CN113690251A - 显示面板 - Google Patents

显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN113690251A
CN113690251A CN202110920218.9A CN202110920218A CN113690251A CN 113690251 A CN113690251 A CN 113690251A CN 202110920218 A CN202110920218 A CN 202110920218A CN 113690251 A CN113690251 A CN 113690251A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display panel
barrier
region
organic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110920218.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113690251B (zh
Inventor
白丹
赵瑜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110920218.9A priority Critical patent/CN113690251B/zh
Priority to US17/600,040 priority patent/US11997869B2/en
Priority to PCT/CN2021/116249 priority patent/WO2023015627A1/zh
Publication of CN113690251A publication Critical patent/CN113690251A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113690251B publication Critical patent/CN113690251B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供一种显示面板;该显示面板包括功能区、靠近功能区的显示区以及位于功能区和显示区之间的过渡区,显示面板还包括衬底、依次层叠设置于衬底上的无机层、第一有机层以及第一金属层,第一有机层在过渡区形成有多个间隔设置的第一阻隔部,第一金属层在过渡区形成有覆盖第一阻隔部的第二阻隔部,第二阻隔部覆盖第一阻隔部的上表面以及第一侧面,且覆盖在第一阻隔部上表面的第二阻隔部朝远离第一侧面的方向延伸并超出第一阻隔部上表面的边界,形成底切结构,以缓解现有OLED产品存在的外界水氧容易通过发光层向面内传导的问题。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Display,OLED)作为新型显示技术,具有其它一些显示技术所无以比拟的诸多优势,如广视角、高对比度、快响应、低功耗和可折叠/柔性等,因而具有强有力的竞争力。
随着OLED技术的广泛发展和应用深入,对具有更优视觉体验的高屏占比(甚至全面屏)显示屏的追求已成为当前显示技术发展的潮流之一,如O-Cut、“美人尖”等技术均极大的提升了显示屏的屏占比,但O-Cut技术受限于在显示区内打孔,打孔设计需要把摄像头区域内的基板全部挖空以形成通孔,如此会导致发光层的侧边暴露,使得外界水氧容易通过该侧边沿发光层向面内传导,存在信赖性差的问题。
因此,现有OLED产品存在的外界水氧容易通过发光层向面内传导的技术问题需要解决。
发明内容
本申请提供一种显示面板,以缓解现有OLED产品存在的外界水氧容易通过发光层向面内传导的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请实施例提供一种显示面板,其包括功能区、靠近所述功能区的显示区以及位于所述功能区和所述显示区之间的过渡区,所述显示面板在所述过渡区包括:
衬底;
设置于所述衬底上的无机层;
第一有机层,设置于所述无机层远离所述衬底的一侧,且所述第一有机层在所述过渡区形成有多个间隔设置的第一阻隔部;
第一金属层,设置于所述第一有机层远离所述无机层的一侧,且所述第一金属层在所述过渡区形成有覆盖所述第一阻隔部的第二阻隔部;
其中,所述第二阻隔部覆盖所述第一阻隔部的上表面以及第一侧面,且覆盖在所述第一阻隔部上表面的所述第二阻隔部朝远离所述第一侧面的方向延伸并超出所述上表面的边界。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述第一金属层在所述显示区形成有第一源漏极线,所述显示面板还包括设置于所述无机层面向所述第一有机层一侧的第二金属层,所述第一有机层覆盖所述第二金属层,所述第二金属层在所述显示区形成有第二源漏极线,所述第二源漏极线与所述第一源漏极线通过所述第一有机层的过孔连接。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述显示面板还包括:
第二有机层,覆于所述第一金属层以及所述第一有机层上;
导电电极层,设置于所述第二有机层上,并在所述显示区形成有像素电极,所述像素电极通过所述第二有机层的过孔与所述第一源漏极线连接;
像素定义层,覆于部分所述像素电极以及所述第二有机层上,并在所述显示区形成有像素开口。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述无机层包括层叠设置的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层,所述显示面板还包括:
