CN110534553A - 一种发光器件、显示装置及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光器件、显示装置及制备方法，解决了现有的喷墨打印技术中膜层厚度均匀性不佳的问题。包括：阳极；多个子像素，设置在所述阳极的一侧；多个像素限定层，设置在相邻的两个所述子像素之间；以及图形化层，设置在所述子像素与所述阳极之间和/或设置在所述像素限定层远离所述阳极的一侧，构造为提高所述阳极或所述像素限定层表面的粗糙度。

Description

一种发光器件、显示装置及制备方法
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域，具体涉及一种发光器件、显示装置及制备方法。
背景技术
目前，OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光二极管)产品由于自身对比度高、响应时间快、视角广、色彩鲜明和可弯折特性等优点，越来越受到人们的青睐。喷墨打印技术由于其成本较低、批量生产效率高而广泛的应用在OLED产品的制备上，但现有的喷墨打印技术仍然存在一些问题，例如膜厚均一性不高，尤其是针对一些PPI(pixelsper inch，每英寸所拥有的像素数目)较高的产品，由于像素开口较小，导致膜厚的均一性更加难以保证。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种发光器件、显示装置及制备方法，解决了现有的喷墨打印技术中膜层厚度均匀性欠佳的问题。
本发明一实施例提供的一种发光器件、显示装置及制备方法包括：阳极；多个子像素，设置在所述阳极的一侧；多个像素限定层，设置在相邻的两个所述子像素之间；以及图形化层，设置在所述子像素与所述阳极之间和/或设置在所述像素限定层远离所述阳极的一侧，构造为提高所述阳极或所述像素限定层表面的粗糙度。
在一种实施方式中，所述图形化层设置在所述子像素和所述阳极之间，所述阳极包括：第一导电层；金属层，设置在所述第一导电层的一侧；以及第二导电层，设置在所述金属层远离所述第一导电层的一侧，其中，所述图形化层设置在所述第二导电层远离所述金属层的一侧。
在一种实施方式中，所述图形化层和所述第二导电层为一体制备。
在一种实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层的材质为氧化铟锡。
在一种实施方式中，所述图形化层设置在所述像素限定层远离所述阳极的一侧，所述图形化层的材质为光刻胶。
在一种实施方式中，制备所述图形化层的方法为以下方法中的一种或多种：刻蚀、UV曝光、离子溅射和激光直写。
一种显示装置，包括上述任一所述的发光器件。
一种发光器件的制备方法，包括：制备或提供阳极；在所述阳极上制备多个像素限定层，其中相邻的两个所述像素限定层之间为像素坑；在所述像素坑底部的所述阳极表面制备图形化层，和/或在所述像素限定层远离所述阳极的一侧制备图形化层；以及向所述像素坑内喷墨形成子像素。
在一种实施方式中，所述制备阳极包括：制备或提供第一导电层；在所述第一导电层的一侧制备金属层；以及在所述金属层远离所述第一导电层的一侧制备第二导电层。
在一种实施方式中，在所述像素坑底部的所述阳极表面制备图形化层包括：将所述第二导电层远离所述金属层的一侧图形化；或在所述像素限定层远离所述阳极的一侧制备图形化层包括：在所述像素限定层远离所述阳极的一侧制备光学胶层；以及将所述光学胶层图形化。
本发明实施例提供的一种发光器件、显示装置及制备方法，该发光器件包括阳极、设置在阳极一侧的多个子像素、设置在相邻两个子像素间的像素限定层，该发光器件还包括图像化层，设置在子像素和阳极之间，和/或设置在像素限定层远离阳极的一侧，由于图形化层能够提高阳极表面或像素限定层表面的粗糙度，使得在喷墨制备子像素时，提高了墨水在阳极表面的附着力，因此减小了墨水表面的张力，使得墨水在像素坑中心的聚集减小，进而使子像素制备时形成的膜的均匀性提高。
附图说明
图1所示为本发明一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。
图2所示为本发明另一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。
图3所示为本发明一实施例提供的一种阳极和图形化层的结构示意图。
图4所示为本发明另一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。
图5所示为本发明一实施例提供的一种发光器件制备方法的流程图。
图6所示为本发明一实施例提供的一种阳极制备方法的流程图。
图7所示为本发明一实施例提供的一种阳极表面图形化层的制备方法的流程图。
图8所示为本发明一实施例提供的一种像素限定层表面图形化层的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1所示为本发明一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。图2所示为本发明另一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。
如图1和图2所示，该发光器件包括阳极1、子像素2、像素限定层3和图形化层4。子像素2用于发出显示光，其中子像素2可以为多个，多个子像素2均设置在阳极1的一侧；多个子像素2中相邻的两个子像素2之间可存在一定的间隙，像素限定层3可设置在该间隙中，作用为能够隔离开不同颜色的子像素2，防止不同发光颜色的子像素2之间的相互影响，其中像素限定层3可以为多个，每个像素限定层3均设置在相邻的两个子像素2之间。图形化层4可设置在子像素2与阳极1之间，和/或图形化层4还可设置在像素限定层3远离阳极1的一侧，图形化层4的作用为增加阳极1或者像素限定层3表面的粗糙度。子像素2通常采用喷墨打印技术进行制备，在阳极1上制备像素限定层3后，相邻的两个像素限定层3之间的区域为像素坑，利用喷墨打印技术制造子像素2的方法是首先在溶剂中融化像素材料，使其变成墨水形状，将含有像素材料的墨水通过喷墨头的喷嘴，往像素坑里喷射，最后经过干燥等工序去除溶剂之后，就可以完成子像素2的制备。在阳极1上设置图形化层4，由于图形化层4能够提高像素坑底部阳极1表面的粗糙度，使得在利用喷墨打印制备子像素2时，提高了墨水在阳极1表面的附着力，因此相对减小了墨水表面的张力，使得墨水在像素坑中心的聚集现象减弱，进而使子像素2制备时形成的膜层厚度的均匀性提高。在像素限定层3表面制备图形化层4，在利用喷墨打印制备子像素2时，使得像素限定层3对墨水的附着力提高，因此像素限定层3和墨水、阳极1和墨水有显著的浸润性差异，因此使得墨水在像素坑中心的聚集现象减弱，进而使子像素2制备时形成的膜层厚度的均匀性提高。
可以理解，制备图形化层4时的制备方法可以为以下方法中的一种或多种：刻蚀，UV曝光、粒子溅射和激光直写等，制备图形化层4的制备方法可根据实际的需求进行选择，本发明对制备图形化层4的制备方法不作限定。
还可以理解，粗糙度的具体数值要符合实际的生产，在满足粗糙度能够提高墨水的附着力，进而提升喷墨后成膜的均匀性，又不影响发光器件其他性能的前提下，本发明对粗糙度的具体数值不作限定。
还可以理解，该发光器件可以为OLED发光器件，或者其他类型的发光器件，在制备发光器件时使用喷墨打印技术，为了提高喷墨打印成膜的均匀性，均可采用本实施例中所提供的方法，本发明对发光器件的具体类型不作限定。
还可以理解，子像素2可以发出红光、蓝光和绿光等，本发明对子像素2的发光颜色不作限定。
图3所示为本发明一实施例提供的一种阳极和图形化层的结构示意图。
如图3所示，阳极1可包括第一导电层11、金属层12和第二导电层13。金属层12设置在第一导电层11的一侧，第二导电层13设置在金属层12远离第一导电层11的一侧。图形化层4设置在子像素2和阳极1之间时，图形化层4是设置在第二导电层13远离金属层12的一侧。由于在喷墨打印子像素2时，墨水是喷射在第二导电层13远离金属层12的一侧上，所以在第二导电层13远离金属层12的一侧设置图形化层4，提高了第二导电层13远离金属层12一侧的粗糙度，因此，提高了第二导电层13远离金属层12的一侧对墨水的附着力，减小了墨水表面的张力，使得墨水在像素坑中心的聚集现象减弱，进而使子像素2制备时形成的膜层厚度的均匀性提高。
可以理解，金属层12的材料可以为银(Ag)，或者还可以为其它金属，金属层12的具体材料可根据实际的情况进行选择，本发明对金属层12的材料不作限定。
还可以理解，第一导电层11的材料可以为氧化铟锡(ITO)，或者其它材料，第一导电层11的具体材料可根据实际的情况进行选择，本发明对第一导电层11的材料不作限定；第二导电层13的材料可以为氧化铟锡(ITO)，或者其它材料，第二导电层13的具体材料可根据实际的情况进行选择，本发明对第二导电层13的材料不作限定。
还可以理解，阳极1可以为第一导电层11-金属层12-第二导电层13的三明治结构，也可以为其它结构，阳极1的具体结构可根据实际的情况进行选择，本发明对阳极1的具体结构不作限定。
图4所示为本发明另一实施例提供的一种发光器件的结构示意图。
如图4所示，当图形化层4设置在子像素2和阳极1之间时，图形化层4和第二导电层13可为一体制备的。换言之，可以直接在第二导电层13远离金属层12的一侧通过工艺手段提高第二导电层13的粗糙度。例如，对第二导电层13远离金属层12的一侧进行刻蚀，使第二导电层13远离金属层12的一侧粗糙度增加；或者，使用对应掩膜板，该掩膜板的图形与像素限定层3的图形一致，通过掩膜板对第二导电层13远离金属层12的一侧进行UV曝光来增加粗糙度；或者直接对第二导电层13远离金属层12的一侧进行激光直写来增加粗糙度等。将图形化层4和第二导电层13一体制备能够简化制备工艺，节约制备成本，提高生产效率。
可以理解，图像化层4和第二导电层13可为一体制备，或者可以分开制备，例如可以使用上述所述掩膜板，通过该掩膜板对第二导电层13远离金属层12的一侧进行粒子溅射形成图形化层4等。图形化层4和第二导电层13是否一体制备可根据实际的生产需求进行选择，本发明对图形化层4和第二导电层13是否一体制备不作限定。
还可以理解，图像化层和第二导电层13的材质可以相同也可以不同，本发明对图像化层和第二导电层13的材质是否相同不作限定。
还可以理解，上述实施例是在阳极1为第一导电层11-金属层12-第二导电层13的基础上进行论述的，在阳极1为其它结构时，图形化层4可以和阳极1中最靠近像素限定层3的层一体化制备，图形化层4也可以是制备在阳极1中最靠近像素限定层3的层之上，对此本实施例不在赘述。
本发明一实施例中，当图形化层4设置在像素限定层3远离阳极1的一侧时，图形化层4的材质可以为光刻胶。可以是在像素限定层3远离阳极1的一侧上先制备光刻胶层，然后对光刻胶层进行刻蚀形成具有一定粗糙度的图形化层4。由于光刻胶层和阳极1层与墨水有显著的浸润性差异，因此使得聚集在像素坑中心的墨水减少，像素坑周边的墨水增加，从而提高了喷墨打印后成膜的均匀性。
还可以理解，在像素限定层3远离阳极1的一侧制备的图形化层4的材质可以为光刻胶，或者也可以为其它材质，本发明对像素限定层3远离阳极1的一侧的图形化层4的具体材质不作限定。
本发明一实施例中，该显示装置可包括上述实施例中任一所述的发光器件，由于该发光器件在像素坑底部的阳极1表面设置了图形化层4，或该发光器件在在像素限定层3远离阳极1的一侧设置了图形化层4，由于图形化层4能够提高像素坑底部阳极1表面或像素限定层3表面的粗糙度，使得在利用喷墨打印制备子像素2时，提高了墨水在阳极1表面的附着力，因此减小了墨水表面的张力，使得墨水在像素坑中心的聚集现象减弱，进而使子像素2制备时形成的膜层厚度的均匀性提高。
可以理解，该显示装置可以为手机、电脑或者车载设备等，本发明对显示装置的具体用途不作限定。
图5所示为本发明一实施例提供的一种发光器件制备方法的流程图。
如图5所示，该发光器件的制备方法包括：
步骤01：制备或提供阳极1。
步骤02：在阳极1上制备多个像素限定层3。例如，在阳极1上淀积一层像素限定层3的材料，然后使用具有预设图形的掩膜版，通过该掩膜版对像素限定层3的材料进行刻蚀从而形成多个像素限定层3。多个像素限定层3中的相邻的两个像素限定层3之间为像素坑。
步骤03：在像素坑底部的阳极1表面制备图形化层4，和/或在像素限定层3远离阳极1的一侧制备图形化层4。在像素坑底部的阳极1表面制备图形化层4，例如：对阳极1表面进行刻蚀，使阳极1表面粗糙度增加；或者，使用对应掩膜板，该掩膜板的图形与像素限定层3的图形一致，通过掩膜板对阳极1表面进行UV曝光来增加粗糙度；或者直接对阳极1表面的一侧进行激光直写来增加粗糙度；或者通过该掩膜板对阳极1表面进行粒子溅射形成图形化层4等。在像素限定层3远离阳极1的一侧制备图形化层4，可以是在像素限定层3远离阳极1的一侧上先制备光刻胶层，然后对光刻胶层进行刻蚀形成具有一定粗糙度的图形化层4。
步骤04：向像素坑内喷墨形成子像素2。子像素2通常采用喷墨打印技术进行制备，在阳极1上制备像素限定层3后，相邻的两个像素限定层3之间的区域为像素坑，利用喷墨打印技术制造子像素2的方法是：首先在溶剂中融化像素材料，使其变成墨水形状，将含有像素材料的墨水通过喷墨头的喷嘴，往像素坑里喷射，最后经过干燥等工序去除溶剂之后，就可以完成子像素2的制备。
由于图形化层4能够提高像素坑底部阳极1表面或像素限定层3表面的粗糙度，使得在喷墨制备子像素2时，提高了墨水在阳极1表面的附着力，因此减小了墨水表面的张力，使得墨水在像素坑中心的聚集现象减弱，进而使子像素2制备时形成的膜层厚度的均匀性提高。
图6所示为本发明一实施例提供的一种阳极制备方法的流程图。
如图6所示，制备阳极1的方法包括：
步骤05：制备或提供第一导电层11。
步骤06：在第一导电层11的一侧制备金属层12。
步骤07：在金属层12远离第一导电层11的一侧制备第二导电层13。
可以理解，上述制备可以是通过化学气相淀积或物理气相淀积工艺进行制备，还可以通过其他工艺手段进行制备，具体的制备工艺可根据实际的需求进行选择，本发明对制备工艺的具体类型不作限定。
图7所示为本发明一实施例提供的一种阳极表面图形化层的制备方法的流程图。图8所示为本发明一实施例提供的一种像素限定层表面图形化层的制备方法的流程图。
如图7所示，在像素坑底部的阳极1表面制备图形化层4包括：
步骤0310：将第二导电层13远离金属层12的一侧图形化。该图形化的制备方法可以为以下方法中的一种或多种：刻蚀，UV曝光、粒子溅射和激光直写等。由于在喷墨打印子像素2时，墨水是喷射在第二导电层13远离金属层12的一侧上，所以在第二导电层13远离金属层12的一侧设置图形化层4，提高了第二导电层13远离金属层12一侧的粗糙度，因此，提高了第二导电层13远离金属层12的一侧对墨水的附着力，减小了墨水表面的张力，使得墨水在像素坑中心的聚集减小，进而使子像素2制备时形成的膜层厚度的均匀性提高。
或者如图8所示，在像素限定层3远离阳极1的一侧制备图形化层4包括：
步骤0321：在像素限定层3远离阳极1的一侧制备光学胶层。可以将光学胶直接黏附在像素限定层3远离阳极1的一侧形成光学胶层。
步骤0322：将光学胶层图形化。可以通过刻蚀工艺将光学胶层图形化。
在像素限定层3远离阳极1的一侧上先制备光刻胶层，然后对光刻胶层进行刻蚀形成具有一定粗糙度的图形化层4。由于光刻胶层和阳极1层与墨水有显著的浸润性差异，因此使得聚集在像素坑中心的墨水减少，像素坑周边的墨水增加，从而提高了喷墨打印后成膜的均匀性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
阳极；
多个子像素，设置在所述阳极的一侧；
多个像素限定层，设置在相邻的两个所述子像素之间；以及
图形化层，设置在所述子像素与所述阳极之间和/或设置在所述像素限定层远离所述阳极的一侧，构造为提高所述阳极或所述像素限定层表面的粗糙度。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述图形化层设置在所述子像素和所述阳极之间，所述阳极包括：
第一导电层；
金属层，设置在所述第一导电层的一侧；以及
第二导电层，设置在所述金属层远离所述第一导电层的一侧，其中，所述图形化层设置在所述第二导电层远离所述金属层的一侧。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述图形化层和所述第二导电层为一体制备。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材质为氧化铟锡。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述图形化层设置在所述像素限定层远离所述阳极的一侧，所述图形化层的材质为光刻胶。
6.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-5中任一所述的发光器件。
7.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
制备或提供阳极；
在所述阳极上制备多个像素限定层，其中相邻的两个所述像素限定层之间为像素坑；
在所述像素坑底部的所述阳极表面制备图形化层，和/或在所述像素限定层远离所述阳极的一侧制备图形化层；以及
向所述像素坑内喷墨形成子像素。
8.根据权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述“制备或提供阳极”包括：
制备或提供第一导电层；
在所述第一导电层的一侧制备金属层；以及
在所述金属层远离所述第一导电层的一侧制备第二导电层。
9.根据权利要求8所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述像素坑底部的所述阳极表面制备图形化层包括：将所述第二导电层远离所述金属层的一侧图形化；
在所述像素限定层远离所述阳极的一侧制备图形化层包括：
在所述像素限定层远离所述阳极的一侧制备光学胶层，以及
将所述光学胶层图形化。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，制备所述图形化层的方法为以下方法中的一种或多种：刻蚀、UV曝光、离子溅射和激光直写。
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