KR20160066650A - 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 - Google Patents

표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160066650A
KR20160066650A KR1020140170666A KR20140170666A KR20160066650A KR 20160066650 A KR20160066650 A KR 20160066650A KR 1020140170666 A KR1020140170666 A KR 1020140170666A KR 20140170666 A KR20140170666 A KR 20140170666A KR 20160066650 A KR20160066650 A KR 20160066650A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
pixel defining
defining layer
forming
Prior art date
Application number
KR1020140170666A
Other languages
English (en)
Inventor
박승원
이백희
최만섭
강민혁
이문규
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140170666A priority Critical patent/KR20160066650A/ko
Priority to US14/704,002 priority patent/US9614015B2/en
Publication of KR20160066650A publication Critical patent/KR20160066650A/ko
Priority to KR1020220024886A priority patent/KR102494987B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극의 일부를 노출하고, 화소 영역들을 구획하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막 상에 블록 공중합체(block copolymer)층을 형성하는 단계, 상기 블록 공중합체층을 패터닝하고, 상기 패터닝한 상기 블록 공중합체층을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하여 복수의 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 발광층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치{FABRICATION METHOD OF DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 품질을 향상 시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치(flat display device)는 크게 발광형과 수광형으로 분류할 수 있다. 발광형으로는 평판 음극선관(flat cathode ray tube)과, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel)과, 유기 발광 표시 장치 (organic light emitting display, OLED)등이 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수하고, 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 디지털 카메라나, 비디오 카메라나, 캠코더나, 휴대 정보 단말기나, 스마트 폰이나, 초슬림 노트북이나, 태블릿 퍼스널 컴퓨터나, 플렉서블 디스플레이 장치와 같은 모바일 기기용 디스플레이 장치나, 초박형 텔레비전 같은 대형 전자 제품 또는 대형 전기 제품에 적용할 수 있어서 각광받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 제1 전극과 제2 전극에 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있는 것으로서, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광한다.
본 발명의 목적은 표시 품질을 향상 시킬 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 표시 품질을 향상 시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극의 일부를 노출하고, 화소 영역들을 구획하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막 상에 블록 공중합체(block copolymer)층을 형성하는 단계, 상기 블록 공중합체층을 패터닝하고, 상기 패터닝한 상기 블록 공중합체층을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하여 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 발광층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 정의막 홈들이 일정한 주기로 이격되어 배치되도록 상기 요철 화소 정의막을 형성하는 것일 수 있다.
상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 정의막 홈들의 깊이들이 일정하도록 상기 요철 화소 정의막을 형성하는 것일 수 있다.
상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 정의막 홈들이 상기 요철 화소 정의막의 상면에 배치되고, 상기 요철 화소 정의막의 하면에 배치되지 않도록 형성하는 것일 수 있다.
상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 블록 공중합체층을 패터닝하여, 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계 및 상기 블록 공중합체 패턴을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하여, 상기 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계는 오존, 산소 플라즈마 및 UV 중 적어도 하나를 제공하여 수행하는 것일 수 있다.
상기 블록 공중합체층을 형성하는 단계는 제1 반복 단위들 및 상기 제1 반복 단위들과 상이한 제2 반복 단위들을 포함하는 블록 공중합체로 형성하는 것일 수 있다.
상기 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계는 상기 제1 반복 단위들 및 상기 제2 반복 단위들을 재배열하여, 상기 제1 반복 단위들 및 상기 제2 반복 단위들이 서로 교대로 배치되는 자기 조립 구조를 형성하는 단계 및 상기 제1 반복 단위들을 제거하여 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 자기 조립 구조를 형성하는 단계는 열 처리 또는 용매 어닐링으로 수행하는 것일 수 있다.
상기 자기 조립 구조를 형성하는 단계에서 상기 블록 공중합체는 구(sphere), 기둥(cylinder), 라멜라(lamellar), 나선형(gyroid), 또는 HPL(hexagonal perforated cylinder) 구조로 자기 조립되는 것일 수 있다.
상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 제2 반복 단위들을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하는 단계 및 상기 제2 반복 단위들을 제거하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 화소 정의막을 식각하는 단계는 상기 화소 정의막을 식각하고, 상기 제1 전극을 식각하지 않도록 수행되는 것일 수 있다.
상기 제2 반복 단위들을 제거하는 단계는 상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 배치되는 상기 제2 반복 단위들을 제거하는 것일 수 있다.
상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 제1 전극의 상기 일부를 노출하는 것일 수 있다.
상기 제1 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 전극이 홈들을 포함하지 않도록 형성하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상기 요철 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 홈들을 포함하는 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다. 상기 제2 전극은 전극 홈들을 포함하는 요철 제2 전극 및 상기 요철 제2 전극에서 연장되어 형성되고, 상기 전극 홈들을 포함하지 않는 비요철 제2 전극을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판 및 복수의 화소들을 포함한다. 상기 화소들 중 적어도 하나는 박막 트랜지스터, 제1 전극, 요철 화소 정의막, 발광층 및 제2 전극을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 베이스 기판 상에 제공된다. 상기 제1 전극은 상기 박막 트랜지스터와 연결된다. 상기 요철 화소 정의막은 상기 제1 전극의 일부와 중첩하고, 복수의 정의막 홈들을 포함한다. 상기 발광층은 상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 제공된다. 상기 제2 전극은 상기 발광층 상에 제공된다. 상기 제2 전극은 전극 홈들을 포함하는 요철 제2 전극 및 상기 요철 제2 전극에서 연장되어 형성되고, 상기 전극 홈들을 포함하지 않는 비요철 제2 전극을 포함한다.
상기 제1 전극은 홈들을 포함하지 않는 것일 수 있다.
상기 정의막 홈들은 상기 요철 화소 정의막의 상면에 배치되고, 상기 요철 화소 정의막의 하면에 배치되지 않는 것일 수 있다.
