CN108231861B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，其中，阵列基板包括：衬底基板，以及设置在衬底基板上的像素界定层，像素界定层界定了多个像素区域，像素区域包括电荷生成层；其中，像素界定层设置有声学结构，声学结构用于在阈值声波频率的声波的作用下，发生共振，使相邻两个像素区域的电荷生成层断开，本发明实施例通过在像素界定层上设置有声学结构，利用声学结构的共振作用使相邻像素区域的电荷生成层断开，切断像素区域发光时漏电子的侧向漏流途径，避免了阵列基板出现混色的现象，进而提高了显示效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)器件，由于其具有响应速度块、色域广等优点，已经逐渐成为显示领域的主流应用，其中，白色有机发光二极管(White organic light-emitting diode，简称WOLED)器件与普通OLED器件相比，由于其使用寿命更长、发光效率更高，因此，得到了更为广泛的应用。WOLED器件中包括有阵列基板，其中阵列基板上设置有由不同颜色的子发光单元组成的发光单元，不同颜色的子发光单元通过电荷生成层堆叠串联起来的。
经发明人研究发现，现有的WOLED器件中的阵列基板，当一个像素区域发光时，该像素区域的电荷产生层就会向相邻的像素区域的电荷产生层传递漏电子，使得相邻的像素区域也会被点亮，进而出现混色的现象，影响显示效果。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，能够防止阵列基板出现混色的现象，提高了显示效果。
一个方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层界定了多个像素区域，所述像素区域包括电荷生成层；其中，
所述像素界定层设置有声学结构，所述声学结构用于在阈值声波频率的声波的作用下，发生共振，使相邻两个像素区域的所述电荷生成层断开。
可选地，所述声学结构包括：凹槽或者音叉。
可选地，所述像素界定层的高度为1-2微米，宽度为17-20微米。
可选地，所述声学结构的开口的宽度小于或者等于1微米，且深度为所述像素界定层的高度的1/2-4/5。
可选地，所述声学结构的开口包括方形、菱形或者圆形。
可选地，所述像素区域还包括：第一发光层和第二发光层；
所述第一发光层设置在所述电荷生成层靠近所述衬底基板的一侧；
所述第二发光层设置在所述电荷生成层远离所述衬底基板的一侧。
可选地，相邻两个像素区域的所述第一发光层断开。
可选地，相邻两个像素区域的所述第二发光层断开。
另一方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
另一方面，本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层；所述像素界定层界定了多个像素区域；
在所述像素界定层上形成电荷生成层；
所述声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振，使相邻两个像素区域的所述电荷生成层断开。
可选地，所述在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层包括：
在衬底基板上形成阳极；
在所述阳极上沉积绝缘薄膜；
通过构图工艺形成设置有声学结构的像素界定层。
可选地，所述在所述像素界定层上形成电荷生成层之前，所述方法还包括：
在衬底基板上形成第一发光层。
可选地，所述在所述像素界定层上形成电荷生成层之后，所述方法还包括：
在所述电荷生成层上生成第二发光层。
可选地，所述声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振之后，所述方法还包括：
在所述第二发光层远离所述衬底基板的一侧形成阴极。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，其中，阵列基板包括：衬底基板，以及设置在衬底基板上的像素界定层，像素界定层界定了多个像素区域，像素区域包括电荷生成层；其中，像素界定层设置有声学结构，声学结构用于在阈值声波频率的声波的作用下，发生共振，使相邻两个像素区域的电荷生成层断开，本发明实施例通过在像素界定层上设置有声学结构，利用声学结构的共振作用使相邻像素区域的电荷生成层断开，切断像素区域发光时漏电子的侧向漏流途径，避免了阵列基板出现混色的现象，进而提高了显示效果。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明实施例技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明实施例的技术方案，并不构成对本发明实施例技术方案的限制。
图1为现有的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的声学结构的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的俯视图一；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的俯视图二；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图二；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
图8A为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法示意图一；
图8B为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法示意图二；
图8C为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法示意图三；
图8D为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法示意图四；
图8E为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法示意图五。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明实施例的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语一直出该词前面的元件或误检涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为现有的阵列基板的结构示意图，如图1所示，现有的阵列基板包括：像素界定层11用于分隔像素区域，像素区域包括：阳极12、第一发光层13、电荷产生层14和第二发光层15。
如图1所示，当像素区域A发光时，像素区域A的电荷产生层14会向相邻像素区域B的电荷产生层传递漏电子，而像素区域B的电荷产生层获得漏电子之后，就会与像素区域B的第二发光层15中的空穴激子作用发光，导致像素区域B也发光，导致阵列基板出现混色的现象，显示效果不高。
为了能够避免阵列基板出现混色的现象，提高其显示效果，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，具体说明如下。
实施例一
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图一，如图2所示，本发明提供的阵列基板包括：衬底基板21，以及设置在衬底基板21上的像素界定层22，像素界定层界定了多个像素区域，像素区域包括电荷生成层24。
在本实施例中，像素界定层22设置有声学结构220，声学结构220用于在阈值声波频率的声波的作用下，发生共振，使相邻两个像素区域的电荷生成层24断开。
另外，本发明实施例提供的阵列基板还包括：阳极25，相邻像素区域的阳极隔开，即各像素区域的阳极是相互绝缘。
可选地，衬底基板21可为玻璃基板、塑料基板或者石英基板等透明基板，本发明实施例对此不进行具体限定。
可选地，阳极25可选用金属、氧化铟锡或由金属和氧化铟锡组成的混合物。
可选地，电荷生成层24可选用含锂单质的有机材料或无机材料等。
可选地，像素界定层22的材料可为光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，当然还可以为其他绝缘性的符合材料，本发明实施例不进行限定。
在本实施例中，相邻两个像素区域的电荷生成层24断开，也就是说，相邻像素区域的电荷生成层是相互绝缘的。
本发明实施例提供的阵列基板包括：衬底基板，以及设置在衬底基板上的像素界定层，像素界定层界定了多个像素区域，像素区域包括电荷生成层；其中，像素界定层设置有声学结构，声学结构用于在阈值声波频率的声波的作用下，发生共振，使相邻两个像素区域的电荷生成层断开，本发明实施例通过在像素界定层上设置有声学结构，利用声学结构的共振作用使相邻像素区域的电荷生成层断开，切断像素区域发光时漏电子的侧向漏流途径，避免了阵列基板出现混色的现象，进而提高了显示效果。
可选地，图3为本发明实施例提供的声学结构的结构示意图，图4为本发明实施例提供的阵列基板的俯视图一，图5为本发明实施例提供的阵列基板的俯视图二，声学结构包括：凹槽或者音叉。
图2和图4是以声学结构为凹槽为例进行说明的，图3和图5是以声学结构为音叉为例进行说明的，本发明实施例的声学结构还可以为其他形状，只要能够发生共振即可。
在本实施例中，将声学结构设置为凹槽或者音叉，可以防止共振能量过大时，膜层碎片溅出。
可选地，声学结构的固定频率可以通过凹槽的深度或音叉的深度来调节。
可选地，声学结构的开口形状为方形、但并不限于方形，还可以为圆形、椭圆形、菱形等，所有能够起到声波强化作用的结构均可。
可选地，如图2所示，像素界定层的高度h为1-2微米，宽度w为17-20微米。
可选地，声学结构220的开口的宽度w0小于或者等于1微米，且深度l为像素界定层的高度的1/2-4/5。
可选地，图6为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图二，如图6所示，本发明实施例提供的像素区域还包括：第一发光层23和第二发光层26。
其中，第一发光层23设置在电荷生成层24靠近衬底基板21的一侧，第二发光层26设置在电荷生成层24远离衬底基板21的一侧。
可选地，相邻两个像素区域的第一发光层23断开，也就是说，相邻像素区域的第一发光层是相互绝缘的。
可选地，相邻两个像素区域的第二发光层26断开。图6是以相邻两个像素区域的第二发光层断开为例进行说明的，或者，相邻两个像素区域的第二发光层26相互连接，也就是说，相邻两个像素区域的第二发光层可以相互绝缘也可以相互连接，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，如图6所示，本发明实施例提供的阵列基板还包括：阴极27。
具体的，相邻两个像素区域的阴极27相连。
可选地，阴极27可选用铝等金属材料，本发明实施例并不具体限定阴极的材料。
需要说明的是，在上述的阵列基板中，每个像素区域包括：阳极、第一发光层、电荷生成层和第二发光层和阴极，当像素区域被点亮时，电荷生成层靠近第一发光层的一侧相当于阴极，向第一发光层传输电子，阳极向第一发光层传输空穴，空穴和电子在第一发光层中结合，使得第一发光层发光，电荷生成层靠近第二发光层一侧相当于阳极，向第二发光层传输空穴，阴极向第二发光层传输电子，空穴和电子在第二发光层中结合，使得第二发光层发光，第一发光层和第二发光层发出的光混色，使得像素区域发出光。
实施例二
基于上述实施例的发明构思，图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图，如图7所示，本发明实施例还提供的阵列基板的制作方法，具体包括以下步骤：
步骤100、在衬底基板形成设置有声学结构的像素界定层。
具体的，像素界定层界定了多个像素区域。
可选地，衬底基板可为玻璃基板或其他透明基板，本发明实施例对此不进行具体限定。
具体的，步骤100包括：在衬底基板上形成阳极；在阳极上沉积绝缘薄膜；通过构图工艺形成设置有声学结构的像素界定层。
其中，在衬底基板上形成阳极，包括：在衬底基板上沉积导电薄膜，通过构图工艺形成阳极。
可选地，阳极可选用金属、氧化铟锡或由金属和氧化铟锡组成的混合物支撑。
具体的，像素界定层是通过半色调掩膜板的构图工艺形成的。
可选地，绝缘薄膜的材料可以为光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，还可以为其他绝缘材料，本发明实施例并不以此为限。
步骤200、在像素界定层上形成电荷生成层。
可选地，电荷生成层可选用含锂单质的有机材料或无机材料等。
步骤300、声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振，使相邻两个像素区域的电荷生成层断开。
具体的，通过声学装置发出阈值声波频率的声波或超声波。
需要说明的是，声学装置设置在像素界定层的声学结构远离衬底基板的一侧，可发射声波或超声波，且还设置有限制口，该限制口可以约束声波具有指向性，且发射在一定范围内。另外，超声波的频率大于20KHz，是一种能量的形式，可以与媒介相互作用，去影响或破坏后者的结构。一般，超声波波长短，而第一发光层和电荷生成层比超声波的波长长达多倍，所以超生波衍射本身很差，可以沿着直线在介质中传播，有定向传播的特性，因此，可以只考虑声波直线方向上有机膜层的作用，而认为超声波对直线区域之外的膜层影响很小甚至没有。
具体的，声学结构的固有频率可以通过探测仪器获得。本发明实施例通过声学装置的阈值声波频率与声学结构的固有频率相近，利用两物体频率相近可发生共振的原理，使声波在声学结构内产生共振，共振能量震碎电荷生成层，使相邻像素区域的电子传输路径断开。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层，像素界定层界定了多个像素区域，在像素界定层上形成电荷生成层，声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振，使相邻两个像素区域的电荷生成层断开，本发明实施例通过在像素界定层上设置有声学结构，利用声学结构的共振作用使相邻像素区域的电荷生成层断开，切断像素区域发光时漏电子的侧向漏流途径，避免了阵列基板出现混色的现象，进而提高了显示效果。
可选地，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在步骤200之前还包括：在衬底基板上形成第一发光层。
具体的，相邻像素区域的第一发光层断开。
可选地，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在步骤200之后还包括：在电荷生成层上生成第二发光层。
具体的，相邻像素区域的第二发光层可以断开，也可以相互连接，本发明实施例并不具体限定。
需要说明的是，该步骤可以发生在步骤300之前，也可以发生在步骤300之后，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在步骤300之后，还包括：在第二发光层远离衬底基板的一侧形成阴极。
具体的，在第二发光层上沉积导电薄膜，通过构图工艺形成阴极，相邻像素区域的阴极均相连。
下面结合图8A-图8E，进一步地具体描述本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，其中，构图工艺包括：涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀以及剥离光刻胶等步骤的工艺。
步骤410、提供一衬底基板21，并在衬底基板21上形成阳极25，具体如图8A所示。
具体的，步骤410包括：在衬底基板21上沉积导电薄膜，通过构图工艺形成阵列排列的阳极25。
可选地，衬底基板21可以为玻璃基板、塑料基板或石英基板等透明基板，本发明并不以此为限。
可选地，导电薄膜包括：金属薄膜、氧化铟锡薄膜或者金属与氧化铟锡混合形成的混合物的薄膜。
步骤420、在阳极25上形成设置有声学结构的像素界定层22，具体如图8B所示。
具体的，步骤420包括：在阳极上沉积光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，通过半掩膜板构图工艺形成像素界定层。
步骤430、在像素界定层22上依次形成第一发光层23和电荷生成层24，具体如图8C所示。
具体的，步骤430具体包括：在像素界定层上沉积第一发光层，在第一发光层上沉积电荷生成层。
可选地，电荷生成层24的材质可以为含锂单质的有机材料或无机材料等。
步骤440、声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振，使相邻两个像素区域的第一发光层和电荷生成层断开，具体如图8D所示。
步骤450、在电荷生成层24上形成第二发光层26，具体如图8E所示。
具体的，在该步骤中的相邻像素区域的第二发光层相互连接，该步骤还可以发生在步骤440之前。
可选地，第二发光层还可以相互断开，本发明实施例对此并不做具体限定。
步骤460、在第二发光层26远离衬底基板21的一侧形成阴极27，具体如图6所示。
可选地，在第二发光层26上沉积导电薄膜，通过构图工艺形成阴极27，相邻像素区域的阴极27均相连。
可选地，导电薄膜包括：铝薄膜。
实施例三
基于上述实施例的发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，包括：阵列基板。
其中，阵列基板为实施例一提供的阵列基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
有以下几点需要说明：
本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在不冲突的情况下，本发明的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明实施例所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明实施例而采用的实施方式，并非用以限定本发明实施例。任何本发明实施例所属领域内的技术人员，在不脱离本发明实施例所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明实施例的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (14)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层界定了多个像素区域，所述像素区域包括电荷生成层；其中，
所述像素界定层的内部设置有声学结构，所述声学结构用于在阈值声波频率的声波的作用下，发生共振，使相邻两个像素区域的所述电荷生成层断开。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述声学结构包括：凹槽或者音叉。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层的高度为1-2微米，宽度为17-20微米。
4.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述声学结构的开口的宽度小于或者等于1微米，且深度为所述像素界定层的高度的1/2-4/5。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述声学结构的开口包括方形、菱形或者圆形。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区域还包括：第一发光层和第二发光层；
所述第一发光层设置在所述电荷生成层靠近所述衬底基板的一侧；
所述第二发光层设置在所述电荷生成层远离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个像素区域的所述第一发光层断开。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个像素区域的所述第二发光层断开。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层；所述像素界定层界定了多个像素区域；所述声学结构设置在像素界定层内部；
在所述像素界定层上形成电荷生成层；
所述声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振，使相邻两个像素区域的所述电荷生成层断开。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层包括：
在衬底基板上形成阳极；
在所述阳极上沉积绝缘薄膜；
通过构图工艺形成设置有声学结构的像素界定层。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述像素界定层上形成电荷生成层之前，所述方法还包括：
在衬底基板上形成第一发光层。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述像素界定层上形成电荷生成层之后，所述方法还包括：
在所述电荷生成层上形成第二发光层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振之后，所述方法还包括：
在所述第二发光层远离所述衬底基板的一侧形成阴极。
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