如图3所示，在平面图中，第一发光部EA1、第二发光部EA2和第一非发光部NEA1均可以是八边形的。然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，第一发光部EA1、第二发光部EA2和第一非发光部NEA1在形状上各自可以成形为圆形、椭圆形或多边形例如三角形、正方形或六边形，或者它们的组合。
一对第一发光部EA1和第二发光部EA2可以与另一对第一发光部EA1和第二发光部EA2间隔开，并且可以在一对第一发光部EA1和第二发光部EA2与另一对第一发光部EA1和第二发光部EA2之间设置第二非发光部NEA2。
第二非发光部NEA2可以是与其中设置有用于驱动第一发光部EA1和第二发光部EA2的电路的电路区域全部或部分对应的区域。
当显示装置处于开启状态时，第二非发光部NEA2可以处于黑色状态，或者由于从第二发光部EA2入射的光而可以具有比第一发光部EA1和第二发光部EA2低的亮度。
当第一非发光部NEA1和第二非发光部NEA2具有比第一发光部EA1和第二发光部EA2低的亮度时，第一非发光部NEA1的亮度可以比第二非发光部NEA2的亮度高，但是本公开内容的实施方式不限于此。
参照图4，在有源区域A/A(沿线A-B截取的区域)中设置有：设置在基板410上的晶体管TR和与晶体管TR电连接的有机发光二极管(OLED)。在非有源区域N/A中存在至少一个焊盘区域。
晶体管TR包括有源层421、栅电极423、源电极424和漏电极425。
有机发光二极管(OLED)包括第一电极450、包括发光层的有机层460和第二电极470。第一电极450可以是阳极电极，并且第二电极470可以是阴极电极，但是本公开内容的实施方式不限于此。
具体地，在基板410上设置缓冲层411。在缓冲层411上设置晶体管TR的有源层421。在有源层421上设置栅极绝缘膜422，并且在栅极绝缘膜422上设置栅电极423。
虽然在图4中未示出，但是根据本公开内容的实施方式，有源层421可以包括沟道区域，并且有源层421的沟道区域可以与栅极绝缘膜422和栅电极423交叠。换句话说，栅极绝缘膜422和栅电极423可以设置在有源层421的沟道区域上。
在栅电极423上设置层间绝缘膜412。在层间绝缘膜412上设置源电极424和漏电极425。源电极424和漏电极425可以在层间绝缘膜412上彼此间隔开。源电极424和漏电极425各自可以通过形成在层间绝缘膜412中的孔与有源层421接触。
虽然在上述结构中晶体管TR可以设置在基板410上，但是本公开内容的晶体管结构不限于此。
例如，栅电极423可以设置在基板410上，有源层421可以设置在栅电极423上，源电极424可以设置成与有源层421的一端交叠，并且漏电极425可以设置成在有源层421上与有源层421的相对端交叠。
在覆盖晶体管TR的同时可以设置保护膜413。
可以在保护膜413上设置绝缘膜440。
绝缘膜440可以由有机材料形成，但是本公开内容的实施方式不限于此。
在一个子像素区域中，绝缘膜440可以具有至少一个凹部443。绝缘膜440可以具有围绕凹部443并且定位在凹部443周围的围绕部444。凹部443可以包括平坦部441和围绕平坦部441的倾斜部442。
凹部443的平坦部441的表面可以与基板410的表面平行，并且倾斜部442可以围绕平坦部441，并且可以在倾斜部442的表面与基板410的表面之间形成预定的角度。换句话说，倾斜部442的表面可以与基板410的表面不平行。
绝缘膜440可以具有与凹部443间隔开的接触孔CH。
在至少一个子像素区域中，第一电极450可以设置在绝缘膜440的凹部443和围绕部444上。
在与凹部443交叠的区域中，第一电极450包括：第一区域451，在第一区域451中第一电极450的顶表面与基板410的表面平行；以及从第一区域451延伸的第二区域452。在第二区域452中，在第一电极450的顶表面与基板410之间形成预定的角度。换句话说，第二区域452的表面可以与基板410的表面不平行。第一电极450包括从第二区域452延伸的第三区域453，并且在第三区域453中，第一电极450的顶表面与基板410的表面平行。第三区域453可以是与绝缘膜440的围绕部444交叠的区域。
如上所述，在至少一个子像素区域中，绝缘膜440可以包括与凹部443间隔开的至少一个接触孔CH，并且晶体管TR可以通过绝缘膜440的接触孔CH与有机发光二极管(OLED)的第一电极450电连接。
具体地，第一电极450可以与晶体管TR的源电极424或漏电极425电连接。
可以在有机发光二极管(OLED)的第一电极450的顶表面上设置至少一个突起454。
例如，如图4所示，可以在与第一电极450的第一区域至第三区域451、452和453对应的区域中在第一电极450的顶表面上设置突起454。
替选地，突起454可以设置在与设置有绝缘膜440的凹部443的区域对应的整个区域中，或者设置在与设置有绝缘膜440的围绕部444的区域对应的整个区域中。在这种情况下，突起454也可以设置在在接触孔CH中设置的第一电极450的顶表面上。
至少一个突起454可以与第一电极450一体地形成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，在至少一个突起454与第一电极450之间可以存在边界。
当在第一电极450的顶表面上设置多个突起454时，突起454中的一些可以彼此间隔开或被定位成彼此相邻。多个突起454可以以规则的间隔(包括间隔为0的情况)、以规则的尺寸或形状设置，或者可以以不同的间隔或以不同的尺寸或形状设置。
下面参照图5详细描述多个突起454的布置。
图5是示出在第一电极的顶表面上的多个突起的布置的图。
