KR102316864B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부의 열을 용이하게 외부로 효과적으로 방출할 수 있는 표시 장치에 관한 것으로, 적어도 2개의 층들을 포함하는 기판; 기판 상의 구동 회로부; 구동 회로부에 연결된 화소 전극; 화소 전극 상의 공통 전극; 화소 전극과 공통 전극 사이의 표시층; 및 기판의 적어도 2개의 층들 사이에 위치한 열전 소자를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 내부의 열을 용이하게 외부로 효과적으로 방출할 수 있는 표시 장치에 대한 것이다.
평판 표시 장치는 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 장점을 갖는다. 이러한 평판 장치로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel: PDP) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 있다.
평판 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시한다.
본 발명은 내부의 열을 외부로 효과적으로 방출시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 적어도 2개의 층들을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 구동 회로부; 상기 구동 회로부에 연결된 화소 전극; 상기 화소 전극 상의 공통 전극; 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 표시층; 및 상기 기판의 적어도 2개의 층들 사이에 위치한 열전 소자를 포함한다.
상기 적어도 2개의 층들은 상기 열전 소자를 사이에 두고 서로 마주보게 위치한 제 1 기저층 및 제 2 기저층을 포함한다.
상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 1 기저층과 상기 열전 소자 사이에 위치한 제 1 보호층을 더 포함한다.
상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 2 기저층과 상기 구동 회로부 사이에 위치한 제 2 보호층을 더 포함한다.
상기 열전 소자는 펠티어(Peltier) 소자를 포함한다.
상기 열전 소자는, 상기 2개의 층들 사이에 위치하며, 상기 2개의 층들 중 어느 하나와 접촉하는 하부 전극; 상기 2개의 층들 사이에 위치하며, 상기 2개의 층들 중 다른 하나와 접촉하는 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 P형 열전 반도체 소자 및 N형 열전 반도체 소자를 포함한다.
상기 하부 전극은 서로 분리된 복수의 하부 전극들을 포함한다.
표시 장치는 상기 복수의 하부 전극들 중 어느 하나 및 다른 하나에 연결된 직류 전원을 더 포함한다.
상기 직류 전원의 제 1 단자는 상기 어느 하나의 하부 전극에 직접 연결되고, 상기 직류 전원의 제 2 단자는 상기 다른 하나의 하부 전극에 직접 연결된다.
상기 직류 전원의 제 1 단자는 상기 구동 회로부 및 상기 기판을 관통하는 제 1 콘택홀을 통해 상기 어느 하나의 하부 전극에 연결되고, 상기 직류 전원의 제 2 단자는 상기 구동 회로부 및 상기 기판을 관통하는 제 1 콘택홀을 통해 상기 다른 하나의 하부 전극에 연결된다.
상기 표시층은 발광 소자 또는 액정을 포함한다.
상기 공통 전극 상의 밀봉 부재 또는 대향 기판을 더 포함한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상의 구동 회로부; 상기 구동 회로부에 연결된 화소 전극; 상기 화소 전극 상의 공통 전극; 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 표시층; 및 상기 기판을 사이에 두고 상기 구동 회로부와 마주보는 열전 소자를 포함한다.
표시 장치는 상기 기판과 상기 열전 소자 사이의 점착층을 더 포함한다.
상기 점착층은 PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 또는 OCA(Optical Clean Adhesive)를 포함한다.
상기 기판은 적어도 2개의 층들을 포함한다.
상기 적어도 2개의 층들은, 제 1 기저층; 및 상기 제 1 기저층 상의 제 2 기저층을 포함한다.
상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 1 기저층과 상기 제 2 기저층 사이의 제 1 보호층을 더 포함한다.
상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 2 기저층과 상기 구동 회로부 사이에 위치한 제 2 보호층을 더 포함한다.
상기 열전 소자는 펠티어(Peltier) 소자를 포함한다.
상기 열전 소자는, 하부 기저층; 상기 하부 기저층과 상기 기판 사이의 상부 기저층; 상기 하부 기저층과 상기 상부 기저층 사이에 위치하며, 상기 하부 기저층과 접촉하는 하부 전극; 상기 하부 기저층과 상기 상부 기저층 사이에 위치하며, 상기 상부 기저층과 접촉하는 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 P형 열전 반도체 소자 및 N형 열전 반도체 소자를 포함한다.
본 발명에 따른 표시 장치는 다음과 같은 효과를 제공한다.
본 발명의 표시 장치는 내부의 열을 능동적으로 방출할 수 있는 열전 소자를 포함한다. 이에 따라, 표시층, 특히 발광 소자로부터의 열이 더욱 용이하게 외부로 방출될 수 있다.
한편, 열전 소자는 기판에 포함된 복수의 층들 사이에 위치할 수 있다. 이와 같은 경우, 그 층이 열전 소자의 기저층 역할을 수행하므로 열전 소자의 기저층이 생략될 수 있다. 따라서, 열전 소자가 표시 장치에 부착됨에도 불구하고 그 표시 장치의 두께가 과도하게 증가하지 않는다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 열전 소자의 사시도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 하나의 화소에 대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'의 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 표시 장치와 직류 전원 간의 연결 관계를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 표시 장치와 직류 전원 간의 연결 관계의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 10을 참조로 본 발명에 따른 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 2는 도 1의 열전 소자(500)의 사시도이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(111), 열전 소자(500), 구동 회로부(130), 표시부(210) 및 밀봉 부재(250)를 포함한다.
구동 회로부(130)는 기판(111) 상에 위치한다. 구동 회로부(130)는 적어도 하나의 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 구동 회로부(130)는 표시부(210)를 구동한다.
표시부(210)는 구동 회로부(130) 상에 위치한다. 표시부(210)는 화소 전극, 표시층 및 공통 전극을 포함할 수 있다. 표시층은 화소 전극과 공통 전극 사이에 위치한다.
밀봉 부재(250)는 표시부(210) 상에 위치한다. 이때, 밀봉 부재(250)는 표시부(210)를 둘러싼다.
