CN112634757A - 显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板的制备方法，包括：提供基板，所述基板包括：显示区域和位于所述显示区域内的待打孔区域；在所述基板上形成层叠结构，所述层叠结构包括：在所述基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层；在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层；其中，形成多个所述通孔的工艺与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同。本发明中显示面板的制备方法，降低显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法。
背景技术
HIAA(Hole in AA)技术是当前实现全面屏的一种主流方案，需要在待打孔区域去除大面积无机膜层，减薄该区域无机膜层，为形成undercut结构提供前提。
相关技术中在刻蚀无机膜层形成显示区通孔(该通孔用于形成TFT器件的源极或漏极)时，会同步去除位于该待打孔区域内的至少部分无机膜层。但发明人发现，由于待打孔区域内与AA区较近、且两个区域内干刻差异较大，易产生显影刻蚀的均一性问题，从而导致显示区通孔大小不一，显示Mura的问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板的制备方法，降低显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供基板，所述基板包括：显示区域和位于所述显示区域内的待打孔区域；在所述基板上形成层叠结构，所述层叠结构包括：在所述基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层；在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层；其中，形成多个所述通孔的工艺与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同。
另外，所述形成多个所述通孔的工艺与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同，包括：在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行；或者，在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤同时执行，但形成多个所述通孔的工艺参数，与去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺参数不同。
另外，当在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行时；所述在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层，包括：先在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔；在形成多个所述通孔后，去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层。
另外，所述层叠结构还包括：位于所述基板和所述栅介质层之间的有源层；所述在形成多个所述通孔后，去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层，包括：在形成多个所述通孔后，去除位于所述待打孔区域内所述有源层、所述栅介质层、所述电容绝缘层、以及所述绝缘介质层。
另外，当在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行时；所述在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层，包括：先去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层；在去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层之后，在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔。
另外，所述基板还包括：位于所述显示区域外围的非显示区域；所述在所述基板上形成层叠结构之后，还包括：去除位于所述非显示区域的所述电容绝缘层和所述绝缘介质层；当在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行时，所述去除位于所述非显示区域的所述电容绝缘层和所述绝缘介质层的步骤，与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行。
另外，在所述去除位于所述非显示区域的所述电容绝缘层、以及所述绝缘介质层的步骤，与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行时，所述待打孔区域内去除的膜层包括：所述电容绝缘层和所述绝缘介质层。
另外，所述层叠结构还包括：位于所述基板和所述栅介质层之间的有源层；所述在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层之后，还包括：在所述绝缘介质层上形成金属膜层，所述金属膜层填充多个所述通孔、且与所述有源层欧姆接触。
另外，所述在所述绝缘介质层上形成金属膜层之后，还包括：在所述金属膜层上形成平坦化层。
另外，所述在所述金属膜层上形成平坦化层之后，还包括：去除位于所述待打孔区域内的所述平坦化层。
本发明实施方式相对于现有技术而言提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供基板，基板包括：显示区域和位于显示区域内的待打孔区域；在基板上形成层叠结构，层叠结构包括：在基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层；在显示区域形成多个贯穿栅介质层、电容绝缘层以及绝缘介质层的通孔，并去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层。由于显示区域仅需形成多个通孔，而在待打孔区域需去除多个膜层，以便于后续在待打孔区域进行通孔切割。在去除待打孔区域的膜层时所需的显影液较多，而在显示区域内形成通孔所需的显影液较少，因此，若在形成显示区域内通孔的同时，去除待打孔区域的膜层，易产生显影刻蚀的均一性问题，导致临近待打孔区域的显示区域所形成的通孔大小与远离该待打孔区域的显示区域内所形成的通孔大小不一致，甚至无法形成通孔，如此，导致后续在通孔内所形成的金属源极或漏极的粗细不一致，甚至无法形成金属源极或漏极，而引起显示不均的问题。本实施例中形成多个通孔的工艺与去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同，以避免在形成显示区域内通孔的同时，去除待打孔区域的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题，提高了显示区域内所形成的通孔的均一性，大大降低了显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式的显示面板的制备方法的流程示意图；
图2是根据本发明第一实施方式的显示面板的俯视图；
图3是根据本发明第一实施方式的显示面板的剖视图；
图4是根据本发明第二实施方式的显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种显示面板的制备方法，本实施方式的核心在于包括：提供基板，所述基板包括：显示区域和位于所述显示区域内的待打孔区域；在所述基板上形成层叠结构，所述层叠结构包括：在所述基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层；在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层；其中，在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行。
由于显示区域仅需形成多个通孔，而在待打孔区域需去除多个膜层，以便于后续在待打孔区域进行通孔切割。在去除待打孔区域的膜层时所需的显影液较多，而在显示区域内形成通孔所需的显影液较少，因此，若在形成显示区域内通孔的同时，去除待打孔区域的膜层，易产生显影刻蚀的均一性问题，导致临近待打孔区域的显示区域所形成的通孔大小与远离该待打孔区域的显示区域内所形成的通孔大小不一致，甚至无法形成通孔，如此，导致后续在通孔内所形成的金属源极或漏极的粗细不一致，甚至无法形成金属源极或漏极，而引起显示不均的问题。本实施例中形成多个通孔的工艺与去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同，以避免在形成显示区域内通孔的同时，去除待打孔区域的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题，提高了显示区域内所形成的通孔的均一性，大大降低了显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
下面对本实施方式的显示面板的制备方法的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
作为一种可选的实现方式，在显示区域形成多个通孔的步骤、与去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行，从而避免了在形成显示区域内通孔的同时，去除待打孔区域的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题。
作为另一种可选的实现方式，将在显示区域形成多个通孔的步骤、与去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层的步骤同时执行，但形成多个所述通孔的工艺参数，与去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺参数不同。具体的，可通过控制形成多个所述通孔的显影液浓度、与去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的显影液浓度相同，且形成多个所述通孔的喷淋流量、小于去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的喷淋流量，也就是说，待打孔区域和显示区域的显影液浓度相同，但待打孔区域内的喷淋流量大于显示区域内的喷淋流量，如此，可以避免了在形成显示区域内通孔的同时，去除待打孔区域的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题。
本实施例中对第一种可选的实现方式进行详细说明，本实施方式中的显示面板的制备方法的流程示意图如图1所示：
步骤101：提供基板，基板包括：显示区域和位于显示区域内的待打孔区域。
具体地说，基板包括：衬底，还可包括：位于衬底上的缓冲层，缓冲层可以为单层或叠层的无机层，例如：氧化硅和/或氮化硅。其中，若显示面板为柔性显示面板，则衬底可为PI有机材料；若显示面板为刚性显示面板，则衬底可为玻璃等无机材料。
如图2所示，基板包括：显示区域10以及位于显示区域10内的待打孔区域20，其中，待打孔区域20包括：环形的undercut区域201，以及位于环形undercut区域201内的开口区202。在制备完成显示面板后，通常在undercut区域201进行切割以去除开口区202内的显示面板，形成用于容置感光元件的通孔，该感光元件可以为摄像头等。本实施例中所指去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层，可以仅指去除undercut区域201内层叠结构的至少部分膜层，也可指既去除undercut区域201又去除开口区202内层叠结构的至少部分膜层。
步骤102：在基板上形成层叠结构，层叠结构包括：在基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层。
具体地说，如图3所示，在基板11上依次制备形成栅介质层12、电容绝缘层13和绝缘介质层14。
步骤103：先在显示区域形成多个贯穿栅介质层、电容绝缘层以及绝缘介质层的通孔。
步骤104：在形成多个通孔后，去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层。
针对上述步骤103和步骤104具体地说，如图3所示，本实施例中先在显示区域10形成多个贯穿栅介质层12、电容绝缘层13以及绝缘介质层14的通孔，之后，再去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层，以避免在形成显示区域10内通孔的同时，去除待打孔区域20的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题，提高了显示区域10内所形成的通孔的均一性，大大降低了显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
在部分实施例中，层叠结构还包括：位于基板11和栅介质层12之间的有源层25，以及，设置于显示区域10、且位于栅介质层12和电容绝缘层13之间的栅电极层26。其中，有源层25包括多个互不连接的部分，有源层25可为半导体材料，例如低温多晶硅。栅电极层26也包括多个互不连接的部分，且每部分栅电极层26在基板11上的正投影落在栅介质层12在基板11上的正投影范围内，栅电极层26的材料可为Mo等材料。
在部分实施例中，层叠结构还包括：位于基板11和栅介质层12之间的有源层25；在显示区域10形成多个贯穿栅介质层12、电容绝缘层13以及绝缘介质层14的通孔，并去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层之后，还包括：在绝缘介质层14上形成金属膜层，金属膜层填充多个通孔、且与有源层25欧姆接触。
如图3所示，在绝缘介质层14上形成金属膜层，金属膜层填充多个通孔。如此，存在两个金属膜层分别位于两个通孔内、且与同一部分有源层25欧姆接触。该部分有源层25、连接同一部分有源层25的两个金属膜层、以及在基板11上的正投影落在栅介质层12在基板11上的正投影范围内的栅电极层26共同构成一驱动TFT，其中，分别位于两个通孔内、且与同一部分有源层25欧姆接触的两个金属膜层可分别作为驱动TFT的源极23和漏极24。
在部分实施例中，层叠结构还包括：位于栅介质层12上的第一电容导电层21；位于电容介质层上且与第一电容导电层21位置正对的第二电容导电层22，第一电容导电层21与第二电容导电层22构成存储电容。其中，存储电容与驱动TFT构成像素驱动电路1。
在部分实施例中，层叠结构还包括：位于基板11和栅介质层12之间的有源层25；在形成多个通孔后，去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层，包括：在形成多个通孔后，去除位于待打孔区域20内有源层25、栅介质层12、电容绝缘层13和绝缘介质层14。
本实施例中由于将在显示区域10形成多个通孔的步骤、与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行，因此，在采用单独的制程刻蚀待打孔区域20内的膜层时，可以将待打孔区域20内除基板11外的其他膜层全部去除，也可仅将内除基板11外的其他膜层部分去除。例如：可将位于待打孔区域20内的有源层25、栅介质层12、电容绝缘层13和绝缘介质层14全部去除，也可仅去除绝缘介质层14，或者仅去除电容绝缘层13和绝缘介质层14，或者去除栅介质层12、电容绝缘层13和绝缘介质层14。
在部分实施例中，基板11还包括：位于显示区域10外围的非显示区域10；在基板11上形成层叠结构之后，还包括：去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14。其中，去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行。为节约工艺制程，降低制备成本，可将去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行。
进一步地，在去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行时，待打孔区域20内去除的膜层包括：电容绝缘层13和绝缘介质层14。由于将去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行，因此，在去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层，仅去除位于待打孔区域20内层叠结构的电容绝缘层13和绝缘介质层14。
在部分实施例中，在绝缘介质层14上形成金属膜层之后，还包括：在金属膜层上形成平坦化层15。且在金属膜层上形成平坦化层15之后，还包括：去除位于待打孔区域20内的平坦化层15。从避免形成平坦化层15后导致待打孔区域20内膜层较厚，不易切割的问题。
在部分实施例中，在金属膜层上形成平坦化层15之后，还包括：在平坦化层15上形成保护层16、绝缘层17、像素定义层18、发光子像素19、信号走线2，信号走线2用于将像素驱动电路1连接发光子像素19。
与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种显示面板的制备方法，通过将在显示区域10形成多个通孔的步骤、与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行，从而避免了在形成显示区域10内通孔的同时，去除待打孔区域20的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题，提高了显示区域10内所形成的通孔的均一性，大大降低了显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
本发明的第二实施方式涉及一种显示面板的制备方法。第二实施方式与第一实施方式大致相同，区别之处在于，本实施例中在去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层之后，在显示区域形成多个贯穿栅介质层、电容绝缘层以及绝缘介质层的通孔，给出了另外一种具体的制备方法。
本实施例中对第一实施方式中第一种可选的实现方式进行详细说明，本实施方式中的显示面板的制备方法的流程示意图如图2所示，具体包括：
步骤201：提供基板，基板包括：显示区域和位于显示区域内的待打孔区域。
步骤202：在基板上形成层叠结构，层叠结构包括：在基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层。
本实施例中步骤201和步骤202与第一实施方式中的步骤101和步骤102大致相同，本实施方式中不再赘述。
步骤203：先去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层。
步骤204：在去除位于待打孔区域内层叠结构的至少部分膜层之后，在显示区域形成多个贯穿栅介质层、电容绝缘层以及绝缘介质层的通孔。
针对上述步骤203和步骤204具体地说，参见第一实施方式中附图3所示，本实施例中先去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层，之后，再在显示区域10形成多个贯穿栅介质层12、电容绝缘层13以及绝缘介质层14的通孔，以避免在形成显示区域10内通孔的同时，去除待打孔区域20的膜层，所带来的显影液刻蚀不均的问题，提高了显示区域10内所形成的通孔的均一性，大大降低了显示区通孔大小不一致而引起显示Mura的风险。
进一步地，基板11还包括：位于显示区域10外围的非显示区域10；在基板11上形成层叠结构之后，还包括：去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14；其中，去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行。为节约工艺制程，降低制备成本，可将去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行。
进一步地，在去除位于非显示区域10的电容绝缘层13、以及绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行时，待打孔区域20内去除的膜层包括：电容绝缘层13和绝缘介质层14。由于将去除位于非显示区域10的电容绝缘层13和绝缘介质层14的步骤，与去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行，因此，在去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层，仅去除位于待打孔区域20内层叠结构的电容绝缘层13和绝缘介质层14。
与现有技术相比，本发明实施方式中提供了一种显示面板的制备方法，在去除位于待打孔区域20内层叠结构的至少部分膜层之后，在显示区域10形成多个贯穿栅介质层12、电容绝缘层13以及绝缘介质层14的通孔，给出了另外一种具体的制备方法。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板包括：显示区域和位于所述显示区域内的待打孔区域；
在所述基板上形成层叠结构，所述层叠结构包括：在所述基板上层叠设置的栅介质层、电容绝缘层和绝缘介质层；
在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层；
其中，形成多个所述通孔的工艺与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成多个所述通孔的工艺与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺至少部分不同，包括：
在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行；
或者，在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤同时执行，但形成多个所述通孔的工艺参数，与去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的工艺参数不同。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，当在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行时；
所述在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层，包括：
先在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔；
在形成多个所述通孔后，去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述层叠结构还包括：位于所述基板和所述栅介质层之间的有源层；
所述在形成多个所述通孔后，去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层，包括：
在形成多个所述通孔后，去除位于所述待打孔区域内所述有源层、所述栅介质层、所述电容绝缘层、以及所述绝缘介质层。
5.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，当在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行时；
所述在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层，包括：
先去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层；
在去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层之后，在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述基板还包括：位于所述显示区域外围的非显示区域；
所述在所述基板上形成层叠结构之后，还包括：去除位于所述非显示区域的所述电容绝缘层和所述绝缘介质层；
当在所述显示区域形成多个所述通孔的步骤、与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤不同时执行时，所述去除位于所述非显示区域的所述电容绝缘层和所述绝缘介质层的步骤，与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述去除位于所述非显示区域的所述电容绝缘层、以及所述绝缘介质层的步骤，与所述去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层的步骤同步执行时，所述待打孔区域内去除的膜层包括：所述电容绝缘层和所述绝缘介质层。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述层叠结构还包括：位于所述基板和所述栅介质层之间的有源层；
所述在所述显示区域形成多个贯穿所述栅介质层、所述电容绝缘层以及所述绝缘介质层的通孔，并去除位于所述待打孔区域内所述层叠结构的至少部分膜层之后，还包括：
在所述绝缘介质层上形成金属膜层，所述金属膜层填充多个所述通孔、且与所述有源层欧姆接触。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层上形成金属膜层之后，还包括：
在所述金属膜层上形成平坦化层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述金属膜层上形成平坦化层之后，还包括：
去除位于所述待打孔区域内的所述平坦化层。
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