参照图5，可以沿多个行和多个列设置多个突起454。例如，多个突起454可以以矩阵形式设置。设置在同一行或同一列中的突起中的至少两个可以彼此相邻定位，但是本公开内容的实施方式不限于此。
多个突起454可以不规则地布置在第一电极450的顶表面上。在这种情况下，多个突起454可以具有不规则的尺寸和形状，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，多个突起454可以具有规则的尺寸或规则的形状。
多个突起454各自可以形成为各种形状，例如半球形、半球形体或多面体。在另一方面，突起454的截面可以形成为各种形状，例如圆形、椭圆形或多边形。
多个突起454可以与第一电极450一体地形成，如图4所示，或者多个突起454可以与第一电极450分开，如图5所示。
多个突起454和第一电极450可以包括彼此对应的材料或者可以包括不同的材料。
如图4所示，可以在绝缘膜440和第一电极450的一部分上设置堤480。
堤480可以包括：设置在第一电极450上的在与设置在绝缘膜440中的凹部443的一部分对应的区域中的第一部分481；以及设置在绝缘膜440和第一电极450上的在与设置在绝缘膜440中的围绕部444对应的区域中的第二部分482。
堤480可以被设置成使第一电极450的在与凹部443交叠的区域中的顶表面的一部分露出。换句话说，至少一个子像素可以具有其中第一电极450与堤480不交叠的区域。
可以在与堤480不交叠的第一电极450上设置具有发射层的有机层460。有机层460可以设置在与堤480不交叠的第一电极450的顶表面上。
有机层460可以具有与具有至少一个突起454的第一电极450的顶表面的形状对应的表面形状。也就是说，有机层460的表面形状可以具有沿设置在第一电极450的顶表面上的突起454的形状形成的表面形状。
第二电极470可以被设置为同时覆盖有机层460和堤480。
第二电极470在与有机层460交叠的区域中可以具有与有机层460的表面形状对应的表面形状。也就是说，第二电极470也可以具有沿突起454的形状形成的表面形状。
可以通过以直线度为特征的沉积或涂覆来形成有机发光二极管(OLED)的有机层460。例如，可以通过物理气相沉积(PVD)例如蒸发来形成有机层460。
通过该方法形成，有机层460可以在与水平表面具有预定角度的区域中具有第一厚度，并且在与水平表面平行的区域中具有第二厚度，其中第一厚度小于第二厚度。
例如，设置在与凹部443的倾斜部442对应的区域中的有机层460的厚度可以小于设置在被堤480露出的第一电极450的顶表面上的有机层460的厚度。此外，设置在与凹部443的倾斜部442对应的区域中的有机层460的厚度可以小于设置在绝缘膜440的围绕部444上的有机层460的厚度。
因此，当驱动有机发光二极管(OLED)时，有机层460的厚度相对小的区域即与凹部443的倾斜部442对应的区域可以具有最高电流密度，并且可以向与凹部443的倾斜部442对应的区域施加强电场。
在与凹部443的倾斜部442对应的区域中的有机发光二极管(OLED)的发光特性可以呈现出与在与凹部443的平坦部441对应的区域中的有机发光二极管(OLED)的发光特性不同，并且OLED可能被劣化。
根据本公开内容的实施方式，由于堤480被设置成覆盖凹部443的倾斜部442，所以可以防止OLED在与凹部443的倾斜部442对应的区域中被劣化，并且可以防止发光特性在每个区域呈现不同的现象。
然而，根据本公开内容的实施方式，针对有机层460的厚度条件不限于此，而是有机层460在每个位置可以具有对应的厚度。
同时，第一电极450可以包括光反射金属。虽然图4示出了其中第一电极450是单层的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此，而是第一电极450可以形成为多层结构。当第一电极450具有多层结构时，至少一个层可以包括光反射金属。
例如，第一电极450可以包括但不限于铝、钕、镍、钛、钽、铜(Cu)、银(Ag)和铝合金中的至少任意一个。
第二电极470可以包括透光或半透光导电材料。例如，第二电极470可以包括至少一种透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物或锡氧化物，或者可以包括半透光金属例如镁、银(Ag)或镁和银的合金。当源电极424包括半透光金属时，源电极424的厚度可以小于第一电极450的厚度。
设置在第一电极450的顶表面上的至少一个突起454可以包括硅(Si)、光反射金属或透明导电氧化物中的至少一个。
第一电极450可以设置为同时覆盖绝缘膜440的凹部443的平坦部441和倾斜部442。
因此，从包括发射层的有机层460发射的光的一部分可以透射通过第二电极470并且被提取至面板PNL的外部。
从有机层460发射的光的另一部分可以被引导至第一电极450，即设置在与平坦部441对应的位置中的第一电极450的第一部分451，并且被第一电极450反射或者通过设置在第一部分451的顶表面上的至少一个突起454被重新路由至源电极424，并且最后被提取至面板PNL的外部。
至少一个突起454可以允许被第一电极450反射并且因此未能被提取至外部的光被提取至外部。
具体地，在第一电极450的顶表面上形成突起454的表面可以相对于第一电极450的顶表面的延伸方向具有预定的斜率。当到形成突起454的倾斜表面的光的入射角在临界角内时，使得能够进行多次反射，从而可以提高光提取效率。
这样，至少一个突起454增加了提取至外部的光的量，从而减少了在有机发光二极管(OLED)中捕获的光。
