CN114203774A - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，属于显示技术领域。本申请提供的显示面板中，位于显示区和开孔之间的过渡区的显示面板包括衬底层、刻蚀阻挡层和发光层，其中，衬底层上设置有隔断槽，且在衬底层至刻蚀阻挡层的方向上，隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小，刻蚀阻挡层设置有与隔断槽对应连通的第一通槽，发光层覆盖刻蚀阻挡层背离衬底层一侧以及隔断槽的部分底部，且覆盖刻蚀阻挡层的发光层与覆盖部分底部的发光层之间相互断开设置。刻蚀阻挡层能够简化形成隔断槽的工艺，使得发光层断开，开孔内水氧连续入侵线路被断开，且延长了水氧入侵的线路，保护了位于显示区的发光层和阵列层，降低其被水氧侵蚀的几率。

Description

一种显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

随着显示技术的发展，具有OLED显示面板的手机、平板等智能终端的普及率越来越高，消费者对于屏占比的要求也越来越高，挖孔屏成为提高屏占比的其中一种主流手段，即在显示面板上形成贯通的开孔，便于将摄像头、听筒、传感器等器件放置在开孔的下方，提高屏占比。但是，挖孔之后，空气中的水氧容易从开孔的侧壁侵入显示区，对显示区的发光层和阵列层等功能膜层造成侵蚀，影响显示面板的可靠性和显示效果。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制备方法，能够提高显示面板的可靠性和显示效果。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，其上设置有贯通的开孔，所述显示面板定义有显示区和过渡区，所述过渡区位于所述显示区和所述开孔之间，位于所述过渡区的显示面板包括：

衬底层，所述衬底层的第一表面设置有至少一个隔断槽；

刻蚀阻挡层，覆盖所述第一表面，所述刻蚀阻挡层设置有至少一个第一通槽，且一个所述第一通槽与一个所述隔断槽对应连通；其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小；

发光层，覆盖所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层一侧以及所述隔断槽的部分底部，且覆盖所述刻蚀阻挡层的发光层与覆盖所述隔断槽的部分底部的发光层之间相互断开设置。

其中，位于所述显示区的所述显示面板包括：依次叠置的所述衬底层、阵列层和所述发光层；其中，所述阵列层包括至少一个金属层，所述刻蚀阻挡层由其中至少一个所述金属层延伸至所述过渡区形成。

其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层方向上，所述阵列层包括层叠设置的多个金属层，且最靠近所述衬底层的所述金属层延伸至所述过渡区形成所述刻蚀阻挡层。

其中，所述隔断槽的数量为多个，多个所述隔断槽呈环状排布，且多个所述隔断槽依次套设在所述开孔的外围。

其中，所述隔断槽包括第一部分，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分开口尺寸逐渐变小；或者，所述隔断槽包括第一部分和第二部分，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分开口尺寸逐渐变小，所述第一部分开口尺寸最小的一侧与所述第二部分连通。

其中，位于所述过渡区的显示面板还包括封装层，所述封装层连续覆盖位于所述刻蚀阻挡层上的所述发光层、所述第一通槽的侧壁、所述隔断槽的侧壁、以及位于所述隔断槽底部的所述发光层。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，包括：

提供衬底层，所述衬底层定义有开孔区、过渡区和显示区，且所述过渡区位于所述显示区和所述开孔区之间；

在位于所述开孔区和所述过渡区的所述衬底层一侧表面形成图案化的刻蚀阻挡层，其中，所述刻蚀阻挡层上形成有至少一个第一通槽，部分所述衬底层从所述第一通槽中外露；

以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的部分所述衬底层，以在所述衬底层上形成至少一个隔断槽；其中，一个所述第一通槽与一个所述隔断槽对应连通，且在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小；

形成发光层，所述发光层覆盖所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层一侧以及所述隔断槽的部分底部，且覆盖所述刻蚀阻挡层的发光层与覆盖所述隔断槽的部分底部的发光层之间相互断开设置；

对应所述开孔区形成贯通的开孔。

其中，所述提供衬底层的步骤之后，还包括：

在位于所述显示区的所述衬底层一侧表面形成图案化的阵列层；其中，所述阵列层包括至少一个金属层，且其中至少一个所述金属层延伸至所述过渡区和所述开孔区形成所述刻蚀阻挡层。

其中，所述以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的所述衬底层，以在所述衬底层上形成至少一个隔断槽的步骤，包括：

以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的部分所述衬底层，以形成所述隔断槽的第一部分；其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分的开口尺寸逐渐变小；或者，

以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的部分所述衬底层，以形成所述隔断槽的第二部分；刻蚀去除从所述第二部分外露的部分所述衬底层，以形成所述隔断槽的第一部分；其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分的开口尺寸逐渐变小，所述第一部分开口尺寸最小的一侧与所述第二部分连通。

其中，所述形成发光层的步骤，包括：在所述阵列层和所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层的一侧表面形成所述发光层；

所述形成发光层的步骤之后，还包括：在所述发光层背离所述衬底层一侧表面形成封装层，所述封装层连续覆盖位于所述阵列层和所述刻蚀阻挡层上的所述发光层、所述第一通槽的侧壁、所述隔断槽的侧壁、以及位于所述隔断槽底部的所述发光层。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供的显示面板中，位于显示区和开孔之间的过渡区的显示面板包括衬底层、刻蚀阻挡层和发光层，其中，衬底层上设置有隔断槽，且在衬底层至刻蚀阻挡层的方向上，隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小，刻蚀阻挡层设置有与隔断槽对应连通的第一通槽，发光层覆盖刻蚀阻挡层背离衬底层一侧以及隔断槽的部分底部，且覆盖刻蚀阻挡层的发光层与覆盖隔断槽的部分底部的发光层之间相互断开设置。刻蚀阻挡层能够简化形成隔断槽的工艺，并使得后续形成的发光层断开设置，导致开孔内水氧的连续入侵线路被断开，且隔断槽的设置延长了水氧入侵的线路，从而保护了位于显示区的发光层和阵列层，降低其被水氧侵蚀的几率，提高显示面板的可靠性和显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1为本申请显示面板一实施方式的结构示意图；

图2为图1中A-A方向的截面示意图；

图3为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图；

图4为图1中虚线框的放大示意图；

图5为本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图；

图6a为图5中步骤S11一实施方式对应的结构示意图；

图6b为图5中步骤S12一实施方式对应的结构示意图；

图6c为图6b中N-N方向的截面示意图；

图6d为图5中步骤S13一实施方式对应的结构示意图；

图6e为图5中步骤S14一实施方式对应的结构示意图；

图6f为形成封装层一实施方式对应的结构示意图；

图7a为图5中步骤S13另一实施方式对应的结构示意图；

图7b为图5中步骤S14另一实施方式对应的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1和图2，图1为本申请显示面板一实施方式的结构示意图，图2为图1中A-A方向的截面示意图，该显示面板上设置有贯通的开孔H，显示面板定义有显示区110和过渡区120，其中，过渡区120位于显示区110和开孔H之间。显示区110具有显示功能，过渡区120是切割形成开孔H之后剩余的不具有显示功能的部分，可对显示区110起到保护作用。

具体地，位于过渡区120的显示面板包括衬底层11、刻蚀阻挡层12和发光层13。其中，衬底层11的第一表面设置有至少一个隔断槽B，其中，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，隔断槽B靠近其底部部分的开口尺寸逐渐变小，即隔断槽B靠近其底部的部分形成Undercut结构。刻蚀阻挡层12覆盖衬底层11的第一表面，且刻蚀阻挡层12设置有至少一个第一通槽C，且一个第一通槽C与一个隔断槽B对应连通。发光层13覆盖刻蚀阻挡层12背离衬底层11一侧以及隔断槽B的部分底部，且覆盖刻蚀阻挡层12的发光层13与覆盖隔断槽B部分底部的发光层13之间相互断开设置。

可见，刻蚀阻挡层12可作为形成隔断槽B的刻蚀掩膜，简化形成隔断槽B的工艺。且形成具有undercut结构的隔断槽B之后，形成发光层13时，其于隔断槽B的侧壁处断开，导致开孔H内水氧沿发光层13连续入侵的入侵线路被断开，且隔断槽B的设置还延长了水氧入侵的线路，从而保护了位于显示区110的发光层，降低其被水氧侵蚀的几率，提高显示面板的可靠性和显示效果。

在一个实施方式中，请继续参阅图1和图2，位于显示区110的显示面板包括依次叠置的衬底层11、阵列层14和发光层13；其中，衬底层11与过渡区120的衬底层11为同一功能膜层，发光层13与过渡区120的发光层13为同一功能膜层。阵列层14仅位于显示区110，阵列层14包括至少一个金属层(图未示)，上述过渡区120的刻蚀阻挡层12由其中至少一个金属层延伸至过渡区120形成。也就是说，在形成该其中至少一个金属层时，在其对应过渡区120的部分上形成至少一个第一通槽C，用作形成隔断槽B的刻蚀阻挡层，从而简化形成隔断槽B的工艺，省去了在过渡区120额外形成刻蚀阻挡层的工艺，提高产能，降低成本。

具体地，发光层13可包括现有技术中的载流子注入层、载流子传输层、有机发光材料层等。阵列层14可包括现有技术中用于驱动发光层13的各功能膜层，例如半导体层、绝缘层、金属层、阳极层、有机平坦化层、像素定义层等等。本实施方式优选在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，将最靠近衬底层11的金属层延伸至过渡区120形成上述刻蚀阻挡层12。具体地，该最靠近衬底层11的金属层为紧贴于衬底层11表面的图案化金属遮挡层，用于对阵列层14中的部分TFT进行遮挡，提升其稳定性。在对其进行图案化时，将对应过渡区120的部分同时图案化，形成刻蚀阻挡层12。

进一步地，请继续参阅图1和图2，隔断槽B包括第一部分和第二部分，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，该第一部分开口尺寸逐渐变小，且第一部分开口尺寸最小的一侧与第二部分连通。

具体地，衬底层11包括至少一叠置的有机层111和无机层112形成的子层，在同一子层中，无机层112相对有机层111靠近刻蚀阻挡层12；隔断槽B贯通最靠近刻蚀阻挡层12的子层中的无机层112和部分有机层111；隔断槽B贯通无机层112的为第二部分，贯通部分有机层111的为第一部分。其中，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，隔断槽B位于有机层111中的第一部分开口尺寸逐渐变小。即隔断槽B位于有机层111中的第一部分形成Undercut结构，如此设置使得后续形成的发光层13于该处断开，形成覆盖刻蚀阻挡层12的部分和覆盖隔断槽B部分底部的部分。从而降低显示区110的发光层13和阵列层14被水氧侵蚀的几率，提高显示面板的可靠性和显示效果。

在其他实施方式中，上述第一部分并不限于位于有机层111中，第二部分也不限于位于无机层112中，例如第二部分也可同时贯通最靠近刻蚀阻挡层12的子层中的有机层111和无机层112，例如第一部分也可贯通最远离刻蚀阻挡层12的子层中的有机层111，且第二部分的形状也不限于图2所示。

进一步地，请继续参阅图1和图2，位于过渡区120的显示面板还包括封装层15，封装层15连续覆盖位于刻蚀阻挡层12上的发光层13、第一通槽C的侧壁、隔断槽B的侧壁、以及位于隔断槽B底部的发光层13。当然，显示区110也具有封装层15，覆盖于显示区110的发光层13表面。具体地，封装层15可对显示面板的内部结构起到保护作用，隔绝外界环境，具体可为交替层叠设置的无机有机结构，与现有技术中相同，此处不再详述。

在一个实施方式中，请结合图1参阅图3，图3为本申请显示面板一实施方式的结构示意图，与图2所示实施方式不同的是，本实施方式中，隔断槽B包括第一部分，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，该第一部分开口尺寸逐渐变小。

具体地，隔断槽B贯通最靠近刻蚀阻挡层12的子层中的至少部分无机层112，图3示意性画出隔断槽B贯通部分无机层112的情况。在其他实施方式中也可贯通全部无机层112，即下面的有机层111从隔断槽B底部外露，还可贯通无机层112和有机层111，并不限于图3所示。

在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，隔断槽B的第一部分开口尺寸逐渐变小，即隔断槽B位于无机层112中的第一部分形成Undercut结构，如此设置使得后续形成的发光层13于该处断开，形成覆盖刻蚀阻挡层12的部分和覆盖隔断槽B部分底部的部分。从而降低显示区110的发光层13和阵列层14被水氧侵蚀的几率，提高显示面板的可靠性和显示效果。

在一个实施方式中，请结合图1-图3参阅图4，图4为图1中虚线框的放大示意图，隔断槽B的数量为多个，多个隔断槽B呈环状排布，且多个隔断槽B依次套设在开孔H的外围。隔断槽B可以为圆形、椭圆形、以及其他形状，图1和图4画出圆形示意，本申请不以此为限。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板的制备方法，请参阅图5，图5为本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图，该制备方法包括如下步骤。

步骤S11，提供衬底层，衬底层定义有开孔区、过渡区和显示区，且过渡区位于显示区和开孔区之间。

请参阅图6a，图6a为图5中步骤S11一实施方式对应的结构示意图，首先提供衬底层11，衬底层11定义有开孔区130、过渡区120和显示区110，且过渡区120位于显示区110和开孔区130之间。具体地，衬底层11包括至少一叠置的有机层111和无机层112形成的子层，图6a画出两个子层的情况。为清楚示意，图6a中仅画出过渡区120外围的少部分显示区110，且图6a中开孔区130的右侧为开孔区130的中心点。

步骤S12，在位于开孔区和过渡区的衬底层一侧表面形成图案化的刻蚀阻挡层，其中，刻蚀阻挡层上形成有至少一个第一通槽，部分衬底层从第一通槽中外露。

请结合图6a参阅图6b和图6c，图6b为图5中步骤S12一实施方式对应的结构示意图，图6c为图6b中N-N方向的截面示意图，在位于开孔区130和过渡区120的衬底层11一侧表面形成图案化的刻蚀阻挡层12，具体为在无机层112一侧形成刻蚀阻挡层12。其中，刻蚀阻挡层12上形成有至少一个第一通槽C，部分衬底层11从第一通槽C中外露。图6b中示意性画出四个环状排布的第一通槽C。

与此同时，在位于显示区110的衬底层11一侧表面形成图案化的阵列层14；其中，阵列层14包括至少一个金属层，且其中至少一个金属层延伸至过渡区120和开孔区130形成刻蚀阻挡层12。

优选在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，将最靠近衬底层11的金属层延伸至过渡区120形成上述刻蚀阻挡层12。具体地，该最靠近衬底层11的金属层为紧贴于衬底层11表面的图案化金属遮挡层，用于对阵列层14中的部分TFT进行遮挡，提升其稳定性。在对其进行图案化时，将对应过渡区120和开孔区130的部分同时图案化，形成刻蚀阻挡层12。

步骤S13，以刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从第一通槽中外露的部分衬底层，以在衬底层上形成至少一个隔断槽；其中，一个第一通槽与一个隔断槽对应连通，且在衬底层至刻蚀阻挡层的方向上，隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小。

请结合图6c参阅图6d，图6d为图5中步骤S13一实施方式对应的结构示意图，形成刻蚀阻挡层12之后，以刻蚀阻挡层12为掩膜，刻蚀去除从第一通槽C中外露的部分衬底层11，以在衬底层11上形成至少一个隔断槽B；其中，一个第一通槽C与一个隔断槽B对应连通，且在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，隔断槽B靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小。

具体地，可通过如下步骤形成隔断槽B：

步骤一：以刻蚀阻挡层12为掩膜，刻蚀去除从第一通槽C中外露的部分衬底层11，以形成隔断槽B的第二部分。

具体地，可刻蚀去除从第一通槽C中外露的无机层112，以在最靠近刻蚀阻挡层12的无机层112中形成与第一通槽C对应连通的第二部分D，最靠近刻蚀阻挡层12的有机层111从第二部分D中外露。

在其他实施方式中，上述第二部分D不限于位于无机层112中，例如第二部分D也可同时贯通最靠近刻蚀阻挡层12的子层中的有机层111和无机层112，或者同时贯通两个子层，且第二部分的形状也不限于图6d所示。

步骤二：刻蚀去除从第二部分D中外露的部分衬底层11，以形成隔断槽B的第一部分。其中，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，第一部分的开口尺寸逐渐变小，且第一部分开口尺寸最小的一侧与第二部分D连通。

具体地，可刻蚀去除从第二部分D中外露的部分有机层111，以形成隔断槽B的第一部分。其中，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，隔断槽B位于有机层111中的第一部分开口尺寸逐渐变小。即隔断槽B位于有机层111中的第一部分形成Undercut结构，使得后续形成的位于开孔区130和过渡区120的发光层13于隔断槽B的侧壁处断开，形成覆盖刻蚀阻挡层12的部分和覆盖隔断槽B部分底部的部分。

在其他实施方式中，上述第一部分不限于位于有机层111中，例如第一部分也可位于无机层112中，或者同时贯通相邻的有机层111和无机层112。

步骤S14，形成发光层，发光层覆盖刻蚀阻挡层背离衬底层一侧以及隔断槽的部分底部，且覆盖刻蚀阻挡层的发光层与覆盖隔断槽的部分底部的发光层之间相互断开设置。

请结合图6d参阅图6e，图6e为图5中步骤S14一实施方式对应的结构示意图，形成隔断槽B之后，在阵列层14和刻蚀阻挡层12背离衬底层11的一侧表面形成发光层13，使得位于开孔区130和过渡区120的发光层13覆盖刻蚀阻挡层12背离衬底层11一侧以及隔断槽B的部分底部，且覆盖刻蚀阻挡层12的发光层13与覆盖隔断槽B的部分底部的发光层13之间相互断开设置。后续将开孔区130的各功能膜层切割形成开孔之后，开孔内水氧沿发光层13连续入侵的入侵线路将被断开，且隔断槽B的设置还延长了水氧入侵的线路。

进一步地，请结合图6d图6e参阅图6f，图6f为形成封装层一实施方式对应的结构示意图，形成发光层13之后，在发光层13背离衬底层11一侧表面形成封装层15，封装层15连续覆盖位于阵列层14和刻蚀阻挡层12上的发光层13、第一通槽C的侧壁、隔断槽B的侧壁、以及位于隔断槽B底部的发光层13。

步骤S15，对应开孔区形成贯通的开孔。

请结合参阅图6f和图2，形成发光层13和封装层15之后，对应开孔区130切割掉部分封装层15、部分发光层13、部分刻蚀阻挡层12和部分衬底层11，以形成贯通的开孔H。本实施方式形成的显示面板中，显示区110的发光层13和阵列层14被水氧侵蚀的几率被降低，从而能够提高显示面板的可靠性和显示效果。

在另一个实施方式中，请结合图6c参阅图7a，图7a为图5中步骤S13另一实施方式对应的结构示意图，还可通过如下步骤形成隔断槽B：

以刻蚀阻挡层12为掩膜，刻蚀去除从第一通槽C中外露的部分衬底层11，以形成隔断槽B的第一部分。其中，在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，该第一部分的开口尺寸逐渐变小。

具体地，本实施方式以刻蚀阻挡层12为掩膜，刻蚀去除从第一通槽C中外露的部分无机层112，以形成隔断槽B的第一部分。也就是说，隔断槽B的第一部分仅位于无机层112中，且在衬底层11至刻蚀阻挡层12的方向上，第一部分的开口尺寸逐渐变小。即第一部分具有Undercut结构，使得后续形成的发光层13于该处断开，形成覆盖刻蚀阻挡层12的部分和覆盖隔断槽B部分底部的部分。从而降低显示区110的发光层13和阵列层14被水氧侵蚀的几率，提高显示面板的可靠性和显示效果。

在其他实施方式中，隔断槽B的第一部分并不限于位于最靠近刻蚀阻挡层12的子层中的无机层112中，也可贯通全部无机层112，还可同时贯通无机层112和有机层111，并不限于图7a所示。

进一步地，请结合图7a参阅图7b，图7b为图5中步骤S14另一实施方式对应的结构示意图，在图7a所示结构的基础上进一步形成发光层13之后，覆盖刻蚀阻挡层12的发光层13与覆盖隔断槽B的部分底部的发光层13之间相互断开。后续将开孔区130的各功能膜层切割形成开孔之后，开孔内水氧沿发光层13连续入侵的入侵线路将被断开，且隔断槽B的设置还延长了水氧入侵的线路。

后续在图7b所示结构的基础上进一步形成封装层15，并对应开孔区130切割掉部分封装层15、部分发光层13、部分刻蚀阻挡层12和部分衬底层11，可得到如图3所示的显示面板，此处不再一一作图示意。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其上设置有贯通的开孔，所述显示面板定义有显示区和过渡区，所述过渡区位于所述显示区和所述开孔之间，其特征在于，位于所述过渡区的显示面板包括：

衬底层，所述衬底层的第一表面设置有至少一个隔断槽；

刻蚀阻挡层，覆盖所述第一表面，所述刻蚀阻挡层设置有至少一个第一通槽，且一个所述第一通槽与一个所述隔断槽对应连通；其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小；

发光层，覆盖所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层一侧以及所述隔断槽的部分底部，且覆盖所述刻蚀阻挡层的发光层与覆盖所述隔断槽的部分底部的发光层之间相互断开设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述显示区的所述显示面板包括：

依次叠置的所述衬底层、阵列层和所述发光层；其中，所述阵列层包括至少一个金属层，所述刻蚀阻挡层由其中至少一个所述金属层延伸至所述过渡区形成。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述阵列层包括层叠设置的多个金属层，且最靠近所述衬底层的所述金属层延伸至所述过渡区形成所述刻蚀阻挡层。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述隔断槽的数量为多个，多个所述隔断槽呈环状排布，且多个所述隔断槽依次套设在所述开孔的外围。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述隔断槽包括第一部分，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分开口尺寸逐渐变小；

或者，

所述隔断槽包括第一部分和第二部分，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分开口尺寸逐渐变小，所述第一部分开口尺寸最小的一侧与所述第二部分连通。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，

位于所述过渡区的显示面板还包括封装层，所述封装层连续覆盖位于所述刻蚀阻挡层上的所述发光层、所述第一通槽的侧壁、所述隔断槽的侧壁、以及位于所述隔断槽底部的所述发光层。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底层，所述衬底层定义有开孔区、过渡区和显示区，且所述过渡区位于所述显示区和所述开孔区之间；

在位于所述开孔区和所述过渡区的所述衬底层一侧表面形成图案化的刻蚀阻挡层，其中，所述刻蚀阻挡层上形成有至少一个第一通槽，部分所述衬底层从所述第一通槽中外露；

以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的部分所述衬底层，以在所述衬底层上形成至少一个隔断槽；其中，一个所述第一通槽与一个所述隔断槽对应连通，且在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述隔断槽靠近底部部分的开口尺寸逐渐变小；

形成发光层，所述发光层覆盖所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层一侧以及所述隔断槽的部分底部，且覆盖所述刻蚀阻挡层的发光层与覆盖所述隔断槽的部分底部的发光层之间相互断开设置；

对应所述开孔区形成贯通的开孔。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述提供衬底层的步骤之后，还包括：

在位于所述显示区的所述衬底层一侧表面形成图案化的阵列层；其中，所述阵列层包括至少一个金属层，且其中至少一个所述金属层延伸至所述过渡区和所述开孔区形成所述刻蚀阻挡层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的所述衬底层，以在所述衬底层上形成至少一个隔断槽的步骤，包括：

以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的部分所述衬底层，以形成所述隔断槽的第一部分；其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分的开口尺寸逐渐变小；

或者，

以所述刻蚀阻挡层为掩膜，刻蚀去除从所述第一通槽中外露的部分所述衬底层，以形成所述隔断槽的第二部分；刻蚀去除从所述第二部分外露的部分所述衬底层，以形成所述隔断槽的第一部分；其中，在所述衬底层至所述刻蚀阻挡层的方向上，所述第一部分的开口尺寸逐渐变小，所述第一部分开口尺寸最小的一侧与所述第二部分连通。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

所述形成发光层的步骤，包括：

在所述阵列层和所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层的一侧表面形成所述发光层；

所述形成发光层的步骤之后，还包括：

在所述发光层背离所述衬底层一侧表面形成封装层，所述封装层连续覆盖位于所述阵列层和所述刻蚀阻挡层上的所述发光层、所述第一通槽的侧壁、所述隔断槽的侧壁、以及位于所述隔断槽底部的所述发光层。

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