KR20200066416A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 용이하게 벤딩될 수 있으며, 공정 과정을 단순화하며, 제조 비용을 저감할 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 벤딩 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상면 상에 배치된 표시 소자; 상기 기판의 하면 상에 배치된 보호층을 포함하며; 상기 벤딩 영역에 배치된 보호층 부분은 그 보호층의 다른 부분보다 더 작은 경도를 갖는다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 용이하게 벤딩될 수 있으며, 공정 과정을 단순화하며, 제조 비용을 저감할 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
일반적으로, 표시 장치의 시인성 향상 및 박형화를 위해 표시 장치의 기판은 벤딩된 형상을 가질 수 있다.
본 발명은 용이하게 벤딩될 수 있으며, 공정 과정을 단순화하며, 제조 비용을 저감할 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 벤딩 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상면 상에 배치된 표시 소자; 상기 기판의 하면 상에 배치된 보호층을 포함하며; 상기 벤딩 영역에 배치된 보호층 부분은 그 보호층의 다른 부분보다 더 작은 경도를 갖는다.
상기 보호층은 광경화성 물질을 포함한다.
상기 광경화성 물질은 자외선에 의해 경화될 수 있는 물질이다.
경화되기 전의 광경화성 물질은 상온에서 고체 상태로 유지되고, 50도 내지 100도의 온도에서 상기 고체 상태보다 더 낮은 경도를 갖는다.
상기 광경화성 물질은 에폭시, 아크릴 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 표시 장치는 상기 표시 소자 상의 봉지층; 상기 봉지층 상의 편광 부재; 및 상기 편광판 상의 윈도우를 더 포함한다.
상기 표시 장치는 상기 보호층의 하면 상에 배치된 모듈을 더 포함한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 캐리어 기판 상에 모 기판을 배치하는 단계; 상기 모 기판 상에 복수의 단위 표시부들을 배치하는 단계; 상기 복수의 단위 표시부들 및 상기 모 기판 상에 보호 필름을 배치하는 단계; 상기 캐리어 기판을 제거하는 단계; 상기 모 기판의 하면 상에 보호층을 배치하는 단계; 상기 모 기판의 벤딩 영역들을 마스킹하는 마스크를 상기 보호층 상에 배치하는 단계; 및 상기 마스크를 통해 상기 보호층에 광을 조사하여 상기 모 기판의 벤딩 영역을 제외한 부분에 배치된 보호층을 선택적으로 경화하는 단계를 포함한다.
상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 단위 표시부 별로 상기 보호층, 상기 모 기판 및 상기 보호 필름을 절단하는 단계를 더 포함한다.
상기 광을 조사받은 보호층 중 미 경화된 부분에 선택적으로 열을 가하는 단계를 더 포함한다.
상기 열을 가하는 단계는 상기 미 경화된 부분으로 레이저 광을 조사하는 단계를 포함한다.
상기 모 기판의 하면 상에 보호층을 배치하는 단계는 상기 보호층의 원료를 상기 모 기판의 하면 상에 코팅하는 단계를 포함한다.
상기 보호층의 원료는 상온에서 고체 상태로 유지되고, 50도 내지 100도의 온도에서 상기 고체 상태보다 더 낮은 경도를 갖는다.
상기 광은 자외선을 포함한다.
본 발명에 따른 표시 장치에 따르면 표시 장치가 용이하게 벤딩될 수 있다. 또한, 본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 공정이 단순화되고, 제조 비용이 저감될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I'선 및 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 및 보호층의 벤딩된 형상을 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 도 5k는 본 발명의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 5k를 참조로 본 발명에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치의 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 벤딩된 형상을 갖는다. 예를 들어, 본 발명의 표시 장치(1000)는 기판(100)을 포함하는 바, 이 기판(100)은 벤딩된 형상을 가질 수 있다. 다만 도시의 편의상 도 2 및 후술될 도 3에서는 표시 장치가 벤딩되지 않은 상태로 도시되어 있다.
기판(100)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 영역(1A), 제 2 영역(2A) 및 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 제 1 영역(1A)과 제 2 영역(2A) 사이에 배치된다.
기판(100)의 제 1 영역(1A)은 사각의 형상을 가질 수 있다.
기판(100)의 제 2 영역(2A)은 사각의 형상을 가질 수 있다. 이때, 제 2 영역(2A)은 제 1 영역(1A)보다 더 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 영역(1A)의 폭과 제 2 영역(2A)의 폭은 동일하고, 제 1 영역(1A)의 길이는 제 2 영역(2A)의 길이보다 더 클 수 있다. 여기서, 제 1 및 제 2 영역들(1A, 2A)의 각 폭은 Y축 방향으로의 제 1 및 제 2 영역들(1A, 2A)의 각 크기를 의미하며, 제 1 및 제 2 영역들(1A, 2A)의 각 길이는 X축 방향으로의 제 1 및 제 2 영역들(1A, 2A)의 각 크기를 의미한다. 벤딩된 기판(100)의 제 2 영역(2A)의 일부는 제 1 영역(1A)의 일부와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제 2 영역(2A)은 Z축 방향으로 제 1 영역(1A)과 중첩할 수 있다.
기판(100)의 벤딩 영역(BA)은 벤딩축(BAX)을 중심으로 구부러진 사각의 형상을 가질 수 있다. 이 벤딩축(BAX)은 Y축에 평행하며, 그 벤딩 영역(BA)의 중심부에 위치할 수 있다. 기판(100)의 벤딩 영역(BA)은 반원 형상, U자 형상 또는 C자 형상의 단면을 가질 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 제 2 영역(2A)보다 크고 제 1 영역(1A)보다 작은 면적을 가질 수 있다.
기판(100)은 벤딩축(BAX)을 기준으로 동일한 곡률 반경으로 벤딩될 수 있다. 한편, 다른 실시예로서, 기판(100)은 벤딩축(BAX)을 중심으로 곡률 반경이 일정하지 않게 벤딩될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 제 1 영역(1A)은 영상이 표시되는 표시 영역(DA) 및 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제 1 영역(1A)의 가장자리에 위치할 수 있다. 이때, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
벤딩 영역(BA) 및 제 2 영역(2A)은 전술된 비표시 영역(NDA)에 해당한다. 따라서, 제 1 영역(1A) 중 표시 영역(DA)을 제외한 영역, 벤딩 영역(BA) 및 제 2 영역(2A)은 비표시 영역(NDA)일 수 있다.
표시 영역(DA)에는 영상을 표시하는 복수의 화소(P)들, 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인(GL), 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인(DL), 구동 전원을 전달하는 구동 전원 라인(30), 공통 전압을 전달하는 공통 전원 라인이 배치될 수 있다.
복수의 화소(P)들은 스트라이프(stripe) 패턴, 펜타일(pentile) 패턴 등과 같은 다양한 패턴으로 기판(100) 상에 배치될 수 있다.
화소(P)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 구동 전원 라인(30) 및 공통 전원 라인에 전기적으로 연결된다. 화소(P)는 스위칭 소자, 표시 소자, 커패시터 등의 소자를 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(thin film transistor)일 수 있다. 표시 소자는 발광 소자, 예를 들어 유기 발광 소자(organic light emitting diode)일 수 있다.
화소(P)는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 신호에 따라 활성화된다. 활성화된 화소(P)의 스위칭 소자는 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호, 구동 전원 라인(30)으로부터의 구동 전압 및 공통 전원 라인으로부터의 공통 전압을 근거로 그 데이터 신호에 대응되는 크기의 구동 전류를 발생시킨다. 이 구동 전류는 발광 소자에 공급된다. 발광 소자는 그 구동 전류의 크기에 대응되는 휘도로 발광한다.
전술된 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 구동 전원 라인(30) 및 공통 전원 라인은 비표시 영역(NDA)에 배치된 연결 라인(215)을 통해 단자부(20)에 연결된다.
단자부(20)는 제 2 영역(2A)에 배치될 수 있다. 단자부(20)는 복수의 단자들(21, 22)을 포함할 수 있다. 단자부(20)는 절연층에 의해 덮이지 않고 외부로 노출된다.
단자부(20)는 구동 회로부(900)와 연결될 수 있다. 따라서, 전술된 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 구동 전원 라인(30) 및 공통 전원 라인은 연결 라인(215) 및 단자부(20)를 통해 구동 회로부(900)에 연결된다.
구동 회로부(900)는 게이트 신호, 데이터 신호, 구동 전압, 공통 전압 등을 제공한다. 구동 회로부(900)는, 예를 들어, 집적 회로 또는 회로 기판일 수 있다. 이때, 회로 기판은 플렉서블 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board)일 수 있다.
구동 전원 라인(30)은 구동 단자(22)를 통해서 구동 회로부(900)에 연결될 수 있다. 구동 전원 라인(30)은 제어부로부터의 구동 전압을 화소(P)들에 제공할 수 있다. 구동 전원 라인(30)은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 이 경우, 비표시 영역(NDA)에 데이터 신호 또는 게이트 신호를 공급하는 연결 라인(215)들은 이 구동 전원 라인(30)과 교차된다. 이 경우, 연결 라인(215)들은 컨택홀에 의해서 다른 층의 라인들과 연결될 수 있다.
이하, 도 3을 참조로 본 발명의 표시 장치의 수직적인 구조를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 도 2의 I-I'선 및 II-II'선을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 3의 기판 및 보호층의 벤딩된 형상을 나타낸 도면이다.
표시 장치(1000)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 보호층(170), 기판(100), 버퍼층(110), 스위칭 소자(210), 게이트 절연막(120), 제 1 도전층(213a), 제 2 도전층(213b), 층간 절연막(130), 유기층(155), 연결 라인(215), 평탄화막(140), 표시 소자(300), 화소 정의막(150), 밀봉층(400), 편광 부재(500), 윈도우(600) 및 모듈(999)을 포함한다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, Z축 방향으로 서로 마주보는 기판(100)의 두 면들 중 편광 부재(500)에 더 근접한 면을 그 기판(100)의 상면으로 정의하고, 그 나머지 한 면을 그 기판(100)의 하면으로 정의한다.
보호층(170)은 기판(100)의 하면 상에 배치된다. 이때, 보호층(170)은 그 기판(100)의 바로 하면에 배치될 수 있다. 또한, 보호층(170)은 그 기판(100)의 하면과 접촉할 수 있다. 보호층(170) 중 기판(100)의 벤딩 영역(BA)에 배치된 부분은 그 보호층(170)의 다른 부분보다 더 작은 경도(hardness)를 가질 수 있다. 예를 들어, 보호층(170)은 기판(100)의 제 1 영역(1A)에 배치된 제 1 보호부(170a), 그 기판(100)의 제 2 영역(2A)에 배치된 제 2 보호부(170b) 및 그 기판(100)의 벤딩 영역(BA)에 배치된 제 3 보호부(170c)를 포함할 수 있는 바, 이때 제 3 보호부(170c)의 경도는 제 1 보호부(170a 또는 제 2 보호부(170b))의 경도보다 더 작을 수 있다. 한편, 제 1 보호부(170a)의 경도와 제 2 보호부(170b)의 경도는 동일할 수 있다. 제 1 내지 제 3 보호부들(170a, 170b, 170c)은 일체로 이루어질 수 있다.
보호층(170)은 광경화성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보호층(170)은 자외선에 의해 경화될 수 있는 광경화성 물질을 포함할 수 있다. 경화되기 전의 광경화성 물질은 상온(예를 들어, 섭씨 25도)에서 고체 상태로 유지된다. 또한, 경화되기 전의 광경화성 물질은 섭씨 50도 내지 섭씨 100도의 온도에서 전술된 고체 상태보다 더 낮은 경도를 가질 수 있다. 예를 들어, 광경화성 물질은 에폭시, 아크릴 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
보호층(170)의 제 1 보호부(170a) 및 제 2 보호부(170b)는 광(예를 들어, 자외선)에 의해 경화된 광경화성 물질을 포함하며, 제 3 보호부(170c)는 경화되지 않는 광경화성 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 제 3 보호부(170c)의 경도는 제 1 보호부(170a 또는 제 2 보호부(170b))의 경도보다 더 작다.
기판(100)은 보호층(170) 상에 배치된다. 구체적으로, 기판(100)은 보호층(170)과 버퍼층(110) 사이에 위치할 수 있다. 기판(100)은 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 전술된 물질을 포함하는 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으며, 다층 구조의 경우 전술된 물질 외에 무기층을 더 포함할 수 있다.
버퍼층(110)은 기판(100) 상에 배치된다. 버퍼층(110)은 기판(100)의 상면의 평탄성을 높이거나 기판(100) 등으로부터의 불순물이 반도체층(211)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 버퍼층(110)은 개구부(71)를 가질 수 있다. 이 버퍼층(110)의 개구부(71)는 전술된 보호층(170)의 제 3 보호부를 마주본다. 다시 말하여, 버퍼층(110)의 개구부(71)는 보호층(170)의 제 3 보호부에 대응되게 위치한다. 버퍼층(110)의 개구부(71)는 보호층(170)의 제 3 보호부보다 더 클 수 있다. 버퍼층(110)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 적어도 하나의 무기물을 포함할 수 있다. 버퍼층(110)은 생략될 수 있다.
스위칭 소자(210)는 제 1 영역(1A)의 버퍼층(110) 상에 배치된다. 예를 들어, 스위칭 소자(210)는 그 제 1 영역(1A)에 포함된 표시 영역(DA)의 버퍼층(110) 상에 배치된다. 스위칭 소자(210)는 반도체층(211), 게이트 전극(213), 소스 전극(215a) 및 드레인 전극(215b)을 포함할 수 있다.
반도체층(211)은 제 1 영역(1A)의 버퍼층(110) 상에 배치된다. 예를 들어, 반도체층(211)은 그 제 1 영역(1A)에 포함된 표시 영역(DA)의 버퍼층(110) 상에 배치된다. 반도체층(211)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(211)이 다결정 규소막을 포함하는 경우, 반도체층(211)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 이러한 불순물은 스위칭 소자의 종류에 따라 달라진다.