从有机层460发射的光的又一部分可以被设置在第一电极450的设置在与倾斜部442对应的区域中的顶表面上的至少一个突起454重新路由，并且被提取至面板PNL的外部。
未被设置在倾斜部442上的突起454重新路由的光可以穿过第一突起454并且被包括光反射金属的第一电极450反射并且被提取至面板PNL的外部。
如上所述，将有机发光二极管(OLED)的第一电极450放置在绝缘膜440的凹部443的倾斜部442上，以及在第一电极450的顶表面上设置至少一个突起454可以提高有机发光显示面板的光提取效率。
如图4所示，还可以在与有源区域A/A中的第二非发光部NEA2对应的区域中设置与第二电极470接触的辅助电极AE(其也可以被称为辅助线)。
具体地，辅助电极430可以设置在层间绝缘膜412上。保护膜413、绝缘膜440和堤480可以具有用于使辅助电极430露出的孔。第二电极470可以通过形成在保护膜413、绝缘膜440和堤480中用于使辅助电极430露出的孔与辅助电极430接触。
例如，当有机发光显示面板是大尺寸显示面板时，由于第二电极470的电阻而可能发生电压降，从而导致面板的外围与中心之间的亮度的差异。然而，在有机发光显示面板中，根据本公开内容，与第二电极470接触的辅助电极430可以防止电压降。这可以防止当有机发光显示面板是大尺寸面板时可能出现的亮度的差异。
虽然图4示出了其中在每个子像素SP中设置一个辅助电极430的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，每多个子像素SP可以设置一个辅助电极430。
除非根据本公开内容的实施方式的有机发光显示面板是大尺寸面板，否则可以省略辅助电极430。
如图4所示，可以在有源区域A/A中设置存储电容器Cst。存储电容器Cst可以包括：第一存储电容器电极431，其设置在与栅电极423相同的层上；以及第二存储电容器电极432，其设置在与源电极424和漏电极425相同的层上，但是本公开内容的存储电容器Cst的结构不限于此。
根据本公开内容的实施方式，有机发光显示面板包括设置在非有源区域中的焊盘区域。可以在焊盘区域中设置多个焊盘电极433和434。
例如，第一焊盘电极433可以设置在在焊盘区域中设置的栅极绝缘膜422上。层间绝缘膜412可以设置在第一焊盘电极433上以使第一焊盘电极433的顶表面的一部分露出。可以在第一焊盘电极433和层间绝缘膜412上设置与第一焊盘电极433接触的第二焊盘电极434。
虽然在图4中未示出，但是第二焊盘电极434可以与各种电路膜电连接。
下面参照图6至图8更详细地描述根据本公开内容的实施方式的有机发光显示面板的结构和光路。
图6是示出图4的区域X的放大图。图7是示出图4的区域Y的放大图。图8是示出图4的区域Z的放大图。
参照图6，至少一个子像素SP可以包括至少一个发射区域EA，并且一个发射区域EA可以包括至少两个发光部EA1和EA2。可以在两个发光部EA1与EA2之间设置一个非发光部NEA1。
具体地，第一发光部EA1可以是与绝缘膜440的凹部443的一部分对应的区域。
在另一方面，第一发光部EA1可以是在凹部443的平坦部441中与堤480的第一部分481不交叠的区域。
第一发光部EA1可以是其中从有机层460发射的光的部分L1经由有机层460和第二电极470被提取至面板PNL的外部的区域。
第一发光部EA1可以是其中从有机层460发射的光的部分L1(在下文中可以被称为第一光)到达第一电极450处、被第一电极450反射并且经由有机层460和第二电极470被提取至面板PNL的外部的区域。
第一发光部EA1可以被第一非发光部NEA1围绕。
第一非发光部NEA1可以对应于其中堤480与凹部443的平坦部441交叠的区域。具体地，第一非发光部NEA1可以对应于其中堤480的第一部分481与凹部443的平坦部441交叠的区域。
第一非发光部NEA1可以是其中从有机层460发射的光的部分L3被引导至与堤480的第一部分481对应的区域但是可以不被提取至外部的区域。换句话说，第一非发光部NEA1可以是其中从有机层460沿平行于平坦部441的方向发射的光到达第一电极450处但是被捕获在子像素中而不是被反射至外部的区域。
第二发光部EA2可以被设置成围绕第一非发光部NEA1。第二发光部EA2可以是与其中第一电极450与凹部443的倾斜部442交叠的区域对应的区域。在另一方面，第二发光部EA2可以是与第一电极450的第二区域452对应的区域。
从有机层460发射的光的部分L2(在下文中可以被称为第二光)可以被引导至与第一电极450的第二区域452对应的区域。
具体地，第二光L2穿过堤480的第一部分481行进至与第一电极450的第二区域452的一部分对应的区域。在到达第一电极450后，第二光L2被第一电极450反射并且通过堤480的第一部分481、有机层460和第二电极470被提取至外部。当第二光L2被如此提取时，形成第二发光部EA2。
设置在第一发光部EA1与第二发光部EA2之间的第一非发光部NEA1可以是混合有来自第一发光部EA1的可见光线和来自第二发光部EA2的可见光线的区域，但是本公开内容的实施方式不限于此。
第二非发光部NEA2可以被设置成围绕第二发光部EA2。第二非发光部NEA2可以对应于其中设置堤480的第二部分482的区域。
在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示面板中，凹部443的倾斜部442和设置在凹部443的倾斜部442上的堤480可以具有特定条件，以增加从第二发光部EA2提取的光的量。
参照图7，绝缘膜440的倾斜部442的高度H1(或凹部的深度)可以为0.7μm或更大。倾斜部442的高度H1是指从以下线至围绕部444的最小距离：该线从凹部443的平坦部441的表面沿平行于基板410的表面延伸。
根据本公开内容的实施方式，绝缘膜440的其中定位有凹部443的倾斜部442的高度H1不限于上述值。例如，高度H1可以是绝缘膜440下方的部件不被绝缘膜440的凹部443露出的任意高度。
倾斜部442的高度H1可以大于设置在绝缘膜440的围绕部444上的堤480的高度H2。在另一方面，倾斜部442的高度H1可以等于堤480的第二部分的高度H2。
这样，随着倾斜部442的高度H1增加，在第一电极450的第二区域452中反射的光的量增加，从而提高了光提取效率。
凹部443的倾斜部442与水平表面之间的角度a可以不小于27°并且小于80°。
当角度a小于27°时，从有机层460发射的光可能无法到达设置在倾斜部442上的第一电极450处，而是可能会被传递至另一相邻的子像素，从而导致颜色混合，或者可能被捕获在面板PNL中而不被提取至外部。
当角度a超过80°时，在例如设置在绝缘膜440的倾斜部上的第一电极450中可能发生开路。
在与凹部443的倾斜部442对应的区域中，堤480与第一电极450的表面之间的距离W可以不超过3.2μm、不超过2.6μm或者不超过2.0μm。
在另一方面，在第一电极450的第二区域452中，堤480与第一电极450的表面之间的距离W可以不超过3.2μm、不超过2.6μm或者不超过2.0μm。
随着W减小，可以扩大第一发光部EA1，并且可以缩短从第二区域452反射和提取的光的光路，从而提高了光提取效率。因此，W的下限虽然没有特别限制，但是可以不小于0.1μm、不小于0.3μm或者不小于0.5μm。
通过如上面这样调整W的范围，可以增大第一发光部EA1，并且可以提高有机发光显示面板中的光提取效率。
在从有机层460发射的光中，到达与第一电极450的第二区域452的一部分对应的区域处的第二光L2至少两次穿过堤480，直到被提取至面板的外部为止。
当堤480包括有色有机材料或有色无机材料时，可见光波长光谱中的短波长的光可以被吸收并且因此不穿过堤480和其中提取第二光L2的第二发光部EA2，并且可以改变其中第一光L1被提取至外部的第一发光部EA1的颜色坐标。例如，第二发光部EA2的颜色坐标可以被移位至比第一发光部EA1的颜色坐标的波长带更长的波长带。
当堤480包括透明有机材料或透明无机材料时，从第一发光部EA1发射的光的颜色坐标可以对应于从第二发光部EA2发射的光的颜色坐标。
在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中，也可以通过设置在接触孔CH中的第一电极450的至少一个突起454来实现光提取。
下面参照图8对此进行描述。
参照图8，从有机层460发射的光的部分L4可以通过设置在接触孔CH中的至少一个突起454被提取至面板PNL的外部，在接触孔CH中，第一电极450与薄膜晶体管TR的漏电极425连接。
具体地，从包括发射层的有机层460发射的光的部分L4可以被引导至与堤480的第一部分481对应的区域，并且光L4的未被堤480吸收的光线可以透射通过绝缘膜440到达设置在接触孔CH中的第一电极450。
根据设置在接触孔CH中的第一电极450的厚度，已经到达第一电极450处的光可以被第一电极450吸收或通过设置在第一电极450的顶表面上的至少一个突起454被提取至面板PNL的外部。
例如，当包括光反射材料的第一电极450足够薄时，到达设置在接触孔CH中的第一电极450处的光可以到达设置在第一电极450的顶表面上的突起454，并且突起454可以引导光L4以将其反射并提取至面板PNL的外部。
在这种情况下，与图6的第二发光部EA2相比，可以增大第二发光部EA2。
换句话说，在一个子像素中，第二发光部EA2可以包含：其中第一电极450与绝缘膜440的凹部443的倾斜部442交叠的区域直到其中第一电极450设置在绝缘膜440的接触孔CH(其中第一电极与薄膜晶体管接触的接触孔)的至少一个侧表面上的区域为止。
然而，在这种情况下，当第二发光部EA2远离第一电极450与倾斜部442交叠的区域时，第二发光部EA2的亮度可能会降低。
这种结构允许在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的有源区域中的较大的发射区域。
下面参照图9讨论根据本公开内容的实施方式的显示装置的效果。
图9是示出根据比较例的有机发光显示装置和根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的光提取效率和取决于视角的(通过从外部辐射的光自动调整的)对比度的曲线图。
根据比较例的有机发光显示装置缺少如图4所示的在绝缘膜440中的凹部443以及在第一电极450的顶表面上的突起454，而根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置具有图4的结构。
参照图9，当根据比较例的显示装置的光提取效率为100％时，根据本实施方式的有机发光显示装置的光提取效率为116％，根据本实施方式的有机发光显示装置的光提取效率高于比较例的显示装置的光提取效率。
还可以确定，尽管具有在与第一发光部和第二发光部对应的区域中的绝缘膜440的凹部443以及在第一电极450的顶表面上的至少一个突起454，但是根据本实施方式的有机发光显示装置与根据比较例的有机发光显示装置的对比度没有差异。
这样，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置可以在不劣化视角特性的情况下提高光提取效率。
虽然图4至图8示出了其中在第一电极450的整个顶表面上设置有多个突起454的示例，但是本公开内容的实施方式不限于此。
下面参照图10讨论第一电极450的顶表面上的突起454的另一布置。
图10是示出根据本公开内容的另一实施方式的有机发光显示装置的截面图。
下面不再重复描述与上述的配置和效果基本相同的配置和效果。
参照图10，可以在第一电极1050的顶表面上设置至少一个突起1054。
可以在第一电极1050的设置在与其中设置有绝缘膜440中的凹部443的区域对应的区域中的顶表面的一部分上设置突起1054。具体地，可以在第一电极1050的设置在与其中设置有凹部443的倾斜部442的区域对应的区域中的顶表面上设置至少一个突起1054，但是可以在第一电极1050的设置在与其中设置有凹部443的平坦部441的区域对应的区域中的顶表面上不设置至少一个突起1054。
突起1054可以设置在第一电极1050的设置在与其中设置有绝缘膜440的围绕部444的区域对应的区域中的整个顶表面上。
从有机层460发射的光的部分可以被设置在第一电极450的设置在与倾斜部442对应的区域中的顶表面上的至少一个突起454重新路由，并且被提取至面板PNL的外部。
这可以防止当从一个子像素发射的光行进至另一子像素时可能发生的光泄漏，同时提高光提取效率。
如上所述，由于在第一电极1050的设置在与其中设置有绝缘膜440的平坦部441的区域对应的区域中的顶表面上未设置突起1054，因此可以在与其中设置有绝缘膜440的平坦部441的区域对应的区域中使第一电极1050的表面平坦化。
因此，如图10所示，可以使设置在第一电极1050的被堤480露出的顶表面上的有机层1060的表面平整化。
此外，可以使源电极424的在与有机层1060交叠的区域中的表面平坦化。
虽然图10示出了在第一电极1050的设置在与其中设置有凹部443的平坦部441的区域对应的区域中的整个顶表面中未设置多个突起1054的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，这种配置可以满足其中可以在第一电极1050的在与其中设置有绝缘膜440的凹部443的区域对应的区域中的顶表面的一部分上设置突起1054或者可以在第一电极1050的在与其中设置有绝缘膜440的围绕部444的区域对应的区域中的顶表面的一部分上设置突起1054。
这样，设置在与设置有凹部443的平坦部441的区域对应的区域中的突起454的密度可以与设置在与设置有凹部443的倾斜部442的区域对应的区域中的突起454的密度不同。
虽然图4至图8和图10示出了其中有机发光二极管(OLED)的有机层460或1060设置在被堤480露出的第一电极450或1050上的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此。
下面参照图11描述根据本公开内容的另一实施方式的有机发光显示装置的结构。
图11是示出根据本公开内容的又一实施方式的有机发光显示装置的截面图。
下面不再重复描述与上述配置和效果基本相同的配置和效果。
在图11的结构中，与图4的结构不同，有机发光二极管(OLED)的有机层1160可以与第一电极450交叠并且可以被设置在与堤480的顶表面交叠的区域中。
在这种情况下，为了使得第二电极1170和辅助电极430能够彼此接触，堤480可以具有这种结构：在形成有机层1160的过程中防止有机层1160的材料沉积在辅助电极430上。
具体地，如图11所示，堤480可以被成形为在使辅助电极430露出的孔周围的区域中随着堤480远离基板410而变窄。换句话说，随着堤480越远离基板410，堤480的使辅助电极430露出的孔的口可以变得越窄。
作为用于形成有机层1160的过程，可以采用其中源材料以直线度为特征的沉积或涂覆。例如，可以使用蒸发。作为形成第二电极1170的过程，可以使用其中源材料具有不规则方向性的沉积或涂覆。例如，可以使用溅射。
因为堤480的使辅助电极430露出的孔的口是窄的，所以由于有机层1160的处理特性，因此有机层1160可能未设置在辅助电极430上。虽然堤480的孔的口是窄的，但是由于第二电极1170的处理特性，因此第二电极1170的源材料可以进入孔，所以在辅助电极430上也可以形成第二电极1170。
根据本公开内容的实施方式的有机发光显示面板可以具有至少一个像素，并且一个像素可以具有至少两个子像素。
每个子像素可以具有一个第一电极。
可以在设置在有机发光显示面板中包括的多个子像素中的至少一个子像素中的第一电极的顶表面上设置至少一个突起。
下面参照图12至图16描述其中在包括多个子像素的一个像素中的第一电极的顶表面上设置突起的配置。
图12、图13、图14、图15和图16是示出在一个像素中的第一电极的顶表面上的突起的图。
下面不再重复描述与上述配置和效果基本相同的配置和效果。
参照图12，一个像素P可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。虽然图12示出其中一个像素P包括四个子像素的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此，并且满足一个像素P具有两个或更多个子像素。
根据本公开内容的实施方式，第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以发射不同颜色的光。例如，第一子像素SP1可以是用于发射红色光的子像素，第二子像素SP2可以是用于发射绿色光的子像素，第三子像素SP3可以是用于发射蓝色光的子像素，并且第四子像素SP4可以是用于发射白色光的子像素。
然而，上述配置仅是示例，并且在本实施方式中，满足第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的至少两个子像素发射不同颜色的光。
有机发光二极管(OLED)的第一电极450可以设置在第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中。可以在第一电极450的顶表面上设置多个突起1254。
分别设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的突起1254在尺寸和形状上可以彼此对应。
在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中，设置在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的多个突起1254可以彼此间隔开，并且因此，不同的突起1254可以以恒定间距保持。
虽然图4至图11示出了其中在由单层形成的第一电极450的顶表面上设置突起1254的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此。
例如，可以在绝缘膜440上设置在其上具有多个突起1258a的无机膜1258，并且可以在无机膜1258上设置第一电极450。在这种情况下，第一电极450的表面的形状可以对应于无机膜1258的表面的形状。
可以在绝缘膜440上设置包括光反射金属或透明导电材料的多个突起1254。可以在多个突起1268上设置第一电极450。第一电极450的表面的形状可以对应于多个突起1268的表面的形状。
虽然图12示出了其中第一电极450是单层的配置，但是本公开内容的实施方式不限于此，而是第一电极450可以形成为多层结构。当第一电极450具有多层结构时，至少一个层可以包括光反射金属。
然而，本公开内容的实施方式不限于此。如图13所示，设置在第一子像素SP1中的突起1354的尺寸、设置在第二子像素SP2中的突起1355的尺寸以及设置在第三子像素SP3中的突起1356的尺寸可以彼此不同。设置在第三子像素SP3中的突起1356的尺寸可以对应于设置在第四子像素SP4中的突起1357的尺寸。
例如，设置在第一子像素SP1中的突起1354的尺寸可以大于设置在第二子像素SP2中的突起1355的尺寸，并且设置在第二子像素SP2中的突起1355的尺寸可以大于设置在第三子像素SP3和第四子像素SP4中的突起1356和1357的尺寸。然而，上述尺寸关系仅是示例。
换句话说，在至少两个子像素中的突起的尺寸可以彼此不同。
为了便于描述，虽然图13示出了其中设置在一个子像素中的多个突起具有相同尺寸的示例，但是在一个子像素中的突起可以具有不同的尺寸。
虽然图13示出了其中在至少两个子像素中的突起具有不同的尺寸的配置，但是根据本公开内容的实施方式，在至少两个子像素中的突起可以具有不同的形状。
如图13所示，设置在至少一个子像素SP4中的多个突起1357可以彼此间隔开，并且彼此相邻的突起1357可以具有不同的间隔d1和d2。
根据本公开内容的实施方式，至少两个子像素可以具有不同的突起密度。例如，设置在第三子像素SP3中的突起1356的密度可以大于设置在第四子像素SP4中的突起1357的密度。
如图14至图16所示，至少一个子像素可以不具有设置在第一电极450的顶表面上的突起。
例如，如图14所示，可以在仅设置在第一子像素SP1中的第一电极450的顶表面上设置多个突起1254，或者如图15所示，可以在仅设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的第一电极450的顶表面上设置多个突起1254，或者如图16所示，可以在仅设置在第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3中的第一电极450的顶表面上设置多个突起1254，但是本公开内容的实施方式不限于此。
如上所述，根据本公开内容的实施方式，设置在第一电极的顶表面上的突起的尺寸和密度(突起间间距)中的至少一个可以在发射不同颜色的光的至少两个子像素之间不同。
换句话说，根据本公开内容的实施方式，考虑到设置在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的有机发光二极管(OLED)的光学特性或元件特性，可以在第一电极450的顶表面上设置以各种方式修改的突起。
根据本公开内容的实施方式，由于有机发光二极管(OLED)的第一电极设置在凹部443的倾斜部上，并且在第一电极的顶表面上设置有至少一个突起，因此有机发光显示面板和有机发光显示装置可以具有带有提高的光提取效率的结构。
根据本公开内容的实施方式，可以提供具有能够防止两个相邻子像素之间的颜色混合的结构的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
根据本公开内容的实施方式，可以提供在有源区域中具有增加的发射区域的有机发光显示面板和有机发光显示装置。
本公开内容还提供了以下配置。
1.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括具有多个子像素的有源区域，所述有机发光显示面板包括：
基板；
设置在所述基板上的绝缘膜，并且在所述有源区域的至少一个子像素中，所述绝缘膜包括至少一个凹部，所述至少一个凹部包括平坦部和围绕所述平坦部的倾斜部；
第一电极，在所述至少一个子像素区域中，所述第一电极设置在所述凹部的一部分和设置在所述凹部周围的围绕部上，所述第一电极在其表面上包括至少一个突起；
堤，所述堤包括：设置在所述第一电极上的在与所述凹部的一部分对应的区域中的第一部分；以及设置在所述绝缘膜和所述第一电极上的在与所述围绕部对应的区域中的第二部分；
与所述凹部交叠并且设置在所述第一电极上的有机层，所述有机层具有与在所述第一电极上具有所述突起的所述第一电极的顶表面的形状对应的表面形状；以及
