CN111063660A - Oled背板的制作方法及其oled背板结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光二极体(Organic Light‑Emitting Diode,OLED)背板的制作方法，包含：形成遮光层及缓冲层；在缓冲层上形成反射金属层；在缓冲层及反射金属层上分别形成氧化铟镓锌层；在氧化铟镓锌层上形成栅极绝缘层，以及于栅极绝缘层上形成光阻层；对未覆盖有光阻层的栅极绝缘层进行第一次蚀刻，以暴露缓冲层；对光阻层进行灰化处理，以暴露栅极绝缘层；将经暴露的栅极绝缘层进行第二次蚀刻，以暴露氧化铟镓锌层；在栅极绝缘层上形成栅极、源极、及漏极；在栅极绝缘层及氧化铟镓锌层上形成图形化的像素限定层；在像素限定层及覆盖于反射金属层上的暴露的氧化铟镓锌层上形成白光有机发光层；以及在白光有机发光层上形成阴极层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED背板结构。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板采用自发光器件，具有外观轻薄、功耗低、视角宽等优点，已成为显示领域极具发展潜力的技术。当前，业界一般采用黄光制程来制备OLED显示面板的薄膜电晶体(Thin-Film Transistor，TFT)基板上具有预定图案的各层结构。黄光制程的原理及过程主要为：将光刻胶均匀地涂布在将要在其上形成图案的衬底上，再利用曝光设备使光刻胶曝光，并对已曝光的光刻胶进行显影处理，以去除已被显影的光刻胶，然后蚀刻去除未被剩余光刻胶遮盖的衬底，最后去除剩余的光刻胶，从而得到预定图案。
在目前主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emittingdiode,AMOLED)顶栅型OLED背板制程中，由于结构复杂层数较多，因而所需要黄光制程的道数较多。每增加一道阵列制程，不仅增加了时间成本、物料成本，同时伴随着制程良率带来的损失。故，有必要提供一种OLED背板制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板的制作方法，减少制程中光罩的使用，以减少TFT制程。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种OLED背板的制作方法，所述制作方法包含：
提供一基板；
在所述基板上依序形成一遮光层及一缓冲层；
在所述缓冲层上形成一反射金属层；
在所述缓冲层及所述反射金属层上分别形成一氧化铟镓锌层；
在所述氧化铟镓锌层上形成一栅极绝缘层，以及于所述栅极绝缘层上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到一图形化的光阻层；
以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的栅极绝缘层进行第一次蚀刻，以蚀刻及暴露部分的所述缓冲层；
对一特定部分的所述光阻层进行灰化处理，以暴露部分的所述栅极绝缘层；
将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的部分的栅极绝缘层进行第二次蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层，其中经暴露的所述氧化铟镓锌层包括形成于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层以及形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层；
将剩余的所述光阻层去除以及使所述氧化铟镓锌层导体化；
在所述栅极绝缘层上形成一栅极、一源极、一漏极；
在形成有以及未形成有所述栅极、所述源极、所述漏极于其上的所述栅极绝缘层及部分的所述氧化铟镓锌层上形成一像素限定层；
在所述像素限定层及覆盖于所述反射金属层上的暴露的所述氧化铟镓锌层上形成一白光有机发光层；以及
在所述白光有机发光层上形成一阴极层，所述白光有机发光层位在所述氧化铟镓锌层与所述阴极层之间。
根据本发明的一实施例，于所述第二次蚀刻中，同时对所述经暴露的部分的缓冲层进行蚀刻以暴露部分的所述遮光层。
根据本发明的一实施例，所述源极与所述经暴露的遮光层相接触。
根据本发明的一实施例，对一特定部分的所述光阻层进行灰化处理，以暴露所述栅极绝缘层包括：暴露所述栅极绝缘层的一第一部分、一第二部分及一第三部分，所述第一部分及所述第二部分对应形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层，所述第三部分对应所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层；以及将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的栅极绝缘层进行第二次蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层包括：将所述栅极绝缘层的第一部分、第二部分及第三部分进行第二次蚀刻，以分别暴露形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层，以及形成于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层。
根据本发明的一实施例，所述漏极与形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层相接触。
根据本发明的一实施例，所述源极与形成于所述缓冲层上的经暴露的所述氧化铟镓锌层以及形成于所述反射金属层上的经暴露的所述氧化铟镓锌层相接触。
根据本发明的一实施例，所述图形化的光阻层为通过半色调光罩对所述光阻进行曝光及显影而形成。
根据本发明的一实施例，在以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻的栅极绝缘层进行第一次蚀刻，以暴露部分的所述缓冲层中，未覆盖有所述光阻的栅极绝缘层为未包括有所述氧化铟镓锌层的区域。
根据本发明的一实施例，所述反射金属层的材质为选自一高反射型金属。
本发明还提供一种OLED背板，所述OLED背板包括：
一基板；
一遮光层，设置于部分的所述基板上；
一缓冲层，设置于部分的所述遮光层及所述基板上；
一反射金属层，设置于部分的所述缓冲层上；
一氧化铟镓锌层，分别设置于部分的所述缓冲层及所述反射金属层上；
一栅极绝缘层，设置于部分的所述氧化铟镓锌层上及所述缓冲层上；
一栅极、一源极、及一漏极，设置于部分的所述栅极绝缘层上而位于同一层，其中所述漏极与设置于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层相接触，所述源极分别与设置于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层、设置于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层及所述遮光层相接触；
一像素限定层，设置于所述栅极绝缘层、所述栅极、所述源极、所述漏极上及部分的设置于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层上；
一白光有机发光层，设置于所述像素限定层及设置于所述反射金属层上经暴露的所述氧化铟镓锌层上；以及
一阴极层，设置在所述白光有机发光层上，使得所述白光有机发光层位于所述阴极层与所述氧化铟镓锌层之间。
本发明的有益效果为：通过栅极绝缘层及缓冲层使用一张光罩，栅极、源极、漏极使用一张光罩完成，像素布线由遮光层及源极/漏极金属共同完成，有源层-氧化铟镓锌同时亦作为阳极，以减少整个阵列制程，优化结构，节省制程时间(tact time)。此外，本发明的OLED背板的制作方法可应用于蒸镀式OLED及喷墨式OLED。
附图说明
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
图1是本发明的OLED背板的制作方法的一流程图。
图2是本发明的OLED背板的制作方法的步骤1示意图。
图3是本发明的OLED背板的制作方法的步骤2示意图。
图4是本发明的OLED背板的制作方法的步骤3示意图。
图5是本发明的OLED背板的制作方法的步骤4示意图。
图6是本发明的OLED背板的制作方法的步骤5示意图。
图7是本发明的OLED背板的制作方法的步骤6示意图。
图8是本发明的OLED背板的制作方法的步骤7示意图。
图9是本发明的OLED背板的制作方法的步骤8示意图。
图10是本发明的OLED背板的制作方法的步骤9示意图。
图11是本发明的OLED背板的制作方法的步骤10示意图。
图12是本发明的OLED背板的制作方法的步骤11示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1-12，图1-12是本发明的OLED背板100的制作方法的流程图及各个步骤的结构示意图。
参照图1-12所示，本发明的一种OLED背板制作方法包含以下步骤：
步骤1(S1)，如图2所示：提供一基板10，所述基板可为玻璃基材、透明塑料基材等透光基材。在所述基板10上依序形成一图形化的遮光层11及一缓冲层12，所述缓冲层12为覆盖所述遮光层11。具体地，所述缓冲层12可为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层及氮化硅层所构成的多层复合结构。
步骤2(S2)，如图3所示：在所述缓冲层12上形成一图形化的反射金属层13，所述反射金属层13经光刻及蚀刻处理而图形化。详细而言：所述反射金属层的材质为选自一高反射型金属，例如银或铜。
步骤3(S3)，如图4所示：在所述缓冲层12及所述反射金属层13上分别形成一图形化的氧化铟镓锌层，以分别形成为一有源层141及一阳极142。
步骤4(S4)，如图5所示：在所述氧化铟镓锌层上形成一栅极绝缘层15，以及于所述栅极绝缘层15上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到一图形化的光阻层16。详细而言，所述图形化的光阻层16为通过半色调光罩对所述光阻进行曝光及显影而形成。
步骤5(S5)，如图6所示：以所述光阻层16为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层16的栅极绝缘层15进行第一干式蚀刻，以蚀刻及暴露部分的所述缓冲层12。详细而言，所述未覆盖有所述光阻的栅极绝缘层15为未包括有所述氧化铟镓锌层的区域。
步骤6(S6)，如图7所示：对一特定部分的所述光阻层16进行灰化处理，以暴露部分的所述栅极绝缘层15，包括：暴露所述栅极绝缘层15的一第一部分151、一第二部分152、一第三部分153，所述第一部分151与所述第二部分152不相连，并对应所述有源层141，所述第三部分153对应所述阳极142。
步骤7(S7)，如图8所示：将对应于通过灰化处理的光阻层16的所述经暴露的部分的栅极绝缘层15，即所述第一部分151、所述第二部分152、一第三部分153进行第二次干式蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层，其中经暴露的所述氧化铟镓锌层包括形成于所述反射金属层13上的所述氧化铟镓锌层，即阳极142，以及形成于所述缓冲层12上的所述氧化铟镓锌层，即有源层141。详细而言，在此步骤中，同时对所述经暴露的部分的缓冲层12进行蚀刻以暴露部分的所述遮光层11。
步骤8(S8)，如图9所示：将剩余的所述光阻层16去除以及使所述氧化铟镓锌层导体化。