기판(111)은 Z축에 평행한 방향(이하, Z축 방향)을 따라 배열된 적어도 2개의 층들을 포함한다. 예를 들어, 그 적어도 2개의 층들은 제 1 기저층(301), 제 1 보호층(401), 제 2 기저층(302) 및 제 2 보호층(402)을 포함할 수 있다. 제 1 기저층(301), 제 1 보호층(401), 제 2 기저층(302) 및 제 2 보호층(402)은 Z축 방향을 따라 배열된다. 여기서, 제 1 보호층(401) 및 제 2 보호층(402) 중 적어도 하나는 제거될 수 있다.
제 1 기저층(301) 상에 제 1 보호층(401)이 위치하며, 그 제 1 보호층(401) 상에 제 2 기저층(302)이 위치하며, 그 제 2 기저층(302) 상에 제 2 보호층(402)이 위치한다. 다시 말하여, 제 1 보호층(401)은 제 1 기저층(301)과 제 2 기저층(302) 사이에 위치하며, 제 2 기저층(302)은 제 1 보호층(401)과 제 2 보호층(402) 사이에 위치한다.
열전 소자(500)는 전술된 기판(111)에 포함된 2개의 층들 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 열전 소자(500)는 제 1 기저층(301)과 제 2 기저층(302) 사이에 위치할 수 있다. 더욱 구체적인 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 열전 소자(500)는 제 1 보호층(401)과 제 2 기저층(302) 사이에 위치할 수 있다.
열전 소자(500)는 펠티어(Peltier) 소자를 포함할 수 있다.
열전 소자(500)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 하부 전극(601), 상부 전극(602), P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N)를 포함한다.
하부 전극(601) 및 상부 전극(602)은 제 1 보호층(401)과 제 2 기저층(302) 사이에 위치한다. 이때, 하부 전극(601)은 제 1 보호층(401) 및 제 2 기저층(302) 중 제 1 보호층(401)에 더 근접하게 위치하며, 상부 전극(602)은 그 제 1 보호층(401) 및 제 2 기저층(302) 중 제 2 기저층(302)에 더 근접하게 위치한다. 하부 전극(601) 및 상부 전극(602) 중 하부 전극(601)이 제 1 보호층(401)에 더 근접하게 위치하며, 하부 전극(601) 및 상부 전극(602) 중 상부 전극(602)이 제 2 기저층(302)에 더 근접하게 위치한다.
하부 전극(601)은 제 1 보호층(401)과 접촉할 수 있다. 만약 제 1 보호층(401)이 없을 경우, 하부 전극(601)은 제 1 기저층(301)과 접촉할 수 있다.
상부 전극(602)은 제 2 기저층(302)과 접촉할 수 있다. 만약 제 2 기저층(302)이 없을 경우, 상부 전극(602)은 제 2 보호층(402)과 접촉할 수 있다.
하부 전극(601)은 서로 분리된 복수의 하부 전극(601)들을 포함할 수 있다. 다시 말하여, 본 발명의 열전 소자(500)는 서로 분리된 복수의 하부 전극(601)들을 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 그 복수의 하부 전극(601)들은 X축 방향을 따라 배치된다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 그 복수의 하부 전극(601)들은 Y축에 평행한 방향(이하, Y축 방향)을 따라 배치된다. 다시 말하여, 복수의 하부 전극(601)들은 X축 및 Y축에 의해 정의된 평면(이하, X-Y 평면)을 따라 위치한다.
상부 전극(602)은 서로 분리된 복수의 상부 전극(602)들을 포함할 수 있다. 다시 말하여, 본 발명의 열전 소자(500)는 서로 분리된 복수의 상부 전극(602)들을 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 그 복수의 상부 전극(602)들은 Z축 방향으로 하부 전극(601)들과 소정 간격 이격되며, X축 방향을 따라 배치된다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 그 복수의 상부 전극(602)들은 Z축 방향으로 하부 전극(601)들과 소정 간격 이격되며, Y축 방향을 따라 배치된다. 다시 말하여, 복수의 상부 전극(602)들은 Z축 방향으로 하부 전극(601)들과 소정 간격 이격되며, X-Y 평면을 따라 위치한다.
상부 전극(602)은 서로 인접한 2개의 하부 전극(601)들과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 가장 좌측에 위치한 하나의 상부 전극(602; 이하, 최외각 상부 전극)은 그 아래에 위치하며 서로 인접한 2개의 하부 전극(601)들과 중첩한다. 더욱 구체적으로, 전술된 2개의 하부 전극(601)들 중 좌측에 위치한 하부 전극(601)을 제 1 하부 전극으로 정의하고, 그 제 1 하부 전극(601)에 인접한 하부 전극(601)을 제 2 하부 전극으로 정의할 때, 최외각 상부 전극의 일측 가장자리와 제 1 하부 전극의 일측 가장자리가 중첩하며, 최외각 상부 전극의 타측 가장자리와 제 2 하부 전극의 일측 가장자리가 중첩한다.
한편, 상부 전극(602; 예를 들어, 전술된 최외각 상부 전극)의 일측 가장자리와 타측 가장자리 사이의 부분을 그 상부 전극(602)의 중심부로 정의할 때, 그 상부 전극(602)의 중심부는 제 1 보호층(401)과 마주본다. 또한, 하부 전극(601; 예를 들어, 전술된 제 2 하부 전극)의 일측 가장자리와 타측 가장자리 사이의 부분을 그 하부 전극(601)의 중심부로 정의할 때, 그 하부 전극(601)의 중심부는 제 2 기저층(302)과 마주본다.
P형 열전 반도체 소자(700P)는 하부 전극(601)과 상부 전극(602) 사이에 위치한다. P형 열전 반도체 소자(700P)의 일측 단부는 하부 전극(601)에 연결되며, 그 P형 열전 반도체 소자(700P)의 타측 단부는 상부 전극(602)에 연결된다.
N형 열전 반도체 소자(700N)는 하부 전극(601)과 상부 전극(602) 사이에 위치한다. N형 열전 반도체 소자(700N)의 일측 단부는 하부 전극(601)에 연결되며, 그 N형 열전 반도체 소자(700N)의 타측 단부는 상부 전극(602)에 연결된다.
P형 열전 반도체 소자(700P)와 N형 열전 반도체 소자(700N)는 교번적으로 배치된다. 예를 들어, X축 방향을 따라 일렬로 배치된 열전 반도체 소자들 중 홀수 번째 열전 반도체 소자는 P형 열전 반도체 소자(700P)이고, 그 X축 방향을 따라 일렬로 배치된 열전 반도체 소자들 중 짝수 번째 열전 반도체 소자는 N형 열전 반도체 소자(700N)일 수 있다.
서로 인접한 P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N)는 상부 전극(602) 및 하부 전극(601) 중 어느 하나에 공통으로 연결되고, 다른 하나에 개별적으로 연결된다. 예를 들어, 도 1에서 가장 좌측에 위치한 P형 열전 반도체 소자(700P)를 제 1 열전 반도체 소자로 정의하고, 그 제 1 열전 반도체 소자에 인접한 N형 열전 반도체 소자(700N)를 제 2 열전 반도체 소자로 정의할 때, 제 1 열전 반도체 소자의 타측 단부 및 제 2 열전 반도체 소자의 타측 단부는 하나의 상부 전극(602)에 공통으로 연결된다. 반면, 제 1 열전 반도체 소자의 일측 단부는 서로 인접한 2개의 하부 전극(601)들 중 좌측의 하부 전극(601; 전술된 제 1 하부 전극)에 연결되고, 제 2 열전 반도체 소자의 일측 단부는 서로 인접한 2개의 하부 전극(601)들 중 우측의 하부 전극(601; 전술된 제 2 하부 전극)에 연결된다.
서로 인접한 P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N)와 이들에 연결된 3개의 전극들(2개의 하부 전극(601)들 및 1개의 상부 전극(602), 또는 2개의 상부 전극(602) 및 1개의 하부 전극(601))은 파이(π) 형상을 이룬다.
한편, 열전 소자(500)는 하부 기저층 및 상부 기저층을 더 포함하는 바, 도 1에 도시된 바와 같은 구조에서 제 1 보호층(401)이 그 열전 소자(500)의 하부 기저층의 역할을 수행하며, 제 2 기저층(302)이 그 열전 소자(500)의 상부 기저층의 역할을 수행할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, P형 열전 반도체 소자(700P)들 및 N형 열전 반도체 소자(700N)들은 직류 전원(800)의 일측 단자와 그 직류 전원(800)의 타측 단자 사이에 직렬로 연결된다. 즉, 전술된 P형 열전 반도체 소자(700P)들 및 N형 열전 반도체 소자(700N)들은 복수의 하부 전극(601)들 및 복수의 상부 전극(602)들을 통해 직류 전원(800)의 제 1 단자(11)와 제 2 단자(22) 사이에 직렬로 접속될 수 있다.
하부 전극(601)들 중 어느 하나의 하부 전극(601; 이하, 제 3 하부 전극)은 직류 전원(800)의 제 1 단자(11)에 연결되고, 그 하부 전극(601)들 중 다른 하나의 하부 전극(601; 이하, 제 4 하부 전극)은 그 직류 전원(800)의 제 2 단자(22)에 연결될 수 있다. 이때, 제 3 하부 전극은 P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N) 중 어느 하나에 연결된 하부 전극(601)이며, 제 4 하부 전극은 P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N) 중 다른 하나에 연결된 하부 전극(601)이다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 3 하부 전극은 P형 열전 반도체 소자(700P)에 연결된 하부 전극(601)이고, 제 4 하부 전극은 N형 열전 반도체 소자(700N)에 연결된 하부 전극(601)일 수 있다. 이와 같은 경우, 제 3 하부 전극(601)은 직류 전원(800)의 정극성 단자에 연결되고, 그 제 4 하부 전극(601)은 그 직류 전원(800)의 부극성 단자에 연결된다. 정극성 단자는 직류 전원(800)의 제 1 단자(11)에 해당하는 것으로, 이 정극성 단자로부터 정극성 전압이 출력된다. 그리고 부극성 단자는 그 직류 전원(800)의 제 2 단자(22)에 해당하는 것으로, 이 부극성 단자로부터 부극성 전압이 출력된다.
도 2에서의 화살표(60)는 상부 전극(602)들을 통해 흐르는 전류의 방향을 나타낸다.
직류 전원(800)에 의한 전압이 열전 소자(500)에 인가되면, 열전 소자(500)는 표시부(210)로부터 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출한다. 구체적으로, 열전 소자(500)는 표시부(210)의 표시층(212)으로부터 발생된 열을 구동 회로부(130), 제 2 보호층(402) 및 제 2 기저층(302)을 통해 흡수하고, 그 흡수된 열을 제 1 보호층(401)을 향해 방출한다. 이 열전 소자(500)로부터 방출된 열은 제 1 보호층(401) 및 제 1 기저층(301)을 통해 외부로 빠져나간다. 즉, 열전 소자는 능동적인 흡열 및 방열 동작을 통해 효과적으로 표시부(210)의 열을 외부로 방출할 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 하나의 화소에 대한 평면도이고, 도 4는 도 3의 I-I'의 선을 따라 자른 단면도이다.
화소(PX)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)에 의해 정의된 영역(화소 영역)에 위치할 수 있다.
화소(PX)는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하는 것으로, 적색광을 발광하는 적색 화소, 녹색광을 발광하는 녹색 화소 및 청색광을 발광하는 청색 화소 중 어느 하나일 수 있다.
화소(PX)는, 표시부(210) 및 이 표시부(210)의 표시층(212)을 구동하기 위한 구동 회로부(130)를 포함한다.
구동 회로부(130)는 스위칭 박막트랜지스터(10) 및 구동 박막트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함한다.
표시부(210)는 화소 전극(211), 표시층(212) 및 공통 전극(213)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시층(212)은 유기 발광 소자를 포함할 수 있다.
구동 회로부(130)는 기판(111) 상에 위치한다. 구체적으로, 구동 회로부(130)는 기판(111)의 제 2 보호층(402) 상에 위치한다. 다시 말하여, 스위칭 박막트랜지스터(10), 구동 박막트랜지스터(20), 및 축전 소자(80)는 제 2 보호층(402) 상에 위치한다. 이러한 구동 회로부(130)는 표시부(210)의 표시층(212)을 구동한다.
구동 회로부(130) 및 발광 소자(210)의 구체적인 구조는 도 3 및 도 4에 나타나 있으나, 본 발명의 일 실시예가 도 3 및 도 4에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 구동 회로부(130) 및 표시부(210)는 해당 기술 분야의 종사자가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다.
도 4에 따르면 하나의 화소(PX)가 2개의 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 화소(PX)는 3개 이상의 박막트랜지스터와 2개 이상의 축전 소자를 구비할 수도 있으며, 별도의 신호선을 더 포함하는 다양한 구조를 가질 수 있다.
기판(111)의 제 1 기저층(301)은 유리 및 투명한 소재의 플라스틱 등으로 만들어진 투명한 절연층일 수 있다. 예를 들어, 제 1 기저층(301)은 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR) 및 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic: FRP) 등으로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나로 만들어질 수 있다.
기판(111)의 제 1 보호층(401)은 제 1 기저층(301) 상에 위치한다. 제 1 보호층(401)은 무기 물질로 만들어질 수 있다.
기판(111)의 제 2 기저층(302)은 제 1 보호층(401) 상에 위치한다. 구체적으로, 제 2 기저층(302)은 열전 소자(500) 상에 위치한다. 기판(111)의 제 2 기저층(302)은 전술된 제 1 기저층(301)과 동일한 물질로 만들어질 수 있다.
기판(111)의 제 2 보호층(402)은 제 2 기저층(302) 상에 위치한다. 제 2 보호층(402)은 전술된 제 1 보호층(401)과 동일한 물질로 만들어질 수 있다.
버퍼층(120)은 제 2 보호층(402) 상에 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiO2)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 그러나, 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기저층(111)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132)은 버퍼층(120) 상에 배치된다. 스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 구동 반도체층(132)이 다결정 규소막을 포함하는 경우, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 P+ 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 이러한 불순물은 박막트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
본 발명의 일 실시예에서 구동 박막트랜지스터(20)로 P형 불순물을 포함한 PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor) 구조의 박막트랜지스터가 사용되었으나, 구동 박막트랜지스터(20)가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 구동 박막트랜지스터(20)로 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) 구조 또는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 구조의 박막트랜지스터도 모두 사용될 수 있다.
게이트 절연막(140)은 스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132) 상에 배치된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2)중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 전극(152, 155)을 포함하는 게이트 배선은 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 게이트 배선은 게이트 라인(151), 제 1 축전판(158) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 그리고 게이트 전극(152, 155)은 반도체층(131, 132)의 일부 또는 전부와 중첩되며 특히 채널 영역과 중첩되도록 배치된다. 게이트 전극(152, 155)은 반도체층(131, 132) 형성 과정에서 반도체층(131, 132)의 소스 영역(136)과 드레인 영역(137)에 불순물이 도핑될 때 채널 영역에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(152, 155)과 제 1 축전판(158)은 동일한 층에 배치되며, 이들은 실질적으로 동일한 금속으로 만들어진다. 게이트 전극(152, 155)과 제 1 축전판(158)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(152, 155)을 덮는 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 또는 테트라에톡시실란(TEOS) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177)을 포함하는 데이터 배선은 층간 절연막(160) 상에 배치된다. 데이터 배선은 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제 2 축전판(178) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 그리고 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177)은 게이트 절연막(140)의 콘택홀 및 층간 절연막(160)의 콘택홀을 통하여 반도체층(131, 132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 각각 연결된다.
이와 같이, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함하며, 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다. 박막트랜지스터(10, 20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 배치된 제 1 축전판(158)과 제 2 축전판(178)을 포함한다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격되어 배치되며, 제 1 축전판(158)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내에 구비된 표시부(210)의 표시층(212)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(211)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 제 1 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제 2 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 콘택홀을 통해 표시부(210)의 화소 전극(211)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 표시부(210)로 흘러 표시층(210)이 발광한다.
평탄화막(165)은 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177), 제 2 축전판(178) 등과 같이 하나의 마스크로 패터닝된 데이터 배선을 덮는다. 평탄화막(165)은 층간 절연막(160) 상에 위치한다.
평탄화막(165)은 그 위에 위치한 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 평탄한 면을 제공한다. 평탄화막(165)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
표시부(210)의 화소 전극(211)은 평탄화막(165) 상에 배치된다. 화소 전극(211)은 평탄화막(165)의 콘택홀을 통하여 드레인 전극(177)과 연결된다.
화소 전극(211)의 일부 또는 전부는 화소(PX)의 투과 영역(또는 발광 영역) 내에 배치된다. 즉, 화소 전극(211)은 화소 정의막(190)에 의해 정의된 화소의 투과 영역에 대응하도록 배치된다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
표시층(212)은 투과 영역 내의 화소 전극(211) 상에 배치되고, 공통 전극(213)은 화소 정의막(190) 및 표시층(212) 상에 배치된다.
표시층(212)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL) 중 적어도 하나가 화소 전극(211)과 표시층(212) 사이에 더 배치될 수 있고, 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 적어도 하나가 표시층(212)과 공통 전극(213) 사이에 더 배치될 수 있다.
화소 전극(211) 및 공통 전극(213)은 투과형 전극, 반투과형 전극 및 반사형 전극 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
투과형 전극의 형성을 위하여 투명 도전성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)이 사용될 수 있다. 투명 도전성 산화물(TCO)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 안티몬 주석 산화물(ATO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 산화 아연(ZnO), 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
반투과형 전극 및 반사형 전극의 형성을 위하여 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 이때, 반투과형 전극과 반사형 전극은 두께로 결정된다. 일반적으로, 반투과형 전극은 약 200nm 이하의 두께를 가지며, 반사형 전극은 300nm 이상의 두께를 가진다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다.
또한, 반투과형 및 반사형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
화소(PX)는 화소 전극(211) 방향 및 공통 전극(213) 방향으로 빛을 방출할 수 있는 양면 발광형 구조를 가질 수도 있다. 이와 같은 경우, 화소 전극(211) 및 공통 전극(213) 모두 투과형 또는 반투과형 전극으로 형성될 수 있다.
밀봉 부재(250)는 공통 전극(213) 상에 위치한다. 밀봉 부재(250)는 유리 및 투명한 소재의 플라스틱 등으로 만들어진 투명 절연 기판(111)을 포함할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(250)는 1개 이상의 무기막 및 1개 이상의 유기막을 포함하는 박막 봉지 구조를 가질 수 있다. 이때, 1개 이상의 무기막 및 1개 이상의 유기막은 교번적으로 적층된다.
도 5는 본 발명의 표시 장치와 직류 전원(800) 간의 연결 관계를 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(111)의 좌측 가장자리에 위치한 하부 전극(601; 이하, 제 1 최외각 하부 전극)과 제 2 기저층(302)이 Z축 방향으로 소정 간격 이격되어 있을 경우, 직류 전원(800)의 제 1 단자(11)는 그 제 1 최외각 하부 전극에 직접 연결될 수 있다. 다시 말하여, 제 1 최외각 하부 전극과 제 2 기저층(302)이 접촉하지 않을 경우, 직류 전원(800)의 제 1 단자(11)는 그 제 1 최외각 하부 전극(601)에 직접 연결될 수 있다. 구체적으로, 제 1 최외각 하부 전극과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들이 서로 접촉하지 않을 경우 제 1 단자(11)는 그 제 1 최외각 하부 전극에 직접 연결될 수 있다. 여기서, 제 1 최외각 하부 전극(601)과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들은 Z축 방향으로 서로 마주보는 면들을 의미한다.
마찬가지로, 기판(111)의 우측 가장자리에 위치한 하부 전극(601; 이하, 제 2 최외각 하부 전극)과 제 2 기저층(302)이 Z축 방향으로 소정 간격 이격되어 있을 경우, 직류 전원(800)의 제 2 단자(22)는 그 제 2 최외각 하부 전극에 직접 연결될 수 있다. 다시 말하여, 제 2 최외각 하부 전극과 제 2 기저층(302)이 접촉하지 않을 경우, 직류 전원(800)의 제 2 단자(22)는 그 제 2 최외각 하부 전극에 직접 연결될 수 있다. 구체적으로, 제 2 최외각 하부 전극과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들이 서로 접촉하지 않을 경우 제 2 단자(22)는 그 제 2 최외각 하부 전극에 직접 연결될 수 있다. 여기서, 제 2 최외각 하부 전극과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들은 Z축 방향으로 서로 마주보는 면들을 의미한다.
도 6은 본 발명의 표시 장치와 직류 전원(800) 간의 연결 관계의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판(111)의 좌측 가장자리에 위치한 하부 전극(601; 이하, 제 1 최외각 하부 전극)과 제 2 기저층(302)이 접촉할 경우, 직류 전원(800)의 제 1 단자(11)는 제 1 콘택홀(91)을 통해 제 1 최외각 하부 전극에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제 1 최외각 하부 전극과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들이 서로 접촉할 경우 제 1 단자(11)는 제 1 콘택홀(91)을 통해 제 1 최외각 하부 전극에 연결될 수 있다. 여기서, 제 1 최외각 하부 전극(601)과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들은 Z축 방향으로 서로 마주보는 면들을 의미한다.
제 1 콘택홀(91)은 제 1 최외각 하부 전극(601)에 대응되게 제 2 기저층(302), 버퍼층(120), 게이트 절연막, 층간 절연막 및 평탄화막을 관통한다.
마찬가지로, 기판(111)의 타측 가장자리에 위치한 하부 전극(601)(이하, 제 2 최외각 하부 전극(601))과 제 2 기저층(302)이 접촉할 경우, 직류 전원(800)의 제 2 단자는 제 2 콘택홀을 통해 제 2 최외각 하부 전극(601)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제 2 최외각 하부 전극(601)과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들이 서로 접촉할 경우 제 2 단자는 제 2 콘택홀을 통해 제 2 최외각 하부 전극(601)에 연결될 수 있다. 여기서, 제 2 최외각 하부 전극(601)과 제 2 기저층(302)의 서로 마주보는 면들은 Z축 방향으로 서로 마주보는 면들을 의미한다.
제 2 콘택홀은 제 2 최외각 하부 전극(601)에 대응되게 제 2 기저층(302), 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160) 및 평탄화막(165)을 관통한다.
도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제 1 기저층(301)이 준비된다.
이후, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제 1 기저층(301) 상에 제 1 보호층(401)이 형성된다. 제 1 보호층(401)은 제 1 기저층(301)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
이어서, 도시되지 않았지만, 제 1 보호층(401)의 전면(全面)에 제 1 금속층이 형성된다. 이 제 1 금속층은 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리 기상 증착(physical vapor deposition: PVD) 방식으로 제 1 보호층(401)에 증착될 수 있다.
이후, 포토리쏘그라피(photolithography) 공정에 의해 전술된 제 1 금속층이 패터닝됨으로써, 도 7c에 도시된 바와 같이, 복수의 하부 전극(601)들이 제 1 보호층(401) 상에 형성된다. 포토리쏘그라피 공정시, 제 1 금속층은 식각액에 의한 습식 식각(wet-etch) 방식으로 제거될 수 있다.
다음으로, 도시되지 않았지만, 하부 전극(601)들을 포함한 제 1 기저층(301)의 전면(全面)에 반도체 물질이 형성된다. 이 반도체 물질은 하부 전극(601)들의 전면(全面)에 형성된다. 이때, 이 반도체 물질은 인접한 하부 전극(601)들 사이에 형성되지 않는다. 이는 인접한 하부 전극(601)들 사이의 간격이 상당히 작기 때문이다. 반도체 물질은 화학 기상 증착(chemical vapor depostion: CVD) 방식으로 하부 전극(601)들에 증착될 수 있다.
이후, 포토리쏘그라피 공정에 의해 반도체 물질이 패터닝됨으로써, 도 7d에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체 패턴(700)들이 하부 전극(601)들 상에 형성된다.
이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 제 1 마스크(M1)가 복수의 반도체 패턴(700)들 상에 위치한다. 제 1 마스크는 복수의 개구부(40)들을 포함한다. 이 개구부(40)들은 복수의 반도체 패턴(700)들 중 일부의 반도체 패턴들에 대응되게 위치한다. 예를 들어, 제 1 마스크(M1)의 개구부(40)들은 홀수 번째 반도체 패턴들에 대응되게 위치할 수 있다.
제 1 마스크(M1)를 통해 P형 불순물(또는 P형 불순물 이온)이 반도체 패턴(700)들에 주입된다. 이때, P형 불순물 이온들은 제 1 마스크(M1)의 개구부(40)들에 대응되게 위치한 반도체 패턴(700)들에 선택적으로 주입된다. 예를 들어, P형 불순물은 복수의 반도체 패턴(700)들 중 홀수 번째 반도체 패턴들에 선택적으로 주입될 수 있다. P형 불순물이 주입된 반도체 패턴(700)이 P형 열전 반도체 소자(700P)이다.
이후, 도 7f에 도시된 바와 같이, 제 2 마스크(M2)가 복수의 반도체 패턴(700)들 상에 위치한다. 제 2 마스크(M2)는 복수의 개구부(50)들을 포함한다. 이 개구부(50)들은 복수의 반도체 패턴(700)들 중 일부의 반도체 패턴(700)들에 대응되게 위치한다. 예를 들어, 제 2 마스크(M2)의 개구부(50)들은 짝수 번째 반도체 패턴(700)들에 대응되게 위치할 수 있다.
제 2 마스크(M2)를 통해 N형 불순물(또는 N형 불순물 이온)이 반도체 패턴(700)들에 주입된다. 이때, N형 불순물 이온들은 제 2 마스크(M2)의 개구부들(50)에 대응되게 위치한 반도체 패턴(700)들에 선택적으로 주입된다. 예를 들어, N형 불순물은 복수의 반도체 패턴(700)들 중 짝수 번째 반도체 패턴(700)들에 선택적으로 주입될 수 있다. N형 불순물이 주입된 반도체 패턴(700)이 N형 열전 반도체 소자(700N)이다.
다음으로, 도시되지 않았지만, P형 열전 반도체 소자(700P)들 및 N형 열전 반도체 소자(700N)들을 포함한 제 1 기저층(301)의 전면(全面)에 제 2 금속층이 형성된다. 이 제 2 금속층은 스퍼터링과 같은 물리 기상 증착 방식으로 P형 열전 반도체 소자(700P)들, N형 열전 반도체 소자(700N)들 및 하부 전극(601)들에 증착될 수 있다. 이때, 이 제 2 금속층은 인접한 P형 열전 반도체 소자(700P)와 N형 열전 반도체 소자(700N) 사이에 형성되지 않는다. 이는 인접한 P형 열전 반도체 소자(700P)와 N형 열전 반도체 소자(700N) 사이의 간격이 상당히 작기 때문이다.
이후, 포토리쏘그라피(photolithography) 공정에 의해 전술된 제 2 금속층이 패터닝됨으로써, 도 7g에 도시된 바와 같이, 복수의 상부 전극(602)들이 P형 열전 반도체 소자(700P)들 및 N형 열전 반도체 소자(700N)들상에 형성된다. 포토리쏘그라피 공정시, 제 2 금속층은 식각액에 의한 습식 식각 방식으로 제거될 수 있다. 한편, 제 2 금속층의 식각비와 전술된 제 1 금속층의 식각비는 서로 다를 수 있다.
이어서, 도 7h에 도시된 바와 같이, 제 2 기저층(302)이 상부 전극(602)들 상에 형성된다. 한편, 제 2 기저층(302)은 인접한 상부 전극(602)들 사이에 형성되지 않는다. 이는 인접한 상부 전극(602)들 사이의 간격이 상당히 작기 때문이다. 다만, 전술된 도 6에 도시된 바와 같이, 제 2 기저층(302)은 제 1 최외각 하부 전극 및 제 2 최외각 하부 전극 상에 형성될 수 있다.
이후, 도 7i에 도시된 바와 같이, 제 2 보호층(402)이 제 2 기저층(302) 상에 형성된다. 제 2 보호층(402)은 제 2 기저층(302)의 전면에 형성될 수 있다.
다음으로, 도시되지 않았지만, 제 2 보호층(402) 상에 구동 회로부(130)가 형성되고, 그 구동 회로부(130) 상에 표시부(210)가 형성되고, 그 표시부(210)를 둘러싸는 밀봉 부재(250)이 형성된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 도 8에 도시된 바와 같이, 기판(111), 열전 소자(500), 구동 회로부(130), 표시부(210) 및 밀봉 부재(250)를 포함한다.
전술된 바와 같이, 열전 소자(500)는 기판(111)에 포함된 2개의 층들 사이에 위치할 수 있는 바, 이 열전 소자(500)는, 도 8에 도시된 예와 같이, 제 1 기저층(301)과 제 1 보호층(401) 사이에 위치할 수 있다. 이와 같은 경우, 열전 소자(500)의 하부 전극(601)은 제 1 기저층(301)과 접촉하며, 그 열전 소자(500)의 상부 전극(602)은 제 1 보호층(401)과 접촉한다.
한편, 열전 소자(500)는 하부 기저층 및 상부 기저층을 더 포함하는 바, 도 8에 도시된 바와 같은 구조에서 제 1 기저층(301) 이 그 열전 소자(500)의 하부 기저층의 역할을 수행하며, 제 1 보호층(401) 이 그 열전 소자(500)의 상부 기저층의 역할을 수행할 수 있다.
도 8의 기판(111), 열전 소자(500), 구동 회로부(130), 표시부(210) 및 밀봉 부재(250)의 구체적인 구성은 전술된 도 1 내지 도 7i 및 관련 설명을 참조한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(111), 열전 소자(500), 구동 회로부(130), 표시부(210) 및 밀봉 부재(250)를 포함한다.
전술된 바와 같이, 열전 소자(500)는 기판(111)에 포함된 2개의 층들 사이에 위치할 수 있는 바, 이 열전 소자(500)는, 도 9에 도시된 예와 같이, 제 2 기저층(302)과 제 2 보호층(402) 사이에 위치할 수도 있다. 이와 같은 경우, 열전 소자(500)의 하부 전극(601)은 제 2 기저층(302)과 접촉하며, 그 열전 소자(500)의 상부 전극(602)은 제 2 보호층(402)과 접촉한다.
한편, 열전 소자(500)는 하부 기저층 및 상부 기저층을 더 포함하는 바, 도 9에 도시된 바와 같은 구조에서 제 2 기저층(302)이 그 열전 소자(500)의 하부 기저층의 역할을 수행하며, 제 2 보호층(402)이 그 열전 소자(500)의 상부 기저층의 역할을 수행할 수 있다.
도 9의 기판(111), 열전 소자(500), 구동 회로부(130), 표시부(210) 및 밀봉 부재(250)의 구체적인 구성은 전술된 도 1 내지 도 7i 및 관련 설명을 참조한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 도 10에 도시된 바와 같이, 기판(111), 점착제(666), 열전 소자(500), 구동 회로부(130), 표시부(210) 및 밀봉 부재(250)을 포함한다.
구동 회로부(130)는 기판(111) 상에 위치한다. 구동 회로부(130)는 적어도 하나의 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 구동 회로부(130)는 표시부(210)를 구동한다.
표시부(210)는 구동 회로부(130) 상에 위치한다. 표시부(210)는 화소 전극(211), 표시층(212) 및 공통 전극(213)을 포함할 수 있다. 표시층(212)은 화소 전극(211)과 공통 전극(213) 사이에 위치한다.
밀봉 부재(250)는 표시부(210) 상에 위치한다. 이때, 밀봉 부재(250)는 표시부(210)를 둘러싼다.
기판(111)은 Z축 방향을 따라 배열된 적어도 2개의 층들을 포함한다. 예를 들어, 그 적어도 2개의 층들은 제 1 기저층(301), 제 1 보호층(401), 제 2 기저층(302) 및 제 2 보호층(402)을 포함할 수 있다. 제 1 기저층(301), 제 1 보호층(401), 제 2 기저층(302) 및 제 2 보호층(402)은 Z축 방향을 따라 배열된다.
제 1 기저층(301) 상에 제 1 보호층(401)이 위치하며, 그 제 1 보호층(401) 상에 제 2 기저층(302)이 위치하며, 그 제 2 기저층(302) 상에 제 2 보호층(402)이 위치한다. 다시 말하여, 제 1 보호층(401)은 제 1 기저층(301)과 제 2 기저층(302) 사이에 위치하며, 제 2 기저층(302)은 제 1 보호층(401)과 제 2 보호층(402) 사이에 위치한다.
열전 소자(500)는 점착제(666)를 통해 기판(111)에 부착된다. 이를 위해, 점착제(666)는 기판(111)과 열전 소자(500) 사이에 위치한다. 구체적으로, 열전 소자(500)는 기판(111)의 최외각에 위치한 제 1 기저층(301)에 부착되는 바, 이를 위해 전술된 접착제는 제 1 기저층(301)과 열전 소자(500) 사이에 위치할 수 있다. 점착제(666)는 PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 또는 OCA(Optical Clear Adhesive)를 포함할 수 있다.
열전 소자(500)는 펠티어(Peltier) 소자를 포함할 수 있다.
열전 소자(500)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 하부 전극(601), 상부 전극(602), N형 열전 반도체 소자(700N), P형 열전 반도체 소자(700P), 하부 기저층(551) 및 상부 기저층(552)을 포함한다.
하부 전극(601) 및 상부 전극(602)은 하부 기저층(551)과 상부 기저층(552) 사이에 위치한다. 이때, 하부 전극(601)은 하부 기저층(551) 및 상부 기저층(552) 중 하부 기저층(551)에 더 근접하게 위치하며, 상부 전극(602)은 그 하부 기저층(551) 및 상부 기저층(552) 중 상부 기저층(552)에 더 근접하게 위치한다. 하부 전극(601) 및 상부 전극(602) 중 하부 전극(601)이 하부 기저층(551)에 더 근접하게 위치하며, 하부 전극(601) 및 상부 전극(602) 중 상부 전극(602)이 상부 기저층(552)에 더 근접하게 위치한다.
하부 전극(601)은 하부 기저층(551)과 접촉할 수 있으며, 상부 전극(602)은 상부 기저층(552)과 접촉할 수 있다.
도 10의 하부 전극(601), 상부 전극(602), P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N)는 전술된 도 1의 하부 전극(601), 상부 전극(602), P형 열전 반도체 소자(700P) 및 N형 열전 반도체 소자(700N)와 동일하다.
직류 전원(800)에 의한 전압이 열전 소자(500)에 인가되면, 열전 소자(500)는 표시부(210)로부터 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출한다. 구체적으로, 열전 소자(500)는 표시부(210)의 표시층(212)로부터 발생된 열을 구동 회로부(130), 제 2 보호층(402), 제 2 기저층(302), 제 1 보호층(401), 제 1 기저층(301) 및 점착제(666)을 통해 흡수하고, 그 흡수된 열을 외부로 방출한다. 즉, 열전 소자는 능동적인 흡열 및 방열 동작을 통해 효과적으로 표시부(210)의 열을 외부로 방출할 수 있다.
한편, 본 발명의 열전 소자는 액정 표시 장치를 포함한 각종 표시 장치에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 표시 장치는 표시층(212)으로서 전술된 발광 소자 대신 액정을 포함할 수도 있다. 이와 같은 경우, 전술된 밀봉 부재(250)는 대향 기판일 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
111: 기판 500: 열전 소자
601: 하부 전극 602: 상부 전극
700P: P형 열전 반도체 소자 700N: N형 열전 반도체 소자
301: 제 1 기저층 401: 제 1 보호층
302: 제 2 기저층 402: 제 2 보호층
130: 구동 회로부 210: 표시부
250: 밀봉 부재

Claims (21)

  1. 적어도 2개의 층들을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 구동 회로부;
    상기 구동 회로부에 연결된 화소 전극;
    상기 화소 전극 상의 공통 전극;
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 표시층; 및
    직류 전원; 및상기 기판의 적어도 2개의 층들 사이에 위치한 열전 소자를 포함하며,
    상기 열전 소자는 상기 적어도 2개의 층들 사이에 배치된 복수의 하부 전극들을 포함하며,
    상기 직류 전원의 제 1 단자는 상기 구동 회로부 및 상기 기판을 관통하는 제 1 콘택홀을 통해 상기 어느 하나의 하부 전극에 연결되고, 상기 직류 전원의 제 2 단자는 상기 구동 회로부 및 상기 기판을 관통하는 제 2 콘택홀을 통해 상기 다른 하나의 하부 전극에 연결된 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 층들은 상기 열전 소자를 사이에 두고 서로 마주보게 위치한 제 1 기저층 및 제 2 기저층을 포함하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 1 기저층과 상기 열전 소자 사이에 위치한 제 1 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 2 기저층과 상기 구동 회로부 사이에 위치한 제 2 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전 소자는 펠티어(Peltier) 소자를 포함하는 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전 소자는,
    상기 2개의 층들 사이에 위치하며, 상기 2개의 층들 중 다른 하나와 접촉하는 상부 전극; 및
    상기 복수의 하부 전극들과 상기 상부 전극 사이의 P형 열전 반도체 소자 및 N형 열전 반도체 소자를 더 포함하며,
    상기 복수의 하부 전극들은 상기 2개의 층들 사이에 위치하여 상기 2개의 층들 중 어느 하나와 접촉하는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 하부 전극들은 서로 분리된 표시 장치.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 직류 전원의 제 1 단자는 상기 어느 하나의 하부 전극에 직접 연결되고, 상기 직류 전원의 제 2 단자는 상기 다른 하나의 하부 전극에 직접 연결된 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시층은 발광 소자 또는 액정을 포함하는 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극 상의 밀봉 부재 또는 대향 기판을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 기판;
    상기 기판 상의 구동 회로부;
    상기 구동 회로부에 연결된 화소 전극;
    상기 화소 전극 상의 공통 전극;
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 표시층;
    직류 전원; 및
    상기 기판을 사이에 두고 상기 구동 회로부와 마주보는 열전 소자를 포함하며,
    상기 열전 소자는 복수의 하부 전극들을 포함하며,
    상기 직류 전원의 제 1 단자는 상기 구동 회로부 및 상기 기판을 관통하는 제 1 콘택홀을 통해 상기 어느 하나의 하부 전극에 연결되고, 상기 직류 전원의 제 2 단자는 상기 구동 회로부 및 상기 기판을 관통하는 제 2 콘택홀을 통해 상기 다른 하나의 하부 전극에 연결된 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 열전 소자 사이의 점착층을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 점착층은 PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 또는 OCA(Optical Clean Adhesive)를 포함하는 표시 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 2개의 층들을 포함하는 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 층들은,
    제 1 기저층; 및
    상기 제 1 기저층 상의 제 2 기저층을 포함하는 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 1 기저층과 상기 제 2 기저층 사이의 제 1 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 층들은 상기 제 2 기저층과 상기 구동 회로부 사이에 위치한 제 2 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 열전 소자는 펠티어(Peltier) 소자를 포함하는 표시 장치.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 열전 소자는,
    하부 기저층;
    상기 하부 기저층과 상기 기판 사이의 상부 기저층;
    상기 하부 기저층과 상기 상부 기저층 사이에 위치하며, 상기 상부 기저층과 접촉하는 상부 전극; 및
    상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 P형 열전 반도체 소자 및 N형 열전 반도체 소자를 더 포함하며,
    상기 복수의 하부 전극들은 상기 하부 기저층과 상기 상부 기저층 사이에 위치한 표시 장치.















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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109817829A (zh) * 2019-01-31 2019-05-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 散热膜及显示面板
CN110908184B (zh) * 2019-11-14 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及其制备方法
CN111799237B (zh) * 2020-07-21 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制造方法、显示装置
CN115863379A (zh) * 2022-12-19 2023-03-28 惠科股份有限公司 显示装置及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200507A (ja) * 2009-04-13 2009-09-03 Kelk Ltd ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール
JP2010256666A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2012196081A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Fujifilm Corp 熱電発電装置及び携帯型電子機器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10200208A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nec Corp 半導体レーザーモジュール
JP2004296100A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置及び液晶表示装置
CN100376990C (zh) * 2003-10-14 2008-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 平面内切换型液晶显示装置
KR20090095301A (ko) * 2008-03-05 2009-09-09 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR20160044161A (ko) * 2014-10-14 2016-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200507A (ja) * 2009-04-13 2009-09-03 Kelk Ltd ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール
JP2010256666A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2012196081A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Fujifilm Corp 熱電発電装置及び携帯型電子機器

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