设置在所述有机层和所述堤上的第二电极，所述第二电极在与所述有机层交叠的区域中具有与所述有机层的表面形状对应的表面形状。
2.根据1所述的有机发光显示面板，其中，所述第一电极包括光反射金属。
3.根据1所述的有机发光显示面板，其中，
在所述至少一个子像素区域中，
在所述基板上和所述绝缘膜下方设置至少一个薄膜晶体管，其中，
所述绝缘膜包括用于使所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的顶表面露出的接触孔，并且其中，
所述第一电极通过所述接触孔与所述源电极或所述漏电极电连接。
4.根据3所述的有机发光显示面板，其中，在设置在所述接触孔中的所述第一电极的顶表面上设置至少一个突起。
5.根据1所述的有机发光显示面板，其中，所述突起设置在在与设置有所述凹部的区域对应的区域中设置的所述第一电极的整个或部分顶表面上，并且其中，
所述突起设置在在与设置有所述围绕部的区域对应的区域中设置的所述第一电极的整个顶表面上。
6.根据1所述的有机发光显示面板，其中，在与设置有所述平坦部的区域对应的区域中不设置突起，并且所述突起设置在与设置有所述凹部的所述倾斜部的区域对应的区域中。
7.根据1所述的有机发光显示面板，其中，在与设置有所述凹部的所述平坦部的区域对应的区域中设置的所述突起的密度与在与设置有所述凹部的所述倾斜部的区域对应的区域中设置的所述突起的密度不同。
8.根据1所述的有机发光显示面板，其中，所述有机发光显示面板包括至少两个子像素，其中，
所述第一电极设置在所述子像素中的每一个中，并且其中，
设置在所述第一电极的顶表面上的所述突起的密度和尺寸中的至少一个在发射不同颜色的光的至少两个子像素之间不同。
9.根据1所述的有机发光显示面板，其中，所述子像素中的每一个包括发射区域，并且其中，
多个子像素中的至少一个子像素的发射区域包括第一发光部，在所述第一发光部中，所述堤的第一部分在所述凹部的所述平坦部中与所述第一电极不交叠。
10.根据9所述的有机发光显示面板，其中，所述发射区域包括：
围绕所述第一发光部的第二发光部，并且其中，
所述第二发光部对应于其中所述第一电极与所述凹部的所述倾斜部交叠的区域。
11.根据10所述的有机发光显示面板，其中，所述第一发光部的颜色坐标与所述第二发光部的颜色坐标不同。
12.根据10所述的有机发光显示面板，其中，在所述第一发光部与所述第二发光部之间设置第一非发光部。
13.根据12所述的有机发光显示面板，其中，所述第一非发光部在尺寸上小于所述第一发光部和所述第二发光部。
14.根据12所述的有机发光显示面板，其中，所述第一非发光部对应于其中所述堤的所述第一部分与所述凹部的所述平坦部交叠的区域。
15.根据10所述的有机发光显示面板，还包括围绕所述第二发光部的第二非发光部。
16.根据15所述的有机发光显示面板，其中，所述第二非发光部对应于其中设置有所述堤的所述第二部分的区域。
17.根据9所述的有机发光显示面板，其中，设置在所述多个发射区域中的至少一个发射区域中的第二发光部包括：其中所述第一电极与所述凹部的所述倾斜部交叠的区域直到其中所述第一电极设置在所述绝缘膜的接触孔的至少一个侧表面上的区域为止。
18.根据17所述的有机发光显示面板，其中，随着距所述第一电极与所述凹部的所述倾斜部交叠的区域的距离增加，所述第二发光部的亮度降低。
19.根据1所述的有机发光显示面板，其中，设置在所述至少一个子像素中的所述第一电极不包括所述突起。
20.根据1所述的有机发光显示面板，其中，所述有机发光显示面板还包括设置在所述绝缘膜下方的辅助电极，并且所述第二电极通过形成在所述绝缘膜和所述堤中的用于使所述辅助电极露出的孔与所述辅助电极接触。
21.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括具有多个子像素的有源区域，所述有机发光显示装置包括：
基板；
设置在所述基板上的绝缘膜，并且在至少一个子像素区域中，所述绝缘膜包括至少一个凹部，所述至少一个凹部包括平坦部和围绕所述平坦部的倾斜部；
第一电极，在所述至少一个子像素区域中，所述第一电极设置在所述凹部的一部分和设置在所述凹部周围的围绕部上，所述第一电极在其表面上包括至少一个突起；
堤，所述堤包括定位在所述凹部的一部分上的第一部分和定位在所述围绕部上的第二部分；
与所述凹部交叠并且设置在所述第一电极上的有机层，所述有机层具有与在所述第一电极上具有所述突起的所述第一电极的顶表面的形状对应的表面形状；以及
第二电极，所述第二电极在与所述有机层交叠的区域中具有与所述有机层的表面形状对应的表面形状，其中，
在设置有所述平坦部的区域中，其中所述第一电极与所述堤不交叠的区域是第一发光部，其中，
在设置有所述平坦部的区域中，其中所述堤与所述第一电极交叠的区域是第一非发光部，并且其中，
对应于所述倾斜部的区域是第二发光部。
22.根据21所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个子像素的所述第二发光部包括：其中所述第一电极与所述凹部的所述倾斜部交叠的区域直到其中所述第一电极设置在所述绝缘膜的接触孔的至少一个侧表面上的区域为止。
23.根据21所述的有机发光显示装置，还包括围绕所述第二发光部的第二非发光部。
24.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括具有多个子像素的有源区域，所述有机发光显示面板包括：
基板；
设置在所述基板上的绝缘膜，并且在所述有源区域的至少一个子像素中，所述绝缘膜包括至少一个凹部，所述至少一个凹部包括平坦部和围绕所述平坦部的倾斜部；