半导体层,设置在所述缓冲层上,包括源极区和漏极区;
栅极层,设置在所述栅极绝缘层上;
所述第二金属层设置于所述层间绝缘层上,所述第二源漏极线包括第一源极线和第一漏极线,所述第一源极线和所述第一漏极线分别通过所述层间绝缘层的过孔与对应的所述源极区和所述漏极区连接。
在本申请实施例提供的显示面板中,在所述过渡区内的所述无机层上还设置有挡墙结构,所述挡墙结构位于所述第一阻隔部靠近所述显示区的一侧,且所述挡墙结构包括层叠设置的第一挡墙部、第二挡墙部以及第三挡墙部,其中所述第一挡墙部由所述第二有机层形成,所述第二挡墙部由所述像素定义层形成。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述第一阻隔部未被所述第二阻隔部覆盖的第二侧面与超出所述上表面的所述第二阻隔部的夹角大于或等于90度。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述第二阻隔部超出所述上表面的宽度范围为1微米至100微米。
在本申请实施例提供的显示面板中,在所述过渡区内,所述无机层在相邻的所述第一阻隔部之间的区域设置有对应的凹槽,所述凹槽的延伸方向与所述第一阻隔部的延伸方向相同。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述凹槽靠近所述第一阻隔部未被所述第二阻隔部覆盖的第二侧面设置。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述凹槽至少贯穿部分所述无机层。
在本申请实施例提供的显示面板中,所述第一阻隔部的数量大于或等于5个,相邻两个第一阻隔部之间具有间隔。
在本申请实施例提供的显示面板中,每相邻的两个第一阻隔部之间的所述间隔距离相同。
本申请的有益效果为:本申请提供的显示面板中,所述显示面板的第一有机层在所述过渡区形成有第一阻隔部,所述显示面板的第一金属层在所述过渡区形成有第二阻隔部,所述第二阻隔部覆盖所述第一阻隔部的上表面以及第一侧面,且覆盖在所述第一阻隔部上表面的所述第二阻隔部朝远离所述第一侧面的方向延伸并超出所述上表面的边界,以形成底切结构,如此在制备发光层时,发光层会在底切结构处断开,以阻断发光层形成的水氧入浸路径,解决了现有OLED产品存在的外界水氧容易通过发光层向面内传导的问题,提高了过渡区封装的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图。
图2为图1中沿A-A’线的剖面结构示意图。
图3为本申请实施例提供的驱动电路层的细节结构示意图。
图4为本申请实施例提供的第一阻隔部和第二阻隔部的细节示意图。
图5为本申请实施例提供的显示面板制备方法流程示意图。
图6至图9为本申请实施例提供的显示面板制备方法中各步骤制得的显示面板的膜层结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中,为了清晰理解和便于描述,夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的,但是本申请不限于此。
请结合参照图1和图2,图1为本申请实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图,图2为图1中沿A-A’线的剖面结构示意图。所述显示面板100包括功能区HA、靠近所述功能区HA的显示区AA以及位于所述功能区HA和所述显示区AA之间的过渡区TA。所述功能区HA设置有开孔200,所述开孔200内可放置听筒、摄像头、各种传感器等功能元件,以实现屏下摄像头、屏下指纹等功能,进而提高所述显示面板100的屏占比。
且根据实际需求,所述功能区HA可位于所述显示面板100的任意区域,比如所述功能区HA可位于所述显示面板100的中间区域或边缘区域。所述过渡区TA位于所述功能区HA和所述显示区AA之间,当所述功能区HA位于所述显示面板100的中间区域时,所述过渡区TA围绕所述功能区HA;当所述功能区HA位于所述显示面板100的边缘区域时,所述过渡区TA半包围所述功能区HA。设置所述过渡区TA可以实现所述功能区HA到所述显示区AA的平稳过渡,以减小所述功能区HA对所述显示区AA的影响。
具体地,所述显示面板还包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的无机层、第一有机层以及第一金属层。第一有机层设置于所述无机层远离所述衬底的一侧,且所述第一有机层在所述过渡区形成有多个间隔设置的第一阻隔部。第一金属层,设置于所述第一有机层远离所述无机层的一侧,且所述第一金属层在所述过渡区形成有覆盖所述第一阻隔部的第二阻隔部。
其中,所述第二阻隔部覆盖所述第一阻隔部的上表面以及第一侧面,且覆盖在所述第一阻隔部上表面的所述第二阻隔部朝远离所述第一侧面的方向延伸并超出所述上表面的边界,以形成底切结构。如此在制备发光层时,发光层会在底切结构处断开,以阻断发光层形成的水氧入浸路径,解决了现有OLED产品存在的外界水氧容易通过发光层向面内传导的问题,提高了过渡区封装的可靠性。
下面将具体阐述所述显示面板100在各区域内的膜层结构:
所述显示面板100包括衬底10、依次设置在所述衬底10上的驱动电路层20、发光功能层30以及封装层40。其中所述衬底10、所述驱动电路层20、所述发光功能层30以及所述封装层40在对应所述功能区HA被挖空,以提高屏下功能元件的光线提取率。所述显示区AA包括所述衬底10上的全部膜层,而所述过渡区TA不用于显示,则所述过渡区TA可包括所述衬底10上的部分膜层,比如部分的驱动电路层20和发光功能层30,同时为了保证所述过渡区TA的有效封装性能,所述过渡区TA可设置与所述显示区AA相同的封装层40。
具体地,所述显示面板100在所述显示区AA包括衬底10、驱动电路层20、发光功能层30以及封装层40。可选地,所述衬底10可以为刚性基板或柔性基板;所述衬底10为刚性基板时,可包括玻璃基板等硬性基板;所述衬底10为柔性基板时,可包括聚酰亚胺(Polyimide,PI)薄膜、超薄玻璃薄膜等柔性基板,采用柔性基板作衬底10可以制作柔性的显示面板100,以实现显示面板100的弯折、卷曲等特殊性能。
以所述衬底10为柔性基板为例,所述衬底10可包括层叠交替设置的柔性薄膜和无机薄膜,比如所述衬底10包括层叠设置的第一聚酰亚胺薄膜、第一无机薄膜、第二聚酰亚胺薄膜以及第二无机薄膜。如此在实现所述衬底10柔性的同时,还可加强所述衬底10的阻水氧性能。
可选地,所述衬底10和所述驱动电路层20之间还可设置缓冲层(图未示),所述缓冲层的材料可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等无机材料,所述缓冲层可以进一步防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从所述衬底10扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中,同时还可以提供平坦的顶表面。
请结合参照图2和图3,图3为本申请实施例提供的驱动电路层的细节结构示意图。所述驱动电路层20在所述显示区AA包括依次层叠设置在所述缓冲层上的有源层21、栅极绝缘层(如图2和图3示出的第一栅极绝缘层11和第二栅极绝缘层12)、栅极层(如图2和图3示出的第一栅极层22、第二栅极层23)、层间绝缘层13、第二金属层24、第一有机层17、第一金属层25、第二有机层16、导电电极层26以及像素定义层15,其中所述第一栅极绝缘层11、所述第二栅极绝缘层12以及所述层间绝缘层13一块形成所述无机层1,当然地,所述无机层1还可包括所述缓冲层。
所述有源层21包括沟道区211以及位于所述沟道区211两侧的源极区212和漏极区213。所述第一栅极层22包括第一栅极221以及各种信号走线,所述第二栅极层23包括第二栅极231以及栅极扫描线等,所述第一栅极221和所述第二栅极231均与所述沟道区211对应设置。
所述第二金属层24图案化形成第二源漏极线以及数据线等,所述第二源漏极线包括第一源极线241和第一漏极线242,所述第一源极线241通过所述层间绝缘层13的过孔与所述源极区212连接,所述第一漏极线242通过所述层间绝缘层13的另一过孔与所述漏极区213连接。
所述第一金属层25图案化形成第一源漏极线以及各种信号线,比如VDD、VSS等信号线,所述第一源漏极线与所述第二源漏极线连接。具体地,所述第一源漏极线包括第二源极线或第二漏极线,以第二漏极线251为例,所述第二漏极线251通过所述第一有机层17的过孔与所述第一漏极线242连接。
所述导电电极层26图案化形成像素电极261,所述像素电极261通过所述第二有机层16的过孔与所述第二漏极线251连接,其中所述第一有机层17和所述第二有机层16均为平坦化层,为所述显示面板100提供平坦的膜层表面,以提高制备发光功能层30的稳定性。
所述像素定义层15设置于所述导电电极层26以及所述第二有机层16上,且所述像素定义层15图案化形成有像素开口151,所述像素开口151裸露出部分所述像素电极261,以定义出发光区域。
需要说明的是,本申请驱动电路层20的结构不限于本实施例示意的,本申请的驱动电路层20还可包括更多或更少的膜层,且各膜层的位置关系也不限于本实施例示意的,比如第一栅极层22和第二栅极层23还可位于所述有源层21的下方,形成底栅结构。所述驱动电路层20用于给所述发光功能层30提供驱动电压,以使所述发光功能层30发光。
所述发光功能层30包括发光材料层以及阴极(图未示)。所述发光材料层是把不同颜色的发光材料整面设置在所述驱动电路层20的表面形成,不同颜色的发光材料发射不同颜色的光,比如红色发光材料发射红光,绿色发光材料发射绿光,蓝色发光材料发射蓝光。
所述阴极覆盖所述发光材料层,所述发光材料层在所述像素电极261和所述阴极的共同作用下发光,不同颜色的发光材料层发射不同颜色的光,进而实现显示面板100的全彩显示。
可选地,所述像素电极261可以是透明电极或反射电极,如果所述像素电极261是透明电极,则所述像素电极261可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO或In2O3形成。如果所述像素电极261是反射电极,则所述像素电极261例如可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。然而,像素电极261不限于此,像素电极261可以由各种材料形成,并且也可以形成为单层或多层结构。
需要说明的是,所述像素电极261具体是采用透明电极还是反射电极需取决于所述显示面板100的出光方向,当显示面板100采用顶发光时,所述像素电极261可以是透明电极或反射电极,当然地,采用反射电极时能够提高发光材料层发出光线的利用率;当显示面板100采用底发光时,所述像素电极261采用透明电极,以提高光线的透过率。本实施例以所述显示面板100采用顶发光为例说明,为了提高光线的透过率,所述阴极需采用透明导电材料形成。例如所述阴极可由ITO、IZO、ZnO或In2O3等透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide,TCO)形成。
可选地,所述发光功能层30还可包括设置于所述发光材料层与所述像素电极261之间的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL);以及设置于所述发光材料层与所述阴极之间的电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)。空穴注入层接收像素电极261传输的空穴,空穴经由空穴传输层传输至发光材料层,电子注入层接收阴极传输的电子,电子经由电子传输层传输至发光材料层,空穴和电子在发光材料层位置结合后产生激子,激子由激发态跃迁至基态释放能量并发光。
所述封装层40覆盖所述发光功能层30,用于保护所述发光功能层30的发光材料层,避免水氧入侵导致发光材料层失效。
可选地,所述封装层40可采用薄膜封装,比如所述封装层40可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构。其中,所述第一无机封装层和第二无机封装层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等无机材料中的一种或几种的组合,且所述第一无机封装层和第二无机封装层均可采用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)、物理气相沉积法(Physical VaporDeposition,PVD)或原子层沉积法(Atomic layer deposition,ALD)等沉积工艺沉积在所述发光功能层30上。所述有机封装层的材料包括环氧系和丙烯酸系等有机材料中的一种或几种,所述有机封装层可通过喷墨打印(Ink jet Print,IJP)、喷涂等涂布工艺中的一种涂覆在所述第一无机封装层上。
下面接着阐述所述显示面板100在所述过渡区TA的具体结构:
请结合参照图1至图4,图4为本申请实施例提供的第一阻隔部和第二阻隔部的细节示意图。所述显示面板100在所述过渡区TA包括所述衬底10、设置于所述衬底10上的无机层1、间隔设置于所述无机层1远离所述衬底10一侧的多个第一阻隔部51以及覆盖所述第一阻隔部51的上表面511和第一侧面512的第二阻隔部52。
具体地,所述第二阻隔部52覆盖所述第一阻隔部51的上表面511和第一侧面512,并朝远离所述第一侧面512的方向延伸并超出所述上表面511的边界,也即所述第二阻隔部52超出所述第一阻隔部51的设置区域,使所述第二阻隔部52相对于所述第一阻隔部51具有悬空部521,以使第一阻隔部51和所述第二阻隔部52一块形成底切结构,所述悬空部521也即所述第二阻隔部52超出所述第一阻隔部51上表面的部分。其中所述悬空部521的宽度范围为1微米至100微米。
需要说明的是,所述第一阻隔部51的上表面511是指所述第一阻隔部51远离所述无机层1的一面,与所述上表面511相对的为所述第一阻隔部51的下表面513,介于所述上表面511和所述下表面513之间的为所述第一阻隔部51的侧面。本申请定义:与所述第二阻隔部52一块形成底切结构的侧面为所述第一阻隔部51的第二侧面514,第二侧面514未被所述第二阻隔部52覆盖,则与所述第二侧面514相对的侧面即为所述第一阻隔部51的第一侧面512,所述第一侧面512覆盖有所述第二阻隔部52。其中所述第二侧面514可以是所述第一阻隔部51靠近所述显示区AA的侧面,也可以是所述第一阻隔部51背离所述显示区AA的侧面,也即所述底切结构可以形成于所述第一阻隔部51面向显示区AA的一侧或背离所述显示区AA的一侧。
另外,可选地,所述第一阻隔部51的第二侧面514可为倾斜面,使得所述第二侧面514与超出所述上表面511的所述第二阻隔部52的夹角a大于90度,夹角a也即所述第二侧面514与所述悬空部521的夹角。如此使所述第一阻隔部51和所述第二阻隔部52形成的底切结构更深,更容易使所述发光材料层在所述底切结构处断开。
进一步地,所述第一阻隔部51由所述第一有机层17形成,所述第二阻隔部52有所述第一金属层25形成。也即所述第一阻隔部51与所述第一有机层17同层设置,所述第二阻隔部52与所述第一源漏极线同层设置。本申请中的“同层设置”是指在制备工艺中,将相同材料形成的膜层进行图案化处理得到至少两个不同的特征,则所述至少两个不同的特征同层设置。比如,本实施例的所述第一阻隔部51与所述第一有机层17由同一有机材料薄膜进行图案化处理后得到,则所述第一阻隔部51与所述第一有机层17同层设置。又比如,所述第二阻隔部52与所述第一源漏极线由所述第一金属层25进行图案化处理后得到,则所述第二阻隔部52与所述第一源漏极线同层设置。
由于所述第一阻隔部51和所述第二阻隔部52一块形成有底切结构,如此在整面设置发光材料层时,发光材料层会在对应所述底切结构处断开,使得所述过渡区TA的发光材料层是不连续的,以阻断水氧沿所述发光材料层向所述显示区AA传导的路径。
同时,所述第二阻隔部52还覆盖所述第一阻隔部51的第一侧面512,并延伸至所述无机层1上,使所述第一阻隔部51和所述第二阻隔部52一块形成单侧底切结构,如此所述发光材料层只能与同一所述第一阻隔部51的一个侧面(即第二侧面514)接触,也即所述第一阻隔部51只在底切结构处与发光材料层接触,而在所述第一阻隔部51的上表面511和第一侧面512均有第二阻隔部52覆盖,以阻断所述发光材料层与所述第一阻隔部51接触,如此可避免发光材料层与所述第一阻隔部51形成新的水氧传导路径。
可选地,所述第一阻隔部51的数量大于或等于5个,相邻两个第一阻隔部51之间具有间隔。设置足够数量的所述第一阻隔部51,以形成对应数量的底切结构,如此可提高阻断水氧传导路径的可靠性,进而实现有效封装。
可选地,每相邻的两个第一阻隔部51之间的所述间隔距离相同,使得所述第一阻隔部51在所述过渡区TA均匀分布,如此使阻断的发光材料层也均匀分布,可实现更好的阻隔水氧传导的能力。同时设置均匀分布的第一阻隔部51,在工艺上的可实施性更强,有利于简化工艺。
进一步地,在所述过渡区TA内,所述无机层在未设置所述第一阻隔部51的区域设置有凹槽70,可选地,所述凹槽70设置在相邻两个所述第一阻隔部51之间间隔对应的无机层上,且所述凹槽70靠近所述第一阻隔部51未被所述第二阻隔部52覆盖的第二侧面514。所述凹槽70的数量可根据所述第一阻隔部51的数量或根据实际需求进行配置。
可选地,所述凹槽70贯穿至少部分所述无机层1,由于所述无机层1包括所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层11、所述第二栅极绝缘层12以及所述层间绝缘层13,故所述凹槽70可设置在所述层间绝缘层13或贯穿所述层间绝缘层13并延伸到所述第二栅极绝缘层12、所述第一栅极绝缘层11以及所述缓冲层。
需要说明的是,为了保证所述过渡区TA的有效封装,所述过渡区TA存在诸多的无机膜层,而在所述功能区HA挖空时会采用切割工艺,切割时可能会产生裂纹,产生的裂纹会沿着无机膜层向所述显示区AA延伸,以形成水氧传导路径。本申请通过在所述过渡区TA的无机层上设置凹槽70,使产生的裂纹延伸到所述凹槽70时截止,能够避免裂纹向所述显示区AA延伸。
而且,所述凹槽70靠近所述第一阻隔部51的第二侧面514设置,如此所述凹槽70可配合所述底切结构,以形成深孔,使所述发光材料层在底切结构处更容易断开。
进一步地,在所述过渡区TA内未设置所述第一阻隔部51的所述无机层上还设置有挡墙结构60,当然地,所述挡墙结构60也可以位于相邻两个所述第一阻隔部51之间的间隔内,设置有挡墙结构60的间隔内可不再设置所述凹槽70,但本申请不限于,本申请的所述挡墙结构60和所述凹槽70可位于同一间隔内。
所述挡墙结构60包括层叠设置的第一挡墙部61、第二挡墙部62以及第三挡墙部63,其中所述第一挡墙部61由所述第二无机层16形成,所述第二挡墙部62由所述像素定义层15形成,也即所述第一挡墙部61与所述第二有机层16同层设置,所述第二挡墙部62与所述像素定义层15同层设置。
需要说明的是,在制备所述封装层40中的有机封装层40时,通过会采用喷墨打印等工艺制备,而打印的有机材料具有流动性,为了防止喷墨打印溢流过多,所述显示面板100上还需设置多个挡墙结构60,以阻挡打印的有机材料的流动。其中所述显示区AA的挡墙结构(图未示)作为主挡墙起主要阻挡溢流作用,所述过渡区TA的挡墙结构60可对喷墨打印略微溢流时起到二次阻挡作用以及轻微防裂纹的作用。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供一种显示面板制备方法,用于制备上述实施例其中之一的显示面板。请参照图1至图9,图5为本申请实施例提供的显示面板制备方法流程示意图,图6至图9为本申请实施例提供的显示面板制备方法中各步骤制得的显示面板的膜层结构示意图。所述显示面板制备方法包括以下步骤:
步骤S301、提供衬底10,所述衬底10划分为功能区HA、过渡区TA以及显示区AA,在所述衬底10上制备驱动电路层20,并在所述过渡区TA形成第一阻隔部图案515和第二阻隔部52,如图6所示;
具体地,所述衬底10可以为刚性基板或柔性基板。以所述衬底10为柔性基板为例,所述衬底10可包括层叠交替设置的柔性薄膜和无机薄膜,比如所述衬底10包括层叠设置的第一聚酰亚胺薄膜、第一无机薄膜、第二聚酰亚胺薄膜以及第二无机薄膜。如此在实现所述衬底10柔性的同时,还可加强所述衬底10的阻水氧性能。
可选地,所述衬底10和所述驱动电路层20之间还可设置缓冲层,所述驱动电路层20在所述显示区AA包括依次层叠设置在所述缓冲层上的有源层21、第一栅极绝缘层11、第一栅极层22、第二栅极绝缘层12、第二栅极层23、层间绝缘层13、第二金属层24、第一有机层17、第一金属层25、第二有机层16、导电电极层26以及像素定义层15。所述导电电极层26通过所述第二有机层16的过孔与所述第一金属层25连接。
所述驱动电路层20在所述过渡区TA和所述功能区HA均包括由第一栅极绝缘层11、第二栅极绝缘层12以及层间绝缘层13形成的无机层1,当然地,所述过渡区TA和所述功能区HA的无机层1还可包括所述缓冲层。
同时所述驱动电路层20在所述过渡区TA还形成有多个第一阻隔部图案515和第二阻隔部52,所述第二阻隔部52覆盖所述第一阻隔部图案515的部分上表面以及所述第一阻隔部图案515的第一侧面。所述第一阻隔部图案515和所述第一有机层17同层设置,所述第二阻隔部52和所述第一金属层25同层设置。
所述驱动电路层20在所述过渡区TA还包括设置在所述无机层1上的凹槽70,具体地,所述凹槽70设置在相邻两个所述第一阻隔部图案515之间间隔对应的无机层1上,且所述凹槽70靠近所述第一阻隔部图案515的第二侧面。所述凹槽70与所述第二有机层16的过孔在同一工艺下形成。
所述驱动电路层20在所述过渡区TA还包括设置在无机层1表面的挡墙结构60,所述挡墙结构60包括层叠设置的第一挡墙部61、第二挡墙部62以及第三挡墙部63,其中所述第一挡墙部61与所述第二有机层16同层设置,所述第二挡墙部62与所述像素定义层15同层设置。
