KR102650741B1 - 라디칼 경화된 실리콘 감압성 접착제 및 조성물 및 이의 제조 방법 및 가요성 디스플레이 장치에서의 용도 - Google Patents
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Abstract
실리콘 감압성 접착제는 라디칼 반응 경화성 조성물을 경화시킴으로써 제조된다. 실리콘 감압성 접착제는 다양한 실리콘 엘라스토머에 부착되고, 가요성 디스플레이 장치의 구성요소의 제조에 유용하다.
Description
관련 출원의 교차 참조
없음
기술분야
본 발명은 실리콘 감압성 접착제 및 이의 제조 방법 및 용도에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명은 경화되어 가요성 디스플레이 장치에 사용하기에 적합한 실리콘 감압성 접착제를 형성하는 라디칼 반응 경화성 조성물에 관한 것이다.
서론
예를 들어 굽히기, 접기, 감기, 말기, 또는 늘리기에 의해 변형될 수 있는 가요성 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 소비자의 요구 또는 가요성 디스플레이 장치가 사용되는 상황에 따라 가요성 디스플레이 장치가 변형될 수 있다. 전형적으로, 디스플레이 장치의 다양한 구성요소는 다중 층으로 이루어져 있고, 가요성 디스플레이 장치가 변형될 때 층이 서로 부착되고 구성요소의 파괴를 야기하는 손상을 겪지 않는 것이 중요하다.
다양한 실리콘 엘라스토머, 예컨대 액체 실리콘 고무(LSR: liquid silicone rubber) 및 고점조도 고무(HCR: high consistency rubber)는 가요성 디스플레이 장치에서 상이한 층을 형성하는 데 유용할 수 있다. 시판 LSR은 SILASTIC™ 9202-50 LSR, SILASTIC™ LCF 3760, 및 SILASTIC™ LCF 3600을 포함한다. 광학 LSR은 SILASTIC™ MS-1001, MS-1002, MS-1003, MS-4001, MS-4002, 및 MS-4007(이는 성형성 광학 실리콘 엘라스토머임), 및 SYLGARD™ 182, 184, 및 186(이는 또한 광학 실리콘 엘라스토머임)을 포함한다. 시판 HCR은 XIAMETER™ RBB-2030-40EN, XIAMETER™ RBB-6660-60EN, XIAMETER™ RBB-2002-30 Base, XIAMETER™ RBB-2004-60, 및 XIAMETER™ RBB-2220-70을 포함한다. 충전된 실리콘 엘라스토머, 예컨대 DOWSIL™ VE-8001 가요성 실리콘 접착제가 또한 적합하다. 이러한 실리콘 엘라스토머 모두는 미국 미시간주 미들랜드 소재의 Dow Silicones Corporation으로부터 시판된다.
그러나, 실리콘 엘라스토머, 예컨대 상기 기재된 것은 가요성 디스플레이 장치에서 다른 층에 부착되기 어렵다는 단점을 겪을 수 있다. 따라서, 실리콘 엘라스토머에 부착될 수 있고 가요성 디스플레이 장치에서 파괴를 야기하지 않는 실리콘 감압성 접착제에 대한 산업적 요구가 존재한다.
라디칼 반응 경화성 조성물은 실리콘 감압성 접착제를 형성할 수 있다. 조성물의 제조 방법, 조성물을 사용한 물품의 제작 방법이 제공된다. 물품은 가요성 디스플레이 장치의 구성요소를 포함할 수 있다.
도 1은 가요성 디스플레이 장치(100)의 구성요소의 부분 단면도를 나타낸다.
(100) 가요성 디스플레이 장치 구성요소의 일부
(101) 기재
(101b) 기재(101)의 표면
(102) 실리콘 감압성 접착제
(102a) 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면
(102b) 실리콘 감압성 접착제(102)의 반대편 표면
(103) 실리콘 엘라스토머
(103a) 실리콘 엘라스토머(103)의 표면
발명을 실시하기위한 구체적인 내용
실리콘 감압성 접착제를 형성하기 위한 라디칼 반응 경화성 조성물은 하기를 포함한다:
(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분으로서,
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로 0 중량% 내지 16.3 중량%의 (A-1) 단위 화학식 (RM 2RUSiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a의 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이고; 아래첨자 a는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm)의 가소성을 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 가짐); 및
34.7 중량% 내지 < 51.8 중량%의 (A-2) 단위 화학식 ((HO)RM 2SiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a'의 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 아래첨자 a'는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm)의 가소성을 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 가짐)을 포함하고;
단, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검:(A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검의 중량비{(A-1):(A-2) 비율}가 0 내지 < 0.47:1인, 폴리디오르가노실록산 검 구성성분;
39.3 중량% 내지 45.4 중량%의 (B) 단위 화학식 (RM 3SiO1/2)z'(SiO4/2)o'Zp'의 폴리오르가노실리케이트 수지(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고, Z는 가수분해성 기이고, 아래첨자 p'는 > 3% 내지 10%의 가수분해성 기 함량을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 아래첨자 z' 및 o'는 z' > 4, o' > 1인 값을 갖고, 양(z' + o')은 500 g/mol 내지 5,000 g/mol의 수 평균 분자량을 갖는 수지를 제공하기에 충분한 값을 가짐);
여기서, (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지는 < 1.1:1의 (B):(A)의 중량비(수지:검 비율)로 존재함;
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.01 중량% 내지 5 중량%의 (C) 라디칼 개시제;
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로 0.03 중량% 내지 7.1 중량%의 (D) 트리알킬 보레이트; 및
조성물 중의 모든 출발 물질의 합계 중량을 기준으로 0 중량% 내지 90 중량%의 (E) 용매.
(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분
라디칼 반응 경화성 조성물은 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분을 포함한다. 폴리디오르가노실록산 검 구성성분은 하기를 포함한다: (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검. 폴리디오르가노실록산 검 구성성분은 선택적으로 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검을 추가로 포함할 수 있다.
출발 물질 (A-1), 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 단위 화학식: (RM 2RUSiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a를 가지며, 식 중에서 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이고; 아래첨자 a는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm), 대안적으로 30 mil(0.76 mm) 내지 70 mil(1.78 mm), 대안적으로 50 mil(1.27 mm) 내지 65 mil(1.65 mm)의 가소성을 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 여기서 가소성은 25℃에서 3분 동안 중량으로 4.2 g의 구형 샘플에 1 ㎏ 로드를 적용함으로써 ASTM D926을 기준으로 측정되고 그 결과는 인치의 1000분의 1(mil)로 측정되고 과정은 ASTM D926을 기준으로 한다.
단위 화학식 (A-1)에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이다. 대안적으로, 각각의 RM은 1 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. RM에 적합한 1가 탄화수소 기는 알킬 기 및 방향족 기, 예컨대 아릴 기 및 아르알킬 기로 예시된다. "알킬"은 시클릭, 분지형, 또는 비분지형 포화 1가 탄화수소 기를 의미한다. 알킬은 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, 이소-프로필 및/또는 n-프로필), 부틸(예를 들어, 이소부틸, n-부틸, tert-부틸, 및/또는 sec-부틸), 펜틸(예를 들어, 이소펜틸, 네오펜틸, 및/또는 tert-펜틸), 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 및 데실, 및 6개 이상의 탄소 원자의 분지형 알킬 기; 및 시클릭 알킬 기 예컨대 시클로펜틸 및 시클로헥실로 예시되지만, 이로 제한되지는 않는다. "아릴"은 시클릭, 완전 불포화, 탄화수소 기를 의미한다. 아릴은 시클로펜타디에닐, 페닐, 안트라세닐, 및 나프틸로 예시되지만, 이로 제한되지는 않는다. 모노시클릭 아릴 기는 5 내지 9개의 탄소 원자, 대안적으로 6 내지 7개의 탄소 원자, 대안적으로 5 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 폴리시클릭 아릴 기는 10 내지 17개의 탄소 원자, 대안적으로 10 내지 14개의 탄소 원자, 대안적으로 12 내지 14개의 탄소 원자를 가질 수 있다. "아르알킬"은 펜던트 및/또는 말단 아릴 기를 갖는 알킬 기, 또는 펜던트 알킬 기를 갖는 아릴 기를 의미한다. 예시적인 아르알킬 기는 톨릴, 자일릴, 벤질, 페닐에틸, 페닐 프로필, 및 페닐 부틸을 포함한다. 대안적으로, 각각의 RM은 알킬 및 아릴로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 메틸 및 페닐로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 알킬일 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 메틸일 수 있다.
단위 화학식 (A-1)에서, 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이다. 대안적으로, 각각의 RU는 2 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 적합한 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기는 알케닐 기 및 알키닐 기를 포함한다. "알케닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형, 1가 탄화수소 기를 의미한다. 적합한 알케닐 기는 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 및 헵테닐(3 내지 7개의 탄소 원자의 분지형 및 선형 이성질체를 포함함); 및 시클로헥세닐로 예시된다. "알키닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형, 1가 탄화수소 기를 의미한다. 적합한 알키닐 기는 에티닐, 프로피닐 및 부티닐(2 내지 4개의 탄소 원자의 분지형 및 선형 이성질체를 포함함)로 예시된다. 대안적으로, 각각의 RU는 알케닐, 예컨대 비닐, 알릴 또는 헥세닐일 수 있다.
폴리디오르가노실록산 검은 당업계에 알려져 있으며, 상응하는 오르가노할로실란의 가수분해 및 축합 또는 시클릭 폴리디오르가노실록산의 평형화와 같은 방법에 의해 제조될 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에서 사용하기에 적합한 폴리디오르가노실록산 검의 예는 하기로 예시된다:
i) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
ii) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산,
iii) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산,
iv) 페닐,메틸,비닐-실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
v) 디메틸헥세닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
vi) 디메틸헥세닐-실록시 말단화 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산,
vii) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산,
viii) i) 내지 vii) 중 둘 이상의 조합. 대안적으로, 폴리디오르가노실록산 검은 i) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
v) 디메틸헥세닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산, 및 i) 및 v)의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
출발 물질 (A-1), 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 선택적이고; (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물에서 0일 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에 존재하는 경우, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, > 0, 대안적으로 적어도 5 중량%, 대안적으로 적어도 6 중량%, 대안적으로 적어도 0 중량%, 대안적으로 적어도 10 중량%의 양으로 존재할 수 있는 한편, 동시에 양은 16.3 중량% 이하, 대안적으로 15 중량% 이하, 대안적으로 11% 이하, 대안적으로 10 중량% 이하일 수 있다. 대안적으로, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검의 양은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, > 0 중량% 내지 16.3 중량%, 대안적으로 10 중량% 내지 16.3 중량%, 대안적으로 11 중량% 내지 16.3 중량%일 수 있다.
출발 물질 (A) 폴리디오르가노실록산 구성성분은 (A-2) 단위 화학식: {(HO)RM 2SiO1/2}2(RM 2SiO2/2)a'의 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검을 포함하고, 식 중에서 RM은 상기 기재된 바와 같고; 아래첨자 a'는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm), 대안적으로 30 mil(0.76 mm) 내지 70 mil(1.78 mm), 대안적으로 50 mil(1.27 mm) 내지 65 mil(1.65 mm)의 가소성을 (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 여기서 가소성은 25℃에서 3분 동안 중량으로 4.2 g의 구형 샘플에 1 ㎏ 로드를 적용함으로써 ASTM D926을 기준으로 측정되고 그 결과는 인치의 1000분의 1(mil)로 측정되고 과정은 ASTM D926을 기준으로 한다.
출발 물질(A-2)로서 사용하기에 적합한 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검은 당업계에 알려져 있으며, 상응하는 오르가노할로실란의 가수분해 및 축합 또는 시클릭 폴리디오르가노실록산의 평형화와 같은 방법에 의해 제조될 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에서 출발 물질 (A-2)로서 사용하기에 적합한 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검의 예는 하기에 의해 예시된다:
i) 비스-히드록실-말단화 폴리디메틸실록산,
ii) 비스-히드록실-말단화 폴리(디메틸실록산/메틸페닐실록산),
iii) 비스-히드록실-말단화 폴리(디메틸실록산/디페닐실록산),
iv) 페닐, 메틸, 히드록실-실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
v) i) 내지 iv) 중 둘 이상의 조합. 대안적으로, 출발 물질 (A-2)는 비스-히드록실-말단화 폴리디메틸실록산을 포함한다.
출발 물질 (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 34.7 중량% 내지 51.8 중량%의 양으로 라디칼 반응 경화성 조성물에 존재한다. 대안적으로, (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검은 적어도 34.7 중량%, 대안적으로 적어도 35 중량%, 대안적으로 적어도 37 중량%, 대안적으로 적어도 38 중량%의 양으로 존재할 수 있는 한편; 동시에 양은 동일한 기준으로 51.8 중량% 이하, 대안적으로 40.3 중량% 이하, 및 40 중량% 이하일 수 있다.
출발 물질 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 선택적이고 이의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물에서 0일 수 있다. 그러나, 출발 물질 (A-1)이 존재하는 경우, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검, 및 (A-2) 비스-히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산은, 중량비 (A-1):(A-2)가 > 0:1 내지 0.47:1, 대안적으로 > 0:1 내지 0.4:1, 대안적으로 > 0:1 내지 0.3:1일 수 있는 양으로 존재할 수 있다. 대안적으로, 중량비 (A-1):(A-2)는 적어도 0.1:1, 대안적으로 적어도 0.2:1, 대안적으로 적어도 0.28:1일 수 있는 한편; 동시에, 중량비 (A-1):(A-2)는 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검이 존재하는 경우, 0.47:1 이하, 대안적으로 0.3:1 이하, 대안적으로 0.3:1 이하일 수 있다. 대안적으로, 비율 (A-1):(A-2)는 0.28: 1 내지 0.47:1일 수 있다.
(B) 폴리오르가노실리케이트 수지 구성성분
라디칼 반응 경화성 조성물은 또한 출발 물질 (B), 폴리오르가노실리케이트 수지를 추가로 포함한다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 화학식 RM 3SiO1/2의 단관능성 단위("M" 단위) 및 화학식 SiO4/2의 4관능성 실리케이트 단위("Q" 단위)를 포함하고, 식 중에서 RM은 상기 기재된 바와 같다. 대안적으로, RM 기의 적어도 1/3, 대안적으로 적어도 2/3는 알킬 기(예를 들어, 메틸 기)이다. 대안적으로, M 단위는 (Me3SiO1/2) 및 (Me2PhSiO1/2)에 의해 예시될 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 및 헵탄과 같은 액체 탄화수소로 예시되는, 이하 기재되는 것과 같은 용매에, 또는 저점도 선형 및 시클릭 폴리디오르가노실록산과 같은 액체 오르가노실리콘 화합물에 가용성이다.
제조 시에, 폴리오르가노실리케이트 수지는 상기 기재된 M 단위 및 Q 단위를 포함하고, 폴리오르가노실록산은 규소 결합된 히드록실 기를 갖는 단위를 추가로 포함하고 화학식 Si(OsiRM 3)4의 네오펜타머(neopentamer)를 포함할 수 있으며, 식 중에서, RM은 상기 기재된 바와 같고, 예를 들어, 네오펜타머는 테트라키스(트리메틸실록시)실란일 수 있다. 29Si NMR 분광법이 사용되어 히드록실 함량, 및 M 단위 및 Q 단위의 몰비를 측정할 수 있으며, 여기서 상기 비율은 네오펜타머로부터의 M 단위 및 Q 단위를 배제한 {M(수지)}/{Q(수지)}로서 표현된다. M:Q 비율은 폴리오르가노실리케이트 수지의 수지성(resinous) 부분의 트리오르가노실록시 기(M 단위)의 총 수 대 수지성 부분의 실리케이트 기(Q 단위)의 총 수의 몰비를 나타낸다. M:Q 비율은 0.5:1 내지 1.5:1일 수 있다.
폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 존재하는 RM에 의해 나타내어지는 탄화수소 기의 유형을 포함하는 다양한 인자에 가변적이다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은, 네오펜타머를 나타내는 피크가 측정으로부터 배제되는 경우, GPC를 사용하여 측정된 수 평균 분자량을 나타낸다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 대안적으로 2,500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 대안적으로 2,700 g/mol 내지 4,900 g/mol, 대안적으로 2,900 g/mol 내지 4,700 g/mol, 대안적으로 3,800 g/mol 내지 4,300 g/mol이다. Mn을 측정하는 데 적합한 GPC 시험 방법이 미국 특허 제9,593,209호의 칼럼 31의 참조예 1에 개시되어 있다.
미국 특허 제8,580,073호의 칼럼 3의 5행 내지 칼럼 4의 31행, 및 미국 특허출원공개 2016/0376482호의 단락 [0023] 내지 단락 [0026]은, 본원에 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물에 사용하기에 적합한 폴리오르가노실리케이트 수지인 MQ 수지를 개시하기 위해 본원에서 참조 인용된다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 실리카 히드로졸 캡핑 방법에 의해 또는 상응하는 실란의 공동 가수분해와 같은 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 Daudt 등의 미국 특허 제2,676,182호; Rivers-Farrell 등의 미국 특허 제4,611,042호; 및 Butler 등의 미국 특허 제4,774,310호에 개시된 것과 같은 실리카 히드로졸 캡핑 방법에 의해 제조될 수 있다. 상기 기재된 Daudt 등의 방법은 산성 조건 하에 실리카 히드로졸을 가수분해성 트리오르가노실란, 예컨대 트리메틸클로로실란, 실록산 예컨대 헥사메틸디실록산, 또는 이의 혼합물과 반응시키고, M-단위 및 Q-단위를 갖는 공중합체를 회수하는 것을 포함한다. 생성된 공중합체는 일반적으로 2 내지 5 중량%의 히드록실 기를 함유한다.
폴리오르가노실리케이트 수지를 제조하는 데 사용된 중간체는 트리오르가노실란, 및 4개의 가수분해성 치환기를 갖는 실란 또는 알칼리 금속 실리케이트일 수 있다. 트리오르가노실란은 화학식 RM 3SiX1을 가질 수 있으며, 식 중에서, RM은 상기 기재된 바와 같고 X1은 가수분해성 치환기 예컨대 할로겐, 알콕시, 아실옥시, 히드록실, 옥시모 또는 케톡시모; 대안적으로, 할로겐, 알콕시 또는 히드록실을 나타낸다. 4개의 가수분해성 치환기를 갖는 실란은 화학식 SiX2 4를 가질 수 있으며, 식 중에서 각각의 X2는 할로겐, 알콕시 또는 히드록실이다. 적합한 알칼리 금속 실리케이트는 나트륨 실리케이트를 포함한다.
상기 기재된 바와 같이 제조된 폴리오르가노실리케이트 수지는 캡핑되지 않은 수지이며, 이는 전형적으로 예를 들어 화학식 HOSi3/2 및/또는 화학식 HORM 2SiO1/2의 규소 결합된 히드록실 기를 함유한다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 NMR 분광법에 의해 측정된, > 3% 내지 10%의 규소 결합된 히드록실 기를 포함할 수 있다.
출발 물질 (B), 폴리오르가노실리케이트 수지는 단위 화학식 (RM 3SiO1/2)z'(SiO4/2)o'Zp'를 가질 수 있으며, 식 중에서, RM은 상기 기재된 바와 같고 아래첨자 z' 및 o'는 o'가 > 1이고 아래첨자 z'가 > 4이고 양 (o' + z')가 상기 기재된 Mn(예를 들어, 500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 대안적으로 1,000 g/mol 내지 4,700 g/mol, 대안적으로 2,900 g/mol 내지 4,700 g/mol, 대안적으로 2,900 g/mol 내지 4,500 g/mol, 대안적으로 3,800 g/mol 내지 4,300 g/mol)을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖게 하는 값을 갖고, Z는 가수분해성 기이고, 아래첨자 p'는 상기 기재된 바와 같은 가수분해성 기 함량(예를 들어, > 3% 내지 10%)을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖는다. 출발 물질 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지는 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, > 0 중량% 내지 1.5 중량%, 대안적으로 1.25 중량% 내지 1.45 중량%, 대안적으로 1.26 중량% 내지 1.42 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
라디칼 반응 경화성 조성물은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 39.3 중량% 내지 45.4 중량%, 대안적으로 39.3 중량% 내지 45 중량%, 대안적으로 39.3 중량% 내지 44.9 중량%, 대안적으로 39.3 중량% 내지 43.9 중량%의 양으로 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지 구성성분을 포함한다.
출발 물질 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분, 및 출발 물질 (B), 폴리오르가노실리케이트 수지는 1.1:1 이하의 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지:(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분의 중량비{즉, (B):(A) 비율}을 제공하기에 충분한 양으로 라디칼 반응 경화성 조성물에 존재할 수 있다.대안적으로, (B):(A) 비율은 적어도 0.77:1, 대안적으로 적어도 0.8:1일 수 있는 한편;동시에 (B):(A) 비율은 1.:1 이하, 대안적으로 0.8:1 이하일 수 있다.대안적으로, (B):(A) 비율은 0.7:1 내지 0.9:1; 대안적으로 0.77:1 내지 0.88:1일 수 있다.
(C) 라디칼 개시제
라디칼 반응 경화성 조성물에서 출발 물질 (C)는 라디칼 개시제이다. 적합한 라디칼 개시제는 퍼옥시드 화합물, 아조 화합물, 또는 산화환원 쌍을 포함할 수 있다. 퍼옥시드 화합물은 유기 퍼옥시드 또는 히드로퍼옥시드, 예컨대 디벤조일 퍼옥시드; 4-모노클로로벤조일 퍼옥시드; t-부틸퍼옥토에이트; t-부틸 퍼옥시벤조에이트, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, tert-부틸 쿠밀 퍼옥시드, tert-부틸옥사이드 2,5-디메틸-2,5-디-tert-부틸퍼옥시헥산; 2,4-디클로로벤조일 퍼옥시드; 디-tert부틸퍼옥시-디이소프로필 벤젠; 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산; 2,5-디-tert-부틸퍼옥시헥산-3,2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시) 헥산; 쿠밀-tert-부틸 퍼옥시드; 디쿠밀 퍼옥시드; 디-t-부틸 퍼옥시드; t-부틸 히드로퍼옥시드; 쿠멘 히드로퍼옥시드; 디-t-아밀 퍼옥시드; 및 이 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 또한, 디-퍼옥시드 라디칼 개시제는 단독으로 또는 다른 라디칼 개시제와의 조합으로 사용될 수 있다. 상기 디-퍼옥시드 라디칼 개시제는 제한 없이, 1,4-비스-(t-부틸 퍼옥시카르보)시클로헥산; 1,2-디(t-부틸 퍼옥시)시클로헥산; 및 2,5-디(t-부틸 퍼옥시)-3-헥신을 포함한다. 적합한 퍼옥시드 화합물은 당업계에 알려져 있고, 다양한 공급처, 예컨대 Sigma-Aldrich, Inc.(미국 미주리주 세인트 루이스 소재)로부터 시판된다.
아조 화합물은 지방족 아조 화합물 예컨대 1-t-아밀아조-l-시아노시클로헥산; 아조-비스-이소부티로니트릴; 및 1-t-부틸아조-시아노시클로헥산; 2,2'-아조-비스-(2-메틸)부티로니트릴; 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴); 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘) 디히드로클로라이드; 2,2'-아조비스(시아노발레르산); 또는 이 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 아조 화합물은 당업계에 알려져 있고, 예를 들어 The Chemours Company(미국 델라웨어주 윌밍턴 소재)로부터 상표명 VAZO™ WSP로 시판된다.
대안적으로, (C) 라디칼 개시제는 이소아스코르브산을 포함할 수 있다. 대안적으로, (C) 라디칼 개시제는 산화 구성성분 및 환원 구성성분으로서 개시제를 포함하는 산화환원 쌍일 수 있다. 대안적으로, 산화환원 쌍 예컨대 이소아스코르브산 및 소수성 유기 히드로퍼옥시드 예컨대 t-아밀 히드로퍼옥시드 또는 t-부틸 히드로퍼옥시드는 (C) 라디칼 개시제로서 사용될 수 있다. 적합한 개시제 및/또는 산화환원 쌍의 예는 Bardman 등의 미국 특허 제6,576,051호의 칼럼 11의 16행에서 시작해서 개시되어 있다.
출발 물질 (C)는 하나의 라디칼 개시제 또는 둘 이상의 라디칼 개시제의 조합을 포함할 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에 첨가된 출발 물질 (C)의 양은 선택된 라디칼 개시제의 유형 및 양 및 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지의 선택을 포함하는 다양한 인자에 가변적이지만, (C) 라디칼 개시제는 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.1 중량% 내지 5 중량%, 대안적으로 1 중량% 내지 4 중량%, 대안적으로 2 중량% 내지 3 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
(D) 트리알킬 보레이트
라디칼 반응 경화성 조성물에서 출발 물질 (D)는 화학식 B(ORA)3의 트리알킬 보레이트이고, 식 중에서 각각의 RA는 1 내지 30개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 알킬 기이다. 알킬 기는 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, 이소-프로필 또는 n-프로필), 부틸(예를 들어, 이소부틸, n-부틸, tert-부틸, 또는 sec-부틸), 펜틸(예를 들어, 이소펜틸, 네오펜틸, 또는 tert-펜틸), 헥실, 6개의 탄소 원자의 분지형 알킬 기, 또는 시클릭 알킬 기 예컨대 시클로펜틸 또는 시클로헥실일 수 있다. 적합한 트리알킬 보레이트의 예는 트리메틸 보레이트, 트리에틸 보레이트, 트리부틸 보레이트, 및 이 중 둘 이상의 조합을 포함한다. 대안적으로, 트리알킬 보레이트는 트리에틸 보레이트일 수 있다.
트리알킬 보레이트는 당업계에 알려져 있고, 알려진 방법, 예컨대 Stange의 미국 특허 제3,020,308호에 기재된 바와 같은 알려진 방법에 의해 제조될 수 있다. 트리알킬 보레이트는 또한 시판되고, 예를 들어 트리에틸 보레이트는 Meryer(Shanghai) Chemical Technology Co., Ltd.사로부터 시판되고, 실리콘 조성물을 위한 트리알킬 보레이트 첨가제는 또한 Dow Silicones Corporation으로부터 시판되는, DOWSIL™ 7429 PSA 첨가제와 같이 당업계에 알려져 있다.
라디칼 경화성 조성물에 첨가된 (D) 트리알킬 보레이트의 양은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.3 중량% 내지 7.1 중량%이다. 대안적으로, (D) 트리알킬 보레이트의 양은 적어도 0.3 중량%, 대안적으로 적어도 1 중량%, 대안적으로 적어도 1.5%일 수 있는 한편; 동시에, 양은 동일한 기준으로, 7.1 중량% 이하, 대안적으로 4 중량% 이하, 대안적으로 3.92 중량% 이하, 대안적으로 1.6 중량% 이하, 대안적으로 1.58 중량% 이하일 수 있다. 대안적으로, (D) 트리알킬 보레이트의 양은 동일한 기준으로, 1.5 중량% 내지 7.1 중량%, 대안적으로 3.9 중량% 내지 7.1 중량%일 수 있다.
(E) 용매
라디칼 반응 경화성 조성물은 선택적으로 또한 출발 물질 (E), 용매를 포함한다. 용매는 유기 용매 예컨대 탄화수소, 케톤, 에스테르 아세테이트, 에테르, 및/또는 평균 중합도가 3 내지 10인 시클릭 실록산일 수 있다. 용매에 적합한 탄화수소는 (E-1) 방향족 탄화수소 예컨대 벤젠, 톨루엔 또는 자일렌; (E-2) 지방족 탄화수소 예컨대 헥산, 헵탄, 옥탄 또는 이소-파라핀; 또는 (E-3) 이의 조합일 수 있다. 대안적으로, 용매는 글리콜 에테르 예컨대 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르일 수 있다. 적합한 케톤은 아세톤, 메틸 에틸 케톤 또는 메틸 이소부틸 케톤을 포함한다. 적합한 에스테르 아세테이트는 에틸 아세테이트 또는 이소부틸 아세테이트를 포함한다. 적합한 에테르는 디이소프로필 에테르 또는 1,4-디옥산을 포함한다. 중합도가 3 내지 10, 대안적으로 3 내지 6인 적합한 시클릭 실록산은 헥사메틸시클로트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산 및/또는 데카메틸시클로펜타실록산을 포함한다. 대안적으로, 용매는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 헵탄, 에틸 벤젠, 에틸 아세테이트, 및 이 중 둘 이상의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
용매의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물에 대해 선택된 용매의 유형 및 선택된 다른 출발 물질의 양 및 유형을 포함하는 다양한 인자에 가변적일 것이다. 그러나, 용매의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물의 모든 출발 물질의 합계 중량을 기준으로, 0% 내지 90%, 대안적으로 0% 내지 60%, 대안적으로 20 내지 60%, 대안적으로 45% 내지 65%, 대안적으로 50% 내지 60%의 범위일 수 있다. 용매는 예를 들어 상기 기재된 바와 같은, 하나 이상의 출발 물질의 혼합 및 전달을 돕기 위해 라디칼 반응 경화성 조성물의 제조 동안 첨가될 수 있다. 용매의 전부 또는 일부는 다른 출발 물질 중 하나 이상과 함께 첨가될 수 있다. 예를 들어, 폴리오르가노실리케이트 수지 및/또는 라디칼 개시제는 라디칼 반응 경화성 조성물 중의 다른 출발 물질과의 조합 이전에 용매에 용해될 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물이 제조된 이후 용매의 전부 또는 일부가 선택적으로 제거될 수 있다.
라디칼 반응 경화성 조성물의 제조 방법
라디칼 반응 경화성 조성물은 주변 온도 또는 상승된 온도에서의 혼합과 같이 임의의 편리한 수단에 의해 상기 기재된 바와 같은 모든 출발 물질을 조합하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 라디칼 반응 개시제는 예를 들어 라디칼 반응 경화성 조성물이 상승된 온도에서 제조되고/되거나 라디칼 반응 경화성 조성물이 1파트(part) 조성물로서 제조될 경우, 라디칼 개시제 이전에 첨가될 수 있다.
방법은 용매 중의 하나 이상의 출발 물질(예를 들어, 라디칼 개시제 및/또는 폴리오르가노실리케이트 수지)을 전달하는 것을 추가로 포함할 수 있고, 라디칼 반응 경화성 조성물 중의 다른 출발 물질 중 하나 이상과 조합되는 경우 용매 중에 용해될 수 있다. 당업자는, 생성된 라디칼 반응 경화성 조성물이 무용매(즉, 용매를 함유하지 않을 것이거나 출발 물질의 전달로부터 미량의 잔류 용매를 함유할 수 있음)일 것이 바람직한 경우, 용매는 둘 이상의 출발 물질을 혼합한 이후 제거될 수 있고, 이러한 예에서, 용매는 라디칼 반응 경화성 조성물에 의도적으로 첨가되지 않는다는 것을 이해할 것이다.
대안적으로, 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물이 사용 전에 장기간 동안, 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물을 광학 실리콘 엘라스토머 또는 다른 기재 상에 적용하기 전에 6시간 이하 동안 저장될 경우, 라디칼 반응 경화성 조성물은 다중 파트 조성물로서 제조될 수 있다. 다중 파트 조성물에서, 라디칼 개시제는 규소 결합된 히드로겐 히드록실 기를 갖는 임의의 출발 물질, 예를 들어 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지와 별개의 파트에 저장되고, 파트는 라디칼 반응 경화성 조성물의 사용 직전에 조합된다.
예를 들어, 다중 파트 조성물은 혼합과 같은 임의의 편리한 수단에 의해, 폴리디오르가노실록산 검 구성성분, 폴리오르가노히드로겐실록산, 및 선택적으로 상기 기재된 하나 이상의 다른 출발 물질 중 적어도 일부를 포함하는 출발 물질을 조합하여 베이스(base) 파트를 형성함으로써 제조될 수 있다. 경화제는 혼합과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 라디칼 개시제, 및 선택적으로 상기 기재된 하나 이상의 다른 출발 물질(폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 폴리오르가노실리케이트 수지 이외)을 포함하는 출발 물질을 조합하여 제조될 수 있다. 개시 물질은 주변 온도 또는 상승된 온도에서 조합될 수 있다. 용매는 베이스 파트, 경화제 파트, 또는 별개의 추가적 파트에 첨가될 수 있다. 대안적으로, 폴리오르가노실리케이트 수지 및 용매의 일부 또는 전부를 포함하는 출발 물질이 별개의 추가적 파트에 첨가될 수 있다. 2파트 조성물이 사용되는 경우, 베이스 파트 대 경화제 파트의 중량비는 1:1 내지 10:1의 범위일 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물은 라디칼 반응을 통해 경화되어 실리콘 감압성 접착제를 형성할 것이다.
사용 방법
상기 기재된 방법은 하나 이상의 추가적인 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 기재된 바와 같이 제조된 라디칼 반응 경화성 조성물이 사용되어 접착제 물품, 예를 들어 기재 상의 (상기 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물을 경화시켜 제조된) 실리콘 감압성 접착제를 형성할 수 있다. 따라서, 방법은 라디칼 반응 경화성 조성물을 기재에 적용하는 것을 추가로 포함할 수 있다.
라디칼 반응 경화성 조성물을 기재에 적용하는 것은 임의의 통상적 수단에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물은 그라비어 코팅기(gravure coater), 콤마 코팅기(comma coater), 오프셋 코팅기, 오프셋-그라비어 코팅기, 롤러 코팅기, 역상-롤러 코팅기(reverse-roller coater), 에어-나이프 코팅기(air-knife coater), 슬롯 다이, 또는 커튼 코팅기(curtain coater)에 의해 기재 상에 적용될 수 있다.
기재는, 라디칼 반응 경화성 조성물을 경화시켜 기재 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하는 데 사용된 (하기에 기재된) 경화 조건을 견딜 수 있는 임의의 물질일 수 있다. 예를 들어, 120℃ 이상, 대안적으로 150℃의 온도에서의 열 처리를 견딜 수 있는 임의의 기재가 적합하다. 상기 기재에 적합한 물질의 예는, 폴리이미드(PI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 액정 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르 술파이드(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카르보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 열가소성 폴리우레탄(TPU), 열가소성 엘라스토머(TPE), 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP)으로 구성될 수 있는, 중합체성 필름 및/또는 발포체를 포함한다. 대안적으로, 기재는 유리일 수 있다. 대안적으로, 기재는 예를 들어, 실리콘 감압성 접착제가 건식 주조(dry casting) 방법에서 사용될 경우, 이형 라이너(release liner)일 수 있다. 기재의 두께는 중요하지는 않지만, 두께는 5 μm 내지 300 μm, 대안적으로 10 μm 내지 200 μm일 수 있다. 대안적으로, 기재는 PE, PU, TPE, TPU, 및 실리콘 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 건식 주조(dry casting) 방법으로서, 1) 본원에 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물을 이형 라이너(release liner)에 적용하고, 2) 조성물을 경화시켜 이형 라이너 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하고, 3) 실리콘 감압성 접착제를 기재에 적용하는 것을 포함한다.
액체 실리콘 고무(LSR) 및 고점조도 고무(HCR)는 실리콘 엘라스토머에 사용될 수 있다. 실리콘 엘라스토머는 가요성 디스플레이 장치, 즉 제작하고자 하는 가요성 디스플레이 장치의 구성요소에서의 용도를 기준으로 선택될 수 있다.
예를 들어, 광학 실리콘 엘라스토머(광학 LSR)는 당업계에 알려져 있고, 예를 들어 Hasegawa 등의 미국 특허 제8,859,693호 및 Akitomo 등의 미국 특허 제8,853,332호에 기재되어 있고, 광학 LSR은 시판된다. 예를 들어, 광학 LSR은 SILASTIC™ MS-1001, MS-1002, MS-1003, MS-4001, MS-4002, 및 MS-4007(이는 성형성 광학 실리콘 엘라스토머임)을 포함하고, SYLGARD™ 182, 184, 및 186은 다른 광학 실리콘 엘라스토머이고, 이들 모두는 Dow Silicones Corporation으로부터 시판된다. 이러한 LSR은 가요성 디스플레이 장치에서의 광학 구성요소를 제작하는 데 적합하다.
대안적으로, 제작하고자 하는 가요성 디스플레이 장치의 구성요소가 렌즈(프레임) 구성요소인 경우, LSR 예컨대 SILASTIC™ 9202-50 LSR, SILASTIC™ LCF 3760, 및 SILASTIC™ LCF 3600, 또는 HCR 예컨대 XIAMETER™ RBB-2030-40EN, XIAMETER™ RBB-6660-60EN, XIAMETER™ RBB-2002-30 Base, XIAMETER™ RBB-2004-60, 또는 XIAMETER™ RBB-2220-70이 사용될 수 있다.
대안적으로, 제작하고자 하는 가요성 디스플레이 장치의 구성요소가 힌지 구성요소인 경우, 충전된 실리콘 엘라스토머, 예컨대 DOWSIL™ VE-8001 가요성 실리콘 접착제가 사용될 수 있다. DOWSIL™, SILASTIC™, SYLGARD™, 및 XIAMETER™ 브랜드의 모든 실리콘 엘라스토머는 Dow Silicones Corporation사로부터 시판된다.
기재에 대한 실리콘 감압성 접착제의 결합을 개선하기 위하여, 접착제 물품을 형성하는 방법은 선택적으로 라디칼 반응 경화성 조성물 또는 실리콘 감압성 접착제를 적용하기 전에 기재를 처리하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 기재의 처리는, 라디칼 반응 경화성 조성물 또는 실리콘 감압성 접착제를 기재에 적용하기 전에, 프라이머를 적용하는 것, 또는 기재가 코로나-방전 처리, 에칭, 또는 플라즈마 처리를 거치게 하는 것과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다.
본원에 기재된 방법은 선택적으로 예를 들어 접착제 물품의 사용 전에 실리콘 감압성 접착제를 보호하기 위해, 제거 가능한 이형 라이너를 기재 반대편의 실리콘 감압성 접착제에 적용하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 이형 라이너는 라디칼 반응 경화성 조성물의 경화 이전, 도중 또는 이후에 적용될 수 있으며; 대안적으로 경화 이후에 적용될 수 있다. 접착제 물품은 가요성 디스플레이 장치에서 사용되는 구성요소, 예컨대 광학 구성요소, 렌즈(프레임) 구성요소, 또는 힌지 구성요소일 수 있다.
가요성 디스플레이 장치의 구성요소에서 실리콘 감압성 접착제의 용도
도 1은 가요성 디스플레이 장치 구성요소(100)의 부분 단면도를 나타낸다. 구성요소(100)는 표면(102a) 및 반대편 표면(102b)을 갖는 실리콘 감압성(102)을 포함한다. 실리콘 감압성(102)의 반대편 표면(102b)은 하기 실시예에 기재된 시험 방법에 의해 측정된 > 400 g/in의 박리 접착력(peel adhesion)을 갖는 실리콘 엘라스토머(103)의 표면(103a)에 부착된다. 실리콘 감압성(102)은 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있다. 실리콘 감압성(102)은 표면(101a) 및 반대편 표면(101b)을 갖는 기재(101)에 부착된다. 실리콘 감압성(102)의 표면(102a)은 기재(101)의 반대편 표면(101b)과 접촉한다. 기재(101)는 PE, PU, TPU, TPE, 및 실리콘 엘라스토머(이는 실리콘 엘라스토머(103)와 동일하거나 상이할 수 있고, 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있음)로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 실리콘 엘라스토머(103)는 상기 기재된 바와 같이 HCR일 수 있다.
상기 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물 및 방법은 습식 주조(wet casting)를 통한 가요성 디스플레이 장치 구성요소(100)의 제작에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물은 기재(101)의 반대편 표면(101b)에 적용되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 대안적으로, 본원에 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물은 실리콘 엘라스토머(103)의 표면(103a)에 적용되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 대안적으로, 라디칼 반응 경화성 조성물은 이형 라이너의 표면에 적용되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 이후, 실리콘 엘라스토머(103)는 실리콘 감압성 접착제(102)의 반대편 표면(102b)과 접촉될 수 있고 기재(101)는 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면(102a)과 접촉될 수 있다. 압력은 기재(101), 실리콘 감압성 접착제(102), 및 실리콘 엘라스토머(103)의 층을 함께 접착시키기 위해 적용될 수 있다.
실시예
하기 실시예는 본 발명을 당업자에게 예시하기 위해 제공되고, 청구범위에 제시된 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본원에 사용된 출발 물질은 아래 표 1에 기재되어 있다.
[표 1]
표 1에서, DOWSIL™, SILASTIC™, 및 SYL-OFF™ 브랜드의 출발 물질은 Dow Silicones Corporation로부터 시판되었다.
이러한 참조예 1에서, 라디칼 반응 경화성 조성물의 샘플은 표 2 및 표 3에서 아래 나타낸 출발 물질 및 양을 사용하여 하기와 같이 제조되었다. 양은 달리 나타내지 않는 한 중량부이다. 출발 물질 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 출발 물질 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지 구성성분은 생성된 혼합물이 균질할 때까지 혼합 하에 (E) 용매에 용해되었다. 이후 출발 물질 (D) 트리알킬 보레이트는 상기 혼합물에 완전히 블렌딩되었다. 이후 출발 물질 (C) 라디칼 개시제 1, BPO는 상기 혼합물에 완전히 블렌딩되었다. 모든 출발 물질은 실온에서 혼합되었다.
[표 2]
[표 3]
표 1에서 라디칼 반응 경화성 조성물은 출발 물질과 함께 도입된, 소량의 잔여 용매 1을 함유하였다.
라디칼 반응 경화성 조성물이 PET 기재 상에 코팅되기 전에, DOWSIL™ 7499 PSA Primer는, 0.5분 동안 120℃에서 오븐에서의 가열 이후 0.20 gsm의 건식 코트 중량(dry coat weight)을 제공하기에 충분한 두께로 기재 상에 코팅되었다. 기재 상의 프라이머 층은 기재와 경화된 실리콘 감압성 접착제 사이에 충분한 결합을 제공하였다. 이러한 참조예 2에서, 라디칼 반응 경화성 조성물은 기재 상에 코팅되었고, 하기 과정에 따라 경화되었다. 상기 기재된 바와 같이 제조된 각각의 샘플은, 2분 동안 80℃에서 및 2분 동안 160℃에서 오븐에서의 가열 이후 50 μm 두께의 건식 코트 중량을 제공하기에 충분한 두께로 50 μm 두께 PET 필름(7499 프라이머 코팅된 측면) 상에 적용된다.
생성된 테이프 샘플은 이후 너비 1 인치로 절단되었고, 이후 실리콘 감압성 접착제가 접착물과 접촉되도록 접착물에 적용되었다. 접착물은 SUS 및 Si 고무 A였고, 샘플은 시험 전에 실리콘 감압성 접착제와 접착물을 접촉시킨 이후 20분 동안 실온에서 유지되었다. 이러한 시험은 반복되었지만, 샘플은 시험 이전 1일 동안 70℃에서 유지되었다.
[표 4]
[표 5]
이러한 참조예 3에서, 참조예 2에 기재된 바와 같이 제조된 샘플이 하기와 같이 시험되었다. 상기 기재된 바와 같이 제조된 각각의 테이프 샘플은 부착물로부터 각각의 테이프를 박리하고 PET 필름으로부터 부착물 상에 옮겨진 임의의 실리콘 감압성 접착제가 존재하는지 여부를 확인함으로써 SUS 및 Si 고무 A 부착물에 대한 접착력에 관하여 시험되었다. 접착력/이형 시험기 AR-1500이 사용되었다. 각각의 PET 시트의 폭은 1 인치였다. 박리 속도 및 각도는 각각 0.3 m/분 및 180°였다. 단위는 그램/in였다. 그 결과는 아래 표 6 및 표 7에 나타나 있다.
SUS에 대한 접착력 시험 방법은 시험 표준 ASTM D3330을 참조한다.
스테인레스-스틸 플레이트를 용매로 세정한다. 스테인레스-스틸 플레이트에 테이프 샘플(너비 1 인치)을 적용한다. 10 mm/s의 속도로 표준 2 ㎏ 시험 롤러를 사용하여 각각의 방향으로 2회 만다. 20분 체류 시간(dwell time) 이후 300 mm/분의 속도로 180°의 박리 각도로 AR-1500을 사용하여 스틸 플레이트로부터 샘플을 박리한다.
실리콘 고무 A에 대한 접착력 시험 방법은 시험 표준 ASTM D3330을 참조한다. 용매로 실리콘 고무 시트를 세정한다. 실리콘 고무 시트에 테이프 샘플(너비 1 인치, 25.4 mm)을 적용한다. 10 mm/s의 속도로 표준 2 ㎏ 시험 롤러를 사용하여 각각의 방향으로 2회 만다. 20분 체류 시간 이후 300 mm/분의 속도로 180°의 박리 각도로 AR-1500을 사용하여 실리콘 고무 시트로부터 샘플을 박리한다.
실리콘 고무에 대한 접착력(70℃-1일) 시험 방법은 시험 표준 ASTM D3330을 참조한다. 용매로 실리콘 고무 시트를 세정한다. 실리콘 고무 시트에 테이프 샘플(너비 1 인치, 25.4 mm)을 적용한다. 10 mm/s의 속도로 표준 2 ㎏ 시험 롤러를 사용하여 각각의 방향으로 2회 만다. 1일(24시간) 동안 70℃에서 샘플을 에이징한 이후 300 mm/분의 속도로 180°의 박리 각도로 AR-1500을 사용하여 실리콘 고무 시트로부터 샘플을 박리한다.
유동학적 데이터(Tg, -30℃, -20℃, 25℃ 및 100℃에서 G') 시험 방법은 시험 표준 ASTM D4440-15를 참조한다.
레오미터(rheometer), TA DHR-2 또는 ARES-G2 상의 직경 8 mm의 평행 플레이트에서 유동학적 특성 시험을 위해 각각 0.5 mm 내지 1.5 mm의 두께를 갖는 경화된 순수한 실리콘 감압성 접착제 필름(기재 없음)이 준비되었다. 1 ㎐ 하에 3℃/분의 냉각 속도 및 0.25%의 변형률(strain)에서 진동 모드가 있는 온도 램프 프로그램에 의해 상이한 온도(즉, 200℃로부터 -80℃까지)에서 손실 계수 G" 및 저장 계수 G'가 측정되었다. Tan 델타는 G"/G'에 의해 계산되었다. 유리 전이 온도는 tan 델타의 피크 지점에서의 온도로서 정의되었다. 그 결과는 아래 표 6 및 표 7에 나타낸다.
[표 6]
[표 7]
산업상이용가능성
상기 실시예는, > 300 g/인치의 스테인레스 스틸에 대한 접착력, 실온에서 > 500 g/인치의 실리콘 엘라스토머에 대한 접착력, 및 70℃에서 > 1,400 g/인치의 실리콘 엘라스토머에 대한 접착력의 바람직한 접착제 특성을 갖는 실리콘 감압성 접착제를 형성하도록 경화되는 라디칼 반응 경화성 조성물이 제조될 수 있음을 나타낸다. 높은 접착력은 실리콘 감압성 접착제와 기재(접착물) 사이의 계면을 가요성 디스플레이 장치의 반복된 변형 시험(예를 들어 접기, 굽히기, 말기 또는 늘리기 시험에 의함) 동안 탈적층에 견디는 데 충분히 강하게 만든다. 실리콘 감압성 접착제는 또한 Tg ≤ 5℃, < 3 MPa의 -30℃에서의 G', < 2 MPa의 -20℃에서의 G', < 0.4 MPa의 25℃에서의 G', 및 < 0.1 MPa의 100℃에서의 G'를 가질 수 있다. 폭넓은 온도 범위에서 낮은 Tg 및 낮은 G'는 실리콘 감압성 접착제를 반복된 변형 시험(예를 들어, 접기, 굽히기, 말기 및 늘리기 시험에 의함) 동안 다른 층 상에 가해지는 낮은 응력과 함께 폭넓은 온도 범위에서 사용하기에 적합하게 만든다. 이러한 특성의 조합은, 실리콘 감압성 접착제를 특히 광학 구성요소, 렌즈(프레임) 탑재 층, 및 실리콘 힌지 및 결합 층에서, 가요성 디스플레이 장치의 다층 구성요소를 제작하는 데 사용하기에 적합하게 만든다.
용어의 정의 및 용법
본원에서 모든 양, 비율 및 백분율은, 달리 나타내지 않는 한, 중량 기준이다. 발명의 내용 및 요약서가 본원에 참조 인용된다. 관사('a', 'an' 및 'the')는 본 명세서의 맥락에서 달리 나타내지 않는 한 각각 하나 이상을 나타낸다. 접속어구 "포함하는", "본질적으로 이루어지는", 및 "이루어지는"은 문헌[the Manual of Patent Examining Procedure Ninth Edition, Revision 08.2017, Last Revised January 2018 at section §2111.03 I., II., and III]에 기재된 바와 같이 사용된다. 예시적인 예를 열거하기 위한 "예를 들어", "예컨대", "~와 같은" 및 "비롯한"의 사용은 단지 열거된 예들로만 제한되지 않는다. 따라서, "예를 들어" 또는 "와 같은"은 "예를 들어, 그러나 이로 제한되지 않는" 또는 "와 같으나 이로 제한되지 않는"을 의미하며, 다른 유사하거나 동등한 예를 포괄한다. 본원에 사용된 약어는 아래 표 8의 정의를 갖는다.
[표 8]
본 발명은 예시적 방식으로 기재되었으며, 사용된 용어는 단어의 성질상 제한적이기보다는 설명적인 것으로 의도됨이 이해되어야 한다. 특정한 특징 또는 양태를 기재하기 위해 본원에서 필요로 하는 임의의 마쿠쉬 군(Markush group)과 관련하여, 상이한, 특별한, 및/또는 예기치 못한 결과가 모든 다른 마쿠쉬 구성원들과는 독립적으로 개별 마쿠쉬 군의 각각의 구성원으로부터 얻어질 수 있다. 마쿠쉬 군의 각각의 구성원은 개별적으로 및 또는 조합하여 필요로 할 수 있으며, 첨부된 청구범위의 범주 내의 구체적인 실시형태에 대한 적절한 지지를 제공한다.
또한, 본 발명을 기재함에 있어서 필요로 하는 임의의 범위 및 하위범위는 첨부된 청구범위의 범주 내에 독립적으로 및 집합적으로 속하고, 심지어 상기 값이 본원에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도, 그 범위 내의 정수 및/또는 분수 값을 포함한 모든 범위를 기재하고 고려하는 것으로 이해된다. 당업자는 열거된 범위 및 하위범위가 본 발명의 다양한 실시형태를 충분히 기재하고 가능하게 하며, 상기 범위 및 하위범위는 관련된 1/2, 1/3, 1/4, 1/5, 및 범위 내에 있는 다른 하위범위로 추가로 세분될 수 있음을 용이하게 인식한다. 단지 한 예로서, "0.3 내지 7.1"의 범위는 아래쪽의 1/3, 즉, "0.3 내지 2.5", 중간의 1/3, 즉, "2.6 내지 4.8", 및 위쪽의 1/3, 즉, "4.9 내지 7.1"로 추가로 세분될 수 있고, 대안적으로, "0.3 내지 7.1"의 범위는 하위범위 "0.3 내지 1.5", "1.5 내지 7.1", 및 "3.9 내지 7.1" 및 개별적 값 7.07, 3.92, 및 1.58을 포함하고, 이들 각각은 개별적으로 및 집합적으로 첨부된 청구범위의 범주 내에 있고, 개별적으로 및/또는 집합적으로 필요로 할 수 있고 첨부된 청구범위의 범주 내의 구체적인 실시형태에 대한 적절한 지지를 제공할 수 있다. 또한, 범위를 정의하거나 수식하는 언어, 예컨대 "적어도", "초과", "미만", "이하" 등과 관련하여, 상기 언어는 하위범위 및/또는 상한 또는 하한을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
(101) 기재
(101b) 기재(101)의 표면
(102) 실리콘 감압성 접착제
(102a) 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면
(102b) 실리콘 감압성 접착제(102)의 반대편 표면
(103) 실리콘 엘라스토머
(103a) 실리콘 엘라스토머(103)의 표면
발명을 실시하기위한 구체적인 내용
실리콘 감압성 접착제를 형성하기 위한 라디칼 반응 경화성 조성물은 하기를 포함한다:
(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분으로서,
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로 0 중량% 내지 16.3 중량%의 (A-1) 단위 화학식 (RM 2RUSiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a의 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이고; 아래첨자 a는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm)의 가소성을 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 가짐); 및
34.7 중량% 내지 < 51.8 중량%의 (A-2) 단위 화학식 ((HO)RM 2SiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a'의 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 아래첨자 a'는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm)의 가소성을 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 가짐)을 포함하고;
단, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검:(A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검의 중량비{(A-1):(A-2) 비율}가 0 내지 < 0.47:1인, 폴리디오르가노실록산 검 구성성분;
39.3 중량% 내지 45.4 중량%의 (B) 단위 화학식 (RM 3SiO1/2)z'(SiO4/2)o'Zp'의 폴리오르가노실리케이트 수지(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고, Z는 가수분해성 기이고, 아래첨자 p'는 > 3% 내지 10%의 가수분해성 기 함량을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 아래첨자 z' 및 o'는 z' > 4, o' > 1인 값을 갖고, 양(z' + o')은 500 g/mol 내지 5,000 g/mol의 수 평균 분자량을 갖는 수지를 제공하기에 충분한 값을 가짐);
여기서, (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지는 < 1.1:1의 (B):(A)의 중량비(수지:검 비율)로 존재함;
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.01 중량% 내지 5 중량%의 (C) 라디칼 개시제;
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로 0.03 중량% 내지 7.1 중량%의 (D) 트리알킬 보레이트; 및
조성물 중의 모든 출발 물질의 합계 중량을 기준으로 0 중량% 내지 90 중량%의 (E) 용매.
(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분
라디칼 반응 경화성 조성물은 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분을 포함한다. 폴리디오르가노실록산 검 구성성분은 하기를 포함한다: (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검. 폴리디오르가노실록산 검 구성성분은 선택적으로 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검을 추가로 포함할 수 있다.
출발 물질 (A-1), 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 단위 화학식: (RM 2RUSiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a를 가지며, 식 중에서 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이고; 아래첨자 a는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm), 대안적으로 30 mil(0.76 mm) 내지 70 mil(1.78 mm), 대안적으로 50 mil(1.27 mm) 내지 65 mil(1.65 mm)의 가소성을 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 여기서 가소성은 25℃에서 3분 동안 중량으로 4.2 g의 구형 샘플에 1 ㎏ 로드를 적용함으로써 ASTM D926을 기준으로 측정되고 그 결과는 인치의 1000분의 1(mil)로 측정되고 과정은 ASTM D926을 기준으로 한다.
단위 화학식 (A-1)에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이다. 대안적으로, 각각의 RM은 1 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. RM에 적합한 1가 탄화수소 기는 알킬 기 및 방향족 기, 예컨대 아릴 기 및 아르알킬 기로 예시된다. "알킬"은 시클릭, 분지형, 또는 비분지형 포화 1가 탄화수소 기를 의미한다. 알킬은 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, 이소-프로필 및/또는 n-프로필), 부틸(예를 들어, 이소부틸, n-부틸, tert-부틸, 및/또는 sec-부틸), 펜틸(예를 들어, 이소펜틸, 네오펜틸, 및/또는 tert-펜틸), 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 및 데실, 및 6개 이상의 탄소 원자의 분지형 알킬 기; 및 시클릭 알킬 기 예컨대 시클로펜틸 및 시클로헥실로 예시되지만, 이로 제한되지는 않는다. "아릴"은 시클릭, 완전 불포화, 탄화수소 기를 의미한다. 아릴은 시클로펜타디에닐, 페닐, 안트라세닐, 및 나프틸로 예시되지만, 이로 제한되지는 않는다. 모노시클릭 아릴 기는 5 내지 9개의 탄소 원자, 대안적으로 6 내지 7개의 탄소 원자, 대안적으로 5 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 폴리시클릭 아릴 기는 10 내지 17개의 탄소 원자, 대안적으로 10 내지 14개의 탄소 원자, 대안적으로 12 내지 14개의 탄소 원자를 가질 수 있다. "아르알킬"은 펜던트 및/또는 말단 아릴 기를 갖는 알킬 기, 또는 펜던트 알킬 기를 갖는 아릴 기를 의미한다. 예시적인 아르알킬 기는 톨릴, 자일릴, 벤질, 페닐에틸, 페닐 프로필, 및 페닐 부틸을 포함한다. 대안적으로, 각각의 RM은 알킬 및 아릴로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 메틸 및 페닐로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 알킬일 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 메틸일 수 있다.
단위 화학식 (A-1)에서, 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이다. 대안적으로, 각각의 RU는 2 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 적합한 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기는 알케닐 기 및 알키닐 기를 포함한다. "알케닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형, 1가 탄화수소 기를 의미한다. 적합한 알케닐 기는 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 및 헵테닐(3 내지 7개의 탄소 원자의 분지형 및 선형 이성질체를 포함함); 및 시클로헥세닐로 예시된다. "알키닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형, 1가 탄화수소 기를 의미한다. 적합한 알키닐 기는 에티닐, 프로피닐 및 부티닐(2 내지 4개의 탄소 원자의 분지형 및 선형 이성질체를 포함함)로 예시된다. 대안적으로, 각각의 RU는 알케닐, 예컨대 비닐, 알릴 또는 헥세닐일 수 있다.
폴리디오르가노실록산 검은 당업계에 알려져 있으며, 상응하는 오르가노할로실란의 가수분해 및 축합 또는 시클릭 폴리디오르가노실록산의 평형화와 같은 방법에 의해 제조될 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에서 사용하기에 적합한 폴리디오르가노실록산 검의 예는 하기로 예시된다:
i) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
ii) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산,
iii) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산,
iv) 페닐,메틸,비닐-실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
v) 디메틸헥세닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
vi) 디메틸헥세닐-실록시 말단화 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산,
vii) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산,
viii) i) 내지 vii) 중 둘 이상의 조합. 대안적으로, 폴리디오르가노실록산 검은 i) 디메틸비닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
v) 디메틸헥세닐실록시-말단화 폴리디메틸실록산, 및 i) 및 v)의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
출발 물질 (A-1), 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 선택적이고; (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물에서 0일 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에 존재하는 경우, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, > 0, 대안적으로 적어도 5 중량%, 대안적으로 적어도 6 중량%, 대안적으로 적어도 0 중량%, 대안적으로 적어도 10 중량%의 양으로 존재할 수 있는 한편, 동시에 양은 16.3 중량% 이하, 대안적으로 15 중량% 이하, 대안적으로 11% 이하, 대안적으로 10 중량% 이하일 수 있다. 대안적으로, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검의 양은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, > 0 중량% 내지 16.3 중량%, 대안적으로 10 중량% 내지 16.3 중량%, 대안적으로 11 중량% 내지 16.3 중량%일 수 있다.
출발 물질 (A) 폴리디오르가노실록산 구성성분은 (A-2) 단위 화학식: {(HO)RM 2SiO1/2}2(RM 2SiO2/2)a'의 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검을 포함하고, 식 중에서 RM은 상기 기재된 바와 같고; 아래첨자 a'는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm), 대안적으로 30 mil(0.76 mm) 내지 70 mil(1.78 mm), 대안적으로 50 mil(1.27 mm) 내지 65 mil(1.65 mm)의 가소성을 (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 여기서 가소성은 25℃에서 3분 동안 중량으로 4.2 g의 구형 샘플에 1 ㎏ 로드를 적용함으로써 ASTM D926을 기준으로 측정되고 그 결과는 인치의 1000분의 1(mil)로 측정되고 과정은 ASTM D926을 기준으로 한다.
출발 물질(A-2)로서 사용하기에 적합한 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검은 당업계에 알려져 있으며, 상응하는 오르가노할로실란의 가수분해 및 축합 또는 시클릭 폴리디오르가노실록산의 평형화와 같은 방법에 의해 제조될 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에서 출발 물질 (A-2)로서 사용하기에 적합한 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검의 예는 하기에 의해 예시된다:
i) 비스-히드록실-말단화 폴리디메틸실록산,
ii) 비스-히드록실-말단화 폴리(디메틸실록산/메틸페닐실록산),
iii) 비스-히드록실-말단화 폴리(디메틸실록산/디페닐실록산),
iv) 페닐, 메틸, 히드록실-실록시-말단화 폴리디메틸실록산,
v) i) 내지 iv) 중 둘 이상의 조합. 대안적으로, 출발 물질 (A-2)는 비스-히드록실-말단화 폴리디메틸실록산을 포함한다.
출발 물질 (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 34.7 중량% 내지 51.8 중량%의 양으로 라디칼 반응 경화성 조성물에 존재한다. 대안적으로, (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검은 적어도 34.7 중량%, 대안적으로 적어도 35 중량%, 대안적으로 적어도 37 중량%, 대안적으로 적어도 38 중량%의 양으로 존재할 수 있는 한편; 동시에 양은 동일한 기준으로 51.8 중량% 이하, 대안적으로 40.3 중량% 이하, 및 40 중량% 이하일 수 있다.
출발 물질 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검은 선택적이고 이의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물에서 0일 수 있다. 그러나, 출발 물질 (A-1)이 존재하는 경우, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검, 및 (A-2) 비스-히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산은, 중량비 (A-1):(A-2)가 > 0:1 내지 0.47:1, 대안적으로 > 0:1 내지 0.4:1, 대안적으로 > 0:1 내지 0.3:1일 수 있는 양으로 존재할 수 있다. 대안적으로, 중량비 (A-1):(A-2)는 적어도 0.1:1, 대안적으로 적어도 0.2:1, 대안적으로 적어도 0.28:1일 수 있는 한편; 동시에, 중량비 (A-1):(A-2)는 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검이 존재하는 경우, 0.47:1 이하, 대안적으로 0.3:1 이하, 대안적으로 0.3:1 이하일 수 있다. 대안적으로, 비율 (A-1):(A-2)는 0.28: 1 내지 0.47:1일 수 있다.
(B) 폴리오르가노실리케이트 수지 구성성분
라디칼 반응 경화성 조성물은 또한 출발 물질 (B), 폴리오르가노실리케이트 수지를 추가로 포함한다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 화학식 RM 3SiO1/2의 단관능성 단위("M" 단위) 및 화학식 SiO4/2의 4관능성 실리케이트 단위("Q" 단위)를 포함하고, 식 중에서 RM은 상기 기재된 바와 같다. 대안적으로, RM 기의 적어도 1/3, 대안적으로 적어도 2/3는 알킬 기(예를 들어, 메틸 기)이다. 대안적으로, M 단위는 (Me3SiO1/2) 및 (Me2PhSiO1/2)에 의해 예시될 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 및 헵탄과 같은 액체 탄화수소로 예시되는, 이하 기재되는 것과 같은 용매에, 또는 저점도 선형 및 시클릭 폴리디오르가노실록산과 같은 액체 오르가노실리콘 화합물에 가용성이다.
제조 시에, 폴리오르가노실리케이트 수지는 상기 기재된 M 단위 및 Q 단위를 포함하고, 폴리오르가노실록산은 규소 결합된 히드록실 기를 갖는 단위를 추가로 포함하고 화학식 Si(OsiRM 3)4의 네오펜타머(neopentamer)를 포함할 수 있으며, 식 중에서, RM은 상기 기재된 바와 같고, 예를 들어, 네오펜타머는 테트라키스(트리메틸실록시)실란일 수 있다. 29Si NMR 분광법이 사용되어 히드록실 함량, 및 M 단위 및 Q 단위의 몰비를 측정할 수 있으며, 여기서 상기 비율은 네오펜타머로부터의 M 단위 및 Q 단위를 배제한 {M(수지)}/{Q(수지)}로서 표현된다. M:Q 비율은 폴리오르가노실리케이트 수지의 수지성(resinous) 부분의 트리오르가노실록시 기(M 단위)의 총 수 대 수지성 부분의 실리케이트 기(Q 단위)의 총 수의 몰비를 나타낸다. M:Q 비율은 0.5:1 내지 1.5:1일 수 있다.
폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 존재하는 RM에 의해 나타내어지는 탄화수소 기의 유형을 포함하는 다양한 인자에 가변적이다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은, 네오펜타머를 나타내는 피크가 측정으로부터 배제되는 경우, GPC를 사용하여 측정된 수 평균 분자량을 나타낸다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 대안적으로 2,500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 대안적으로 2,700 g/mol 내지 4,900 g/mol, 대안적으로 2,900 g/mol 내지 4,700 g/mol, 대안적으로 3,800 g/mol 내지 4,300 g/mol이다. Mn을 측정하는 데 적합한 GPC 시험 방법이 미국 특허 제9,593,209호의 칼럼 31의 참조예 1에 개시되어 있다.
미국 특허 제8,580,073호의 칼럼 3의 5행 내지 칼럼 4의 31행, 및 미국 특허출원공개 2016/0376482호의 단락 [0023] 내지 단락 [0026]은, 본원에 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물에 사용하기에 적합한 폴리오르가노실리케이트 수지인 MQ 수지를 개시하기 위해 본원에서 참조 인용된다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 실리카 히드로졸 캡핑 방법에 의해 또는 상응하는 실란의 공동 가수분해와 같은 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 Daudt 등의 미국 특허 제2,676,182호; Rivers-Farrell 등의 미국 특허 제4,611,042호; 및 Butler 등의 미국 특허 제4,774,310호에 개시된 것과 같은 실리카 히드로졸 캡핑 방법에 의해 제조될 수 있다. 상기 기재된 Daudt 등의 방법은 산성 조건 하에 실리카 히드로졸을 가수분해성 트리오르가노실란, 예컨대 트리메틸클로로실란, 실록산 예컨대 헥사메틸디실록산, 또는 이의 혼합물과 반응시키고, M-단위 및 Q-단위를 갖는 공중합체를 회수하는 것을 포함한다. 생성된 공중합체는 일반적으로 2 내지 5 중량%의 히드록실 기를 함유한다.
폴리오르가노실리케이트 수지를 제조하는 데 사용된 중간체는 트리오르가노실란, 및 4개의 가수분해성 치환기를 갖는 실란 또는 알칼리 금속 실리케이트일 수 있다. 트리오르가노실란은 화학식 RM 3SiX1을 가질 수 있으며, 식 중에서, RM은 상기 기재된 바와 같고 X1은 가수분해성 치환기 예컨대 할로겐, 알콕시, 아실옥시, 히드록실, 옥시모 또는 케톡시모; 대안적으로, 할로겐, 알콕시 또는 히드록실을 나타낸다. 4개의 가수분해성 치환기를 갖는 실란은 화학식 SiX2 4를 가질 수 있으며, 식 중에서 각각의 X2는 할로겐, 알콕시 또는 히드록실이다. 적합한 알칼리 금속 실리케이트는 나트륨 실리케이트를 포함한다.
상기 기재된 바와 같이 제조된 폴리오르가노실리케이트 수지는 캡핑되지 않은 수지이며, 이는 전형적으로 예를 들어 화학식 HOSi3/2 및/또는 화학식 HORM 2SiO1/2의 규소 결합된 히드록실 기를 함유한다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 NMR 분광법에 의해 측정된, > 3% 내지 10%의 규소 결합된 히드록실 기를 포함할 수 있다.
출발 물질 (B), 폴리오르가노실리케이트 수지는 단위 화학식 (RM 3SiO1/2)z'(SiO4/2)o'Zp'를 가질 수 있으며, 식 중에서, RM은 상기 기재된 바와 같고 아래첨자 z' 및 o'는 o'가 > 1이고 아래첨자 z'가 > 4이고 양 (o' + z')가 상기 기재된 Mn(예를 들어, 500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 대안적으로 1,000 g/mol 내지 4,700 g/mol, 대안적으로 2,900 g/mol 내지 4,700 g/mol, 대안적으로 2,900 g/mol 내지 4,500 g/mol, 대안적으로 3,800 g/mol 내지 4,300 g/mol)을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖게 하는 값을 갖고, Z는 가수분해성 기이고, 아래첨자 p'는 상기 기재된 바와 같은 가수분해성 기 함량(예를 들어, > 3% 내지 10%)을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖는다. 출발 물질 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지는 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, > 0 중량% 내지 1.5 중량%, 대안적으로 1.25 중량% 내지 1.45 중량%, 대안적으로 1.26 중량% 내지 1.42 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
라디칼 반응 경화성 조성물은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 39.3 중량% 내지 45.4 중량%, 대안적으로 39.3 중량% 내지 45 중량%, 대안적으로 39.3 중량% 내지 44.9 중량%, 대안적으로 39.3 중량% 내지 43.9 중량%의 양으로 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지 구성성분을 포함한다.
출발 물질 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분, 및 출발 물질 (B), 폴리오르가노실리케이트 수지는 1.1:1 이하의 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지:(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분의 중량비{즉, (B):(A) 비율}을 제공하기에 충분한 양으로 라디칼 반응 경화성 조성물에 존재할 수 있다.대안적으로, (B):(A) 비율은 적어도 0.77:1, 대안적으로 적어도 0.8:1일 수 있는 한편;동시에 (B):(A) 비율은 1.:1 이하, 대안적으로 0.8:1 이하일 수 있다.대안적으로, (B):(A) 비율은 0.7:1 내지 0.9:1; 대안적으로 0.77:1 내지 0.88:1일 수 있다.
(C) 라디칼 개시제
라디칼 반응 경화성 조성물에서 출발 물질 (C)는 라디칼 개시제이다. 적합한 라디칼 개시제는 퍼옥시드 화합물, 아조 화합물, 또는 산화환원 쌍을 포함할 수 있다. 퍼옥시드 화합물은 유기 퍼옥시드 또는 히드로퍼옥시드, 예컨대 디벤조일 퍼옥시드; 4-모노클로로벤조일 퍼옥시드; t-부틸퍼옥토에이트; t-부틸 퍼옥시벤조에이트, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, tert-부틸 쿠밀 퍼옥시드, tert-부틸옥사이드 2,5-디메틸-2,5-디-tert-부틸퍼옥시헥산; 2,4-디클로로벤조일 퍼옥시드; 디-tert부틸퍼옥시-디이소프로필 벤젠; 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산; 2,5-디-tert-부틸퍼옥시헥산-3,2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시) 헥산; 쿠밀-tert-부틸 퍼옥시드; 디쿠밀 퍼옥시드; 디-t-부틸 퍼옥시드; t-부틸 히드로퍼옥시드; 쿠멘 히드로퍼옥시드; 디-t-아밀 퍼옥시드; 및 이 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 또한, 디-퍼옥시드 라디칼 개시제는 단독으로 또는 다른 라디칼 개시제와의 조합으로 사용될 수 있다. 상기 디-퍼옥시드 라디칼 개시제는 제한 없이, 1,4-비스-(t-부틸 퍼옥시카르보)시클로헥산; 1,2-디(t-부틸 퍼옥시)시클로헥산; 및 2,5-디(t-부틸 퍼옥시)-3-헥신을 포함한다. 적합한 퍼옥시드 화합물은 당업계에 알려져 있고, 다양한 공급처, 예컨대 Sigma-Aldrich, Inc.(미국 미주리주 세인트 루이스 소재)로부터 시판된다.
아조 화합물은 지방족 아조 화합물 예컨대 1-t-아밀아조-l-시아노시클로헥산; 아조-비스-이소부티로니트릴; 및 1-t-부틸아조-시아노시클로헥산; 2,2'-아조-비스-(2-메틸)부티로니트릴; 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴); 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘) 디히드로클로라이드; 2,2'-아조비스(시아노발레르산); 또는 이 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 아조 화합물은 당업계에 알려져 있고, 예를 들어 The Chemours Company(미국 델라웨어주 윌밍턴 소재)로부터 상표명 VAZO™ WSP로 시판된다.
대안적으로, (C) 라디칼 개시제는 이소아스코르브산을 포함할 수 있다. 대안적으로, (C) 라디칼 개시제는 산화 구성성분 및 환원 구성성분으로서 개시제를 포함하는 산화환원 쌍일 수 있다. 대안적으로, 산화환원 쌍 예컨대 이소아스코르브산 및 소수성 유기 히드로퍼옥시드 예컨대 t-아밀 히드로퍼옥시드 또는 t-부틸 히드로퍼옥시드는 (C) 라디칼 개시제로서 사용될 수 있다. 적합한 개시제 및/또는 산화환원 쌍의 예는 Bardman 등의 미국 특허 제6,576,051호의 칼럼 11의 16행에서 시작해서 개시되어 있다.
출발 물질 (C)는 하나의 라디칼 개시제 또는 둘 이상의 라디칼 개시제의 조합을 포함할 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물에 첨가된 출발 물질 (C)의 양은 선택된 라디칼 개시제의 유형 및 양 및 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지의 선택을 포함하는 다양한 인자에 가변적이지만, (C) 라디칼 개시제는 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.1 중량% 내지 5 중량%, 대안적으로 1 중량% 내지 4 중량%, 대안적으로 2 중량% 내지 3 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
(D) 트리알킬 보레이트
라디칼 반응 경화성 조성물에서 출발 물질 (D)는 화학식 B(ORA)3의 트리알킬 보레이트이고, 식 중에서 각각의 RA는 1 내지 30개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 알킬 기이다. 알킬 기는 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, 이소-프로필 또는 n-프로필), 부틸(예를 들어, 이소부틸, n-부틸, tert-부틸, 또는 sec-부틸), 펜틸(예를 들어, 이소펜틸, 네오펜틸, 또는 tert-펜틸), 헥실, 6개의 탄소 원자의 분지형 알킬 기, 또는 시클릭 알킬 기 예컨대 시클로펜틸 또는 시클로헥실일 수 있다. 적합한 트리알킬 보레이트의 예는 트리메틸 보레이트, 트리에틸 보레이트, 트리부틸 보레이트, 및 이 중 둘 이상의 조합을 포함한다. 대안적으로, 트리알킬 보레이트는 트리에틸 보레이트일 수 있다.
트리알킬 보레이트는 당업계에 알려져 있고, 알려진 방법, 예컨대 Stange의 미국 특허 제3,020,308호에 기재된 바와 같은 알려진 방법에 의해 제조될 수 있다. 트리알킬 보레이트는 또한 시판되고, 예를 들어 트리에틸 보레이트는 Meryer(Shanghai) Chemical Technology Co., Ltd.사로부터 시판되고, 실리콘 조성물을 위한 트리알킬 보레이트 첨가제는 또한 Dow Silicones Corporation으로부터 시판되는, DOWSIL™ 7429 PSA 첨가제와 같이 당업계에 알려져 있다.
라디칼 경화성 조성물에 첨가된 (D) 트리알킬 보레이트의 양은 출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.3 중량% 내지 7.1 중량%이다. 대안적으로, (D) 트리알킬 보레이트의 양은 적어도 0.3 중량%, 대안적으로 적어도 1 중량%, 대안적으로 적어도 1.5%일 수 있는 한편; 동시에, 양은 동일한 기준으로, 7.1 중량% 이하, 대안적으로 4 중량% 이하, 대안적으로 3.92 중량% 이하, 대안적으로 1.6 중량% 이하, 대안적으로 1.58 중량% 이하일 수 있다. 대안적으로, (D) 트리알킬 보레이트의 양은 동일한 기준으로, 1.5 중량% 내지 7.1 중량%, 대안적으로 3.9 중량% 내지 7.1 중량%일 수 있다.
(E) 용매
라디칼 반응 경화성 조성물은 선택적으로 또한 출발 물질 (E), 용매를 포함한다. 용매는 유기 용매 예컨대 탄화수소, 케톤, 에스테르 아세테이트, 에테르, 및/또는 평균 중합도가 3 내지 10인 시클릭 실록산일 수 있다. 용매에 적합한 탄화수소는 (E-1) 방향족 탄화수소 예컨대 벤젠, 톨루엔 또는 자일렌; (E-2) 지방족 탄화수소 예컨대 헥산, 헵탄, 옥탄 또는 이소-파라핀; 또는 (E-3) 이의 조합일 수 있다. 대안적으로, 용매는 글리콜 에테르 예컨대 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르일 수 있다. 적합한 케톤은 아세톤, 메틸 에틸 케톤 또는 메틸 이소부틸 케톤을 포함한다. 적합한 에스테르 아세테이트는 에틸 아세테이트 또는 이소부틸 아세테이트를 포함한다. 적합한 에테르는 디이소프로필 에테르 또는 1,4-디옥산을 포함한다. 중합도가 3 내지 10, 대안적으로 3 내지 6인 적합한 시클릭 실록산은 헥사메틸시클로트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산 및/또는 데카메틸시클로펜타실록산을 포함한다. 대안적으로, 용매는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 헵탄, 에틸 벤젠, 에틸 아세테이트, 및 이 중 둘 이상의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
용매의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물에 대해 선택된 용매의 유형 및 선택된 다른 출발 물질의 양 및 유형을 포함하는 다양한 인자에 가변적일 것이다. 그러나, 용매의 양은 라디칼 반응 경화성 조성물의 모든 출발 물질의 합계 중량을 기준으로, 0% 내지 90%, 대안적으로 0% 내지 60%, 대안적으로 20 내지 60%, 대안적으로 45% 내지 65%, 대안적으로 50% 내지 60%의 범위일 수 있다. 용매는 예를 들어 상기 기재된 바와 같은, 하나 이상의 출발 물질의 혼합 및 전달을 돕기 위해 라디칼 반응 경화성 조성물의 제조 동안 첨가될 수 있다. 용매의 전부 또는 일부는 다른 출발 물질 중 하나 이상과 함께 첨가될 수 있다. 예를 들어, 폴리오르가노실리케이트 수지 및/또는 라디칼 개시제는 라디칼 반응 경화성 조성물 중의 다른 출발 물질과의 조합 이전에 용매에 용해될 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물이 제조된 이후 용매의 전부 또는 일부가 선택적으로 제거될 수 있다.
라디칼 반응 경화성 조성물의 제조 방법
라디칼 반응 경화성 조성물은 주변 온도 또는 상승된 온도에서의 혼합과 같이 임의의 편리한 수단에 의해 상기 기재된 바와 같은 모든 출발 물질을 조합하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 라디칼 반응 개시제는 예를 들어 라디칼 반응 경화성 조성물이 상승된 온도에서 제조되고/되거나 라디칼 반응 경화성 조성물이 1파트(part) 조성물로서 제조될 경우, 라디칼 개시제 이전에 첨가될 수 있다.
방법은 용매 중의 하나 이상의 출발 물질(예를 들어, 라디칼 개시제 및/또는 폴리오르가노실리케이트 수지)을 전달하는 것을 추가로 포함할 수 있고, 라디칼 반응 경화성 조성물 중의 다른 출발 물질 중 하나 이상과 조합되는 경우 용매 중에 용해될 수 있다. 당업자는, 생성된 라디칼 반응 경화성 조성물이 무용매(즉, 용매를 함유하지 않을 것이거나 출발 물질의 전달로부터 미량의 잔류 용매를 함유할 수 있음)일 것이 바람직한 경우, 용매는 둘 이상의 출발 물질을 혼합한 이후 제거될 수 있고, 이러한 예에서, 용매는 라디칼 반응 경화성 조성물에 의도적으로 첨가되지 않는다는 것을 이해할 것이다.
대안적으로, 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물이 사용 전에 장기간 동안, 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물을 광학 실리콘 엘라스토머 또는 다른 기재 상에 적용하기 전에 6시간 이하 동안 저장될 경우, 라디칼 반응 경화성 조성물은 다중 파트 조성물로서 제조될 수 있다. 다중 파트 조성물에서, 라디칼 개시제는 규소 결합된 히드로겐 히드록실 기를 갖는 임의의 출발 물질, 예를 들어 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지와 별개의 파트에 저장되고, 파트는 라디칼 반응 경화성 조성물의 사용 직전에 조합된다.
예를 들어, 다중 파트 조성물은 혼합과 같은 임의의 편리한 수단에 의해, 폴리디오르가노실록산 검 구성성분, 폴리오르가노히드로겐실록산, 및 선택적으로 상기 기재된 하나 이상의 다른 출발 물질 중 적어도 일부를 포함하는 출발 물질을 조합하여 베이스(base) 파트를 형성함으로써 제조될 수 있다. 경화제는 혼합과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 라디칼 개시제, 및 선택적으로 상기 기재된 하나 이상의 다른 출발 물질(폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 폴리오르가노실리케이트 수지 이외)을 포함하는 출발 물질을 조합하여 제조될 수 있다. 개시 물질은 주변 온도 또는 상승된 온도에서 조합될 수 있다. 용매는 베이스 파트, 경화제 파트, 또는 별개의 추가적 파트에 첨가될 수 있다. 대안적으로, 폴리오르가노실리케이트 수지 및 용매의 일부 또는 전부를 포함하는 출발 물질이 별개의 추가적 파트에 첨가될 수 있다. 2파트 조성물이 사용되는 경우, 베이스 파트 대 경화제 파트의 중량비는 1:1 내지 10:1의 범위일 수 있다. 라디칼 반응 경화성 조성물은 라디칼 반응을 통해 경화되어 실리콘 감압성 접착제를 형성할 것이다.
사용 방법
상기 기재된 방법은 하나 이상의 추가적인 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 기재된 바와 같이 제조된 라디칼 반응 경화성 조성물이 사용되어 접착제 물품, 예를 들어 기재 상의 (상기 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물을 경화시켜 제조된) 실리콘 감압성 접착제를 형성할 수 있다. 따라서, 방법은 라디칼 반응 경화성 조성물을 기재에 적용하는 것을 추가로 포함할 수 있다.
라디칼 반응 경화성 조성물을 기재에 적용하는 것은 임의의 통상적 수단에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물은 그라비어 코팅기(gravure coater), 콤마 코팅기(comma coater), 오프셋 코팅기, 오프셋-그라비어 코팅기, 롤러 코팅기, 역상-롤러 코팅기(reverse-roller coater), 에어-나이프 코팅기(air-knife coater), 슬롯 다이, 또는 커튼 코팅기(curtain coater)에 의해 기재 상에 적용될 수 있다.
기재는, 라디칼 반응 경화성 조성물을 경화시켜 기재 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하는 데 사용된 (하기에 기재된) 경화 조건을 견딜 수 있는 임의의 물질일 수 있다. 예를 들어, 120℃ 이상, 대안적으로 150℃의 온도에서의 열 처리를 견딜 수 있는 임의의 기재가 적합하다. 상기 기재에 적합한 물질의 예는, 폴리이미드(PI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 액정 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르 술파이드(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카르보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 열가소성 폴리우레탄(TPU), 열가소성 엘라스토머(TPE), 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP)으로 구성될 수 있는, 중합체성 필름 및/또는 발포체를 포함한다. 대안적으로, 기재는 유리일 수 있다. 대안적으로, 기재는 예를 들어, 실리콘 감압성 접착제가 건식 주조(dry casting) 방법에서 사용될 경우, 이형 라이너(release liner)일 수 있다. 기재의 두께는 중요하지는 않지만, 두께는 5 μm 내지 300 μm, 대안적으로 10 μm 내지 200 μm일 수 있다. 대안적으로, 기재는 PE, PU, TPE, TPU, 및 실리콘 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 건식 주조(dry casting) 방법으로서, 1) 본원에 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물을 이형 라이너(release liner)에 적용하고, 2) 조성물을 경화시켜 이형 라이너 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하고, 3) 실리콘 감압성 접착제를 기재에 적용하는 것을 포함한다.
액체 실리콘 고무(LSR) 및 고점조도 고무(HCR)는 실리콘 엘라스토머에 사용될 수 있다. 실리콘 엘라스토머는 가요성 디스플레이 장치, 즉 제작하고자 하는 가요성 디스플레이 장치의 구성요소에서의 용도를 기준으로 선택될 수 있다.
예를 들어, 광학 실리콘 엘라스토머(광학 LSR)는 당업계에 알려져 있고, 예를 들어 Hasegawa 등의 미국 특허 제8,859,693호 및 Akitomo 등의 미국 특허 제8,853,332호에 기재되어 있고, 광학 LSR은 시판된다. 예를 들어, 광학 LSR은 SILASTIC™ MS-1001, MS-1002, MS-1003, MS-4001, MS-4002, 및 MS-4007(이는 성형성 광학 실리콘 엘라스토머임)을 포함하고, SYLGARD™ 182, 184, 및 186은 다른 광학 실리콘 엘라스토머이고, 이들 모두는 Dow Silicones Corporation으로부터 시판된다. 이러한 LSR은 가요성 디스플레이 장치에서의 광학 구성요소를 제작하는 데 적합하다.
대안적으로, 제작하고자 하는 가요성 디스플레이 장치의 구성요소가 렌즈(프레임) 구성요소인 경우, LSR 예컨대 SILASTIC™ 9202-50 LSR, SILASTIC™ LCF 3760, 및 SILASTIC™ LCF 3600, 또는 HCR 예컨대 XIAMETER™ RBB-2030-40EN, XIAMETER™ RBB-6660-60EN, XIAMETER™ RBB-2002-30 Base, XIAMETER™ RBB-2004-60, 또는 XIAMETER™ RBB-2220-70이 사용될 수 있다.
대안적으로, 제작하고자 하는 가요성 디스플레이 장치의 구성요소가 힌지 구성요소인 경우, 충전된 실리콘 엘라스토머, 예컨대 DOWSIL™ VE-8001 가요성 실리콘 접착제가 사용될 수 있다. DOWSIL™, SILASTIC™, SYLGARD™, 및 XIAMETER™ 브랜드의 모든 실리콘 엘라스토머는 Dow Silicones Corporation사로부터 시판된다.
기재에 대한 실리콘 감압성 접착제의 결합을 개선하기 위하여, 접착제 물품을 형성하는 방법은 선택적으로 라디칼 반응 경화성 조성물 또는 실리콘 감압성 접착제를 적용하기 전에 기재를 처리하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 기재의 처리는, 라디칼 반응 경화성 조성물 또는 실리콘 감압성 접착제를 기재에 적용하기 전에, 프라이머를 적용하는 것, 또는 기재가 코로나-방전 처리, 에칭, 또는 플라즈마 처리를 거치게 하는 것과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다.
본원에 기재된 방법은 선택적으로 예를 들어 접착제 물품의 사용 전에 실리콘 감압성 접착제를 보호하기 위해, 제거 가능한 이형 라이너를 기재 반대편의 실리콘 감압성 접착제에 적용하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 이형 라이너는 라디칼 반응 경화성 조성물의 경화 이전, 도중 또는 이후에 적용될 수 있으며; 대안적으로 경화 이후에 적용될 수 있다. 접착제 물품은 가요성 디스플레이 장치에서 사용되는 구성요소, 예컨대 광학 구성요소, 렌즈(프레임) 구성요소, 또는 힌지 구성요소일 수 있다.
가요성 디스플레이 장치의 구성요소에서 실리콘 감압성 접착제의 용도
도 1은 가요성 디스플레이 장치 구성요소(100)의 부분 단면도를 나타낸다. 구성요소(100)는 표면(102a) 및 반대편 표면(102b)을 갖는 실리콘 감압성(102)을 포함한다. 실리콘 감압성(102)의 반대편 표면(102b)은 하기 실시예에 기재된 시험 방법에 의해 측정된 > 400 g/in의 박리 접착력(peel adhesion)을 갖는 실리콘 엘라스토머(103)의 표면(103a)에 부착된다. 실리콘 감압성(102)은 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있다. 실리콘 감압성(102)은 표면(101a) 및 반대편 표면(101b)을 갖는 기재(101)에 부착된다. 실리콘 감압성(102)의 표면(102a)은 기재(101)의 반대편 표면(101b)과 접촉한다. 기재(101)는 PE, PU, TPU, TPE, 및 실리콘 엘라스토머(이는 실리콘 엘라스토머(103)와 동일하거나 상이할 수 있고, 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있음)로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 실리콘 엘라스토머(103)는 상기 기재된 바와 같이 HCR일 수 있다.
상기 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물 및 방법은 습식 주조(wet casting)를 통한 가요성 디스플레이 장치 구성요소(100)의 제작에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 라디칼 반응 경화성 조성물은 기재(101)의 반대편 표면(101b)에 적용되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 대안적으로, 본원에 기재된 라디칼 반응 경화성 조성물은 실리콘 엘라스토머(103)의 표면(103a)에 적용되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 대안적으로, 라디칼 반응 경화성 조성물은 이형 라이너의 표면에 적용되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 이후, 실리콘 엘라스토머(103)는 실리콘 감압성 접착제(102)의 반대편 표면(102b)과 접촉될 수 있고 기재(101)는 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면(102a)과 접촉될 수 있다. 압력은 기재(101), 실리콘 감압성 접착제(102), 및 실리콘 엘라스토머(103)의 층을 함께 접착시키기 위해 적용될 수 있다.
실시예
하기 실시예는 본 발명을 당업자에게 예시하기 위해 제공되고, 청구범위에 제시된 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본원에 사용된 출발 물질은 아래 표 1에 기재되어 있다.
[표 1]
표 1에서, DOWSIL™, SILASTIC™, 및 SYL-OFF™ 브랜드의 출발 물질은 Dow Silicones Corporation로부터 시판되었다.
이러한 참조예 1에서, 라디칼 반응 경화성 조성물의 샘플은 표 2 및 표 3에서 아래 나타낸 출발 물질 및 양을 사용하여 하기와 같이 제조되었다. 양은 달리 나타내지 않는 한 중량부이다. 출발 물질 (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 출발 물질 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지 구성성분은 생성된 혼합물이 균질할 때까지 혼합 하에 (E) 용매에 용해되었다. 이후 출발 물질 (D) 트리알킬 보레이트는 상기 혼합물에 완전히 블렌딩되었다. 이후 출발 물질 (C) 라디칼 개시제 1, BPO는 상기 혼합물에 완전히 블렌딩되었다. 모든 출발 물질은 실온에서 혼합되었다.
[표 2]
[표 3]
표 1에서 라디칼 반응 경화성 조성물은 출발 물질과 함께 도입된, 소량의 잔여 용매 1을 함유하였다.
라디칼 반응 경화성 조성물이 PET 기재 상에 코팅되기 전에, DOWSIL™ 7499 PSA Primer는, 0.5분 동안 120℃에서 오븐에서의 가열 이후 0.20 gsm의 건식 코트 중량(dry coat weight)을 제공하기에 충분한 두께로 기재 상에 코팅되었다. 기재 상의 프라이머 층은 기재와 경화된 실리콘 감압성 접착제 사이에 충분한 결합을 제공하였다. 이러한 참조예 2에서, 라디칼 반응 경화성 조성물은 기재 상에 코팅되었고, 하기 과정에 따라 경화되었다. 상기 기재된 바와 같이 제조된 각각의 샘플은, 2분 동안 80℃에서 및 2분 동안 160℃에서 오븐에서의 가열 이후 50 μm 두께의 건식 코트 중량을 제공하기에 충분한 두께로 50 μm 두께 PET 필름(7499 프라이머 코팅된 측면) 상에 적용된다.
생성된 테이프 샘플은 이후 너비 1 인치로 절단되었고, 이후 실리콘 감압성 접착제가 접착물과 접촉되도록 접착물에 적용되었다. 접착물은 SUS 및 Si 고무 A였고, 샘플은 시험 전에 실리콘 감압성 접착제와 접착물을 접촉시킨 이후 20분 동안 실온에서 유지되었다. 이러한 시험은 반복되었지만, 샘플은 시험 이전 1일 동안 70℃에서 유지되었다.
[표 4]
[표 5]
이러한 참조예 3에서, 참조예 2에 기재된 바와 같이 제조된 샘플이 하기와 같이 시험되었다. 상기 기재된 바와 같이 제조된 각각의 테이프 샘플은 부착물로부터 각각의 테이프를 박리하고 PET 필름으로부터 부착물 상에 옮겨진 임의의 실리콘 감압성 접착제가 존재하는지 여부를 확인함으로써 SUS 및 Si 고무 A 부착물에 대한 접착력에 관하여 시험되었다. 접착력/이형 시험기 AR-1500이 사용되었다. 각각의 PET 시트의 폭은 1 인치였다. 박리 속도 및 각도는 각각 0.3 m/분 및 180°였다. 단위는 그램/in였다. 그 결과는 아래 표 6 및 표 7에 나타나 있다.
SUS에 대한 접착력 시험 방법은 시험 표준 ASTM D3330을 참조한다.
스테인레스-스틸 플레이트를 용매로 세정한다. 스테인레스-스틸 플레이트에 테이프 샘플(너비 1 인치)을 적용한다. 10 mm/s의 속도로 표준 2 ㎏ 시험 롤러를 사용하여 각각의 방향으로 2회 만다. 20분 체류 시간(dwell time) 이후 300 mm/분의 속도로 180°의 박리 각도로 AR-1500을 사용하여 스틸 플레이트로부터 샘플을 박리한다.
실리콘 고무 A에 대한 접착력 시험 방법은 시험 표준 ASTM D3330을 참조한다. 용매로 실리콘 고무 시트를 세정한다. 실리콘 고무 시트에 테이프 샘플(너비 1 인치, 25.4 mm)을 적용한다. 10 mm/s의 속도로 표준 2 ㎏ 시험 롤러를 사용하여 각각의 방향으로 2회 만다. 20분 체류 시간 이후 300 mm/분의 속도로 180°의 박리 각도로 AR-1500을 사용하여 실리콘 고무 시트로부터 샘플을 박리한다.
실리콘 고무에 대한 접착력(70℃-1일) 시험 방법은 시험 표준 ASTM D3330을 참조한다. 용매로 실리콘 고무 시트를 세정한다. 실리콘 고무 시트에 테이프 샘플(너비 1 인치, 25.4 mm)을 적용한다. 10 mm/s의 속도로 표준 2 ㎏ 시험 롤러를 사용하여 각각의 방향으로 2회 만다. 1일(24시간) 동안 70℃에서 샘플을 에이징한 이후 300 mm/분의 속도로 180°의 박리 각도로 AR-1500을 사용하여 실리콘 고무 시트로부터 샘플을 박리한다.
유동학적 데이터(Tg, -30℃, -20℃, 25℃ 및 100℃에서 G') 시험 방법은 시험 표준 ASTM D4440-15를 참조한다.
레오미터(rheometer), TA DHR-2 또는 ARES-G2 상의 직경 8 mm의 평행 플레이트에서 유동학적 특성 시험을 위해 각각 0.5 mm 내지 1.5 mm의 두께를 갖는 경화된 순수한 실리콘 감압성 접착제 필름(기재 없음)이 준비되었다. 1 ㎐ 하에 3℃/분의 냉각 속도 및 0.25%의 변형률(strain)에서 진동 모드가 있는 온도 램프 프로그램에 의해 상이한 온도(즉, 200℃로부터 -80℃까지)에서 손실 계수 G" 및 저장 계수 G'가 측정되었다. Tan 델타는 G"/G'에 의해 계산되었다. 유리 전이 온도는 tan 델타의 피크 지점에서의 온도로서 정의되었다. 그 결과는 아래 표 6 및 표 7에 나타낸다.
[표 6]
[표 7]
산업상이용가능성
상기 실시예는, > 300 g/인치의 스테인레스 스틸에 대한 접착력, 실온에서 > 500 g/인치의 실리콘 엘라스토머에 대한 접착력, 및 70℃에서 > 1,400 g/인치의 실리콘 엘라스토머에 대한 접착력의 바람직한 접착제 특성을 갖는 실리콘 감압성 접착제를 형성하도록 경화되는 라디칼 반응 경화성 조성물이 제조될 수 있음을 나타낸다. 높은 접착력은 실리콘 감압성 접착제와 기재(접착물) 사이의 계면을 가요성 디스플레이 장치의 반복된 변형 시험(예를 들어 접기, 굽히기, 말기 또는 늘리기 시험에 의함) 동안 탈적층에 견디는 데 충분히 강하게 만든다. 실리콘 감압성 접착제는 또한 Tg ≤ 5℃, < 3 MPa의 -30℃에서의 G', < 2 MPa의 -20℃에서의 G', < 0.4 MPa의 25℃에서의 G', 및 < 0.1 MPa의 100℃에서의 G'를 가질 수 있다. 폭넓은 온도 범위에서 낮은 Tg 및 낮은 G'는 실리콘 감압성 접착제를 반복된 변형 시험(예를 들어, 접기, 굽히기, 말기 및 늘리기 시험에 의함) 동안 다른 층 상에 가해지는 낮은 응력과 함께 폭넓은 온도 범위에서 사용하기에 적합하게 만든다. 이러한 특성의 조합은, 실리콘 감압성 접착제를 특히 광학 구성요소, 렌즈(프레임) 탑재 층, 및 실리콘 힌지 및 결합 층에서, 가요성 디스플레이 장치의 다층 구성요소를 제작하는 데 사용하기에 적합하게 만든다.
용어의 정의 및 용법
본원에서 모든 양, 비율 및 백분율은, 달리 나타내지 않는 한, 중량 기준이다. 발명의 내용 및 요약서가 본원에 참조 인용된다. 관사('a', 'an' 및 'the')는 본 명세서의 맥락에서 달리 나타내지 않는 한 각각 하나 이상을 나타낸다. 접속어구 "포함하는", "본질적으로 이루어지는", 및 "이루어지는"은 문헌[the Manual of Patent Examining Procedure Ninth Edition, Revision 08.2017, Last Revised January 2018 at section §2111.03 I., II., and III]에 기재된 바와 같이 사용된다. 예시적인 예를 열거하기 위한 "예를 들어", "예컨대", "~와 같은" 및 "비롯한"의 사용은 단지 열거된 예들로만 제한되지 않는다. 따라서, "예를 들어" 또는 "와 같은"은 "예를 들어, 그러나 이로 제한되지 않는" 또는 "와 같으나 이로 제한되지 않는"을 의미하며, 다른 유사하거나 동등한 예를 포괄한다. 본원에 사용된 약어는 아래 표 8의 정의를 갖는다.
[표 8]
본 발명은 예시적 방식으로 기재되었으며, 사용된 용어는 단어의 성질상 제한적이기보다는 설명적인 것으로 의도됨이 이해되어야 한다. 특정한 특징 또는 양태를 기재하기 위해 본원에서 필요로 하는 임의의 마쿠쉬 군(Markush group)과 관련하여, 상이한, 특별한, 및/또는 예기치 못한 결과가 모든 다른 마쿠쉬 구성원들과는 독립적으로 개별 마쿠쉬 군의 각각의 구성원으로부터 얻어질 수 있다. 마쿠쉬 군의 각각의 구성원은 개별적으로 및 또는 조합하여 필요로 할 수 있으며, 첨부된 청구범위의 범주 내의 구체적인 실시형태에 대한 적절한 지지를 제공한다.
또한, 본 발명을 기재함에 있어서 필요로 하는 임의의 범위 및 하위범위는 첨부된 청구범위의 범주 내에 독립적으로 및 집합적으로 속하고, 심지어 상기 값이 본원에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도, 그 범위 내의 정수 및/또는 분수 값을 포함한 모든 범위를 기재하고 고려하는 것으로 이해된다. 당업자는 열거된 범위 및 하위범위가 본 발명의 다양한 실시형태를 충분히 기재하고 가능하게 하며, 상기 범위 및 하위범위는 관련된 1/2, 1/3, 1/4, 1/5, 및 범위 내에 있는 다른 하위범위로 추가로 세분될 수 있음을 용이하게 인식한다. 단지 한 예로서, "0.3 내지 7.1"의 범위는 아래쪽의 1/3, 즉, "0.3 내지 2.5", 중간의 1/3, 즉, "2.6 내지 4.8", 및 위쪽의 1/3, 즉, "4.9 내지 7.1"로 추가로 세분될 수 있고, 대안적으로, "0.3 내지 7.1"의 범위는 하위범위 "0.3 내지 1.5", "1.5 내지 7.1", 및 "3.9 내지 7.1" 및 개별적 값 7.07, 3.92, 및 1.58을 포함하고, 이들 각각은 개별적으로 및 집합적으로 첨부된 청구범위의 범주 내에 있고, 개별적으로 및/또는 집합적으로 필요로 할 수 있고 첨부된 청구범위의 범주 내의 구체적인 실시형태에 대한 적절한 지지를 제공할 수 있다. 또한, 범위를 정의하거나 수식하는 언어, 예컨대 "적어도", "초과", "미만", "이하" 등과 관련하여, 상기 언어는 하위범위 및/또는 상한 또는 하한을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
Claims (13)
- 하기를 포함하는, 실리콘 감압성 접착제를 형성하기 위한 라디칼 반응 경화성 조성물:
(A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분으로서,
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로 0 중량% 내지 16.3 중량%의 (A-1) 단위 화학식 (RM 2RUSiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a의 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 RU는 2 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 지방족적 불포화 탄화수소 기이고; 아래첨자 a는 20 mil(0.51 mm) 내지 80 mil(2.03 mm)의 가소성을 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 여기서 가소성은 25℃에서 3분 동안 중량으로 4.2 g의 구형 샘플에 1 ㎏ 로드를 적용함으로써 ASTM D926을 기준으로 측정되고 그 결과는 인치의 1000분의 1(mil)로 측정되고 과정은 ASTM D926을 기준으로 함); 및
34.7 내지 51.8 중량%의 (A-2) 단위 화학식 ((HO)RM 2SiO1/2)2(RM 2SiO2/2)a'의 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고; 각각의 아래첨자 a'는 ≥ 200,000 g/mol의 수 평균 분자량을 폴리디오르가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 가짐)을 포함하고;
단, (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검:(A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검의 중량비{(A-1):(A-2) 비율}가 0.47:1 미만인, 폴리디오르가노실록산 검 구성성분;
39.3 중량% 내지 45.4 중량%의 (B) 단위 화학식 (RM 3SiO1/2)z'(SiO4/2)o'Zp'을 포함하는 폴리오르가노실리케이트 수지(식 중에서, 각각의 RM은 지방족 불포화가 없는, 1 내지 30개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 1가 탄화수소 기이고, Z는 가수분해성 기이고, 아래첨자 p'는 3% 초과 10% 이하의 가수분해성 기 함량을 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖고, 아래첨자 z' 및 o'는 z' > 4, o' > 1인 값을 갖고, 양(z' + o')은 500 g/mol 내지 5,000 g/mol의 수 평균 분자량을 갖는 수지를 제공하기에 충분한 값을 가짐);
여기서, (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분 및 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지는 1.1:1 미만의 (B):(A)의 중량비(수지:검 비율)로 존재함;
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로, 0.01 중량% 내지 5 중량%의 (C) 라디칼 개시제;
출발 물질 (A) 내지 출발 물질 (D)의 합계 중량을 기준으로 0.3 중량% 내지 7.1 중량%의 (D) 트리알킬 보레이트;
조성물 중의 모든 출발 물질의 합계 중량을 기준으로 0 중량% 내지 90 중량%의 (E) 용매. - 제1항에 있어서, (A) 폴리디오르가노실록산 검 구성성분에서, 각각의 RM이 1 내지 6개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 알킬 기이고; 각각의 RU가 독립적으로 비닐, 알릴, 및 헥세닐로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 아래첨자 a가 (A-1) 지방족적 불포화 폴리디오르가노실록산 검에 30 mil(0.76 mm) 내지 70 mil(1.78 mm)의 가소성을 제공하기에 충분하고; 아래첨자 a'가 (A-2) 히드록실-말단화 폴리디오르가노실록산 검에 30 mil(0.76 mm) 내지 70 mil(1.78 mm)의 가소성을 제공하기에 충분한, 조성물.
- 제1항에 있어서, (B) 폴리오르가노실리케이트 수지에서, 각각의 RM이 1 내지 6개의 탄소 원자의 독립적으로 선택된 알킬 기이고; 각각의 Z가 OH이고; 양(z' + o')이 3,800 g/mol 내지 4,300 g/mol의 수 평균 분자량을 갖는 (B) 폴리오르가노실리케이트 수지를 제공하기에 충분한 값을 갖는, 조성물.
- 제1항에 있어서, (C) 라디칼 개시제가 디벤조일 퍼옥시드를 포함하는, 조성물.
- 제1항에 있어서, (D) 트리알킬 보레이트가 트리에틸 보레이트를 포함하는, 조성물.
- 습식 주조(wet casting) 방법으로서:
1) 제1항에 따른 조성물을 기재에 적용하고,
2) 조성물을 경화시켜 기재 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하는 것을 포함하는, 방법. - 건식 주조(dry casting) 방법으로서,
1) 제1항에 따른 조성물을 이형 라이너(release liner)에 적용하고,
2) 조성물을 경화시켜 이형 라이너 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하고,
3) 실리콘 감압성 접착제를 기재에 적용하는 것을 포함하는, 방법. - 제6항 또는 제7항에 있어서, 기재가 실리콘 엘라스토머인, 방법.
- 제6항 또는 제7항의 방법에 의해 제조되는 물품.
- 삭제
- 제9항에 있어서, 가요성 디스플레이 장치에서 실리콘 힌지 및 결합 층의 구성요소인 물품.
- 제9항에 있어서, 물품이 가요성 디스플레이 장치의 광학 구성요소이고 기재가 광학 실리콘 엘라스토머인, 물품.
- 삭제
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