第一电极，在所述至少一个子像素区域中，所述第一电极设置在所述凹部的一部分和设置在所述凹部周围的围绕部上，所述第一电极在其表面上包括至少一个突起；
堤，所述堤包括：设置在所述第一电极上的在与所述凹部的一部分对应的区域中的第一部分；以及设置在所述绝缘膜和所述第一电极上的在与所述围绕部对应的区域中的第二部分；以及
与所述凹部交叠并且设置在所述第一电极上的有机层，
其中，所述倾斜部的高度大于等于所述堤的所述第二部分的高度。
已经给出了以上描述以使本领域的任何技术人员能够制造和使用本公开内容的技术构思，并且已经在特定应用及其要求的背景下提供了以上描述。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言将是明显的，并且在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，本文中限定的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。以上描述和附图提供了本公开内容的技术构思的示例仅用于说明的目的。即，所公开的实施方式旨在说明本公开内容的技术构思的范围。因此，本公开内容的范围不限于所示的实施方式，而是被赋予与权利要求书一致的最宽范围。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求书来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思都应当被解释为包括在本公开内容的范围内。
附图标记说明
440：绝缘膜
441：平坦部
442：倾斜部
443：凹部
444：围绕部
450：第一电极
454：突起
460：有机层
470：第二电极

Claims (10)

1.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括具有多个子像素的有源区域，所述有机发光显示面板包括：
基板；
设置在所述基板上的绝缘膜，并且在所述有源区域的至少一个子像素中，所述绝缘膜包括至少一个凹部，所述至少一个凹部包括平坦部和围绕所述平坦部的倾斜部；
第一电极，在所述至少一个子像素区域中，所述第一电极设置在所述凹部的一部分和设置在所述凹部周围的围绕部上，所述第一电极在其表面上包括至少一个突起；
堤，所述堤包括：设置在所述第一电极上的在与所述凹部的一部分对应的区域中的第一部分；以及设置在所述绝缘膜和所述第一电极上的在与所述围绕部对应的区域中的第二部分；
与所述凹部交叠并且设置在所述第一电极上的有机层，所述有机层具有与在所述第一电极上具有所述突起的所述第一电极的顶表面的形状对应的表面形状；以及
设置在所述有机层和所述堤上的第二电极，所述第二电极在与所述有机层交叠的区域中具有与所述有机层的表面形状对应的表面形状。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述第一电极包括光反射金属。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，
在所述至少一个子像素区域中，
在所述基板上和所述绝缘膜下方设置至少一个薄膜晶体管，其中，
所述绝缘膜包括用于使所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的顶表面露出的接触孔，并且其中，
所述第一电极通过所述接触孔与所述源电极或所述漏电极电连接。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板，其中，在设置在所述接触孔中的所述第一电极的顶表面上设置至少一个突起。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述突起设置在在与设置有所述凹部的区域对应的区域中设置的所述第一电极的整个或部分顶表面上，并且其中，
所述突起设置在在与设置有所述围绕部的区域对应的区域中设置的所述第一电极的整个顶表面上。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，在与设置有所述平坦部的区域对应的区域中不设置突起，并且所述突起设置在与设置有所述凹部的所述倾斜部的区域对应的区域中。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，在与设置有所述凹部的所述平坦部的区域对应的区域中设置的所述突起的密度与在与设置有所述凹部的所述倾斜部的区域对应的区域中设置的所述突起的密度不同。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述有机发光显示面板包括至少两个子像素，其中，
所述第一电极设置在所述子像素中的每一个中，并且其中，
设置在所述第一电极的顶表面上的所述突起的密度和尺寸中的至少一个在发射不同颜色的光的至少两个子像素之间不同。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述子像素中的每一个包括发射区域，并且其中，
多个子像素中的至少一个子像素的发射区域包括第一发光部，在所述第一发光部中，所述堤的第一部分在所述凹部的所述平坦部中与所述第一电极不交叠。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板，其中，所述发射区域包括：
围绕所述第一发光部的第二发光部，并且其中，
所述第二发光部对应于其中所述第一电极与所述凹部的所述倾斜部交叠的区域。
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