CN111769153A - 显示面板、显示面板的制造方法与显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种显示面板及其制造方法与显示装置，显示面板包括：第一衬底、第一功能层、缓冲层与第二功能层，第一衬底包括开孔区与围绕开孔区的显示区，且开孔区设有多个凹槽，多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段；第一功能层设于第一衬底形成有凹槽的一侧，且设有与多个凹槽一一对应连通的多个通孔；缓冲层设于第一功能层背离第一衬底的一侧，缓冲层在第一衬底上的正投影位于显示区，且正投影靠近开孔区边沿与相邻的凹槽在第一衬底上的正投影之间具有第一间距；第二功能层设于缓冲层背离第一衬底的一侧，且在第一衬底上的正投影靠近开孔区的边沿与相邻的凹槽在第一衬底上的正投影之间具有第二间距，第二间距大于第一间距。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板、显示面板的制造方法与显示装置。
背景技术
随着用户的对产品要求的日益增长以及行业内激烈的竞争环境，大部分手机厂商都在追求更高的屏幕屏占比，以期给用户带来更炫的视觉冲击，赢得市场竞争。但是，对于摄像头及一些感应器来说，却限制着屏幕往更高的屏占比发展，将摄像头及一些感应器放于屏内正备受业内的高度关注。
在将摄像头等一些感应器放置于屏内时，需要在屏幕上进行开孔，在工艺过程中容易导致出现水汽或氧气等侵入显示面板内部造成显示面板出现封装失效。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板、显示面板的制造方法与显示装置，能够降低有机残留风险，有利于提升产品良率。
根据本公开的一个方面，提供了一种显示面板，该显示面板包括：
第一衬底，包括开孔区与围绕所述开孔区的显示区，且所述开孔区设有多个凹槽，所述多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段；
第一功能层，设于所述第一衬底形成有所述凹槽的一侧，且设有与所述多个凹槽一一对应连通的多个通孔；
缓冲层，设于所述第一功能层背离所述第一衬底的一侧，所述缓冲层在所述第一衬底上的正投影位于所述显示区，且所述正投影靠近所述开孔区边沿与相邻的所述通孔在所述第一衬底上的正投影之间具有第一间距；
第二功能层，设于所述缓冲层背离所述第一衬底的一侧，且在所述第一衬底上的正投影靠近所述开孔区的边沿与相邻的所述通孔在所述第一衬底上的正投影之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一功能层背离所述第一衬底的方向上，所述多个通孔均呈渐扩状。
在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽的开口大小与所述通孔靠近所述第一衬底的底部开口大小相同。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：
堤坝，设于所述第一功能层背离所述第一衬底的一侧，且位于相邻的所述通孔之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述堤坝靠近所述显示区的一侧，设有一个所述通孔及与所述通孔连通的凹槽。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一功能层为第一阻障层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二功能层包括：
第一栅绝缘层，设于所述缓冲层背离所述第一衬底的一侧；
第二栅绝缘层，设于所第一栅绝缘层背离所述缓冲层的一侧；
层间介质层，设于所第二栅绝缘层背离所述缓冲层的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：
第二衬底；
第二阻障层，设于所述第二衬底的一侧；
半导体层，设于所述第二阻障层背离所述第二衬底的一侧，所述第一衬底设于所述半导体层背离所述第二衬底的一侧。
根据本公开的另一个方面，还一种显示面板的制造方法，该制造方法包括：
提供一衬底，所述衬底包括开孔区与围绕所述开孔区的显示区；
在所述衬底的一侧形成第一功能层，在所述第一功能层背离所述衬底的一侧形成缓冲层，在所述缓冲层背离所述第一功能层的一侧形成第二功能层；
对所述第二功能层与所述开孔区对应的区域进行刻蚀，以使所述第二功能层在所述衬底上的正投影靠近所述开孔区的边沿与所述开孔区之间具有第二间距；
对所述缓冲层与所述开孔区对应的区域进行刻蚀，以使所述缓冲层在所述衬底上的正投影靠近所述开孔区边沿与所述开孔区之间具有第一间距，且所述第一间距小于所述第二间距；
对所述第一功能层位于所述显示区上的区域进行刻蚀，以形成多个通孔；
通过所述多个通孔，对所述衬底进行刻蚀以形成多个凹槽，且所述多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段。
根据本公开的又一个方面，还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
本公开提供的显示面板，缓冲层在第一衬底上的正投影靠近开孔区边沿与相邻的通孔在第一衬底上的正投影之间具有第一间距，第二功能层在第一衬底上的正投影靠近开孔区的边沿与相邻的通孔在第一衬底上的正投影之间具有第二间距，且第二间距大于第一间距，即在该区域形成较浅的两个过渡台阶结构，从而降低该区域有机残留风险，进而能够避免影响凹槽与通孔的形成；能够保证多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段，使凹槽与通孔配合形成隔离槽，从而保证有效隔断发光材料，提升产品良率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开的一种实施例提供的显示面板的局部截面图；
图2为本公开的一种实施例提供的显示面板的制造方法的流程图。
附图标记说明：
11、第二衬底，12第一衬底，120、凹槽；
21、第二阻障层，22、第一功能层，220、通孔；
30、半导体层，40、缓冲层，51、第一栅绝缘层，52、第二栅绝缘层，60、层间介质层，70、堤坝。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
申请人发现，目前，导致开孔区(Hole)的隔离槽出现GDSH(由于封装或者外力导致的裂纹、划伤、顶伤等不良引起的开孔区的水汽氧化)的原因主要有以下三种：
第一种，由于各个膜层之间的应力不匹配问题，导致在LLO、Lami、或切割(Cutting)的时候部分无机膜层有剥落(Peeling)的风险，表现为彩虹纹的不良，这一问题可通过调整工艺参数，进行相应膜层的应力调整及LLO能量等相关工艺优化来进行改善；
第二种，由于MDL工艺所导致的不良，如CG(盖板玻璃)贴合或Cutting工艺，CG贴合偏移可导致开孔区(Hole)边缘受力不均产生裂缝(Crack)，而Cutting工艺精度管控不严格亦会产生Crack，由此导致GDSH不良，这方面的问题也只能通过优化工艺逐渐改善。
由以上两方面原因引起的GDSH不良发生率一般较低，但不易完全控制，即从这两个方面提升良率较为缓慢。
第三种，衬底(PI)的隔离槽现有技术方案为通过刻蚀PI隔离槽区域部分无机层，然后再刻蚀剩余无机膜层至PI裸露，再刻蚀PI膜层至一定深度，形成PI隔离槽，用于隔断发光(EL)材料，但由于边框尺寸限制，隔离槽距显示区的刻蚀边缘水平距离仅4um，由于刻蚀深度可达
在刻蚀边缘易发生平坦层(PLN)/像素界定层(HPDL)有机残留，影响阻障层(Barrier)刻蚀，影响隔离槽隔断发光材料，出现GDSH不良，其中不良率可达90％，而短期措施只能通过增大相应工艺的曝光量来改善，这一方式虽然有一定的作用，但PLN及HPDLCD(关键尺寸)会受影响，若长期措施进行风险位置Mask(掩模)设计做补偿，或可降低风险，但曝光量的增加仍然不利于产能。
本示例实施方式中首先提供了一种显示面板，如图1所示，显示面板包括：第一衬底12、第一功能层22、缓冲层40与第二功能层，第一衬底12包括开孔区与围绕开孔区的显示区，且开孔区设有多个凹槽120，多个凹槽120从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段；第一功能层22设于第一衬底12形成有凹槽120的一侧，且设有与多个凹槽120一一对应连通的多个通孔220；缓冲层40设于第一功能层22背离第一衬底12的一侧，缓冲层40在第一衬底12上的正投影位于显示区，且正投影靠近开孔区边沿与相邻的通孔220在第一衬底12上的正投影之间具有第一间距；第二功能层设于缓冲层40背离第一衬底12的一侧，且在第一衬底12上的正投影靠近开孔区的边沿与相邻的通孔220在第一衬底12上的正投影之间具有第二间距，第二间距大于第一间距。
本公开提供的显示面板，缓冲层40在第一衬底12上的正投影靠近开孔区边沿与相邻的通孔220在第一衬底12上的正投影之间具有第一间距，第二功能层在第一衬底12上的正投影靠近开孔区的边沿与相邻的通孔220在第一衬底12上的正投影之间具有第二间距，且第二间距大于第一间距，即在该区域形成较浅的两个过渡台阶结构，从而降低该区域有机残留风险，进而能够避免影响凹槽120与通孔220的形成；能够保证多个凹槽120从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段，使凹槽120与通孔220配合形成隔离槽，从而保证有效隔断发光材料，提升产品良率。
其中，第二间距可为8μm-12μm，例如，8μm、9μm、10μm、11μm、12μm等，本公开在此不一一列举。当然，第二间距也可小于8μm或大于12μm。第一间距可为4μm-6μm，例如，4μm、5μm、6μm等，本公开在此不一一列举。当然，第二间距也可小于4μm或大于6μm，本公开对此不做限制。其中，缓冲层40朝向开孔区的侧壁相对第一功能层22所在平面为斜面，第二功能层朝向开孔区的侧壁相对缓冲层40所在平面为斜面，在该区域形成较浅的两个过渡台阶结构。
示例的，如图1所示，在第一功能层22背离第一衬底12的方向上，多个通孔220均呈渐扩状。通过使各通孔220在第一功能层22背离第一衬底12的方向上均呈渐扩状，能够使通孔220与凹槽120配合形成的隔离槽在第一功能层22背离第一衬底12的方向上先呈减缩状后呈渐扩状，形成缩颈的结构，从而能够有效地对发光材料进行隔断。当然，在第一功能层22背离第一衬底12的方向上，多个通孔220均呈等径柱状。
其中，凹槽120的开口大小与通孔220靠近第一衬底12的底部开口大小相同。如图1所示，凹槽120可呈球缺形，凹槽120的开口大小与通孔220靠近第一衬底12的底部开口大小相同且完全对准，能够进一步有效的隔断发光材料。当然，凹槽120的开口大小与通孔220靠近第一衬底12的底部开口大小也可不同，凹槽120的开口与通孔220靠近第一衬底12的底部开口也可错位设置，本公开对此不做限制。
示例的，显示面板还包括：堤坝70(Dam)。堤坝70设于第一功能层22背离第一衬底12的一侧，且位于相邻的通孔220之间。其中，堤坝70可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。如图1所示，堤坝70靠近显示区的一侧，设有一个通孔220及与通孔220连通的凹槽120，即堤坝70靠近显示区的一侧仅设有一个隔离槽。当然，也可在堤坝70靠近显示区的一侧，形成多个隔离槽，本公开对此不作限制。
示例的，第一功能层22为第一阻障层。第一阻障层可优选使用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等无机氧化物、无机氮化物等材料形成；第一阻障层可以采用溅射镀法、等离子气相沉积法等方法形成。
示例的，如图1所示，第二功能层包括：第一栅绝缘层51(GI1)、第二栅绝缘层52(GI2)与层间介质层60(ILD)，第一栅绝缘层51设于缓冲层40背离第一衬底12的一侧，第二栅绝缘层52设于所第一栅绝缘层51背离缓冲层40的一侧，层间介质层60设于所第二栅绝缘层52背离缓冲层40的一侧。本公开对第二功能层的具体层级不作限制，并不限于上述的三个子功能层，可包括更多的显示功能层。
其中，第一栅绝缘层51材料可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其他适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合。第一栅绝缘层51的形成方法例如是物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合。第二栅绝缘层52材料可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其他适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合。第一栅绝缘层51的形成方法例如是物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合。第一栅绝缘层51与第二栅绝缘层52可采用相同材料形成，或可采用不同材料形成。层间介质层60可由SiNx和SiO2的堆叠体形成。
示例的，如图1所示，显示面板还包括：第二衬底11、第二阻障层21与半导体层30，第二阻障层21设于第二衬底11的一侧，半导体层30设于第二阻障层21背离第二衬底11的一侧，第一衬底12设于半导体层30背离第二衬底11的一侧。
其中，第一衬底12的可以采用柔性材料制成，例如聚酰亚胺；还可以是无机材料，无机材料可为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或是不锈钢、铝、镍等各种金属或其合金的金属材料；还可为有机材料，有机材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或其组合。第二衬底11的可以采用柔性材料制成，例如聚酰亚胺；还可以是无机材料，无机材料可为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或是不锈钢、铝、镍等各种金属或其合金的金属材料；还可为有机材料，有机材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或其组合。第一衬底12与第二衬底11可采用相同材料形成，或可采用不同材料形成，本公开对此不做限制。
其中，第二阻障层21可采用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等无机氧化物、无机氮化物等材料形成；第二阻障层21可以采用溅射镀法、等离子气相沉积法等方法形成。其中，第一阻障层与第二阻障层21可采用相同形成，或可采用不同材料形成，本公开对此不做限制。
其中，半导体层30可由单晶硅材料形成，还可以通过非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半导体材料、有机硅材料、有机氧化物半导体材料或其组合。半导体层30的形成方法例如是物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)或其组合。
下述为本公开方法实施例，可以用于制造本公开装置实施例。对于本公开方法实施例中未披露的细节，请参照本公开装置实施例。
本公开还提供了一种显示面板的制造方法，如图2所示，该制造方法包括：
步骤S100、提供一衬底，衬底包括开孔区与围绕开孔区的显示区；
步骤S200、在衬底的一侧形成第一功能层，在第一功能层背离衬底的一侧形成缓冲层，在缓冲层背离第一功能层的一侧形成第二功能层；
步骤S300、对第二功能层与开孔区对应的区域进行刻蚀，以使第二功能层在衬底上的正投影靠近开孔区的边沿与开孔区之间具有第二间距；
步骤S400、对缓冲层与开孔区对应的区域进行刻蚀，以使缓冲层在衬底上的正投影靠近开孔区边沿与开孔区之间具有第一间距，且第一间距小于第二间距；
步骤S500、对第一功能层位于显示区上的区域进行刻蚀，以形成多个通孔，其中，开孔区的边沿即为紧邻显示区的通孔的边沿；
步骤S600、通过多个通孔，对衬底进行刻蚀以形成多个凹槽，且多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段。
本公开提供的显示面板的制造方法，缓冲层在衬底上的正投影靠近开孔区边沿与相邻的通孔在衬底上的正投影之间形成有第一间距，第二功能层在衬底上的正投影靠近开孔区的边沿与相邻的通孔在衬底上的正投影之间形成有第二间距，且第二间距大于第一间距，即在该区域形成了较浅的两个过渡台阶结构，从而降低该区域有机残留风险，进而能够避免影响凹槽与通孔的形成；能够保证多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段，使凹槽与通孔配合形成隔离槽，从而保证有效隔断发光材料，提升产品良率。
下面，将对本示例实施方式中的显示面板的制造方法的各步骤进行进一步的说明。
在步骤S100中，提供一衬底，衬底包括开孔区与围绕开孔区的显示区。
具体地，如图1所示，可先提供第二衬底11，在第二衬底11上形成第二阻障层21，在第二阻障层21背离第二衬底11的一侧形成半导体层30，在半导体层30背离第二衬底11的一侧形成第一衬底12，以该第一衬底12作为形成凹槽120的衬底，第一衬底12包括开孔区与围绕开孔区的显示区。
在步骤S200中，在衬底的一侧形成第一功能层，在第一功能层背离衬底的一侧形成缓冲层，在缓冲层背离第一功能层的一侧形成第二功能层。
具体地，如图1所示，可通过沉积、喷涂等工艺在衬底的一侧形成第一功能层22，在第一功能层22背离衬底的一侧形成缓冲层40，在缓冲层40背离第一功能层22的一侧形成第二功能层。其中，第一功能层22为第一阻障层，第一阻障层可优选使用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等无机氧化物、无机氮化物等材料形成；第一阻障层可以采用溅射镀法、等离子气相沉积法等方法形成。第二功能层包括第一栅绝缘层51(GI1)、第二栅绝缘层52(GI2)与层间介质层60(ILD)，第一栅绝缘层51设于缓冲层40背离第一衬底12的一侧，第二栅绝缘层52设于所第一栅绝缘层51背离缓冲层40的一侧，层间介质层60设于所第二栅绝缘层52背离缓冲层40的一侧。本公开对第二功能层的具体层级不作限制，并不限于上述的三个子功能层，可包括更多的显示功能层。
在步骤S300中，对第二功能层与开孔区对应的区域进行刻蚀，以使第二功能层在衬底上的正投影靠近开孔区的边沿与开孔区之间具有第二间距。
具体地，如图1所示，对第二功能层与开孔区对应的区域进行刻蚀，通过CNT(contact)Mask，在原有设计的基础上增加开孔位置的CNT Mask曝光，经CNT Dry etch(湿法刻蚀)将开孔位置以外至MDL切割线以外的ILD(层间介质层)、GI2(第二栅绝缘层)、GI1(第一栅绝缘层)无机膜层刻掉，形成CNT小刻蚀台阶，以使第二功能层在衬底上的正投影靠近开孔区的边沿与开孔区之间具有第二间距。
在步骤S400中，对缓冲层与开孔区对应的区域进行刻蚀，以使缓冲层在衬底上的正投影靠近开孔区边沿与开孔区之间具有第一间距，且第一间距小于第二间距。
具体地，如图1所示，对缓冲层40与开孔区对应的区域进行刻蚀，EB(etchbeeding)Mask设计上需增加去除Hole位置PR(光刻胶)的作用，在该位置的开口略小于CNT开口1μm-2μm，EB曝光后再经EB Dry etch，从而在CNT台阶下形成EB小台阶，以使缓冲层40在衬底上的正投影靠近开孔区边沿与开孔区之间具有第一间距，且第一间距小于第二间距。
其中，第二间距可为8μm-12μm，例如，8μm、9μm、10μm、11μm、12μm等，本公开在此不一一列举。当然，第二间距也可小于8μm或大于12μm。第一间距可为4μm-6μm，例如，4μm、5μm、6μm等，本公开在此不一一列举。当然，第二间距也可小于4μm或大于6μm，本公开对此不做限制。
在步骤S500中，对第一功能层位于显示区上的区域进行刻蚀，以形成多个通孔。
具体地，如图1所示，对第一功能层22位于显示区上的区域进行刻蚀，通过EH(etchhole)刻蚀，在第一功能层22位于显示区上的区域形成多个通孔220，其中，开孔区的边沿即为紧邻显示区的通孔220的边沿。
在步骤S600中，通过多个通孔，对衬底进行刻蚀以形成多个凹槽，且多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段。
具体地，如图1所示，通过多个通孔220，采用EH(etch hole)刻蚀，对衬底进行刻蚀以形成多个凹槽120，且多个凹槽120从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段。
其中，如图1所示，在第一功能层22背离第一衬底12的方向上，多个通孔220均呈渐扩状。通过使各通孔220在第一功能层22背离第一衬底12的方向上均呈渐扩状，能够使通孔220与凹槽120配合形成的隔离槽在第一功能层22背离第一衬底12的方向上先呈减缩状后呈渐扩状，形成缩颈的结构，从而能够有效地对发光材料进行隔断。当然，在第一功能层22背离第一衬底12的方向上，多个通孔220均呈等径柱状。
应当注意，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。显示装置所具有的有益效果参照上述关于显示面板有益效果的论述，在此不再赘述。该显示装置可为手机、平板电脑、笔记本电脑、电子手表等带有显示面板的装置，本公开在此不一一列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一衬底，包括开孔区与围绕所述开孔区的显示区，且所述开孔区设有多个凹槽，所述多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段；
第一功能层，设于所述第一衬底形成有所述凹槽的一侧，且设有与所述多个凹槽一一对应连通的多个通孔；
缓冲层，设于所述第一功能层背离所述第一衬底的一侧，所述缓冲层在所述第一衬底上的正投影位于所述显示区，且所述正投影靠近所述开孔区边沿与相邻的所述通孔在所述第一衬底上的正投影之间具有第一间距；
第二功能层，设于所述缓冲层背离所述第一衬底的一侧，且在所述第一衬底上的正投影靠近所述开孔区的边沿与相邻的所述通孔在所述第一衬底上的正投影之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述第一功能层背离所述第一衬底的方向上，所述多个通孔均呈渐扩状。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的开口大小与所述通孔靠近所述第一衬底的底部开口大小相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
堤坝，设于所述第一功能层背离所述第一衬底的一侧，且位于相邻的所述通孔之间。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述堤坝靠近所述显示区的一侧，设有一个所述通孔及与所述通孔连通的凹槽。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一功能层为第一阻障层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能层包括：
第一栅绝缘层，设于所述缓冲层背离所述第一衬底的一侧；
第二栅绝缘层，设于所第一栅绝缘层背离所述缓冲层的一侧；
层间介质层，设于所第二栅绝缘层背离所述缓冲层的一侧。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
第二衬底；
第二阻障层，设于所述第二衬底的一侧；
半导体层，设于所述第二阻障层背离所述第二衬底的一侧，所述第一衬底设于所述半导体层背离所述第二衬底的一侧。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括开孔区与围绕所述开孔区的显示区；
在所述衬底的一侧形成第一功能层，在所述第一功能层背离所述衬底的一侧形成缓冲层，在所述缓冲层背离所述第一功能层的一侧形成第二功能层；
对所述第二功能层与所述开孔区对应的区域进行刻蚀，以使所述第二功能层在所述衬底上的正投影靠近所述开孔区的边沿与所述开孔区之间具有第二间距；
对所述缓冲层与所述开孔区对应的区域进行刻蚀，以使所述缓冲层在所述衬底上的正投影靠近所述开孔区边沿与所述开孔区之间具有第一间距，且所述第一间距小于所述第二间距；
对所述第一功能层位于所述显示区上的区域进行刻蚀，以形成多个通孔；
通过所述多个通孔，对所述衬底进行刻蚀以形成多个凹槽，且所述多个凹槽从其开口朝向底部的方向上包括呈渐扩状的渐扩段。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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