상기 정의막 홈들은 화소 정의막 상에 형성되는 블록 공중합체층의 일부를 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하여 형성하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면 표시 품질을 향상 시킬 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 표시 품질을 향상 시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6g 및 도 6i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 6h는 도 6g에 대응하는 사시도를 개략적으로 나타낸 것이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
표시 영역(DA)은 영상을 표시한다. 표시 장치(10)의 두께 방향(예를 들어 도 1의 DR3)에서 보았을 때, 표시 영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PA)을 포함한다. 복수의 화소 영역들(PA)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 복수의 화소 영역들(PA)은 요철 화소 정의막(도 4의 B_PDL)에 의해 정의될 수 있다. 복수의 화소 영역들(PA)에는 복수의 화소들(도 2의 PX) 각각이 배치될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는다. 비표시 영역(NDA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)을 둘러싸는 것일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 화소들(PX) 각각은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 구동 전압 라인(DVL)으로 이루어진 배선부와, 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 유기 발광 소자(OEL) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
화소들(PX) 각각은 특정 컬러의 광, 예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 중 하나를 출사할 수 있다. 컬러 광의 종류는 상기한 것에 한정된 것은 아니며, 예를 들어, 시안광, 마젠타광, 옐로우광 등이 추가될 수 있다.
게이트 라인(GL)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1)으로 연장된다. 데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차하는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2)으로 연장된다. 구동 전압 라인(DVL)은 데이터 라인(DL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 게이트 라인(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 라인(DL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 라인(DVL)은 박막 트랜지스터에 구동 전압을 제공한다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 발광 소자(OEL)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명이 일 실시예에서는 화소들(PX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 화소들(PX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 화소들(PX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 라인(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 라인(DL)에 연결된다. 제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 공통 전극(CE1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 라인(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 공통 전극(CE1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 구동 전압 라인(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)에 의해 제1 전극(EL1)과 연결된다.
유기 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 제공된다. 제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 발광층(EML)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 블루 광을 출사함으로써 영상을 표시한다. 유기 발광 소자(OEL), 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)에 대해서는 보다 구체적으로 후술한다.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제1 드레인 전극(DE1)과 제6 콘택홀(CH6)에 의해 연결되는 제1 공통 전극(CE1) 및 구동 전압 라인(DVL)과 연결되는 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 박막 트랜지스터와 유기 발광 소자(OEL)가 적층되는 베이스 기판(BS)을 포함한다. 베이스 기판(BS)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 유리, 플라스틱, 수정 등의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 베이스 기판(BS)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 베이스 기판(BS)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다.
베이스 기판(BS) 상에는 기판 버퍼층(미도시)이 제공될 수 있다. 기판 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 기판 버퍼층(미도시)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판(BS)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
베이스 기판(BS) 상에는 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)이 제공된다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 반도체 소재로 형성되며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 소스 영역(SA), 드레인 영역(DA) 및 소스 영역(SA)과 드레인 영역(DA) 사이에 제공된 채널 영역(CA)을 포함한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다. 소스 영역(SA) 및 드레인 영역(DA)은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2) 상에는 게이트 절연층(GI)이 제공된다. 게이트 절연층(GI)은 제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상에는 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 제공된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)의 채널 영역(CA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 상에는 층간 절연층(IL)이 제공된다. 층간 절연층(IL)은 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다. 층간 절연층(IL)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
층간 절연층(IL)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 제공된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)에 의해 제2 반도체층(SM2)의 드레인 영역(DA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)에 의해 제2 반도체층(SM2)의 소스 영역(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)에 의해 제1 반도체층(SM1)의 소스 영역(미도시)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 반도체층(SM1)의 드레인 영역(미도시)과 접촉한다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 패시베이션층(PL)이 제공된다. 패시베이션층(PL)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
패시베이션층(PL) 상에는 제1 전극(EL1)이 제공된다. 제1 전극(EL1)은 홈들을 포함하지 않는다.
제1 전극(EL1)은 예를 들어 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와 연결된다. 제1 전극(EL1)은 패시베이션층(PL)에 형성되는 제3 콘택홀(CH3)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다.
제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 금속의 혼합물을 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물 또는 금속으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO, Ag 또는 금속혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물) 단일층 구조, ITO/Mg 또는 ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
패시베이션층(PL) 상에는 화소들(PX) 각각에 대응하도록 화소 영역들(도 1의 PA)을 구획하고, 복수의 정의막 홈들(H1, H2)을 포함하는 요철 화소 정의막(B_PDL)이 제공된다. 정의막 홈들(H1, H2)은 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면에 배치되는 상면 정의막 홈들(H1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면에 배치되는 측면 정의막 홈들(H2)을 포함한다. 정의막 홈들(H1, H2)은 요철 화소 정의막(B_PDL)의 하면에 배치되지 않는다.
정의막 홈들(H1, H2)은 화소 정의막(도 6b의 PDL) 상에 형성되는 블록 공중합체층(도 6c의 BCPL)의 일부를 마스크로 하여, 화소 정의막(도 6b의 PDL)을 식각하여 형성한 것일 수 있다.
통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 정의막 홈들을 형성하는 경우에는 분자 크기 수준까지의 미세 구조를 형성할 수 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 블록 공중합체를 사용하여, 분자 크기 수준까지의 미세한 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성할 수 있다. 또한, 비교적 간단한 공정으로 일정한 주기로 이격되어 배치되는 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성할 수 있다.
요철 화소 정의막(B_PDL)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며 화소들(PX) 각각의 둘레를 따라 베이스 기판(BS)으로부터 돌출된다. 요철 화소 정의막(B_PDL)은 제1 전극(EL1)의 일부와 중첩한다.
요철 화소 정의막(B_PDL)은 이에 한정하는 것은 아니나, 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 요철 화소 정의막(B_PDL)은 LiF, BaF2 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 포함한다. 요철 화소 정의막(B_PDL)의 두께는 예를 들어, 10 nm 내지 100 nm일 수 있다.
요철 화소 정의막(B_PDL)에 의해 둘러싸인 화소 영역(도 1의 PA) 각각에는 유기 발광 소자(OEL)가 제공된다.
유기 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 제공된다. 유기 발광 소자(OEL)는 유기층을 포함할 수 있다. 유기층은 제1 전극(EL1) 상에 제공될 수 있다. 유기층은 발광층(EML)을 포함한다. 유기층은 정공 수송 영역(HTA) 및 전자 수송 영역(ETA)을 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTA)은 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 제공될 수 있다. 정공 수송 영역(HTA)은 요철 화소 정의막(B_PDL)과 접촉할 수 있다. 정공 수송 영역(HTA)은 예를 들어, 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면에 배치되는 측면 정의막 홈들(H2)과 접촉할 수 있다. 정공 수송 영역(HTA)은 측면 정의막 홈들(H2)과 체결되는 돌기들을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTA)은 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTA)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTA)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTA)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTA)이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTA)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine; N,N'-디페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4'-디아민), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine; 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine; 4,4',4"-트리스(N,N'-디페닐아미노)트리페닐아민), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine; 4,4',4"-트리스{N,-(2-나프틸)-N-페닐아미노}-트리페닐아민), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate); 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid; 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid; 폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate); 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTA)이 정공 수송층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTA)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine; N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine; 4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine; N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]; 4,4'-시클로헥실리덴 비스[N,N-비스(4-메틸페닐)벤젠아민]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTA)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTA)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함하면, 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들어 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTA), 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTA)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTA) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane; 테트라시아노퀴논다이메테인) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane; 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라시아노-1,4-벤조퀴논다이메테인) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
앞서 언급한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTA)은 정공 주입층 및 정공 수송층 외에, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 버퍼층은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 수 있다. 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTA)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층은 전자 수송 영역(ETA)으로부터의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
발광층(EML)은 제1 전극(EL1) 상에 제공될 수 있다. 발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTA) 상에 제공될 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTA) 및 요철 화소 정의막(B_PDL)과 접촉할 수 있다. 발광층(EML)은 예를 들어, 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면에 배치되는 측면 정의막 홈들(H2)과 접촉할 수 있다. 발광층(EML)은 측면 정의막 홈들(H2)과 체결되는 돌기들을 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 발광층(EML)은 연장되어 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면에 배치되는 상면 정의막 홈들(H1)과도 접촉할 수 있다.
발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum; 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl; 4,4'-비스(N-카바졸일)-1,1'-비페닐), PVK(poly(n-vinylcabazole), 폴리(n-비닐카바졸)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene; 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine; 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)-트리페닐아민), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene; 1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene; 3-터셔리-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), DSA(distyrylarylene; 디스티릴아릴렌), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl; 4,4'-비스(9-카바졸일)-2,2'-디메틸-비페닐), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene; 2-메틸-9,10-비스(나프탈렌-2일)안트라센) 등을 사용될 수 있다.
발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium; 트리스(디벤조일메탄아토)페난트롤라인유로피움) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium; 비스(1-페닐이소퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium; 비스 (1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium; 비스 (1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(pqIr(acac)), 트리스(1-페틸퀴놀린 이리듐) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum; 옥타에틸포피린 플랜티늄)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum; 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄)을 포함하는 형광물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium; 팩-트리스(2-페닐피리딘)이리듐)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene; 디스틸벤젠), DSA(distyryl-arylene; 디스트릴아릴렌), PFO(Polyfluorene; 폴리플루오렌)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene; 폴리파라페닐렌 비닐렌)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이 유기층은 전자 수송 영역(ETA)을 더 포함할 수 있다. 전자 수송 영역(ETA)은 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 제공될 수 있다. 전자 수송 영역(ETA)은 발광층(EML) 상에 제공될 수 있다.
전자 수송 영역(ETA)은 발광층(EML) 및 요철 화소 정의막(B_PDL)과 접촉할 수 있다. 전자 수송 영역(ETA)은 예를 들어, 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면에 배치되는 측면 정의막 홈들(H2)과 접촉할 수 있다. 전자 수송 영역(ETA)은 측면 정의막 홈들(H2)과 체결되는 돌기들을 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETA)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETA)은, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층 또는 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지거나, 상기 층 중 둘 이상의 층이 혼합된 단일층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETA)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETA)이 전자 수송층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETA)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum; 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl; 1,3,5-트리(1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)페닐), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline; 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-터셔리-부틸페닐-1,2,4-트리아졸), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole; 2-(4-비페닐릴)-5-(4-터셔리-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum; 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토-N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-올라토)알루미늄), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate); 베릴륨 비스(벤조퀴놀린-10-올에이트)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene; 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETA)이 전자 주입층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETA)은 LiF, LiQ (Lithium quinolate; 리튬 퀴놀레이트), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETA)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
제2 전극(EL2)은 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETA) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETA), 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면 및 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면과 접촉할 수 있다.
제2 전극(EL2)은 전극 홈들(H3)을 포함한다. 제2 전극(EL2)은 요철 제2 전극(EL2_B) 및 비요철 제2 전극(EL2_N)을 포함할 수 있다. 비요철 제2 전극(EL2_N)은 요철 제2 전극(EL2_B)의 적어도 하나의 일단에서 연장되어 형성될 수 있다.
요철 제2 전극(EL2_B)은 전극 홈들(H3)을 포함한다. 요철 제2 전극(EL2_B)은 예를 들어, 정의막 홈들(H1, H2)을 포함하는 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면과 접촉할 수 있다.
전극 홈들(H3)은 일정한 주기로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 전극 홈들(H3)은 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 전극 홈들(H3)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리는 일정할 수 있다. 전극 홈들(H3)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리는 일정할 수 있다. 전극 홈들(H3)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리와 전극 홈들(H3)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리를 서로 동일한 수도 있고, 서로 상이할 수도 있다.
전극 홈들(H3)의 깊이는 일정할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)으로의 전극 홈들(H3)의 깊이는 일정할 수 있다.
비요철 제2 전극(EL2_N)은 전극 홈들(H3)을 포함하지 않는다. 비요철 제2 전극(EL2_N)은 예를 들어, 전자 수송 영역(ETA)의 상면과 접촉할 수 있다.
제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 제2 전극(EL2)은 보조 전극을 포함할 수 있다. 보조 전극은 상기 물질이 발광층을 향하도록 증착하여 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 발광 소자(OEL)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에는 제2 전극(EL2)을 커버하는 봉지층(SL)이 제공될 수 있다. 봉지층(SL)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 봉지층(SL)은 유기 발광 소자(OEL)를 보호한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 포함하여, 발광층에서 복수의 층들의 적층 방향으로 출광되는 광들과, 요철 화소 정의막의 측면 방향으로 출광되는 광들의 혼색을 유도할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 시야각에 따른 색변화를 줄일 수 있고, 측면광을 효율적으로 활용하여, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 따른다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법은 베이스 기판(BS) 상에 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 형성하는 단계(S100), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)와 연결되는 제1 전극(EL1)을 형성하는 단계(S200), 제1 전극(EL1)의 일부를 노출하고, 화소 영역들(PA)을 구획하는 화소 정의막(PDL)을 형성하는 단계(S300), 제1 전극(EL1) 및 화소 정의막(PDL) 상에 블록 공중합체(block copolymer)층(BCPL)을 형성하는 단계(S400), 블록 공중합체층(BCPL)을 패터닝하고, 패터닝한 블록 공중합체층(BCPL)을 마스크로 하여, 화소 정의막(PDL)을 식각하여 복수의 정의막 홈들(H1, H2)을 포함하는 요철 화소 정의막(B_PDL)을 형성하는 단계(S500) 및 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 발광층(EML)을 형성하는 단계(S600)를 포함한다.
도 6a 내지 도 6g 및 도 6i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 6h는 도 6g에 대응하는 사시도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1 내지 도 5 및 도 6a를 참조하면, 베이스 기판(BS)을 준비한다. 베이스 기판(BS) 상에 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 형성한다(S100). 베이스 기판(BS) 및 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 기판(SUB) 상에 제1 전극(EL1)을 형성한다(S200). 제1 전극(EL1)은 홈들을 포함하지 않는다.
도 1 내지 도 5 및 도 6b를 참조하면, 기판(SUB) 상에 제1 전극(EL1)의 일부를 노출하고, 화소 영역들을 구획하는 화소 정의막(PDL)을 형성한다(S300). 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 일부와 중첩한다. 화소 정의막(PDL)은 이에 한정하는 것은 아니나, 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 LiF, BaF2 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 포함한다. 화소 정의막(PDL)의 두께는 예를 들어, 10 nm 내지 100 nm일 수 있다.
화소 정의막(PDL) 상에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수 있다. 산소 플라즈마 처리를 수행하면, 화소 정의막(PDL) 상에 ?H 작용기를 발생시킬 수 있다.
산소 플라즈마 처리된 화소 정의막(PDL)은 중성층 처리 및 열 처리를 수행할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 산소 플라즈마 처리 없이 중성층 처리 및 열 처리를 수행할 수도 있다.
도 1 내지 도 5 및 도 6c를 참조하면, 제1 전극(EL1) 및 화소 정의막(PDL) 상에 블록 공중합체층(BCPL)을 형성한다(S400).
블록 공중합체층(BCPL)을 형성하는 단계(S400)는 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트(polystyrene-polymethylmethacrylate) 공중합체, 폴리부타디엔-폴리부틸메타크릴레이트(polybutadiene-polybutylmethacrylate) 공중합체, 폴리부타디엔-폴리디메틸실록산(polybutadiene-polydimethylsiloxane) 공중합체, 폴리부타디엔-폴리메텔메타크릴레이트(polybutadienepolymethylmethacrylate)공중합체, 폴리부타디엔-폴리비닐피리딘(polybutadiene-polyvinylpyridine) 공중합체, 폴리부틸아크릴레이트-폴리메틸메타크릴레이트(polybutylacrylate-polymethylmethacrylate), 폴리부틸아크릴레이트-폴리비닐피리딘(polybutylacrylate-polyvinylpyridine), 폴리이소프렌-폴리비닐피리딘(polyisoprene-polyvinylpyridine), 폴리이소프렌-폴리메틸메타크릴레이트(polyisoprenepolymethylmethacrylate), 폴리헥실아크릴레이트-폴리비닐피리딘(polyhexylacrylate-polyvinylpyridine), 폴리이소부틸렌-폴리부틸메타크릴레이트(polyisobutylene-polybutylmethacrylate), 폴리이소부틸렌-폴리메틸메타크릴레이트(polyisobutylene-polymethylmethacrylate), 폴리이소부틸렌-폴리부틸메타크릴레이트(polyisobutylene-polybutylmethacrylate), 폴리이소부틸렌-폴리디메틸실록산(polyisobutylenepolydimethylsiloxane), 폴리부틸메타크릴레이트-폴리부틸아크릴레이트(polybutylmethacrylatepolybutylacrylate), 폴리에틸에틸렌-폴리메틸메타크릴레이트(polyethylethylene-polymethylmethacrylate), 폴리스티렌-폴리부틸메타크릴레이트(polystyrene-polybutylmethacrylate), 폴리스티렌-폴리부타디엔(polystyrene-polybutadiene), 폴리스티렌-폴리이소프렌(polystyrene-polyisoprene), 폴리스티렌-폴리디메틸실록산(polystyrene-polydimethylsiloxane), 폴리스티렌-폴리비닐피리딘(polystyrene-polyvinylpyridine), 폴리에틸에틸렌-폴리비닐피리딘(polyethylethylene-polyvinylpyridine), 폴리에틸렌-폴리비닐피리딘(polyethylene-polyvinylpyridine), 폴리비닐피리딘-폴리메틸메타크릴레이트(polyvinylpyridinepolymethylmethacrylate), 폴리에틸렌옥사이드-폴리이소프렌(polyethyleneoxide-polyisoprene), 폴리에틸렌옥사이드-폴리부타디엔(polyethyleneoxide-polybutadiene), 폴리에틸렌옥사이드-폴리스티렌(polyethyleneoxide-polystyrene), 폴리에틸렌옥사이드-폴리메틸메타크릴레이트(polyethyleneoxidepolymethylmethacrylate), 폴리에틸렌옥사이드-폴리디메틸실록산(polyethyleneoxide-polydimethylsiloxane) 및 폴리스티렌-폴리에틸렌옥사이드(polystyrene-polyethyleneoxide) 중 적어도 하나의 블록 공중합체로 형성하는 것일 수 있다.
블록 공중합체는 약 수 천∼수 백만, 예를 들면 약 3,000 ∼ 2,000,000 g/mol의 분자량을 가지는 선형 또는 분기형 고분자로 이루어질 수 있다.
블록 공중합체는 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, (제1 반복 단위(도 6d의 R1))-co-(제2 반복 단위(도 6d의 R2))의 형태로 공유 결합된 2중 블록 공중합체, 또는 제1 반복 단위(도 6d의 R1) 및 제2 반복 단위(도 6d의 R2)가 (제1 반복 단위(도 6d의 R1))-co-(제2 반복 단위(도 6d의 R2))-co-(제1 반복 단위(도 6d의 R1))의 형태로 공유 결합된 3중 블록 공중합체의 형태를 가질 수 있다. 또는, 제1 반복 단위(도 6d의 R1), 제2 반복 단위(도 6d의 R2) 및 제3 반복 단위가 (제1반복 단위)-co-(제2 반복 단위(도 6d의 R2))-co-(제3 반복 단위)의 형태로 공유 결합된 3중 블록 공중합체의 형태를 가질 수 있다. 다만 이에 한정하는 것은 아니고, 발명의 사상의 범위 내에서 다양한 형태의 다중 블록 공중합체 (multi-component block copolymer)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 블록 공중합체층(도 6c의 BCPL)을 패터닝하고, 패터닝한 블록 공중합체층(BCPL)을 마스크로 하여, 화소 정의막(도 6c의 PDL)을 식각하여 정의막 홈들(H1, H2)을 포함하는 요철 화소 정의막(B_PDL)을 형성한다(S500). 요철 화소 정의막(B_PDL)을 형성하는 단계(S500)는 블록 공중합체층(도 6c의 BCPL)을 패터닝하여, 블록 공중합체 패턴(도 6e의 BCP_P)을 형성하는 단계 및 블록 공중합체 패턴(도 6e의 BCP_P)을 마스크로 하여, 화소 정의막(도 6c의 PDL)을 식각하여, 정의막 홈들(H1, H2)을 포함하는 요철 화소 정의막(B_PDL)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
블록 공중합체 패턴(BCP_P)을 형성하는 단계는 제1 반복 단위들(도 6d의 R1) 및 제2 반복 단위들(도 6d의 R2)을 재배열하여, 제1 반복 단위들(도 6d의 R1) 및 제2 반복 단위들(도 6d의 R2)이 서로 교대로 배치되는 자기 조립 구조(도 6d의 S_BCPL)를 형성하는 단계 및 제1 반복 단위들(도 6d의 R1)을 제거하여 블록 공중합체 패턴(도 6e의 BCP_P)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 1 내지 도 5 및 도 6d를 참조하면, 제1 반복 단위들(R1) 및 제2 반복 단위들(R2)을 재배열하여, 제1 반복 단위들(R1) 및 제2 반복 단위들(R2)이 서로 교대로 배치되는 자기 조립 구조(S_BCPL)를 형성한다.
자기 조립 구조(S_BCPL)를 형성하는 단계에서 블록 공중합체는 다양한 구조로 자기 조립될 수 있고, 예를 들어, 구(sphere), 기둥(cylinder), 라멜라(lamellar), 나선형(gyroid), 또는 HPL(hexagonal perforated cylinder) 구조로 자기 조립되는 것일 수 있다.
자기 조립 구조(S_BCPL)를 형성하는 단계는 통상적으로 수행하는 방법이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 열 처리 또는 용매 어닐링으로 수행하는 것일 수 있다.
도 1 내지 도 5, 도 6d 및 도 6e를 참조하면, 제1 반복 단위들(R1)을 제거하여 블록 공중합체 패턴(BCP_P)을 형성한다.
블록 공중합체 패턴(BCP_P)은 예를 들어, 식각되지 않고, 제1 전극(EL1) 및 화소 정의막(PDL) 상에 잔존하는 제2 반복 단위들(R2)로 구성될 수 있다. 블록 공중합체 패턴(BCP_P)은 일정한 주기로 이격되어 형성될 수 있다.
블록 공중합체 패턴(BCP_P)을 형성하는 단계에서 제1 반복 단위들(R1)을 식각하여, 블록 공중합체 패턴(BCP_P)을 형성할 수 있다. 제1 반복 단위들(R1)은 예를 들어 건식 식각 또는 습식 식각으로 제거될 수 있다.
블록 공중합체 패턴(BCP_P)을 형성하는 단계에서 제1 반복 단위들(R1)을 식각하는 방법은, 통상적으로 수행하는 방법이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 오존, 산소 플라즈마 및 UV 중 적어도 하나를 제공하여 수행하는 것일 수 있다.
도 1 내지 도 5 및 도 6f를 참조하면, 제2 반복 단위들(R2)을 마스크로 하여, 화소 정의막(PDL)을 식각한다. 제2 반복 단위들(R2)을 마스크로 하여, 화소 정의막(PDL)을 식각하여 요철 화소 정의막(B_PDL)을 형성한다. 화소 정의막(PDL)을 식각하는 단계는 화소 정의막(PDL)을 식각하고, 제1 전극(EL1)을 식각하지 않도록 수행되는 것일 수 있다.
도 1 내지 도 5, 도 6g 및 도 6h를 참조하면, 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 잔존하는 제2 반복 단위들(R2)을 제거하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
제2 반복 단위들(R2)은 예를 들어 건식 식각 또는 습식 식각으로 제거될 수 있다. 제2 반복 단위들(R2)을 식각하는 방법은, 통상적으로 수행하는 방법이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 오존, 산소 플라즈마 및 UV 중 적어도 하나를 제공하여 수행하는 것일 수 있다.
요철 화소 정의막(B_PDL)은 복수의 정의막 홈들(H1, H2)을 포함한다. 정의막 홈들(H1, H2)은 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면에 배치되는 상면 정의막 홈들(H1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면에 배치되는 측면 정의막 홈들(H2)을 포함한다. 정의막 홈들(H1, H2)은 요철 화소 정의막(B_PDL)의 하면에 배치되지 않는다.
정의막 홈들(H1, H2)은 일정한 주기로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 정의막 홈들(H1, H2)은 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 정의막 홈들(H1, H2)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리(P1)는 일정할 수 있다. 정의막 홈들(H1, H2)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리(P2)는 일정할 수 있다.
정의막 홈들(H1, H2)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리(P1)와 정의막 홈들(H1, H2)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리(P2)는 각각 예를 들어, 5 내지 1000nm일 수 있다. 정의막 홈들(H1, H2)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리(P1)와 정의막 홈들(H1, H2)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리(P2) 각각이 5nm 미만이면, 정의막 홈들 사이의 간격이 짧아 공정상 제어가 어렵고, 1000nm 초과이면, 정의막 홈들 사이의 간격이 길어 발광층에서 복수의 층들의 적층 방향으로 출광되는 광들과, 요철 화소 정의막의 측면 방향으로 출광되는 광들의 혼색을 충분히 유도하기 어렵다.
도 6h에서는 정의막 홈들(H1, H2)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리(P1)와 정의막 홈들(H1, H2)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리(P2)를 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 정의막 홈들(H1, H2)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리(P1)와 정의막 홈들(H1, H2)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리(P2)는 서로 상이할 수도 있다.
정의막 홈들(H1, H2)의 깊이는 일정할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)으로의 정의막 홈들(H1, H2)의 깊이(P3)는 일정할 수 있다. 정의막 홈들(H1, H2)의 깊이는 예를 들어, 5 내지 1000nm일 수 있다. 정의막 홈들(H1, H2)의 깊이가 5nm 미만이면, 정의막 홈들 사이의 간격이 짧아 공정상 제어가 어렵고, 1000nm 초과이면, 정의막 홈들 사이의 간격이 길어 발광층에서 복수의 층들의 적층 방향으로 출광되는 광들과, 요철 화소 정의막의 측면 방향으로 출광되는 광들의 혼색을 충분히 유도하기 어렵다.
통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 정의막 홈들을 형성하는 경우에는 분자 크기 수준까지의 미세 구조를 형성할 수 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 블록 공중합체를 사용하여, 분자 크기 수준까지의 미세한 정의막 홈들을 형성할 수 있다. 또한, 비교적 간단한 공정으로 일정한 주기로 이격되어 배치되는 정의막 홈들을 형성할 수 있다.
도 1 내지 도 5 및 도 6i를 참조하면, 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 발광층(EML)을 형성한다(S600). 발광층(EML)은 제1 전극(EL1) 상에 제공될 수 있다. 발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTA) 상에 제공될 수 있다.
발광층(EML)은 요철 화소 정의막(B_PDL)과 접촉할 수 있다. 발광층(EML)은 예를 들어, 요철 화소 정의막(B_PDL)의 측면에 배치되는 측면 정의막 홈들(H2)과 접촉할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 발광층(EML)은 연장되어 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면에 배치되는 상면 정의막 홈들(H1)과도 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법은 요철 화소 정의막(B_PDL) 및 발광층(EML) 상에 제2 전극(EL2)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 제1 전극(EL1) 및 요철 화소 정의막(B_PDL) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 발광층(EML) 상에 제공된 전자 수송 영역(ETA) 상에 제공될 수 있다.
제2 전극(EL2)은 전극 홈들(H3)을 포함한다. 제2 전극(EL2)은 요철 제2 전극(EL2_B) 및 비요철 제2 전극(EL2_N)을 포함할 수 있다. 비요철 제2 전극(EL2_N)은 요철 제2 전극(EL2_B)의 적어도 하나의 일단에서 연장되어 형성될 수 있다.
요철 제2 전극(EL2_B)은 전극 홈들(H3)을 포함한다. 요철 제2 전극(EL2_B)은 예를 들어, 정의막 홈들(H1, H2)을 포함하는 요철 화소 정의막(B_PDL)의 상면과 접촉할 수 있다.
전극 홈들(H3)은 일정한 주기로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 전극 홈들(H3)은 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 전극 홈들(H3)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리는 일정할 수 있다. 전극 홈들(H3)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리는 일정할 수 있다. 전극 홈들(H3)의 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 최소 거리와 전극 홈들(H3)의 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되는 최소 거리를 서로 동일한 수도 있고, 서로 상이할 수도 있다.
전극 홈들(H3)의 깊이는 일정할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)으로의 전극 홈들(H3)의 깊이는 일정할 수 있다.
비요철 제2 전극(EL2_N)은 전극 홈들(H3)을 포함하지 않는다. 비요철 제2 전극(EL2_N)은 예를 들어, 전자 수송 영역(ETA)의 상면과 접촉할 수 있다.
통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 정의막 홈들을 형성하는 경우에는 분자 크기 수준까지의 미세 구조를 형성할 수 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 블록 공중합체를 사용하여, 분자 크기 수준까지의 미세한 정의막 홈들을 형성할 수 있다. 또한, 비교적 간단한 공정으로 일정한 주기로 이격되어 배치되는 정의막 홈들을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하여 제조된 표시 장치는 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 포함하여, 발광층에서 복수의 층들의 적층 방향으로 출광되는 광들과, 요철 화소 정의막의 측면 방향으로 출광되는 광들의 혼색을 유도할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 시야각에 따른 색변화를 줄일 수 있고, 측면광을 효율적으로 활용하여, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 OEL: 유기 발광 소자
EL1: 제1 전극 PDL: 화소 정의막
B_PDL: 요철 화소 정의막 EML: 발광층
EL2: 제2 전극 BCPL: 블록 공중합체층
S_BCPL: 자기 조립 구조 BCP_P: 블록 공중합체 패턴

Claims (20)

  1. 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 일부를 노출하고, 화소 영역들을 구획하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막 상에 블록 공중합체(block copolymer)층을 형성하는 단계;
    상기 블록 공중합체층을 패터닝하고, 상기 패터닝한 상기 블록 공중합체층을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하여 복수의 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는
    상기 정의막 홈들이 일정한 주기로 이격되어 배치되도록 상기 요철 화소 정의막을 형성하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는
    상기 정의막 홈들의 깊이들이 일정하도록 상기 요철 화소 정의막을 형성하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는
    상기 정의막 홈들이 상기 요철 화소 정의막의 상면에 배치되고, 상기 요철 화소 정의막의 하면에 배치되지 않도록 형성하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는
    상기 블록 공중합체층을 패터닝하여, 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 블록 공중합체 패턴을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하여, 상기 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계는
    오존, 산소 플라즈마 및 UV 중 적어도 하나를 제공하여 수행하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 블록 공중합체층을 형성하는 단계는
    제1 반복 단위들 및 상기 제1 반복 단위들과 상이한 제2 반복 단위들을 포함하는 블록 공중합체로 형성하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제1 반복 단위들 및 상기 제2 반복 단위들을 재배열하여, 상기 제1 반복 단위들 및 상기 제2 반복 단위들이 서로 교대로 배치되는 자기 조립 구조를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 반복 단위들을 제거하여 블록 공중합체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 자기 조립 구조를 형성하는 단계는
    열 처리 또는 용매 어닐링으로 수행하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 자기 조립 구조를 형성하는 단계에서
    상기 블록 공중합체는 구(sphere), 기둥(cylinder), 라멜라(lamellar), 나선형(gyroid), 또는 HPL(hexagonal perforated cylinder) 구조로 자기 조립되는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는
    상기 제2 반복 단위들을 마스크로 하여, 상기 화소 정의막을 식각하는 단계; 및
    상기 제2 반복 단위들을 제거하는 단계를 포함하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화소 정의막을 식각하는 단계는
    상기 화소 정의막을 식각하고, 상기 제1 전극을 식각하지 않도록 수행되는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2 반복 단위들을 제거하는 단계는
    상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 배치되는 상기 제2 반복 단위들을 제거하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극의 상기 일부를 노출하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극이 홈들을 포함하지 않도록 형성하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 요철 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 전극은
    전극 홈들을 포함하는 요철 제2 전극 및 상기 요철 제2 전극에서 연장되어 형성되고, 상기 전극 홈들을 포함하지 않는 비요철 제2 전극을 포함하는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  17. 베이스 기판; 및
    복수의 화소들을 포함하고,
    상기 화소들 중 적어도 하나는
    상기 베이스 기판 상에 제공되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제1 전극
    상기 제1 전극의 일부와 중첩하고, 복수의 정의막 홈들을 포함하는 요철 화소 정의막;
    상기 제1 전극 및 상기 요철 화소 정의막 상에 제공되는 발광층; 및
    전극 홈들을 포함하는 요철 제2 전극 및 상기 요철 제2 전극에서 연장되어 형성되고, 상기 전극 홈들을 포함하지 않는 비요철 제2 전극을 포함하고, 상기 발광층 상에 제공되는 제2 전극을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 전극은
    홈들을 포함하지 않는 것인 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 정의막 홈들은
    상기 요철 화소 정의막의 상면에 배치되고,
    상기 요철 화소 정의막의 하면에 배치되지 않는 것인 표시 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 정의막 홈들은
    화소 정의막 상에 형성되는 블록 공중합체층의 일부를 마스크로 하여,
    상기 화소 정의막을 식각하여 형성하는 것인 표시 장치.
KR1020140170666A 2014-12-02 2014-12-02 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 KR20160066650A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140170666A KR20160066650A (ko) 2014-12-02 2014-12-02 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
US14/704,002 US9614015B2 (en) 2014-12-02 2015-05-05 Method for fabricating display device and display device
KR1020220024886A KR102494987B1 (ko) 2014-12-02 2022-02-25 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140170666A KR20160066650A (ko) 2014-12-02 2014-12-02 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220024886A Division KR102494987B1 (ko) 2014-12-02 2022-02-25 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160066650A true KR20160066650A (ko) 2016-06-13

Family

ID=56079660

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140170666A KR20160066650A (ko) 2014-12-02 2014-12-02 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
KR1020220024886A KR102494987B1 (ko) 2014-12-02 2022-02-25 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220024886A KR102494987B1 (ko) 2014-12-02 2022-02-25 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9614015B2 (ko)
KR (2) KR20160066650A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190023758A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR20200001415A (ko) * 2018-06-27 2020-01-06 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11315994B2 (en) 2019-01-17 2022-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10243175B2 (en) 2016-02-02 2019-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting apparatus fabricated using a fluoropolymer and method of manufacturing the same
KR102570552B1 (ko) * 2016-06-03 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
KR20180030365A (ko) 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102578996B1 (ko) * 2016-11-30 2023-09-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치
JP2018190551A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 キヤノン株式会社 有機発光装置、撮像装置、及び有機発光装置の製造方法
CN107104129B (zh) * 2017-05-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件制造方法、oled器件及显示面板
KR102525822B1 (ko) * 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
CN207116483U (zh) 2017-09-06 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN109671738B (zh) * 2017-10-13 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制作方法和显示装置
KR102504436B1 (ko) * 2017-12-18 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108132567B (zh) * 2017-12-28 2020-09-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的过孔结构及光罩
CN108231861B (zh) * 2018-01-29 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
JP7057147B2 (ja) * 2018-01-31 2022-04-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子及び表示装置
CN108417724A (zh) * 2018-03-15 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示器及其制备方法
DE112019001693T5 (de) * 2018-03-30 2020-12-10 Sony Semiconductor Solutions Corporation Displayeinrichtung, verfahren zum herstellen einer displayeinrichtung und elektronikvorrichtung
KR102605887B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN108899345B (zh) 2018-07-02 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制造方法、显示面板和显示装置
CN108807494B (zh) * 2018-07-06 2021-09-14 云谷（固安）科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN108807496B (zh) * 2018-08-02 2020-12-11 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光显示面板及显示装置
CN109148531B (zh) * 2018-08-20 2021-01-26 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法
JP2020031111A (ja) * 2018-08-21 2020-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
CN208622729U (zh) * 2018-09-14 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板以及显示装置
CN109449307B (zh) * 2018-09-29 2021-10-22 广州国显科技有限公司 有机发光器件及柔性显示装置
CN109411622B (zh) * 2018-09-29 2021-04-06 广州国显科技有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
CN109585673B (zh) * 2018-10-17 2021-05-18 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、电子设备
CN109585518B (zh) * 2018-12-17 2020-05-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
CN109728205B (zh) * 2019-01-02 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN109686863A (zh) * 2019-01-18 2019-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
KR20200096367A (ko) * 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110190094B (zh) * 2019-05-22 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
CN112051709B (zh) * 2019-06-05 2022-10-18 北京师范大学 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用
CN110299391A (zh) * 2019-06-27 2019-10-01 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110534553A (zh) * 2019-09-11 2019-12-03 昆山国显光电有限公司 一种发光器件、显示装置及制备方法
CN111192905A (zh) * 2020-01-08 2020-05-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极体显示器件及其制造方法
CN111403458B (zh) 2020-03-27 2023-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 色转换层及其制造方法
CN111430571A (zh) * 2020-04-09 2020-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN111584583B (zh) * 2020-05-15 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
US11424270B2 (en) * 2020-06-02 2022-08-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
CN111682053B (zh) * 2020-06-24 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111864101A (zh) * 2020-07-06 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN111785685B (zh) * 2020-07-16 2022-05-17 云谷（固安）科技有限公司 显示面板的制造方法、显示面板及显示装置
CN113097417B (zh) * 2021-03-30 2023-04-18 云南创视界光电科技有限公司 Oled显示基板及显示装置
CN114361373A (zh) * 2021-12-06 2022-04-15 合肥维信诺科技有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002006129A (ja) * 2000-06-19 2002-01-09 Canon Inc 光学素子とその製造方法、液晶素子
KR100796936B1 (ko) 2001-05-15 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100878281B1 (ko) * 2001-03-14 2009-01-12 유니버시티 오브 매사츄세츠 나노 제조
JP4702516B2 (ja) * 2003-05-07 2011-06-15 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2005063839A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置
KR100683695B1 (ko) * 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR20080067406A (ko) 2007-01-16 2008-07-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP5543692B2 (ja) * 2008-03-21 2014-07-09 株式会社東芝 有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置および照明装置
JP2009292703A (ja) 2008-06-09 2009-12-17 Hitachi Maxell Ltd 光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法
KR100959108B1 (ko) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TW201101478A (en) * 2009-03-25 2011-01-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same
KR101839929B1 (ko) * 2011-03-18 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101871803B1 (ko) * 2011-09-06 2018-06-29 한국전자통신연구원 유기발광다이오드 및 그의 제조방법
KR101900954B1 (ko) * 2012-01-19 2018-09-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
JP2013165151A (ja) 2012-02-10 2013-08-22 Toshiba Corp パターン形成方法
JP5902573B2 (ja) 2012-07-18 2016-04-13 株式会社東芝 パターン形成方法
JP6242121B2 (ja) * 2013-09-02 2017-12-06 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置及び発光素子表示装置の製造方法
TWI545735B (zh) * 2013-09-09 2016-08-11 Japan Display Inc Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
KR102107108B1 (ko) 2013-09-13 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20150042937A (ko) 2013-10-14 2015-04-22 삼성디스플레이 주식회사 광학 시트, 광학 시트의 제조 방법 및 광학 시트를 포함하는 표시 장치
KR102139577B1 (ko) 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102278603B1 (ko) 2014-04-14 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190023758A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
US10763455B2 (en) 2017-08-30 2020-09-01 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
KR20230004383A (ko) * 2017-08-30 2023-01-06 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR20200001415A (ko) * 2018-06-27 2020-01-06 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11315994B2 (en) 2019-01-17 2022-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102494987B1 (ko) 2023-02-07
KR20220034067A (ko) 2022-03-17
US9614015B2 (en) 2017-04-04
US20160155784A1 (en) 2016-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102494987B1 (ko) 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
EP3188272B1 (en) Blue organic light emitting device and display device including the same
KR20160066651A (ko) 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
KR102605247B1 (ko) 표시 장치
CN106972105B (zh) 显示设备
KR102389564B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102421600B1 (ko) 터치 센싱 유닛, 표시 장치 및 터치 센싱 유닛의 제조 방법
KR102324876B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102423171B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20160066657A (ko) 유기 발광 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
US10002912B2 (en) Organic light emitting device, display device having the same, and method of manufacturing display device
KR20160069555A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20160054131A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20160069554A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US10079363B2 (en) Mirror display device
KR102402759B1 (ko) 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180034783A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR102256498B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102402679B1 (ko) 표시 장치
US20170084870A1 (en) Organic light emitting device and display device including same
KR20160106827A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20170003829A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination