CN107658327B - 像素结构、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明一种像素结构、显示面板及显示装置，所述像素结构包括基板，平坦层，形成于所述基板上，所述平坦层具有与像素电极对应的凹槽，所述像素电极位于所述凹槽内；像素界定层，形成于所述平坦层上，所述像素界定层具有像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中。通过采用亲水性材料制作驱动电路平坦层，且将像素电极嵌入亲水性平坦层内，嵌入式的像素电极可以有效防止像素电极边缘凸起引起短路以及尖端放电现象，随后用疏水性材料制作像素界定层，形成墨水沉积区，从而省去第一层亲水性像素界定层的制备，简化了制作像素结构的制作工艺，进而节约制作成本。

Description

像素结构、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种像素结构及其制备方法和应用。
背景技术
采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
在印刷工艺中，由于受设备精度以及液滴尺寸的影响，对于传统的RGB Stripe排列的像素结构较难实现高分辨率显示面板的制备，而高分辨率是未来高质量显示面板发展的主流方向，因此目前的印刷工艺中往往通过其他的像素结构设计来实现高分辨，如图1所示，通过两层的像素PDL层(像素界定层)结构设计，第一层为亲水性PDL层，覆盖像素电极边缘区，防止短路以及尖端放电，第二层为疏水性平坦层，将相邻的相同颜色的子像素集围成的开口内，形成一个较大的墨水沉积区，进而提高印刷工艺制作的显示面板的分辨率。但由于需要形成两层PDL层，制作工序较为复杂，不利于制作成本的降低。
因此，现有技术有待改进和发展。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种新的像素结构。
具体的技术方案如下：
一种像素结构，包括
基板；
平坦层，形成于所述基板上，所述平坦层具有与像素电极对应的凹槽，所述像素电极位于所述凹槽内；
像素界定层，形成于所述平坦层上，所述像素界定层具有像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中。
在其中一个实施例中，所述平坦层的厚度大于等于所述像素电极的厚度。
在其中一个实施例中，所述像素界定层的厚度为0.8-2μm。
在其中一个实施例中，所述平坦层由亲水性材料制备而成，所述亲水性材料选自PVA、亲水性PI或氮化硅。
在其中一个实施例中，所述像素界定层由疏水性材料制备而成，所述疏水性材料选自有机硅材料或疏水性PI。
本发明的另一目的是提供一种显示面板，包括上述像素结构。
本发明的另一目的是提供上述显示面板的制备方法。
上述显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S1、获取基板，于所述基板上沉积一层平坦层，所述平坦层的材质为亲水性材料，于所述平坦层上通过蚀刻形成凹槽；
S2、于所述凹槽内沉积像素电极；
S3、与所述平坦层上沉积像素界定层，并通过图形化工艺形成像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中；
S4、于所述像素坑中采用印刷工艺沉积发光层；
S5、制作顶电极并封装，即得所述显示面板。
本发明的另一目的是提供一种显示装置，包括上述显示面板。
在其中一些实施例中，该显示装置为OLED或QLED。
上述像素结构中基板上覆盖平坦层，像素电极嵌入在平坦层内，像素电极上表面不高于平坦层表面；平坦层采用亲水性材料制备，保证墨水在其上具有良好的铺展性；像素界定层采用疏水性材料制备，厚度为0.8μm-2μm，防止墨水溢出像素坑，相邻的相同颜色子像素的像素电极位于同一PDL的开口区内，从而成倍扩大墨水的沉积区域，进而实现高分辨率印刷显示面板的制作，相邻的相同颜色子像素的像素电极的相连区域为亲水性的平坦层，从而在墨水沉积时，在整个PDL的开口区内形成良好的铺展，保证后期墨水干燥的成膜均匀性。
通过采用亲水性材料制作驱动电路平坦层(集成在基板上)，且将像素电极嵌入亲水性平坦层内，嵌入式的像素电极可以有效防止像素电极边缘凸起引起短路以及尖端放电现象，随后用疏水性材料制作像素界定层，形成墨水沉积区，从而省去第一层亲水性像素界定层的制备，简化了制作像素结构的制作工艺，进而节约制作成本。
附图说明
图1为现有技术中像素界定层的结构示意图；
图2为实施例显示面板制备步骤S3得到的器件结构示意图；
图3为实施例显示面板制备步骤S1得到的器件结构示意图；
图4为图3基础上沉积像素电极后的器件结构示意图；
图5为实施例制备得到的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本实施例一种像素结构，包括
基板，具有TFT驱动阵列；
平坦层，形成于所述基板上覆盖TFT驱动阵列，所述平坦层具有与像素电极对应的凹槽，所述像素电极位于所述凹槽内；
可以理解的，所述像素电极根据发光器件结构可以是透明像素电极也可以是反射型像素电极；
所述平坦层采用亲水性材料制备而成，可以理解地，所述亲水性材料选自PVA、亲水性PI或氮化硅。
所述平坦层的厚度大于等于所述像素电极的厚度，其目的是防止像素电极边缘形成凸起导致尖端放电；
像素界定层，形成于所述平坦层上，所述像素界定层具有像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中，所述像素界定层的厚度为0.8-2μm；
所述像素界定层由疏水性材料制备而成，可以理解地，所述疏水性材料选自有机硅材料或疏水性PI。
上述像素结构中基板上覆盖平坦层，平坦层采用亲水性材料制备，保证墨水在其上具有良好的铺展性；像素电极嵌入在平坦层内，像素电极上表面不高于平坦层表面；像素界定层采用疏水性材料制备，厚度为0.8μm-2μm，可以防止墨水溢出像素坑，相邻的相同颜色子像素的像素电极位于同一像素坑内，从而成倍扩大墨水的沉积区域，进而实现高分辨率印刷显示面板的制作，相邻的相同颜色子像素的像素电极的相连区域为亲水性的平坦层，从而在墨水沉积时，在整个PDL的开口区内形成良好的铺展，保证后期墨水干燥的成膜均匀性。
本实施例一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S1、获取基板(具有TFT驱动阵列的基板)，于所述基板上沉积一层平坦层(覆盖所述TFT驱动阵列)，所述平坦层的材质为亲水性材料，于所述平坦层上通过蚀刻形成凹槽，如图3所示；
S2、于所述凹槽内沉积像素电极，如图4所示；
S3、与所述平坦层上沉积像素界定层，并通过蚀刻形成像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中，如图2所示；
S4、于所述像素坑中采用印刷工艺沉积发光层；
S5、制作顶电极并封装，即得所述显示面板，如图5所示。
一种显示装置(OLED或QLED)，包括上述显示面板。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括
基板；
平坦层，形成于所述基板上，所述平坦层具有与像素电极对应的凹槽，所述像素电极位于所述凹槽内，所述像素电极的上表面低于所述平坦层的表面；
像素界定层，形成于所述平坦层上，所述像素界定层具有像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中；
所述平坦层由亲水性材料制备而成，所述亲水性材料选自PVA、亲水性PI或氮化硅，所述像素界定层由疏水性材料制备而成，所述疏水性材料选自有机硅材料或疏水性PI。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述平坦层的厚度大于等于所述像素电极的厚度。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述基板具有TFT驱动阵列。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层的厚度为0.8-2μm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极为透明像素电极。
6.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极为反射型像素电极。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的像素结构。
8.权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、获取基板，于所述基板上沉积一层平坦层，所述平坦层的材质为亲水性材料，于所述平坦层上通过蚀刻形成凹槽；
S2、于所述凹槽内沉积像素电极；
S3、于所述平坦层上沉积像素界定层，所述像素界定层的材质为疏水性材料，并通过图形化工艺形成像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中；
S4、于所述像素坑中采用印刷工艺沉积发光层；
S5、制作顶电极并封装，即得所述显示面板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，该显示装置为OLED或QLED。
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