步骤9(S9)，如图10所示：在所述栅极绝缘层15上形成一金属层，并通过黄光制程图形化所述金属层，以得到一栅极171、一源极172、一漏极173，其中所述漏极173与经暴露形成于所述缓冲层12上的所述氧化铟镓锌层，即有源层141相接触，以及所述源极172与经暴露形成于所述缓冲层12及所述反射金属层13上的所述氧化铟镓锌层以及所述经暴露的遮光层11相接触相接触。详细而言，所述栅极171、所述源极172、所述漏极173可选自铝、钼、钛、铜及其合金等金属。
步骤10(S10)，如图11所示：在形成有以及未形成有所述栅极171、所述源极172、所述漏极173于其上的所述栅极绝缘层15及部分的所述氧化铟镓锌层上形成一图形化的像素限定层18。
步骤11(S11)，如图12所示：在所述像素限定层18及覆盖于所述反射金属层13上的暴露的所述氧化铟镓锌层，即阳极142上形成一白光有机发光层19，并在所述白光有机发光层19上形成一阴极层20，使得所述白光有机发光层19位在所述阳极142与所述阴极层20之间。
如图12所示，本发明还提供一种OLED背板100，包括：一基板10；一遮光层11，设置于部分的所述基板10上；一缓冲层12，设置于部分的所述遮光层11及所述基板10上；一反射金属层13，设置于部分的所述缓冲层12上；一氧化铟镓锌层，包括一有源层141及一阳极142，所述有源层141设置于所述缓冲层12上，以及所述阳极142设置于所述反射金属层13上；一栅极绝缘层15，设置于部分的所述氧化铟镓锌层上及所述缓冲层12上；一栅极171、一源极172、及一漏极173，设置于部分的所述栅极绝缘层15上而位于同一层，其中所述漏极173与设置于所述缓冲层12上的所述氧化铟镓锌层相接触，所述源极172分别与设置于所述缓冲层12上的所述氧化铟镓锌层、设置于所述反射金属层13上的所述氧化铟镓锌层及所述遮光层11相接触；一像素限定层18，设置于所述栅极绝缘层15、所述栅极171、所述源极172、所述漏极173上及部分的设置于所述反射金属层13上的所述氧化铟镓锌层上；一白光有机发光层19，设置于所述像素限定层18及设置于所述反射金属层13上经暴露的所述氧化铟镓锌层上；以及一阴极层20，设置在所述白光有机发光层19上，使得所述白光有机发光层19位于所述阴极层20与所述氧化铟镓锌层之间。
目前主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emittingdiode,AMOLED)顶栅型OLED背板制程中，由于结构复杂层数较多，因而所需要黄光制程的道数较多。每增加一道阵列制程，不仅增加了时间成本、物料成本，同时伴随着制程良率带来的损失。然而在本发明中，通过栅极绝缘层及缓冲层使用一张光罩，栅极、源极、漏极使用一张光罩完成，像素布线由遮光层及源极/漏极金属共同完成，有源层-氧化铟镓锌同时亦作为阳极，以减少整个阵列制程，优化结构，节省制程时间(tact time)。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例幷非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于：所述制作方法包含：
提供一基板；
在所述基板上依序形成一遮光层及一缓冲层；
在所述缓冲层上形成一反射金属层；
在所述缓冲层及所述反射金属层上分别形成一氧化铟镓锌层；
在所述氧化铟镓锌层上形成一栅极绝缘层，以及于所述栅极绝缘层上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到一图形化的光阻层；
以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的栅极绝缘层进行第一次蚀刻，以蚀刻及暴露部分的所述缓冲层；
对一特定部分的所述光阻层进行灰化处理，以暴露部分的所述栅极绝缘层；
将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的部分的栅极绝缘层进行第二次蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层，其中经暴露的所述氧化铟镓锌层包括形成于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层以及形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层；
将剩余的所述光阻层去除以及使所述氧化铟镓锌层导体化；
在所述栅极绝缘层上形成一栅极、一源极、一漏极；
在形成有以及未形成有所述栅极、所述源极、所述漏极于其上的所述栅极绝缘层及部分的所述氧化铟镓锌层上形成一像素限定层；
在所述像素限定层及覆盖于所述反射金属层上的暴露的所述氧化铟镓锌层上形成一白光有机发光层；以及
在所述白光有机发光层上形成一阴极层，所述白光有机发光层位在所述氧化铟镓锌层与所述阴极层之间。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：于所述第二次蚀刻中，同时对所述经暴露的部分的缓冲层进行蚀刻以暴露部分的所述遮光层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述源极与所述经暴露的遮光层相接触。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：对一特定部分的所述光阻层进行灰化处理，以暴露所述栅极绝缘层包括：暴露所述栅极绝缘层的一第一部分、一第二部分及一第三部分，所述第一部分及所述第二部分对应形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层，所述第三部分对应所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层；以及将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的栅极绝缘层进行第二次蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层包括：将所述栅极绝缘层的第一部分、第二部分及第三部分进行第二次蚀刻，以分别暴露形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层，以及形成于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述漏极与形成于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层相接触。
6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述源极与形成于所述缓冲层上的经暴露的所述氧化铟镓锌层以及形成于所述反射金属层上的经暴露的所述氧化铟镓锌层相接触。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述图形化的光阻层为通过半色调光罩对所述光阻进行曝光及显影而形成。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻的栅极绝缘层进行第一次蚀刻，以暴露部分的所述缓冲层中，未覆盖有所述光阻的栅极绝缘层为未包括有所述氧化铟镓锌层的区域。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述反射金属层的材质为选自一高反射型金属。
10.一种OLED背板，其特征在于：所述OLED背板包括：
一基板；
一遮光层，设置于部分的所述基板上；
一缓冲层，设置于部分的所述遮光层及所述基板上；
一反射金属层，设置于部分的所述缓冲层上；
一氧化铟镓锌层，分别设置于部分的所述缓冲层及所述反射金属层上；
一栅极绝缘层，设置于部分的所述氧化铟镓锌层上及所述缓冲层上；
一栅极、一源极、及一漏极，设置于部分的所述栅极绝缘层上而位于同一层，其中所述漏极与设置于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层相接触，所述源极分别与设置于所述缓冲层上的所述氧化铟镓锌层、设置于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层及所述遮光层相接触；
一像素限定层，设置于所述栅极绝缘层、所述栅极、所述源极、所述漏极上及部分的设置于所述反射金属层上的所述氧化铟镓锌层上；
一白光有机发光层，设置于所述像素限定层及设置于所述反射金属层上经暴露的所述氧化铟镓锌层上；以及
一阴极层，设置在所述白光有机发光层上，使得所述白光有机发光层位于所述阴极层与所述氧化铟镓锌层之间。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220246074A1 (en) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Driving backplane, display panel and display device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107293554A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 顶发射型oled面板的制作方法及其结构 |
| CN107293555A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 底发射型白光oled面板的制作方法及其结构 |
| CN108682653A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN110444567A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
-
2019
- 2019-12-10 CN CN201911254841.4A patent/CN111063660A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107293554A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 顶发射型oled面板的制作方法及其结构 |
| CN107293555A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 底发射型白光oled面板的制作方法及其结构 |
| CN108682653A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN110444567A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220246074A1 (en) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Driving backplane, display panel and display device |
| US11727841B2 (en) * | 2021-01-29 | 2023-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Driving backplane, display panel and display device |
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