步骤S302、对所述第一阻隔部图案515进行黄光工艺,以形成第一阻隔部51,使所述第一阻隔部51和所述第二阻隔部52形成底切结构,如图7所示;
具体地,在所述驱动电路层20上涂覆光阻,并对所述光阻进行曝光、显影形成光阻图案,所述光阻图案裸露出未被所述第二阻隔部52遮挡的第一阻隔部图案515。
以所述光阻图案为遮挡对裸露的所述第一阻隔部图案515进行干蚀刻,直至裸露出所述层间绝缘层13,然后接着对所述第一阻隔部图案515进行侧刻以形成第一阻隔部51,同时使所述第二阻隔部52部分悬空,进而使所述第一阻隔部51和所述第二阻隔部52形成底切结构。
剥离掉光阻图案,裸露出所述第二阻隔部52。
步骤S303、在所述驱动电路层20上覆盖发光功能层30,如图8所示;
具体地,在所述驱动电路层20上整面覆盖发光功能层30,所述发光功能层30在对应所述第一阻隔部51和所述第二阻隔部52形成的底切结构处断开。
步骤S304、在所述发光功能层30上设置封装层40,如图9所示;
具体地,所述封装层40可采用薄膜封装,比如所述封装层40可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构。
步骤S305、在所述功能区HA挖孔以形成开孔200,如图2所示。
具体地,可采用激光切割等切割工艺在所述功能区HA挖孔形成开孔200,以形成所述显示面板100。
根据上述实施例可知:
本申请提供一种显示面板以及显示面板制备方法,该显示面板包括功能区、靠近功能区的显示区以及位于功能区和显示区之间的过渡区,显示面板在过渡区包括衬底、设置于衬底上的无机层以及设置于无机层远离衬底一侧的至少一个阻隔构件,每个阻隔构件均包括第一阻隔部和第二阻隔部,第一阻隔部位于第二阻隔部和无机层之间,第二阻隔部覆盖第一阻隔部的上表面,且第二阻隔部在衬底上的正投影面积大于第一阻隔部在衬底上的正投影面积,以使阻隔构件形成底切结构,如此制备发光层时,使得发光层在阻隔构件的底切结构处断开,以阻断发光层形成的水氧入浸路径,解决了现有OLED产品存在的外界水氧容易通过发光层向面内传导的问题。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种显示面板,其特征在于,包括功能区、靠近所述功能区的显示区以及位于所述功能区和所述显示区之间的过渡区,所述显示面板还包括:
衬底;
无机层,设置于所述衬底一侧;
第一有机层,设置于所述无机层远离所述衬底的一侧,且所述第一有机层在所述过渡区形成有多个间隔设置的第一阻隔部;
第一金属层,设置于所述第一有机层远离所述无机层的一侧,且所述第一金属层在所述过渡区形成有覆盖所述第一阻隔部的第二阻隔部;
其中,所述第二阻隔部覆盖所述第一阻隔部的上表面以及第一侧面,且覆盖在所述第一阻隔部上表面的所述第二阻隔部朝远离所述第一侧面的方向延伸并超出所述上表面的边界。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层在所述显示区形成有第一源漏极线,所述显示面板还包括设置于所述无机层面向所述第一有机层一侧的第二金属层,所述第一有机层覆盖所述第二金属层,所述第二金属层在所述显示区形成有第二源漏极线,所述第二源漏极线与所述第一源漏极线通过所述第一有机层的过孔连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二有机层,覆于所述第一金属层以及所述第一有机层上;
导电电极层,设置于所述第二有机层上,并在所述显示区形成有像素电极,所述像素电极通过所述第二有机层的过孔与所述第一源漏极线连接;
像素定义层,覆于部分所述像素电极以及所述第二有机层上,并在所述显示区形成有像素开口。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机层包括层叠设置的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层,所述显示面板还包括:
半导体层,设置在所述缓冲层上,包括源极区和漏极区;
栅极层,设置在所述栅极绝缘层上;
所述第二金属层设置于所述层间绝缘层上,所述第二源漏极线包括第一源极线和第一漏极线,所述第一源极线和所述第一漏极线分别通过所述层间绝缘层的过孔与对应的所述源极区和所述漏极区连接。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在所述过渡区内的所述无机层上还设置有挡墙结构,所述挡墙结构位于所述第一阻隔部靠近所述显示区的一侧,且所述挡墙结构包括层叠设置的第一挡墙部、第二挡墙部以及第三挡墙部,其中所述第一挡墙部由所述第二有机层形成,所述第二挡墙部由所述像素定义层形成。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻隔部未被所述第二阻隔部覆盖的第二侧面与超出所述上表面的所述第二阻隔部的夹角大于或等于90度。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二阻隔部超出所述上表面的宽度范围为1微米至100微米。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述过渡区内,所述无机层在相邻的所述第一阻隔部之间的区域设置有对应的凹槽,所述凹槽的延伸方向与所述第一阻隔部的延伸方向相同。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽靠近所述第一阻隔部未被所述第二阻隔部覆盖的第二侧面设置。
10.根据权利要求8或9所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽至少贯穿部分所述无机层。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻隔部的数量大于或等于5个,相邻两个第一阻隔部之间具有间隔。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,每相邻的两个第一阻隔部之间的所述间隔距离相同。
CN202110920218.9A 2021-08-11 2021-08-11 显示面板 Active CN113690251B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110920218.9A CN113690251B (zh) 2021-08-11 2021-08-11 显示面板
US17/600,040 US11997869B2 (en) 2021-08-11 2021-09-02 Display panel and display device
PCT/CN2021/116249 WO2023015627A1 (zh) 2021-08-11 2021-09-02 显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110920218.9A CN113690251B (zh) 2021-08-11 2021-08-11 显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113690251A true CN113690251A (zh) 2021-11-23
CN113690251B CN113690251B (zh) 2022-11-08

Family

ID=78579485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110920218.9A Active CN113690251B (zh) 2021-08-11 2021-08-11 显示面板

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113690251B (zh)
WO (1) WO2023015627A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115117280A (zh) * 2022-06-30 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN115207246A (zh) * 2022-07-14 2022-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
WO2023108703A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置
WO2023142169A1 (zh) * 2022-01-25 2023-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2023178779A1 (zh) * 2022-03-23 2023-09-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110224006A (zh) * 2019-05-13 2019-09-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN110265583A (zh) * 2019-07-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US20190333972A1 (en) * 2018-04-26 2019-10-31 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel, fabricating method and display device
CN211719594U (zh) * 2020-02-21 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6894433B2 (en) * 2002-11-12 2005-05-17 Opto Tech Corporation Organic electro-luminescent device
KR102457252B1 (ko) * 2015-11-20 2022-10-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107579171B (zh) * 2017-08-31 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN110416435B (zh) * 2019-08-28 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110600526B (zh) * 2019-09-30 2021-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113066932B (zh) * 2020-01-02 2022-08-26 合肥维信诺科技有限公司 显示装置、显示面板及显示面板的制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190333972A1 (en) * 2018-04-26 2019-10-31 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel, fabricating method and display device
CN110224006A (zh) * 2019-05-13 2019-09-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN110265583A (zh) * 2019-07-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN211719594U (zh) * 2020-02-21 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023108703A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置
WO2023142169A1 (zh) * 2022-01-25 2023-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2023178779A1 (zh) * 2022-03-23 2023-09-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN115117280A (zh) * 2022-06-30 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN115117280B (zh) * 2022-06-30 2023-08-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN115207246A (zh) * 2022-07-14 2022-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023015627A1 (zh) 2023-02-16
CN113690251B (zh) 2022-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113690251B (zh) 显示面板
CN110034241B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法、电子设备
CN112186023B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR101920766B1 (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2021136515A1 (zh) 显示面板、显示装置及待切割基板
US9620738B2 (en) Flat panel display device and manufacturing method thereof
JP2023156420A (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
WO2020154875A1 (zh) 像素单元及其制造方法和双面oled显示装置
KR20160072010A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN113812014B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
KR102595445B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114628449B (zh) 显示基板及其制作方法、以及显示装置
CN110660839B (zh) 一种显示面板及其制备方法
CN114628405A (zh) 显示基板及其制作方法、以及显示装置
KR20170065069A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN113421904A (zh) 显示面板及其制作方法
CN114284458B (zh) 显示基板及其制作方法、显示面板
JP4823685B2 (ja) El装置及びその製造方法
JP2007179914A (ja) El装置及びその製造方法
US20230309337A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof, display device
CN107808932B (zh) 一种oled器件及其制备方法、显示装置
WO2023184609A1 (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法
US11997869B2 (en) Display panel and display device
CN114203774A (zh) 一种显示面板及其制备方法
CN111785741B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant