CN112968031A - 一种阵列基板及其制备方法与显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，所述阵列基板具有特点：利用平坦化层来代替钝化层和层间绝缘层；源漏极层与第一电极层合并为一导电层，使得所述第一电极层与第二有源层之间直接形成电容。相较于现有技术，制备所述阵列基板节省了两道光罩，具有简化制备工序、节约资源、提高生产效率的优点。

Description

一种阵列基板及其制备方法与显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法与显示面板。
背景技术
随着显示技术的迅猛发展，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具有自发光、对比度高、厚度薄、广视角和响应速度快等优点，而成为新一代平面显示技术的代表，其中，主动式有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light EmittingDiode,AMOLED)技术应用前景广阔。
现有的AMOLED显示面板主要包括：一包含薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)驱动电路的TFT阵列基板，以及设置于所述TFT阵列基板上的多个OLED显示器件，各个所述OLED显示器件均由对应的一TFT控制。现有AMOLED显示面板的TFT阵列基板存在缺陷：1、层数较多，制备工序繁琐；2、源漏极层的材质大多包括铜(Cu)，易发生氧化的问题，从而影响TFT阵列基板的性能。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，以改善现有TFT阵列基板存在的层数多、制备工序繁琐以及源漏极层易氧化的问题。
第一方面，本申请提供了一种阵列基板，包括：
一基板，划分有多个开关区和多个发光区；
一有源层，设置于所述基板上，包含位于所述开关区的第一有源层和位于所述发光区的第二有源层；
一栅极绝缘层，设置于所述第一有源层上，并且所述第一有源层在所述基板上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层在所述基板上的正投影；
一栅极层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述第一有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层层叠形成多个岛状结构；
一平坦化层，设置于所述基板的开关区和发光区上，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层，并设有多个接触孔，所述第一有源层局部裸露于所述接触孔中；以及
一导电层，设置于所述平坦化层上，包含位于所述开关区的源漏极层和位于所述发光区的第一电极层，所述源漏极层穿过所述接触孔以与所述第一有源层相连接，所述第一电极层与所述第二有源层之间形成电容。
在本申请的一些实施例中，所述第一电极层与所述源漏极层中的源极连接为一体化结构，以节省阵列基板的层数。
在本申请的一些实施例中，所述基板包括：
一衬底基板；以及
一遮光层，设置于所述衬底基板上，并位于所述开关区。
在本申请的一些实施例中，所述基板还包括：一缓冲层，设置于所述衬底基板和所述遮光层上，并覆盖所述开关区和所述发光区。
在本申请的一些实施例中，所述平坦化层上设有多个第一连接信号过孔，所述缓冲层上与各个所述第一连接信号过孔相对应的位置处设有一第二连接信号过孔，相对设置的一所述第一连接信号过孔和一所述第二连接信号过孔之间相通；所述源漏极层的源极穿过所述第一连接信号过孔和所述第二连接信号过孔以与所述遮光层相连接。
第二方面，本申请提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
制备一基板，所述基板上划分有多个开关区和多个发光区；
在所述基板上制备形成一有源层，所述有源层包含位于所述开关区的第一有源层和位于所述发光区的第二有源层；
在所述第一有源层上制备形成一栅极绝缘层和一栅极层，所述第一有源层在所述基板上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层在所述基板上的正投影，且所述第一有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层层叠形成多个岛状结构；
在所述基板上制备形成一平坦化层，所述平坦化层位于所述开关区和所述发光区上，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层，然后在所述平坦层上开设多个接触孔，以使所述第一有源层局部裸露于所述接触孔中；以及
