KR20240055806A - 실리콘 고무에 접착된 실리콘 감압성 접착제를 포함하는 적층 물품의 제조 방법 - Google Patents

실리콘 고무에 접착된 실리콘 감압성 접착제를 포함하는 적층 물품의 제조 방법 Download PDF

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빈빈 루오
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다우 실리콘즈 코포레이션
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Abstract

적층 물품은 실리콘 고무를 포함하는 물품에 접착된 실리콘 감압성 접착제를 포함한다. 적층 물품을 제조하는 방법이 제공된다.

Description

실리콘 고무에 접착된 실리콘 감압성 접착제를 포함하는 적층 물품의 제조 방법
관련 출원의 교차 참조
본 출원은 35 U.S.C. §119 (e) 하에 각각 2021년 9월 8일 및 2022년 4월 28일자로 출원된 미국 임시 특허 출원 제63/241,550호 및 제63/335,733호의 이익을 주장한다. 미국 임시 특허 출원 제63/241,550호 및 제63/335,733호는 본원에서 참고로 포함된다.
기술분야
본 발명은 경화되어 실리콘 고무에 대한 양호한 접착력을 갖는 실리콘 감압성 접착제를 형성할 수 있는 실리콘 감압성 접착제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 경화되어 실리콘 감압성 접착제를 형성하는 퍼옥사이드 경화성 실리콘 감압성 접착제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 적층 물품은 실리콘 고무를 포함하는 물품에 접착된 실리콘 감압성 접착제를 포함한다.
미국 특허 제8,247,502호는 부가 반응 경화성 실리콘 감압성 접착제 조성물을 개시한다. 그러나, 부가 반응 경화성 실리콘 감압성 접착제 조성물은 실리콘 고무에 대해 불충분한 접착력, 예를 들어, 전형적으로는 약 ≤ 1,000 gf/인치의 접착력을 갖는다는 단점이 있을 수 있다.
현재 상업적으로 이용 가능한 실리콘 감압성 접착제는 실리콘 고무 기재에 상대적으로 약한 접착 강도를 제공하는 단점이 있을 수 있다. 이러한 약한 접착력은 종종 실리콘 감압성 접착제를 사용하여 실리콘 고무에 결합시키는 응용 분야, 예를 들어 전자 제품, 자동차, 및 마스킹 테이프 응용 분야의 요구 사항을 충족하지 못한다.
적층 물품을 제조하는 방법이 제공된다. 본 방법은 하기 단계를 포함한다:
(a) 축합 반응을 수행하는 조건 하에, 하기:
(P) GPC에 의해 측정하였을 때, 10,000 g/mol 내지 < 200,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 비스-하이드록실-말단화된 폴리디오가노실록산,
(R) GPC에 의해 측정하였을 때, 15,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지,
(여기서, 출발 물질 (R) 및 (P)는 2.27/1 내지 < 3.88/1의 중량비(R)/(P)로 존재함); 및
(S) 용매
를 포함하는 출발 물질을 조합하여 반응 혼합물을 생성하는 단계;
(b) (C) 축합 반응 촉매를 반응 혼합물에 첨가하여 촉매화된 반응 혼합물을 생성하는 단계;
(c) 촉매화된 반응 혼합물을 > RT 내지 145℃의 온도에서 가열하여 물을 제거하여 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계;
(d) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 배킹 기재(backing substrate)의 표면 상에 코팅하는 단계;
(e) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 건조하는 단계;
(f) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면에 접착된 표면을 갖는 실리콘 감압성 접착제 층을 형성하는 단계로서, 실리콘 감압성 접착제 층은 배킹 기재의 표면에 대향하는 대향 표면을 추가로 포함하는, 단계; 및
(g) 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면과 실리콘 고무 물품의 표면을 접착하는 단계. 실리콘 고무 물품에 접착된 실리콘 감압성 접착제를 포함하는 적층 물품은 이러한 방법에 의해 제조될 수 있다.
도 1은 적층 물품(100)의 부분 단면도를 나타낸다.
도 2는 적층 물품(200)의 부분 단면도를 나타낸다.
[부호의 설명]
100 적층 물품의 부분 단면
101 배킹 기재
101b 배킹 기재(101)의 표면
102 실리콘 감압성 접착제
102a 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면
102b 실리콘 감압성 접착제(102)의 대향 표면
103 실리콘 고무 물품
103a 실리콘 고무 물품(103)의 표면
200 적층 물품의 부분 단면
201 실리콘 고무를 포함하는 배킹 기재
201b: 배킹 기재(201)의 표면
202 실리콘 감압성 접착제
202a 실리콘 감압성 접착제(202)의 표면
202b 실리콘 감압성 접착제(202)의 대향 표면
적층 물품의 제조 방법은 하기 단계를 포함한다:
(1) 축합 반응을 수행하는 조건 하에, 하기:
(P) GPC에 의해 측정하였을 때, 10,000 g/mol 내지 < 200,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 비스-하이드록실-말단화된 폴리디오가노실록산(여기서, 출발 물질 (P)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 > 20.5 중량%의 양으로 존재함);
(R) GPC에 의해 측정하였을 때, 15,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지(여기서, 출발 물질 (R)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 < 79.5 중량%의 양으로 존재함);
(S) 용매; 및
선택적으로, (N) 중화제 (여기서,
출발 물질 (R) 및 (P)는 2.27/1 내지 < 3.88/1의 중량비(R)/(P)로 존재함) 를 포함하는 출발 물질을 조합하여 반응 혼합물을 생성하는 단계; 및
(2) (C) 축합 반응 촉매를 반응 혼합물에 첨가하여 촉매화된 반응 혼합물을 생성하는 단계;
(3) 촉매화된 반응 혼합물을 > RT 내지 145℃의 온도에서 가열하여 물을 제거하는 단계;
선택적으로, (4) (P) 및 (R)의 축합 반응 생성물을 회수하는 단계;
선택적으로, (5) (R) 및 (P)의 합한 중량을 기준으로, 최대 4 중량%의 (X) 퍼옥사이드 가교제를 첨가하여 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계;
선택적으로, (6) 배킹 기재의 표면을 처리하는 단계;
(7) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 배킹 기재의 표면 상에 코팅하는 단계;
(8) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 건조하는 단계;
(9) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면에 접착된 표면을 갖는 실리콘 감압성 접착제 층을 형성하는 단계로서, 실리콘 감압성 접착제 층은 배킹 기재의 표면에 대향하는 대향 표면을 추가로 포함하는, 단계;
선택적으로, (10) 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계; 및
(11) 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면과 실리콘 고무 물품의 표면을 접착하는 단계.
전술된 방법의 단계 (1)은 임의의 편리한 수단, 예를 들어 위에서 소개되고 아래에서 상세히 기술된 바와 같이 (P), (R), (S), 및 선택적으로 (N)을 포함하는 출발 물질을 선택적으로는 교반기 및 재킷을 구비한 배치식 반응기에서 혼합함으로써 수행될 수 있다. 축합 반응은 20℃ 내지 150℃의 온도, 대안적으로는 RT 내지 출발 물질 (S)인 용매의 환류 온도에서 수행될 수 있다. 반응 시간은 출발 물질의 선택 및 온도를 포함한 다양한 요인에 따라 달라지지만, 단계 (1)의 축합 반응은, 예를 들어, 0.5시간 내지 20시간, 대안적으로 1시간 내지 10시간 내에 수행될 수 있다. 축합 반응은, 예를 들어, 적절한 출발 물질을 하기에 기술된 것들로 변경함으로써 Cifuentes 등의 미국 특허 제5,916,981호에 기술되어 있는 바와 같이 수행될 수 있다.
(P) 비스-하이드록실 말단화된 폴리디오가노실록산
출발 물질 (P)은 단계 (1)에서 사용되는 비스-하이드록실 말단화된 폴리디오가노실록산(중합체)이다. 이러한 중합체는 하기 화학식을 가질 수 있다: , (상기 식에서, 각각의 R1은 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 독립적으로 선택된 알킬기이며, 아래첨자 a는 분자당 이작용성 실록산 단위의 평균 개수를 나타내는 것으로, 250 ≤ a ≤ 3,000, 대안적으로는 270 ≤ a ≤ 2,000임). 대안적으로, 아래첨자 a는 적어도 250, 대안적으로 적어도 270, 대안적으로 적어도 300, 대안적으로 적어도 350, 대안적으로 적어도 400, 대안적으로 적어도 450, 대안적으로 적어도 500일 수 있으며, 동시에, 아래첨자 a는 최대 3,000, 대안적으로 최대 2,500, 대안적으로 최대 2,100, 대안적으로 최대 2,000, 대안적으로 최대 1,900, 대안적으로 최대 1,800일 수 있다. R1에 대한 알킬기의 예는 메틸, 에틸, 프로필(n-프로필 및 이소프로필을 포함함), 부틸(n-부틸, tert-부틸, sec-부틸 및 이소부틸을 포함함), 펜틸(n-펜틸, 사이클로펜틸, 및 5개의 탄소 원자를 갖는 분지형 이성체를 포함함), 및 헥실(n-헥실, 사이클로헥실, 및 6개의 탄소 원자를 갖는 분지형 이성체를 포함함)을 포함한다. 대안적으로, 각각의 R1은 메틸 또는 에틸; 대안적으로 메틸일 수 있다.
출발 물질 (A)에 적합한 중합체는 당업계에 공지되어 있으며, 다양한 공급처, 예를 들어 미국 펜실베이니아주 모리스빌 소재의 Gelest Inc., 및 DSC로부터 상업적으로 입수 가능하다. 적합한 중합체의 예는 20,000 g/mol 내지 150,000 g/mol; 대안적으로 40,000 g/mol 내지 135,000 g/mol의 Mw를 갖는 비스-하이드록실 말단화된 폴리디메틸실록산을 포함하며, 여기서 Mw는 GPC로 측정할 수 있다.
(R) 폴리오가노실리케이트 수지
출발 물질 (R)은 단계 (1)에서 사용되는 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지(수지)이다. 수지는 화학식 R1 3SiO1/2을 갖는 일작용성 단위 및 화학식 SiO4/2을 갖는 사작용성 실리케이트 단위("Q" 단위)를 포함하며, 여기서 R1은 전술된 바와 같다. 대안적으로, 일작용성 단위는 화학식(Me3SiO1/2)을 갖는 M 단위로 예시될 수 있다. 폴리오가노실리케이트 수지는 지방족 및/또는 방향족 탄화수소, 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸 벤젠, 헵탄, 및 이들의 조합으로 예시되는, 출발 물질 (S)로서 하기에서 기술되는 것과 같은 용매에 가용성이다.
제조 시에, 수지는 전술된 일작용성 및 사작용성 단위를 포함하고, 수지는 규소 결합된 하이드록실 기를 갖는 단위를 추가로 포함하고, 화학식 Si(OSiR1 3)4의 네오펜타머(neopentamer)를 포함할 수 있으며, 여기서 R1은 전술된 바와 같으며, 예를 들어 네오펜타머는 테트라키스(트리메틸실록시)실란일 수 있다. 수지에 존재하는 실라놀기의 농도는 ASTM 표준 E-168-16에 따라 FTIR 분광법을 사용하여 측정할 수 있다. 일작용성 및 사작용성 단위의 극성 비율은 네오펜타머에서 일작용성 및 사작용성 단위를 제외하고 {M(수지)}/{Q(수지)} 또는 M:Q로 표시된다. M:Q 비율은 폴리오가노실리케이트 수지의 수지성 부분의 트리오가노실록시기(일작용성 단위)의 총 수 대 수지성 부분의 실리케이트기(Q 단위)의 총 수의 몰비를 나타낸다. M:Q 비율은 0.5:1 내지 1.5:1일 수 있다.
폴리오가노실리케이트 수지의 Mn은 존재하는 R1으로 표시되는 알킬기의 유형을 포함한 다양한 인자에 따라 달라진다. 폴리오가노실리케이트 수지의 Mn은, 네오펜타머를 나타내는 피크를 측정치로부터 배제할 때, GPC를 사용하여 측정한 수 평균 분자량을 나타낸다. 폴리오가노실리케이트 수지의 Mn은 3,000 Da 초과, 대안적으로> 3,000 Da 내지 8,000 Da일 수 있다. 대안적으로, 폴리오가노실리케이트 수지의 Mn은 3,500 내지 8,000 Da일 수 있다. 폴리오가노실리케이트 수지의 Mw는 GPC를 사용하여 측정한 중량 평균 분자량을 나타낸다. 폴리오가노실리케이트 수지의 Mw는 15,000 Da 내지 30,000 Da; 대안적으로 20,000 Da 내지 30,000 Da; 및 대안적으로 21,000 g/mol 내지 29,500 g/mol일 수 있다.
폴리오가노실리케이트 수지는 상응하는 실란의 공가수분해(cohydrolysis) 또는 실리카 하이드로졸 캡핑 방법과 같은 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 폴리오가노실리케이트 수지는 Daudt 등의 미국 특허 제2,676,182호; Rivers-Farrell 등의 미국 특허 제4,611,042호; 및 Butler 등의 미국 특허 제4,774,310호에 개시된 것과 같은 실리카 하이드로졸 캡핑 방법에 의해 제조될 수 있다. 전술한 Daudt 등의 방법은 산성 조건 하에서 실리카 하이드로졸을 트리메틸클로로실란과 같은 가수분해성 트리오가노실란, 헥사메틸디실록산과 같은 실록산, 또는 이들의 혼합물과 반응시키는 단계, 및 일작용성 단위 및 Q 단위를 갖는 공중합체를 회수하는 단계를 포함한다. 생성된 공중합체는 일반적으로 2 내지 5 중량%의 하이드록실기를 함유한다.
폴리오가노실리케이트 수지를 제조하는 데 사용되는 중간체는 트리오가노실란 및 4개의 가수분해성 치환기를 갖는 실란 또는 알칼리 금속 실리케이트일 수 있다. 트리오가노실란은 화학식 R1 3SiX1을 가질 수 있으며, 여기서 R1은 전술된 바와 같고, X1은 가수분해성 치환기, 예를 들어 하이드록실을 나타낸다. 4개의 가수분해성 치환기를 갖는 실란은 화학식 SiX2 4를 가질 수 있으며, 여기서, 각각의 X2는 할로겐, 알콕시 또는 하이드록실이다. 적합한 알칼리 금속 실리케이트는 나트륨 실리케이트를 포함한다.
출발 물질 (R)로 선택되는 수지는 단위 화학식 (R1 3SiO1/2)b(SiO4/2)c(HO1/2)d를 가질 수 있으며, 상기 식에서 각각의 R1은 전술된 바와 같은 독립적으로 선택된 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고, 아래첨자 b 및 c는 각각 일작용성 단위 및 사작용성 단위의 몰 분율을 나타내고, 아래첨자 b 및 c는 0.4 ≤ b ≤ 0.5, 0.5 ≤ c ≤ 0.6, 및 양 (b + c) = 1이 되는 값을 갖고; 아래 첨자 d는 수지 내의 하이드록실기의 양을 나타내며, 아래 첨자 d는 수지에 2 중량% 내지 5 중량%의 하이드록실 함량을 제공하기에 충분한 값을 갖는다. 수지는 GPC로 측정하였을 때 15,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 Mw를 가질 수 있다. 대안적으로, 수지는 20,000 g/mol 내지 30,000 g/mol, 대안적으로 21,000 g/mol 내지 30,000 g/mol, 대안적으로 21,000 g/mol 내지 29,500 g/mol, 대안적으로 21,000 g/mol 내지 29,100 g/mol의 Mw를 가질 수 있다. 적합한 수지는 당업계에 알려져 있으며, 예를 들어 DSC로부터 상업적으로 입수 가능하다.
수지 (R) 및 중합체 (P)는 > 2.27/1 내지 < 3.88/1의 중량비 (R)/(P)로 존재한다. 대안적으로, (R)/(P)는 2.9/1 내지 < 3.88/1일 수 있으며, 대안적으로 (R)/(P)는 2.9/1 내지 3/1일 수 있다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, ≤ 2.27/1의 (R)/(P)는 실리콘 고무에 대한 불충분한 접착력을 갖는 실리콘 감압성 접착제를 생성할 수 있다고 생각되지만, > 3.88/1의 (R)/(P)는 유리질이 되고 또한 실리콘 고무에 대한 충분한 접착력이 결여된 실리콘 감압성 접착제를 생성할 수 있을 것으로 생각된다.
(S) 용매
출발 물질 (S)는 용매이다. 용매는 단계 (1) 및 선택적으로 이후 단계, 예를 들어 단계 (2) 동안 첨가되어 특정 출발 물질, 예를 들어 (R) 수지의 도입을 촉진할 수 있다. 본원에서 사용될 수 있는 용매는 출발 물질을 유동화시키는 데 도움을 주지만 본질적으로 출발 물질과 반응하지 않는 용매이다. 용매는 출발 물질의 용해도 및 용매의 휘발성에 기초하여 선택될 수 있다. 용해도는 용매가 출발 물질을 용해하고/하거나 분산시키기에 충분함을 의미한다. 휘발성은 용매의 증기압을 의미한다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 용매가 너무 휘발성인 경우(너무 높은 증기압을 갖는 경우), 용매는 단계 (3) 동안 용매가 반응 혼합물로부터 너무 빨리 휘발될 수 있을 것으로 생각된다. 그러나, 용매의 휘발성이 충분하지 않은 경우(증기압이 너무 낮은 경우), 단계 (3)에서 제조되는 축합 반응 생성물 중에 너무 많은 양의 용매가 잔류할 수 있고/있거나 축합 반응의 부산물로 생성되는 물이 단계 (3), 및 존재하는 경우, 단계 (4) 동안 충분히 제거되지 않을 수 있다.
적합한 용매는 적합한 증기압을 갖는 폴리오가노실록산, 예를 들어 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산, 헥사메틸사이클로트리실록산, 및 기타 저분자량 폴리오가노실록산, 예를 들어 0.5 내지 1.5 cSt DOWSIL™ 200 Fluids 및 DOWSIL™ OS FLUIDS를 포함하며, 이들은 DSC로부터 상업적으로 입수 가능하다.
대안적으로, 용매는 유기 용매를 포함할 수 있다. 유기 용매는 케톤, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸 케톤, 또는 메틸 이소부틸 케톤; 방향족 탄화수소, 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠 또는 자일렌; 지방족 탄화수소, 예를 들어 헵탄, 헥산, 또는 옥탄; 글리콜 에테르, 예를 들어 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 또는 에틸렌 글리콜 n-부틸 에테르; 할로겐화 탄화수소, 예를 들어 디클로로메탄, 1,1,1-트리클로로에탄 또는 메틸렌 클로라이드; 클로로포름; 디메틸 설폭사이드; 디메틸 포름아미드, 아세토니트릴; 테트라하이드로푸란; 화이트 스피릿; 미네랄 스피릿; 나프타; n-메틸 피롤리돈; 또는 이들의 조합일 수 있다.
용매의 양은 방법에 사용하기 위해 선택된 용매의 유형 및 선택된 다른 출발 물질의 양 및 유형을 포함하는 다양한 인자에 따라 달라질 것이다. 그러나, 용매의 양은, 단계 (1)의 모든 출발 물질의 중량을 기준으로, 1% 내지 99%, 대안적으로 2% 내지 90% 범위일 수 있다. 용매의 전부 또는 일부는 단계 (3) 동안 및/또는 이후에 선택적으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 단계 (2) 및 (3)에서 축합 반응의 부산물로 물이 형성될 수 있다. 반응을 진행시키기 위해, 물의 일부 또는 전부를, 예를 들어, 용매와의 공비 증류를 통해 제거할 수 있다.
(N) 중화제
중화제인 출발 물질 (N)은 선택적이다. 중화제는 실릴 포스페이트를 포함할 수 있다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 중화제는 전술된 (R) 수지 및/또는 (P) 중합체의 축합 반응 전에 이들 내의 불순물을 제거하기 위해 첨가될 수 있는 것으로 생각된다. 중화제는, 예를 들어, 실릴 포스페이트일 수 있다. 실릴 포스페이트, 예를 들어 비스(트리메틸실릴) 수소 포스페이트는 DSC로부터 상업적으로 입수 가능하다.
중화제의 양은 선택된 (P) 중합체 및 (R) 수지의 유형을 포함한 다양한 인자에 따라 달라지지만, 중화제의 양은 출발 물질 (P), (R), (C), 및 (N)의 합한 중량을 기준으로 0.005% 내지 0.02%일 수 있다.
(C) 축합 반응 촉매
단계 (2)에서 첨가되는 출발 물질 (C)는 전술된 (P) 중합체 및 (R) 수지의 하이드록실기의 축합 반응을 촉매화할 수 있는 축합 반응 촉매이다. 축합 반응 촉매는 특별히 제한되지 않으며, 산, 또는 염기 축합 반응 촉매를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적합한 염기 촉매는 금속 수산화물, 예를 들어 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화칼슘; 탄산염, 예를 들어 탄산나트륨 및 탄산칼륨; 중탄산염, 예를 들어 중탄산나트륨 및 중탄산칼륨; 금속 알콕사이드, 예를 들어 나트륨 메톡사이드 및 칼륨 부톡사이드; 유기금속 화합물, 예를 들어 부틸 리튬, 칼륨 실라놀레이트; 및 질소 화합물, 예를 들어 암모니아 가스, 암모니아수, 메틸아민, 트리메틸아민 및 트리에틸아민을 포함한다. 대안적으로, 축합 반응 촉매는 산, 예를 들어, 유기산, 예를 들어 아세트산, 벤조산, 옥타노산 및 시트르산일 수 있으며, 무기산, 예를 들어 염산, 황산 및 인산이 적합하다. 대안적으로, 축합 반응 촉매는 유기산, 예를 들어 벤조산과 같은 산 촉매일 수 있다.
적합한 축합 반응 촉매는 다양한 공급처, 예를 들어 미국 미조리주 세인트 루이스 소재의 Sigma Aldrich, Inc. 및 Acros로부터 상업적으로 입수 가능하다. 촉매의 양은 선택된 촉매의 유형 및 단계 (1)의 온도를 포함하는 다양한 인자에 따라 달라지지만, 촉매의 양은 출발 물질 (P), (R), (C), 및 (N)의 합한 중량을 기준으로 0.1% 내지 0.5%일 수 있다.
전술된 방법의 단계 (4)는 선택적이다. (P) 중합체 및 (R) 수지의 축합 반응 생성물이 형성된 후, 축합 반응 생성물은 미반응 출발 물질, 용매, 및 부산물로서의 물을 추가로 포함할 수 있다. 단계 (4)에서, 축합 반응 생성물은 회수될 수 있고, 예를 들어 용매, 물, 및 미반응 출발 물질은, 예를 들어, 증류 및/또는 선택적으로 가열 및/또는 감압에 의한 스트리핑에 의해 제거될 수 있다.
전술된 방법의 단계 (5)는 선택적이다. 단계 (3), 또는 단계 (4) 이후의 반응 생성물은, 존재하는 경우, 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, (X) 퍼옥사이드 가교제는 온도와 같은 다른 조건이 일정하게 유지된다면 퍼옥사이드 가교제가 존재하지 않을 때보다 더 빠르게 경화될 수 있는 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하기 위해 단계 (5)에서 첨가될 수 있다.
(X) 퍼옥사이드 가교제
단계 (5)가 존재하는 경우에 첨가되는 출발 물질 (X)은 퍼옥사이드 가교제이다. 퍼옥사이드 가교제는 유기 퍼옥사이드 또는 하이드로퍼옥사이드, 예를 들어 벤조일 퍼옥사이드; 4-모노클로로벤조일 퍼옥사이드; t-부틸퍼옥토에이트; t-부틸 퍼옥시벤조에이트, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, tert-부틸 쿠밀 퍼옥사이드, tert-부틸옥사이드 2,5-디메틸-2,5-디-tert-부틸퍼옥시헥산; 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드; 디-tert-부틸퍼옥시-디이소프로필 벤젠; 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸사이클로헥산; 2,5-디-tert-부틸퍼옥시헥산-3,2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시) 헥산; 쿠밀-tert-부틸 퍼옥사이드; 디쿠밀 퍼옥사이드; 디-t-부틸 퍼옥사이드; t-부틸 하이드로퍼옥사이드; 쿠멘 하이드로퍼옥사이드; 디-t-아밀 퍼옥사이드; 및 이들 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 또한, 디-퍼옥사이드 퍼옥사이드 가교제는 단독으로 또는 다른 디-퍼옥사이드 가교제와 조합으로 사용될 수 있다. 이러한 디-퍼옥사이드 퍼옥사이드 가교제는 1,4-비스-(t-부틸 퍼옥시카보)사이클로헥산; 1,2-디(t-부틸 퍼옥시)사이클로헥산; 및 2,5-디(t-부틸 퍼옥시)-3-헥신을 포함하지만, 이에 국한되지 않는다. 출발 물질 (X)로 사용하기에 적합한 퍼옥사이드 가교제는 당업계에 알려져 있으며, 다양한 공급처, 예를 들어 미국 미조리주 세인트루이스 소재의 Sigma-Aldrich, Inc.로부터 상업적으로 입수 가능하다.
출발 물질 (X)은 하나의 퍼옥사이드 가교제 또는 둘 이상의 퍼옥사이드 가교제의 조합을 포함할 수 있다. 단계 (5)에서 첨가되는 출발 물질 (X)의 양은 선택된 퍼옥사이드 가교제의 유형 및 양 및 (P) 중합체 및 (R) 수지의 선택을 포함한 다양한 인자에 따라 다르지만, 존재하는 경우, 퍼옥사이드 가교제의 양은, 출발 물질 (P), (R), (C), 및 (S)의 합한 중량을 기준으로, 0.1 중량% 내지 4 중량%, 대안적으로 1 중량% 내지 4 중량%, 대안적으로 2 중량% 내지 3 중량%일 수 있다.
본원에서 기술되는 방법의 단계 (6)은 선택적이다. 그러나, 단계 (6)은 배킹 기재에 대한 실리콘 감압성 접착제의 결합을 개선하기 위해 방법에 포함될 수 있다. 따라서, 접착 물품을 형성하는 방법은 선택적으로 (6) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 도포하기 전에 배킹 기재의 표면을 처리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 표면 처리는 임의의 편리한 수단, 예를 들어 실리콘 감압성 접착제 조성물을 표면에 도포하기 전에 프라이머를 도포하거나, 또는 표면을 코로나 방전 처리, 에칭, 또는 플라즈마 처리함으로써 수행될 수 있다. 대안적으로, 표면을 처리하는 단계는 배킹 기재의 표면에 프라이머를 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
실리콘 감압성 접착제 조성물을 배킹 기재의 표면 상에 코팅하는 단계 (7)은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 감압성 접착제 조성물은 그라비어 코팅기(gravure coater), 콤마 코팅기(comma coater), 오프셋 코팅기, 오프셋-그라비어 코팅기, 롤러 코팅기, 역상-롤러 코팅기(reverse-roller coater), 에어-나이프 코팅기(air-knife coater), 슬롯 다이, 또는 커튼 코팅기(curtain coater)에 의해 도포될 수 있다.
본원에서 기술되는 방법에서, 단계 (7) 내지 (9)는 습식 캐스팅 또는 건식 캐스팅을 통해 수행될 수 있다. 습식 캐스팅에서, 실리콘 감압성 접착제 층은 배킹 기재, 예를 들어 이하에서 기술되는 중합체 필름 및/또는 폼과 같은 배킹 기재에 영구적으로 접착될 수 있다.
배킹 기재는 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성하기 위해 단계 (9)에서 사용되는 경화 조건을 견딜 수 있는 임의의 물질일 수 있다. 예를 들어, 120℃ 이상, 대안적으로 150℃의 온도에서 열처리를 견딜 수 있는 임의의 배킹 기재가 적합하다. 이러한 배킹 기재에 적합한 물질의 예는, 폴리이미드(PI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 액정 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르 설파이드(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 열가소성 폴리우레탄(TPU), 열가소성 엘라스토머(TPE), 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP)으로 구성될 수 있는 중합체성 필름 및/또는 발포체를 포함한다. 대안적으로, 배킹 기재는 유리일 수 있다. 대안적으로, 배킹 기재는, 예를 들어, 실리콘 감압성 접착제가 건식 캐스팅 방법에 사용될 경우, 이형 라이너일 수 있다. 배킹 기재의 두께는 중요하지 않지만; 두께는 5 μm 내지 300 μm, 대안적으로 10 μm 내지 200 μm일 수 있다. 대안적으로, 단계 (7)에서 사용되는 배킹 기재는 PE, PU, TPE 및 TPU로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
방법의 단계 (8)은 실리콘 감압성 접착제 조성물을 건조시키는 것을 포함한다. 건조 단계는 용매의 전부 또는 일부를 기화시키기에 충분하지만 실리콘 감압성 접착제 조성물을 완전히 경화시키기에는 불충분한 온도 및 시간 동안 가열하는 것과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 건조 단계는, 예를 들어, 용매의 전부 또는 일부를 제거하기에 충분한 시간(예를 들어, 30초 내지 1시간, 대안적으로 1분 내지 5분) 동안 50℃ 내지 120℃, 대안적으로 70℃ 내지 100℃, 대안적으로 70℃ 내지 80℃의 온도에서 가열함으로써 수행될 수 있다.
건조 단계 후, 방법은 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면에 접착된 표면을 갖는 실리콘 감압성 접착제 층을 포함하는 적층 물품을 형성하는 단계인 단계 (9)를 추가로 포함하며, 여기서 실리콘 감압성 접착제 층은 배킹 기재의 표면에 대향하는 대향 표면을 추가로 포함한다.
단계 (9)의 감압성 접착제 조성물의 경화는 감압성 접착제 조성물을 경화시키기에 충분한 시간 동안(예를 들어, 30초 내지 1시간, 대안적으로 1 내지 5분 동안) 80℃ 내지 200℃, 대안적으로 90℃ 내지 210℃, 대안적으로 150℃ 내지 205℃, 대안적으로 180℃ 내지 205℃의 온도에서 가열함으로써 수행될 수 있다. 경화 속도가 증가될 필요가 있거나 공정 오븐 온도가 저하되어야 할 필요가 있는 경우, (X) 퍼옥사이드 가교제의 양을 증가시킬 수 있다. 이는 배킹 기재의 표면 상에 실리콘 감압성 접착제를 형성한다. 경화 단계는 코팅된 배킹 기재를 오븐 내에 넣음으로써 수행될 수 있다. 배킹 기재 상에 코팅될 실리콘 감압성 접착제 조성물의 양은 특정 용도에 따라 다르지만, 그 양은 경화 후 실리콘 감압성 접착제의 두께가 5 마이크로미터 내지 100 마이크로미터일 수 있도록 하기에 충분할 수 있다.
본원에서 기술되는 방법은 선택적으로 단계 (9) 이후에 추가의 단계를 추가로 포함할 수 있다. 추가의 단계는, 예를 들어, 사용 전에 실리콘 감압성 접착제를 보호하기 위해(예를 들어, 배킹 기재가 중합체 필름 및/또는 발포체 또는 유리인 경우), 배킹 기재에 대향하는 실리콘 감압성 접착제 층의 대향 표면에 제거 가능한 이형 라이너를 도포하는 단계를 포함한다. 이형 라이너는 실리콘 감압성 접착제 조성물의 경화 전, 동안 또는 후에; 대안적으로 경화 후에 적용될 수 있다.
단계 (9)에서 제조된 실리콘 감압성 접착제는 실리콘 고무 물품에 접착될 것이다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 단계 (9)에서 제조된 실리콘 감압성 접착제는, 아래 실시예에 설명된 박리 접착력 테스트 방법에 따라 테스트하였을 때, > 1,000 gf/in, 대안적으로 > 1,200 gf/in, 대안적으로 > 1,500 gf/in의 실리콘 고무에 대한 접착력을 갖는 동시에, 접착력은 최대 2,600 gf/in, 대안적으로 최대 2,500 gf/in, 대안적으로 최대 2,300 gf/in일 수 있을 것으로 생각된다.
이러한 접착을 위해 실리콘 고무 물품의 처리가 필요하지는 않지만, 방법은 선택적으로 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계 (10)을 추가로 포함할 수 있으며, 이는 실리콘 고무 물품의 표면에 대한 실리콘 감압성 접착제의 접착을 촉진 및/또는 개선할 수 있다. 실리콘 고무 물품의 표면 처리 단계는 실리콘 고무의 표면을, 예를 들어, 이소프로판올과 같은 알코올로 세척하는 것과 같은 임의의 편리한 수단, 또는 단계 (6)에서 전술된 표면 처리 중 임의의 수단에 의해 수행될 수 있다.
실리콘 고무 물품은 특별히 제한되지 않는다. 실리콘 고무 물품은, ASTM D2240에 의해 측정하였을 때, 30 내지 75, 대안적으로 30 내지 50의 쇼어 A 경도를 가질 수 있다. 액체 실리콘 고무(LSR) 및 고점도도 고무(HCR)가 실리콘 고무 물품에 사용될 수 있다. LSR은 당업계에 알려져 있으며, Conway 등의 미국 특허 제5,777,002호 또는 Jeram 등의 미국 특허 제8,198,357호에 개시된 것과 같은 알려진 방법에 의해 제조될 수 있다. 대안적으로, 실리콘 고무 물품은 본원에서 제조되는 적층 물품에 대한 원하는 최종 용도에 기초하여 선택될 수 있다.
예를 들어, 광학 실리콘 엘라스토머(광학 LSR)는 당업계에 알려져 있으며, 예를 들어 Hasegawa 등의 미국 특허 제8,859,693호 및 Akitomo 등의 미국 특허 제8,853,332호에 기술되어 있다. 광학 LSR은 상업적으로 입수 가능하다. 예를 들어, 광학 LSR은 SILASTIC™ MS-1001, MS-1002, MS-1003, MS-4001, MS-4002 및 MS-4007(이는 성형 가능한 광학 실리콘 엘라스토머임)을 포함하고, SYLGARD™ 182, 184 및 186은 다른 광학 실리콘 엘라스토머이고, 이들 모두는 DSC로부터 시판된다.
대안적으로, XIAMETER™ RBL-2004-30, XIAMETER™ RBL-2004-50 SILASTIC™ 9202-50 LSR, SILASTIC™ LCF 3760, 및 SILASTIC™ LCF 3600과 같은 LSR, 또는 TDCC로부터 시판되는 Varox™ DBPH-50, 또는 각각 DSC로부터 시판되는 SILASTIC™ RBC 7600-50, XIAMETER™ RBB 2000-35, XIAMETER™ RBB 2001-65, XIAMETER™ RBB-2030-40EN, XIAMETER™ RBB-6660-60EN, XIAMETER™ RBB-2002-30 Base, XIAMETER™ RBB-2004-60, 또는 XIAMETER™ RBB-2220-70과 같은 HCR이 사용될 수 있다.
본원에서 기술되는 방법은 단계 (9)에 기술된 바와 같은 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면, 및 실리콘 고무 물품의 표면을 접착하는 단계인 단계 (11)을 추가로 포함한다. 단계 (11)은 임의의 편리한 수단, 예를 들어 실리콘 고무 물품의 표면과 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면을 접촉시키고 압력을 가함으로써 수행될 수 있다. 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면을 보호하기 위해 이형 라이너를 사용하는 경우, 실리콘 고무 물품의 표면 및 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면이 접촉하기 전에 이형 라이너를 제거한다. 단계 (11)에서 제조된 생성품은 적층 물품이다. 전술된 습식 캐스팅 방법에서, 적층 물품은 중합체 필름, 중합체 발포체 또는 유리로부터 선택되는 배킹 기재; 전술된 실리콘 감압성 접착제, 및 실리콘 고무 물품을 포함할 수 있다.
대안적으로, 건식 캐스팅이 전술된 단계 (7) 내지 (9)에서 사용되는 경우, 배킹 기재는 이형 라이너를 포함한다. 이형 라이너는 단계 (9) 이후에 제거되어 자립형 필름으로서 실리콘 감압성 접착제 층을 형성할 수 있다. 대안적으로, 이형 라이너는 단계 (11) 이후에 제거될 수 있다. 건식 캐스팅을 수행하는 경우, 방법은:
선택적으로, (12) 제2 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계; 및
(13) 실리콘 감압성 접착제 층의 표면(이형 라이너의 제거를 통해 노출됨)을 제2 실리콘 고무 물품의 표면에 접착시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
제2 실리콘 고무 물품은 단계 (11)에서 사용하기 위해 전술된 바와 같다. 제2 실리콘 고무 물품은 단계 (11)에서 사용되는 실리콘 고무 물품과 동일할 수 있다. 대안적으로, 제2 실리콘 고무 물품은 단계 (11)에서 사용되는 실리콘 고무 물품과 상이할 수 있다. 이러한 경우, 방법에 의해 형성되는 적층 물품은 실리콘 고무 물품과 제2 실리콘 고무 물품 사이에 개재된 실리콘 감압성 접착제 층을 갖는다.
도 1은 전술된 방법에 의해 제조된 적층 물품(100)의 부분 단면을 나타낸다. 적층 물품(100)은 표면(102a) 및 대향 표면(102b)을 갖는 실리콘 감압성 접착제(102)를 포함한다. 실리콘 감압성 접착제(102)의 대향 표면(102b)은 하기 실시예에 기술된 시험 방법으로 측정하였을 때 > 1,000 gf/in의 박리 접착력으로 실리콘 고무 물품(103)의 표면(103a)에 접착된다. 실리콘 감압성 접착제(102)는 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있다. 실리콘 감압성 접착제(102)는 표면(101b)을 갖는 배킹 기재(101)에 접착된다. 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면(102a)은 배킹 기재(101)의 표면(101b)에 접촉된다. 배킹 기재(101)는 PE, PU, TPU, 및 TPE로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있다. 실리콘 고무 물품(103)은 전술된 바와 같이 LSR 또는 HCR일 수 있다.
실리콘 감압성 접착제 조성물은 습식 캐스팅을 통한 적층 물품(100)의 제조에 사용될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 감압성 접착제 조성물은 배킹 기재(101)의 표면(101b)에 도포되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 대안적으로, 실리콘 감압성 접착제 조성물은 실리콘 고무 물품(103)의 표면(103a)에 도포되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 대안적으로, 실리콘 감압성 접착제 조성물은 이형 라이너의 표면에 도포되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(102)를 형성할 수 있다. 이후, 실리콘 고무 물품(103)의 표면(103a)은 실리콘 감압성 접착제(102)의 대향 표면(102b)과 접촉할 수 있으며, 배킹 기재(101)의 표면(101b)은 실리콘 감압성 접착제(102)의 표면(102a)과 접촉할 수 있다. 압력을 가해 배킹 기재(101), 실리콘 감압성 접착제(102), 및 실리콘 고무 물품(103)의 층을 함께 접착시킬 수 있다.
대안적으로, 습식 캐스팅을 사용하여 실리콘 고무를 포함하는 배킹 기재 및 전술된 실리콘 감압성 접착제, 및 선택적으로, (제2) 실리콘 고무 물품을 포함하는 적층 물품을 제조할 수 있다. 이러한 방법에서, 배킹 기재는 후술하는 단계 (11)에서 사용되는 (제2) 실리콘 고무 물품과 동일하거나 상이한 실리콘 고무 물품일 수 있다. 대안적으로, 배킹 기재는 실리콘 고무로 함침된 메쉬(전술한 바와 같이, 중합체 물질로 제조될 수 있음)와 같은 하나 초과의 구성 물질을 포함할 수 있다. 적층 물품을 제조하는 이러한 방법은 하기 단계를 포함한다:
(1) 축합 반응을 수행하는 조건 하에, 하기:
(P) GPC에 의해 측정하였을 때, 10,000 g/mol 내지 < 200,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 비스-하이드록실-말단화된 폴리디오가노실록산(여기서, 출발 물질 (P)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 > 20.5 중량%의 양으로 존재함);
(R) GPC에 의해 측정하였을 때, 15,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지(여기서, 출발 물질 (R)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 < 79.5 중량%의 양으로 존재함);
(S) 용매; 및
선택적으로, (N) 중화제 (여기서,
출발 물질 (R) 및 (P)는 2.27/1 내지 < 3.88/1의 중량비(R)/(P)로 존재함) 를 포함하는 출발 물질을 조합하여 반응 혼합물을 생성하는 단계; 및
(2) (C) 축합 반응 촉매를 반응 혼합물에 첨가하여 촉매화된 반응 혼합물을 생성하는 단계;
(3) 촉매화된 반응 혼합물을 > RT 내지 145℃의 온도에서 가열하여 물을 제거하는 단계;
선택적으로, (4) (P) 및 (R)의 축합 반응 생성물을 회수하는 단계;
선택적으로, (5) (R) 및 (P)의 합한 중량을 기준으로, 최대 4 중량%의 (X) 퍼옥사이드 가교제를 첨가하여 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계;
선택적으로, (6) 실리콘 고무를 포함하는 배킹 기재의 표면을 처리하는 단계;
(7) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 배킹 기재의 표면 상에 코팅하는 단계;
(8) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 건조하는 단계; 및
(9) 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면에 접착된 표면을 갖는 실리콘 감압성 접착제 층을 형성하는 단계로서, 실리콘 감압성 접착제 층은 배킹 기재의 표면에 대향하는 대향 표면을 추가로 포함하는, 단계. 이러한 방법은 선택적으로 다음을 추가로 포함할 수 있다:
선택적으로, (10) 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계; 및
(11) 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면과 실리콘 고무 물품의 표면을 접착하는 단계.
도 2은 전술된 방법에 의해 제조된 적층 물품(200)의 부분 단면을 나타낸다. 적층 물품(200)은 표면(202a) 및 대향 표면(202b)을 갖는 실리콘 감압성 접착제(202)를 포함한다. 실리콘 감압성 접착제(202)는 10 μm 내지 200 μm의 두께를 가질 수 있다. 실리콘 감압성 접착제(202)는 실리콘 고무(201)를 포함하고 하기 실시예에 기술된 테스트 방법에 의해 측정하였을 때 > 1,000 gf/in의 박리 접착력을 갖는 표면(201b)을 갖는 배킹 기재에 접착된다. 실리콘 감압성 접착제(202)의 표면(202a)은 배킹 기재(201)의 표면(201b)에 접촉된다. 배킹 기재(201)는 전술된 바와 같이 LSR 또는 HCR과 같은 실리콘 고무 물품일 수 있다. 대안적으로, 배킹 기재(201)는 실리콘 고무로 함침된 메쉬를 포함할 수 있다.
실리콘 감압성 접착제 조성물은 습식 캐스팅을 통한 적층 물품(200)의 제조에 사용될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 감압성 접착제 조성물은 배킹 기재(201)의 표면(201b)에 도포되고 경화되어 실리콘 감압성 접착제(202)를 형성할 수 있다.
실시예
하기 실시예는 당업자에게 본 발명을 설명하기 위해 제공되며, 청구범위에 기술된 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 이들 실시예에 사용된 출발 물질은 표 1에 기술되어 있다.
[표 1]
TDCC는 미국 미시간주 미들랜드 소재의 The Dow Chemical Company를 의미한다. DSC는 미국 미시간주 미들랜드에 소재한 Dow Silicones Corporation을 의미한다.
참조예 1에서는, 축합 반응 생성물(바디 수지)은 다음과 같이 제조하였다: PDMS 중합체, MQ 수지, 용매, 및 중화제를 3구 플라스크에서 RT에서 조합하였다. 플라스크의 내용물을 중간 목(middle neck)에 있는 스테인리스 스틸 교반 패들을 사용하여 250 rpm에서 20분 동안 교반하였다. 이어서, 축합 촉매를 교반하면서 첨가하였다. 또 다른 목을 딘스타크 트랩에 연결한 다음, 수돗물 수냉식 콘덴서에 연결하였다. 마지막 목에는 온도계와 시스템을 닫는 질소 스윕 어댑터가 포함되어 있었다. 마지막으로, 혼합물이 들어 있는 3구 플라스크를 온도 제어 장치를 가진 가열 맨틀 위에 올려 놓은 다음, 145℃의 반응 온도로 가열하였다. 환류가 시작된 시점부터 3시간 동안 계속 반응시켰다. 바디 수지 IE1 내지 IE6 및 CE1 내지 CE19를 이러한 절차에 따라 제조하였다.
참조예 2에서는, 비교용 실리콘 감압성 접착제 조성물 CE20을 다음과 같이 제조하였다: 출발 물질을 치과용 믹서 컵에 첨가하고, 균질해질 때까지 3500 rpm에서 30초 동안 혼합하였다. 이러한 냉각된 혼합 PSA를 코팅/경화 공정에 즉시 사용하였다.
참조예 3에서는, 퍼옥사이드 가교제를 첨가하여 퍼옥사이드 경화성 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하고, 이를 다음과 같이 배킹 기재 상에 코팅하고 경화시켰다: 퍼옥사이드 경화성 실리콘 감압성 접착제 조성물(IE1 내지 IE6 및 CE1 내지 CE21), 퍼옥사이드 가교제(톨루엔 중) 및 용매 1을 치과용 믹서 컵에서 50 중량% 고형분 수준 및 2 중량% 퍼옥사이드 가교제 수준에 도달할 때까지 상기 참조예 1 및 2에 기술된 바와 같이 제조된 각각의 조성물에 첨가하였다. 샘플 IE6의 경우, 퍼옥사이드 가교제 수준은 경화 단계에서 다양하였다(0 중량% 퍼옥사이드 가교제 수준에 대한 IE6A, 1 중량% 퍼옥사이드 가교제 수준에 대한 IE6B, 3 중량% 퍼옥사이드 가교제 수준에 대한 IE6C). 생성된 샘플을 균질해질 때까지 3500 rpm에서 30초 동안 혼합하였다. 3-mil 코팅 바를 사용하여 2-mil 두께의 폴리에스테르(PET) 시트 상에 코팅하여 적용 테스트를 위한 각각의 샘플을 제조하였다. 이어서, 각각의 시트를 오븐 중 80℃에서 2분, 이어서 180℃에서 2분 동안 경화시켰다.
참조예 4에서는, 비교용 하이드로실릴화 경화성 감압성 접착제 조성물 CE22를 다음과 같이 제조하였다: PSA를 먼저 치과용 믹서 컵에 첨가하였다. 다음으로, 촉매 3을 혼합물에 첨가한 다음, 균질해질 때까지 3500 rpm에서 30초 동안 혼합하였다.
참조예 5에서는, 하이드로실릴화 경화성 감압성 접착제 조성물 CE22를 3-mil 코팅 바를 사용하여 2-mil 두께의 폴리에스테르(PET) 시트 위에 코팅하였다. 이어서, 각각의 시트를 오븐 중 150℃에서 3분 동안 경화시켰다.
각각의 샘플을 제조하는데 사용된 출발 물질 및 양은 하기 표 2 내지 7에 나타나 있다.
참조예 6에서는, 실리콘 고무 기재를 다음과 같이 제조하였다:
DSC로부터 액상 실리콘 고무(LSR) 기재인 XIAMETER™ RBL-2004-30 LSR 및 XIAMETER™ RBL-2004-50 LSR 샘플을 입수하였다. 파트 A와 파트 B를 혼합하기 위해, 100 g의 파트 A 및 100 g의 파트 B를 치과용 믹서 컵에 첨가한 다음, 각각의 사이클을 1800 rpm에서 20초 동안 실행하여 3사이클 동안 혼합하였다. 물질이 치과용 컵의 바닥과 모서리에 달라붙지 않도록 하기 위해 사이클 사이에 컵을 긁어 내고 손으로 혼합하였다. 이 혼합물을 광택이 나는 북 몰드(book mold) 또는 테프론 눈금 체이스로 옮기고 350℉에서 5분 동안 경화시켰다.
60 phr의 XIAMETER™ RBB 2000-35 및 40 phr의 XIAMETER™ RBB 2001-65를 2개의 롤 밀 상에서 블렌딩하여 퍼옥사이드 경화된 고농도 고무(HCR) 기재를 제조하였다. 1.0 phr의 Varox™ DBPH-50(45% 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 및 55% 탄산칼슘/실리카)을 블렌드 내에서 밀링하였다. 물질을 밀링하여 시트로 만들고, 10" X 10" X 0.78" 체이스 내에 놓은 다음, 30톤의 압력 하에 350℉에서 10분 동안 가압 경화시켰다. 체이스를 프레스에서 제거하고, 냉각한 다음, 슬래브를 체이스에서 제거하였다.
백금 경화된 HCR 기재를 다음과 같이 제조하였다: SILASTIC™ RBC 7600-50을 2개의 롤 밀 상에서 밀링하였다. 물질을 밀링하여 시트로 만들고, 10" X 10" X 0.78" 체이스 내에 놓은 다음, 30톤의 압력 하에 350℉에서 10분 동안 가압 경화시켰다. 체이스를 프레스에서 제거하고, 냉각한 다음, 슬래브를 체이스에서 제거하였다.
참조예 7에서는, 참조예 6에 따라 제조된 실리콘 고무에 대한 참조예 3 및 5에 따라 제조된 감압성 접착제의 접착력을 다음과 같이 측정하였다:
박리 접착력: PSTC-101 표준에 따라 박리 접착력(180°)을 테스트하였다. 2-mil 폴리에스테르 필름(테이프) 위에 코팅된 실리콘 감압성 접착제는 일반적으로는 경화 후 1일 후에 실리콘 고무 표면 또는 깨끗한 스테인레스 스틸 패널 위에 적층하였다. 실리콘 고무 표면을 이소프로필 알코올로 닦아 내에 표면을 깨끗하게 클리닝하고, 주변 조건에서 5분 동안 건조시킨 다음, 거기에 실리콘 감압성 접착제를 적층하였다. 적층 후, 2 kg 고무 코팅 롤러를 생성된 물품에 적용하고(앞뒤로 각각 5회), 박리 접착 테스트 전에 물품을 실온에서 20분의 체류 시간 동안 그대로 놓아 두었다. TMI 이형 및 접착 시험기를 사용하여 분당 12 인치의 속도로 실리콘 고무 또는 스테인리스 스틸 기재에서 1 인치 폭의 테이프를 잡아당겼다.
접착력 테스트 결과는 하기 표 8 내지 14에 나타나 있다.
[표 2]
[표 3]
[표 4]
[표 5]
[표 6]
샘플 CE14 내지 CE19는 실리콘 감압성 접착제 조성물을 제형화할 때 (폴리디오가노실록산 중합체 대신에) 고 Mw 검을 사용하며, 이러한 샘플은 본원에서 기술되는 폴리디오가노실록산 중합체를 사용한 샘플 IE1과 비교하여 감소된 접착력을 나타내었다. 샘플 CE8 내지 CE18은 모두 테스트된 조건 하에 열악한 접착력을 나타내었다.
[표 7]
[표 8]
[표 9]
표 8 및 9의 데이터는 수지 대 중합체 비율이 증가하면 테스트된 조건 하에서 실리콘 고무에 대한 접착력이 증가하였다는 것을 보여주었다. 높은 수지 대 중합체 비율로 제조된 PSA는 테스트된 조건 하에서 강철 기재에 대한 접착력이 없었지만, 실리콘 고무 기재에 대해서는 높은 접착력을 가졌다.
[표 10]
표 10의 데이터는 높은 Mw 수지를 사용하면 실리콘 고무에 대해 강한 접착력을 갖는 PSA가 생성되었음을 보여준다. 그러나, 너무 낮은 Mw를 갖는 수지를 사용하면 테스트된 조건 하에서 열악한 접착력을 갖는 PSA(CE7)가 생성되었다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, IE6, IE6A, IE6B, 및 IE6C는 더 적은 양의 퍼옥사이드 가교제(샘플 IE6A, IE6 및 IE6B에서 0 내지 2%)가 LSR에 대해 더 높은 박리 접착력을 제공할 수 있다는 것을 보여주는 것으로 생각된다.
[표 11]
[표 12]
표 9, 11 및 12의 데이터는 테스트된 조건 하에서 본원에서 기술되는 폴리디오가노실록산 중합체를 사용하면 실리콘 고무(IE1)에 대해 강한 접착력을 갖는 PSA를 생성한다는 것을 보여준다. 그러나, 높은 Mw 검 중합체를 사용하면 열악한 접착력을 생성한다(CE19). 다른 비교 실시예 조성물(CE)은 PSA의 낮은 수지 대 중합체 비율, 낮은 Mw 수지, 또는 높은 Mw 검 중합체가 실리콘 고무에 대해 열악한 접착력을 생성한다는 것을 보여준다.
[표 13]
이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 표 13의 데이터는 냉간 블렌딩을 통해 제조된 PSA 샘플이 테스트된 조건 하에서 실리콘 고무에 대해 열악한 접착력을 나타내는 것으로 생각된다.
[표 14]
작업 실시예(IE1, IE3, IE5 및 IE6)는 VS 3M 시판 9731 테이프와 비교하였을 때 실리콘 고무에 대해 대략 2배의 접착 강도를 나타내었다.
참조예 8에서는, 적층 물품의 샘플을 습식 캐스팅을 포함하는 방법(방법 2)으로 다음과 같이 제조하였다:
1. 퍼옥사이드 가교제(톨루엔 중)와 용매 1 및 각각의 조성물 IE6 및 CE21(전술된 바와 같이 제조됨)을 치과용 믹서 컵에서 50 중량% 고체 수준 및 2 중량% 퍼옥사이드 가교제 수준에 도달하도록 혼합함으로써 실리콘 감압성 접착제 조성물의 2개의 샘플을 제조하였다. 각각의 생성된 샘플을 균질해질 때까지 3500 rpm에서 30초 동안 혼합하였다.
2. 4개의 실리콘 고무 기재 시트(각각 2개의 50-경도계 LSR 및 Pt 경화 HCR)를 참조예 6에서 전술된 바와 같이 제조하였다. 각각의 실리콘 고무 기재의 표면을 이소프로필 알코올로 닦아 클리닝한 다음, 주변 조건 하에 5분 동안 건조시켰다.
3. 실리콘 감압성 접착제 조성물의 각각의 샘플을 3-mil 코팅 바를 사용하여 실리콘 고무 기재의 클리닝된 표면 상에 코팅하였다. 이어서, 각각의 코팅된 기재를 80℃에서 2분 동안, 이어서 180℃에서 2분 동안 오븐에 넣어 각각의 실리콘 고무 시트 상에 (경화된) 실리콘 감압성 접착제 층의 적층체를 제조하였다.
4. 4개의 실리콘 고무 기재 시트(각각 2개의 50-경도계 LSR 및 Pt 경화 HCR)를 참조예 6에서 전술된 바와 같이 제조하였다. 각각의 실리콘 고무 기재의 표면을 이소프로필 알코올로 닦아 클리닝한 다음, 주변 조건 하에 5분 동안 건조시켰다.
5. 단계 3 다음 날, 각각의 실리콘 감압성 접착제 층의 표면을 단계 4에서 얻은 각각의 실리콘 고무 기재의 클리닝된 표면과 접촉시켰다. 폴리에스테르 필름 배킹 기재를 사용하지 않았다는 것을 제외하고는, 전술된 바와 같이, 2 kg 고무 코팅 롤러를 생성된 물품에 적용하고(앞뒤로 각각 5회), PSTC-101 표준에 따른 박리 접착력 테스트 전에 물품을 실온에서 20분의 체류 시간 동안 그대로 놓아 두었다. TMI 이형 및 접착 시험기를 사용하여 분당 12 인치의 속도로 실리콘 고무 기재에서 1 인치 폭의 테이프를 잡아당겼다. 박리 접착력 테스트 결과는 하기 표 15에 나타나 있다.
[표 15]
표 15의 데이터는 실리콘 고무 물품이 습식 캐스팅을 사용하는 방법에서 배킹 기재로서 사용되는 경우, 본원에서 기술되는 방법에 의해 제조된 실리콘 감압성 접착제는 습식 캐스팅 방식을 사용하여 배킹 기재에 도포된 상업적으로 입수 가능한 PSA 2(CE21) 보다 더 높은 박리 접착력을 갖는다는 것을 보여준다.
참조예 9에서는, 적층 물품의 샘플을 건식 캐스팅을 포함하는 방법(방법 3)으로 다음과 같이 제조하였다:
1. 퍼옥사이드 가교제(톨루엔 중)와 용매 1 및 각각의 조성물 IE6 및 CE21(전술된 바와 같이 제조됨)을 치과용 믹서 컵에서 50 중량% 고체 수준 및 2 중량% 퍼옥사이드 가교제 수준에 도달하도록 혼합함으로써 실리콘 감압성 접착제 조성물의 2개의 샘플을 제조하였다. 각각의 생성된 샘플을 균질해질 때까지 3500 rpm에서 30초 동안 혼합하였다.
2. 실리콘 감압성 접착제 조성물의 각각의 샘플을 3-mil 코팅 바를 사용하여 플루오로실리콘 이형 라이너 상에 코팅하였다. 이어서, 각각의 코팅된 라이너를 80℃에서 2분 동안, 이어서 180℃에서 2분 동안 오븐에 넣어 각각의 플루오로실리콘 이형 라이너 상에 (경화된) 실리콘 감압성 접착제 층의 적층체를 제조하였다. 각각의 적층체를 RT에서 1일 동안 노화시켰다.
3. 4개의 실리콘 고무 기재 시트(각각 2개의 50-경도계 LSR 및 Pt 경화 HCR)를 참조예 6에서 전술된 바와 같이 제조하였다. 각각의 실리콘 고무 기재의 표면을 이소프로필 알코올로 닦아 클리닝한 다음, 주변 조건 하에 5분 동안 건조시켰다.
4. 단계 2의 각각의 실리콘 감압성 접착제 층의 표면을 단계 3의 각각의 실리콘 고무 기재의 클리닝된 표면과 접촉시켰다.
5. 4개의 실리콘 고무 기재 시트(각각 2개의 50-경도계 LSR 및 Pt 경화 HCR)를 참조예 6에서 전술된 바와 같이 제조하였다. 각각의 실리콘 고무 기재의 표면을 이소프로필 알코올로 닦아 클리닝한 다음, 주변 조건 하에 5분 동안 건조시켰다.
6. 단계 4 다음 날, 플루오로실리콘 이형 라이너를 각각의 라미네이트에서 제거하고, 생성된 각각의 실리콘 감압성 접착제 층의 노출된 표면을 단계 5에서 얻은 각각의 실리콘 고무 기재의 클리닝된 표면과 접촉시켰다. 폴리에스테르 필름 배킹 기재를 사용하지 않았다는 것을 제외하고는, 전술된 바와 같이, 2 kg 고무 코팅 롤러를 생성된 물품에 적용하고(앞뒤로 각각 5회), PSTC-101 표준에 따른 박리 접착력 테스트를 수행하기 전에 물품을 실온에서 20분의 체류 시간 동안 그대로 놓아 두었다. TMI 이형 및 접착 시험기를 사용하여 분당 12 인치의 속도로 실리콘 고무 기재에서 1 인치 폭의 테이프를 잡아당겼다. 박리 접착력 테스트 결과는 하기 표 16에 나타나 있다.
[표 16]
표 16의 데이터는 2개의 실리콘 고무 기재 사이에 실리콘 감압성 접착제를 포함하는 적층 물품을 건식 캐스팅 방법으로 제조하는 경우, 본원에서 기술되는 방법에 의해 제조된 실리콘 감압성 접착제는 상업적으로 입수 가능한 PSA 2(CE21) 보다 더 높은 박리 접착력을 갖는다는 것을 보여준다.
용어의 정의 및 사용
모든 양, 비, 및 백분율은 달리 명시되지 않는 한, 중량 기준이다. 조성물 중 모든 출발 물질의 양은 총 100 중량%이다. 개요 및 요약서가 본 명세서에 참고로 포함된다. 단수 형태의 표현은 각각, 명세서의 맥락에 의해 달리 지시되지 않는 한, 하나 이상을 나타낸다. 단수형은, 달리 지시되지 않는 한, 복수형을 포함한다. 용어 "포함하는" 및 이의 파생어, 예를 들어 "포함하다" 및 "포함한다"는 본원에서 "포함하는", "포함하다", "본질적으로 이루어지다(이루어진)" 및 "이루어지다(이루어진)"의 개념을 의미하고 포괄하기 위해 가장 넓은 의미로 사용된다. 예시적인 예를 열거하기 위한 "예를 들어(for example)", "예를 들어(e.g.)", "예컨대", 및 "포함하는"의 사용은 오로지 열거된 예로만 제한되지는 않는다. 따라서, "예를 들어" 또는 "예컨대"는 "예를 들어, 그러나 이로 제한되지는 않는다" 또는 "예컨대, 그러나 이로 제한되지는 않는다"를 의미하며, 다른 유사하거나, 동등한 예를 포함한다.
첨부된 청구범위는 상세한 설명에서 기술된 분명하고, 특정한 화합물, 조성물, 또는 방법으로 제한되지 않으며, 첨부된 청구범위의 범위 내에 속하는 특정 실시형태들 사이에서 달라질 수 있음이 이해되어야 한다. 다양한 실시 형태의 특정 특징 또는 양태를 기술함에 있어서 본원에서 필요로 하는 임의의 마쿠쉬 군(Markush group)과 관련하여, 상이한, 특별한, 및/또는 예기치 않은 결과가 개별 마쿠쉬 군의 각각의 구성원으로부터, 모든 다른 마쿠쉬 구성원들과는 독립적으로, 얻어질 수 있다. 마쿠쉬 군의 각각의 구성원은 개별적으로 그리고/또는 조합하여 필요할 수 있으며, 첨부된 청구범위의 범주 내의 특정 실시형태에 대한 적절한 뒷받침을 제공한다.
본원에서 사용되는 약어가 표 17에 정의되어 있다.
[표 17]
중합체 및 축합 반응 생성물의 Mn, Mw, 및 분자량 분포는 Agilent Technologies 1260 Infinity 크로마토그래프 및 톨루엔을 용매로 사용하여 GPC로 측정하였다. 기기에는 2개의 PLgel Mixed C 컬럼이 장착되어 있다. 보정(calibration)은 폴리스티렌 표준물을 사용하여 이루어졌다. 샘플은 중합체를 톨루엔에 용해(약 10 mg/mL)시킨 다음, 즉시 용액을 GPC(1 mL/분 유속, 45℃ 컬럼 온도)로 분석함으로써 제조하였다.
수지의 Mn, Mw, 및 분자량 분포는 Agilent Technologies 1260 Infinity 크로마토그래프 및 에틸 아세테이트를 용매로 사용하여 GPC로 측정하였다. 기기에는 2개의 컬럼, 즉 Agilent PLgel Mixed-D 및 PLgel Mixed-E 컬럼이 장착되어 있다. 보정은 폴리스티렌 표준물을 사용하여 이루어졌다. 샘플은 중합체를 톨루엔에 용해(약 20 mg/mL)시킨 다음, 즉시 용액을 GPC(1 mL/분 유속, 35℃ 컬럼 온도)로 분석함으로써 제조하였다.

Claims (15)

  1. 적층 물품을 제조하는 방법으로서,
    (1) 축합 반응을 수행하는 조건 하에, 하기:
    (P) GPC에 의해 측정하였을 때, 10,000 g/mol 내지 < 200,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 비스-하이드록실-말단화된 폴리디오가노실록산(여기서, 출발 물질 (P)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 > 20.5 중량%의 양으로 존재함);
    (R) GPC에 의해 측정하였을 때, 15,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지(여기서, 출발 물질 (R)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 < 79.5 중량%의 양으로 존재함);
    (S) 용매; 및
    선택적으로, (N) 중화제 (여기서,
    출발 물질 (R) 및 (P)는 2.27/1 내지 < 3.88/1의 중량비(R)/(P)로 존재함) 를 포함하는 출발 물질을 조합하여 반응 혼합물을 생성하는 단계; 및
    (2) (C) 축합 반응 촉매를 상기 반응 혼합물에 첨가하여 촉매화된 반응 혼합물을 생성하는 단계;
    (3) 상기 촉매화된 반응 혼합물을 > RT 내지 145℃의 온도에서 가열하여 물을 제거하는 단계;
    선택적으로, (4) (P) 및 (R)의 축합 반응 생성물을 회수하는 단계;
    선택적으로, (5) (R) 및 (P)의 합한 중량을 기준으로, 최대 4 중량%의 (X) 퍼옥사이드 가교제를 첨가하여 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계;
    선택적으로, (6) 배킹 기재의 표면을 처리하는 단계;
    (7) 상기 실리콘 감압성 접착제 조성물을 상기 배킹 기재의 표면 상에 코팅하는 단계;
    (8) 상기 실리콘 감압성 접착제 조성물을 건조하는 단계;
    (9) 상기 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 상기 배킹 기재의 표면에 접착된 표면을 갖는 실리콘 감압성 접착제 층을 형성하는 단계로서, 상기 실리콘 감압성 접착제 층은 상기 배킹 기재의 표면에 대향하는 대향 표면을 추가로 포함하는, 단계;
    선택적으로, (10) 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계; 및
    (11) 상기 실리콘 감압성 접착제의 대향 표면과 상기 실리콘 고무 물품의 표면을 접착하는 단계를 포함하는, 적층 물품을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 출발 물질 (P)인 비스-하이드록실-말단화된 폴리디오가노실록산은 하기 화학식을 갖는, 방법: , (상기 식에서, 각각의 R1은 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 독립적으로 선택된 알킬기이며, 아래첨자 a는 분자당 이작용성 실록산 단위의 평균 개수를 나타내는 것으로, 250 ≤ a ≤ 3,000임).
  3. 제1항에 있어서, 상기 출발 물질 (R)인 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지는 단위 화학식 (R1 3SiO1/2)b(SiO4/2)c(HO1/2)d를 가지며, 상기 식에서 각각의 R1은 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 독립적으로 선택된 알킬기이고, 아래첨자 b 및 c는 각각 일작용성 단위 및 사작용성 단위의 몰 분율을 나타내고, 아래첨자 b 및 c는 0.4 ≤ b ≤ 0.5, 0.5 ≤ c ≤ 0.6, 및 양 (b + c) = 1이 되는 값을 갖고; 아래 첨자 d는 수지 내의 하이드록실기의 양을 나타내며, 아래 첨자 d는 수지에 2 중량% 내지 5 중량%의 하이드록실 함량을 제공하기에 충분한 값을 갖는, 방법.
  4. 제1항에 있어서, (R)/(P)는 2.9/1 내지 < 3.88/1인, 방법.
  5. 제4항에 있어서, (R)/(P)는 2.9/1 내지 3/1인, 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 (N) 중화제가 존재하고, 상기 중화제는 실릴 포스페이트를 포함하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 (C) 축합 반응 촉매는 산인, 방법.
  8. 제1항에 있어서, 단계 (5)가 존재하고, 상기 (X) 퍼옥사이드 가교제는 벤조일 퍼옥사이드를 포함하는, 방법.
  9. 제1항에 있어서, 단계 (6)이 존재하고, 상기 단계 (6)은 상기 배킹 기재의 표면에 프라이머를 도포하는 것을 포함하는, 방법.
  10. 제1항에 있어서, 단계 (10)이 존재하고, 상기 단계 (10)은 상기 실리콘 고무의 표면을 알코올로 클리닝하는 것을 포함하는, 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 단계 (11)에서, 상기 실리콘 고무는 30 내지 50의 경도를 갖는, 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 적층 물품.
  13. 제1항에 있어서, 상기 단계 (7)의 배킹 기재는 이형 라이너를 포함하며,
    단계 (9) 이후에 상기 이형 라이너를 제거하는 단계;
    선택적으로, (12) 제2 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계; 및
    (13) 상기 실리콘 감압성 접착제 층의 표면을 상기 제2 실리콘 고무 물품의 표면에 접착하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  14. 적층 물품을 제조하는 방법으로서,
    (1) 축합 반응을 수행하는 조건 하에, 하기:
    (P) GPC에 의해 측정하였을 때, 10,000 g/mol 내지 < 200,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 비스-하이드록실-말단화된 폴리디오가노실록산(여기서, 출발 물질 (P)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 > 20.5 중량%의 양으로 존재함);
    (R) GPC에 의해 측정하였을 때, 15,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 하이드록실 작용성 폴리오가노실리케이트 수지(여기서, 출발 물질 (R)은 출발 물질 (P) 및 (R)의 합한 중량을 기준으로 < 79.5 중량%의 양으로 존재함);
    (S) 용매; 및
    선택적으로, (N) 중화제 (여기서,
    출발 물질 (R) 및 (P)는 2.27/1 내지 < 3.88/1의 중량비(R)/(P)로 존재함) 를 포함하는 출발 물질을 조합하여 반응 혼합물을 생성하는 단계; 및
    (2) (C) 축합 반응 촉매를 상기 반응 혼합물에 첨가하여 촉매화된 반응 혼합물을 생성하는 단계;
    (3) 상기 촉매화된 반응 혼합물을 > RT 내지 145℃의 온도에서 가열하여 물을 제거하는 단계;
    선택적으로, (4) (P) 및 (R)의 축합 반응 생성물을 회수하는 단계;
    선택적으로, (5) (R) 및 (P)의 합한 중량을 기준으로, 최대 4 중량%의 (X) 퍼옥사이드 가교제를 첨가하여 실리콘 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계;
    선택적으로, (6) 실리콘 고무를 포함하는 배킹 기재의 표면을 처리하는 단계;
    (7) 상기 실리콘 감압성 접착제 조성물을 상기 배킹 기재의 표면 상에 코팅하는 단계;
    (8) 상기 실리콘 감압성 접착제 조성물을 건조하는 단계; 및
    (9) 상기 실리콘 감압성 접착제 조성물을 경화시켜 상기 배킹 기재의 표면에 접착된 표면을 갖는 실리콘 감압성 접착제 층을 형성하는 단계로서, 상기 실리콘 감압성 접착제 층은 상기 배킹 기재의 표면에 대향하는 대향 표면을 추가로 포함하는, 단계를 포함하는, 적층 물품을 제조하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    선택적으로, (10) 실리콘 고무 물품의 표면을 처리하는 단계; 및
    (11) 상기 실리콘 감압성 접착제 층의 대향 표면과 상기 실리콘 고무 물품의 표면을 접착하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
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