CN112510071B - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112510071B
CN112510071B CN202011408845.6A CN202011408845A CN112510071B CN 112510071 B CN112510071 B CN 112510071B CN 202011408845 A CN202011408845 A CN 202011408845A CN 112510071 B CN112510071 B CN 112510071B
Authority
CN
China
Prior art keywords
isolation
layer
area
display panel
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011408845.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112510071A (zh
Inventor
张龙
曾振助
樊刚浩
顾道义
吴洋
严志强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202011408845.6A priority Critical patent/CN112510071B/zh
Publication of CN112510071A publication Critical patent/CN112510071A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112510071B publication Critical patent/CN112510071B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8428Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本说明书一个或多个实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置。所述显示面板包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区;所述方法包括:形成源漏极材料膜层,通过构图工艺在所述显示区形成源漏极层、在所述隔离区形成隔离柱过渡图形;在所述隔离柱过渡图形的侧壁形成底切结构,生成隔离柱。本说明书实施例所述显示面板及其制作方法、显示装置,使得隔离柱上的底切结构的形成早于阳极层的形成,从而减少阳极层剥离过程中阳极层中的银与隔离柱中的铝发生置换反应造成银析出产生粒子从而导致的显示不良。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本说明书一个或多个实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
在将摄像头等一些感应器放置于屏内时,需要在屏幕上进行开孔,而在屏幕上开孔容易使OLED的膜层外露,从而使得使电致发光层(Electro-Luminescence,简称EL层)形成水氧入侵通道。目前,主要是通过隔离柱来实现对EL层的阻断作用,进而截断水氧入侵通道。
但是,在形成显示面板的工艺过程中,在形成阳极层时通过阳极刻蚀液与设置于隔离区的隔离柱过渡图形反应从而形成隔离柱,这个过程中隔离柱过渡图形中的铝与阳极层中的银发生置换反应造成银析出形成颗粒(Particle),导致不良。
发明内容
有鉴于此,本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种显示面板及其制作方法、显示装置,以解决隔离柱形成时银析出的问题。
基于上述目的,本说明书一个或多个实施例提供了一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区;所述方法包括:
形成源漏极材料膜层,通过构图工艺在所述显示区形成源漏极层、在所述隔离区形成隔离柱过渡图形;
在所述隔离柱过渡图形的侧壁形成底切结构,生成隔离柱。
可选的,所述隔离柱过渡图形包括远离所述显示面板的基板依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
在所述隔离柱过渡图形的侧面形成底切结构,生成隔离柱,包括:
形成至少包覆所述隔离柱过渡图形侧面的光刻胶;
在光刻胶上形成开口部,所述开口部露出所述第二金属层;
在所述开口部对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀,形成所述底切结构;
去除剩余的光刻胶,形成所述隔离柱。
可选的,采用显影液对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀。
可选的,所述对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀的时间为50-300s。
可选的,所述生成隔离柱之后,还包括:
在所述显示区、所述隔离区形成阳极层金属材料膜层;
通过构图工艺在所述显示区形成显示面板的阳极层,在所述隔离区形成阳极金属膜层。
可选的,所述通过构图工艺在所述显示区形成显示面板的阳极层,在所述隔离区形成阳极金属膜层,包括:
形成包覆所述显示区、所述隔离区的光刻胶;所述光刻胶至少包覆所述底切结构;
在所述显示区通过构图工艺形成所述阳极层;
去除剩余的光刻胶,保留所述阳极金属膜层。
本说明书一个或多个实施例提供了一种显示面板,包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区,所述隔离区内设有至少一个隔离柱,每个所述隔离柱绕所述开孔区一圈设置;在垂直于所述显示面板的基板的方向上,所述隔离柱的侧面设置有底切结构以使发光层在所述底切结构处断开。