게이트 절연막(120)은 반도체층(211) 및 버퍼층(110) 상에 배치된다. 게이트 절연막(120)은 개구부(72)를 가질 수 있다. 이 게이트 절연막(120)의 개구부(72)는 전술된 보호층(170)의 제 3 보호부를 마주본다. 다시 말하여, 게이트 절연막(120)의 개구부(72)는 보호층(170)의 제 3 보호부에 대응되게 위치한다. 게이트 절연막(120)의 개구부(72)는 보호층(170)의 제 3 보호부 및 버퍼층(110)의 개구부(71)보다 더 클 수 있다. 게이트 절연막(120)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2)중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 게이트 절연막(120)은 40nm의 두께를 갖는 질화규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 전극(213)은 제 1 영역(1A)의 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 예를 들어, 게이트 전극(213)은 그 제 1 영역(1A)에 포함된 표시 영역(DA)의 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 게이트 전극(213)은 반도체층(211)의 일부와 중첩된다. 예를 들어, 게이트 전극(213)은 반도체층(211)의 채널 영역과 중첩되도록 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 게이트 전극(213)은 반도체층(211)의 형성 과정에서 그 반도체층(211)의 소스 영역과 드레인 영역에 불순물이 도핑될 때 채널 영역에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다. 게이트 전극(213)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제 1 도전층(213a)은 제 1 영역(1A)의 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 예를 들어, 제 1 도전층(213a)은 그 제 1 영역(1A)에 포함된 비표시 영역(DA)의 게이트 절연막(120) 상에 위치한다. 제 1 도전층(213a)은 스위칭 소자(210)에 연결될 수 있다. 제 1 도전층(213a)은 전술된 게이트 전극(213)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제 2 도전층(213b)은 제 2 영역(2A)의 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 제 2 도전층(213b)은 전술된 게이트 전극(213)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연막(130)은 게이트 전극(213), 제 1 도전층(213a), 제 2 도전층(213b) 및 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 층간 절연막(130)은 개구부(73)를 가질 수 있다. 이 층간 절연막(130)의 개구부(73)는 전술된 보호층(170)의 제 3 보호부를 마주본다. 다시 말하여, 층간 절연막(130)의 개구부(73)는 보호층(170)의 제 3 보호부에 대응되게 위치한다. 층간 절연막(130)의 개구부(73)는 보호층(170)의제 3 보호부, 버퍼층(110)의 개구부(71) 및 게이트 절연막(120)의 개구부(72)보다 더 클 수 있다. 층간 절연막(130)은 게이트 절연막(120)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
유기층(155)은 제 1 영역(1A)의 비표시 영역(NDA), 벤딩 영역(BA) 및 제 2 영역(2A)에 배치된다. 예를 들어, 유기층(155)은 버퍼층(110)의 개구부(71), 게이트 절연막(120)의 개구부(72), 층간 절연막(130)의 개구부(73)에 배치된다. 이 유기층(155)의 일부는 버퍼층(110)의 개구부(71)에 의해 노출된 기판(100)의 상면 부분에 배치된다.
소스 전극(215a) 및 드레인 전극(215b)은 제 1 영역(1A)의 층간 절연막(130) 상에 배치된다. 예를 들어, 소스 전극(215a) 및 드레인 전극(215b)은 그 제 1 영역(1A)에 포함된 표시 영역(DA)의 층간 절연막(130) 상에 배치된다. 소스 전극(215a)은 층간 절연막(130) 및 게이트 절연막(120)을 관통하는 소스 컨택홀을 통해 반도체층(211)의 소스 영역에 연결되며, 드레인 전극(215b)은 층간 절연막(130) 및 게이트 절연막(120)을 관통하는 드레인 컨택홀을 통해 반도체층(211)의 드레인 영역에 연결된다. 소스 전극(215a)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 소스 전극(215a)은 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴(또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 중간막과 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 한편, 소스 전극(215a)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다. 드레인 전극(215b)은 소스 전극(215a)과 동일한 물질 및 구조를 포함할 수 있다.
연결 라인(215)은 제 1 영역(1A), 벤딩 영역(BA) 및 제 2 영역(2A)의 층간 절연막(130) 및 유기층(155) 상에 배치된다. 예를 들어, 연결 라인(215)은 비표시 영역(NDA), 벤딩 영역(BA) 및 제 2 영역(2A)의 층간 절연막(130) 및 유기층(155) 상에 배치된다. 연결 라인(215)은 층간 절연막(130)을 관통하는 컨택홀들을 통해 제 1 도전층(213a) 및 제 2 도전층(213b)에 각각 연결된다. 다시 말하여, 연결 라인(215)은 제 1 도전층(213a)과 제 2 도전층(213b)을 서로 전기적으로 연결한다. 연결 라인(215)은 전술된 소스 전극(215a)과 동일한 물질 및 구조를 포함할 수 있다.
평탄화막(140)은 소스 전극(215a), 드레인 전극(215b), 연결 라인(215), 층간 절연막(130) 상에 배치된다. 평탄화막(140)은 그 평탄화막(140)과 기판(100) 사이에 배치된 구성 요소들 간의 높낮이차를 제거하여 평탄면을 제공한다. 평탄화막(140)에 의해 표시 소자(300)의 발광 효율이 향상될 수 있다. 제 1 영역(1A)의 비표시 영역(NDA)에서 평탄화막(140)은 개구부(74)를 갖는다. 이 평탄화막(140)의 개구부(74)에 의해 층간 절연막(130)이 노출된다. 평탄화막(140)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
표시 소자(300)는 제 1 영역(1A)의 평탄화막(140) 상에 배치된다. 예를 들어, 표시 소자(300)는 그 제 1 영역(1A)에 포함된 표시 영역(DA)의 평탄화막(140) 상에 배치된다. 표시 소자(300)는 제 1 전극(이하, 화소 전극; 310), 발광층(320) 및 제 2 전극(이하, 공통 전극; 330)을 포함할 수 있다.
화소 전극(310)은 제 1 영역(1A)의 평탄화막(140) 상에 배치된다. 예를 들어, 화소 전극(310)은 그 제 1 영역(1A)에 포함된 표시 영역(DA)의 평탄화막(140) 상에 배치된다. 화소 전극(310)은 평탄화막(140)의 컨택홀을 통하여 드레인 전극(215b)에 연결된다. 화소 전극(310)의 일부 또는 전부는 화소 영역(555) 내에 배치된다. 즉, 화소 전극(310)은 화소 정의막(150)에 의해 정의된 화소 영역(555)에 배치된다.
화소 정의막(150)은 제 1 영역(1A)의 평탄화막(140) 상에 배치된다. 또한 화소 정의막(150)은 화소 전극(310)의 가장자리 상에 더 배치될 수 있다. 화소 정의막(150)에 의해 정의된 화소 영역(555)은 제 1 영역(1A)의 표시 영역(DA)에 위치한다. 화소 정의막(150)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
발광층(320)은 화소 영역(555) 내의 화소 전극(310) 상에 배치된다. 발광층(320)은 화소 전극(310)과 공통 전극(330) 사이에 위치한다. 발광층(320)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL) 중 적어도 하나가 화소 전극(310)과 발광층(320) 사이에 더 배치될 수 있고, 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 적어도 하나가 발광층(320)과 공통 전극(330) 사이에 더 배치될 수 있다.
공통 전극(330)은 발광층(320) 및 화소 정의막(150) 상에 배치된다. 공통 전극(330)은 제 1 영역(1A)에 위치할 수 있다. 공통 전극(330)은 전술된 공통 전원선에 연결된다.
화소 전극(310) 및 공통 전극(330)은 투과형 전극, 반투과형 전극 및 반사형 전극 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 투과형 전극의 형성을 위하여 투명 도전성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)이 사용될 수 있다. 투명 도전성 산화물(TCO)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 안티몬 주석 산화물(ATO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 산화 아연(ZnO), 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 반투과형 전극 및 반사형 전극의 형성을 위하여 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 이때, 반투과형 전극과 반사형 전극은 두께로 결정된다. 일반적으로, 반투과형 전극은 약 200nm 이하의 두께를 가지며, 반사형 전극은 300nm 이상의 두께를 가진다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다. 또한, 반투과형 및 반사형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
밀봉층(400)은 공통 전극(330) 상에 배치된다. 밀봉층(400)은 제 1 영역(1A) 상에 위치할 수 있다. 밀봉층(400)은 유리 및 투명한 소재의 플라스틱 등으로 만들어진 투명 절연 기판일 수 있다. 또한, 밀봉층(400)은 하나 이상의 무기막 및 하나 이상의 유기막이 교호적으로 적층된 박막 봉지 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 밀봉층(400)은 제 1 무기막(410), 그 제 1 무기막(410) 상의 유기막(420), 그 유기막(420) 상의 제 2 무기막(430)을 포함할 수 있다. 제 1 영역(1A)의 비표시 영역(NDA)에서, 밀봉층(400)의 제 1 무기막(410) 제 2 무기막(430)은 평탄화막(140)의 개구부(74)를 통해 층간 절연막(130)과 접촉한다. 또한, 그 제 1 영역(1A)의 비표시 영역(NDA)에서, 제 1 무기막(410)의 단부와 제 2 무기막(430)의 단부가 서로 접촉한다.
편광 부재(500)는 밀봉층(400) 상에 배치된다. 편광 부재(500)는 제 1 영역(1A)에 위치할 수 있다. 편광 부재(500)는 제 1 점착층(510), 편광판(520) 및 제 2 점착층(530)을 포함한다.
제 1 점착층(510)은 밀봉층(400)의 제 2 무기막(430), 층간 절연막(130) 및 평탄화막(140) 상에 배치된다. 비표시 영역(NDA)의 제 1 점착층(510)은 평탄화막(140) 및 그 평탄화막(140)의 개구부(74)에 배치된다. 비표시 영역(NDA)의 제 1 점착층(510)은 표시 영역(DA)의 제 1 점착층(510)보다 더 큰 두께를 갖는다. 여기서, 제 1 점착층(510)의 두께는 Z축 방향으로의 제 1 점착층(510)의 크기를 의미한다. 제 1 점착층(510)은 투광성 접착체(OCA; optically clear adhesive)일 수 있다. 제 1 점착층(510)에 의해 편광판(520)이 밀봉층(400)에 부착될 수 있다.
편광판(520)은 제 1 점착층(510) 상에 배치된다. 구체적으로, 편광판(520)은 제 1 점착층(510)과 제 2 점착층(530) 사이에 배치될 수 있다. 편광판(520)은 외부 광의 반사를 줄인다. 예를 들어, 외부 광은 편광판(520)을 통과하여 공통 전극(330)에 입사되고, 그 공통 전극(330)에 입사된 외부 광은 그 공통 전극(330)으로부터 반사되어 다시 편광판(520)으로 진행한다. 그런데, 공통 전극(330)으로부터 반사된 외부 광은 이미 편광판(520)을 한 차례로 통과한 광, 즉 위상 변경된 광이므로, 이 위상 변경된 외부 광은 편광판(520)을 통과할 수 없다. 다시 말하여, 공통 전극(330)으로부터 반사된 광은 편광판(520)을 통과할 수 없다. 따라서, 외부 광의 반사율이 저감되어 화질이 향상될 수 있다.
제 2 점착층(530)은 편광판(520) 상에 배치된다. 구체적으로, 제 2 점착층(530)은 편광판(520)과 윈도우(600) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 점착층(530)은 전술된 투광성 접착체일 수 있다. 제 2 점착층(530)에 의해 윈도우(600)가 편광판(520)에 부착될 수 있다.
윈도우(600)는 제 2 점착층(530) 상에 배치된다. 윈도우(600)는 제 1 영역(1A)의 표시 영역(DA)에 대응되게 위치한 개구부를 갖는다.
모듈은 보호층(170)의 하면 상에 배치된다. 모듈은 보호층(170)과 접촉할 수 있다. 모듈은, 예를 들어, 쿠션층, 방열층 및 디지타이저를 포함할 수 있다. 쿠션층은 표시 장치에 가해진 충격을 완화하는 역할을 한다. 방열층은 표시 장치의 내부 열을 외부로 배출하는 역할을 한다. 디지타이저는 디지털 펜과 같은 입력 도구로부터의 터치를 입력 받는 장치이다.
한편, 도시되지 않았지만, 모듈과 보호층(170) 사이에 점착층이 더 배치될 수 있다. 이 점착층은 모듈과 보호층을 접착시킨다.
도 5a 내지 도 5k는 본 발명의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(800) 상에 모 기판(mother substrate; 700)이 배치된다. 이후, 그 모 기판(700) 상에 복수의 단위 표시부(440)들이 배치된다. 각 단위 표시부(440)는 구동 소자층(190), 표시 소자(300) 및 밀봉층(400)을 포함한다. 여기서, 구동 소자층(190)은 전술된 버퍼층(110), 스위칭 소자(210), 게이트 절연막(120), 제 1 도전층(213a), 제 2 도전층(213b), 층간 절연막(130), 유기층(155), 연결 라인(215), 평탄화막(140) 및 화소 정의막(150)을 포함할 수 있다.
캐리어 기판(800)은 유리 재질을 포함할 수 있다. 캐리어 기판(800)의 경도는 모 기판(700)의 경도보다 더 높다.
또한, 도 5a에 도시된 바와 같이, 단위 표시부(440)들 및 모 기판(700) 상에 보호 필름(810)이 배치된다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 도 5a의 구조물이 180도 회전된다. 이에 따라, 캐리어 기판(800)이 상측이 배치되고 보호 필름(810)은 하측에 배치된다. 이후, 캐리어 기판(800)이 제거된다. 구체적인 예로서, 캐리어 기판(800)은 모 기판(700)으로부터 분리된다.
다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 모 기판(700) 상에 보호층(170)이 배치된다. 예를 들어, 코팅 장치(10)로부터 토출된 보호층(170)의 원료가 모 기판(700)의 하면 상에 코팅된다. 구체적인 예로서, 코팅 장치(10)가 보호층(170)의 원료를 토출하면서 도 5c에 도시된 화살표 방향으로 이동함에 따라, 그 코팅 장치(10)로부터 보호층의 원료가 모 기판(700)의 전면(全面)에 코팅될 수 있다. 보호층(170)의 원료는 섭씨 50도 내지 섭씨 100도의 온도에서 액상 형태를 갖는다. 구체적으로, 이 보호층(170)은 섭씨 60도 내지 섭씨 80도의 온도 범위에서 액체에 가까운 형태로 유지된다. 보호층(170)의 원료는 광경화성 물질을 포함할 수 있다. 이 광경화성 물질은 에폭시, 아크릴 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이후, 도 5d에 도시된 바와 같이, 모 기판(700)의 벤딩 영역(BA)만을 선택적으로 마스킹하는 마스크(M)가 보호층(170) 상에 배치된다. 이에 따라, 보호층(170)의 제 3 보호부(170c)는 마스크에 의해 가려진다. 이어서, 그 마스크 상에 광 조사 장치(40)가 배치된다. 광 조사 장치(40)로부터의 광(UV)은 보호층(170)의 제 3 보호부(170c)를 제외한 나머지 부분, 즉 그 보호층(170)의 제 1 보호부(170a) 및 제 2 보호부(170b)에 선택적으로 조사된다. 이에 따라, 보호층(170)의 제 1 보호부(170a) 및 제 2 보호부(170b)는 경화되고, 그 보호층(170)의 제 3 보호부(170c)는 경화되지 않는다. 그러므로, 제 3 보호부(170c)의 경도는 제 1 보호부(또는 제 2 보호부)의 경도 보다 더 작다.
다음으로, 도 5d의 구조물이 180도 반전되고, 단위 표시부(440) 별로 보호층(170), 모 기판(700) 및 보호 필름(810)이 절단된다. 도 5e에는 하나의 단위 표시부(440)를 포함하는 하나의 표시 장치(1000)가 나타나 있다.
도 5e에 도시된 바와 같이, 하나의 표시 장치(1000)는 보호층(170), 기판(100), 단위 표시부(440) 및 보호 필름(810)을 포함한다.
이후, 도 5f에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 제 2 영역(2A) 및 벤딩 영역(BA)에 배치된 보호 필름(810)이 제거된다.
다음으로, 도 5g에 도시된 바와 같이, 기판의 제 2 영역(2A)에 구동 회로부(900)가 배치된다.
이어서, 도 5h에 도시된 바와 같이, 제 1 영역(1A)에 배치된 보호 필름(810)이 제거된다.
다음으로, 도 5i에 도시된 바와 같이, 봉지층(400) 상에 편광 부재(500)가 배치된다.
이후, 도 5j에 도시된 바와 같이, 편광 부재(500) 상에 윈도우(600)가 배치된다. 이어서, 보호층(170)의 하면 상에 모듈(999)이 배치된다. 이때, 보호층(170)과 모듈(999)은 점착제에 의해 서로 접착될 수 있다.
이어서, 도 5k에 도시된 바와 같이, 보호층(170)의 제 3 보호부(170c)가 선택적으로 가열된다. 이를 위해, 예를 들어, 레이저 조사 장치(50)로부터의 레이저 광(50a)이 그 보호층(170)의 제 3 보호부(170c)에 선택적으로 조사될 수 있다. 레이저 광(50a)을 조사받은 제 3 보호부(170c)의 경도는 제 1 보호부(170a 또는 제 2 보호부(170b))의 경도 보다 더 작아질 수 있다. 한편, 이 레이저 조사 공정은 생략될 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1000)는 그 제 3 보호부(170c)를 기준으로 벤딩될 수 있다. 이때, 제 3 보호부(170c)의 경도가 작으므로 표시 장치(1000)는 용이하게 벤딩될 수 있다. 또한, 보호층이 필름이 아닌 광경화성 물질로 이루어지므로, 기존과 같이 기판의 하면에 부착된 필름(즉, 하부 보호 필름)을 제거하는 공정, 그 기판의 하면에 패턴드 필름을 부착하는 공정, 그 패턴드 필름의 하면 상에 필름 캐리어 기판을 부착하는 공정 및 그 필름 캐리어 기판을 제거하는 공정 등이 생략될 수 있다. 즉, 공정이 단순화되고, 제조 비용이 저감될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 110: 버퍼층
120: 게이트 절연막 130: 층간 절연막
140: 평탄화막 210: 스위칭 소자
211: 반도체층 213: 게이트 전극
215a: 소스 전극 215b: 드레인 전극
213a: 제 1 도전층 213b: 제 2 도전층
215: 연결 라인 155: 유기층
1A: 제 1 영역 2B: 제 2 영역
BA: 벤딩 영역 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 555: 화소 영역
300: 표시 소자 310: 화소 전극
320: 발광층 330: 공통 전극
150: 화소 정의막 500: 편광 부재
510: 제 1 점착층 520: 편광판
530: 제 2 점착층 600: 윈도우
400: 밀봉층 170a: 제 1 보호부
170b: 제 2 보호부 170c: 제 3 보호부
170: 보호층 410: 제 1 무기막
420: 유기막 430: 제 2 무기막
71, 72, 73: 개구부 900: 구동 회로부
21: 단자

Claims (14)

  1. 벤딩 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상면 상에 배치된 표시 소자;
    상기 기판의 하면 상에 배치된 보호층을 포함하며;
    상기 벤딩 영역에 배치된 보호층 부분은 그 보호층의 다른 부분보다 더 작은 경도를 갖는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층은 광경화성 물질을 포함하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광경화성 물질은 자외선에 의해 경화될 수 있는 물질인 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    경화되기 전의 광경화성 물질은 상온에서 고체 상태로 유지되고, 50도 내지 100도의 온도에서 상기 고체 상태보다 더 낮은 경도를 갖는 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 광경화성 물질은 에폭시, 아크릴 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 소자 상의 봉지층;
    상기 봉지층 상의 편광 부재; 및
    상기 편광판 상의 윈도우를 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층의 하면 상에 배치된 모듈을 더 포함하는 표시 장치.
  8. 캐리어 기판 상에 모 기판을 배치하는 단계;
    상기 모 기판 상에 복수의 단위 표시부들을 배치하는 단계;
    상기 복수의 단위 표시부들 및 상기 모 기판 상에 보호 필름을 배치하는 단계;
    상기 캐리어 기판을 제거하는 단계;
    상기 모 기판의 하면 상에 보호층을 배치하는 단계;
    상기 모 기판의 벤딩 영역들을 마스킹하는 마스크를 상기 보호층 상에 배치하는 단계; 및
    상기 마스크를 통해 상기 보호층에 광을 조사하여 상기 모 기판의 벤딩 영역을 제외한 부분에 배치된 보호층을 선택적으로 경화하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 단위 표시부 별로 상기 보호층, 상기 모 기판 및 상기 보호 필름을 절단하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광을 조사받은 보호층 중 미 경화된 부분에 선택적으로 열을 가하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 열을 가하는 단계는 상기 미 경화된 부분으로 레이저 광을 조사하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 모 기판의 하면 상에 보호층을 배치하는 단계는 상기 보호층의 원료를 상기 모 기판의 하면 상에 코팅하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 보호층의 원료는 상온에서 고체 상태로 유지되고, 50도 내지 100도의 온도에서 상기 고체 상태보다 더 낮은 경도를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 광은 자외선을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11735601B2 (en) 2020-11-05 2023-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140085299A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 제일모직주식회사 점착필름 및 이를 포함하는 광학표시장치
KR20160093803A (ko) * 2015-01-29 2016-08-09 삼성에스디아이 주식회사 점착필름 및 이를 포함하는 디스플레이 부재
KR20170036875A (ko) * 2015-09-18 2017-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170084402A (ko) * 2016-01-11 2017-07-20 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
KR20170125161A (ko) * 2016-05-03 2017-11-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107799011A (zh) * 2017-11-10 2018-03-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组、显示模组的涂胶方法及显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100942298B1 (ko) 2007-10-04 2010-02-16 주식회사 두성테크 휴대기기용 표시패널
US7767135B2 (en) * 2007-10-19 2010-08-03 Corning Incorporated Method of forming a sintered microfluidic device
KR20100124019A (ko) 2009-05-18 2010-11-26 주식회사 동아테크윈 플렉시블 오엘이디 디스플레이 제조방법
CN103038568A (zh) 2010-04-16 2013-04-10 弗莱克斯照明第二有限责任公司 包括膜基光导的前照明装置
US9651729B2 (en) 2010-04-16 2017-05-16 Flex Lighting Ii, Llc Reflective display comprising a frontlight with extraction features and a light redirecting optical element
TWI679259B (zh) 2014-08-11 2019-12-11 德商漢高智慧財產控股公司 光學透明的熱熔黏著劑及其用途
KR102405257B1 (ko) * 2015-01-28 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105280836B (zh) * 2015-09-10 2018-03-02 上海和辉光电有限公司 一种制备柔性保护层的方法及柔性显示器件
EP3388887A4 (en) 2015-12-11 2019-07-31 Shenzhen Royole Technologies Co., Ltd. METHOD FOR BONDING FLEXIBLE DISPLAY MODULE
KR102563743B1 (ko) * 2016-11-11 2023-08-08 삼성디스플레이 주식회사 보호 커버 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180066378A (ko) * 2016-12-08 2018-06-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US20190144714A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display module and coating glue method thereof and display device
KR102441930B1 (ko) * 2017-12-04 2022-09-14 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
US10367173B1 (en) * 2018-03-15 2019-07-30 Innolux Corporation Display device
CN108597378A (zh) * 2018-04-28 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN108898954B (zh) * 2018-07-18 2024-02-23 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示面板制作方法
KR102563783B1 (ko) * 2018-11-13 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140085299A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 제일모직주식회사 점착필름 및 이를 포함하는 광학표시장치
KR20160093803A (ko) * 2015-01-29 2016-08-09 삼성에스디아이 주식회사 점착필름 및 이를 포함하는 디스플레이 부재
KR20170036875A (ko) * 2015-09-18 2017-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170084402A (ko) * 2016-01-11 2017-07-20 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
KR20170125161A (ko) * 2016-05-03 2017-11-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107799011A (zh) * 2017-11-10 2018-03-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组、显示模组的涂胶方法及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11735601B2 (en) 2020-11-05 2023-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same

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