在所述平坦化层上制备形成一导电层，所述导电层包含位于所述开关区的源漏极层和位于所述发光区的第一电极层，所述源漏极层穿过所述接触孔与所述第一有源层相连接，所述第一电极层与所述第二有源层之间形成电容。
在本申请的一些实施例中，所述在所述第一有源层上制备形成一栅极绝缘层和一栅极层，包括步骤：
在所述基板上制备形成整面的一栅极绝缘层，并且所述栅极绝缘层覆盖所述有源层；
在所述栅极绝缘层上制备形成整面的一栅极层，对所述栅极层进行图案化处理，以形成对应于所述第一有源层上方的一栅极层；以及
以所述栅极层的图案化结构为自对准，对所述栅极绝缘层进行图案化处理，以形成对应于所述栅极层下方的一栅极绝缘层。
在本申请的一些实施例中，所述制备一基板，包括步骤：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上预定义多个开关区和多个发光区；
在所述衬底基板上制备形成一遮光层，所述遮光层位于所述开关区；以及
在所述衬底基板和所述遮光层上制备形成一缓冲层，所述缓冲层覆盖所述开关区和所述发光区。
第三方面，本申请提供了一种显示面板，包括：
一如第一方面中所述的阵列基板，或如第二方面中所述的制备方法制得的阵列基板；以及
多个间隔设置的有机发光材料层，设置于所述阵列基板上，并位于所述发光区，所述第一电极层与所述有机发光材料层相连接。
在本申请的一些实施例中，所述显示面板为顶发光型有机发光二极管显示面板。
在本申请的技术方案中，所述阵列基板具有特点：1、利用平坦化层来代替钝化层和层间绝缘层，即所述阵列基板无钝化层和无层间绝缘层，从而减少所述阵列基板的层数；2、位于所述阵列基板顶部的所述第一电极层，与所述第二有源层之间直接形成电容；3、所述源漏极层与所述第一电极层合并为一导电层，所述导电层的材质可为透明导电薄膜，如ITO薄膜等，从而解决现有技术中的源漏极层因包含铜(Cu)而易发生氧化的问题。
相较于现有技术，制备所述阵列基板节省了两道光罩，即：由于位于所述阵列基板顶部的所述第一电极层，与所述第二有源层之间直接形成电容，所以无需额外制备一与所述第二有源层之间形成电容的导体层，从而节省了一导体层的黄光制程；另一方面，由于所述源漏极层与所述第一电极层合并为一导电层，所以仅需一道黄光制程即可，具有简化制备工序、节约资源、提高生产效率的优点。所述阵列基板可应用于显示面板中，尤其适用于OLED显示面板中。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S1.1和步骤S1.2后的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S1.3后的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S2后的结构示意图。
图5为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S3后的结构示意图。
图6为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S4后的结构示意图。
图7为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板可以为TFT阵列基板，所述TFT阵列基板上设有多个TFT，如图1至图6所示，所述阵列基板主要包括一基板1、一有源层2、一栅极绝缘层3、一栅极层4、一平坦化层5以及一导电层。
具体的，所述基板1划分有多个开关区11和多个发光区12。所述基板1主要包括一衬底基板13、一遮光层14以及一缓冲层15。所述遮光层14设置于所述衬底基板13上，并位于所述开关区11所述缓冲层15设置于所述衬底基板13和所述遮光层14上，并覆盖所述开关区11和所述发光区12。
所述衬底基板13可为刚性衬底，如：玻璃衬底等刚性衬底。所述衬底基板13也可为柔性衬底，具体可以为聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚碳酸脂(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)以及玻璃纤维增强塑料(FRP)中的至少一种。本申请实施例优选的，所述衬底基板13为玻璃衬底。
所述遮光层14为阵列分布的图案化结构，所述遮光层14为单层结构或多层结构，对应单层结构或多层结构中任一层的材质为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等单种金属，也可为合金，例如：钼钛镍(MoTiNi)合金。所述遮光层14的材质所述遮光层14的厚度为500埃至2000埃。本申请实施例优选的，所述遮光层14为单层结构，所述遮光层14的材质为Cu。
所述缓冲层15可为单层结构，所述单层结构的材质可为氧化硅(SiOx)薄膜或氮化硅(SiNx)薄膜。所述缓冲层15也可为多层结构，所述多层结构的材质可为SiNx薄膜和SiOx薄膜交替层叠设置形成的复合薄膜，或者所述多层结构中的任一层的材质为SiNx薄膜或SiOx薄膜。所述缓冲层15的厚度为1000埃至5000埃。本申请实施例优选的，所述缓冲层15为单层结构，所述缓冲层15的材质为SiOx薄膜。
所述有源层2设置于所述基板1上，并且所述有源层2为阵列分布的图案化结构，其包含位于所述开关区11的第一有源层21和所述发光区12的第二有源层22。所述有源层2的厚度为100埃至1000埃。所述有源层2为单层结构或多层结构，对应单层结构或多层结构中任一层的材质为金属氧化物半导体材料，例如：所述金属氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、铟镓锌锡氧化物(indium gallium zinc tin oxide,IGZTO)以及铟锡锌氧化物(indium tin zincoxide,IZTO)中的一种或多种。本申请实施例优选的，所述有源层2为单层结构，且所述有源层2的材质为IGZO。
所述第一有源层21包括：一沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的一源极接触区和一漏极接触区。所述源极接触区和所述漏极接触区为阻值较低的重掺杂N+层。所述第一有源层21位于所述遮光层14的上方，并且所述遮光层14在所述衬底基板13上的正投影完全覆盖所述第一有源层21在所述衬底基板13上的正投影，以避免出现所述第一有源层21因受光照而造成TFT阈值电压负漂的问题，有利于提升TFT的稳定性。
所述栅极绝缘层3设置于所述第一有源层21上，并且所述第一有源层21在所述基板1上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层3在所述基板1上的正投影。所述栅极绝缘层3为阵列分布的图案化结构。所述栅极绝缘层3可以是单层结构或多层结构，对应单层结构或所述多层结构中任一层的材质为SiOx薄膜或SiNx薄膜。所述栅极绝缘层3的总厚度为1000埃至3000埃。本申请实施例优选的，所述栅极绝缘层3为单层结构，且所述栅极绝缘层3的材质为SiOx薄膜。
所述栅极层4设置于所述栅极绝缘层3上，且所述第一有源层21、所述栅极绝缘层3和所述栅极层4层叠形成多个岛状结构，并且所述栅极层4对应于所述第一有源层21的沟道区。所述栅极层4为阵列分布的图案化结构。所述栅极层4为单层结构或多层结构，对应单层结构或多层结构中任一层的材质为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等单种金属，也可为合金，例如：钼钛镍(MoTiNi)合金。所述栅极层4的厚度为2000埃至8000埃。本申请实施例优选的，所述栅极层4为单层结构，所述栅极层4的材质为Cu。
所述平坦化层5设置于所述基板1的开关区11和发光区12上，并覆盖所述有源层2、所述栅极绝缘层3和所述栅极层4，并设有多个接触孔，所述第一有源层21局部裸露于所述接触孔51中。所述平坦化层5为单层结构，其材质为SiOx薄膜或SiNx薄膜，也可以是有机材料。所述平坦化层5的厚度为2000埃至10000埃。
所述接触孔51分为源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触区局部裸露于所述源极接触孔中，所述漏极接触区局部裸露于所述漏极接触孔中。每个TFT上形成一源极接触孔和一漏极接触孔。
所述平坦化层5上设有多个第一连接信号过孔52，所述缓冲层15上与各个所述第一连接信号过孔52相对应的位置处设有一第二连接信号过孔151，相对设置的一所述第一连接信号过孔52和一所述第二连接信号过孔151之间相通。每个TFT上形成一第一连接信号过孔52和一所述第二连接信号过孔151，所述遮光层14局部裸露于所述第一连接信号过孔52和所述第二连接信号过孔151中。
所述导电层设置于所述平坦化层5上，包含位于所述开关区11的源漏极层6和位于所述发光区12的第一电极层7，并且所述导电层为图案化结构。所述第一电极层7与所述源漏极层6中的源极61连接为一体化结构，即：所述第一电极层与所述源极61合并，以减少一层阵列基板的层数，并且所述第一电极层7与所述源漏极层6仅需一道黄光制程即可。所述第一电极层7可作为OLED发光单元的阳极层。
所述源漏极层6穿过所述接触孔51以与所述第一有源层21相连接，所述第一电极层7与所述第二有源层22之间形成电容。所述导电层的材质为透明导电薄膜，如：氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)薄膜、铝掺杂氧化锌薄膜、碳纳米管透明导电薄膜、二氧化锡透明导电薄膜等，优选为ITO薄膜。
所述源漏极层6包括多对源极61和漏极62，每个TFT上形成一对相互隔开的源极61和漏极62。在每个TFT中，一方面，所述源极61穿过所述源极接触孔与所述源极接触区连接，另一方面，所述源极61依次穿过所述第一连接信号过孔52和所述第二连接信号过孔151而与所述遮光层14相连接，即：所述源极61依次穿过所述平坦化层5和所述缓冲层15，以与所述遮光层14相连接，以使所述遮光层14上产生稳定的电压，避免产生浮栅效应，确保TFT的工作稳定性。在每个TFT中，所述漏极62通过所述漏极接触孔与所述漏极接触区连接。
当所述阵列基板设置于OLED显示面板中时，各个开关区11设有一TFT，各个发光区12设有一发光单元，各个发光单元均由一TFT控制，通过各个TFT的导通和截止来控制对应发光单元的工作情况。
各个开关区11内分别设有一所述第一有源层21、一所述栅极绝缘层3的单个图案以及一所述栅极层4的单个图案。其中，本申请实施例优选的，采用顶栅自对准结构，利用所述栅极绝缘层3和所述栅极层4在所述有源层2上定义所述沟道区、所述源极接触区和所述漏极接触区，从而在所述有源层2导体化的过程中，所述栅极绝缘层3和所述栅极层4能够有效地保护所述沟道区不被导体化。
所述栅极绝缘层3仅存在于所述栅极层4的正下方。同一个开光区11内，所述沟道区在所述基板1上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层3的单个图案在所述基板1上的正投影，而所述栅极绝缘层3的单个图案在所述基板1上的正投影完全覆盖所述栅极层4的单个图案在所述基板1上的正投影。
第二方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备第一方面中所述的阵列基板，其中，涉及的黄光制程工艺和刻蚀工艺均为本领域的常规技术手段，在本申请实施例中不再赘述。如图2至图6所示，所述阵列基板的制备方法包括如下步骤：
S1、制备一基板1，所述基板上划分有多个开关区11和多个发光区12。
在一些实施例中，所述制备一基板1，包括步骤：
S1.1、提供一衬底基板13，在所述衬底基板13上预定义开关区11和发光区12。
具体的，所述衬底基板13为刚性衬底或柔性衬底，本申请实施例优选的，所述衬底基板13为玻璃衬底。
S1.2、在所述衬底基板13上制备形成一遮光层14，所述遮光层14位于所述开关区11。
在一些实施例中，首先，采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺在所述衬底基板13上沉积形成整面的一金属材料层，所述金属材料层的材质优选为Cu；然后，通过黄光制程工艺对所述金属材料层进行图形化处理，定义出遮光层图案，形成具有图案化结构的遮光层14。
S1.3、在所述衬底基板13和所述遮光层14上制备形成一缓冲层15，所述缓冲层15覆盖所述开关区11和所述发光区12。
在一些实施例中，采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)工艺在所述衬底基板13和所述遮光层14上沉积形成整面的一缓冲层15。本申请实施例优选的，所述缓冲层15的材质为SiOx薄膜。
S2、在所述基板1上制备形成一有源层2，所述有源层2包含位于所述开关区11的第一有源层21和所述发光区12的第二有源层22。
具体的，首先，采用PVD工艺在所述基板1上沉积形成整面的一金属氧化物层，所述金属氧化物层的材质优选为IGZO；然后，通过黄光制程工艺对所述金属氧化物层进行图形化处理，定义出有源层图案，形成具有图案化结构的有源层2。
S3、在所述第一有源层21上制备形成一栅极绝缘层3和一栅极层4，所述第一有源层21在所述基板1上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层3在所述基板1上的正投影，且所述第一有源层21、所述栅极绝缘层3和所述栅极层4层叠形成多个岛状结构。
在一些实施例中，所述步骤S3包括如下步骤：
S3.1、在所述基板1上制备形成整面的一栅极绝缘层3，并且所述栅极绝缘层3覆盖所述有源层2。
具体的，采用CVD工艺在所述基板1上沉积形成一整面的栅极绝缘层3，以覆盖所述开关区11和所述发光区12。本申请实施例优选的，所述栅极绝缘层3为单层结构，材质为SiOx薄膜。
S3.2、在所述栅极绝缘层3上制备形成整面的一栅极层4，对所述栅极层4进行图案化处理，以形成对应于所述第一有源层2上方的一栅极层4。
在一些实施例中，首先，采用PVD工艺在步骤S3.1制得的整面的栅极绝缘层3上沉积形成整面的一金属材料层，所述金属材料层材质优选为Cu；然后，通过黄光制程工艺对所述金属材料层进行图形化处理，定义出栅极层图案，形成具有图案化结构的栅极层4。
S3.3、以所述栅极层4的图案化结构为自对准，对所述栅极绝缘层3进行图案化处理，以形成对应于所述栅极层4下方的一栅极绝缘层3。
具体的，以所述栅极层4的图案化结构为自对准，对所述栅极绝缘层3进行干刻蚀，仅保留位于所述栅极层4下方的部分，其余部分均被刻蚀去除，保留的所述栅极绝缘层3位于所述沟道区的正上方。
在一些实施例中，在所述步骤S3.3之后，还包括步骤S3.4、对所述有源层2的源极接触区和漏极接触区进行导体化处理，使之成为阻值较低的重掺杂N+层。
具体的，首先，采用PVD工艺在所述源极接触区和所述漏极接触区沉积形成一铝(Al)层，沉积厚度为500埃至100埃；然后，对所述Al层进行退火处理，以使Al与所述源极接触区和所述漏极接触区的IGZO中的氧原子相结合，实现导体化，而沟道区仍保持半导体特性。
S4、在所述基板1上制备形成一平坦化层5，所述平坦化层5位于所述开关区11和所述发光区12上，并覆盖所述有源层2、所述栅极绝缘层3和所述栅极层4，然后在所述平坦化层5上开设多个接触孔51和多个第一连接信号过孔52，以使所述第一有源层21局部裸露于所述接触孔51中，并且在所述缓冲层15上开设多个第二连接信号过孔151，以使各个所述第一连接信号过孔52的位置分别与各个所述第二连接信号过孔151的位置相对应且相通。
具体的，采用CVD工艺在所述基板的开关区11和发光区12上沉积形成整面的一平坦化层5。本申请实施例优选的，所述平坦化层5为单层结构，材质为SiOx薄膜。
利用刻蚀工艺在所述平坦化层5上开设多个接触孔51和多个第一连接信号过孔52，所述接触孔51包括源极接触孔和漏极接触孔。此外，利用刻蚀工艺在所述缓冲层15上开设多个第二连接信号过孔151。
S5、在所述平坦化层5上制备形成一导电层，所述导电层包含位于所述开关区11的源漏极层6和位于所述发光区12的第一电极层7，所述源漏极层6穿过所述接触孔52与所述第一有源层21相连接，所述第一电极层7与所述第二有源层22之间形成电容。
在一些实施例中，采用PVD工艺在所述平坦化层5上制备形成整面的一ITO层；然后，通过黄光制程工艺对所述ITO层进行图形化处理，定义出源漏极层6图案和第一电极层7图案，形成具有图案化结构的导电层。
在一些实施例中，所述第一电极层7和所述源漏极层6中的源极为一体化结构，以节省阵列基板的层数、简化制备工序。
第三方面，本申请实施例提供了一种显示面板，如图7所示，包括：
一如第一方面中所述的阵列基板；以及
多个间隔设置的有机发光材料层400，设置于所述阵列基板上，并位于所述发光区12，所述第一电极层7与所述有机发光材料层400相连接。
具体的，所述显示面板为OLED显示面板，优选的，所述显示面板为顶发光型OLED显示面板。所述有机发光材料层400包括依次层叠设置的一空穴注入层、一空穴传输层、一发光层、一电子传输层和一电子注入层。所述第一电极层7位于所述有机发光材料层400的底部，以作为有机发光材料层200的阳极层。所述有机发光材料层400与所述第二有源层22相对设置，且所述第一电极层7与所述第二有源层22之间直接形成电容。
所述显示面板还包括：一设置于所述阵列基板上的像素定义层500。所述像素定义层500的材质为SiNx和SiOx中的至少一种。所述像素定义层包括多个间隔设置的堤部，各相邻堤部之间的间隙区域限定为一像素区域，所述有机发光材料层400设置于所述像素区域中。
所述像素定义层500的制备方法为：首先，采用沉积工艺、电子印刷工艺或涂布工艺在所述阵列基板涂覆形成一像素定义层500；然后，采用黄光制程工艺对所述像素定义层500进行图形化处理，定义出堤部图案，形成具有图案化结构的所述像素定义层500。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：一阴极层600，所述阴极层600设置于所述有机发光材料层400上，并延伸覆盖至所述像素定义层500上。所述阴极层600的材质优选为ITO薄膜，所述阴极层600的制备方法为：采用沉积工艺、电子印刷工艺或涂布工艺在所述有机发光材料层400和所述像素定义层500上制备形成一ITO薄膜层。
在一些实施例中，所述有机发光材料层400是采用喷墨印刷(Ink Jet Printin,IJP)工艺制备而成。
需要说明的是，所述显示面板还可包括封装层、触控层、偏光片、保护盖板等现有OLED显示面板中常见的结构，在此不再赘述。
本申请实施例的显示面板可应用于显示装置中，所述显示装置可为手机、电脑、数码相机、数码摄像机、游戏机、音频再生装置、信息终端机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述智能可穿戴设备可为智能手环、智能手表、智能眼镜等。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法与显示面板，进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
一基板，划分有多个开关区和多个发光区；
一有源层，设置于所述基板上，包含位于所述开关区的第一有源层和位于所述发光区的第二有源层；
一栅极绝缘层，设置于所述第一有源层上，并且所述第一有源层在所述基板上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层在所述基板上的正投影；
一栅极层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述第一有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层层叠形成多个岛状结构；
一平坦化层，设置于所述基板的开关区和发光区上，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层，并设有多个接触孔，所述第一有源层局部裸露于所述接触孔中；以及
一导电层，设置于所述平坦化层上，包含位于所述开关区的源漏极层和位于所述发光区的第一电极层，所述源漏极层穿过所述接触孔以与所述第一有源层相连接，所述第一电极层与所述第二有源层之间形成电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层与所述源漏极层中的源极连接为一体化结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板包括：
一衬底基板；以及
一遮光层，设置于所述衬底基板上，并位于所述开关区。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基板还包括：一缓冲层，设置于所述衬底基板和所述遮光层上，并覆盖所述开关区和所述发光区。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层上设有多个第一连接信号过孔，所述缓冲层上与各个所述第一连接信号过孔相对应的位置处设有一第二连接信号过孔，相对设置的一所述第一连接信号过孔和一所述第二连接信号过孔之间相通；所述源漏极层的源极穿过所述第一连接信号过孔和所述第二连接信号过孔以与所述遮光层相连接。
6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备一基板，所述基板上划分有多个开关区和多个发光区；
在所述基板上制备形成一有源层，所述有源层包含位于所述开关区的第一有源层和位于所述发光区的第二有源层；
在所述第一有源层上制备形成一栅极绝缘层和一栅极层，所述第一有源层在所述基板上的正投影完全覆盖所述栅极绝缘层在所述基板上的正投影，且所述第一有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层层叠形成多个岛状结构；
在所述基板上制备形成一平坦化层，所述平坦化层位于所述开关区和所述发光区上，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层，然后在所述平坦层上开设多个接触孔，以使所述第一有源层局部裸露于所述接触孔中；以及
在所述平坦化层上制备形成一导电层，所述导电层包含位于所述开关区的源漏极层和位于所述发光区的第一电极层，所述源漏极层穿过所述接触孔与所述第一有源层相连接，所述第一电极层与所述第二有源层之间形成电容。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一有源层上制备形成一栅极绝缘层和一栅极层，包括步骤：
在所述基板上制备形成整面的一栅极绝缘层，并且所述栅极绝缘层覆盖所述有源层；
在所述栅极绝缘层上制备形成整面的一栅极层，对所述栅极层进行图案化处理，以形成对应于所述第一有源层上方的一栅极层；以及
以所述栅极层的图案化结构为自对准，对所述栅极绝缘层进行图案化处理，以形成对应于所述栅极层下方的一栅极绝缘层。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备一基板，包括步骤：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上预定义多个开关区和多个发光区；以及
在所述衬底基板上制备形成一遮光层，所述遮光层位于所述开关区。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
一如权利要求1至5任一项中所述的阵列基板，或如权利要求6至8任一项中所述的制备方法制得阵列基板；以及
多个间隔设置的有机发光材料层，设置于所述阵列基板上，并位于所述发光区，所述第一电极层与所述有机发光材料层相连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为顶发光型有机发光二极管显示面板。
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