可选的,所述隔离柱与所述显示面板的源漏极层同层设置;所述隔离柱包括远离所述显示面板的基板依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;所述底切结构设置在所述第二金属层上。
可选的,所述隔离柱为多个,相邻两个所述隔离柱之间设置有刻蚀槽;所述隔离区内设置有阳极金属膜层,所述阳极金属膜层设置于第三金属层远离所述基板的一侧以及所述刻蚀槽内;所述阳极金属膜层与显示面板的阳极层同层设置。
本说明书一个或多个实施例提供了一种显示装置,包括如上述任一项所述的显示面板。
从上面所述可以看出,本说明书一个或多个实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置,通过对显示面板的形成工艺流程的调整,在源漏极层形成之后形成隔离柱以及隔离柱上的底切结构,使得隔离柱上的底切结构的形成早于阳极层的形成,从而减少阳极层剥离过程中阳极层中的银与隔离柱中的铝发生置换反应造成银析出产生粒子从而导致的显示不良。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中隔离柱形成的工艺流程图;
图2为本说明书一个或多个实施例显示装置的制作方法的流程图;
图3为本说明书一个或多个实施例显示装置的制作工艺流程示意图;
图4为本说明书一个或多个实施例阳极层掩膜过程中显影液对隔离柱中的铝腐蚀程度示意图;
图5为本说明书一个或多个实施例不同时间范围内阳极层掩膜过程中显影液对隔离柱中的铝腐蚀程度示意图;
图6为本说明书一个或多个实施例一般条件下隔离柱状态示意图;
图7为本说明书一个或多个实施例显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。
需要说明的是,除非另外定义,本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
近年来,OLED屏面内摄像孔越来越常见,但水汽可通过蒸镀材料传递至显示区(AA区)面内,导致摄像孔不良。在现有工艺中,通过底切(undercut)结构,蒸镀材料会因在底切结构处厚度较薄出现断裂,水汽就在此处被阻隔无法传递进AA区。
为了使隔离柱能够更加有效的起到隔离效果,通过特定的工艺技术使隔离柱形成底切(undercut)结构。图1为一种与源漏(SD)极层同层设置的隔离柱的形成流程图。当隔离柱形成底切结构后,在后续形成有机膜层的工艺时,在底切结构处会发生有机膜层断裂的现象,从而有效阻止氧气、水汽等被有机膜层的吸收后进一步扩散到显示区。
如背景技术部分所述,现有技术中,形成源漏极材料膜层(SD Dep)后,源漏极材料膜层经过掩膜(SD Mask)、曝光、显影(develop)以及刻蚀(SD Etch)等工艺步骤后在显示面板的显示区形成源漏极层(SD层),同时在隔离区形成隔离柱过渡图形。之后在显示面板的基板上形成阳极层金属材料膜层(Anode Dep),阳极层金属材料膜层经过掩膜(AnodeMask)、显影(develop)以及刻蚀(Etch)、剥离(Anode Strip)后在显示区形成显示面板的阳极层(Anode),位于隔离区的阳极层金属材料膜层被全部剥离。同时,位于隔离柱过渡图形中间的Al层与阳极刻蚀液反应形成底切(Undercut)结构,从而在隔离柱过渡图形的侧壁形成底切结构,生成隔离柱。
申请人在实现本公开的过程中发现,阳极层金属材料膜层中的Ag与隔离柱过渡图形中的Al发生置换反应,包括:对阳极层金属材料膜层进行刻蚀时发生2Ag+2HNO3→2Ag++2NO2+H2O以及之后发生Al+3(AgH2PO4)→3Ag+Al(H2PO4)3导致阳极层金属材料膜层中的Ag析出形成Particle,从而导致产品不良。
而如果能够使得底切(Undercut)结构早于阳极层剥离(Anode Strip)这一步骤之前形成,即可减小由于阳极层剥离原因导致Ag+与Al发生置换反应,造成Ag析出形成的Particle。
以下,通过具体的实施例进一步详细说明本公开的技术方案。
本说明书一个或多个实施例提供一种显示面板的制作方法。其中,所述显示面板包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区,述隔离区围绕所述开孔区设置。其中,开孔区可用于安装摄像头、感应器等器件。如图2所示,所述方法包括:
步骤S101,形成源漏极材料膜层,通过构图工艺在所述显示区形成源漏极层、在所述隔离区形成隔离柱过渡图形。
本实施例中,在显示面板的显示区和隔离区形成源漏极材料膜层。其中,在形成源漏极材料膜层通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式。之后,在源漏极材料薄膜之上涂覆光刻胶,采用掩膜、曝光、显影的方式在所述光刻胶上形成源漏极层以及隔离柱过渡图形的图形,如图3所示,之后进行刻蚀(SD Etch),从而在显示区形成显示面板的源漏极层、在隔离区形成隔离柱过渡图形。
步骤S102,在所述隔离柱过渡图形的侧壁形成底切结构,生成隔离柱。
其中,隔离区形成有至少一个隔离柱,且每个隔离柱绕开孔区一圈设置。
本实施例中,通过对显示面板的形成工艺流程的调整,在源漏极层形成之后形成隔离柱以及隔离柱上的底切结构,使得隔离柱上的底切结构的形成早于阳极层的形成,从而减少阳极层剥离过程中阳极层中的银与隔离柱中的铝发生置换反应造成银析出产生粒子从而导致的显示不良。
在一些可选的实施例中,所述隔离柱过渡图形包括远离所述显示面板的基板依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中,第一金属层和第三金属层可由金属钛(Ti)制成,第二金属层由金属铝制成。步骤S102中在所述隔离柱过渡图形的侧壁形成底切结构,生成隔离柱,包括:
步骤S201,形成至少包覆所述隔离柱过渡图形侧面的光刻胶。
步骤S202,在光刻胶上形成开口部,所述开口部露出所述第二金属层。
如图3所示,在本步骤中,涂覆光刻胶之后,再一次采用掩膜(New Mask)、曝光、显影的方式在光刻胶上形成开口部,从而裸露第二金属层。
步骤S203,在所述开口部对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀,形成所述底切结构。
步骤S204,去除剩余的光刻胶(New Mask Strip),形成所述隔离柱。在本实施例中,为保证显示区已形成的结构不受影响,光刻胶可完全包覆显示区。这样在进行刻蚀时,不会对显示区的结构造成影响。
本发明的发明人在实现本发明的过程中发现,在形成阳极层的过程中,阳极层掩膜(Anode Mask)在进行显影(Develop)时,当基板浸没在TMAH药液中过久时,会发生铝被TMAH药液腐蚀掉,该类现象比阳极层剥离(Anode Strip)时腐蚀程度更加严重。其中,Al与TMAH药液(碱)反应方程式:Al+N(CH3)4OH+H2O→N(CH3)4AlO2+H2
图4为阳极层掩膜过程中显影液对隔离柱中的铝腐蚀程度示意图。图5为不同时间范围内阳极层掩膜过程中显影液对隔离柱中的铝腐蚀程度示意图。图6为一般条件下隔离柱状态示意图。根据图4、图5、图6可以确认Anode Mask中2.38%TMAH对隔离柱存在较强程度腐蚀情况,Develop时间3Min可见隔离柱部分已存在不同层度Al腐蚀,因此可以利用TMAH对Al腐蚀形成隔离柱。
基于发明人的上述发现,在步骤S203中,可采用显影液对隔离柱过渡图形进行刻蚀,从而解决Anode Strip工艺中Ag与Al发生氧化/还原反应造成Ag析出不良的问题。可选的,显影液可选用浓度为2.38%的四甲基氢氧化铵(TMAH)药液。
在一个可选实施例中,所述对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀的时间为50-300s,从而控制底切结构的尺寸满足要求范围。可选的,对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀的时间可以为50-180s,具体的,可以为100s。
在本说明书一个或多个实施例中,步骤S102中在形成隔离柱之后,还包括:
步骤S301,在所述显示区、所述隔离区形成阳极层金属材料膜层。
如图3所示,形成阳极层金属材料膜层(Anode Dep)的过程中,在隔离区设置有隔离柱的位置,阳极层金属材料膜层形成于隔离柱远离基板的一侧。
步骤S302,通过构图工艺在所述显示区形成显示面板的阳极层,在所述隔离区形成阳极金属膜层。
本实施例中,形成阳极层金属材料膜层通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式。之后,在源漏极材料膜层之上涂覆光刻胶,采用掩膜(Anode Mask)、曝光、显影的方式在所述光刻胶上形成阳极层以及阳极金属膜层的图形,如图3所示。之后进行刻蚀,从而在显示区形成显示面板的阳极层、在隔离区形成阳极金属膜层。
本实施例中,通过对显示面板的形成工艺流程的调整,在阳极层形成之前形成隔离柱以及隔离柱上的底切结构,使得隔离柱上的底切结构的形成早于阳极层的形成,从而减少阳极层剥离过程中阳极层中的银与隔离柱中的铝发生置换反应造成银析出产生粒子从而导致的显示不良。
可选的,步骤S302中所述通过构图工艺在所述显示区形成显示面板的阳极层,在所述隔离区形成阳极金属膜层,包括:
步骤S401,形成包覆所述显示区、所述隔离区的光刻胶。其中,所述光刻胶至少包覆所述底切结构,从而避免底切结构处的金属铝与阳极层金属材料膜层中的金属银在阳极刻蚀液中发生置换反应导致银析出。
步骤S402,在所述显示区通过构图工艺形成所述阳极层。
步骤S403,去除剩余的光刻胶,保留所述阳极金属膜层。
在本实施例中,光刻胶可完全包覆住隔离区,从而在通过构图工艺形成阳极层时,避免隔离区的光刻胶发生反应。使得在剥离光刻胶时,隔离区的阳极层金属材料膜层完全保留,形成阳极金属膜层,同时阳极金属膜层在底切结构处断开。之后在显示面板上沉积发光层时,发光层也在底切结构处断开,从而阻隔水汽就在此处被传递进显示区。
基于同一发明构思,本说明书实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区。如图7所示,所述隔离区内设有至少一个隔离柱2,每个所述隔离柱2绕所述开孔区一圈设置;在垂直于所述显示面板的基板的方向上,所述隔离柱的侧面设置有底切结构以使显示面板的发光层在所述底切结构处断开。
可选的,所述隔离柱与所述显示面板的源漏极层同层设置,从而在形成源漏极层时形成用于制作隔离柱的隔离柱过渡图形。所述隔离柱2包括远离所述显示面板的基板依次层叠设置的第一金属层21、第二金属层22和第三金属层23;所述底切结构设置在所述第二金属层22上。
可选的,所述隔离柱为多个,相邻两个所述隔离柱之间设置有刻蚀槽4;所述隔离区内设置有阳极金属膜层3,所述阳极金属膜层3设置于第三金属层23远离所述基板的一侧以及所述刻蚀槽4内;所述阳极金属膜层3与显示面板的阳极层同层设置,在形成阳极层时同步形成阳极金属膜层3。
如图1、图7所示,可知:通过现有技术中显示面板的制作方法所形成的显示面板,隔离区内的阳极层金属材料膜层会被刻蚀掉;而通过本说明书实施例所述显示面板的制作方法所形成的显示面板,在隔离区内会保留阳极金属膜层3,但通过本本说明书实施例所述的显示面板的制作方法所形成的底切结构依然可以使得发光层(EL)在此处断开,从而阻隔水汽进入显示区。
基于同一发明构思,本说明书实施例还提供了一种显示装置。显示装置包括如上述任一项实施例所述的显示面板。
需要说明的是,本实施例中的显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本公开的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。
另外,为简化说明和讨论,并且为了不会使本说明书一个或多个实施例难以理解,在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外,可以以框图的形式示出装置,以便避免使本说明书一个或多个实施例难以理解,并且这也考虑了以下事实,即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本说明书一个或多个实施例的平台的(即,这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如,电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下,对本领域技术人员来说显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本说明书一个或多个实施例。因此,这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述,但是根据前面的描述,这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如,其它存储器架构(例如,动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此,凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区;所述方法包括:
形成源漏极材料膜层,通过构图工艺在所述显示区形成源漏极层、在所述隔离区形成隔离柱过渡图形;
在所述隔离柱过渡图形的侧壁形成底切结构,生成隔离柱;在所述显示区、所述隔离区形成阳极层金属材料膜层;通过构图工艺在所述显示区形成显示面板的阳极层,在所述隔离区形成阳极金属膜层;
其中,所述隔离柱过渡图形包括远离所述显示面板的基板依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
在所述隔离柱过渡图形的侧面形成底切结构,生成隔离柱,包括:
形成至少包覆所述隔离柱过渡图形侧面的光刻胶;
在光刻胶上形成开口部,所述开口部露出所述第二金属层;
在所述开口部对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀,形成所述底切结构;
去除剩余的光刻胶,形成所述隔离柱。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,采用显影液对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述对所述隔离柱过渡图形进行刻蚀的时间为50-300s。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述通过构图工艺在所述显示区形成显示面板的阳极层,在所述隔离区形成阳极金属膜层,包括:
形成包覆所述显示区、所述隔离区的光刻胶;所述光刻胶至少包覆所述底切结构;
在所述显示区通过构图工艺形成所述阳极层;
去除剩余的光刻胶,保留所述阳极金属膜层。
5.一种显示面板,其特征在于,包括显示区、开孔区和位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区,在所述显示区内设置有显示面板的阳极层,在所述隔离区内设置有阳极金属膜层,所述隔离区内设有至少一个隔离柱,所述隔离柱包括远离所述显示面板的基板依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,每个所述隔离柱绕所述开孔区一圈设置;在垂直于所述显示面板的基板的方向上,所述隔离柱的侧面设置有底切结构以使发光层在所述底切结构处断开。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱与所述显示面板的源漏极层同层设置;所述底切结构设置在所述第二金属层上。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱为多个,相邻两个所述隔离柱之间设置有刻蚀槽;所述阳极金属膜层设置于第三金属层远离所述基板的一侧以及所述刻蚀槽内;所述阳极金属膜层与显示面板的阳极层同层设置。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5-7任一项所述的显示面板。
CN202011408845.6A 2020-12-03 2020-12-03 一种显示面板及其制作方法、显示装置 Active CN112510071B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011408845.6A CN112510071B (zh) 2020-12-03 2020-12-03 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011408845.6A CN112510071B (zh) 2020-12-03 2020-12-03 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112510071A CN112510071A (zh) 2021-03-16
CN112510071B true CN112510071B (zh) 2024-01-23

Family

ID=74971690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011408845.6A Active CN112510071B (zh) 2020-12-03 2020-12-03 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112510071B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117813936A (zh) * 2022-06-20 2024-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012075661A1 (zh) * 2010-12-06 2012-06-14 中国科学院微电子研究所 沟道应力可调节的器件及其制造方法
CN108598089A (zh) * 2018-04-27 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板
CN111653522A (zh) * 2020-06-16 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012075661A1 (zh) * 2010-12-06 2012-06-14 中国科学院微电子研究所 沟道应力可调节的器件及其制造方法
CN108598089A (zh) * 2018-04-27 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板
CN111653522A (zh) * 2020-06-16 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112510071A (zh) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3179513B1 (en) Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor, and display device
US10637006B2 (en) Method for manufacturing flexible touch control display screen
US11316137B2 (en) Flexible display panel, method for fabricating the same and display device
CN111244142B (zh) 显示基板及其制作方法、和显示装置
CN107731888A (zh) 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
US20220077438A1 (en) Method for manufacturing display panel, display panel and display device
US9543338B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same, and display device
US10644270B2 (en) OLED display panel and method for manufacturing the same
US10026608B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same, and display device
US9899430B2 (en) GOA unit and method for producing the same, gate driver circuit
US10416515B2 (en) Pixel unit, array substrate, and display device, and fabrication methods thereof
US11145682B2 (en) Array substrate and method for fabricating the same, display panel, display device
US20180226269A1 (en) Method for roughening the surface of a metal layer, thin film transistor, and method for fabricating the same
CN110176474B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN104793416A (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示面板
CN104465510A (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示面板
CN110676302A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
US9076992B2 (en) Method for preventing short circuit between metal wires in organic light emitting diode display device
CN112510071B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111524957A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US10804495B2 (en) Method for encapsulating a display panel, display panel, and display device
TW201419965A (zh) 線路之製造方法
CN103050441B (zh) 氧化物薄膜晶体管制程方法
CN114649350A (zh) 显示基板及其制作方法和显示装置
CN110310921B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant