CN111653522A - 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 - Google Patents
一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111653522A CN111653522A CN202010548300.9A CN202010548300A CN111653522A CN 111653522 A CN111653522 A CN 111653522A CN 202010548300 A CN202010548300 A CN 202010548300A CN 111653522 A CN111653522 A CN 111653522A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- isolation
- isolation structure
- region
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 290
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 223
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 52
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明实施例提供一衬底基板；衬底基板包括显示区域，显示区域包括通孔区和围绕通孔区的隔离区；在衬底基板上的隔离区形成隔离结构；隔离结构包括设置在衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在栅极绝缘层上的层间介质层；在隔离结构上形成钝化层；对隔离结构进行刻蚀，以使隔离结构远离衬底基板的第一表面在衬底基板的正投影位于钝化层靠近衬底基板的第二表面在衬底基板的正投影之内，从而使有机材料蒸镀时在钝化层与隔离结构接触的位置处断开，避免了通孔区的水氧通过有机材料传输到显示区域中的其它区域，也避免了采用金属隔离结构时出现隔离失效的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
背景技术
现有的柔性AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机发光二极管)产品为实现更大的屏占比，将前置摄像头或红外扫描装置设置在显示区域内部已经成为一种流行的趋势，此时，需要在显示区域形成通孔，然后将前置摄像头或红外扫描装置安装在该通孔对应的位置，由于通孔的完成是在模组工艺阶段进行的，通孔形成后，其边缘位置蒸镀的有机材料会被裸露出来，从而会形成水氧侵蚀路径，使显示区域中的有效显示区产生黑点不良的问题。
目前，为防止这种不良现象的出现，会在通孔周边设计隔离装置来实现有机材料的隔离，通常的隔离装置包括形成在层间质层上的SD隔离柱(即形成源漏极的金属)，如图1所示，SD隔离柱是由形成在层间介质层1上的底层2的Ti、中间层3的Al和顶层4的Ti构成的，顶层4的Ti与中间层3的Al会形成底切结构，从而来实现对有机材料的隔离。
但是，当采用SD隔离柱方案来实现对有机材料的隔离时，由于阳极和SD隔离柱是同时刻蚀形成的，在对阳极进行刻蚀时，Ag离子会进入刻蚀液，而刻蚀液会接触到SD隔离柱，刻蚀液中的Ag离子会与SD隔离柱中的Al发生置换反应，会产生Ag颗粒，Ag颗粒在后续的湿制成工艺中会随着溶液而移动，当Ag颗粒移动到显示区域中的有效显示区时，会导致显示面板显示时产生暗点的问题，并且，当Ag颗粒移动并聚集到SD隔离柱的底切结构中时，会使底切结构消失，此后，若蒸镀有机材料，有机材料会在层间介质层的表面和SD隔离柱表面形成连续的膜层，从而会形成水氧侵蚀路径，进而导致SD隔离柱失效。
发明内容
本发明提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，以解决现有技术中采用SD隔离柱容易使显示面板产生暗点以及导致隔离失效的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种显示基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区；
在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构；所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；
在所述隔离结构上形成钝化层；
对所述隔离结构进行刻蚀，以使所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。
可选的，所述钝化层的材料为非晶硅。
可选的，所述栅极绝缘层和所述层间介质层的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合物。
可选的，采用湿法刻蚀工艺对所述隔离结构进行刻蚀；
其中，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液。
可选的，当所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液时，所述氢氟酸刻蚀液中氢氟酸的浓度为2％～2.5％；
当所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为缓冲氧化物刻蚀液时，所述缓冲氧化物刻蚀液包括氢氟酸和氟化铵，所述缓冲氧化物刻蚀液中的所述氢氟酸的浓度为15％～20％。
可选的，所述显示区域还包括有效显示区；所述在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构的步骤，包括：
在所述衬底基板上的所述有效显示区形成有源层；
形成覆盖所述有源层和所述衬底基板的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层位于所述有效显示区和所述隔离区；
在所述有效显示区内的所述栅极绝缘层上形成栅极；
形成覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层的层间介质层；所述层间介质层位于所述有效显示区和所述隔离区；
对所述栅极绝缘层和所述层间介质层进行刻蚀，以在所述隔离区形成所述隔离结构，并在所述有效显示区形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一过孔和第二过孔。
可选的，在所述在所述隔离结构上形成钝化层的步骤之前，还包括：
在所述层间介质层上形成第一金属薄膜；
对所述第一金属薄膜进行图案化处理，以在所述有效显示区形成源极和漏极，并去除所述隔离区的所述第一金属薄膜；
其中，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层接触，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层接触。
可选的，所述在所述隔离结构上形成钝化层的步骤，包括：
形成覆盖所述源极、所述漏极和所述层间介质层的钝化薄膜；
对所述钝化薄膜进行图案化处理，以形成所述钝化层；所述钝化层位于所述有效显示区以及所述隔离区的所述隔离结构上，且所述有效显示区具有贯穿所述钝化层的第三过孔。
可选的，在所述对所述隔离结构进行刻蚀的步骤之前，还包括：
在所述钝化层上形成平坦层；
对所述平坦层进行刻蚀，以在所述有效显示区形成贯穿所述平坦层的第四过孔，并去除所述隔离区的所述平坦层；所述第四过孔在所述漏极上的正投影与所述第三过孔在所述漏极上的正投影至少部分重叠；
在所述平坦层和所述隔离区的所述钝化层上形成第二金属薄膜；
在所述第二金属薄膜上形成第一光刻胶；
对所述第一光刻胶进行曝光；
对曝光后的所述第一光刻胶进行显影，使部分所述第二金属薄膜漏出；
对漏出的所述第二金属薄膜进行刻蚀，以在所述有效显示区形成阳极，并去除所述隔离区的所述第二金属薄膜；所述阳极通过所述第四过孔和所述第三过孔与所述漏极接触；
在所述对所述隔离结构进行刻蚀的步骤之后，还包括：
去除所述阳极上剩余的所述第一光刻胶。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板，所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区；
形成在所述衬底基板上的所述隔离区的隔离结构，所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；
形成在所述隔离结构上的钝化层；
其中，所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括上述的显示基板。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
在本发明实施例中，提供一衬底基板，该衬底基板包括显示区域，显示区域包括通孔区和围绕通孔区的隔离区；在衬底基板上的隔离区形成隔离结构，该隔离结构包括设置在衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在栅极绝缘层上的层间介质层；在隔离结构上形成钝化层；对隔离结构进行刻蚀，以使隔离结构的第一表面在衬底基板的正投影位于钝化层的第二表面在衬底基板的正投影之内，第一表面为隔离结构远离衬底基板的表面，第二表面为钝化层靠近衬底基板的表面。通过在衬底基板上的隔离区形成隔离结构，然后在隔离结构上形成钝化层，对隔离结构进行刻蚀，使隔离结构相对钝化层内缩，即使得隔离结构的第一表面在衬底基板的正投影位于钝化层的第二表面在衬底基板的正投影之内，从而通过钝化层与隔离结构形成了底切结构，进而在蒸镀有机材料时，有机材料会在底切结构的位置断开，可以有效避免通孔区的水氧通过有机材料传输到显示区域中的其它区域的问题，并且，在通过钝化层和隔离结构形成底切结构时，不会产生Ag颗粒，则避免了Ag颗粒移动到显示区域中的有效显示区导致的显示面板产生暗点的问题，以及Ag颗粒移动并聚集到SD隔离柱的底切结构中导致SD隔离柱失效的问题。
附图说明
图1示出了现有技术中SD隔离柱的截面示意图；
图2示出了本发明实施例一的一种显示基板的制作方法的流程图；
图3示出了本发明实施例的一种显示面板的平面结构示意图；
图4示出了采用本发明一种显示基板的制作方法形成的隔离结构和位于隔离结构上的钝化层的截面示意图；
图5示出了采用本发明一种显示基板的制作方法在隔离区形成隔离结构后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图6示出了采用本发明一种显示基板的制作方法在有效显示区和隔离区形成第一金属薄膜后的截面示意图；
图7示出了采用本发明一种显示基板的制作方法对第一金属薄膜进行刻蚀形成源极和漏极后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图8示出了采用本发明一种显示基板的制作方法在形成源极和漏极后的有效显示区和隔离区形成钝化薄膜的截面示意图；
图9示出了采用本发明一种显示基板的制作方法对钝化薄膜上的第七光刻胶显影后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图10示出了采用本发明一种显示基板的制作方法对钝化薄膜进行刻蚀后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图11示出了采用本发明一种显示基板的制作方法剥离钝化层上残留的第七光刻胶后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图12示出了采用本发明一种显示基板的制作方法形成平坦层后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图13示出了采用本发明一种显示基板的制作方法形成第二金属薄膜后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图14示出了采用本发明一种显示基板的制作方法对第二金属薄膜上的第一光刻胶进行显影后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图15示出了采用本发明一种显示基板的制作方法对第二金属薄膜刻蚀形成阳极后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图16示出了采用本发明一种显示基板的制作方法对隔离结构进行刻蚀后的有效显示区和隔离区的截面示意图；
图17示出了采用本发明一种显示基板的制作方法剥离阳极上残留的第一光刻胶后的有效显示区和隔离区的截面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图2，示出了本发明实施例一的一种显示基板的制作方法的流程图，具体可以包括以下步骤：
步骤210，提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区。
在本发明实施例中，提供一衬底基板，该衬底基板包括显示区域，显示区域包括通孔区10和围绕通孔区10的隔离区11，如图3所示，为采用本发明实施例的显示基板制作形成的显示面板的平面示意图，显示基板中的通孔区10指的是由该显示基板形成的显示面板上，用于安装摄像头或红外扫描装置等功能器件的区域，通孔区10是由沿图3中的虚线12从显示面板上切开后形成的。通过在显示区域形成通孔区10来安装功能器件，可以实现更大的屏占比，同时，设置隔离区11，可以将通孔区10单独隔离出来，防止通孔区10与显示区域的其它区域之间相互影响。
步骤220，在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构；所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层。
在本发明实施例中，如图4所示，衬底基板20包括基底100和位于基底100上的阻挡层101，以及位于该阻挡层101上的缓冲层102，在衬底基板20上的隔离区11形成栅极绝缘层103，在栅极绝缘层103上形成层间介质层104，栅极绝缘层103位于缓冲层102和层间介质层104之间，隔离区11的栅极绝缘层103和层间介质层104形成了隔离结构30，由于隔离区11围绕通孔区10设置，所以，形成在隔离区11的隔离结构30也围绕该通孔区10设置，隔离结构30用于将显示区域的通孔区10与显示区域的其它区域分隔开。
其中，缓冲层102和阻挡层101的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合物，该阻挡层101可用于阻挡外界杂质进入有源层106中，从而避免了外界杂质对驱动元件电性的影响。
在本发明一种可选的实施方式中，步骤220具体可以包括子步骤S2201至子步骤S2205：
子步骤S2201，在所述衬底基板上的所述有效显示区形成有源层；
子步骤S2202，形成覆盖所述有源层和所述衬底基板的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层位于所述有效显示区和所述隔离区；
子步骤S2203，在所述有效显示区内的所述栅极绝缘层上形成栅极；
子步骤S2204，形成覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层的层间介质层；所述层间介质层位于所述有效显示区和所述隔离区；
子步骤S2205，对所述栅极绝缘层和所述层间介质层进行刻蚀，以在所述隔离区形成所述隔离结构，并在所述有效显示区形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一过孔和第二过孔。
在本发明实施例中，如图5所示，显示区域还包括有效显示区13，首先，在衬底基板20上形成有源薄膜，在有源薄膜上形成第二光刻胶，对有源薄膜上的第二光刻胶进行曝光和显影，对显影后未被第二光刻胶覆盖的有源薄膜进行刻蚀，从而在衬底基板20上的有效显示区13形成有源层106，然后剥离有源层106上残留的第二光刻胶。
在衬底基板20上的有效显示区13形成有源层106后，然后，形成覆盖有源层106和衬底基板20的栅极绝缘层103；栅极绝缘层103位于有效显示区13和隔离区11；在有效显示区13内的栅极绝缘层103上形成栅极107。
具体的，栅极绝缘层103可以仅包括第一栅极绝缘层1031，栅极107可以仅包括第一栅极1071，在剥离有源层106上残留的第二光刻胶之后，形成覆盖该有源层106和衬底基板20的第一栅极绝缘层1031，该第一栅极绝缘层1031位于有效显示区13和隔离区11，在第一栅极绝缘层1031上形成第一栅极金属薄膜，在第一栅极金属薄膜上形成第三光刻胶，对第一栅极薄膜上的第三光刻胶进行曝光和显影，对显影后未被第三光刻胶覆盖的第一栅极金属薄膜进行刻蚀，从而在有效显示区13内的第一栅极绝缘层1031上形成第一栅极1071，剥离残留在第一栅极1071上的第三光刻胶。
可选的，栅极绝缘层103可以包括第一栅极绝缘层1031和第二栅极绝缘层1032，栅极107可以包括第一栅极1071和第二栅极1072，在按照上述方式形成第一栅极1071之后，接着形成覆盖第一栅极1071和第一栅极绝缘层1031的第二栅极绝缘层1032，第二栅极绝缘层1032位于有效显示区13和隔离区11，在第二栅极绝缘层1032上形成第二栅极金属薄膜，在第二栅极金属薄膜上形成第四光刻胶，对第二栅极薄膜上的第四光刻胶进行曝光和显影，对显影后未被第四光刻胶覆盖的第二栅极金属薄膜进行刻蚀，从而在有效显示区13内的第二栅极绝缘层1032上形成第二栅极1072，剥离第二栅极1072上残留的第四光刻胶。
在形成栅极107之后，接着形成覆盖栅极107和栅极绝缘层103的层间介质层104，该层间介质层104位于有效显示区13和隔离区11，对栅极绝缘层103和层间介质层104进行刻蚀，以在隔离区11形成隔离结构30，并在有效显示区13形成贯穿栅极绝缘层103和层间介质层104的第一过孔1081和第二过孔1082。
具体的，在层间介质层104上形成第五光刻胶，对该第五光刻胶进行曝光和显影，对显影后未被第五光刻胶覆盖的区域进行刻蚀，在隔离区11形成隔离结构30，同时，在有效显示区13形成贯穿栅极绝缘层103和层间介质层104的第一过孔1081和第二过孔1082，该第一过孔1081用于使后续制作的源极与有源层106进行搭接，该第二过孔1082用于使后续制作的漏极与有源层106进行搭接。
需要说明的是，当栅极绝缘层103只包括第一栅极绝缘层1031时，位于隔离区11的隔离结构30则包括第一栅极绝缘层1031和层间介质层104；当栅极绝缘层103包括第一栅极绝缘层1031和第二栅极绝缘层1032时，位于隔离区11的隔离结构30则包括第一栅极绝缘层1031、第二栅极绝缘层1032和层间介质层104，栅极绝缘层103和层间介质层104的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合物。
在本发明实施例中，由于隔离结构30是与有效显示区13中的栅极绝缘层103和层间介质层104一起形成的，不需要通过增加额外的光罩来形成。
步骤230，在所述隔离结构上形成钝化层。
在本发明实施例中，形成隔离结构30之后，通过构图工艺在该隔离结构30上形成一层钝化层105，如图4所示，使该钝化层105位于该隔离结构30远离衬底基板20的一侧，钝化层105可以对被其覆盖的膜层起到保护作用，另外，在隔离结构30上形成钝化层105，有利于后续通过对隔离结构30进行刻蚀时，该钝化层105会在与隔离结构30接触的界面处形成底切结构C。
在本发明一种可选的实施方式中，在步骤230之前还包括：在所述层间介质层上形成第一金属薄膜；对所述第一金属薄膜进行图案化处理，以在所述有效显示区形成源极和漏极，并去除所述隔离区的所述第一金属薄膜；其中，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层接触，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层接触。
在本发明实施例中，如图6所示，在层间介质层104上形成第一金属薄膜109，在第一金属薄膜109上形成第六光刻胶，对第六光刻胶进行曝光和显影，对显影后未被第六光刻胶覆盖的第一金属薄膜109进行刻蚀，如图7所示，从而在有效显示区13形成源极1091和漏极1092，并去除掉隔离区11的第一金属薄膜109，在形成源极1091和漏极1092之后，剥离残留在源极1091和漏极1092上的第六光刻胶。其中，在第一层间介质层104上形成第一金属薄膜109时，第一金属薄膜109填充至贯穿栅极绝缘层103和层间介质层104的第一过孔1081和第二过孔1082中，并与有源层106接触，从而使对第一金属薄膜109进行刻蚀后得到的源极1091通过第一过孔1081与有源层106接触，使形成的漏极1092通过第二过孔1082与有源层106接触，从而使源极1091、漏极1092和有源层106之间可以进行电子或空穴的传输。
在通过对第一金属薄膜109进行刻蚀形成源极1091和漏极1092之后，执行步骤230，在隔离结构30上形成钝化层105，步骤230具体可以包括以下子步骤：
S2301，形成覆盖所述源极、所述漏极和所述层间介质层的钝化薄膜；
S2302，对所述钝化薄膜进行图案化处理，以形成所述钝化层；所述钝化层位于所述有效显示区以及所述隔离区的所述隔离结构上，且所述有效显示区具有贯穿所述钝化层的第三过孔。
在本发明实施例中，如图8所示，先形成覆盖源极1091、漏极1092和层间介质层104的钝化薄膜1050，在该钝化薄膜1050上形成第七光刻胶110，对第七光刻胶110进行曝光和显影，如图9所示，对显影后未被第七光刻胶110覆盖的区域进行刻蚀，形成钝化层105，如图10所示，该钝化层105位于有效显示区13以及隔离区11的隔离结构30上，剥离残留在该钝化层105上的第七光刻胶110，在有效显示区13形成具有贯穿该钝化层105的第三过孔，如图11所示。第三过孔的形成可用于将驱动元件与后续形成的阳极进行搭接，以便电信号的传输。
其中，钝化层105的材料为非晶硅，钝化层105不仅可以保护源极1091和漏极1092在后续刻蚀工艺中不被刻蚀到，而且，由于隔离结构30是由栅极绝缘层103和层间介质层104形成的，而栅极绝缘层103和层间介质层104的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合物，因此，钝化层105与隔离结构30的材料不同，从而有利于后续对隔离结构30进行刻蚀时，来提高刻蚀的选择比，另外，隔离结构30上的钝化层105是在有效显示区13形成钝化层105的时候一起形成的，不需要通过增加额外的光罩来形成。
步骤240，对所述隔离结构进行刻蚀，以使所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。
在本发明实施例中，隔离结构30包括远离衬底基板20的第一表面，隔离结构30上的钝化层105包括靠近衬底基板20的第二表面，在隔离结构30上形成钝化层105之后，对隔离结构30进行刻蚀，隔离结构30沿平行于衬底基板20的方向相对于其上的钝化层105会内缩，使原本覆盖在隔离结构30的第一表面的钝化层105，在靠近通孔区10的一侧和远离通孔区10的一侧与隔离结构30共同形成底切结构C，也就是使隔离结构30的第一表面在衬底基板20的正投影位于钝化层105的第二表面在衬底基板20的正投影之内，从而在蒸镀有机材料时，有机材料会在由钝化层105和隔离结构30形成的底切结构C的位置处断开，可以避免通孔区10的水氧通过有机材料传输到显示区域中的其它区的问题。
在本发明一种可选的实施方式中，在步骤240之前还包括：在所述钝化层上形成平坦层；对所述平坦层进行刻蚀，以在所述有效显示区形成贯穿所述平坦层的第四过孔，并去除所述隔离区的所述平坦层；所述第四过孔在所述漏极上的正投影与所述第三过孔在所述漏极上的正投影至少部分重叠；在所述平坦层和所述隔离区的所述钝化层上形成第二金属薄膜；在所述第二金属薄膜上形成第一光刻胶；对所述第一光刻胶进行曝光；对曝光后的所述第一光刻胶进行显影，使部分所述第二金属薄膜漏出；对漏出的所述第二金属薄膜进行刻蚀，以在所述有效显示区形成阳极，并去除所述隔离区的所述第二金属薄膜；所述阳极通过所述第四过孔和所述第三过孔与所述漏极接触。
在本发明实施例中，先在钝化层105上形成平坦层111，再在平坦层111上形成第八光刻胶，对第八光刻胶进行曝光和显影，对显影后未被第八光刻胶覆盖的平坦层111进行刻蚀，在有效显示区13形成贯穿平坦层111的第四过孔，剥离平坦层111上残留的第八光刻胶，如图12所示，对平坦层111进行固化处理，该第四过孔在漏极1092上的正投影与第三过孔在漏极1092上的正投影至少部分重叠，同时，通过刻蚀去除位于隔离区11的平坦层111，有效显示区13的平坦层111用于对被其覆盖的区域进行平坦化。
在对平坦层111进行刻蚀后，在该有效显示区13中的平坦层111和隔离区11中的钝化层105上形成第二金属薄膜1120，如图13所示，第二金属薄膜1120通过贯穿平坦层111的第四过孔和贯穿钝化层105的第三过孔与漏极1092接触，在第二金属薄膜1120上形成第一光刻胶113，对第一光刻胶113进行曝光，对曝光后的第一光刻胶113进行显影，如图14所示，将被曝光部分的第一光刻胶113显影掉，从而漏出对应区域的第二金属薄膜1120，然后对漏出的第二金属薄膜1120进行刻蚀，从而在有效显示区13形成阳极112，如图15所示，并去除隔离区11的第二金属薄膜1120。
通过对第二金属薄膜1120进行刻蚀以在有效显示区13形成阳极112，使阳极112通过第四过孔和第三过孔与漏极1092接触，用于将驱动元件的电信号传输给后续沉积的有机材料。
在形成阳112极之后，执行步骤240，对隔离结构30进行刻蚀，在本发明实施例中，采用湿法刻蚀工艺对隔离结构30进行刻蚀，如图16所示，使刻蚀后的隔离结构30的第一表面在衬底基板20上的正投影位于钝化层105的第二表面在衬底基板20上的正投影之内，湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液，当刻湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液时，氢氟酸刻蚀液中氢氟酸的浓度为2％～2.5％；当湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为缓冲氧化物刻蚀液时，缓冲氧化物刻蚀液包括氢氟酸和氟化铵，缓冲氧化物刻蚀液中的氢氟酸的浓度为15％～20％，缓冲氧化物刻蚀液中氢氟酸与氟化铵按照体积比1:6的比例混合而成。
在本发明实施例中，由于氢氟酸只对氮化硅和氧化硅有刻蚀效果，而对非晶硅的刻蚀率基本为零，因此，当采用氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液对隔离结构30进行刻蚀时，刻蚀液只对隔离结构30进行刻蚀，而对隔离结构30上的钝化层105不进行刻蚀，因此，刻蚀后可以使隔离结构30沿平行于衬底基板20的方向相对位于其上的钝化层105内缩，使得隔离结构30的第一表面在衬底基板20的正投影位于钝化层105的第二表面在衬底基板20的正投影之内，从而通过钝化层105和隔离结构30形成了底切结构，可使后续沉积的有机材料在底切结构处断开，以实现阻止通孔区10的水氧传输到有效显示区13。
在步骤240之后还包括：去除所述阳极上剩余的所述第一光刻胶。
在本发明实施中，如图17所示，在对隔离结构30进行刻蚀之后，再去除阳极112上剩余的第一光刻胶113，而不是在对第二金属薄膜1120刻蚀形成阳极112后，就直接去除阳极112上的第一光刻胶113，在对隔离结构30进行刻蚀时，保留阳极112上的第一光刻胶113，可以避免在对隔离结构30进行刻蚀时，蚀刻液对阳极112进行蚀刻，可对阳极112起到保护的作用。
在本发明实施例中，首先，通过采用非晶硅材料形成钝化层，该钝化层位于有效显示区和隔离区，再在有效显示区形成阳极，并且在阳极上残留的第一光刻胶未被剥离之前，采用氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液对隔离区的隔离结构进行刻蚀，由于氢氟酸只对氮化硅和氧化硅有刻蚀效果，而对非晶硅的刻蚀率基本为零，因此，当采用氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液对隔离结构进行刻蚀时，只会对隔离结构进行刻蚀，而对位于隔离结构上的钝化层不进行刻蚀，因此可以使隔离结构相对于钝化层内缩，使隔离结构远离衬底基板的第一表面在衬底基板的正投影位于钝化层靠近衬底基板的第二表面在衬底基板的正投影之内，通过钝化层和隔离结构形成了底切结构，从而在后续沉积有机材料时，使有机材料在底切的位置断开，进而防止通孔区的水氧传输到有效显示区，实现水氧阻隔的工艺简单；其次，通过钝化层和隔离结构形成底切结构时，不会产生Ag颗粒，则避免了Ag颗粒移动到显示区域中的有效显示区导致的显示面板产生暗点的问题；再次，由于隔离结构是与有效显示区的栅极绝缘层和层间介质层一起形成的，而隔离结构上的钝化层是与有效显示区的钝化层一起形成的，均不需要通过增加额外的光罩来形成，只需增加一步刻蚀工艺，工艺简单，节省成本。
实施例二
本发明实施例二提供了一种显示基板，包括：
衬底基板20，衬底基板20包括显示区域，显示区域包括通孔区10和围绕通孔区10的隔离区11；
形成在衬底基板20上的隔离区11的隔离结构30，隔离结构30包括设置在衬底基板20上的栅极绝缘层103以及设置在栅极绝缘层上的层间介质层104；
形成在隔离结构30上的钝化层105；
其中，隔离结构30的第一表面在衬底基板20的正投影位于钝化层105的第二表面在衬底基板20的正投影之内；该第一表面为隔离结构30远离衬底基板20的表面，该第二表面为钝化层105靠近衬底基板20的表面。
本发明实施例中的显示基板采用实施例一所述的显示基板的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示基板。
在本发明实施例中，通过在衬底基板上的隔离区形成隔离结构，然后在隔离结构上形成钝化层，对隔离结构进行刻蚀，使隔离结构相对钝化层内缩，即使得隔离结构的第一表面在衬底基板的正投影位于钝化层的第二表面在衬底基板的正投影之内，从而通过钝化层与隔离结构形成了底切结构，进而在蒸镀有机材料时，有机材料会在底切结构的位置断开，可以有效避免通孔区的水氧通过有机材料传输到显示区域中的其它区域的问题，并且，在通过钝化层和隔离结构形成底切结构时，不会产生Ag颗粒，则避免了Ag颗粒移动到显示区域中的有效显示区导致的显示面板产生暗点的问题，以及Ag颗粒移动并聚集到SD隔离柱的底切结构中导致SD隔离柱失效的问题。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (11)
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区；
在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构；所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；
在所述隔离结构上形成钝化层；
对所述隔离结构进行刻蚀，以使所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层的材料为非晶硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述层间介质层的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺对所述隔离结构进行刻蚀；
其中，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液时，所述氢氟酸刻蚀液中氢氟酸的浓度为2％～2.5％；
当所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为缓冲氧化物刻蚀液时，所述缓冲氧化物刻蚀液包括氢氟酸和氟化铵，所述缓冲氧化物刻蚀液中的所述氢氟酸的浓度为15％～20％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示区域还包括有效显示区；所述在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构的步骤，包括：
在所述衬底基板上的所述有效显示区形成有源层；
形成覆盖所述有源层和所述衬底基板的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层位于所述有效显示区和所述隔离区；
在所述有效显示区内的所述栅极绝缘层上形成栅极；
形成覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层的层间介质层；所述层间介质层位于所述有效显示区和所述隔离区；
对所述栅极绝缘层和所述层间介质层进行刻蚀，以在所述隔离区形成所述隔离结构，并在所述有效显示区形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一过孔和第二过孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述在所述隔离结构上形成钝化层的步骤之前，还包括：
在所述层间介质层上形成第一金属薄膜；
对所述第一金属薄膜进行图案化处理，以在所述有效显示区形成源极和漏极，并去除所述隔离区的所述第一金属薄膜；
其中，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层接触，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层接触。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述隔离结构上形成钝化层的步骤，包括：
形成覆盖所述源极、所述漏极和所述层间介质层的钝化薄膜；
对所述钝化薄膜进行图案化处理，以形成所述钝化层；所述钝化层位于所述有效显示区以及所述隔离区的所述隔离结构上，且所述有效显示区具有贯穿所述钝化层的第三过孔。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述对所述隔离结构进行刻蚀的步骤之前，还包括：
在所述钝化层上形成平坦层；
对所述平坦层进行刻蚀，以在所述有效显示区形成贯穿所述平坦层的第四过孔，并去除所述隔离区的所述平坦层；所述第四过孔在所述漏极上的正投影与所述第三过孔在所述漏极上的正投影至少部分重叠；
在所述平坦层和所述隔离区的所述钝化层上形成第二金属薄膜；
在所述第二金属薄膜上形成第一光刻胶；
对所述第一光刻胶进行曝光；
对曝光后的所述第一光刻胶进行显影，使部分所述第二金属薄膜漏出；
对漏出的所述第二金属薄膜进行刻蚀，以在所述有效显示区形成阳极，并去除所述隔离区的所述第二金属薄膜；所述阳极通过所述第四过孔和所述第三过孔与所述漏极接触；
在所述对所述隔离结构进行刻蚀的步骤之后，还包括：
去除所述阳极上剩余的所述第一光刻胶。
10.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
衬底基板，所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区；
形成在所述衬底基板上的所述隔离区的隔离结构，所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；
形成在所述隔离结构上的钝化层；
其中，所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010548300.9A CN111653522B (zh) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010548300.9A CN111653522B (zh) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111653522A true CN111653522A (zh) | 2020-09-11 |
| CN111653522B CN111653522B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=72349294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010548300.9A Active CN111653522B (zh) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111653522B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112510071A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN112634757A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
| CN112864013A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-05-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体器件处理方法 |
| CN113270559A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-17 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法及显示设备 |
| CN113270462A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114203932A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| WO2022193714A1 (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109541833A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-29 | 华为技术有限公司 | 显示组件、显示装置及其驱动方法 |
| CN110246984A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| CN110265583A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN111244142A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、和显示装置 |
-
2020
- 2020-06-16 CN CN202010548300.9A patent/CN111653522B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109541833A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-29 | 华为技术有限公司 | 显示组件、显示装置及其驱动方法 |
| CN110246984A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| CN110265583A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN111244142A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、和显示装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112510071A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN112510071B (zh) * | 2020-12-03 | 2024-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN112634757A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
| CN112864013A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-05-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体器件处理方法 |
| CN112864013B (zh) * | 2021-01-18 | 2023-10-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体器件处理方法 |
| WO2022193714A1 (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN113270559A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-17 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法及显示设备 |
| CN113270559B (zh) * | 2021-05-18 | 2022-09-23 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法及显示设备 |
| CN113270462A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113270462B (zh) * | 2021-05-20 | 2022-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114203932A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111653522B (zh) | 2023-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111653522B (zh) | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 | |
| KR100303446B1 (ko) | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 | |
| CN101064345B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
| KR100600848B1 (ko) | 평판표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101162837B1 (ko) | 다층막의 형성방법 및 표시패널의 제조방법 | |
| KR100314201B1 (ko) | 박막트랜지스터형액정표시장치및그제조방법 | |
| CN105161495B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| US8748320B2 (en) | Connection to first metal layer in thin film transistor process | |
| US5459354A (en) | Semiconductor device with improved insulation of wiring structure from a gate electrode | |
| CN103489874B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN112002636A (zh) | 阵列基板、其制备方法以及显示面板 | |
| US20150279690A1 (en) | Trench forming method, metal wiring forming method, and method of manufacturing thin film transistor array panel | |
| KR20080042900A (ko) | 액티브 매트릭스 표시 장치 및 그 제조 방법과 박막트랜지스터 집적 회로 장치의 제조 방법 | |
| KR101006439B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| WO2016026207A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| US20080048191A1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| US8728882B2 (en) | Manufacturing method for thin film transistor array panel | |
| CN101893799B (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
| US11158657B2 (en) | Ray detector array substrate, manufacturing method thereof, and ray detector | |
| KR101903671B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR100623253B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조방법 | |
| CN110310921B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| KR100687341B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| US6713328B2 (en) | Manufacturing method of thin film transistor panel | |
| CN114141717A (zh) | 一种显示面板的制备方法及显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |