KR20170124438A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170124438A
KR20170124438A KR1020170028481A KR20170028481A KR20170124438A KR 20170124438 A KR20170124438 A KR 20170124438A KR 1020170028481 A KR1020170028481 A KR 1020170028481A KR 20170028481 A KR20170028481 A KR 20170028481A KR 20170124438 A KR20170124438 A KR 20170124438A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
adhesive layer
light
less
disposed
Prior art date
Application number
KR1020170028481A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102319108B1 (ko
Inventor
양정진
김명환
김선화
박지은
송원준
이관희
이덕진
정우석
정희성
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to CN202210683917.0A priority Critical patent/CN114973928A/zh
Priority to US15/581,267 priority patent/US11114645B2/en
Priority to CN201710292847.5A priority patent/CN107340557B/zh
Priority to JP2017089860A priority patent/JP7418943B2/ja
Priority to EP17168630.6A priority patent/EP3239747B1/en
Publication of KR20170124438A publication Critical patent/KR20170124438A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102319108B1 publication Critical patent/KR102319108B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • H01L51/5281—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G02B5/3041—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid comprising multiple thin layers, e.g. multilayer stacks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3075—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state for use in the UV
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/32—Optical coupling means having lens focusing means positioned between opposed fibre ends
    • G02B6/325—Optical coupling means having lens focusing means positioned between opposed fibre ends comprising a transparent member, e.g. window, protective plate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • H01L51/5234—
    • H01L51/5237—
    • H01L51/5253—
    • H01L51/5293—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H01L2227/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes

Abstract

표시 장치는 표시 패널, 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고, 편광 부재는 편광자 및 편광자의 적어도 일면에 복수 개의 기능층들을 포함하고, 복수 개의 기능층들 중 적어도 하나는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것이다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회에서 표시 장치는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 대두되고 있다. 현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 전계 발광 표시 장치(organic light emitting display: OLED), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(eletrophoretic display: EPD) 등이 있다.
표시 장치에 포함되는 표시 패널의 외부 광에 의한 열화를 방지하기 위해, 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하기 위한 연구가 요구되고 있다.
본 발명은 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하여 표시 패널의 열화 문제를 감소시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예는 표시 패널, 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고, 편광 부재는 편광자 및 편광자의 적어도 일면에 배치된 복수 개의 기능층들을 포함하고, 복수 개의 기능층들 중 적어도 하나는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 광 흡수 염료를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
제1 광 흡수 염료는 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계, 시너메이트계, 옥사닐라이드계, 폴리스틸렌계, 폴리페로세닐실란계, 메틴계, 아조메틴계, 트리아진계, 파라-아미노벤조산계, 계피산계, 우리카닌산계 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다.
복수 개의 기능층들은 λ/4 위상 지연층, λ/2 위상 지연층, 보호 필름, 반사방지층, 하드코팅층, 휘도향상필름, 제1 점착층 및 표면처리층 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
제1 점착층이 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
복수 개의 기능층들은 λ/4 위상 지연층, λ/2 위상 지연층 및 제1 점착층을 포함하고, λ/2 위상 지연층 및 제1 점착층은 편광자 및 λ/4 위상 지연층 사이에 배치되며, 제1 점착층이 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
제1 점착층은 λ/4 위상 지연층 및 λ/2 위상 지연층 사이에 배치되는 것일 수 있다.
제1 점착층은 편광자 및 λ/2 위상 지연층 사이에 배치되는 것일 수 있다.
복수 개의 기능층들 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다.
복수 개의 기능층들 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
표시 장치는 표시 패널 및 편광 부재 사이에 배치된 제2 점착층을 더 포함하고, 제2 점착층은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제2 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
제2 광 흡수 염료는 제1 광 흡수 염료와 동일한 것일 수 있다.
제2 점착층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다.
제2 점착층은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
표시 장치는 표시 패널 및 편광 부재 사이에 배치된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고, 제2 점착층은 표시 패널 및 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 것일 수 있다.
표시 장치는 편광 부재 상에 배치된 윈도우 부재 및 편광 부재 및 윈도우 부재 사이에 배치된 제3 점착층을 더 포함하고, 제3 점착층은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제3 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
제3 광 흡수 염료는 제1 광 흡수 염료와 동일한 것일 수 있다.
제3 점착층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다.
제3 점착층은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
표시 장치는 편광 부재 및 윈도우 부재 사이에 배치된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고, 제3 점착층은 편광 부재 및 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 제1 서브 점착층, 및 터치 센싱 유닛 및 윈도우 부재 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함하며, 제1 서브 점착층 및 제2 서브 점착층 중 적어도 하나는 제3 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
표시 장치는 표시 패널 및 편광 부재 사이에 배치된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고, 터치 센싱 유닛은 표시 패널 상에 직접 배치된 것일 수 있다.
표시 패널은 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되고, 발광층을 포함하는 유기층, 유기층 상에 배치된 제2 전극, 제2 전극 상에 배치된 캡핑층 및 캡핑층 상에 배치된 봉지층을 포함하고, 캡핑층은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제4 광 흡수 염료 또는 유기 재료를 포함하는 것일 수 있다.
봉지층은 유리를 포함하는 것일 수 있다.
캡핑층은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다.
캡핑층은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 표시 패널 및 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고, 편광 부재는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제5 광 흡수 염료를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
편광 부재는 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다.
편광 부재는 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
표시 장치는 편광 부재의 적어도 일면에 배치된 제4 점착층을 더 포함하고, 제4 점착층은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제6 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
제6 광 흡수 염료는 제5 광 흡수 염료와 동일한 것일 수 있다.
제4 점착층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다.
제4 점착층은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 표시 패널 및 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고, 표시 패널은 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되고 발광층을 포함하는 유기층, 유기층 상에 배치된 제2 전극, 제2 전극 상에 배치된 캡핑층 및 캡핑층 상에 배치된 봉지층을 포함하며, 편광 부재는 편광자 및 편광자의 적어도 일면에 배치된 복수 개의 기능층들을 포함하고, 복수 개의 기능층들 중 적어도 하나 및 캡핑층은 각각 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제7 광 흡수 염료를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 표시 패널, 표시 패널 상에 배치된 편광 부재 및 터치 센싱 유닛, 편광 부재 및 터치 센싱 유닛 상에 배치된 윈도우 부재, 및 표시 패널 및 윈도우 부재 사이에 배치된 1 이상의 점착층을 포함하고, 1 이상의 점착층 중 적어도 하나는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제8 광 흡수 염료를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
터치 센싱 유닛은 편광 부재 상에 배치되며, 1 이상의 점착층은 편광 부재 및 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 제1 서브 점착층, 및 터치 센싱 유닛 및 윈도우 부재 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함하고, 제1 서브 점착층 및 제2 서브 점착층 중 적어도 하나는 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
편광 부재는 터치 센싱 유닛 상에 배치되며, 1 이상의 점착층은 표시 패널 및 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 제1 서브 점착층, 및 편광 부재 및 윈도우 부재 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함하고, 제1 서브 점착층 및 제2 서브 점착층 중 적어도 하나는 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
편광 부재는 터치 센싱 유닛 상에 배치되며, 터치 센싱 유닛은 표시 패널 상에 직접 배치되고, 1 이상의 점착층은 편광 부재 및 윈도우 부재 사이에 배치된 제1 서브 점착층을 포함하고, 제1 서브 점착층은 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
1 이상의 점착층 중 제8 광 흡수 염료를 포함하는 점착층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하이며, 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.
표시 패널은 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되고 발광층을 포함하는 유기층, 유기층 상에 배치된 제2 전극, 및 제2 전극 상에 배치된 캡핑층을 포함하고, 캡핑층은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제9 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하여 표시 패널의 열화 문제를 최소화시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 자외선 및 일부의 가시광선에 의한 화소 수축이 최소화되어 휘도 저하를 억제시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시에에 따른 표시 장치에 의하면, 자외선 및 일부의 가시광선에 의한 색 온도 변화율을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 일부를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2의 일부를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2의 일부를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 광 파장 영역별 광 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 도 9의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 11은 도 9의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 9의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 16은 도 14의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 17a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함될 수 있는 광 흡수 염료들의 파장 영역별 광 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 17b는 실시예 1 내지 실시예 3에 따른 광 파장 영역별 광 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 18은 실시예 4 및 비교예 1에 따른 픽셀 축소(Pixel Shrinkage) 발생 여부를 촬영한 도면이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개락적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 편광 부재(100) 및 표시 패널(200)을 포함한다. 편광 부재(100)는 표시 패널(200) 상에 배치된다.
도 3 내지 도 5는 각각 도 2의 편광 부재를 보다 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 편광 부재(100)는 편광자(110) 및 편광자(110)의 적어도 일면에 배치된 복수 개의 기능층들(120)을 포함한다.
편광자(110)는 폴리비닐알코올계(PVA계) 편광자일 수 있다. 예를 들어, 편광자(110)는 요오드 및/또는 이색성 염료가 염착된 폴리비닐알코올계 편광자일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 편광자(110)는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다.
복수 개의 기능층들(120)은 편광자(110)의 적어도 일면에 배치된다. 복수 개의 기능층들(120)은 위상차 필름, 보호 필름, 반사방지층, 하드코팅층, 휘도향상필름, 제1 점착층 및 표면처리층 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니고, 당 기술분야에 알려진 일반적인 기능층을 제한없이 채용할 수 있다. 예를 들어, 제1 점착층이 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
위상차 필름은 λ/4 위상 지연층 및 λ/2 위상 지연층을 포함할 수 있다. λ/4 위상 지연층은 제공된 광의 위상을 λ/4만큼 지연시키는 광학층일 수 있다. 예를 들어, 제공된 광의 파장이 550nm인 경우, λ/4 위상 지연층을 통과한 광은 137.5nm의 위상 지연값을 갖는 것일 수 있다. 또한, λ/4 위상 지연층은 광학적 이방성을 가지며, λ/4 위상 지연층으로 입사되는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, λ/4 위상 지연층은 A-플레이트(A-Plate) 일 수 있다.
λ/2 위상 지연층은 제공된 광의 위상을 λ/2만큼 지연시키는 광학층일 수 있다. 예를 들어, 제공된 광의 파장이 550nm인 경우, λ/2 위상 지연층을 통과한 광은 275nm의 위상 지연값을 갖는 것일 수 있다. 또한, λ/2 위상 지연층으로 입사되는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다.
한편, λ/4 위상 지연층의 두께 방향의 위상 지연값과 λ/2 위상 지연층의 두께 방향의 위상 지연값 중 어느 하나는 양의 값을 갖고, 다른 하나는 음의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, λ/4 위상 지연층은 포지티브 A-플레이트(posi A-Plate)이고, λ/2 위상 지연층은 네가티브 A-플레이트(nega A-Plate)일 수 있다.
도 3을 참조하면, 기능층들(120)은 편광자(110)의 일면에 배치된 제1 서브 기능층(120-1), 편광자(110)의 타면에 순차적으로 배치된 제2 서브 기능층(120-2), 제3 서브 기능층(120-3) 및 제4 서브 기능층(120-4)을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의해 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 추가의 기능층을 더 포함할 수 있으며, 일부가 생략될 수도 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 기능층들(120)은 편광자(110)의 일면에 배치된 제1 서브 기능층(120-1) 및 편광자(110)의 타면에 순차적으로 배치된 제2 서브 기능층(120-2) 및 제3 서브 기능층(120-3)을 포함하는 것일 수 있다.
도 5를 참조하면, 기능층들(120)은 편광자(110) 하부에 배치되는 λ/4 위상 지연층, λ/2 위상 지연층 및 제1 점착층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기능층들(120)은 편광자(110)의 하면에 배치되는 보호 필름(120-2), 보호 필름(120-2) 하부에 배치되는 λ/2 위상 지연층(120-3), λ/2 위상 지연층(120-3) 하부에 배치되는 제1 점착층(120-4) 및 제1 점착층(120-4) 하부에 배치되는 λ/4 위상 지연층(120-5)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 점착층(120-4)은 λ/2 위상 지연층(120-3) 및 λ/4 위상 지연층(120-5)에 배치되고, 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.또 다른 예로, 기능층들(120)은 편광자(110)의 하면에 배치되는 λ/2 위상 지연층(120-3), 편광자(110) 및 λ/2 위상 지연층(120-3) 사이에 배치된 제1 점착층(120-2), λ/2 위상 지연층(120-3) 하부에 배치된 서브 점착층(120-4), 및 서브 점착층(120-4) 사이에 배치된 λ/4 위상 지연층(120-5)를 포함할 수 있다. 제1 점착층(120-2)이 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다.
복수 개의 기능층들(120) 중 적어도 하나는 자외선 및 일부의 가시광선을 흡수하는 제1 광 흡수 염료를 포함한다. 구체적으로, 복수 개의 기능층들(120) 중 적어도 하나는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 광 흡수 염료를 포함한다.
편광 부재(100)에 포함되는 복수 개의 기능층들(120) 중 적어도 하나의 기능층이 자외선 및 일부의 가시광선을 흡수함에 따라, 표시 패널(200)로 입사되는 자외선 및 일부의 가시광선의 양을 줄일 수 있고, 결과적으로 자외선 및 일부의 가시광선에 의한 표시 패널(200)의 열화를 방지할 수 있다.
종래의 표시 장치는 일반적으로 380nm 이하 파장 영역의 자외선을 흡수하는 편광 부재를 구비하여, 자외선에 따른 표시 장치 열화를 방지하고 있다. 그러나, 380nm 초과 파장 영역의 자외선 및 일부의 가시광선에 의한 표시 장치 열화를 방지하지 못하는 한계가 있었다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 380nm 초과 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층을 배치하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 편광 부재(100)에서 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하여, 자외선 및 일부의 가시광선에 의한 표시 장치의 색 온도 변화 문제를 억제한다. 흡수되는 파장 영역이 450nm를 초과하는 경우, 색 온도 변화율 감소 효과가 미비하며, 더 나아가 청색 광 파장 영역이 흡수되어 표시 장치의 청색 광 효율이 저하된다는 문제점이 있다.
본 명세서에서, 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 염료는 380nm 초과 450nm의 최대 흡수 파장을 갖는 염료를 의미하는 것일 수 있다.
제1 광 흡수 염료는 380nm 초과 450nm 이하 영역의 광을 흡수하는 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 제1 광 흡수 염료는 예를 들어, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 살리실에이트계, 시아노아크릴레이트계, 시너메이트계, 옥사닐라이드계, 폴리스틸렌계, 폴리페로세닐실란계, 메틴계, 아조메틴계, 트리아진계, 파라-아미노벤조산계, 계피산계, 우리카닌산계 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다.
제1 광 흡수 염료는 예를 들어, 2-(2-하이드록시페닐)-벤조트리아졸(2-(2-hydroxyphenyl)-benzotriazole) 유도체를 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 층은 필요에 따라 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 산란하는 광 산란제를 포함할 수 있다. 광 산란제는 예를 들어, TiO2, ZnO2 등일 수 있으나 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 제1 광 흡수 염료는 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 1종의 제1 광 흡수 염료를 사용하여 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광 흡수 효과를 구현할 수도 있고, 2종 이상의 제1 광 흡수 염료들을 조합하여 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광 흡수 효과를 구현할 수도 있다.
제1 광 흡수 염료는 400nm 이상 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
제1 광 흡수 염료는 380nm 초과 410nm 이하의 최대 흡수 파장을 갖는 염료일 수 있다. 제1 광 흡수 염료는 380nm 초과 410nm 이하의 최대 흡수 파장을 갖는 염료일 수 있다. 제1 광 흡수 염료는 400nm 이상 410nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
전술한 바와 같이, 복수 개의 기능층들(120)은 제1 점착층을 포함할 수 있다. 제1 점착층은 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 제1 점착층 이외의 다른 기능층에도 제1 광 흡수 염료가 포함될 수 있고, 제1 점착층이 제1 광 흡수 염료를 포함하지 않을 수도 있다.
제1 점착층은 편광자(110)의 일면과 접하는 것일 수도 있고, 편광자(110)와 이격되어 배치된 것일 수도 있다. 편광 부재(100)는 제1 점착층 이외에 1 이상의 서브 점착층을 더 포함할 수 있다. 서브 점착층 중 적어도 하나가 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 점착층에 포함되는 점착제는 당 기술분야에 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 예를 들어, 제1 점착층은 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 에폭시계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 점착층은 아크릴계 점착제 또는 실리콘계 점착제일 수 있다.
제1 점착층에 포함되는 점착제는 임의의 형태를 갖는 것일 수 있으며, 예를 들어, 활성 에너지 선 경화형 점착제, 용매형(용액형) 점착제, 핫멜트형 점착제, 에멀젼형 점착제 등일 수 있다. 예를 들어, 제1 점착층은 OCA(Optically Clear Adhesive)와 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있고, OCR(Optically Clear Resin)과 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있다.
제1 점착층은 점착 시트 또는 점착 필름 등의 형태를 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이에 한정되는 것은 아니나, 제1 점착층은 약 10㎛ 내지 약 30㎛의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제1 점착층의 두께가 10㎛ 미만일 경우, 점착 효과가 미비하며, 30㎛ 초과일 경우, 점착 부재 전체 두께가 필요 이상으로 두꺼워져, 박형화 추세에 부응하지 못한다는 문제점이 있다.
제1 점착층 중 제1 광 흡수 염료의 중량%는 제1 점착층의 두께에 따라 적절하게 조절될 수 있다. 일반적으로, 제1 점착층의 두께가 두꺼워질수록 제1 광 흡수 염료의 중량%는 작아진다. 제1 점착층 중 제1 광 흡수 염료의 중량%는 예를 들어, 5 중량% 내지 30 중량%일 수 있다. 제1 광 흡수 염료의 중량%가 5 중량% 미만일 경우, 광 흡수 효과가 미비할 수 있으며, 30 중량% 초과할 경우, 제1 점착층의 점착력이 저하되거나, 제1 광 흡수 염료에 의한 착색으로 외관 불량 등의 문제가 발생할 수 있다.
제1 점착층은 필요에 따라 점착제 및 제1 광 흡수 염료 이외의 첨가제를 더 포함하는 것일 수 있다. 첨가제는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 첨가제의 비제한적인 예로는 가교제, 광 안정화제, 가교 촉진제, 산화방지제 등을 들 수 있다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 광 파장 영역별 광 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면, 복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 380nm 초과 780nm 이하의 파장 영역에서의 광 투과율이 파장 영역별로 상이한 것일 수 있다. 구체적으로, 복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하인 것일 수 있다. 복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 0% 초과 5% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 예를 들어, 복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하 또는 0.5% 이하인 것일 수 있다.
본 명세서에서, "광 투과율"이란 대상물(예를 들어, 제1 점착층)에 입사되는 광량을 100%로 보았을 때, 대상물을 통과하여 나오는 광량을 의미하는 것일 수 있다. "광 투과율"은 당 기술분야에 알려진 일반적인 방법으로 측정될 수 있다. 예를 들어, Agilent 社의 Cary 100 UV-vis 또는 FILMETRICS F10-RT-UV 장비 등을 이용하여 측정할 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다. 405nm 부근의 광 투과율이 65% 이하인 것이 바람직하고, 35% 이하인 것이 보다 바람직하다. 복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 초과 65% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 광 투과율이 65%를 초과하는 경우, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역의 광을 효과적으로 차단하지 못한다는 문제점이 있다.
복수 개의 기능층들(120) 중 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율이 높을수록 바람직하다. 410nm 초과 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하일 경우, 표시 패널로부터 출사되는 청색 광 효율이 저해될 수 있다. 410nm 초과 파장 영역에서의 광 투과율을 65% 초과로 조절하여, 청색 광 효율 저해를 최소화할 수 있다. 410nm 초과 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 경우, 표시 패널이 다양한 색을 원활하게 구현하는데 어려움이 발생할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 필요에 따라 추가의 구성요소를 더 포함하는 것일 수 있다. 추가의 구성요소는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 및 편광 부재(100) 사이에 배치된 제2 점착층(300)을 더 포함하는 것일 수 있다. 제2 점착층(300)의 일면은 편광 부재(100)와 접하고, 제2 점착층(300)의 타면은 표시 패널(200)과 접하는 것일 수 있다. 제2 점착층(300)은 양면 점착층으로서 기능을 하는 것일 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 및 편광 부재(100) 사이에 배치된 터치 센싱 유닛(400)을 더 포함하고, 제2 점착층(300)은 표시 패널(200) 및 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 터치 센싱 유닛(400)은 표시 패널(200)의 상면에 직접 배치(directly disposed on)되는 것일 수도 있다.
제2 점착층(300)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제2 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 제2 점착층(300)은 점착 역할만 수행하는 것으로, 제2 광 흡수 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다.
제2 광 흡수 염료는 380nm 초과 450nm 이하 영역의 광을 흡수하는 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 제2 광 흡수 염료는 제1 광 흡수 염료와 동일한 것일 수 있으나, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며 상이할 수도 있다. 제2 광 흡수 염료는 예를 들어, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계, 시너메이트계, 옥사닐라이드계, 폴리스틸렌계, 폴리페로세닐실란계, 메틴계, 아조메틴계, 트리아진계, 파라-아미노벤조산계, 계피산계, 우리카닌산계 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다.
제2 광 흡수 염료는 예를 들어, 2-(2-하이드록시페닐)-벤조트리아졸(2-(2-hydroxyphenyl)-benzotriazole) 유도체를 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 광 흡수 염료는 400nm 이상 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
제2 광 흡수 염료는 380nm 초과 410nm 이하의 최대 흡수 파장을 갖는 염료일 수 있다. 제2 광 흡수 염료는 400nm 이상 410nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
제2 점착층(300)에 포함되는 점착제는 당 기술분야에 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 예를 들어, 제2 점착층(300)은 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 에폭시계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 점착층(300)은 아크릴계 점착제 또는 실리콘계 점착제일 수 있다.
제2 점착층(300)에 포함되는 점착제는 임의의 형태를 갖는 것일 수 있으며, 예를 들어, 활성 에너지 선 경화형 점착제, 용매형(용액형) 점착제, 핫멜트형 점착제, 에멀젼형 점착제 등일 수 있다. 예를 들어, 제2 점착층(300)은 OCA(Optically Clear Adhesive)와 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있고, OCR(Optically Clear Resin)과 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있다.
제2 점착층(300)은 점착 시트 또는 점착 필름 등의 형태를 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 점착층(300)은 예를 들어, 약 20㎛ 내지 약 50㎛의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제2 점착층(300)의 두께는 제1 점착층의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다. 제2 점착층(300)의 두께가 20㎛ 미만일 경우, 점착 효과가 미비하며, 50㎛ 초과일 경우, 점착 부재 전체 두께가 필요 이상으로 두꺼워져, 박형화 추세에 부응하지 못한다는 문제점이 있다.
제2 점착층(300) 중 제2 광 흡수 염료의 중량%는 제2 점착층(300)의 두께에 따라 적절하게 조절될 수 있다. 일반적으로, 제2 점착층(300)의 두께가 두꺼워질수록 제2 광 흡수 염료의 중량%는 작아진다. 예를 들어, 제2 점착층(300) 중 제2 광 흡수 염료의 중량%는 0.5 중량% 내지 15 중량%일 수 있다. 제2 광 흡수 염료의 중량%가 0.5 중량% 미만일 경우, 광 흡수 효과가 미비할 수 있으며, 15 중량% 초과일 경우, 제2 점착층(300)의 점착력이 저하되거나, 제2 광 흡수 염료에 의한 착색으로 외관 불량 등의 문제가 발생할 수 있다.
제2 점착층(300)은 필요에 따라 점착제 및 제2 광 흡수 염료 이외의 첨가제를 더 포함하는 것일 수 있다. 첨가제에 관한 설명은 제1 점착층에서 설명한 바와 동일하다.
제2 점착층(300)은 380nm 초과 780nm 이하의 파장 영역에서의 광 투과율이 파장 영역별로 상이한 것일 수 있다. 구체적으로, 제2 점착층(300)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하인 것일 수 있다. 제2 점착층(300)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 0% 초과 5% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 예를 들어, 제2 점착층(300)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하 또는 0.5% 이하인 것일 수 있다.
제2 점착층(300)은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다. 405nm 부근의 광 투과율이 65% 이하인 것이 바람직하고, 35% 이하인 것이 보다 바람직하다. 제2 점착층(300)은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 초과 65% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 광 투과율이 65%를 초과하는 경우, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역의 광을 효과적으로 차단하지 못한다는 문제점이 있다.
제2 점착층(300)은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율이 높을수록 바람직하다. 410nm 초과 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하일 경우, 표시 패널로부터 출사되는 청색 광 효율이 저해된다는 문제점이 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 편광 부재(100) 상에 배치된 윈도우 부재(500)를 더 포함하는 것일 수 있다. 윈도우 부재(500)는 외부 충격으로부터 편광 부재(100) 및 표시 패널(200)을 포함하는 역할을 수행하는 것일 수 있다. 도시하지는 않았으나, 윈도우 부재(500)의 편광 부재(100)와 대향하는 면 상에는 블랙 매트릭스(black matrix)가 배치될 수 있다. 윈도우 부재(500)는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다.
도 10은 도 9의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 11은 도 9의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 12는 도 9의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 편광 부재(100) 및 윈도우 부재(500) 사이에 배치된 제3 점착층(600)을 더 포함하는 것일 수 있다. 제3 점착층(600)의 일면은 편광 부재(100)와 접하고, 제3 점착층(600)의 타면은 윈도우 부재(500)와 접하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 편광 부재(100) 및 제3 점착층(600) 사이 또는 제3 점착층(600) 및 윈도우 부재(500) 사이에 터치 센싱 유닛(미도시)이 배치될 수 있다. 제3 점착층(600)은 양면 점착층으로서 기능을 하는 것일 수 있다.
도 10을 참조하면, 편광 부재(100) 및 윈도우 부재(500) 사이에 터치 센싱 유닛(400)이 배치될 수 있으며, 제3 점착층(600)은 편광 부재(100)와 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치된 제1 서브 점착층(610), 및 터치 센싱 유닛(400)와 윈도우 부재(500) 사이에 제2 서브 점착층(620)을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 도 11을 참조하면, 터치 센싱 유닛(400)은 편광 부재(100) 및 표시 패널(200) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 터치 센싱 유닛(400)은 점착층을 매개로 표시 패널(200) 상에 배치될 수도 있고, 표시 패널(200) 상에 직접 배치될 수도 있다.
본 발명의 실시예는 다양하게 변경될 수 있으며, 도 12를 참조하면, 제3 점착층(600)은 편광 부재(100)와 표시 패널(200) 사이에 배치된 서브 점착층(620)을 포함할 수 있다.
제3 점착층(600)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제3 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제3 점착층(600)이 제1 서브 점착층(610) 및 제2 서브 점착층(620)을 포함하는 경우, 제1 서브 점착층(610) 및 제2 서브 점착층(620) 중 적어도 하나가 제3 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 제3 점착층(600)은 점착 역할만 수행하는 것으로, 제3 광 흡수 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다.
제3 광 흡수 염료는 380nm 초과 450nm 이하 영역의 광을 흡수하는 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 제3 광 흡수 염료는 제1 광 흡수 염료와 동일한 것일 수 있으나, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 제1 광 흡수 염료와 상이한 것일 수도 있다. 제3 광 흡수 염료는 예를 들어, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계, 시너메이트계, 옥사닐라이드계, 폴리스틸렌계, 폴리페로세닐실란계, 메틴계, 아조메틴계, 트리아진계, 파라-아미노벤조산계, 계피산계, 우리카닌산계 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다.
제3 광 흡수 염료는 예를 들어, 2-(2-하이드록시페닐)-벤조트리아졸(2-(2-hydroxyphenyl)-benzotriazole) 유도체를 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제3 광 흡수 염료는 400nm 이상 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
제3 광 흡수 염료는 380nm 초과 410nm 이하의 최대 흡수 파장을 갖는 염료일 수 있다. 제3 광 흡수 염료는 400nm 이상 410nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
제3 점착층(600)에 포함되는 점착제는 당 기술분야에 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 예를 들어, 제3 점착층(600)은 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 에폭시계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제3 점착층(600)은 아크릴계 점착제 또는 실리콘계 점착제일 수 있다.
제3 점착층(600)에 포함되는 점착제는 임의의 형태를 갖는 것일 수 있으며, 예를 들어, 활성 에너지 선 경화형 점착제, 용매형(용액형) 점착제, 핫멜트형 점착제, 에멀젼형 점착제 등일 수 있다. 예를 들어, 제3 점착층(600)은 OCA(Optically Clear Adhesive)와 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있고, OCR(Optically Clear Resin)과 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있다.
제3 점착층(600)은 점착 시트 또는 점착 필름 등의 형태를 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 점착층(600)은 예를 들어, 약 70㎛ 내지 약 200㎛의 두께를 갖는 것일 수 있다. 제3 점착층(600)의 두께는 제1 점착층의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다. 제3 점착층(600)의 두께는 제2 점착층(300)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다. 제3 점착층(600)의 두께가 70㎛ 미만일 경우, 점착 효과가 미비하여 층간 박리가 발생할 수 있으며, 200㎛ 초과일 경우, 박형화 추세에 부응하지 못한다는 문제점이 있다.
제3 점착층(600) 중 제3 광 흡수 염료의 중량%는 제3 점착층(600)의 두께에 따라 적절하게 조절될 수 있다. 일반적으로, 제3 점착층(600)의 두께가 두꺼워질수록 제3 광 흡수 염료의 중량%는 작아진다. 예를 들어, 제3 점착층(600) 중 제3 광 흡수 염료의 중량%는 0.1 중량% 내지 10 중량%일 수 있다. 제3 광 흡수 염료의 중량%가 0.1 중량% 미만일 경우, 광 흡수 효과가 미비할 수 있으며, 10 중량% 초과일 경우, 제3 점착층(600)의 점착력이 저하되거나, 제3 광 흡수 염료에 의한 착색으로 외관 불량 등의 문제가 발생할 수 있다.
제3 점착층(600)은 필요에 따라 점착제 및 제3 광 흡수 염료 이외의 첨가제를 더 포함하는 것일 수 있다. 첨가제에 관한 설명은 제1 점착층에서 설명한 바와 동일하다.
제3 점착층(600)은 380nm 초과 780nm 이하의 파장 영역에서의 광 투과율이 파장 영역별로 상이한 것일 수 있다. 구체적으로, 제3 점착층(600)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하인 것일 수 있다. 제3 점착층(600)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 0% 초과 5% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 예를 들어, 제3 점착층(600)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하 또는 0.5% 이하인 것일 수 있다.
제3 점착층(600)은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다. 405nm 부근의 광 투과율이 65% 이하인 것이 바람직하고, 35% 이하인 것이 보다 바람직하다. 제3 점착층(600)은 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 초과 65% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 광 투과율이 65%를 초과하는 경우, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역의 광을 효과적으로 차단하지 못한다는 문제점이 있다.
제3 점착층(600)은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율이 높을수록 바람직하다. 410nm 초과 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하일 경우, 표시 패널로부터 출사되는 청색 광 효율이 저해된다는 문제점이 있다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(200)은 편광 부재(100) 하부에 배치된다. 이하에서는 표시 패널(200)이 유기 전계 발광 표시 패널인 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 패널(200)은 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 플라즈마 표시 패널(plasma display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel) 등일 수도 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시한다. 표시 장치(10)의 두께 방향에서 보았을 때, 표시 영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PA)을 포함한다. 화소 영역들(PA)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 화소 정의막(도 16의 PDL)에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 복수의 화소들(도 14의 PX) 각각을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는다. 표시 장치(10)를 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 비표시 영역(NDA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)을 둘러싸는 것일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 표시 영역(DA)과 인접할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다. 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다. 도 16은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 화소들(PX) 각각은 게이트 배선들(GL), 데이터 배선들(DL) 및 구동 전압 배선들(DVL)으로 이루어진 배선부와 연결될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 유기 전계 발광 소자(OEL) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서는 하나의 화소가 하나의 게이트 배선, 하나의 데이터 배선 및 하나의 구동 전압 배선과 연결되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 복수 개의 화소들(PX)이 하나의 게이트 배선, 하나의 데이터 배선 및 하나의 구동 전압 배선과 연결될 수 있다. 또한, 하나의 화소는 적어도 하나의 게이트 배선, 적어도 하나의 데이터 배선 및 적어도 하나의 구동 전압 배선과 연결될 수도 있다.
게이트 배선들(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 데이터 배선들(DL)은 게이트 배선들(GL)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 구동 전압 배선들(DVL)은 데이터 배선들(DL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 게이트 배선들(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 배선들(DL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 배선들(DVL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 구동 전압을 제공한다.
화소들(PX) 각각은 특정 컬러의 광, 예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 중 하나를 출사할 수 있다. 컬러 광의 종류는 상기한 것에 한정된 것은 아니며, 예를 들어, 시안광, 마젠타광, 옐로우광 등이 추가될 수 있다. 화소들(PX) 각각이 백색광을 출사하는 것일 수도 있다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 전계 발광 소자(OEL)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 화소들(PX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 화소들(PX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 화소들(PX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 배선들(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 배선들(DL)에 연결된다. 제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 공통 전극(CE1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 배선들(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 배선들(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 공통 전극(CE1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 구동 전압 배선들(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)에 의해 제1 전극(EL1)과 연결된다.
제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 발광층(EML)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 광을 출사함으로써 영상을 표시한다.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제1 드레인 전극(DE1)과 제6 콘택홀(CH6)에 의해 연결되는 제1 공통 전극(CE1) 및 구동 전압 배선들(DVL)과 연결되는 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
도 14 내지 도 16을 참조하면, 베이스 기판(BS)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 플라스틱, 유기 고분자 등을 포함할 수 있다. 베이스 기판(BS)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 베이스 기판(BS)은 유리 기판일 수도 있다. 베이스 기판(BS)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 베이스 기판(BS)은 투명한 것일 수 있다.
베이스 기판(BS) 상에는 기판 버퍼층(미도시)이 배치될 수 있다. 기판 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 기판 버퍼층(미도시)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판(BS)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
베이스 기판(BS) 상에는 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)이 배치된다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 반도체 소재로 형성되며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 각각 소스부(SA), 드레인부(DRA) 및 소스부(SA)과 드레인부(DRA) 사이에 배치된 채널 영역(CA)을 포함한다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다. 소스부(SA) 및 드레인부(DRA)은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2) 상에는 게이트 절연층(GI)이 배치된다. 게이트 절연층(GI)은 제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상에는 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 배치된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)의 채널 영역(CA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 상에는 절연층(IL)이 배치된다. 절연층(IL)은 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다. 절연층(IL)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
절연층(IL)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 배치된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)에 의해 제2 반도체 패턴(SM2)의 드레인부(DRA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)에 의해 제2 반도체 패턴(SM2)의 소스부(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)에 의해 제1 반도체 패턴(SM1)의 소스부(미도시)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(GI) 및 절연층(IL)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 반도체 패턴(SM1)의 드레인부(미도시)과 접촉한다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 패시베이션층(PL)이 배치된다. 패시베이션층(PL)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
패시베이션층(PL) 상에는 제1 전극(EL1)이 배치된다. 제1 전극(EL1)은 예를 들어 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 패시베이션층(PL)에 형성되는 제3 콘택홀(CH3)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다.
패시베이션층(PL) 상에는 화소들(PX) 각각에 대응하도록 발광층(EML)을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 배치된다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며, 베이스 기판(BS)으로부터 돌출된다. 화소 정의막(PDL)은 이에 한정하는 것은 아니나, 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 LiF, BaF2, 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 갖는다. 화소 정의막(PDL)의 두께는 예를 들어, 10 nm 내지 100 nm일 수 있다.
화소 정의막(PDL)에 의해 둘러싸인 영역에는 유기 전계 발광 소자(OEL)가 배치된다. 유기 전계 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1), 유기층(OL) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다. 유기층(OL)은 발광층(EML)을 포함한다. 보다 구체적으로, 유기층(OL)은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(OEL)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되는 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1) 상에는 유기층(OL)이 배치될 수 있다. 유기층(OL)은 발광층(EML)을 포함한다. 유기층(OL)은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 배치된다. 정공 수송 영역(HTR)은, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층들의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용될 수 있다.
발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 페릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다. 발광층(EML)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 배치된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 보조 전극은 당 기술분야에 알려진 재료라면 제한없이 채용될 수 있다. 예를 들어, 보조 전극은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니고, 보조 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 보조 전극은 제2 전극(EL2)과 연결되어, 제2 전극(EL2)의 저항값을 낮추는 역할을 수행할 수 있다.
유기 전계 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(OEL)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
유기 전계 발광 소자(OEL)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)으로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
제2 전극(EL2) 상에 캡핑층(CPL)이 배치된다. 캡핑층(CPL)은 유기 전계 발광 소자(OEL)의 광로 길이를 조절하여 광학 간섭 거리의 조정을 행한다. 캡핑층(CPL)은 수분 및/또는 산소로부터 유기층(OL)을 보호하는 역할도 수행하는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 필요에 따라, 광학적 특성이 부여될 수 있으며, 예를 들어, 광 추출 효율을 향상시키는 역할도 수행할 수 있다.
캡핑층(CPL)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 유기 재료로 형성되는 것일 수 있다. 유기 재료는 예를 들어, 하기의 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00001
캡핑층(CPL)은 당 기술분야에 알려진 일반적인 캡핑층 재료 및 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제4 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 이 경우, 캡핑층(CPL)은 예를 들어, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등과 같은 투명 유기 물질을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 캡핑층(CPL)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수도 있다.
제4 광 흡수 염료는 전술한 제1 광 흡수 염료와 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 제4 광 흡수 염료는 예를 들어, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 살리실에이트계, 시아노아크릴레이트계, 시너메이트계, 옥사닐라이드계, 폴리스틸렌계, 폴리페로세닐실란계, 메틴계, 아조메틴계, 트리아진계, 파라-아미노벤조산계, 계피산계, 우리카닌산계 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다.
제4 광 흡수 염료는 400nm 이상 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
제4 광 흡수 염료는 380nm 초과 410nm 이하의 최대 흡수 파장을 갖는 염료일 수 있다. 제4 광 흡수 염료는 400nm 이상 410nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다.
캡핑층(CPL)은 이에 한정되는 것은 아니나 20nm 내지 200nm의 두께를 갖는 것일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)은 60nm 내지 80nm의 두께를 갖는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)의 두께가 20nm 미만인 경우, 캡핑층(CPL)이 원활한 공진 효과를 발생시키지 못하고, 캡핑층(CPL)의 두께가 200nm 초과인 경우, 두께가 필요 이상으로 두꺼워져 표시 장치의 박형화 추세에 부응하지 못하는 문제점이 있다.
캡핑층(CPL)은 400nm 초과 410 nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다. 405nm 부근의 광 투과율이 65% 이하인 것이 바람직하다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)의 400nm 초과 410 nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율은 5% 초과 65% 이하인 것일 수 있다. 광 투과율이 65% 초과인 경우, 유기층(OL)으로 유입되는 자외선 및 일부의 가시광선을 효과적으로 차단하지 못해 유기층(OL)의 열화를 방지하지 못한다는 문제점이 있다.
캡핑층(CPL)은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다. 광 투과율이 65% 이하인 경우, 발광층(EML)에서 출사되는 청색 광의 효율이 저하된다는 문제점이 있다.
이에 한정되는 것은 아니나, 캡핑층(CPL)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하인 것일 수 있다. 예를 들어, 0% 초과 5% 이하인 것일 수 있다.
캡핑층(CPL)의 광 투과율은 당 기술분야에 알려진 일반적인 방법으로 측정될 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)의 광 투과율은 실리콘 기판에 70nm 두께의 캡핑층(CPL)을 형성한 뒤, FILMETRICS F10-RT-UV 장비 또는 또는 FILMETRICS F10-RT-UV 장비 등을 이용하여 측정될 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
캡핑층(CPL) 상에 봉지층(SL)이 배치된다. 봉지층(SL)은 하부에 위치한 층들을 커버하는 것일 수 있다. 예를 들어, 봉지층(SL)은 제1 전극(EL1), 유기층(OL), 제2 전극(EL2) 및 캡핑층(CPL)의 양 측면을 커버하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
봉지층(SL)은 유리를 포함하는 것일 수 있다. 봉지층(SL)은 유리로 형성된 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 봉지층(SL)은 유기물 및 무기물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수도 있다. 봉지층(SL)은 예를 들어, 서로 교번적으로 적층된 복수 개의 무기막들 및 복수 개의 유기막들을 포함하는 것일 수 있다. 복수 개의 무기막들은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 예를 들어, 복수의 무기막들은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 복수의 유기막들은 무기막들의 내부 스트레스를 완화시키며, 무기막들의 결함을 보완하고 평탄화하는 기능을 수행한다. 복수의 유기막들 각각은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에 포함되는 유기 전계 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층/전자 주입층/제2 전극/캡핑층/봉지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 패널(200)에 포함되는 유기층(OL)은 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선에 의해 열화될 수 있으며, 이는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상 발생의 원인이 된다. 이는 표시 패널의 발광 영역의 감소로 이어지고 결과적으로 표시 패널의 효율이 떨어지고 휘도가 감소하게 된다. 또한, 유기층(OL)의 열화는 표시 패널(200)의 색 온도 변화를 야기한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 상에 배치되는 편광 부재(100) 내부에 자외선 및 일부의 가시광선을 흡수하는 기능층을 개재하여, 표시 패널의 자외선 및 일부의 가시광선에 의한 열화를 억제한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200)의 외부 광에 의한 열화를 억제하여 화소 수축 문제를 최소화하여 휘도 저하 개선 및 신뢰성 향상을 구현할 수 있고, 색 온도 변화율을 최소화할 수 있다.
유기층(OL)의 자외선 및 일부 가시광선에 의한 열화는 유기층(OL)의 재료에 따라 그 정도에서 차이를 보일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 상부에서 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하여, 유기층(OL) 재료를 불문하고, 표시 패널(200) 열화를 억제한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관하여 설명한다. 이하에서는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관한 설명에 따른다.
다시 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 및 표시 패널(200) 상에 배치된 편광 부재(100)를 포함한다. 편광 부재(100)는 자외선 및 일부의 가시광선을 흡수하는 제5 광 흡수 염료를 포함한다. 구체적으로, 편광 부재(100)는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제5 광 흡수 염료를 포함한다.
제5 광 흡수 염료는 전술한 제1 광 흡수 염료와 동일한 것일 수도 있고, 상이한 것일 수도 있다. 특별히 설명되지 않은 제5 광 흡수 염료에 관한 설명은 제1 광 흡수 염료에 관한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 편광 부재(100)는 380nm 초과 780nm 이하의 파장 영역에서의 광 투과율이 파장 영역별로 상이한 것일 수 있다. 구체적으로, 편광 부재(100)는 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하인 것일 수 있다. 편광 부재(100)는 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 0% 초과 5% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다. 예를 들어, 편광 부재(100)는 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하 또는 0.5% 이하인 것일 수 있다.
편광 부재(100)는 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다. 편광 부재(100)는 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 초과 65% 이하인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율은 낮을수록 바람직하다.
편광 부재(100)는 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율이 높을수록 바람직하다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 편광 부재의 적어도 일면에 배치된 제4 점착층(300, 600)을 더 포함하는 것일 수 있다.
제4 점착층(300, 600)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제6 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 제4 점착층(300, 600)은 점착 역할만 수행하는 것으로, 제6 광 흡수 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다.
제6 광 흡수 염료는 제5 광 흡수 염료와 동일한 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며 제5 광 흡수 염료와 상이한 것일 수도 있다. 특별히 설명되지 않은 제6 광 흡수 염료에 관한 설명은 제5 광 흡수 염료에 관한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
제4 점착층(300, 600)은 양면 점착층으로서 기능을 하는 것일 수 있다. 제4 점착층(300, 600)에 포함되는 점착제는 당 기술분야에 일반적인 것이라면 제한없이 채용할 수 있다. 예를 들어, 제4 점착층(300, 600)은 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 에폭시계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 또는 이들의 조합을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제4 점착층(300, 600)은 아크릴계 점착제 또는 실리콘계 점착제일 수 있다.
제4 점착층(300, 600)에 포함되는 점착제는 임의의 형태를 갖는 것일 수 있으며, 예를 들어, 활성 에너지 선 경화형 점착제, 용매형(용액형) 점착제, 핫멜트형 점착제, 에멀젼형 점착제 등일 수 있다. 예를 들어, 제4 점착층(300, 600)은 OCA(Optically Clear Adhesive)와 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있고, OCR(Optically Clear Resin)과 같은 점착제를 포함하는 것일 수도 있다.
제4 점착층(300, 600)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다. 제4 점착층(300, 600)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것일 수 있다. 제4 점착층(300, 600)은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 0% 초과 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 초과 65% 이하인 것일 수 있다.
제4 점착층(300, 600)은 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있으며, 상기 범위 내에서 광 투과율이 높을수록 바람직하다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관하여 설명한다. 이하에서는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관한 설명에 따른다.
다시 도 1, 도 3 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예는 표시 패널(200) 및 표시 패널(200) 상에 배치된 편광 부재(100)를 포함하고, 표시 패널(100)은 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치되고 발광층(EML)을 포함하는 유기층(OL), 유기층(OL) 상에 배치된 제2 전극(EL2), 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL) 및 캡핑층(CPL) 상에 배치된 봉지층(SL)을 포함하며, 편광 부재(100)는 편광자(110) 및 편광자(110)의 적어도 일면에 배치된 복수 개의 기능층들(120)을 포함하고, 복수 개의 기능층들(120) 중 적어도 하나 및 캡핑층(CPL)은 각각 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제7 광 흡수 염료를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
특별히 설명되지 않은 제7 광 흡수 염료에 관한 설명은 제1 광 흡수 염료에 관한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 상부에 배치되는 편광 부재(100)에서 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하여 표시 패널(200)의 열화를 억제할 수 있다. 이로 인해, 화소 수축 현상을 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 휘도 저하를 최소화할 수 있으며, 색 온도 변화율을 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관하여 설명한다. 이하에서는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관한 설명에 따른다.
다시 도 9 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예는 표시 패널(200), 편광 부재(100), 터치 센싱 유닛(400), 윈도우 부재(500), 및 1 이상의 점착층(600)을 포함하는 표시 장치를 제공한다. 편광 부재(100) 및 터치 센싱 유닛(400)은 표시 패널(200) 상에 배치된다. 윈도우 부재(500)는 편광 부재(100) 및 터치 센싱 유닛(400) 상에 배치된다. 1 이상의 점착층(600)은 표시 패널(100) 및 윈도우 부재(500) 사이에 배치된다. 1 이상의 점착층 중 적어도 하나는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제8 광 흡수 염료를 포함한다. 제8 광 흡수 염료에 관한 설명은 제1 광 흡수 염료에 관한 설명과 동일한 바, 생략하도록 한다.
터치 센싱 유닛(400)은 편광 부재(100) 상에 배치되는 것일 수 있다. 터치 센싱 유닛(400)과 편광 부재(100) 사이에는 1 이상의 점착층(600) 중 하나가 배치될 수도 있고, 터치 센싱 유닛(400)과 편광 부재(100)가 서로 접하는 것일 수도 있다.
도 10을 참조하면, 1 이상의 점착층(600)은 편광 부재(100)와 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치된 제1 서브 점착층(610) 및 터치 센싱 유닛(400)과 윈도우 부재(500) 사이에 배치된 제2 서브 점착층(620)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 점착층(610) 및 제2 서브 점착층(620) 중 적어도 하나는 제8 광 흡수 염료를 포함한다.
도 11을 참조하면, 편광 부재(100)가 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치되고, 터치 센싱 유닛(400)은 표시 패널(200) 상에 직접 배치되는 것일 수 있다. 1 이상의 점착층(600)은 편광 부재(100) 및 윈도우 부재(500) 사이에 배치된 제1 서브 점착층(600)을 포함하고, 제1 서브 점착층(600)은 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 도 11에 도시되지는 않았으나, 1 이상의 점착층(600)은 편광 부재(100)와 터치 센싱 유닛(200) 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 12를 참조하면, 편광 부재(100)는 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치되고, 1 이상의 점착층(600)은 표시 패널(200)과 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치된 제1 서브 점착층(610) 및 편광 부재(100)와 윈도우 부재(500) 사이에 배치된 제2 서브 점착층(620)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 점착층(610) 및 제2 서브 점착층(620) 중 적어도 하나는 제8 광 흡수 염료를 포함한다.
1 이상의 점착층(600) 중 제8 광 흡수 염료를 포함하는 점착층은 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하이며, 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것일 수 있다.도 16을 참조하면, 전술한 바와 같이 표시 패널(200)은 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치되고 발광층(EML)을 포함하는 유기층(OL), 유기층(OL) 상에 배치되는 제2 전극(EL2), 및 제2 전극(EL2) 상에 배치되는 캡핑층(CPL)을 포함할 수 있고, 캡핑층(CPL)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제9 광 흡수 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제9 광 흡수 염료에 관한 설명은 제1 광 흡수 염료에 관한 설명과 동일한 바 생략하도록 한다. 제9 광 흡수 염료는 제8 광 흡수 염료와 동일하거나 상이하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(200) 상부에 배치되는 점착층(600)이 외부에서 발생하는 자외선 및 일부의 가시광선을 차단하여 표시 패널(200)의 열화를 억제할 수 있다. 이로 인해, 화소 수축 현상을 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 휘도 저하를 최소화할 수 있으며, 색 온도 변화율을 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관하여 설명한다. 이하에서는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관한 설명에 따른다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 19 및 도 20을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 전술한 표시 장치와 달리 편광 부재(예를 들어, 도 1의 100)을 포함하지 않는 것일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(100) 상에 배치된 컬러 필터층(700)을 포함할 수 있다.
컬러 필터층(700)은 제1 방향(DR1)으로 배치된 제1 서브 컬러 필터층(700-R), 제2 서브 컬러 필터층(700-G) 및 제3 컬러 필터층(700-B)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 컬러 필터층(700-R)은 적색 컬러 필터층이고, 제2 서브 컬러 필터층(700-G)은 녹색 컬러 필터층이며, 제3 서브 컬러 필터층(700-B)은 청색 컬러 필터층일 수 있다. 제1 서브 컬러 필터층(700-R) 및 제2 서브 컬러 필터층(700-G) 사이에는 블랙 매트리스(BM)가 배치될 수 있고, 제2 서브 컬러 필터층(700-G) 및 제3 서브 컬러 필터층(700-B) 사이에는 블랙 매트리스(BM)가 배치될 수 있다. 컬러 필터층(700)과 블랙 매트리스(BM)는 동일한 층 상에 배치되는 것일 수 있다.
컬러 필터층(700) 및 블랙 매트리스(BM)는 표시 패널(200)로 입사된 외부의 광이 반사되어 사용자에게 시인됨을 방지하도록 입사된 광이 반사되어 출사되는 것을 방지하는 기능을 한다.
도 18에 도시한 바와 같이, 컬러 필터층(700)은 표시 패널(200) 및 터치 센싱 유닛(400) 사이에 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 19를 참조하면, 컬러 필터층(700)은 터치 센싱 유닛(400) 상에 배치될 수도 있으며, 구체적으로, 터치 센싱 유닛(400) 및 윈도우 부재(500) 사이에 배치될 수도 있다.
컬러 필터층(700)은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제10 광 흡수 염료를 포함할 수 있다. 제10 광 흡수 염료에 관한 설명은 제1 광 흡수 염료에 관한 설명과 동일한 바 생략하도록 한다. 예를 들어, 제1 서브 컬러 필터층(700-R), 제2 서브 컬러 필터층(700-G) 및 제3 서브 컬러 필터층(700-B) 적어도 하나가 제10 광 흡수 염료를 포함할 수 있다.
구체적으로 도시하지는 않았으나, 컬러 필터층(700)은 제1 서브 컬러 필터층(700-R), 제2 서브 컬러 필터층(700-G) 및 제3 서브 컬러 필터층(700-B) 상에 배치된 오버코트층을 더 포함할 수 있으며, 제10 광 흡수 염료가 오버코트층에 포함될 수 있다.
구체적으로 도시하지는 않았으나, 터치 센싱 유닛(400)은 제1 감지 전극, 제2 감지 전극 및 제1 감지 전극과 제2 감지 전극 사이에 배치된 절연층을 포함하며, 절연층이 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제11 광 흡수 염료를 포함할 수 있다. 제11 광 흡수 염료에 관한 설명은 제1 광 흡수 염료에 관한 설명과 동일한 바 생략하도록 한다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
제1 광 흡수 염료로 BASF 社 Tinuvin Carboprotect(광 흡수 염료 A), Tinuvin 1130(광 흡수 염료 B) 및 Tinuvin 326(광 흡수 염료 C)를 2종 이상 혼합하여 실시예 1 내지 3의 편광 부재를 제작하였다.
도 17a는 광 흡수 염료 A 내지 C 각각의 파장 영역별 광 투과율을 나타낸 그래프이다.
1. 실시예 1
실시예 1은 1L의 톨루엔 용매에 Tinuvin 1130 20mg 및 Tinuvin 326 200mg을 첨가한 조성물을 이용하여 형성한 제1 점착층을 포함하는 편광 부재이다.
2. 실시예 2
실시예 2는 1L의 톨루엔 용매에 Tinuvin 1130 20mg 및 Tinuvin 326 400mg을 첨가한 조성물을 이용하여 형성한 제1 점착층을 포함하는 편광 부재이다.
3. 실시예 3
실시예 3은 1L의 톨루엔 용매에 Tinuvin Carboprotect 10mg, Tinuvin 1130 20mg 및 Tinuvin 326 500mg을 첨가한 조성물을 이용하여 형성한 제1 점착층을 포함하는 편광 부재이다.
도 17b는 실시예 1 내지 3 각각의 파장 영역별 광 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 17b의 결과로부터, 광 흡수 염료를 적절하게 조합하여 380nm 초과 450nm 이하의 광 흡수 효과를 구현할 수 있음을 알 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되지 않으며, 1종의 광 흡수 염료을 단독으로 사용하여 380nm 초과 450nm 이하의 광 흡수 효과를 구현할 수도 있다.
실시예 3의 경우, 380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고, 400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하이며, 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만의 범위를 만족하는 실시예이다. 상기 결과를 통해, 광 흡수 염료를 적절하게 조합하여 파장 영역별로 목적하는 광 투과율을 조절할 수 있음을 알 수 있다.
[실험예]
4. 실시예 4
실시예 4로 380nm 초과 410nm 이하의 광을 흡수하는 염료를 포함하는 제1 점착층을 포함하는 편광부재를 제작하였다.
[비교예 1]
비교예 1은 380nm 이하의 광을 흡수하는 염료를 포함하는 점착층을 포함하는 편광부재이다.
실시예 4 및 비교예 1 각각에 410nm 이하의 광(자외선 및 일부의 가시광선)을 조사하여, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 각각의 화소 축소(pixel shrinkage) 발생 여부를 관측하였다. 그 결과를 도 13에 나타내었다.
도 18의 Ref.는 비교예 1에 따른 편광 부재에 자외선 및 일부 가시광선을 조사하지 않은 상태에서의 결과이다. 도 18에서, 위에 도시된 화소는 적색 화소이고, 중간에 도시된 화소는 녹색 화소이며, 아래에 도시된 화소는 청색 화소이다. 도 18에서 N.D는 화소 축소(pixel shrinkage) 현상으로 인해 발광 영역이 관측되지 않은 경우를 의미한다.
도 18을 참조하면, 380nm 초과 410nm 이하의 광을 흡수하는 염료를 포함하는 제1 점착층을 포함하는 편광 부재를 표시 패널 상에 배치한 실시예 4의 경우 화소 축소(pixel shrinkage) 현상이 발생하지 않았으나, 380nm 이하의 광을 흡수하는 염료를 포함하는 점착층을 포함하는 편광 부재를 표시 패널 상에 배치한 비교예 1의 경우 화소 축소(pixel shrinkage) 현상이 발생한 것을 알 수 있다. 상기 결과를 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널의 열화를 발생시킬 수 있는 외부 광을 차단할 수 있는 점착층을 포함하는 편광 부재를 표시 패널 상부에 제공함으로써 외부 광에 의한 표시 패널 열화를 방지할 수 있음을 알 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (38)

  1. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고,
    상기 편광 부재는
    편광자; 및
    상기 편광자의 적어도 일면에 배치된 복수 개의 기능층들을 포함하고,
    상기 복수 개의 기능층들 중 적어도 하나는
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광 흡수 염료는
    벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 살리실에이트계, 시아노아크릴레이트계, 시너메이트계, 옥사닐라이드계, 폴리스틸렌계, 폴리페로세닐실란계, 메틴계, 아조메틴계, 트리아진계, 파라-아미노벤조산계, 계피산계, 우리카닌산계 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 기능층들은
    λ/4 위상 지연층, λ/2 위상 지연층, 보호 필름, 반사방지층, 하드코팅층, 휘도향상필름, 제1 점착층 및 표면처리층 중 적어도 하나를 포함하는 것인 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 점착층이 상기 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수 개의 기능층들은
    상기 λ/4 위상 지연층, 상기 λ/2 위상 지연층 및 상기 제1 점착층을 포함하고,
    상기 λ/2 위상 지연층 및 상기 제1 점착층은 상기 편광자 및 상기 λ/4 위상 지연층 사이에 배치되며,
    상기 제1 점착층이 상기 제1 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 점착층은 상기 λ/4 위상 지연층와 상기 λ/2 위상 지연층 사이에 배치되는 것인 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 점착층은 상기 편광자와 상기 λ/2 위상 지연층 사이에 배치되는 것인 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 기능층들 중 상기 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은
    380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고,
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 기능층들 중 상기 제1 광 흡수 염료를 포함하는 기능층은
    410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 표시 패널 및 상기 편광 부재 사이에 배치된 제2 점착층을 더 포함하고,
    상기 제2 점착층은
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제2 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 광 흡수 염료는
    상기 제1 광 흡수 염료와 동일한 것인 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 점착층은
    380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고,
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것인 표시 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 점착층은
    410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 표시 패널 및 상기 편광 부재 사이에 배치된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고,
    상기 제2 점착층은 상기 표시 패널 및 상기 터치 센싱 유닛 사이에 배치되는 것인 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 편광 부재 상에 배치된 윈도우 부재; 및
    상기 편광 부재 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 제3 점착층을 더 포함하고,
    상기 제3 점착층은
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제3 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제3 광 흡수 염료는
    상기 제1 광 흡수 염료와 동일한 것인 표시 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제3 점착층은
    380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고,
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것인 표시 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제3 점착층은
    410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 편광 부재 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고,
    상기 제3 점착층은 상기 편광 부재 및 상기 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 제1 서브 점착층, 및 상기 터치 센싱 유닛 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함하며,
    상기 제1 서브 점착층 및 상기 제2 서브 점착층 중 적어도 하나는 상기 제3 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 표시 패널 및 상기 편광 부재 사이에 배치된 터치 센싱 유닛을 더 포함하고, 상기 터치 센싱 유닛은 상기 표시 패널 상에 직접 배치된 것인 표시 장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 표시 패널은
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되고, 발광층을 포함하는 유기층;
    상기 유기층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치된 캡핑층; 및
    상기 캡핑층 상에 배치된 봉지층을 포함하고,
    상기 캡핑층은
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제4 광 흡수 염료 또는 유기 재료를 포함하는 것인 표시 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 봉지층은
    유리를 포함하는 것인 표시 장치.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 캡핑층은
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것인 표시 장치.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 캡핑층은
    410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  25. 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고,
    상기 편광 부재는
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제5 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 편광 부재는
    380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고,
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것인 표시 장치.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 편광 부재는 410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 편광 부재의 적어도 일면에 배치된 제4 점착층을 더 포함하고,
    상기 제4 점착층은
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제6 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제6 광 흡수 염료는
    상기 제5 광 흡수 염료와 동일한 것인 표시 장치.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 제4 점착층은
    380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고,
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하인 것인 표시 장치.
  31. 제28항에 있어서,
    상기 제4 점착층은
    410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  32. 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고,
    상기 표시 패널은
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되고, 발광층을 포함하는 유기층;
    상기 유기층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치된 캡핑층; 및
    상기 캡핑층 상에 배치된 봉지층을 포함하며,
    상기 편광 부재는
    편광자; 및
    상기 편광자의 적어도 일면에 배치된 복수 개의 기능층들을 포함하고,
    상기 복수 개의 기능층들 중 적어도 하나 및 상기 캡핑층은 각각
    380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제7 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  33. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치된 편광 부재 및 터치 센싱 유닛;
    상기 편광 부재 및 상기 터치 센싱 유닛 상에 배치된 윈도우 부재; 및
    상기 표시 패널 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 1 이상의 점착층을 포함하고,
    상기 1 이상의 점착층 중 적어도 하나는 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 터치 센싱 유닛은 상기 편광 부재 상에 배치되며,
    상기 1 이상의 점착층은
    상기 편광 부재 및 상기 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 제1 서브 점착층; 및
    상기 터치 센싱 유닛 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함하고,
    상기 제1 서브 점착층 및 상기 제2 서브 점착층 중 적어도 하나는 상기 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  35. 제33항에 있어서,
    상기 편광 부재는 상기 터치 센싱 유닛 상에 배치되며,
    상기 1 이상의 점착층은
    상기 표시 패널 및 상기 터치 센싱 유닛 사이에 배치된 제1 서브 점착층; 및
    상기 편광 부재 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 제2 서브 점착층을 포함하고,
    상기 제1 서브 점착층 및 상기 제2 서브 점착층 중 적어도 하나는 상기 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  36. 제33항에 있어서,
    상기 편광 부재는 상기 터치 센싱 유닛 상에 배치되며,
    상기 터치 센싱 유닛은 상기 표시 패널 상에 직접 배치되고,
    상기 1 이상의 점착층은 상기 편광 부재 및 상기 윈도우 부재 사이에 배치된 제1 서브 점착층을 포함하고, 상기 제1 서브 점착층은 상기 제8 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
  37. 제33항에 있어서,
    상기 1 이상의 점착층 중 상기 제8 광 흡수 염료를 포함하는 점착층은
    380nm 초과 400nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 5% 이하이고,
    400nm 초과 410nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 이하이며,
    410nm 초과 780nm 이하 파장 영역에서의 광 투과율이 65% 초과 100% 미만인 것인 표시 장치.
  38. 제33항에 있어서,
    상기 표시 패널은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고 발광층을 포함하는 유기층, 상기 유기층 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제2 전극 상에 배치된 캡핑층을 포함하고,
    상기 캡핑층은 380nm 초과 450nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 제9 광 흡수 염료를 포함하는 것인 표시 장치.
KR1020170028481A 2016-04-29 2017-03-06 표시 장치 KR102319108B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210683917.0A CN114973928A (zh) 2016-04-29 2017-04-28 显示设备
US15/581,267 US11114645B2 (en) 2016-04-29 2017-04-28 Polarization member and display device including the same
CN201710292847.5A CN107340557B (zh) 2016-04-29 2017-04-28 显示设备
JP2017089860A JP7418943B2 (ja) 2016-04-29 2017-04-28 表示装置
EP17168630.6A EP3239747B1 (en) 2016-04-29 2017-04-28 Polarization member and display device including the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160053283 2016-04-29
KR20160053283 2016-04-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170124438A true KR20170124438A (ko) 2017-11-10
KR102319108B1 KR102319108B1 (ko) 2021-11-01

Family

ID=60158560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170028481A KR102319108B1 (ko) 2016-04-29 2017-03-06 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20170317316A1 (ko)
KR (1) KR102319108B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190076090A (ko) * 2017-12-21 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
US10620465B2 (en) 2017-09-18 2020-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
US11686970B2 (en) 2020-07-08 2023-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102543575B1 (ko) * 2016-04-07 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN109616490A (zh) * 2017-10-03 2019-04-12 天马日本株式会社 Oled显示装置及其制造方法
KR20200075950A (ko) * 2018-12-18 2020-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110061317A (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20130035963A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102012046B1 (ko) * 2013-01-02 2019-10-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110061317A (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20130035963A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10620465B2 (en) 2017-09-18 2020-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR20190076090A (ko) * 2017-12-21 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
US11686970B2 (en) 2020-07-08 2023-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102319108B1 (ko) 2021-11-01
US20170317316A1 (en) 2017-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7418943B2 (ja) 表示装置
US10222834B2 (en) Flexible display device
KR102608412B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR102319108B1 (ko) 표시 장치
KR102494986B1 (ko) 폴더블 표시장치
EP3188272B1 (en) Blue organic light emitting device and display device including the same
KR102470303B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102389564B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102423171B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102433650B1 (ko) 표시 장치
KR102324876B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102381647B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102473631B1 (ko) 폴더블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102616023B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20160069555A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102435443B1 (ko) 거울형 표시 장치
KR102402759B1 (ko) 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102256498B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20170099458A (ko) 유기 발광 소자
KR20170053796A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102402679B1 (ko) 표시 장치
KR20170036876A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20170003829A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20160106827A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant