KR20170084402A - 폴더블 표시장치 - Google Patents

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Abstract

폴더블 표시장치는 표시 패널, 표시 패널 상에 제공된 편광 부재, 편광 부재 상에 제공된 윈도우, 표시 패널 및 편광 부재 사이에 제공된 제1 접착 부재 및 편광 부재 및 윈도우 사이에 제공된 제2 접착 부재를 포함하고, 표시 패널, 편광 부재, 윈도우, 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되며, 제1 모드에서 윈도우는 표시 패널보다 벤딩축에 인접하고, 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재는 각각 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 가지며, 제2 접착 부재는 60℃에서 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa 이하의 저장 탄성률을 갖고, 제1 접착 부재는 40 초과 50 미만의 응력 완화율(stress-relaxation ratio)을 가진다.

Description

폴더블 표시장치{FOLDABLE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 폴더블 표시장치에 관한 것이다. 상세하게는, 고온/고습 하에 내구성이 향상된 폴더블 표시장치에 관한 것이다.
표시 장치는 표시화면에 다양한 이미지를 표시하여 사용자에게 정보를 제공한다. 최근 벤딩(bending) 가능한 표시 장치가 개발되고 있다. 플렉서블 표시 장치는 평판 표시 장치와 달리, 종이처럼 접거나 말거나 휠 수 있다. 형상이 다양하게 변경될 수 있는 플렉서블 표시 장치는 휴대가 용이하고 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있다. 플렉서블 표시장치는 롤러블 표시장치, 폴더블 표시장치 등으로 구분될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 고온/고습 하에 내구성이 향상된 폴더블 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적은 고온/고습 하에 박리 발생률을 줄일 수 있는 폴더블 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예는 표시 패널, 표시 패널 상에 제공된 편광 부재, 편광 부재 상에 제공된 윈도우, 표시 패널 및 편광 부재 사이에 제공된 제1 접착 부재, 및 편광 부재 및 윈도우 사이에 제공된 제2 접착 부재를 포함하고, 표시 패널, 편광 부재, 윈도우, 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되며, 제1 모드에서 윈도우는 표시 패널보다 벤딩축에 인접하고, 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재는 각각 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 가지며, 제2 접착 부재는 60℃에서 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa 이하의 저장 탄성률을 갖고, 제1 접착 부재는 40 초과 50 미만의 응력 완화율(stress-relaxation ratio)을 가지며, 응력 완화율은 하기 식 1로 정의되는 것이다:
응력 완화율(%) = 100 ⅹ G(t2)/G(t1)
식 1에서, G(t1)은 제1 접착 부재를 600㎛로 제조한 상태에서 레오미터(Rheometer)를 이용하여, 응력완화 모드(stress-relaxation test)에서 평행판(parallelplate)을 이용하여 60℃에서 제1 접착 부재에 25%의 변형(strain)을 가하고 100초 동안 유지한 후, 변형을 제거하였을 때 측정한 초기 응력 완화 탄성률이고,
G(t2)는 제1 접착 부재를 300초 동안 유지한 후, 측정한 응력 완화 탄성률이다.
표시 패널, 편광 부재, 윈도우, 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재는 제2 모드에서 펼쳐진다.
제1 접착 부재는 60℃에서 5 이상 8 이하의 잔류 변형율(residual strain)을 갖는 것일 수 있으며, 잔류 변형율은 하기 식 2로 정의되는 것이다:
[식 2]
잔류 변형율(%) = L2/L1 X 100
식 2에서, L1은 제1 접착 부재를 600㎛로 제조한 상태에서 레오미터(Rheometer)를 이용하여 60℃에서 제1 접착 부재에 2000 Pa의 힘(Stress)을 가하여 1시간 유지하여 최대 변형(Strain)이 가해졌을 때의 최대 크리프 변형율(Creep Strain)이고, L2는 최대 크리프 변형율이 생긴 후 가해진 힘을 제거하여 회복되는 탄성 회복 스트레인(Elastic recovery strain) 외에 회복되지 못하고 남아있는 잔류 변형 스트레인(Residual recovery strain)이다.
제1 접착 부재는 25㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
제2 접착 부재는 25㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
제1 접착 부재는 800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다.
제2 접착 부재는 800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다.
제1 접착 부재는 제1 실리콘계 베이스 중합체, 제1 접착 부여제 및 제1 가교제를 포함하고, 제2 접착 부재는 제2 실리콘계 베이스 중합체, 제2 접착 부여제 및 제2 가교제를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치는 표시 패널의 하부에 제공된 보호 필름, 및 표시 패널 및 보호 필름 사이에 제공된 제3 접착 부재를 더 포함하고, 보호 필름 및 제3 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 펼쳐지는 것일 수 있다.
제3 접착 부재의 두께는 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재 각각의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
제3 접착 부재는 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 갖는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치는 편광 부재 및 윈도우 사이에 제공된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고, 터치 센싱 유닛은 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 펼쳐지는 것일 수 있다.
터치 센싱 유닛은 편광 부재와 직접 접하는 것일 수 있다.
편광 부재 및 터치 센싱 유닛 사이에 제공된 제4 접착 부재를 더 포함하고, 제4 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 펼쳐지는 것일 수 있다.
제4 접착 부재의 두께는 제1 접착 부재 및 제2 접착 부재 각각의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
제4 접착 부재는 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 갖는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 의하면, 고온/고습 하의 박리 발생률을 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 의하면, 고온/고습 하의 내구성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 3d는 도 3b의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 단면도이다.
도 4c는 폴더블 표시장치의 잔류 변형율이 높을 때의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 제공된 편광 부재(POL), 편광 부재(POL) 상에 제공된 윈도우(WD), 표시 패널(DP) 및 편광 부재(POL) 사이에 제공된 제1 접착 부재(AD1), 및 편광 부재(POL) 및 윈도우(WD) 사이에 제공된 제2 접착 부재(AD2)를 포함한다. 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2) 및 윈도우(WD)는 예를 들어, 제1 방향(DR1)으로 순차적으로 적층된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 제1 모드 또는 제2 모드로 동작한다. 제1 모드에서 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2) 및 윈도우(WD)는 각각 제2 방향(DR2)으로 연장되는 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩된다. 제2 모드에서 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2) 및 윈도우(WD)는 각각 벤딩이 펼쳐진다. 본 명세서에서, 벤딩(bending)이란 외력에 의해 표시 패널(DP) 등이 특정 형태로 휜 것을 의미하는 것일 수 있다.
제1 모드에서 윈도우(WD)는 표시 패널(DP)보다 벤딩축(BX)에 인접하다. 제1 모드에서 윈도우(WD)는 가장 내측에 위치한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 제1 모드에서 0.5mm 내지 20mm 또는 1mm 내지 10mm의 곡률 반경(CR)을 가질 수 있다.
표시 패널(DP)은 플렉서블 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP)은 플렉서블 기판을 포함하는 것일 수 있다. 본 명세서에서, 플렉서블(flexible)이란 휘어질 수 있는 특성을 의미하며, 완전히 접히는 구조에서부터 수 나노미터 수준으로 휠 수 있는 구조까지 모두 포함하는 것일 수 있다.
표시 패널(DP)은 일면 상으로 이미지를 표시한다. 표시 패널(DP)은 벤딩부(DBF) 및 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)를 포함한다. 표시 패널(DP)은 벤딩부(DBF) 및 비벤딩부(DNBF1, DNBF2) 구분없이 이미지를 생성한다. 벤딩부(DBF)는 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)는 벤딩부(DBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(DNBF1) 및 벤딩부(DBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(DNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(DBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(DNBF1, DNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(DNBF1) 및 제2 비벤딩부(DNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(DNBF1) 및 제2 비벤딩부(DNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 표시 패널(DP)이 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(DNBF1) 및 제2 비벤딩부(DNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(DNBF1) 및 제2 비벤딩부(DNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3a을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시한다. 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 두께 방향에서 보았을 때, 표시 영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PA)을 포함한다. 화소 영역들(PA)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 화소 정의막(도 3d의 PDL)에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 복수의 화소들(도 3b의 PX) 각각을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는다. 폴더블 표시장치(10)를 두께 방향에서 보았을 때, 비표시 영역(NDA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)을 둘러싸는 것일 수 있다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다. 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다. 도 3d는 도 3c의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하에서는 표시 패널(DP)이 유기 발광 표시 패널인 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 패널(DP)은 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 플라즈마 표시 패널(plasma display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel) 등일 수도 있다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 화소들(PX) 각각은 게이트 배선들(GL), 데이터 배선들(DL) 및 구동 전압 배선들(DVL)으로 이루어진 배선부와 연결될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 유기 발광 소자(OEL) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서는 하나의 화소가 하나의 게이트 배선, 하나의 데이터 배선 및 하나의 구동 전압 배선과 연결되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 복수 개의 화소들(PX)이 하나의 게이트 배선, 하나의 데이터 배선 및 하나의 구동 전압 배선과 연결될 수 있다. 또한, 하나의 화소는 적어도 하나의 게이트 배선, 적어도 하나의 게이트 배선 및 적어도 하나의 구동 전압 배선과 연결될 수도 있다.
게이트 배선들(GL)은 제3 방향(DR3)으로 연장된다. 데이터 배선들(DL)은 게이트 배선들(GL)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 구동 전압 배선들(DVL)은 데이터 배선들(DL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 게이트 배선들(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 배선들(DL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 배선들(DVL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 구동 전압을 제공한다.
화소들(PX) 각각은 특정 컬러의 광, 예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 중 하나를 출사할 수 있다. 컬러 광의 종류는 상기한 것에 한정된 것은 아니며, 예를 들어, 백색광, 시안광, 마젠타광, 옐로우광 등이 추가될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 발광 소자(OEL)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 화소들(PX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 화소들(PX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 화소들(PX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 배선들(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 배선들(DL)에 연결된다. 제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 공통 전극(CE1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 배선들(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 배선들(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 공통 전극(CE1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 구동 전압 배선들(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)에 의해 제1 전극(EL1)과 연결된다.
제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 발광층(EML)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 광을 출사함으로써 영상을 표시한다. 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)에 대해서는 보다 구체적으로 후술한다.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제1 드레인 전극(DE1)과 제6 콘택홀(CH6)에 의해 연결되는 제1 공통 전극(CE1) 및 구동 전압 배선들(DVL)과 연결되는 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
도 3b 내지 도 3d를 참조하면, 베이스 기판(BS)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 플라스틱, 유기 고분자 등을 포함할 수 있다. 베이스 기판(BS)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 베이스 기판(BS)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 베이스 기판(BS)은 투명한 것일 수 있다.
베이스 기판(BS) 상에는 기판 버퍼층(미도시)이 제공될 수 있다. 기판 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 기판 버퍼층(미도시)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판(BS)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
베이스 기판(BS) 상에는 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)이 제공된다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 반도체 소재로 형성되며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 각각 소스부(SA), 드레인부(DA) 및 소스부(SA)과 드레인부(DA) 사이에 제공된 드레인부(CA)을 포함한다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다. 소스부(SA) 및 드레인부(DA)은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2) 상에는 게이트 절연층(GI)이 제공된다. 게이트 절연층(GI)은 제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상에는 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 제공된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)의 드레인부(DA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 상에는 절연층(IL)이 제공된다. 절연층(IL)은 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다. 절연층(IL)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
절연층(IL)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 제공된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)에 의해 제2 반도체 패턴(SM2)의 드레인부(DA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)에 의해 제2 반도체 패턴(SM2)의 소스부(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)에 의해 제1 반도체 패턴(SM1)의 소스부(미도시)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 반도체 패턴(SM1)의 드레인부(미도시)과 접촉한다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 패시베이션층(PL)이 제공된다. 패시베이션층(PL)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
패시베이션층(PL) 상에는 제1 전극(EL1)이 제공된다. 제1 전극(EL1)은 예를 들어 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 패시베이션층(PL)에 형성되는 제3 콘택홀(CH3)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TR2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다.
패시베이션층(PL) 상에는 화소들(PX) 각각에 대응하도록 발광층(EML)을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 제공된다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며, 베이스 기판(BS)으로부터 돌출된다. 화소 정의막(PDL)은 이에 한정하는 것은 아니나, 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 LiF, BaF2, 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 갖는다. 화소 정의막(PDL)의 두께는 예를 들어, 10 nm 내지 100 nm일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
화소 정의막(PDL)에 의해 둘러싸인 영역에는 유기 발광 소자(OEL)가 제공된다. 유기 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1), 유기층(OL) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다. 유기층(OL)은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1) 상에는 유기층(OL)이 배치될 수 있다. 유기층(OL)은 발광층(EML)을 포함한다. 유기층(OL)은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층들의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용될 수 있다.
발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다. 발광층(EML)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층을 포함할 경우, 전자 수송 영역은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)은 보조 전극을 포함할 수 있다. 보조 전극은 상기 물질이 발광층(EML)을 향하도록 증착하여 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), Mo, Ti 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 발광 소자가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)으로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 편광 부재(POL)는 플렉서블 편광 부재일 수 있다. 편광 부재(POL)는 일 방향으로 연장된 흡수축을 포함한다. 편광 부재(POL)는 입사광 중 상기 흡수축이 연장된 방향과 나란한 방향으로 진동하는 광을 흡수한다.
편광 부재(POL)는 벤딩부(PBF) 및 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)를 포함한다. 벤딩부(PBF)는 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)는 벤딩부(PBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(PNBF1) 및 벤딩부(PBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(PNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(PBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(PNBF1) 및 제2 비벤딩부(PNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(PNBF1) 및 제2 비벤딩부(PNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 편광 부재(POL)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(PNBF1) 및 제2 비벤딩부(PNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(PNBF1) 및 제2 비벤딩부(PNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
윈도우(WD)는 플렉서블 윈도우일 수 있다. 표시 패널(DP) 등을 보호하는 역할을 한다. 윈도우(WD)는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용될 수 있다. 예를 들어, 가요성이 있는 플라스틱 윈도우를 이용할 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 유리 기판의 일면에 가요성이 있는 고분자 층이 제공된 구조를 포함하는 것일 수도 있다.
윈도우(WD)는 벤딩부(WBF) 및 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)를 포함한다. 벤딩부(WBF)는 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)는 벤딩부(WBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(WNBF1) 및 벤딩부(WBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(WNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(WBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(WNBF1) 및 제2 비벤딩부(WNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(WNBF1) 및 제2 비벤딩부(WNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 윈도우(WD)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(WNBF1) 및 제2 비벤딩부(WNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(WNBF1) 및 제2 비벤딩부(WNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
제1 접착 부재(AD1)는 벤딩부(ABF) 및 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)를 포함한다. 벤딩부(ABF)는 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)와 연결된다. 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)는 벤딩부(ABF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(ANBF1) 및 벤딩부(ABF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(ANBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(ABF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(ANBF1) 및 제2 비벤딩부(ANBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(ANBF1) 및 제2 비벤딩부(ANBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 접착 부재(AD1)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(ANBF1) 및 제2 비벤딩부(ANBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(ANBF1) 및 제2 비벤딩부(ANBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
제2 접착 부재(AD2)는 벤딩부(MBF) 및 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)를 포함한다. 벤딩부(MBF)는 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)는 벤딩부(MBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(MNBF1) 및 벤딩부(MBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(MNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(MBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(MNBF1) 및 제2 비벤딩부(MNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(MNBF1) 및 제2 비벤딩부(MNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 1에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제2 접착 부재(AD2)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(MNBF1) 및 제2 비벤딩부(MNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(MNBF1) 및 제2 비벤딩부(MNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
표시 패널(DP)의 벤딩부(DBF) 상에 제1 접착 부재(AD1)의 벤딩부(ABF)가 제공된다. 제1 접착 부재(AD1)의 벤딩부(ADF) 상에 편광 부재(POL)의 벤딩부(PBF)가 제공된다. 편광 부재(POL)의 벤딩부(PBF) 상에 제2 접착 부재(AD2)의 벤딩부(MBF)가 제공된다. 제2 접착 부재(AD2)의 벤딩부(MBF) 상에 윈도우(WD)의 벤딩부(WBF)가 제공된다.
표시 패널(DP)의 비벤딩부(NDBF1, NDBF2) 상에 제1 접착 부재(AD1)의 비벤딩부(ANBF1, ANBF2)가 제공된다. 제1 접착 부재(AD1)의 비벤딩부(ANBF1, ANBF2) 상에 편광 부재(POL)의 비벤딩부(PNBF1, PNBF2)가 제공된다. 편광 부재(POL)의 비벤딩부(PNBF1, PNBF2) 상에 제2 접착 부재(AD2)의 비벤딩부(MNBF1, MNBF2)가 제공된다. 제2 접착 부재(AD2)의 비벤딩부(MNBF1, MNBF2) 상에 윈도우(WD)의 비벤딩부(WNBF1, WNBF2)가 제공된다.
제1 접착 부재(AD1) 및 제2 접착 부재(AD2)는 각각 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 갖는다. 제1 접착 부재(AD1) 및 제2 접착 부재(AD2) 각각의 저장 탄성률이 상기 범위를 만족하는 경우, 적합한 접착성을 나타냄과 동시에 제1 모드에서 외력에 따라 용이하게 벤딩될 수 있다.
일반적으로 접착 부재의 저장 탄성률은 저온에서 고온으로 갈수록 작은 값을 나타내며, 저장 탄성률이 작을수록 외부 환경에 민감하게 반응하게 된다. 벤딩축(BX)과 인접한 접착 부재는 벤딩축(BX)으로부터 비교적 멀리 떨어진 구성요소들에 비해 제1 모드에서 높은 응력을 받게 된다. 즉, 벤딩축(BX)과 인접한 접착 부재는 벤딩축(BX)으로부터 비교적 멀리 떨어진 구성요소들에 비해 가혹한 환경에 놓이게 되며, 고온에서 저장 탄성률이 낮아짐에 따라 미세 기포(micro-bubble)가 쉽게 발생하게 되는 문제점이 있다. 미세 기포는 접착 부재의 박리 등을 야기한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 벤딩축(BX)과 인접한 접착 부재인 제2 접착 부재(AD2)의 고온에서의 저장 탄성률을 조절하여 고온 및/또는 고습 하에 미세 기포 발생을 억제할 수 있다. 구체적으로, 제2 접착 부재(AD2)는 60℃에서 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa 이하의 저장 탄성률을 갖는다. 제2 접착 부재(AD2)의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 미만일 경우, 미세 기포 발생률 억제 효과 구현되지 않으며, 6.5ⅹ104 Pa 초과일 경우, 제2 접착 부재(AD2)의 접착력이 저하되며, 제1 모드에서 외력에 따라 용이하게 벤딩되지 않는다는 문제점이 있다.
본 명세서에 있어서, 저장 탄성률은 레오미터(Rheometer)를 이용하여 주파수 1Hz의 조건에서, -30℃ 내지 100℃의 범위에서 승온 속도 3℃/분으로 측정했을 때의, 소정 온도(-20℃ 또는 60℃)에 있어서의 값을 판독함으로써 구해진다.
제1 접착 부재(AD1)는 40 초과 50 미만의 응력 완화율(stress-relaxation ratio)을 갖는다. 응력 완화율은 하기 식 1로 정의된다.
[식 1]
응력 완화율(%) = 100 ⅹ G(t2)/G(t1)
식 1에서, G(t1)은 제1 접착 부재를 600㎛로 제조한 상태에서 레오미터(Rheometer)를 이용하여, 응력완화 모드(stress-relaxation test)에서 평행판(parallelplate)을 이용하여 60℃에서 제1 접착 부재에 25%의 변형(strain)을 가하고 100초 동안 유지한 후, 변형을 제거하였을 때 측정한 초기 응력 완화 탄성률이고, G(t2)는 제1 접착 부재를 300초 동안 유지한 후, 측정한 응력 완화 탄성률이다.
응력 완화율은 제1 모드(벤딩될 때)에서 외력에 반응하여 얼마나 잘 변형되는지를 나타내는 하나의 지표이다. 제1 접착 부재(AD1)의 응력 완화율이 50 이상인 경우, 제1 모드에서 외력에 대해 충분한 응력 완화가 이루어지지 않아, 벤딩된 상태에서 층간 박리 문제가 일어나게 된다. 한편, 제1 접착 부재(AD1)의 응력 완화율이 40 이하인 경우, 제1 모드에서 외력에 대한 응력완화는 충분히 이루어지나, 제2 모드에서 펼쳐질 때 변형된 스트레인이 회복되는 탄성회복율 부족으로 인해, 펼치는 동안 층간 박리 문제가 일어나는 문제점이 있다.
제2 접착 부재(AD2)의 고온에서의 저장 탄성률을 종래에 비해 높게 조절함에 따라, 표시장치가 벤딩될 때 받는 전단 스트레인(shear strain)이 증가할 수 있으나, 제1 접착 부재(AD1)의 고온에서의 응력 완화율을 종래에 비해 낮게 조절함으로써 전단 스트레인이 증가되는 것을 상쇄할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 제1 접착 부재(AD1)의 응력 완화율 및 제2 접착 부재(AD2)의 고온에서의 저장 탄성률을 조절하여 고온 및/또는 고습 하에서 신뢰성, 내구성을 향상시킬 수 있다.
제1 접착 부재(AD1)는 60℃에서 5 이상 8 이하의 잔류 변형율(residual strain)을 갖는 것일 수 있다. 잔류 변형율은 하기 식 2로 정의된다.
[식 2]
잔류 변형율(%) = L2/L1 X 100
식 2에서, L1은 제1 접착 부재를 600㎛로 제조한 상태에서 레오미터(Rheometer)를 이용하여 60℃에서 제1 접착 부재에 2000 Pa의 힘(Stress)을 가하여 1시간 유지하여 최대 변형(Strain)이 가해졌을 때의 최대 크리프 변형율(Creep Strain)이고, L2는 최대 크리프 변형율이 생긴 후 가해진 힘을 제거하여 회복되는 탄성 회복 스트레인(Elastic recovery strain) 외에 회복되지 못하고 남아있는 잔류 변형 스트레인(Residual recovery strain)이다.
잔류 변형율은 제2 모드에서 얼마나 벤딩이 잘 펼쳐지는지를 나타내는 하나의 지표이다. 잔류 변형율이 낮을수록 본래의 상태로 잘 회복되는 것을 의미한다. 제1 접착 부재(AD1)의 잔류 변형율이 상기 범위를 만족하는 경우, 고온 및/또는 고습 장시간 방치 후 벤딩을 펼칠 때, 층간 박리 문제를 줄일 수 있다는 장점이 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 단면도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 단면도이다. 도 4c는 폴더블 표시장치의 잔류 변형율이 높을 때의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a를 참조하면, 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2) 및 윈도우(WD)가 동일한 길이를 가지기 때문에, 제1 모드에서 벤딩될 때 실제로 양 끝단의 단면도는 경사진 형태(도 4a의 A 부분 참조)를 갖게 된다.
도 4b 및 도 4c를 참조하면, 잔류 변형율이 높은 값을 가질 경우, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐질 때, 도 4b에서 도시한 바와 같이 표시장치의 모든 구성요소들이 동일한 길이로 펼쳐지지(도 4b의 B 부분 확대) 못하고, 도 4c에서 도시한 바와 같이 양 끝단의 단면도가 경사진 형태(도 4c의 C 부분 참조)를 갖게 된다. 이로 인해, 층간 부분적 박리 문제가 야기될 수 있다.
제1 접착 부재(AD1)는 양면 접착제일 수 있다. 제1 접착 부재(AD1)는 감압 접착제(PSA)일 수 있다. 제1 접착 부재(AD1)는 가요성을 갖는 것일 수 있다.
제2 접착 부재(AD2)는 양면 접착제일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)는 감압 접착제(PSA)일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)는 가요성을 갖는 것일 수 있다.
제1 접착 부재(AD1)는 25㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제1 접착 부재(AD1)는 30㎛ 이상 70㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제1 접착 부재(AD1)의 두께가 25㎛ 이상인 경우, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐질 때 작용하는 힘에 견딜 수 있으며, 100㎛ 이하인 경우, 표시장치가 불필요하게 두꺼워지는 문제를 방지할 수 있다.
제2 접착 부재(AD2)는 25㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)는 30㎛ 이상 70㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)의 두께가 25㎛ 미만인 경우, 제1 모드에서 벤딩될 때 제2 접착 부재(AD2)가 쉽게 늘어나 박리 방지를 위해 필요한 저장 모듈러스 값의 범위가 변할 수 있으며, 100㎛ 초과인 경우, 제1 모드에서 벤딩될 때 받게 되는 응력이 증가하여 박리 문제가 발생할 수 있다.
제1 접착 부재(AD1)는 800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다. 제1 접착 부재(AD1)는 800 이상 1500 이하의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다. 제1 접착 부재(AD1)는 유리 기판에 대해 800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다.
제2 접착 부재(AD2)는 800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)는 800 이상 1500 이하의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)는 유리 기판에 대해 800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것일 수 있다.
제1 접착 부재(AD1) 및 제2 접착 부재(AD2)가 각각 상기 범위를 만족하는 경우, 장기 신뢰성이 있는 접착성을 구현할 수 있다.
박리력은 예를 들어, 유리 기판에 접착 부재를 부착하여 상온에서 20분간 방치 후, Texture analyzer를 이용하여 300mm/min의 속도로 180도 박리 시 측정한 값을 의미한다.
제1 접착 부재(AD1) 및 제2 접착 부재(AD2)는 각각 아크릴계 중합체, 실리콘계 중합체, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리비닐에테로, 아세트산 비닐/염화비닐 공중합체, 에폭시계, 변성 폴리올레핀으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 베이스 중합체를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
제1 접착 부재(AD1) 및 제2 접착 부재(AD2)는 베이스 중합체 이외의 가교제, 접착 부여제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용될 수 있다.
예를 들어, 제1 접착 부재(AD1)는 제1 실리콘계 베이스 중합체, 제1 접착 부여제 및 제1 가교제를 포함하는 것일 수 있다. 제2 접착 부재(AD2)는 제2 실리콘계 베이스 중합체, 제2 접착 부여제 및 제2 가교제를 포함하는 것일 수 있다. 제1 실리콘계 베이스 중합체 및 제2 실리콘계 베이스 중합체는 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 제1 접착 부여제 및 제2 접착 부여제는 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 제1 가교제 및 제2 가교제는 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
제1 가교제 및 제2 가교제는 각각 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 제1 가교제 및 제2 가교제는 각각 CH3-Si-H로 표시되는 단위를 포함하는 오가노 폴리실록산일 수 있다. 제1 가교제는 제1 실리콘계 베이스 중합체 및 제1 접착 부여제 합계 100 중량부에 대해서 1 중량부 이상 5 중량부 이하로 포함될 수 있다. 제1 가교제의 함량이 1 중량부 미만일 경우, 물성저하 및 반응하지 못한 성분의 마이그레이션(migration) 문제가 있을 수 있고, 5 중량부 초과일 경우, 경도가 높아져 응력완화 역할의 저하를 가져올 수 있다. 제2 가교제는 제2 실리콘계 베이스 중합체 및 제2 접착 부여제 합계 100 중량부에 대해서 1 중량부 이상 5 중향부 이하로 포함될 수 있다. 제2 가교제의 함량이 1 중량부 미만일 경우, 물성저하 및 반응하지 못한 성분의 마이그레이션(migration) 문제가 있을 수 있고, 5 중향부 초과일 경우, 경도가 높아져 응력완화 역할의 저하를 가져올 수 있다.제1 가교제 및 제2 가교제는 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용될 수 있다.
제1 접착 부여제 및 제2 접착 부여제는 각각 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 제1 접착 부여제 및 제2 접착 부여제 각각은 분자 측쇄에 알케닐기, 하이드록시기 또는 메틸기를 갖는 오가노 폴리실록산일 수 있다. 제1 접착 부여제 및 제2 접착 부여제는 각각 중량 평균 분자량이 500 이상 1500 이하인 것이 바람직하다. 제1 접착 부여제 및 제2 접착 부여제는 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용될 수 있다.
제1 접착 부재(AD1) 및 제2 접착 부재(AD2)는 서로 상이한 재료를 이용하여, 각각 목적하는 저장 탄성률 수치 범위를 구현할 수도 있으며, 동일한 재료를 이용하면서 각 구성요소의 중량비를 조절하여 목적하는 저장 탄성률 수치 범위를 구현할 수도 있다. 예를 들어, 실리콘계 베이스 중합체에 대한 접착 부여제의 비율을 적절히 변경함으로써 저장 탄성률을 조정할 수 있다. 일반적으로, 실리콘계 베이스 중합체에 대한 접착 부여제의 비율이 작을수록, 저장 탄성률이 높아지는 경향이 있다.
제1 접착 부재(AD1)는 예를 들어, 접착 부재 내의 접착 부여제 및 가교제의 비율을 조절하여 목적하는 응력완화율 값을 구현할 수 있다.
예를 들어, 제1 접착 부재(AD1)는 제1 실리콘계 베이스 중합체 60 중량% 내지 90 중량%, 제1 접착 부여제 10 중량% 내지 40 중량% 및 제1 가교제 1 중량% 내지 5 중량%를 포함하는 것일 수 있고, 제2 접착 부재(AD2)는 제2 실리콘계 베이스 중합체 60 중량% 내지 90 중량%, 제2 접착 부여제 10 중량% 내지 40 중량% 및 제2 가교제 1 중량% 내지 5 중량%를 포함하는 것일 수 있다. 상기 범위를 만족면서 제1 실리콘계 베이스 중합체: 제1 접착 부여제: 제1 가교제 값이 제2 실리콘계 베이스 중합체: 제2 접착 부여제: 제2 가교제 값과 상이할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 1, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 제3 접착 부재(AD3) 및 보호 필름(PF)를 더 포함할 수 있다. 보호 필름(PF) 및 제3 접착 부재(AD3)는 제1 모드에서 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2) 및 윈도우(WD)와 함께 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다.
보호 필름(PF)는 표시 패널(DP) 하부에 제공된다. 보호 필름(PF)은 표시 패널(DP)을 외부 충격으로부터 보호한다. 보호 필름(PF)은 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 예를 들어, 보호 필름(PF)는 폴리이미드 필름일 수 있다. 예를 들어, 보호 필름(PF)는 플렉서블 필름일 수 있다.
보호 필름(PF)는 벤딩부(FBF) 및 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)를 포함한다. 벤딩부(FBF)는 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)는 벤딩부(FBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(FNBF1) 및 벤딩부(FBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(FNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(FBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 5a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(FNBF1) 및 제2 비벤딩부(FNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(FNBF1) 및 제2 비벤딩부(FNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 5a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 보호 필름(PF)이 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(FNBF1) 및 제2 비벤딩부(FNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(FNBF1) 및 제2 비벤딩부(FNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
보호 필름(PF)의 벤딩부(FBF)는 표시 패널(DP)의 벤딩부(DBF) 하부에 제공된다. 보호 필름(PF)의 비벤딩부(FNBF1, FNBF2)는 표시 패널(DP)의 비벤딩부(DNBF1, DNBF2) 하부에 제공된다.
제3 접착 부재(AD3)는 표시 패널(DP) 및 보호 필름(PF) 사이에 제공된다. 제3 접착 부재(AD3)는 양면 접착제일 수 있다. 제3 접착 부재(AD3)는 감압 접착제(PSA)일 수 있다. 제3 접착 부재(AD3)는 가요성을 갖는 것일 수 있다.
제3 접착 부재(AD3)는 벤딩부(CBF) 및 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)를 포함한다. 벤딩부(CBF)는 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 벤딩부(CBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 벤딩부(CBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(CNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(FBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 5a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 5a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제3 접착 부재(AD3)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
제3 접착 부재(AD3)의 벤딩부(CBF)는 표시 패널(DP)의 벤딩부(DBF) 하부에 제공되고, 보호 필름(PF)의 벤딩부(FBF) 상에 제공된다. 제3 접착 부재(AD3)의 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 표시 패널(DP)의 비벤딩부(DNBF1, DNBF2) 하부에 제공되고, 보호 필름(PF)의 비벤딩부(FNBF1, FNBF2) 상에 제공된다.
제3 접착 부재(AD3)의 두께(t3)는 제1 접착 부재(AD1)의 두께(t1)보다 얇은 것일 수 있다. 제3 접착 부재(AD3)의 두께(t3)는 제2 접착 부재(AD2)의 두께(t2)보다 얇은 것일 수 있다. 예를 들어, 제3 접착 부재(AD3)는 10㎛ 이상 25㎛ 미만의 두께를 갖는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
제3 접착 부재(AD3)는 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률을 갖는 것일 수 있다. 제3 접착 부재(AD3)의 -25℃에서의 저장 탄성률이 상기 범위를 만족하는 경우, 적합한 접착성을 나타냄과 동시에 제1 모드에서 외력에 따라 용이하게 벤딩될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 1, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치(10)는 터치 센싱 유닛(TSU)을 더 포함할 수 있다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 편광 부재(POL) 및 윈도우(WD) 사이에 제공된다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 플렉서블 터치 센싱 유닛(TSU)일 수 있다.
터치 센싱 유닛(TSU)은 제1 모드에서 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2) 및 윈도우(WD)와 함께 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다.
터치 센싱 유닛(TSU)은 벤딩부(TBF) 및 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)를 포함한다. 벤딩부(TBF)는 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)는 벤딩부(TBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(TNBF1) 및 벤딩부(TBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(TNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(TBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(TNBF1, TNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 6a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(TNBF1) 및 제2 비벤딩부(TNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(TNBF1) 및 제2 비벤딩부(TNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 6a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 터치 센싱 유닛(TSU)이 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(TNBF1) 및 제2 비벤딩부(TNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(TNBF1) 및 제2 비벤딩부(TNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
터치 센싱 유닛(TSU)은 편광 부재(POL)과 직접 접하는 것일 수 있다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 편광 부재(POL) 상에 접착 부재의 개재없이 제공되는 것일 수 있다. 예를 들어, 터치 센싱 유닛(TSU)은 편광 부재(POL) 상에 증착법을 이용하여 제공되는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 벤딩(bending)된 상태의 개략적인 사시도이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치가 펼쳐진 상태의 개략적인 사시도이다.
도 1, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 편광 부재(POL) 및 터치 센싱 유닛(TSU) 사이에 제공된 제4 접착 부재(AD4)를 더 포함할 수 있다.
제4 접착 부재(AD4)는 제1 모드에서 표시 패널(DP), 제1 접착 부재(AD1), 편광 부재(POL), 제2 접착 부재(AD2), 윈도우(WD) 및 터치 센싱 유닛(TSU)와 함께 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다.
제4 접착 부재(AD4)는 벤딩부(CBF) 및 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)를 포함한다. 벤딩부(CBF)는 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)와 연결된다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 복수 개일 수 있다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 2개일 수 있다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 벤딩부(CBF)의 일단과 연결된 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 벤딩부(CBF)의 타단과 연결된 제2 비벤딩부(CNBF2)를 포함하는 것일 수 있다.
벤딩부(CBF)는 제1 모드에서 벤딩축(BX)을 기준으로 벤딩이 발생하고, 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 비벤딩부(CNBF1, CNBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 평평하거나, 완만하게 휘어질 수 있다. 도 7a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 7a에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 제4 접착 부재(AD4)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩되어 서로 마주보는 제1 비벤딩부(CNBF1) 및 제2 비벤딩부(CNBF2)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
제4 접착 부재(AD4)의 두께(t4)는 제1 접착 부재(AD1)의 두께(t1)보다 얇은 것일 수 있다. 제4 접착 부재(AD4)의 두께(t3)는 제2 접착 부재(AD2)의 두께(t2)보다 얇은 것일 수 있다. 예를 들어, 제4 접착 부재(AD4)는 10㎛ 이상 25㎛ 미만의 두께를 갖는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
제4 접착 부재(AD4)는 -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률을 갖는 것일 수 있다. 제4 접착 부재(AD4)의 -25℃에서의 저장 탄성률이 상기 범위를 만족하는 경우, 적합한 접착성을 나타냄과 동시에 제1 모드에서 외력에 따라 용이하게 벤딩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치는 고온 및/또는 고습 하에 층간 박리 발생률을 감소시킨다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시장치는 고온 및/또는 고습 하에 내구성 및 신뢰성이 향상된다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실험예 1]
제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률을 증가시키면서, 표시 장치가 곡률 반경이 3mm를 갖도록 벤딩된 상태에서 온도 60℃, 습도 93% 조건 하에 미세 기포 발생 유무를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 1 비교예 2 비교예 3 실시예 1
60℃에서의
저장 탄성률		 3.3ⅹ104 Pa 4.0ⅹ104 Pa 4.2ⅹ104 Pa 5.0ⅹ104
미세 기포 발생 유무 O O O X
표 1을 참조하면, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하는 실시예 1은 고온/고습 하에서 미세 기포가 발생하지 않았으나, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하지 못하는 비교예 1 내지 3은 미세 기포가 발생하였다. 표 1의 결과로부터 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 미세 기포 발생률 감소 효과가 있음을 알 수 있다.
[실험예 2]
50㎛ 두께의 폴리이미드 필름 상에 감압 접착제를 이용하여 표시 패널을 배치하고, 표시 패널 상에 감압 접착제인 제1 접착 부재를 이용하여 편광 부재를 배치하였다. 이후, 편광 부재 상에 감압 접착제를 이용하여 터치 센싱 유닛을 배치하고, 터치 센싱 유닛 상에 감압 접착제인 제2 접착 부재를 이용하여 130㎛ 두께의 윈도우를 배치하였다.
제1 접착 부재 및 제2 접착 부재의 조건을 변경하면서, 표시 장치가 곡률 반경이 3mm를 갖도록 벤딩된 상태에서 온도 60℃, 습도 93% 조건 하에 층간 박리 발생 여부를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
비교예 4 실시예 2
제1 접착 부재 제2 접착 부재 제1 접착 부재 제2 접착 부재
두께(㎛) 100 50 50 50
모듈러스
(Pa)		 -20℃ 9.0ⅹ104 1.3ⅹ105 2.2ⅹ105 9.0ⅹ104
60℃ 5.0ⅹ104 4.0ⅹ104 3.5ⅹ104 5.0ⅹ104
응력완화율(%) 50 44 47 50
층간 박리 발생 여무 벤딩된 상태에서 24시간 내에 박리 발생 O 벤딩된 상태를 240시간 이상 박리 발생 X
표 2를 참조하면, 제1 접착 부재의 응력완화율이 40 초과 50 미만의 범위를 만족하고, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하는 실시예 2는 고온/고습 하에 벤딩된 상태에서 240시간 이상 층간 박리가 발생하지 않았으나, 제1 접착 부재의 응력완화율이 40 초과 50 미만의 범위를 만족하지 못하고, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하지 못하는 비교예 4의 경우 고온/고습 하에 벤딩된 상태에서 24시간 이내에 층간 박리가 일어났다. 표 2의 결과로부터 제1 접착 부재의 응력완화율이 40 초과 50 미만의 범위를 만족하고, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 고온/고습 하에 내구성 및 신뢰성 향상 효과가 있음을 알 수 있다.
[실험예 3]
제2 접착 부재의 조건은 고정하고, 제1 접착 부재의 조건을 변경하면서, 표시 장치가 곡률 반경이 3mm를 갖도록 벤딩된 상태에서 온도 60℃, 습도 93% 조건 하에 층간 박리 발생 여부를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
제2 접착 부재 비교예 5 실시예 3
제1 접착 부재 제1 접착 부재
두께(㎛) 50 두께(㎛) 50 50
모듈러스
(Pa)		 -20℃ 9.0ⅹ104 응력완화율
(%)		 0.53 0.47
60℃ 5.0ⅹ104
응력완화율(%) 50
층간 박리 발생 여부 벤딩된 상태에서 72시간 내에 박리 발생 O 벤딩된 상태에서 240시간 이상 박리 발생 X
표 3을 참조하면, 제1 접착 부재의 응력완화율이 40 초과 50 미만의 범위를 만족하고, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위를 만족하는 실시예 3은 고온/고습 하에 벤딩된 상태에서 240시간 이상 층간 박리가 발생하지 않았으나, 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa의 범위는 만족하나 제1 접착 부재의 응력완화율이 40 초과 50 미만의 범위를 만족하지 못하는 비교예 5의 경우, 고온/고습 하에 벤딩된 상태에서 72시간 내에 층간 박리가 발생하였다. 표 3의 결과로부터, 제1 접착 부재의 응력완화율 및 제2 접착 부재의 60℃에서의 저장 탄성률이 본 발명의 일 실시예에 따른 수치 범위를 만족하여야 고온/고습 하에 내구성 향상 효과가 효율적으로 구현됨을 알 수 있다.
[실험예 4]
제1 접착 부재의 60℃에서의 잔류 변형율을 감소시키면서, 표시 장치를 온도 60℃, 습도 93% 조건 하에 3mm의 곡률 반경을 갖도록 벤딩시키고 방치 후, 벤딩을 펼쳤을 때 박리 발생 여부를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
비교예 6 비교예 7 비교예 8 실시예 4
잔류 변형율(%) 17 12 10 6.3
박리 발생 유무 O O O X
표 4를 참조하면, 제2 접착 부재의 잔류 변형율(%)이 5 이상 8 이하의 범위를 만족하는 실시예 4의 경우, 고온/고습 하에 벤딩시킨 후 벤딩을 펼쳤을 때 층간 박리가 발생하지 않았으나, 제2 접착 부재의 잔류 변형율(%)이 5 이상 8 이하의 범위를 만족하지 못하는 비교예 6 내지 8의 경우, 고온/고습 하에 벤딩시킨 후 벤딩을 펼쳤을 때 층간 박리가 발생하였다. 표 4의 결과로부터, 제2 접착 부재의 잔류 변형율(%)이 5 이상 8 이하의 범위를 만족하는 경우인 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 고온/고습 하에 내구성 및 신뢰성 향상 효과가 있음을 알 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
DP: 표시 패널 AD1: 제1 접착 부재
POL: 편광 부재 AD2: 제2 접착 부재
WD: 윈도우

Claims (16)

  1. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 제공된 편광 부재;
    상기 편광 부재 상에 제공된 윈도우;
    상기 표시 패널 및 상기 편광 부재 사이에 제공된 제1 접착 부재; 및
    상기 편광 부재 및 상기 윈도우 사이에 제공된 제2 접착 부재를 포함하고,
    상기 표시 패널, 상기 편광 부재, 상기 윈도우, 상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되며,
    상기 제1 모드에서 상기 윈도우는 상기 표시 패널보다 상기 벤딩축에 인접하고,
    상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 각각
    -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 가지며,
    상기 제2 접착 부재는
    60℃에서 4.5ⅹ104 Pa 이상 6.5ⅹ104 Pa 이하의 저장 탄성률을 갖고,
    상기 제1 접착 부재는
    40 초과 50 미만의 응력 완화율(stress-relaxation ratio)을 가지며,
    상기 응력 완화율은 하기 식 1로 정의되는 것인 폴더블 표시장치:
    [식 1]
    응력 완화율(%) = 100 ⅹ G(t2)/G(t1)
    상기 식 1에서,
    G(t1)은 상기 제1 접착 부재를 600㎛로 제조한 상태에서 레오미터(Rheometer)로 응력완화 모드(stress-relaxation test)에서 평행판(parallelplate)을 이용하여 60℃에서 상기 제1 접착 부재에 25%의 변형(strain)을 가하고 100초 동안 유지한 후, 변형을 제거하였을 때 측정한 초기 응력 완화 탄성률이고,
    G(t2)는 상기 제1 접착 부재를 300초 동안 유지한 후, 측정한 응력 완화 탄성률이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시 패널, 상기 편광 부재, 상기 윈도우, 상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 제2 모드에서 펼쳐지는 것인 폴더블 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재는
    60℃에서 5 이상 8 이하의 잔류 변형율(residual strain)을 갖고,
    상기 잔류 변형율은 하기 식 2로 정의되는 것인 폴더블 표시장치:
    [식 2]
    잔류 변형율(%) = L2/L1 X 100
    상기 식 2에서,
    L1은 상기 제1 접착 부재를 600㎛로 제조한 상태에서 레오미터(Rheometer)를 이용하여 60℃에서 상기 제1 접착 부재에 2000 Pa의 힘(Stress)을 가하여 1시간 유지하여 최대 변형(Strain)이 가해졌을 때의 최대 크리프 변형율(Creep Strain)이고,
    L2는 최대 크리프 변형율이 생긴 후 가해진 힘을 제거하여 회복되는 탄성 회복 스트레인(Elastic recovery strain) 외에 회복되지 못하고 남아있는 잔류 변형 스트레인(Residual recovery strain)이다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재는
    25㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것인 폴더블 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 접착 부재는
    25㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것인 폴더블 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재는
    800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것인 폴더블 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 접착 부재는
    800 이상의 박리력(gf/in)을 갖는 것인 폴더블 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재는
    제1 실리콘계 베이스 중합체, 제1 접착 부여제 및 제1 가교제를 포함하고,
    상기 제2 접착 부재는
    제2 실리콘계 베이스 중합체, 제2 접착 부여제 및 제2 가교제를 포함하는 것인 폴더블 표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 표시 패널의 하부에 제공된 보호 필름; 및
    상기 표시 패널 및 상기 보호 필름 사이에 제공된 제3 접착 부재를 더 포함하고,
    상기 보호 필름 및 상기 제3 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 펼쳐지는 것인 폴더블 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 접착 부재의 두께는
    상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재 각각의 두께보다 얇은 것인 폴더블 표시장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제3 접착 부재는
    -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 갖는 것인 폴더블 표시장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 편광 부재 및 상기 윈도우 사이에 제공된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고,
    상기 터치 센싱 유닛은 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 펼쳐지는 것인 폴더블 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 편광 부재 및 상기 터치 센싱 유닛 사이에 제공된 제4 접착 부재를 더 포함하고,
    상기 제4 접착 부재는 제1 모드에서 벤딩축을 기준으로 벤딩되고, 제2 모드에서 펼쳐지는 것인 폴더블 표시장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제4 접착 부재의 두께는
    상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재 각각의 두께보다 얇은 것인 폴더블 표시장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제4 접착 부재는
    -25℃에서 5ⅹ104 Pa 이상 5ⅹ105 Pa 이하의 저장 탄성률(storage modulus)을 갖는 것인 폴더블 표시장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 터치 센싱 유닛은 상기 편광 부재와 직접 접하는 것인 폴더블 표시장치.
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